CN112596313A - 阵列基板 - Google Patents

阵列基板 Download PDF

Info

Publication number
CN112596313A
CN112596313A CN202011437129.0A CN202011437129A CN112596313A CN 112596313 A CN112596313 A CN 112596313A CN 202011437129 A CN202011437129 A CN 202011437129A CN 112596313 A CN112596313 A CN 112596313A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
array substrate
passivation layer
connection line
line layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011437129.0A
Other languages
English (en)
Inventor
彭钊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Original Assignee
TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd filed Critical TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Priority to CN202011437129.0A priority Critical patent/CN112596313A/zh
Publication of CN112596313A publication Critical patent/CN112596313A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

一种阵列基板，其上定义有显示区域和位于所述显示区域周侧的OLB区域，所述阵列基板包括衬底、设置于所述衬底层上的连接线层、保形覆盖于所述连接线层上的钝化层，以及设置于所述钝化层上且覆盖所述钝化层的有机平坦层，所述连接线层位于所述OLB区域，所述连接线层包括多个凹槽或多个凸起，所述钝化层和所述有机平坦层覆盖所述凹槽或所述凸起。通过将OLB区域的连接线层设置为具有凸起或凹槽的形状，钝化层保形覆盖于连接线路层上，能够增大后续形成的有机平坦层与钝化层之间的接触面积，进而增大有机平坦层与钝化层之间的粘附力，能够有效地改善OLB区域的有机平坦层发生的剥落现象。

