CN112563290A - 像素结构及其制备方法、显示装置 - Google Patents

像素结构及其制备方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112563290A
CN112563290A CN202011401376.5A CN202011401376A CN112563290A CN 112563290 A CN112563290 A CN 112563290A CN 202011401376 A CN202011401376 A CN 202011401376A CN 112563290 A CN112563290 A CN 112563290A
Authority
CN
China
Prior art keywords
functional
layer
metal layer
trace
traces
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011401376.5A
Other languages
English (en)
Inventor
宋利旺
高冬子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN202011401376.5A priority Critical patent/CN112563290A/zh
Priority to PCT/CN2020/137541 priority patent/WO2022116289A1/zh
Priority to US17/264,815 priority patent/US20220399424A1/en
Publication of CN112563290A publication Critical patent/CN112563290A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了一种像素结构及其制备方法、显示装置，所述像素结构包括基层、第一金属层、绝缘层和第二金属层；所述第一金属层具有若干相互间隔的第一功能走线；所述第二金属层具有若干相互间隔的第二功能走线，其中至少一第二功能走线横跨至少两根第一功能走线，在这至少两根第一功能走线的至少一个边缘设置空间缺口。本发明的技术效果在于，空间缺口为所述第二功能走线的修补提供空间，防止出现短路或断路，保证像素结构电路畅通。

