CN112652588A - 一种芯片封装结构及芯片封装方法 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例公开一种芯片封装结构及芯片封装方法，涉及半导体技术领域。为提高封装结构内部芯片的散热性能而发明。所述芯片封装结构包括：基板，在所述基板的第一侧设有逻辑芯片和内存芯片，所述逻辑芯片和所述内存芯片间隔设置；在所述基板的第一侧还设有金属散热片；所述金属散热片包括散热片本体，在所述散热片本体的底部设有散热凸块，所述散热凸块与所述逻辑芯片和/或内存芯片相对应。本申请实施例适用于芯片的2.5D/3D封装。

Description

一种芯片封装结构及芯片封装方法
技术领域
本申请涉及半导体技术领域。尤其是涉及一种芯片封装结构及芯片封装方法。
背景技术
微电子技术的发展使得封装技术向着小型化、多功能化、低功耗和高性能化的方向发展。传统的二维封装模式难以满足这些需求，开始出现2.5D/3D的封装方式。
常见的2.5D/3D封装方式是指在不改变封装体面积大小的前提下，在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上芯片的封装技术，实现芯片的多功能化和小型化。这种封装方式对芯片的散热具有较高的要求。现有技术中通常通过硅脂等对芯片进行散热，散热性能不够理想。
发明内容
有鉴于此，本申请实施例提供一种芯片封装结构及芯片封装方法，具有较好的散热性能。
为达到上述目的，本申请的实施例采用如下技术方案：
第一方面，本申请实施例提供一种芯片封装结构，包括：基板，在所述基板的第一侧设有逻辑芯片和内存芯片，所述逻辑芯片和所述内存芯片间隔设置；在所述基板的第一侧还设有金属散热片；所述金属散热片包括散热片本体，在所述散热片本体的底部设有散热凸块，所述散热凸块与所述逻辑芯片和/或内存芯片相对应。
根据本申请实施例的一具体实现方式，所述散热凸块包括逻辑芯片散热凸块和内存芯片散热凸块，所述逻辑芯片散热凸块与所述逻辑芯片相对应，所述内存芯片散热凸块与所述内存芯片相对应。
根据本申请实施例的一具体实现方式，所述逻辑芯片的厚度小于所述内存芯片的厚度，所述逻辑芯片散热凸块的厚度大于所述内存芯片散热凸块的厚度。
根据本申请实施例的一具体实现方式，在所述逻辑芯片散热凸块和所述逻辑芯片之间设有第一散热材料，所述第一散热材料与所述逻辑芯片散热凸块的底部和所述逻辑芯片的上表面相接触；在所述内存芯片散热凸块和所述内存芯片之间设有第二散热材料，所述第二散热材料与所述内存芯片散热凸块的底部和所述内存芯片的上表面相接触。
根据本申请实施例的一具体实现方式，所述第一散热材料和/或所述第二散热材料为金属铟片、导热硅脂或导热胶。
根据本申请实施例的一具体实现方式，所述第一散热材料为金属铟片，在所述金属铟片和所述逻辑芯片散热凸块的底部之间设有助焊剂。
根据本申请实施例的一具体实现方式，在所述散热片本体上设有支腿，所述支腿支撑在所述基板上。
根据本申请实施例的一具体实现方式，所述逻辑芯片散热凸块和所述内存芯片散热凸块之间具有散热腔。
第二方面，本申请实施例提供一种芯片封装方法，包括：在基板的第一侧设置逻辑芯片和内存芯片；在所述基板的第一侧设置金属散热片，使所述金属散热片底部的散热凸块与所述逻辑芯片和/或内存芯片相对应。
根据本申请实施例的一具体实现方式，所述散热凸块包括逻辑芯片散热凸块和内存芯片散热凸块；所述在所述基板的第一侧设置金属散热片，使所述金属散热片底部的散热凸块与所述逻辑芯片和/或内存芯片相对应，包括：在所述基板的第一侧设置金属散热片，使所述金属散热片底部的逻辑芯片散热凸块与所述逻辑芯片相对应，使所述金属散热片底部的内存芯片散热凸块与所述内存芯片相对应。
