CN112658976A - 用于对陶瓷的表面进行研磨的方法 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及一种用于对陶瓷的表面进行研磨的方法，其特征在于，包括以下步骤：(a)准备待研磨的陶瓷；(b)对陶瓷的表面进行清洗；(c)准备用于对所述陶瓷的表面进行研磨的磨具，并将陶瓷装载在磨具上；(d)以预定流速向陶瓷的表面提供研磨液，并且使磨具以预定转速旋转，其中，研磨液包括粒径为0.1微米至0.5微米的研磨颗粒；(e)以预定时间对陶瓷的表面进行研磨。根据本公开，能够有效地改善陶瓷的表面的粗糙度和平坦度。

Description

用于对陶瓷的表面进行研磨的方法
技术领域
本公开涉及一种用于对陶瓷的表面进行研磨的方法。
背景技术
目前，植入式医疗器械已经广泛应用于恢复身体功能、提高生命活力等各个方面。这样的植入式医疗器械例如有可植入到体内的深部脑刺激器、人工耳蜗、人造视网膜等。
由于植入式医疗器械需要植入体内并且长期保留在体内，因此植入到体内的植入式医疗器械需要能够应对体内的复杂生理环境。经过长期植入后，植入式医疗器械与周围组织接触的部分可能会发生老化、降解、裂解、再交联等物理或化学反应，对植入对象产生不利影响例如在植入部位引起炎症等不良生物反应。因此，对于植入式医疗器械而言，生物安全性、长期植入可靠性等要求都非常高。
为此，通常情况下，使用生物安全性良好的陶瓷通过焊接等制备方法制成气密性良好的密封壳体，并将植入式医疗器械中的非生物安全性部件例如芯片、印刷电路板(PCB)等封装在该密封壳体内，从而有效避免上述非生物安全性部件与被植入部位(例如血液、组织或骨骼)的组织产生接触。并且，为了达到良好的焊接效果，通常要求进行焊接的陶瓷的表面具有良好的润湿性和冶金反应速率。
在现有技术中，由于医疗器械用陶瓷通常情况下具有硬度高、体积小等特点，使用常规研磨方法对其进行研磨时，难以达到良好的研磨效果，从而造成使用该陶瓷制作的密封壳体往往难以达到医疗器械的气密要求。因此，如何对陶瓷进行研磨以使其具有良好的粗糙度和平坦度，是目前需要解决的问题。
发明内容
本公开是有鉴于上述现有技术的状况而完成的，其目的在于提供一种能够有效地改善陶瓷的表面的粗糙度和平坦度的用于对陶瓷的表面进行研磨的方法。
为此，本公开提供了一种用于对陶瓷的表面进行研磨的方法，其特征在于，包括以下步骤：(a)准备待研磨的陶瓷；(b)对所述陶瓷的表面进行清洗；(c)准备用于对所述陶瓷的表面进行研磨的具有磨片的磨具，并将所述陶瓷装载在所述磨具上；(d)以预定流速向所述陶瓷的表面提供研磨液，并且使所述磨片以预定转速进行旋转，其中，所述研磨液包括粒径为0.1微米至0.5微米的研磨颗粒；并且(e)以预定时间对所述陶瓷的表面进行研磨。
在本公开所涉及的用于对陶瓷的表面进行研磨的方法中，利用预定成分的研磨液与磨片配合来对陶瓷进行研磨，能够有效改善陶瓷的表面的粗糙度和平坦度，从而有效地改善陶瓷在冶金反应中的润湿性和一致性。
另外，在本公开所涉及的用于对陶瓷的表面进行研磨的方法中，可选地，所述陶瓷由选自氧化铝、氧化锆、氮化硅、碳化硅中的至少一种构成。由此，能够有效提升陶瓷的生物安全性。
另外，在本公开所涉及的用于对陶瓷的表面进行研磨的方法中，可选地，所述陶瓷由氧化铝构成，所述氧化铝的质量分数不低于99.9％。由此，能够有效提升陶瓷的生物安全性和硬度。
另外，在本公开所涉及的用于对陶瓷的表面进行研磨的方法中，可选地，所述磨具还包括使所述磨片旋转的驱动装置，所述陶瓷被装载在所述磨片的上方。由此，能够方便地对陶瓷的表面进行研磨。
另外，在本公开所涉及的用于对陶瓷的表面进行研磨的方法中，可选地，在所述陶瓷上还设置有配重块，以使所述陶瓷与所述磨片彼此产生挤压。由此，能够在研磨过程中较好地固定陶瓷，并且在转动过程中增加摩擦力。
