CN112652729A - 一种有机发光器件及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请实施例公开了一种有机发光器件及其制备方法、显示装置，有机发光器件包括有机发光单元；阻挡层，设于所述有机发光单元的一侧表面，用于阻挡紫外光进入所述有机发光单元；所述阻挡层材料的消光系数ABS在紫外线波长下的积分值为S^ABS，其中0.522≤S^ABS≤0.6。本实施例的有益效果在于，本实施例中的一种有机发光器件及其制备方法、显示装置，采用消光系数和折射率更好的紫外线阻挡层替换LIF层，阻挡层在紫外波段内具有较高的消光系数，能够很好的阻挡外界紫外线对发光器件的损坏，提升了有机发光器件的使用寿命，同时也提升了有机发光器件的出光效率，在有机发光器件的制备方法中。

Description

一种有机发光器件及其制备方法、显示装置

技术领域

本申请涉及发光器件领域，具体涉及一种有机发光器件及其制备方法、显示装置。

背景技术

随着时代的进步，显示技术已经成为人们日常生活中不可或缺的技术。为了获得高对比度、低能耗、广视角、轻薄柔性等需求，有机发光二极管(OLED)显示技术已经成为当前科学研究的热点，并获得国内外产业的青睐，正逐步取代TFT-LCD成为下一代主流显示技术。1987年，柯达公司邓青云教授和Van Slyke用透明导电薄膜做阳极，Alq3为发光材料，三芳胺为空穴传输层，金属电极为阴极制备了世界上第一个OLED器件(Appl.Phys.Lett.,1987,51,913.)。在随后的三十年里，OLED器件性能取得了巨大的进步，并成功实现了产业化。

众所周知，决定OLED器件性能的关键因素主要包括器件的效率以及使用寿命。前者主要决定了OLED器件在单位电流下的发光强度，这也决定了器件在使用过程中的能耗问题。目前，通过新材料的开发以及器件结构的优化和调整，器件的发光效率已经基本达到了产业化得需求。寿命主要决定了器件维持高性能输出的时间。影响寿命的因素很多，包括材料性能、界面稳定性、制程工艺等。其中，比较重要的是紫外(UV)光对OLED器件的影响。此处UV光的来源包括薄膜封装(Thin Film Encapsulation，TFE)过程中紫外光的照射以及OLED器件使用过程中来自于太阳光中的UV光。对于后者，目前主要防护措施是在封装后的器件表面贴附一层紫外光过滤膜，用来减少阳光中UV光对器件的照射。对于前者，目前主要的防护措施是在覆盖层(CPL，Capping Layer)和封装盖之间增加一层LiF，但是LiF也仅是过滤掉部分的紫外光，效果不明显。

发明内容

本申请实施例提供一种有机发光器件及其制备方法、显示装置，可以解决现有技术中的紫外光过滤膜，其过滤紫外线能力有限，不能更好的提升有机发光器件的寿命的技术问题。

本申请实施例提供一种有机发光器件，包括：有机发光单元；阻挡层，设于所述有机发光单元的一侧表面，用于阻挡紫外光进入所述有机发光单元；所述阻挡层材料的消光系数ABS在紫外线波长下的积分值为S^ABS，其中0.522≤S^ABS≤0.6。

可选的，在本申请的一些实施例中，定义所述阻挡层材料的消光系数ABS的数值为K，所述阻挡层材料满足以下条件：消光系数的数值K在波长为390nm的条件下数值大于等于

消光系数的数值K在波长为420nm的条件下数值大于等于

可选的，在本申请的一些实施例中，所述阻挡层材料的消光系数ABS在330～450nm波长范围内的积分值S^ABS满足0.522≤S^ABS≤0.6。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述阻挡层的厚度为30nm～200nm。

可选的，在本申请的一些实施例中，基板；阳极，设于所述基板的一侧表面，所述发光单元设于所述阳极远离所述基板的一侧表面；阴极，所述阴极设于所述阻挡层远离所述发光单元的一侧表面；以及封装层，所述封装层封装所述阴极、所述阻挡层、所述发光单元、所述阳极的外表面。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述发光单元包括：空穴注入层，设于所述阳极远离所述基板的一侧表面；空穴传输层，设于所述空穴注入层远离所述阳极的一侧表面；电子阻挡层，设于所述空穴传输层远离所述空穴注入层的一侧表面；发光层，设于所述电子阻挡层远离所述空穴传输层的一侧表面；空穴阻挡层，设于所述发光层远离所述电子阻挡层的一侧表面；电子传输层，设于所述空穴阻挡层远离所述发光层的一侧表面；以及电子注入层，设于所述电子输出层远离所述空穴阻挡层的一侧表面。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述封装层为透明材料。