根据本申请实施例的一具体实现方式，在所述基板的第一侧设置金属散热片之前，所述方法还包括：在所述逻辑芯片上表面设置第一散热材料，以使所述逻辑芯片散热凸块的底部与所述第一散热材料相接触；在所述内存芯片上表面设置第二散热材料，以使所述内存芯片散热凸块的底部与所述第二散热材料相接触。
根据本申请实施例的一具体实现方式，所述第一散热材料为金属铟片，所述第二散热材料为导热硅脂或导热胶；在所述逻辑芯片上表面设置第一散热材料之后，在所述基板的第一侧设置金属散热片之前，所述方法还包括：在所述金属铟片的上表面设置助焊剂；其中，所述使所述逻辑芯片散热凸块的底部与所述第一散热材料相接触包括：使所述逻辑芯片散热凸块的底部通过所述助焊剂与所述第一散热材料相接触。
根据本申请实施例的一具体实现方式，在所述基板的第一侧设置金属散热片之后，所述方法还包括：进行回流焊处理，以通过所述助焊剂将所述逻辑芯片散热凸块和所述金属铟片焊接在一起。
本申请实施例提供的芯片封装结构及芯片封装方法，在基板的第一侧设有金属散热片；金属散热片包括散热片本体，在散热片本体的底部设有散热凸块，散热凸块与逻辑芯片和/或内存芯片相对应，这样可通过带有散热凸块的金属散热片实现对封装结构内部的芯片进行散热，具有较好的散热性能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本申请芯片封装结构一实施例结构示意图；
图2为本申请芯片封装方法一实施例中把金属散热片安装在基板上的流程图；
图3为本申请芯片封装方法一实施例中把逻辑芯片和内存芯片安装在基板上的示意图；
图4为本申请芯片封装方法一实施例中把散热材料放置在芯片上的流程图；
图5为本申请芯片封装方法一实施例中把导热硅脂涂抹到内存芯片上的安装示意图；
图6为本申请芯片封装方法一实施例中把金属铟片放置在逻辑芯片上的安装示意图；
图7为本申请芯片封装方法一实施例安装流程图；
图8为本申请芯片封装方法一实施例中把金属散热片安装在基板上的示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本申请实施例一种芯片封装结构及芯片封装方法进行详细描述。
应当明确，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
图1为本申请芯片封装结构一实施例结构示意图，如图1所示，本实施例芯片封装结构，包括：基板1，在基板的第一侧设有逻辑芯片2和内存芯片3，逻辑芯片2和内存芯片3间隔设置；在基板1的第一侧还设有金属散热片4；金属散热片4包括散热片本体，在散热片本体的底部设有散热凸块，散热凸块与逻辑芯片2和/或内存芯片3相对应。
如图1所示，本申请实施例提供的芯片封装结构，在基板1的第一侧设有金属散热片4，所述基板的第一侧例如为基板的上侧；金属散热片4包括散热片本体，在散热片本体的底部设有散热凸块，散热凸块与逻辑芯片2和/或内存芯片3相对应，这样可通过带有散热凸块的金属散热片4实现对封装结构内部的芯片进行散热，具有较好的散热性能。同时，金属散热片4设于逻辑芯片2和内存芯片3的上方，对逻辑芯片2和内存芯片3具有较好的电磁屏蔽作用。
基板1，可为半导体芯片封装的载体，能够为芯片提供电连接、保护、支撑、散热、组装等功效，以实现多引脚化，缩小封装产品体积、改善电性能及散热性、超高密度或多芯片模块化的目的。
逻辑芯片2，也可称为处理器核心，还可称为应用处理器，用于计算机内部的计算，具有高功率及高散热需求。