另外，在本公开所涉及的用于对陶瓷的表面进行研磨的方法中，可选地，在步骤(d)中，所述预定流速为每分钟34毫升至170毫升，所述预定转速为每分钟25转至75转，所述预定流速与所述预定转速之间具有对应关系。由此，能够达到更好的研磨效果。
另外，在本公开所涉及的用于对陶瓷的表面进行研磨的方法中，可选地，所述研磨颗粒选自金刚石、氧化铝、碳化硅、氮化硼中的至少一种。由此，能够有效提升研磨液对陶瓷的表面的研磨作用。
另外，在本公开所涉及的用于对陶瓷的表面进行研磨的方法中，可选地，所述研磨颗粒为金刚石。由此，能够进一步提升研磨液对硬度较高的陶瓷的表面的研磨作用。
另外，在本公开所涉及的用于对陶瓷的表面进行研磨的方法中，可选地，所述研磨液介于所述磨片与所述陶瓷的表面之间。由此，能够有效增加研磨液与陶瓷的表面之间的相对运动和摩擦。
此外，在本公开所涉及的用于对陶瓷的表面进行研磨的方法中，可选地，所述陶瓷随着所述磨片而进行自转。由此，能够有效提高研磨效果。
根据本公开，能够提供一种能够有效地改善陶瓷的表面的粗糙度和平坦度的用于对陶瓷的表面进行研磨的方法。
附图说明
现在将仅通过参考附图的例子进一步详细地解释本公开的实施例，其中：
图1是示出了本公开的实施方式所涉及的磨具的结构示意图。
图2是示出了图2所示的磨具沿A-A'的截面图示意图。
图3是示出了本公开的实施方式所涉及的方法在对陶瓷进行研磨的过程中各组分的层叠关系示意图。
图4是示出了本公开的实施方式所涉及的方法的流程示意图。
附图标记说明：
10…陶瓷，20…磨具，21…磨片，22…支撑机构，221…突起部，23…驱动机构，24…夹持机构，241…固定杆，242…外环，243…内环，25…磨台，30…研磨液，40…陶瓷盘，50…配重块。
具体实施方式
以下，参考附图，详细地说明本公开的优选实施方式。在下面的说明中，对于相同的部件赋予相同的符号，省略重复的说明。另外，附图只是示意性的图，部件相互之间的尺寸的比例或者部件的形状等可以与实际的不同。
需要说明的是，本公开中的术语“包括”和“具有”以及它们的任何变形，例如所包括或所具有的一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可以包括或具有没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
另外，在本公开的下面描述中涉及的小标题等并不是为了限制本公开的内容或范围，其仅仅是作为阅读的提示作用。这样的小标题既不能理解为用于分割文章的内容，也不应将小标题下的内容仅仅限制在小标题的范围内。
本公开的实施方式涉及一种用于对陶瓷的表面进行研磨的方法，在本公开的实施方式所涉及的方法中，可以使用磨具与研磨液配合来对陶瓷的表面进行研磨。以下结合附图对本文所述的方法进行详细说明。
图1是示出了本公开的实施方式所涉及的磨具的结构示意图。图2是示出了图2所示的磨具沿A-A'的截面图示意图。图3是示出了本公开的实施方式所涉及的方法在对陶瓷进行研磨的过程中各组分的层叠关系示意图。
本公开的各种实施方式提供一种用于对陶瓷10的表面进行研磨的方法。该方法包括：准备待研磨的陶瓷10；准备磨具20，该磨具20包括：磨片21，其用于与陶瓷10产生相对运动从而对陶瓷10进行研磨；支撑机构22，其用于装载磨片21；驱动机构23，其用于驱动磨片21进行旋转；夹持机构24，其具有中空结构并用于装载陶瓷10；磨台25，其与地面保持相对静止并用于固定夹持机构24；将陶瓷10装载在夹持机构24内；准备研磨液30；向陶瓷10提供研磨液30；驱动磨片21进行旋转，从而对陶瓷10进行研磨。