相应的，本申请实施例还提供一种有机发光器件的制备方法，包括以下步骤：在一基板上蒸镀有机发光单元，在所述有机发光单元上蒸镀一层阻挡层，所述阻挡层材料的消光系数ABS在紫外线波长下的积分值为S^ABS，其中0.522≤S^ABS≤0.6。

可选的，在本申请的一些实施例中，有机发光器件的制备方法具体包括以下步骤：提供一基板；在所述基板上制备阳极；在所述阳极上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、和阴极；在所述阴极上蒸镀所述阻挡层；对所述阴极、所述阻挡层、所述发光单元、所述阳极进行封装，形成封装层。

相应的，本申请实施例还提供一种显示装置，包括所述有机发光器件。

本申请实施例采用消光系数和折射率更好的紫外线阻挡层替换LIF层，阻挡层在紫外波段内具有较高的消光系数，能够很好的阻挡外界紫外线对发光器件的损坏，提升了有机发光器件的使用寿命，同时也提升了有机发光器件的出光效率，在有机发光器件的制备方法中，不需要额外制备紫外光过滤膜或者LiF层等用于阻挡紫外光的材料，降低有机发光器件的制造成本。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的有机发光器件结构示意图；

图2是本申请实施例提供的对比例1中的发光器件结构示意图；

图3是本申请实施例提供的UCL-1的消光系数以及消光系数对波长的积分对波长的依赖关系示意图；

图4是本申请实施例提供的对比例1的有机发光器件的寿命测试曲线图；

图5是本申请实施例提供的UCL-2的消光系数以及消光系数对波长的积分对波长的依赖关系示意图；

图6是本申请实施例提供的实施例1的有机发光器件的寿命测试曲线图；

图7是本申请实施例提供的UCL-3的消光系数以及消光系数对波长的积分对波长的依赖关系示意图；

图8是本申请实施例提供的实施例2的有机发光器件的寿命测试曲线图；

图9是本申请实施例提供的UCL-4的消光系数以及消光系数对波长的积分对波长的依赖关系示意图；

图10是本申请实施例提供的实施例3的有机发光器件的寿命测试曲线图；

图11是本申请实施例提供的UCL-5的消光系数以及消光系数对波长的积分对波长的依赖关系示意图；

图12是本申请实施例提供的实施例4的有机发光器件的寿命测试曲线图；

图13是本申请实施例提供的有机发光器件的LT95对S^ABS的折射图。

附图标记说明：

有机发光器件1； 对比发光器件2；

基板100； 阳极200；

发光单元300； 阴极400；

阻挡层500； 封装层600；

空穴注入层301； 空穴传输层302；

电子阻挡层303； 发光层304；

空穴阻挡层305； 电子传输层306；

电子注入层307； LiF层501。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。

本申请实施例提供一种有机发光器件及其制备方法、显示装置。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。

实施例

如图1所示，本实施例中，本发明的显示装置包括有机发光器件1，有机发光器件1包括基板100、阳极200、发光单元300、阴极400、阻挡层500以及封装层600。

基板100为柔性基板或刚性基板，用以承接有机发光器件1的其他部件，同时能够隔绝水汽，避免异物通过基板100进入发光单元300内部。

阳极200设于基板100的一侧表面，阳极200在通电后能够向发光单元300提供空穴。

具体的，发光单元300包括依次叠层设置的空穴注入层301、空穴传输层302、电子阻挡层303、发光层304、空穴阻挡层305、电子传输层306以及电子注入层307。

阴极400设于发光单元300远离阳极200的一侧表面，阴极400在通电后能够像发光单元300提供电子，阳极200传输的空穴与阴极400传输的电极相遇激发，使得发光层304发光。

由于OLED(有机电激光显示)器件在封装过程中或者使用中会受到紫外线照射，而紫外线照射会严重影响有机发光器件1的使用寿命，为了减少紫外线对有机发光器件1的损害，本实施例中，在发光单元300远离基板100的一侧设置阻挡层500，阻挡层500是具有较高的折射率以及紫外波段下具有高消光系数的材料。这样既保证了有机发光器件1的高出光率，同时又能阻挡外界紫外光对有机发光器件1的损伤，提高有机发光器件1的使用寿命。

