CN112635123B - 导电膜及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种导电膜的制作方法，包括：在衬底上涂布一层固化胶；提供一具有凸起的模具；将种子层液体转移到凸起上；利用模具压印固化胶；固化，形成图形凹槽，以及在图形凹槽底部的下方形成种子层；脱模；在图形凹槽内制备导电层。本发明还公开了一种导电膜，包括衬底、设置在衬底表面具有图形凹槽的固化胶层，以及种子层和导电层，导电层设置在图形凹槽内，种子层设置在图形凹槽底部的下方，种子层在固化胶层形成前设置在图形凹槽底部的下方。通过将种子层液体转移到凸起上，在固化胶层上形成图形凹槽，以及在图形凹槽底部下方形成种子层，从而使得在图形凹槽内制备的导电层相对于刮涂制备的导电层电阻更低，进而使得导电膜的导电性能更佳。

Description

导电膜及其制作方法
技术领域
本发明涉及导电膜技术领域，特别是涉及一种导电膜及其制作方法。
背景技术
手机和平板电脑等越来越多的电子装置都采用触摸式屏幕，触摸屏作为一种新型的输入设备已十分流行和普遍，而作为触摸屏必不可少的导电膜需求量也越来越大。
现有导电膜将导电浆料采用刮涂方式制备，而导电浆料纯度较低，因而电阻较高，从而使得导电膜的导电性较差，进而影响导电膜的灵敏度。同时，刮涂方式制备的导电膜的上表面不平整，需擦拭，以保证上表面的平整从而使导电膜各处的电阻一致，进而使导电膜各处的导电性一致。
前面的叙述在于提供一般的背景信息，并不一定构成现有技术。
发明内容
本发明的目的在于提供一种方法简单的导电膜及其制作方法。
本发明提供一种导电膜的制作方法，该方法包括：
提供一衬底，在所述衬底上涂布一层固化胶，形成固化胶层；
提供一具有凸起的模具；
将种子层液体转移到所述凸起上，其中，先控制所述模具具有所述凸起的一侧表面与具有所述种子层液体的液面平行，再采用微接触法使所述凸起与所述种子层液体接触，然后再控制所述模具上升静置，所述种子层液体凝聚呈球形；
利用具有所述种子层液体的模具压印所述固化胶层；
固化，在所述固化胶层形成图形凹槽，以及在所述图形凹槽底部的下方形成种子层；
脱模，所述模具分别与所述固化胶层和所述种子层分离；
使用导电液在所述图形凹槽内制备导电层。
在其中一实施例中，在所述图形凹槽内制备导电层的步骤中：在所述图形凹槽内采用电铸或化学镀的方式将导电材料生长在所述种子层上，固化后形成所述导电层。
在其中一实施例中，所述固化胶层的厚度为0.5～25um，所述图形凹槽的宽度为1～20um，深度为0.1～15um。
在其中一实施例中，所述种子层液体为氯化亚锡敏化液，所述导电液为银氨溶液。
本发明还提供一种导电膜，由如上任一所述的导电膜的制作方法制备，包括衬底、设置在所述衬底表面具有图形凹槽的固化胶层，以及由下向上设置的种子层和导电层，所述导电层设置在所述图形凹槽内，所述种子层设置在所述图形凹槽底部的下方，所述种子层在所述固化胶层形成前设置在所述图形凹槽底部的下方。
在其中一实施例中，所述图形凹槽底部的表面具有凹陷，所述凹陷内设置所述种子层。
在其中一实施例中，所述凹陷表面呈球形面。
在其中一实施例中，所述固化胶层的厚度为0.5～25um，所述图形凹槽的宽度为1～20um，深度为0.1～15um。
在其中一实施例中，所述种子层的材质为氯化亚锡，所述导电层的材质为银。
本发明提供的导电膜的制作方法，通过将种子层液体转移到所述凸起上，在所述固化胶层形成图形凹槽，以及在所述图形凹槽底部下方形成种子层，从而使得导电液在所述图形凹槽内制备的导电层相对于刮涂制备的导电层电阻更低，进而使得导电膜的导电性能更佳。
附图说明
图1为本发明实施例导电膜的制作方法的步骤流程图；
图2为本发明实施例导电膜的制作方法的工艺流程图；
图3为本发明实施例导电膜的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。其中，种子层液体和种子层属于同种物质的液固两种状态，因此采用同一标号。
请参图1和图2，本发明提供一种导电膜的制作方法，该方法包括：
S1：提供一衬底1，在衬底1上涂布一层固化胶，形成固化胶层2；