本公开的各种实施方式提供一种用于对陶瓷10的表面进行研磨的方法。该方法包括：准备待研磨的陶瓷10；准备磨具20，该磨具20包括：磨片21，其用于与陶瓷10产生相对运动从而对陶瓷10进行研磨；支撑机构22，其用于装载磨片21；驱动机构23，其用于驱动磨片21进行旋转；夹持机构24，其具有中空结构并用于装载陶瓷10；磨台25，其与地面保持相对静止并用于固定夹持机构24；将陶瓷10装载在夹持机构24内；准备研磨液30；向陶瓷10提供研磨液30；在陶瓷10的上表面施加陶瓷盘40；驱动磨片21进行旋转，从而对陶瓷10进行研磨。
本公开的各种实施方式提供一种用于对陶瓷10的表面进行研磨的方法。该方法包括：准备待研磨的陶瓷10；准备磨具20，该磨具20包括：磨片21，其用于与陶瓷10产生相对运动从而对陶瓷10进行研磨；支撑机构22，其用于装载磨片21；驱动机构23，其用于驱动磨片21进行旋转；夹持机构24，其具有中空结构并用于装载陶瓷10；磨台25，其与地面保持相对静止并用于固定夹持机构24；将陶瓷10装载在夹持机构24内；准备研磨液30；向陶瓷10提供研磨液30；在陶瓷10的上表面施加陶瓷盘40；在陶瓷盘40的上表面施加配重块50；驱动磨片21进行旋转，从而对陶瓷10进行研磨。
本公开的各种实施方式提供一种用于对陶瓷10的表面进行研磨的方法。该方法包括：准备待研磨的陶瓷10；准备磨具20，该磨具20包括：磨片21，其用于与陶瓷10产生相对运动从而对陶瓷10进行研磨；支撑机构22，其用于装载磨片21；驱动机构23，其用于驱动磨片21进行旋转；夹持机构24，其具有中空结构并用于装载陶瓷10；磨台25，其与地面保持相对静止并用于固定夹持机构24；将陶瓷10装载在夹持机构24内；准备研磨液30；向磨片21提供研磨液30；驱动磨片21进行旋转，从而对陶瓷10进行研磨。
本公开的各种实施方式提供一种用于对陶瓷10的表面进行研磨的方法。该方法包括：准备待研磨的陶瓷10；准备磨具20，该磨具20包括：磨片21，其用于与陶瓷10产生相对运动从而对陶瓷10进行研磨；支撑机构22，其用于装载磨片21；驱动机构23，其用于驱动磨片21进行旋转；夹持机构24，其具有中空结构并用于装载陶瓷10；磨台25，其与地面保持相对静止并用于固定夹持机构24；将陶瓷10装载在夹持机构24内；准备研磨液30；向磨片21提供研磨液30；在陶瓷10的上表面施加陶瓷盘40；驱动磨片21进行旋转，从而对陶瓷10进行研磨。
本公开的各种实施方式提供一种用于对陶瓷10的表面进行研磨的方法。该方法包括：准备待研磨的陶瓷10；准备磨具20，该磨具20包括：磨片21，其用于与陶瓷10产生相对运动从而对陶瓷10进行研磨；支撑机构22，其用于装载磨片21；驱动机构23，其用于驱动磨片21进行旋转；夹持机构24，其具有中空结构并用于装载陶瓷10；磨台25，其与地面保持相对静止并用于固定夹持机构24；将陶瓷10装载在夹持机构24内；准备研磨液30；向磨片21提供研磨液30；在陶瓷10的上表面施加陶瓷盘40；在陶瓷盘40的上表面施加配重块50；驱动磨片21进行旋转，从而对陶瓷10进行研磨。
本公开的各种实施方式提供一种用于对陶瓷10的表面进行研磨的方法。该方法包括：准备待研磨的陶瓷10；准备磨具20，该磨具20包括：磨片21，其用于与陶瓷10产生相对运动从而对陶瓷10进行研磨；支撑机构22，其用于装载磨片21；驱动机构23，其用于驱动磨片21进行旋转；夹持机构24，其具有中空结构并用于装载陶瓷10；磨台25，其与地面保持相对静止并用于固定夹持机构24；将陶瓷10装载在夹持机构24内；准备研磨液30；向磨片21提供研磨液30；向陶瓷10提供研磨液30；驱动磨片21进行旋转，从而对陶瓷10进行研磨。
本公开的各种实施方式提供一种用于对陶瓷10的表面进行研磨的方法。该方法包括：准备待研磨的陶瓷10；准备磨具20，该磨具20包括：磨片21，其用于与陶瓷10产生相对运动从而对陶瓷10进行研磨；支撑机构22，其用于装载磨片21；驱动机构23，其用于驱动磨片21进行旋转；夹持机构24，其具有中空结构并用于装载陶瓷10；磨台25，其与地面保持相对静止并用于固定夹持机构24；将陶瓷10装载在夹持机构24内；准备研磨液30；向磨片21提供研磨液30；向陶瓷10提供研磨液30；在陶瓷10的上表面施加陶瓷盘40；驱动磨片21进行旋转，从而对陶瓷10进行研磨。