Description

阵列基板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板。
背景技术
相对彩膜基板的尺寸，一般阵列基板的尺寸会设置地较大，阵列基板的边缘到彩膜基板的边缘多出的部分称为OLB(Outer Lead Bonding，外引线接合)区域，OLB工艺是液晶盒与外部电路连通的重要电气压接工艺。这个工艺把驱动液晶屏的IC的一端与液晶盒上的连接电极压接在一起，另一端与印刷电路板上的引线压接在一起。
OLB区域存在许多连接线路，对于现有的PFA(polymer film onarray，阵列基板上的有机膜)产品来说，OLB区域的连接线路通常由阵列基板上的金属层经图案化形成，后续形成钝化层，钝化层成膜后经图案化开出小孔，最后像素电极通过该小孔与连接线路搭接，起到信号传输的作用。
目前，在OLB区域，PFA层与钝化层直接接触，由于PFA层与钝化层的膜质不同，且接触面积较小，导致PFA层与钝化层之间的粘附力较差，进而导致PFA层易发生剥落，致使信号串接，导致线路连接的可靠性下降。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板，以解决现有的阵列基板的OLB区域的PFA层直接与钝化层接触，由于PFA层与钝化层的膜质不同，且接触面积较小，导致PFA与钝化层之间的粘附力较差，进而导致PFA易发生剥落，致使信号串接，导致线路连接的可靠性下降的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明实施例提供一种阵列基板，其上定义有显示区域和位于所述显示区域周侧的OLB区域，所述阵列基板包括衬底、设置于所述衬底层上的连接线层、保形覆盖于所述连接线层上的钝化层，以及设置于所述钝化层上且覆盖所述钝化层的有机平坦层，所述连接线层位于所述OLB区域。其中，所述连接线层包括多个凹槽或多个凸起，所述钝化层和所述有机平坦层覆盖所述凹槽或所述凸起。
在本发明的一种实施例中，所述连接线层包括多条连接线。
在本发明的一种实施例中，每一条所述连接线沿其延伸方向上间隔设置有多个所述凹槽。
在本发明的一种实施例中，每一条所述连接线沿其延伸方向上间隔设置有多个所述凸起。
在本发明的一种实施例中，多条所述连接线为公共走线、绑定引线、以及短路棒中的至少一种。
在本发明的一种实施例中，所述钝化层上开设有露出所述连接线层的部分表面的至少一第一过孔，所述有机平坦层上开设有与所述第一过孔对应的第二过孔，所述第一过孔与其对应的所述第二过孔连通。
在本发明的一种实施例中，所述阵列基板还包括设置于所述有机平坦层上的像素电极，所述像素电极依次穿过所述第二过孔和所述第一过孔与所述连接线层连接。
在本发明的一种实施例中，相邻的两个所述第一过孔之间设置有一所述凹槽或者一所述凸起。
在本发明的一种实施例中，所述凹槽的深度或者所述凸起的高度不小于所述钝化层的厚度。
在本发明的一种实施例中，所述连接线层还包括连接线层本体，所述凹槽的深度为所述连接线层本体的最大厚度的30％～50％。
本发明的有益效果为：将OLB区域的连接线层设置为具有凸起或凹槽的形状，钝化层保形覆盖于连接线路层上，能够增大后续形成的有机平坦层与钝化层之间的接触面积，进而增大有机平坦层与钝化层之间的粘附力，能够有效地改善OLB区域的有机平坦层发生的剥落现象。
附图说明
图1为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图。
图2为本发明实施例的图1中A处的放大结构示意图。
图3为本发明实施例提供的阵列基板的OLB区域的结构示意图。
图4为本发明其他实施例提供的阵列基板的OLB区域的结构示意图。
图5为本发明其他实施例提供的阵列基板的OLB区域的另一结构示意图。
图6为本发明其他实施例提供的阵列基板的OLB区域的又一结构示意图。
图7A至7E为本发明实施例提供的连接线层的制备方法的步骤流程图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本发明针对现有的阵列基板，由于OLB(Outer Lead Bonding，外引线接合)区域的PFA层与钝化层的膜质不同，且接触面积较小，导致PFA层与钝化层之间的粘附力较差，导致PFA层易发生剥落，导致信号串接的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。
请参阅图1，本发明实施例提供一种阵列基板10，其上定义有显示区域101和位于所述显示区域周侧的OLB区域102，所述显示区域101用于显示，所述OLB区域用于将显示区域的驱动信号电路与外部电路连接。
请参阅图3，所述阵列基板10包括衬底11、设置于所述衬底11上的连接线层12、设置于所述连接线层12上的钝化层13，以及设置于所述钝化层13上的有机平坦层14。其中，所述钝化层13保形覆盖于所述连接线层12上，所述有机平坦层14覆盖所述钝化层13。
所述连接线层12位于所述OLB区域，起到信号传输的作用。请参阅图2，图2为图1的OLB区域102中A处的放大结构示意图，所述OLB区域102中存在多条连接线路，例如用于短路测试的短路棒(shorting bar)121、绑定引线122、发生断路现象时用作替代线路的修补线124，以及公共走线(图中未示出)等。OLB区域102中的至少部分连接线路通常经过所述连接线层12图案化而成，后续再形成所述钝化层13以及所述有机平坦层14，再经过开设过孔与像素电极搭接，实现信号传输。
但由于一般钝化层13为无机膜层，所述钝化层13和所述有机平坦层14的膜质存在差异，以及考虑到窄边框设计，OLB区域102的面积会设计地较小，所述钝化层13和所述有机平坦层14的接触面积也较小，因此所述钝化层13和所述有机平坦层14之间的粘附力较差，所述有机平坦层14易发生剥落。因此本发明实施例对下层的所述连接线层12的结构做出改进，在所述连接线层12上设置凹槽或凸起，以增大后续形成于其上的所述钝化层13与所述有机平坦层14之间的纵向接触面积，进而提高所述钝化层13与所述有机平坦层14之间的粘附力。