S2：提供一具有凸起51的模具5；
S3：将种子层液体3转移到凸起51上；
S4：利用具有种子层液体3的模具5压印固化胶层2；
S5：固化，在固化胶层2形成图形凹槽21，以及在图形凹槽21底部下方形成种子层3；
S6：脱模，模具5分别与固化胶层2和种子层3分离；
S7：使用导电液在所述图形凹槽21内制备导电层4。
在步骤S1中，衬底1采用透明度较高的玻璃、高分子聚酯(PET或PC或PMMA)。
在步骤S3中，采用微接触法将种子层液体3转移到模具5凸起51的顶部表面。具体地，先控制模具5具有凸起51的一侧表面向下，且与需要接触的种子层液体3的液体面平行。再控制模具5上凸起51的表面与具有种子层液体3接触。然后再控制模具5上升静置，如此便将种子层液体3转移到模具5凸起51的表面上；凸起51上的种子层液体3在重力和流体力的作用下凝聚成非平面。
具体地，根据种子层液体3的黏度控制种子层液体3凝聚呈球形。
在本实施例中，种子层液体3可以为氯化亚锡敏化液；便于后续导电层4的操作。
在步骤S4中，将具有种子层液体3的模具5压印在固化胶层2上时，在固化胶层2上形成图形凹槽21，以及由种子层液体3在图形凹槽21底部的下方形成凹陷23，其中，种子层液体3位于凹陷23内。种子层液体3的形状与自身黏度及固化胶黏度有关。当种子层液体3黏度大于固化胶黏度时，种子层液体3形状不变，即，此时形状与转移到模具5上后的形状一致；当种子层液体3黏度小于固化胶黏度时，种子层液体3会发生形变，具体形变量与二者之间黏度差值呈正比，即，差值越大，形变越大。因此，控制种子层液体3的黏度就能控制种子层3的形状。需要说明的是，无论种子层液体3的黏度如何，所形成的种子层3的上表面均平整光滑，从而使导电层4各处电阻一致。
在步骤S7中，将导电液采用电铸或化学镀的方式在种子层3上生长，固化后在种子层3上形成导电层4。具体地，导电液为银氨溶液，得到材料为银的导电层4。
请参图3，本发明实施例中提供的导电膜，包括衬底1、设置在衬底1表面具有图形凹槽21的固化胶层2，以及由下向上设置的种子层3和导电层4。导电层4设置在图形凹槽21内，种子层3设置在图形凹槽21底部的下方，种子层3在固化胶层2形成前设置在图形凹槽21底部的下方。
衬底1的透明度高。固化胶层2的厚度为0.5～25um。图形凹槽21的宽度为1～20um，深度为0.1～15um。
在固化胶层2内还设有凹陷23，凹陷23设置在图形凹槽21底部的下方；种子层3嵌设在凹陷23内，且种子层3与图形凹槽21底部接触的表面呈平面(此表面与图形凹槽21底部重叠或部分重叠，所述部分重叠是指图形凹槽底部包括种子层的全部上表面)，与该表面相对的另一侧表面呈非平面。
在本实施例中，种子层3非平面的表面呈球形面；种子层3与导电层4接触的表面平整光滑。
导电层4的厚度远大于种子层3和厚度。有利于导电层4导电性的提高。
在附图中，为了清晰起见，会夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。应当理解的是，当元件例如层、区域或基板被称作“形成在”、“设置在”或“位于”另一元件上时，该元件可以直接设置在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接形成在”或“直接设置在”另一元件上时，不存在中间元件。
在本文中，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“竖直”、“水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了表达技术方案的清楚及描述方便，因此不能理解为对本发明的限制。
在本文中，除非另有说明，“多个”、“若干”的含义是两个或两个以上。
在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，除了包含所列的那些要素，而且还可包含没有明确列出的其他要素。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (9)