本公开的各种实施方式提供一种用于对陶瓷10的表面进行研磨的方法。该方法包括：准备待研磨的陶瓷10；准备磨具20，该磨具20包括：磨片21，其用于与陶瓷10产生相对运动从而对陶瓷10进行研磨；支撑机构22，其用于装载磨片21；驱动机构23，其用于驱动磨片21进行旋转；夹持机构24，其具有中空结构并用于装载陶瓷10；磨台25，其与地面保持相对静止并用于固定夹持机构24；将陶瓷10装载在夹持机构24内；准备研磨液30；向磨片21提供研磨液30；向陶瓷10提供研磨液30；在陶瓷10的上表面施加陶瓷盘40；在陶瓷盘40的上表面施加配重块50；驱动磨片21进行旋转，从而对陶瓷10进行研磨。
在一些示例中，陶瓷10可以包括氧化铝(Al2O3)、氧化锆(ZrO2)、氮化硅(Si3N4)、碳化硅(SiC)中的至少一种。由此，能够有效提升陶瓷10的生物安全性和硬度。
在一些示例中，陶瓷10可以由氧化铝(化学式Al2O3，其包括单晶的蓝宝石和红宝石、或者多晶α蓝宝石)与其他材料混合构成。其他材料例如可以是氧化锆(化学式ZrO2，其包括氧化镁部分稳定氧化锆(Mg-PSZ))、氧化钇稳定的四方氧化锆多晶(Y-TZP)、氧化铈稳定的四方氧化锆多晶(Ce-TZP)、氧化硅(SiO2)。由此，能够有效提升陶瓷10的生物安全性和硬度。
在一些示例中，陶瓷10中的氧化铝(Al2O3)的质量分数可以为96％及以上，例如，氧化铝(Al2O3)的质量分数可以为96％、96.5％、97％、97.5％、98％、98.5％、98.9％。在一些示例中，陶瓷10中的氧化铝(Al2O3)质量分数可以为99％、99.1％、99.2％、99.3％、99.4％、99.5％、99.6％、99.7％、99.8％、99.9％。由此，能够有效地提升陶瓷20的生物安全性和硬度。
在一些示例中，本公开的各种实施方式所涉及的方法也可以用于其他陶瓷20。例如，陶瓷20也可以由选自氧化钾(K2O)、氧化钠(Na2O)、氧化钙(CaO)、氧化镁(MgO)、氧化铁(Fe2O3)中的至少一种构成。
在一些示例中，本公开的各种实施方式所涉及的方法还可以包括对陶瓷10进行清洗。由此，能够有效去除陶瓷10的表面的杂质例如灰尘，从而能够有效降低该杂质对研磨的不利影响。
在一些示例中，本公开的各种实施方式所涉及的方法还可以包括使用乙醇对陶瓷10进行清洗。在一些示例中，本公开的各种实施方式所涉及的方法还可以包括使用异丙醇对陶瓷10进行清洗。在一些示例中，本公开的各种实施方式所涉及的方法还可以包括使用乙醇和异丙醇依次对陶瓷10进行清洗。在一些示例中，本公开的各种实施方式所涉及的方法还可以使用异丙醇和乙醇依次对陶瓷10进行清洗。
在一些示例中，使用乙醇对陶瓷10进行清洗的时间可以为5分钟至20分钟。例如，使用乙醇对陶瓷10进行清洗的时间可以为5分钟、10分钟、15分钟或者20分钟。
在一些示例中，使用异丙醇对陶瓷20进行清洗的时间可以为5分钟至20分钟。例如，使用异丙醇对陶瓷20进行清洗的时间可以为5分钟、10分钟、15分钟或者20分钟。
在一些示例中，本公开的各种实施方式所涉及的方法还可以包括对陶瓷10进行干燥处理。例如，对陶瓷10进行清洗之后，通过例如风干等方式对清洗后的陶瓷10进行干燥处理。
在一些示例中，如图1和图2所示，磨具20可以包括磨片21、支撑机构22、驱动机构23、夹持机构24、以及磨台25。其中，磨片21可以是具有特定摩擦系数的能够用于与陶瓷10产生摩擦从而对陶瓷10的表面进行研磨的圆盘状磨片21；支撑机构22可以用于装载磨片21；驱动机构23可以与支撑机构22传动连接，并可以驱动支撑机构22进行旋转，从而驱动磨片21进行旋转；夹持机构24可以具有用于装载陶瓷10的中空结构；磨台25可以用于连接夹持机构24，并且当磨具20运转时，磨台25可以与地面保持相对静止。