内存芯片3，内存芯片3可以采用高带宽内存(High bandwidth memory，简称HBM)。内存芯片3可由多个(比如3至6个)内存模块在垂直方向上叠加在一起形成，上下相邻的内存模块直接可通过硅穿孔技术实现电连接。
金属散热片4可以是铜散热片，也可以是铝散热片等。散热片本体上的散热凸块可为一个具有较大散热面积的散热凸块，通过该一个散热凸块同时对逻辑芯片2和内存芯片3进行散热。为了提高散热的针对性，在一实施例中，散热凸块可包括两个以上的散热凸块，具体地，如图1所示，散热凸块可包括逻辑芯片散热凸块和内存芯片散热凸块，逻辑芯片散热凸块与逻辑芯片2相对应，内存芯片散热凸块与内存芯片3相对应。通过对逻辑芯片2和内存芯片3分别设置不同的散热凸块，可分别对逻辑芯片2和内存芯片3进行散热，可提高散热的针对性。
逻辑芯片的厚度与内存芯片的厚度可以相同。相应地，逻辑芯片散热凸块的厚度和内存芯片散热凸块的厚度也可相同。在一实施例中，逻辑芯片的厚度与内存芯片的厚度不相同，为适应逻辑芯片和内存芯片的厚度差(也可称为高度差)，逻辑芯片散热凸块的厚度和内存芯片散热凸块的厚度也不相同。在一个例子中，如图1所示，逻辑芯片2的厚度小于内存芯片3的厚度，逻辑芯片散热凸块的厚度大于内存芯片散热凸块的厚度，这样可使逻辑芯片散热凸块尽可能地接近逻辑芯片2，使内存芯片散热凸块尽可能地接近内存芯片3，以将逻辑芯片2和内存芯片3所产生的热量能够尽快地传导到对应的散热凸块上。
逻辑芯片散热凸块与内存芯片散热凸块的厚度不同，其散热性也不同。在上述例子中，逻辑芯片散热凸块的厚度大于内存芯片散热凸块的厚度，使得逻辑芯片散热凸块具有更强的散热能力，以适应逻辑芯片较高的散热需求。
在一实施例中，如图1所示，在逻辑芯片散热凸块的底部可具有一凹部，逻辑芯片2可位于该凹部中，该凹部周围的金属壁体围设在逻辑芯片2周围，该凹部相当于为逻辑芯片2形成一电磁屏蔽罩，以提高逻辑芯片2的抗电磁干扰能力。同理，在内存芯片散热凸块的底部也可具有一凹部，内存芯片3可位于该凹部中，该凹部周围的金属壁体围设在内存芯片3周围，该凹部相当于为内存芯片3形成一电磁屏蔽罩，以提高内存芯片3的抗电磁干扰能力。
逻辑芯片的上表面和内存芯片的上表面与对应的散热凸块的下表面，可能存在不能完全接触的情况，二者之间存在一定的间隙，具有较大的热阻。为增强逻辑芯片和内存芯片所产生的热量到对应的散热凸块的热传导能力，在一实施例中，如图1所示，在逻辑芯片散热凸块和逻辑芯片2之间可设有第一散热材料5，第一散热材料5与逻辑芯片散热凸块的底部和逻辑芯片2的上表面相接触，这样，可避免在逻辑芯片2的上表面和逻辑芯片散热凸块的底部存在热阻，从而可将逻辑芯片2产生的热量快速地传递给逻辑芯片散热凸块。
如图1所示，相应地，在内存芯片散热凸块和内存芯片3之间可设有第二散热材料6，第二散热材料6与内存芯片散热凸块的底部和内存芯片3的上表面相接触，同理，可避免在内存芯片3的上表面和内存芯片散热凸块的底部存在热阻，从而可将内存芯片3产生的热量快速地传递给内存芯片散热凸块。
在逻辑芯片散热凸块的底部和内存芯片散热凸块的底部具有凹部时，第一散热材料和第二散热材料可分别位于凹部内。
第一散热材料和/或第二散热材料为金属铟片、导热硅脂或导热胶。在一个例子中，第一散热材料为金属铟片，第二散热材料为导热硅脂。金属铟片导热的效率为普通硅脂的10～20倍。
在另一个例子中，第一散热材料和第二散热材料可均为金属铟片或均为导热硅脂。在又一个例子中，第一散热材料和第二散热材料可均为导热硅脂。