请参阅图3，一种实施例中，所述连接线层12包括多个凹槽1201，所述钝化层13和所述有机平坦层14覆盖所述凹槽1201。
进一步地，所述凹槽1201由所述钝化层13和所述有机平坦层14填充满。
具体地，所述钝化层13保形覆盖于所述连接线层12上，即所述钝化层13在所述连接线层12的表面起伏，所述钝化层13背离所述连接线层12的一侧表面不仅包括水平面131，还包括与所述凹槽1201的侧壁对应的侧面132，因此后续形成的所述有机平坦层14与所述钝化层13之间，不仅在水平面131有所接触，还在侧面132有所接触。相较于现有技术，本发明实施例增加了所述有机平坦层14与所述钝化层13的接触面积，从而增大两者之间的粘附力。
所述侧面132可为垂直于所述衬底11的垂直面，也可为相对于所述衬底11具有一定坡度的斜面。
所述钝化层13的膜层厚度一般设置的较薄，所述钝化层13的厚度均一，且厚度范围可设置为800埃～1000埃，因此所述钝化层13不会影响所述连接线层12的地形，因此所述凹槽1201的深度大小决定了所述有机平坦层14与所述钝化层13的接触面积增加的面积大小。较佳地，所述凹槽1201的深度H1不小于所述钝化层13的厚度。
一种实施例中，所述钝化层13整面设置于所述衬底11上，可通过化学气相沉积(CVD，Chemical Vapor Deposition)工艺形成于所述连接线层12上，也可采用蒸镀等其他工艺形成。
一种实施例中，所述有机平坦层14的厚度范围可为2微米～5微米。
请参阅图3，所述连接线层12还包括连接线层本体126，所述凹槽1201的深度H1为所述连接线层本体126的最大厚度H2的30％～50％，所述凹槽1201的深度H1不宜过浅，太浅不益于增大所述钝化层13与所述有机平坦层14的接触面积，所述凹槽1201的深度H1不宜过深，过深易导致所述连接线层12断裂，导致信号异常。
所述连接线层本体126的最大厚度H2为3000埃～10000埃。
一种实施例中，所述连接线层本体126的最大厚度H2为8000埃，所述凹槽1201的深度H1为4000埃，所述钝化层13的厚度为1000埃。
所述连接线层12包括多条连接线，具体地，多条所述连接线可为公共走线、所述绑定引线122、以及所述短路棒121等线路中的至少一种，但不限于此。
具体地，所述OLB区域102内的连接线均可做上述凹槽1201的设计。
请参阅图2，所述OLB区域102中还设置有扇形区123和静电防护器件125，所述扇形区123内设置有多条信号走线。
一种实施例中，每一条所述连接线沿其延伸方向上可间隔设置多个所述凹槽1201，以进一步增大所述有机平坦层14与所述钝化层13的接触面积。
所述阵列基板10还包括像素电极15，所述像素电极15设置于所述有机平坦层14上，所述像素电极15通过过孔与下层的所述连接线层12连接，以实现信号传输。
具体地，所述钝化层13上开设有露出所述连接线层12部分表面的至少一个第一过孔133，所述有机平坦层14上开设有与所述第一过孔133对应的第二过孔141，所述第一过孔133与其对应的所述第二过孔141连通，所述像素电极15依次穿过所述第二过孔141和所述第一过孔133与所述连接线层12连接。
所述第一过孔133和所述第二过孔141在所述衬底11上的正投影与所述凹槽1201在所述衬底11上的正投影不重叠，即所述第一过孔133和所述第二过孔141在水平方向上与所述凹槽1201错开设置。
一种实施例中，如图5所示，相邻的两个所述第一过孔133之间可设置有一所述凹槽1201，以增强所述有机平坦层14在所述第一过孔133和所述第二过孔141的周边的粘附力。
请参阅图7A至图7E，所述连接线层12可通过两道刻蚀工艺和一道灰化工艺形成。具体地，请参阅图7A，提供所述衬底11，在所述衬底11上沉积金属层18(省略衬底11与金属层18之间的膜层)；请参阅图7B，在所述金属层18上的对应区域形成不同厚度的光刻胶20；请参阅图7C，利用半色调掩模板或灰色调掩模板，对所述金属层18的未被覆盖所述光刻胶20的区域进行完全刻蚀以形成图案化的连接线层12，即形成多条所述连接线，以及在所述显示区域101形成多条信号线或金属元件(例如数据线、源漏极等)；请参阅图7D，对所述光刻胶20进行灰化处理，以去除所述连接线层12的凹槽1201位置对应的所述光刻胶20；请参阅图7E，利用所述半色调掩模板或所述灰色调掩模板，对所述连接线层12的未被覆盖所述光刻胶20的区域进行部分刻蚀以形成所述凹槽1201。
其中，所述半色调掩模板或所述灰色调掩模板包括完全透光区域和部分透光区域，所述完全透光区域对应所述金属层18的需完全刻蚀的区域，所述部分透光区域对应所述金属层18的需部分刻蚀的区域，所述部分透光区域的透过率可设置为30％～60％。
上述完全刻蚀工艺的过刻蚀(OE，Over Etch)量可限定为30％～100％；根据设定的所述凹槽1201的刻蚀深度或所述连接线层12的剩余膜厚，来调整上述部分刻蚀工艺的OE量，可限定为30％～60％。
上述灰化工艺可选用O2气体进行处理，具体的制程参数视所述光刻胶20需残余的膜厚量来调整，这里不做限制。
请参阅图4，所述阵列基板10还包括设置于所述衬底上的第一金属层16、设置于所述第一金属层16上的绝缘层17以及设置于所述第一金属层上的第二金属层，其中，所述第一金属层16可用于形成驱动所述显示区域101显示的薄膜晶体管的栅极和扫描线，所述第二金属层可用于形成所述薄膜晶体管的源漏极、数据线等金属器件。
一种实施例中，所述连接线层12可与所述第二金属层同层设置，即所述第二连接线层12可通过所述第二金属层形成。
一种实施例中，所述连接线层12的多条连接线可通过所述第二金属层图案化处理形成。
在其他实施例中，请参阅图6，所述凹槽1201也可用凸起1202来替代，所述凸起1202同样能够增加所述钝化层13与所述有机平坦层14的接触面积。
具体地，所述阵列基板10包括多个凸起1202，所述钝化层13和所述有机平坦层14覆盖于所述凸起1202。