在一些示例中，支撑机构22可以包括例如螺帽或卡扣等用于固定磨片21的紧固结构，紧固结构使得装载在支撑机构22上的磨片21能够与支撑机构22保持相对静止。
在一些示例中，如图1和图2所示，支撑机构22的整体边缘可以具有突起部221。突起部221将支撑机构22形成为具有凹槽的装置，该凹槽可以用于容纳液体。
在一些示例中，磨片21装载在支撑机构22上之后，突起部221的上沿仍高于磨片21的上表面。在这种情况下，当支撑机构22的凹槽内盛装有液体时，磨片21可以浸没在该液体中。
在一些示例中，驱动机构23可以驱动磨片21进行顺时针旋转，也可以驱动磨片21进行逆时针旋转。在一些示例中，驱动机构23可以驱动磨片21以预定转速进行旋转。在一些示例中，预定转速可以为每分钟25转至75转。例如，预定转速可以为每分钟25转、30转、35转、40转、45转、50转、55转、60转、65转、70转或者75转。
在一些示例中，驱动机构23可以根据研磨时间来驱动磨片21以不同的转速进行旋转。例如，在进行研磨的第一个5分钟内，驱动机构23可以驱动磨片21以每分钟70转的转速进行旋转；在进行研磨的第二个5分钟内，驱动机构23可以驱动磨片21以每分钟60转的转速进行旋转；在进行研磨的第三个5分钟内，驱动机构23可以驱动磨片21以每分钟50转的转速进行旋转；在进行研磨的第四个5分钟内，驱动机构23可以驱动磨片21以每分钟40转的转速进行旋转；在进行研磨的第五个5分钟内，驱动机构23可以驱动磨片21以每分钟35转的转速进行旋转；在进行研磨的第六个5分钟内，驱动机构23可以驱动磨片21以每分钟30转的转速进行旋转。
在一些示例中，夹持机构24可以包括连接于磨台25的连接杆241、位于连接杆241端部并与连接杆241保持固定的外环242、以及设置在外环242内部的内环243。在一些示例中，外环242和内环243的整体外观可以呈圆柱结构，并且外环242与内环243可以具有共同的沿竖直方向的中心轴。在一些示例中，内环243的底面可以略微突出于外环242的底面。
在一些示例中，外环242与内环243可以通过滚珠连接以形成类似于轴承的结构，使得内环243在水平方向上可以相对于外环242自由旋转。在一些示例中，外环242与内环243之间还可以具有锁扣机构，当锁扣机构锁死时，外环242与内环243保持相对静止。
在一些示例中，内环243具有用于装载陶瓷10的中空结构。在一些示例中，内环243可以将陶瓷10固定在中空结构中，即陶瓷10与内环243可以保持相对静止。在一些示例中，陶瓷10也可以无束缚地放置在内环243的中空结构中，即陶瓷10可以相对于内环243进行自由移动。在一些示例中，通过将陶瓷10装载在内环243的中空结构中，从而可以将陶瓷10装载在磨片21的上方。
在一些示例中，磨片21的上表面与陶瓷10的下表面可以发生接触。在一些示例中，当陶瓷10被固定在内环243的中空结构内并且外环242与内环243之间的锁扣机构打开时，磨片21与陶瓷10之间的相对运动产生的摩擦可以带动陶瓷10以内环243的中心轴线为轴进行旋转。在一些示例中，当陶瓷10呈规则形状并且陶瓷10的中心位于内环243的中心轴线时，陶瓷10可以在磨片21的带动下以内环243的中心轴线为轴进行自转。在一些示例中，当陶瓷10被无束缚地放置在内环243的中空结构内时，磨片21与陶瓷10之间的相对运动产生的摩擦可以带动陶瓷10在原地进行自转。