如图1所示，在第一散热材料5为金属铟片的情况下，在金属铟片和逻辑芯片散热凸块的底部之间可设有助焊剂7。助焊剂7通常是以松香为主要成分的混合物，它在焊接工艺中能帮助和促进焊接过程，防止焊接时表面的再次氧化。本实施例中，助焊剂7可与回流焊加工工艺配合连接金属铟片和的逻辑芯片散热凸块。
金属散热片设在基板的第一侧后，若直接由逻辑芯片和内存芯片来承载，可能会对逻辑芯片和内存芯片带来不利影响。为避免这种不利影响，可在金属散热片和基板之间设置支撑块或支撑凸起，以通过支撑块或支撑凸起来承载金属散热片。在一实施例中，如图1所示，也可在散热片本体上设置支腿，将该支腿支撑在基板1上。支腿和基板1之间设有粘结胶8。粘结胶8具有很好的粘合性能，将支腿和基板1连接在一起，固化后具有足够的强度，以增强金属散热片4与基板1之间连接的稳定性和可靠性。
支腿可以是多个，比如为三个或四个等。在一个例子中，支腿为一封闭的环形，支腿与散热片本体为一体结构，支腿和散热片本体围设成一端封闭一端开口的筒状结构，散热凸块位于筒状结构内部，逻辑芯片和内存芯片可被围设在该筒状结构内部，该筒状结构可为逻辑芯片和内存芯片共同形成一个较大的金属屏蔽罩，进一步提高逻辑芯片和内存芯片的抗电磁干扰能力。在逻辑芯片散热凸块的底部和内存芯片散热凸块的底部分别具有凹部，以及逻辑芯片和内存芯片对应位于凹部中时，通过凹部以及呈封闭的环形的支腿，可对逻辑芯片和内存芯片起到双重的电磁屏蔽效果。
在一实施例中，逻辑芯片散热凸块和内存芯片散热凸块之间具有散热腔。芯片的侧面也会散热热量，散发出的热量沿散热腔上升，通过金属散热片散发出去。
在一实施例中，在逻辑芯片散热凸块和内存芯片散热凸块的侧部开设有散热孔，散热孔与散热腔相连通。散热孔可有多个，当芯片侧面散发出的热量升到腔体上部时，可以进入散热孔，增大与金属散热片的散热接触面积。
在一实施例中，在逻辑芯片散热凸块的两侧均具有散热腔；在逻辑芯片散热凸块的侧部开设有散热通孔，散热通孔将逻辑芯片散热凸块两侧的散热腔相连通。通过散热通孔可使封装结构内部的热量在不同散热腔之间达到快速平衡，有利于通过金属散热片快速散热。
在一实施例中，在散热腔内设有导热针或导热片，导热针或导热片与散热本体的底部相连。导热针或导热片有多个，设在每个导热腔的顶部，热量上升至腔体顶部后，可以沿导热针或导热片将热量传递到金属散热片，以增强热传导的速度。
参看图2，本申请实施例还提供一种芯片封装方法，包括步骤：
S100、在基板的第一侧设置逻辑芯片和内存芯片。
如图3所示，基板1，可为半导体芯片封装的载体，能够为芯片提供电连接、保护、支撑、散热、组装等功效，以实现多引脚化，缩小封装产品体积、改善电性能及散热性、超高密度或多芯片模块化的目的。
逻辑芯片2，也可称为处理器核心，还可称为应用处理器，用于计算机内部的计算，具有高功率及高散热需求。
内存芯片3，内存芯片3可以采用高带宽内存(High bandwidth memory，简称HBM)。内存芯片3可由多个(比如3至6个)内存模块在垂直方向上叠加在一起形成，上下相邻的内存模块直接可通过硅穿孔技术实现电连接。
S102、在基板的第一侧设置金属散热片，使金属散热片底部的散热凸块与逻辑芯片和/或内存芯片相对应。
金属散热片可以是铜散热片，也可以是铝散热片等。散热片本体上的散热凸块可为一个具有较大散热面积的散热凸块，通过该一个散热凸块同时对逻辑芯片和内存芯片进行散热。为了提高散热的针对性，在一实施例中，散热凸块可包括两个以上的散热凸块。
本申请实施例提供的芯片封装方法，在基板的第一侧设有金属散热片；金属散热片包括散热片本体，在散热片本体的底部设有散热凸块，散热凸块与逻辑芯片和/或内存芯片相对应，这样可通过带有散热凸块的金属散热片实现对封装结构内部的芯片进行散热，具有较好的散热性能。同时，金属散热片设于逻辑芯片和内存芯片的上方，对逻辑芯片和内存芯片具有较好的电磁屏蔽作用。