所述钝化层13在所述凸起1202处起伏，因此所述凸起1202与上述实施例中的凹槽1201所起的作用相同，能够增加所述有机平坦层14与所述钝化层13在侧面方向上的接触面积。
设置有所述凸起1202的连接线层12的工艺与设置有所述凹槽1201的连接线层12的工艺相同，同样需要两道刻蚀工艺(完全刻蚀工艺和部分刻蚀工艺)和一道灰化工艺，可参考上述凹槽1201的制备方法。但由于具有所述凸起1202的连接线层12的厚度与具有所述凹槽1201的厚度不同，因此具体制程中涉及到的各项参数有所改变，例如完全刻蚀工艺以及部分刻蚀工艺中的主刻蚀时间和过刻蚀量等。
一种实施例中，所述连接线层12的每一条所述连接线沿其延伸方向上可间隔设置有多个所述凸起1202。
一种实施例中，相邻的两个所述第一过孔133之间设置有一所述凸起1202，以增强所述第一过孔133和所述第二过孔141处的粘附力。
请继续参阅图6，所述连接线层本体126的最小厚度H3可为3000埃～10000埃。
同样地，所述凸起1202的高度H4可设置为不小于所述钝化层13的厚度。所述凸起1202的高度H4可为所述连接线层本体126的最小厚度的30％～50％。
一种实施例中，所述连接线层本体126的最小厚度H3可为8000埃，所述凸起1202的高度H4可为4000埃，所述钝化层13的厚度可为1000埃。
其他结构，可参考上述任一实施例的描述，这里不再赘述。
在其他实施例中，所述阵列基板10也可同时包括所述凹槽1201和所述凸起1202，但需要三道刻蚀工艺。因此较佳的设计，可采用凹槽1201或者凸起1202的设计。
请参阅图1，一种实施例中，所述阵列基板10可为GOA(Gate On Array，栅极驱动集成于阵列基板上)型阵列基板，所述阵列基板10的OLB区域102包括栅极驱动区1021和源极驱动区1022，所述栅极驱动区1021设置有多个产生并传输扫描信号的栅极驱动器，所述源极驱动区1022设置有多个产生并传输数据信号的源极驱动器。所述阵列基板10可为双驱动架构，即分别从扫描线的两端同时输入扫描信号。所述源极驱动区1022的一侧还连接有印制电路板19。
本发明实施例的阵列基板10可应用于液晶显示面板中，也可应用于有机电致发光显示面板中或者其他面板中。
通过将OLB区域102的连接线层12设置为具有凸起1202或凹槽1201的形状，钝化层13保形覆盖于连接线层12上，能够增大后续形成的有机平坦层14与钝化层13之间的接触面积，进而增大有机平坦层14与钝化层13之间的粘附力，能够有效地改善OLB区域102中的有机平坦层14发生的剥落现象。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本发明实施例所提供的一种阵列基板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其上定义有显示区域和位于所述显示区域周侧的OLB区域，其特征在于，包括：
衬底；
连接线层，设置于所述衬底层上且位于所述OLB区域；
钝化层，保形覆盖于所述连接线层上；以及
有机平坦层，设置于所述钝化层上且覆盖所述钝化层；其中，
所述连接线层包括多个凹槽或多个凸起，所述钝化层和所述有机平坦层覆盖所述凹槽或所述凸起。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述连接线层包括多条连接线。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，每一条所述连接线沿其延伸方向上间隔设置有多个所述凹槽。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，每一条所述连接线沿其延伸方向上间隔设置有多个所述凸起。
5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，多条所述连接线为公共走线、绑定引线、以及短路棒中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层上开设有露出所述连接线层的部分表面的至少一第一过孔，所述有机平坦层上开设有与所述第一过孔对应的第二过孔，所述第一过孔与其对应的所述第二过孔连通。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置于所述有机平坦层上的像素电极，所述像素电极依次穿过所述第二过孔和所述第一过孔与所述连接线层连接。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，相邻的两个所述第一过孔之间设置有一所述凹槽或者一所述凸起。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述凹槽的深度或者所述凸起的高度不小于所述钝化层的厚度。
10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述连接线层还包括连接线层本体，所述凹槽的深度为所述连接线层本体的最大厚度的30％～50％。
CN202011437129.0A 2020-12-07 2020-12-07 阵列基板 Pending CN112596313A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011437129.0A CN112596313A (zh) 2020-12-07 2020-12-07 阵列基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011437129.0A CN112596313A (zh) 2020-12-07 2020-12-07 阵列基板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112596313A true CN112596313A (zh) 2021-04-02