在一些示例中，连接杆241与磨台25在水平方向上可以保持固定。在一些示例中，连接杆241具有沿着竖直方向的高度调节机构例如丝杠，连接杆241可以调节内环243的底面与磨片21的上表面之间的距离。在一些示例中，内环243的底面可以略微高于磨片21的上表面，并且略微低于支撑机构22的突起部221的上沿。
在一些示例中，当陶瓷10被固定在内环243的中空结构内时，通过调节连接杆241可以调节内环243的底面与磨片21的上表面之间的距离，从而调节陶瓷10的下表面与磨片21的上表面之间的距离。在一些示例中，陶瓷10的下表面与磨片21的上表面之间的距离可以为0.5毫米、1毫米、1.5毫米或者2毫米。
在一些示例中，可以使用研磨液30与磨片21配合来对陶瓷10的表面进行研磨。在一些示例中，可以以预定流速向磨片21提供研磨液30。在一些示例中，可以以预定流速向陶瓷10提供研磨液30。在一些示例中，可以以预定流速向磨片21和陶瓷10提供研磨液30。
在一些示例中，预定流速可以为每分钟34毫升至170毫升。例如，预定流速可以为每分钟34毫升、40毫升、45毫升、50毫升、55毫升、60毫升、65毫升、70毫升、75毫升、80毫升、85毫升、90毫升、95毫升、100毫升、105毫升、110毫升、115毫升、120毫升、125毫升、130毫升、135毫升、140毫升、145毫升、150毫升、155毫升、160毫升、165毫升或者170毫升。
在一些示例中，向磨片21或陶瓷10提供研磨液30的预定流速与磨片21的预定转速之间可以具有对应关系。在一些示例中，较大的预定转速可以对应于较大的预定流速。在一些示例中，当预定转速为每分钟25转时，预定流速可以为每分钟34毫升。在一些示例中，当预定转速为每分钟30转时，预定流速可以为每分钟50毫升。在一些示例中，当预定转速为每分钟35转时，预定流速可以为每分钟60毫升。在一些示例中，当预定转速为每分钟40转时，预定流速可以为每分钟70毫升。在一些示例中，当预定转速为每分钟45转时，预定流速可以为每分钟80毫升。在一些示例中，当预定转速为每分钟50转时，预定流速可以为每分钟90毫升。在一些示例中，当预定转速为每分钟55转时，预定流速可以为每分钟100毫升。在一些示例中，当预定转速为每分钟60转时，预定流速可以为每分钟110毫升。在一些示例中，当预定转速为每分钟65转时，预定流速可以为每分钟130毫升。在一些示例中，当预定转速为每分钟70转时，预定流速可以为每分钟150毫升。在一些示例中，当预定转速为每分钟75转时，预定流速可以为每分钟170毫升。
在一些示例中，研磨液30可以包括研磨颗粒。在一些示例中，研磨颗粒可以包括金刚石、氧化铝、碳化硅、氮化硼中的至少一种。在一些示例中，研磨颗粒可以由金刚石、氧化铝、碳化硅、氮化硼中的某一种例如金刚石构成。在一些示例中，可以根据待陶瓷10的硬度和所期望的研磨效果来选择不同材质的研磨颗粒。
在一些示例中，研磨液30可以包括粒径为0.1微米至0.5微米的研磨颗粒。在一些示例中，研磨液30可以包括粒径为0.1微米、0.2微米、0.3微米、0.4微米或0.5微米的研磨颗粒。在一些示例中，研磨液30中的研磨颗粒可以具有一致性，即研磨液30可以包括组成成分以及粒径相同的研磨颗粒。在一些示例中，研磨液30中的研磨颗粒可以具有差异性，即研磨液30可以包括粒径不同的研磨颗粒或组成成分不同的研磨颗粒。
在一些示例中，研磨液30可以容纳在支撑机构22的凹槽内。在一些示例中，磨片21可以浸没在研磨液30内。在一些示例中，如图3所示，研磨液30可以介于磨片21的上表面与陶瓷10的下表面之间。在一些示例中，陶瓷10的下表面可以位于研磨液30的液面以下。在一些示例中，陶瓷10的下表面可以位于磨片21的上表面与研磨液30的液面之间，并且与磨片21的上表面不发生接触。