在一实施例中，所述在所述基板的第一侧设置金属散热片，使所述金属散热片底部的散热凸块与所述逻辑芯片和/或内存芯片相对应(步骤S102)，可包括：在基板的第一侧设置金属散热片，使金属散热片底部的逻辑芯片散热凸块与逻辑芯片相对应，使金属散热片底部的内存芯片散热凸块与内存芯片相对应。
通过对逻辑芯片和内存芯片分别设置不同的散热凸块，可分别对逻辑芯片和内存芯片进行散热，提高散热的针对性，以将逻辑芯片和内存芯片所产生的热量能够尽快地传导到对应的散热凸块上。
参看图4，本申请又一实施例，与上述实施例基本相同，不同之处在于，本实施例中，在基板的第一侧设置金属散热片之前，所述方法还可包括步骤S101a-S101b：
S101a、在逻辑芯片上表面设置第一散热材料，使逻辑芯片散热凸块的底部与所述第一散热材料相接触。
如图5与图6所示，逻辑芯片2的上表面与对应的散热凸块的下表面，可能存在不能完全接触的情况，二者之间存在一定的间隙，具有较大的热阻。通过设置第一散热材料5，可避免在逻辑芯片2的上表面和逻辑芯片散热凸块的底部存在热阻，从而可将逻辑芯片2产生的热量快速地传递给逻辑芯片散热凸块。
S101b、在内存芯片上表面设置第二散热材料，以使内存芯片散热凸块的底部与第二散热材料相接触。
同理，通过设置第二散热材料6，可避免在内存芯片3的上表面和内存芯片散热凸块的底部存在热阻，从而可将内存芯片3产生的热量快速地传递给内存芯片散热凸块。
参看图7，本申请又一实施例，与上述实施例基本相同，不同之处在于，本实施例中，在逻辑芯片上表面设置第一散热材料之后，在基板的第一侧设置金属散热片之前，所述方法还可包括：S101c、在金属铟片的上表面设置助焊剂。
助焊剂通常是以松香为主要成分的混合物，它在焊接工艺中能帮助和促进焊接过程，防止焊接时表面的再次氧化，降低焊料表面张力，直接影响到电子产品的质量。
如图8所示，在金属铟片的上表面设置助焊剂后，可使逻辑芯片散热凸块的底部通过助焊剂与第一散热材料相接触。以便通过回流焊加工工艺，将第一散热材料和的逻辑芯片散热凸块连接在一起。
参看图7，在另一实施例中，在基板的第一侧设置金属散热片之后，所述方法还可包括：S104、进行回流焊处理。
回流焊工艺技术是指将空气或氮气加热到足够高的温度后吹向已经贴好元件的线路板，让元件两侧的焊料融化后与主板粘结，属于贴装技术的一部分。空气或氮气加热的温度不同，回流焊的热传递效率也不同，比如5-30W/m2K时，热传递效率最慢，5-30W/m2K时，热传递效率慢，10-50W/m2K时，热传递效率比较高，200-300W/m2K时，热传递效率高，300W-500W/m2K时，热传递效率最高。因此，通过回流焊工艺搭配助焊剂，将逻辑芯片散热凸块和金属铟片焊接在一起，并且不影响散热凸块与金属铟片的散热效率。
需要说明的是，在本文中，各个实施例之间描述的方案的侧重点不同，但是各个实施例又存在某种相互关联的关系，在理解本申请方案时，各个实施例之间可相互参照；另外，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (13)

1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：基板，在所述基板的第一侧设有逻辑芯片和内存芯片，所述逻辑芯片和所述内存芯片间隔设置；
在所述基板的第一侧还设有金属散热片；所述金属散热片包括散热片本体，在所述散热片本体的底部设有散热凸块，所述散热凸块与所述逻辑芯片和/或内存芯片相对应。
