CN112612177A - 掩模版及其制备方法、光刻机 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种掩模版及其制备方法、光刻机。其中，所述掩模版包括衬底，所述衬底上依次形成有吸收层和硬掩模层，所述吸收层和所述硬掩模层内均形成有环状开口以暴露部分所述衬底，所述开口内填充有绝缘吸光材料，以在所述衬底上形成吸光的防静电环状结构。本发明提供的掩模版及其制备方法、光刻机通过在掩模版的防静电环状结构中填充绝缘的吸光材料，在防静电的同时吸收并隔绝到达所述防静电环状结构处的杂散光，以改善光刻机的漏光情况，同时减少半导体器件中不必要的特征尺寸差异，从而避免出现重影。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种掩模版及其制备方法、光刻机。
背景技术
光刻机主要通过光源曝光将掩模版上的图像转移到晶圆上。其中，光刻机的光路系统主要包括光源、掩模版及投影物镜组，将光源发出的光传送到掩模版的表面。随着使用年限增加，光刻机的曝光镜头可能出现雾化散光的情况，光线穿过曝光镜头后形成杂散光，造成曝光时光强分布不均匀。所述杂散光会将非曝光区域的图形叠加投影在相邻投影曝光的正常图形区域(即相邻shot)，产生不必要的特征尺寸(CD)差异，从而影响半导体器件的性能。
掩模版的衬底通常采用石英材料制成，具有在短波长光下可透光的特点。在所述衬底上沉积并图案化一层金属层形成不透明结构可以实现对光线的选择性阻挡，从而在晶圆上形成特定的图案。然而，石英的不导电特性可能导致所述金属层中出现静电荷。掩模版上的静电荷的积累最终会导致静电放电，从而对所述掩模版造成损伤。
为了避免静电放电导致的掩模版受损，现有技术在所述掩模版上设置无金属的防静电环状结构，将损伤限制在所述掩模版上不重要的区域内，从而减小静电放电对所述掩模版的影响。然而，在实际的使用过程中，由于所述防静电环状结构为直接设置在所述衬底上的无金属结构，因此光刻机中的杂散光可以通过所述防静电环状结构，将所述掩模版的外围区域投影在晶圆上，产生特征尺寸差异，严重时会出现重影。因此，需要一种新的掩模版来解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种掩模版及其制备方法和光刻机，通过在掩模版的防静电环状结构中填充绝缘的吸光材料，在不影响所述防静电环状结构的正常功能前提下，吸收并隔绝光刻机中因镜头雾化或其他情况产生的杂散光，以改善所述光刻机的漏光情况，同时减少半导体器件中不必要的特征尺寸差异，从而避免出现重影。
为了达到上述目的，本发明提供了一种掩模版，包括：
衬底，所述衬底上依次形成有吸收层和硬掩模层，所述吸收层和所述硬掩模层内均形成有环状开口以暴露部分所述衬底，所述开口内填充有绝缘吸光材料，以在所述衬底上形成吸光的防静电环状结构。
可选的，所述绝缘吸光材料包括掺杂有炭黑浆料的环氧树脂或其他不透光的橡胶、塑料或陶瓷。
可选的，所述衬底的材料包括石英。
可选的，所述吸收层的材料包括硅化钼。
可选的，所述硬掩模层的材料包括金属铬、氧化铬或氮化铬。
可选的，所述防静电环状结构位于所述掩模版的外围区域。
相应的，本发明还提供一种掩模版的制备方法，包括：
提供衬底，所述衬底上依次形成有吸收层和硬掩模层；
依次刻蚀所述吸收层和所述硬掩模层形成环状开口以暴露部分所述衬底；以及
在所述环状开口内填充绝缘吸光材料以在所述衬底上形成吸光的防静电环状结构。
可选的，在所述环状开口内填充绝缘吸光材料以在所述衬底上形成吸光的防静电环状结构包括：
在所述环状开口内填充绝缘吸光材料，所述绝缘吸光材料覆盖所述环状开口两侧的部分所述硬掩模层；
进行平坦化工艺，去除所述硬掩模层上的部分所述绝缘吸光材料。
可选的，所述第一开口和所述第二开口形成所述防静电环状结构。
可选的，采用干法刻蚀的方法刻蚀所述硬掩模层和所述吸收层。
相应的，本发明还提供一种光刻机，包括所述掩模版。
综上所述，本发明提供一种掩模版及其制备方法、光刻机。其中，所述掩模版包括衬底，所述衬底上依次形成有吸收层和硬掩模层，所述吸收层和所述硬掩模层内均形成有环状开口以暴露部分所述衬底，所述开口内填充有绝缘吸光材料，以在所述衬底上形成吸光的防静电环状结构。本发明提供的掩模版及其制备方法、光刻机通过在掩模版的防静电环状结构中填充绝缘的吸光材料，在防静电的同时吸收并隔绝到达所述防静电环状结构处的杂散光，以改善光刻机的漏光情况，同时减少半导体器件中不必要的特征尺寸差异，从而避免出现重影。
附图说明
图1为本发明一实施例提供的光刻机曝光过程的光路示意图；
图2为一掩模版的结构示意图；
图3为本发明一实施例提供的所述掩模版的制备方法的流程图；
图4至图6为本发明一实施例提供的所述掩模版的制备方法中各步骤对应的掩模版的结构示意图；
其中，附图标记如下：