在一些示例中，本公开的各种实施方式所涉及的方法还可以包括使用研磨液30对磨片21进行浸润。在一些示例中，使用研磨液30对磨片21进行浸润的时间可以为1分钟至5分钟。在一些示例中，使用研磨液30对磨片21进行浸润的时间可以为1分钟、2分钟、3分钟、4分钟或5分钟。在一些示例中，可以在陶瓷10装载在夹持机构24之后即使用研磨液30对磨片21进行浸润。在一些示例中，可以在驱动磨片21进行旋转之前使用研磨液30对磨片21进行浸润。
在一些示例中，本公开的各种实施方式所涉及的方法还可以包括使用研磨液30对陶瓷10进行浸润。在一些示例中，使用研磨液30对陶瓷10进行浸润的时间为1分钟至5分钟。在一些示例中，使用研磨液30对陶瓷10进行浸润的时间可以为1分钟至5分钟。在一些示例中，使用研磨液30对陶瓷10进行浸润的时间可以为1分钟、2分钟、3分钟、4分钟或5分钟。在一些示例中，可以在陶瓷10装载在夹持机构24之后即使用研磨液30对陶瓷10进行浸润。在一些示例中，可以在驱动磨片21对陶瓷10进行研磨之前使用研磨液30对陶瓷10进行浸润。
在一些示例中，本公开的各种实施方式所涉及的方法还可以包括：在向陶瓷10或磨片21提供研磨液30之前，对研磨液30进行搅拌处理以使研磨液30中的研磨颗粒分布更为均匀。在一些示例中，对研磨液30进行搅拌处理的时间可以为1分钟至10分钟。在一些示例中，对研磨液30进行搅拌处理的时间可以为1分钟、2分钟、3分钟、4分钟、5分钟、6分钟、7分钟、8分钟、9分钟或10分钟。
在一些示例中，如图3所示，对陶瓷10进行研磨时可以在陶瓷10的上表面放置陶瓷盘40。在一些示例中，陶瓷盘40的材质可以与陶瓷10的材质相同。在一些示例中，陶瓷盘40的下表面的面积大于陶瓷10的上表面的面积。在一些示例中，陶瓷盘40可以呈圆饼状，并且陶瓷盘40的直径可以略小于内环243的内径。在一些示例中，陶瓷盘40放置在陶瓷10的上表面时，陶瓷盘40可以与内环243共轴。在一些示例中，在旋转陶瓷盘40之前可以向陶瓷10的上表面提供研磨液30。在一些示例中，在放置陶瓷盘40之前可以使用研磨液30对陶瓷盘40进行浸润。由此，可以在研磨时有效增大陶瓷10的稳定性。
在一些示例中，如图3所示，对陶瓷10进行研磨时可以在陶瓷盘40的上表面放置配重块50。在一些示例中，配重块50可以与陶瓷盘40具有相同的形状。在一些示例中，配重块50的下表面略大于或等于陶瓷盘40的上表面。在一些示例中，配重块50以共轴的方式叠放在陶瓷盘40的上表面。在一些示例中，配重块50的上表面略低于内环243的上表面。在一些示例中，配重块50的质量可以为1千克至5千克。在一些示例中，配重块50的质量可以为1千克、2千克、3千克、4千克或5千克。
在一些示例中，可以以预定时间对陶瓷10进行研磨。在一些示例中，预定时间可以为5分钟至30分钟。在一些示例中，预定时间可以为5分钟、10分钟、15分钟、20分钟、25分钟或者30分钟。
在一些示例中，经过预定时间后，首先关闭驱动装置23，以使磨片21停止旋转；待磨片21完全停止后，接着再停止提供研磨液30。
图4是示出了本公开的实施方式所涉及的方法的流程示意图。以下，结合图4，详细描述本公开的实施方式所涉及的方法的其中一种实施例：
首先，选取氧化铝质量分数为99.9％的陶瓷10(步骤S100)。
接着，使用乙醇对陶瓷10的表面进行时长为5分钟的清洗，再使用异丙醇对陶瓷10的表面进行时长为5分钟的清洗；并将清洗后的陶瓷10放置在阴凉通风的地方，以对其进行干燥处理(步骤S200)。
接着，对研磨液30进行时长为5分钟的搅拌处理，以使研磨液30中的研磨颗粒分布均匀。接着，使用研磨液30对磨片21和陶瓷10进行时长为5分钟的浸润处理(步骤S300)。
接着，将陶瓷10固定在夹持机构24的内环243中。接着，在陶瓷10的上表面施加些许研磨液30。接着，依次在陶瓷10的上表面放置与陶瓷10材质相同的陶瓷盘40以及质量为3千克的配重块50(步骤S400)。