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述散热凸块包括逻辑芯片散热凸块和内存芯片散热凸块，所述逻辑芯片散热凸块与所述逻辑芯片相对应，所述内存芯片散热凸块与所述内存芯片相对应。
3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述逻辑芯片的厚度小于所述内存芯片的厚度，所述逻辑芯片散热凸块的厚度大于所述内存芯片散热凸块的厚度。
4.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，在所述逻辑芯片散热凸块和所述逻辑芯片之间设有第一散热材料，所述第一散热材料与所述逻辑芯片散热凸块的底部和所述逻辑芯片的上表面相接触；
在所述内存芯片散热凸块和所述内存芯片之间设有第二散热材料，所述第二散热材料与所述内存芯片散热凸块的底部和所述内存芯片的上表面相接触。
5.根据权利要求4所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一散热材料和/或所述第二散热材料为金属铟片、导热硅脂或导热胶。
6.根据权利要求5所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一散热材料为金属铟片，在所述金属铟片和所述逻辑芯片散热凸块的底部之间设有助焊剂。
7.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，在所述散热片本体上设有支腿，所述支腿支撑在所述基板上。
8.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述逻辑芯片散热凸块和所述内存芯片散热凸块之间具有散热腔。
9.一种芯片封装方法，其特征在于，包括：
在基板的第一侧设置逻辑芯片和内存芯片；
在所述基板的第一侧设置金属散热片，使所述金属散热片底部的散热凸块与所述逻辑芯片和/或内存芯片相对应。
10.根据权利要求9所述的芯片封装方法，其特征在于，所述散热凸块包括逻辑芯片散热凸块和内存芯片散热凸块；
所述在所述基板的第一侧设置金属散热片，使所述金属散热片底部的散热凸块与所述逻辑芯片和/或内存芯片相对应，包括：
在所述基板的第一侧设置金属散热片，使所述金属散热片底部的逻辑芯片散热凸块与所述逻辑芯片相对应，使所述金属散热片底部的内存芯片散热凸块与所述内存芯片相对应。
11.根据权利要求9所述的芯片封装方法，其特征在于，在所述基板的第一侧设置金属散热片之前，所述方法还包括：在所述逻辑芯片上表面设置第一散热材料，以使所述逻辑芯片散热凸块的底部与所述第一散热材料相接触；在所述内存芯片上表面设置第二散热材料，以使所述内存芯片散热凸块的底部与所述第二散热材料相接触。
12.根据权利要求11所述的芯片封装方法，其特征在于，
所述第一散热材料为金属铟片，所述第二散热材料为导热硅脂或导热胶；
在所述逻辑芯片上表面设置第一散热材料之后，在所述基板的第一侧设置金属散热片之前，所述方法还包括：在所述金属铟片的上表面设置助焊剂；
其中，所述使所述逻辑芯片散热凸块的底部与所述第一散热材料相接触包括：使所述逻辑芯片散热凸块的底部通过所述助焊剂与所述第一散热材料相接触。
13.根据权利要求12所述的芯片封装方法，其特征在于，在所述基板的第一侧设置金属散热片之后，所述方法还包括：
进行回流焊处理，以通过所述助焊剂将所述逻辑芯片散热凸块和所述金属铟片焊接在一起。
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