本实施例中，定义本发明中的阻挡层材料的消光系数数值为K，所述消光系数为K在一定波长下的积分值为S^ABS，所述阻挡层500材料满足以下条件：消光系数K在波长为390nm的条件下数值大于等于

消光系数(ABS)数值K在波长为420nm的条件下数值大于等于

以及积分值S^ABS满足：0.522≤S^ABS≤0.6。

为了更好了说明本实施例中阻挡层500的效果，本实施例中，引入对比例1、实施例1、实施例2、实施例3以及实施例4。

本实施例中的阻挡层500实验数据包括5组，分别为UCL-1、UCL-2、UCL-3、UCL-4以及UCL-5。

如图2所示，对比例1中对比发光器件2中添加了LiF层501，具体的，对比例1的制备步骤如下：

S1)提供一基板，在所述基板上制备薄膜晶体管和阳极。

S2)在所述阳极上制备发光单元和阴极。

S3)在所述阴极上蒸镀阻挡层，其中所述阻挡层的材料为UCL-1。

S4)在所述阻挡层上蒸镀一层LiF层，其中，LiF层的厚度为85nm。

S5)对整个器件采用封装层进行封装。

UCL-1材料蒸镀在透明衬底上的消光系数(ABS)以及消光系数对波长的积分(S^ABS)对波长(λ)的依赖关系如图3所示。其中，UCL-1蒸镀在透明衬底上的消光系数在330～450nm(紫外)波段的积分值(S^ABS)为0.522。

如图4所示，图4是对比例1的有机发光器件1的寿命测试曲线，从图中可以看出，在使用UCL-1材料制备阻挡层，并且增加LiF层的发光效率在衰减到95％的时间为187h。

实施例1的制备步骤如下：

S11)提供一基板，在所述基板上制备薄膜晶体管和阳极。

S12)在所述阳极上制备发光单元和阴极。

S13)在所述阴极上蒸镀阻挡层，其中所述阻挡层的材料为UCL-2。

S14)对整个器件采用封装层进行封装。

UCL-2材料蒸镀在透明衬底上的消光系数(ABS)以及消光系数对波长的积分(S^ABS)对波长(λ)的依赖关系如图5所示。其中，UCL-2蒸镀在透明衬底上的消光系数在330～450nm(紫外)波段的积分值(S^ABS)为0.545。

如图6所示，图6是本发明实施例1得到有机发光器件1的寿命测试曲线。从图中可以看出，在使用UCL-2材料制备阻挡层，并且去掉LiF层后，有机发光器件的发光效率衰减到95％的时间(LT95)为304h。即相比于对比例1，使用S^ABS较大的UCL-2之后，器件寿命得到显著提高。

实施例2的制备步骤如下：

S21)提供一基板，在所述基板上制备薄膜晶体管和阳极。

S22)在所述阳极上制备发光单元和阴极。

S23)在所述阴极上蒸镀阻挡层，其中所述阻挡层的材料为UCL-3。

S24)对整个器件采用封装层进行封装。

UCL-3材料蒸镀在透明衬底上的消光系数(ABS)以及消光系数对波长的积分(S^ABS)对波长(λ)的依赖关系如图7所示。其中，UCL-3蒸镀在透明衬底上的消光系数在330～450nm(紫外)波段的积分值(S^ABS)为0.563。

图8是本发明实施例2得到的有机发光器件1的寿命测试曲线。从图中可以看出，在使用UCL-3材料制备阻挡层，并且去掉LiF层后，有机发光器件的发光效率衰减到95％的时间(LT95)为345h。即相比于对比例1和实施例1，使用S^ABS较大的UCL-3之后，器件寿命得到显著提高。

实施例3的制备步骤如下：

S31)提供一基板，在所述基板上制备薄膜晶体管和阳极。

S32)在所述阳极上制备发光单元和阴极。

S33)在所述阴极上蒸镀阻挡层，其中所述阻挡层的材料为UCL-4。

S34)对整个器件采用封装层进行封装。

UCL-4材料蒸镀在透明衬底上的消光系数(ABS)以及消光系数对波长的积分(S^ABS)对波长(λ)的依赖关系如图9所示。其中，UCL-4蒸镀在透明衬底上的消光系数在330～450nm(紫外)波段的积分值(S^ABS)为0.566。

图10是本发明实施例3得到的有机发光器件1的寿命测试曲线。从图中可以看出，在使用UCL-4材料制备阻挡层，并且去掉LiF层后，有机发光器件的发光效率衰减到95％的时间(LT95)为395h。即相比于对比例1、实施例1和实施例2，使用S^ABS较大的UCL-4之后，器件寿命得到显著提高。