然后，以预定流速向陶瓷10和磨片21提供研磨液30、以预定转速驱动磨片21进行旋转、并且以预定时间对陶瓷10进行研磨。具体而言：以每分钟150毫升的流速向陶瓷10和磨片21提供研磨液30，再以每分钟70转的转速驱动磨片21进行旋转；磨片21以每分钟70转的转速旋转5分钟后，将转速调节为每分钟60转，再将流速调节为每分钟110毫升；磨片21以每分钟60转的转速旋转5分钟后，将转速调节为每分钟50转，再将流速调节为每分钟90毫升；磨片21以每分钟50转的转速旋转5分钟后，将转速调节为每分钟40转，再将流速调节为每分钟70毫升；磨片21以每分钟40转的转速旋转5分钟后，将转速调节为每分钟30转，再将流速调节为每分钟50毫升；磨片21以每分钟30转的转速旋转5分钟后，关闭驱动机构23，待磨片21停止旋转后，再停止向陶瓷10和磨片21提供研磨液30(步骤S500)。
最后，使用乙醇对经研磨后的陶瓷10的表面进行时长为5分钟的清洗，再使用异丙醇对经研磨后的陶瓷10的表面进行时长为5分钟的清洗；并将清洗后的陶瓷10放置在阴凉通风的地方，以对其进行干燥处理(步骤S600)。
根据本公开，能够提供一种能够有效地改善陶瓷10的表面的粗糙度和平坦度的用于对陶瓷10的表面进行研磨的方法。
虽然以上结合附图和实施方式对本公开进行了具体说明，但是可以理解，上述说明不以任何形式限制本公开。本领域技术人员在不偏离本公开的实质精神和范围的情况下可以根据需要对本公开进行变形和变化，这些变形和变化均落入本公开的范围内。

Claims (10)

1.一种用于对陶瓷的表面进行研磨的方法，其特征在于，
包括以下步骤：
(a)准备待研磨的陶瓷；
(b)对所述陶瓷的表面进行清洗；
(c)准备用于对所述陶瓷的表面进行研磨的具有磨片的磨具，并将所述陶瓷装载在所述磨具上；
(d)以预定流速向所述陶瓷的表面提供研磨液，并且使所述磨片以预定转速进行旋转，其中，所述研磨液包括粒径为0.1微米至0.5微米的研磨颗粒；并且
(e)以预定时间对所述陶瓷的表面进行研磨。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述陶瓷包括氧化铝、氧化锆、氮化硅、碳化硅中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
所述陶瓷包括氧化铝，所述氧化铝的质量分数不低于99.9％。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述磨具还包括使所述磨片旋转的驱动装置，所述陶瓷被装载在所述磨片的上方。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，
在所述陶瓷上还设置有配重块，以使所述陶瓷与所述磨片彼此产生挤压。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
在步骤(d)中，所述预定流速为每分钟34毫升至170毫升，
所述预定转速为每分钟25转至75转，
所述预定流速与所述预定转速之间具有对应关系。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述研磨颗粒选自金刚石、氧化铝、碳化硅、氮化硼中的至少一种。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，
所述研磨颗粒为金刚石。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述研磨液介于所述磨片与所述陶瓷的表面之间。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述陶瓷随着所述磨片而进行自转。
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