1.一种导电膜的制作方法，其特征在于，该方法包括：
提供一衬底，在所述衬底上涂布一层固化胶，形成固化胶层；
提供一具有凸起的模具；
将种子层液体转移到所述凸起上，其中，先控制所述模具具有所述凸起的一侧表面与具有所述种子层液体的液面平行，再采用微接触法使所述凸起与所述种子层液体接触，然后再控制所述模具上升静置，所述种子层液体凝聚呈球形；
利用具有所述种子层液体的模具压印所述固化胶层；
固化，在所述固化胶层上形成图形凹槽，以及在所述图形凹槽底部的下方形成种子层；
脱模，所述模具分别与所述固化胶层和所述种子层分离；
使用导电液在所述图形凹槽内制备导电层。
2.如权利要求1所述的导电膜的制作方法，其特征在于，在所述图形凹槽内制备导电层的步骤中：在所述图形凹槽内采用电铸或化学镀的方式将导电材料生长在所述种子层上，固化后形成所述导电层。
3.如权利要求1所述的导电膜的制作方法，其特征在于，所述固化胶层的厚度为0.5～25um，所述图形凹槽的宽度为1～20um，深度为0.1～15um。
4.如权利要求1所述的导电膜的制作方法，其特征在于，所述种子层液体为氯化亚锡敏化液，所述导电液为银氨溶液。
5.一种导电膜，由如权利要求1至4任一所述的导电膜的制作方法制备，其特征在于，包括衬底、设置在所述衬底表面具有图形凹槽的固化胶层，以及由下向上设置的种子层和导电层，所述导电层设置在所述图形凹槽内，所述种子层设置在所述图形凹槽底部的下方，所述种子层在所述固化胶层形成前设置在所述图形凹槽底部的下方。
6.如权利要求5所述的导电膜，其特征在于，所述图形凹槽底部的表面具有凹陷，所述凹陷内设置所述种子层。
7.如权利要求6所述的导电膜，其特征在于，所述凹陷表面呈球形面。
8.如权利要求5所述的导电膜，其特征在于，所述固化胶层的厚度为0.5～25um，所述图形凹槽的宽度为1～20um，深度为0.1～15um。
9.如权利要求5所述的导电膜，其特征在于，所述种子层的材质为氯化亚锡，所述导电层的材质为银。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114260167B (zh) * 2021-12-10 2023-08-04 重庆石墨烯研究院有限公司 一种光学薄膜的制备方法及装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105139963A (zh) * 2015-07-01 2015-12-09 友达光电股份有限公司 一种电子装置及其制造方法
KR20170091406A (ko) * 2016-02-01 2017-08-09 한국기계연구원 양자점 플라즈모닉 필름 및 이의 제조 방법
CN108456875A (zh) * 2018-03-16 2018-08-28 华南理工大学 一种低粗糙度银膜及其制备方法与应用
CN109885206A (zh) * 2019-03-06 2019-06-14 苏州蓝沛光电科技有限公司 透明导电膜结构及其制备方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005104756A2 (en) * 2004-04-27 2005-11-10 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Composite patterning devices for soft lithography

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105139963A (zh) * 2015-07-01 2015-12-09 友达光电股份有限公司 一种电子装置及其制造方法
KR20170091406A (ko) * 2016-02-01 2017-08-09 한국기계연구원 양자점 플라즈모닉 필름 및 이의 제조 방법
CN108456875A (zh) * 2018-03-16 2018-08-28 华南理工大学 一种低粗糙度银膜及其制备方法与应用
CN109885206A (zh) * 2019-03-06 2019-06-14 苏州蓝沛光电科技有限公司 透明导电膜结构及其制备方法

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