实施例4的制备步骤如下：

S41)提供一基板，在所述基板上制备薄膜晶体管和阳极。

S42)在所述阳极上制备发光单元和阴极。

S43)在所述阴极上蒸镀阻挡层，其中所述阻挡层的材料为UCL-5。

S44)对整个器件采用封装层进行封装。

UCL-5材料蒸镀在透明衬底上的消光系数(ABS)以及消光系数对波长的积分(S^ABS)对波长(λ)的依赖关系如图11所示。其中，UCL-5蒸镀在透明衬底上的消光系数在330～450nm(紫外)波段的积分值(S^ABS)为0.582。

图12是本发明实施例4得到的有机发光器件1的寿命测试曲线。从图中可以看出，在使用UCL-5材料制备阻挡层，并且去掉LiF层后，有机发光器件的发光效率衰减到95％的时间(LT95)为521h。即相比于对比例1、实施例1、实施例2和实施例3，使用S^ABS较大的UCL-4之后，器件寿命得到显著提高。

图13是本发明对比例1和实施例1至实施例4得到的有机发光器件的LT95(发光效率衰减到95％的时间)对S^ABS的依赖关系。从图中可以看出S^ABS与有机发光器件的使用寿命呈现很好的正相关性。

本实施例的有益效果在于，本实施例中的一种有机发光器件及其制备方法、显示装置，采用消光系数和折射率更好的紫外线阻挡层替换LIF层，阻挡层在紫外波段内具有较高的消光系数，能够很好的阻挡外界紫外线对发光器件的损坏，提升了有机发光器件的使用寿命，同时也提升了有机发光器件的出光效率，在有机发光器件的制备方法中，不需要额外制备紫外光过滤膜或者LiF层等用于阻挡紫外光的材料，降低有机发光器件的制造成本。

以上对本申请实施例所提供的一种有机发光器件及其制备方法、显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种有机发光器件，其特征在于，包括：

有机发光单元；

阻挡层，设于所述有机发光单元的一侧表面，用于阻挡紫外光进入所述有机发光单元；

所述阻挡层材料的消光系数ABS在紫外线波长下的积分值为S^ABS，其中0.522≤S^ABS≤0.6。

2.根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，

定义所述阻挡层材料的消光系数ABS的数值为K，所述阻挡层材料满足以下条件：

消光系数的数值K在波长为390nm的条件下数值大于等于

消光系数的数值K在波长为420nm的条件下数值大于等于

3.根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，所述阻挡层材料的消光系数ABS在330～450nm波长范围内的积分值S^ABS满足0.522≤S^ABS≤0.6。

4.根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，

所述阻挡层的厚度为30nm～200nm。

5.根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，还包括：

基板；

阳极，设于所述基板的一侧表面，所述发光单元设于所述阳极远离所述基板的一侧表面；

阴极，所述阴极设于所述阻挡层远离所述发光单元的一侧表面；以及

封装层，所述封装层封装所述阴极、所述阻挡层、所述发光单元、所述阳极的外表面。

6.根据权利要求1所述的有机发光器件，其特征在于，

所述发光单元包括：

空穴注入层，设于所述阳极远离所述基板的一侧表面；

空穴传输层，设于所述空穴注入层远离所述阳极的一侧表面；

电子阻挡层，设于所述空穴传输层远离所述空穴注入层的一侧表面；

发光层，设于所述电子阻挡层远离所述空穴传输层的一侧表面；

空穴阻挡层，设于所述发光层远离所述电子阻挡层的一侧表面；

电子传输层，设于所述空穴阻挡层远离所述发光层的一侧表面；以及

电子注入层，设于所述电子输出层远离所述空穴阻挡层的一侧表面。

7.根据权利要求5所述的有机发光器件，其特征在于，所述封装层为透明材料。

8.一种有机发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在一基板上蒸镀有机发光单元，在所述有机发光单元上蒸镀一层阻挡层，所述阻挡层材料的消光系数ABS在紫外线波长下的积分值为S^ABS，其中0.522≤S^ABS≤0.6。

9.根据权利要求8所述有机发光器件的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

提供一基板；

在所述基板上制备阳极；

在所述阳极上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、和阴极；

在所述阴极上蒸镀所述阻挡层；

对所述阴极、所述阻挡层、所述发光单元、所述阳极进行封装，形成封装层。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-7中任一项所述的有机发光器件。

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