1-曝光镜头；2-快门；3-中继透镜；4-掩模版；5-投影镜头；6-晶圆；
100、100’-衬底；200、200’-吸收层；300、300’-硬掩模层；400、400’-防静电环状结构；410-绝缘吸光材料；500-吸光的防静电环状结构。
具体实施方式
下面将结合示意图对本发明的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
图1为光刻机曝光过程的光路示意图，图2为一掩模版的结构示意图。参阅图1和图2可知，在光刻机的正常工作过程中，光源发出光线(即图1中实线所表示的光线，所述实线的箭头为光线传播的方向)，所述光线依次穿过曝光镜头1、快门2、中继透镜3、掩模版4和投影镜头5，在晶圆6上形成图案。所述掩模版4’包括衬底100’，所述衬底100’上依次形成有吸收层200’和硬掩模层300’，同时，所述衬底100’上还形成有防静电环状结构400’。
然而，当所述曝光镜头1出现雾化或其他情况时，光线穿过曝光镜头1后会形成杂散光(即图1中虚线所表示的光线，所述虚线的箭头为杂散光传播的方向)，影响正常曝光过程中光源的均一性，导致所述光刻机漏光。由于所述杂散光的方向具有不确定性，所述杂散光可能传播至所述掩模版4的外围区域(即图1中掩模版4中的空白部分所表示的区域)。同时，由于所述外围区域包括所述防静电环状结构400’，且所述防静电环状结构400’无法隔绝光线，因此到达外围区域的杂散光会将所述掩模版4的外围图形叠加投影在相邻投影曝光的正常图形区域(即相邻shot)，所述晶圆6上的图案会产生特征尺寸差异，严重时甚至会产生重影。
为了解决上述漏光情况所导致的问题，本实施例提供一种掩模版，包括衬底，所述衬底上依次形成有吸收层和硬掩模层，所述吸收层和所述硬掩模层内均形成有环状开口以暴露部分所述衬底，所述开口内填充有绝缘吸光材料，以在所述衬底上形成吸光的防静电环状结构。
图6为本实施例中所述掩模版的结构示意图。参阅图6可知，本实施例中，所述掩模版4包括衬底100，所述衬底100上依次形成有吸收层200和硬掩模层300，所述吸收层200和所述硬掩模层300内均形成有环状开口以暴露部分所述衬底100，所述开口内填充有绝缘吸光材料410，以在所述衬底100上形成吸光的防静电环状结构500。本实施例中，所述环状开口形成防静电环状结构400，所述防静电环状结构400位于所述掩模版的外围区域。在本发明的其他实施例中，所述掩模版的结构可以根据实际需要进行调整，本发明对此不作限制。可选的，所述衬底100的材料可以为石英或其他透光性能较好的材料，确保光刻机中的光线可以通过所述衬底100，所述吸收层200的材料包括硅化钼(MoSi)。所述硬掩模层300的材料包括金属铬、氧化铬或氮化铬，便于控制所述掩模版上形成的光刻图形的特征尺寸。所述绝缘吸光材料410包括不透光的橡胶、塑料或陶瓷，例如掺杂有炭黑浆料的环氧树脂，在本发明的其他实施例中，所述绝缘吸光材料可以根据实际需要进行选择，本发明对此不作限制。所述吸光的防静电环状结构500可以在防静电的同时吸收并隔绝到达所述吸光的防静电环状结构500处的杂散光，以改善光刻机的漏光情况，同时减少半导体器件中不必要的特征尺寸差异，从而避免出现重影。
在本发明的其他实施例中，所述衬底100、所述吸收层200、所述硬掩模层300和所述绝缘吸光材料410的材料可以根据实际需要进行调整，本发明对此不作限制。
所述掩模版应用于光刻系统中时可以在防静电的同时吸收并隔绝到达所述防静电环状结构处的杂散光，以改善光刻机的漏光情况，同时减少半导体器件中不必要的特征尺寸差异，从而避免出现重影。
相应的，本实施例还提供一种掩模版的制备方法。图3为本实施例提供的掩模版的制备方法的流程图，参阅图4可知，本实施例提供的掩模版的制备方法包括：
步骤S01：提供衬底，所述衬底上依次形成有吸收层和硬掩模层；
步骤S02：依次刻蚀所述吸收层和所述硬掩模层形成环状开口以暴露部分所述衬底；
步骤S03：在所述环状开口内填充绝缘吸光材料以在所述衬底上形成吸光的防静电环状结构。
下面结合图3及图4至图6详细说明本实施例提供的所述掩模版的制备方法。
首先参阅图4，执行步骤S01，提供衬底100，所述衬底100上依次形成有吸收层200和硬掩模层300。可选的，所述衬底100的材料包括石英或其他透光性能较好的材料，确保光刻机中的光线可以通过所述衬底100。所述吸收层200的材料包括Mo、Si或MoSi，所述硬掩模层300的材料包括金属铬、氧化铬或氮化铬，便于控制所述掩模版上形成的光刻图形的特征尺寸。在本发明的其他实施例中，所述衬底100、所述吸收层200和所述硬掩模层300的材料可以根据实际需要进行调整，本发明对此不作限制。