Family

ID=75191612

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011437129.0A Pending CN112596313A (zh) 2020-12-07 2020-12-07 阵列基板

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112596313A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113867025A (zh) * 2021-09-23 2021-12-31 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及移动终端
CN115620626A (zh) * 2022-08-12 2023-01-17 荣耀终端有限公司 电子设备、显示屏、显示模组及其错动量测试方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103941460A (zh) * 2013-07-29 2014-07-23 武汉天马微电子有限公司 一种彩色滤光基板、制造方法及液晶显示面板
CN105739200A (zh) * 2016-04-20 2016-07-06 深圳市华星光电技术有限公司 在olb区绑定引脚的方法
CN106876411A (zh) * 2017-03-10 2017-06-20 京东方科技集团股份有限公司 显示基板的制作方法、显示基板和显示装置
CN108922979A (zh) * 2018-07-11 2018-11-30 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103941460A (zh) * 2013-07-29 2014-07-23 武汉天马微电子有限公司 一种彩色滤光基板、制造方法及液晶显示面板
CN105739200A (zh) * 2016-04-20 2016-07-06 深圳市华星光电技术有限公司 在olb区绑定引脚的方法
CN106876411A (zh) * 2017-03-10 2017-06-20 京东方科技集团股份有限公司 显示基板的制作方法、显示基板和显示装置
CN108922979A (zh) * 2018-07-11 2018-11-30 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113867025A (zh) * 2021-09-23 2021-12-31 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及移动终端
CN113867025B (zh) * 2021-09-23 2024-01-23 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及移动终端
CN115620626A (zh) * 2022-08-12 2023-01-17 荣耀终端有限公司 电子设备、显示屏、显示模组及其错动量测试方法
CN115620626B (zh) * 2022-08-12 2023-10-20 荣耀终端有限公司 电子设备、显示屏、显示模组及其错动量测试方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6856372B2 (en) Liquid crystal display (LCD) devices having redundant patterns
US6888585B2 (en) Control signal unit for a liquid crystal display
CN109634467B (zh) 一种阵列基板及其制备方法
CN111129040A (zh) 阵列基板及其制作方法、显示面板
US7335538B2 (en) Method for manufacturing bottom substrate of liquid crystal display device
CN112596313A (zh) 阵列基板
JP2005234091A (ja) 表示装置
US20220416007A1 (en) Array substrate, method for manufacturing same, display panel, and display device
CN105321958B (zh) 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
US6448116B1 (en) Thin film transistor display and method of fabrication
WO2019205433A1 (zh) 阵列基板的制作方法
WO2021147039A1 (zh) 驱动背板及其制备方法、显示面板、显示装置
KR101148557B1 (ko) 디스플레이 장치용 기판의 제조방법
US7019393B2 (en) Electric circuit substrate
KR20050011677A (ko) 박막 반도체 소자 및 박막 반도체 소자의 제조방법
US7521298B2 (en) Thin film transistor array panel of active liquid crystal display and fabrication method thereof
KR20090088180A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR100552298B1 (ko) 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치용 기판 제조 방법
KR100623974B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100737626B1 (ko) 액정표시장치의 제조방법
KR100635946B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JP3989662B2 (ja) 液晶装置及びその製造方法
KR100339334B1 (ko) 액정표시장치의 패드부 구조 및 그 제조방법
KR20050070446A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR0145898B1 (ko) 액정 표시장치의 패드 형성방법 및 구조

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20210402