接着参阅图5，执行步骤S02，依次刻蚀所述吸收层200和所述硬掩模层300形成环状开口以暴露部分所述衬底100。具体的，所述环状开口形成所述防静电环状结构400。本实施例中，采用干法刻蚀所述吸收层200和所述硬掩模层300，且刻蚀所述吸收层200的工艺气体包括氩气，在本发明的其他实施例中，可以采用其他刻蚀方法刻蚀所述吸收层200和所述硬掩模层300，所述工艺气体也可以根据实际需要进行调整，本发明对此不作限制。
随后，参阅图6，执行步骤S03，在所述环状开口内填充绝缘吸光材料410以在所述衬底100上形成吸光的防静电环状结构500。具体的，首先，在所述环状开口内填充绝缘吸光材料410，所述绝缘吸光材料410覆盖所述环状开口两侧的部分所述硬掩模层300；随后，进行平坦化工艺，去除所述硬掩模层300上的部分所述绝缘吸光材料410。本实施例中，所述绝缘吸光材料410包括不透光的橡胶、塑料或陶瓷，例如掺杂有炭黑浆料的环氧树脂，在本发明的其他实施例中，所述绝缘吸光材料可以根据实际需要进行选择，本发明对此不作限制。所述吸光的防静电环状结构500可以在防静电的同时吸收并隔绝到达所述吸光的防静电环状结构500处的杂散光，以改善光刻机的漏光情况，同时减少半导体器件中不必要的特征尺寸差异，从而避免出现重影。
相应的，本发明还提供一种光刻机，包括所述掩模版。此外，所述光刻机还包括光源、曝光镜头、快门、中继透镜、投影镜头和晶圆。使用所述光刻机正常工作时，所述光源在投影过程中产生的杂散光在通过所述掩模版的外围区域时被所述掩模版上吸光的防静电环状结构隔离并吸收，有效防止所述光刻机中的杂散光通过防静电环状结构，从而改善所述光刻机的漏光情况。
综上，本发明提供一种掩模版及其制备方法、光刻机。其中，所述掩模版包括衬底，所述衬底上依次形成有吸收层和硬掩模层，所述吸收层和所述硬掩模层内均形成有环状开口以暴露部分所述衬底，所述开口内填充有绝缘吸光材料，以在所述衬底上形成吸光的防静电环状结构。本发明提供的掩模版及其制备方法、光刻机通过在掩模版的防静电环状结构中填充绝缘的吸光材料，在防静电的同时吸收并隔绝到达所述防静电环状结构处的杂散光，以改善光刻机的漏光情况，同时减少半导体器件中不必要的特征尺寸差异，从而避免出现重影。
上述仅为本发明的优选实施例而已，并不对本发明起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的技术方案的范围内，对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本发明的技术方案的内容，仍属于本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种掩模版，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底上依次形成有吸收层和硬掩模层，所述吸收层和所述硬掩模层内均形成有环状开口以暴露部分所述衬底，所述开口内填充有绝缘吸光材料，以在所述衬底上形成吸光的防静电环状结构。
2.如权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述绝缘吸光材料包括掺杂有炭黑浆料的环氧树脂或其他不透光的橡胶、塑料或陶瓷。
3.如权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述衬底的材料包括石英。
4.如权利要求2所述的掩模版，其特征在于，所述吸收层的材料包括硅化钼。
5.如权利要求2所述的掩模版，其特征在于，所述硬掩模层的材料包括金属铬、氧化铬或氮化铬。
6.如权利要求2所述的掩模版，其特征在于，所述防静电环状结构位于所述掩模版的外围区域。
7.一种掩模版的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上依次形成有吸收层和硬掩模层；
依次刻蚀所述吸收层和所述硬掩模层形成环状开口以暴露部分所述衬底；以及
在所述环状开口内填充绝缘吸光材料以在所述衬底上形成吸光的防静电环状结构。
8.如权利要求7所述的掩模版的制备方法，其特征在于，在所述环状开口内填充绝缘吸光材料以在所述衬底上形成吸光的防静电环状结构包括：
在所述环状开口内填充绝缘吸光材料，所述绝缘吸光材料覆盖所述环状开口两侧的部分所述硬掩模层；
进行平坦化工艺，去除所述硬掩模层上的部分所述绝缘吸光材料。
9.如权利要求8所述的掩模版，其特征在于，采用干法刻蚀的方法刻蚀所述硬掩模层和所述吸收层。
10.一种光刻机，包括如权利要求1-6所述的掩模版。
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Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0450942A (ja) * | 1990-06-15 | 1992-02-19 | Fujitsu Ltd | レチクルおよびその製造方法 |
| US20060216614A1 (en) * | 2005-03-24 | 2006-09-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of mask making and structure thereof for improving mask ESD immunity |
| CN104049455A (zh) * | 2013-03-15 | 2014-09-17 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 极紫外光（euv）光掩模及其制造方法 |
| US20150077733A1 (en) * | 2013-09-18 | 2015-03-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of Overlay In Extreme Ultra-Violet (EUV) Lithography |
| JP2017191253A (ja) * | 2016-04-14 | 2017-10-19 | 日本電信電話株式会社 | 光集積回路及びその製造方法 |
| CN109491191A (zh) * | 2018-11-15 | 2019-03-19 | 深圳市龙图光电有限公司 | 一种掩模板及其制作方法 |
| US20190148156A1 (en) * | 2017-11-15 | 2019-05-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Photo mask and method of manufacturing semiconductor element using photo mask |
| CN110967925A (zh) * | 2018-09-28 | 2020-04-07 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 制造和维护光掩摸的方法 |
-
2020
- 2020-12-16 CN CN202011486091.6A patent/CN112612177B/zh active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0450942A (ja) * | 1990-06-15 | 1992-02-19 | Fujitsu Ltd | レチクルおよびその製造方法 |
| US20060216614A1 (en) * | 2005-03-24 | 2006-09-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of mask making and structure thereof for improving mask ESD immunity |
| CN104049455A (zh) * | 2013-03-15 | 2014-09-17 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 极紫外光（euv）光掩模及其制造方法 |
| US20150077733A1 (en) * | 2013-09-18 | 2015-03-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of Overlay In Extreme Ultra-Violet (EUV) Lithography |
| JP2017191253A (ja) * | 2016-04-14 | 2017-10-19 | 日本電信電話株式会社 | 光集積回路及びその製造方法 |
| US20190148156A1 (en) * | 2017-11-15 | 2019-05-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Photo mask and method of manufacturing semiconductor element using photo mask |
| CN110967925A (zh) * | 2018-09-28 | 2020-04-07 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 制造和维护光掩摸的方法 |
| CN109491191A (zh) * | 2018-11-15 | 2019-03-19 | 深圳市龙图光电有限公司 | 一种掩模板及其制作方法 |
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