Description

像素结构及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示领域，特别涉及一种像素结构及其制备方法、显示装置。
背景技术
AM-LCD制备过程中颗粒物仍无法完全消除，由于所述颗粒物的存在，导致不同信号线路间电路连接不良的比例较高，所述不良均需要进行镭射修补，但由于机台精度和像素结构的设计导致修补过程中存在失败风险，并导致线不良的副作用，通常该类不良在使用初期并不会表现出来，在使用一段时间后所述电路不良会导致客端发生线不良，导致客诉风险高，影响产品品质及客户满意度。
发明内容
本发明的目的在于，解决现有的像素结构中第二功能走线的修补导致线路断线或短路问题严重的技术问题。
为实现上述目的，本发明提供一种像素结构，包括：基层；第一金属层，具有若干相互间隔的第一功能走线，设于所述基层一侧的表面；第二金属层，具有若干相互间隔的第二功能走线，绝缘地设于所述第一金属层的上方，其中至少一第二功能走线横跨至少两根第一功能走线，在这些第一功能走线的至少一个边缘设置有用以修补这一第二功能走线的空间缺口，且这一第二功能走线在所述第一金属层上的正向投影覆盖其所对应的所述空间缺口；绝缘层，包覆每一第一功能走线且填充所述空间缺口。
进一步地，其中一第二功能走线横跨两根相邻的第一功能走线，所述空间缺口设置在这两根第一功能走线的边缘，且相对设置。
进一步地，所述第二功能走线为分压电极走线，所述第一功能走线为公共电极走线。
进一步地，其中一第二功能走线横跨两根相邻的第一功能走线，所述空间缺口设置在这两根第一功能走线之一的边缘。
进一步地，所述第二功能走线为源极走线和漏极走线，所述第一功能走线为栅极走线。
进一步地，所述像素结构还包括：有源层，设于所述绝缘层远离所述第一金属层一侧的表面；钝化层，设于所述第二金属层远离所述绝缘层一侧的表面；以及像素定义层，设于所述钝化层远离所述第二金属层一侧的表面
为实现上述目的，本发明还提供一种像素结构的制备方法，包括以下步骤：提供一基层；在所述基层的上表面制备出第一金属层，所述第一金属层具有若干相互间隔的第一功能走线；在所述第一功能走线的至少一个边缘设置空间缺口；在所述第一金属层的上表面以及所述空间缺口内制备出绝缘层；以及在所述绝缘层的上表面制备出第二金属层，所述第二金属层具有若干相互间隔的第二功能走线，其中至少一第二功能走线横跨至少两根第一功能走线，所述第二功能走线在所述第一金属层上的正向投影覆盖其所对应的所述空间缺口。
进一步地，在所述绝缘层的上表面制备出第二金属层的步骤中，在所述绝缘层的上表面涂布一层金属材料，对所述金属材料进行图案化处理，形成若干第二功能走线；所述第二功能走线包括源极走线和漏极走线；所述第一功能走线包括栅极走线；所述漏极走线在所述第一金属层上的正向投影覆盖其所对应的所述空间缺口。
进一步地，在所述绝缘层的上表面制备出第二金属层的步骤中，在所述绝缘层的上表面涂布一层金属材料，对所述金属材料进行图案化处理，形成若干第二功能走线；所述第二功能走线包括分压电极走线；所述第二功能走线包括公共电极走线；所述分压电极走线在所述公共电极走线上的正投影处设有所述空间缺口。
为实现上述目的，本发明还提供一种显示装置，包括如前文所述的像素结构。
本发明的技术效果在于，在第二金属层内的第二功能走线横跨的第一金属层的两条第一功能走线处设置空间缺口，空间缺口为所述第二功能走线的修补提供空间，防止在修补过程中第一金属层与第二金属层之间发生短路现象，保证像素结构的电路畅通。
附图说明
图1为本发明实施例1或2所述像素结构的截面图；
图2为本发明实施例1所述第一金属层的俯视图；
图3为本发明实施例1或2所述第二金属层的俯视图；
图4为本发明实施例2所述第一金属层的俯视图；
图5为本发明实施例1或2所述像素结构的制备方法的流程图。
部分组件标识如下：
1、基层；2、第一金属层；3、绝缘层；4、有源层；5、第二金属层；6、像素定义层；7、像素电极；
20、空间缺口；21、第一功能走线；
51、第二功能走线。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
实施例1
具体的，请参阅图1至图3，本发明实施例提供一种像素结构，包括基层1、第一金属层2、绝缘层3、有源层4、第二金属层5、像素定义层6和像素电极7等膜层。
基层1为衬底基板，起到良好的支撑作用，一般为玻璃基板。
第一金属层2设于基层1的上表面，第一金属层2具有若干相互间隔的第一功能走线21，在本实施例中，第一功能走线21为栅极走线，所述栅极走线可用作扫描线。
绝缘层3设于第一金属层2的上表面，绝缘层3的材质为绝缘材料，具有良好的绝缘效果。
有源层4设于绝缘层3的上表面，其材质为半导体材料，有源层4给像素结构提供电路支持。
第二金属层5设于有源层4的上表面，第二金属层5具有若干相互间隔的第二功能走线51，绝缘地设于第一金属层2的上方，其中至少一第二功能走线51横跨至少两根第一功能走线21，在这至少两根第一功能走线21之一的边缘设置有用以修补这一第二功能走线51的空间缺口20，且这一第二功能走线51在第一金属层2上的正向投影覆盖其所对应的空间缺口20(参见图3)。
在本实施例中，第二功能走线51包括源极走线和漏极走线，所述漏极走线在第一金属层2上的正向投影覆盖其所对应的空间缺口20，且空间缺口20设于第一金属层2内的第一功能走线21的边缘处(参见图2)，空间缺口20是给后续的第二功能走线51修补预留空间。
同时，设置空间缺口20，绝缘层3可包覆第一金属层2，使第一金属层2与其他导电层完全绝缘，例如，第一金属层2的第一功能走线21与第二金属层5的第二功能走线51之间完全处于绝缘状态，避免了第一金属层2的第一功能走线21与第二金属层5的第二功能走线51之间产生短路的现象。
本实施例所述像素结构还可包括钝化层和平坦层等膜层，可覆盖于第二金属层5的上方，起到平滑膜层表面的作用。
像素定义层6设于所述钝化层和/或所述平坦层的上方，起到定义发光层大小的作用，发光层可设于像素定义层6上开设的通孔内，获得像素结构的电路结构驱动后可发光。
像素电极7设于像素定义层6的通孔内，且设于所述发光层的上方，像素电极7同时为所述发光层的发光提供电路支持。
本实施例所述像素结构的技术效果在于，在第二金属层5内的第二功能走线51横跨的第一金属层2的两条第一功能走线21之一的边缘处设置空间缺口20，空间缺口20为第二功能走线51的修补提供空间，防止在修补过程中第一金属层2与第二金属层5之间发生短路现象，保证像素结构的电路畅通。
如图5所示，本实施例还提供一种像素结构的制备方法，包括步骤S1～S5。
S1提供一基层，基层1为衬底基板，起到良好的支撑作用，一般为玻璃基板。
S2在基层1的上表面制备出第一金属层2，具体地，在基层1的上表面涂布一层金属材料，对所述金属材料进行图案化处理，形成若干相互间隔的第一功能走线21，获得第一金属层2。
S3在第一金属层2上进行挖孔处理，形成若干空间缺口20，可采用蚀刻方式形成空间缺口20，空间缺口20设于至少两根第一功能走线21之一的边缘处(参见图2)，在第一功能走线21的边缘处的两个空间缺口20可为相互错位设置(参见图2)。
S4在第一金属层2的上表面以及空间缺口20内制备出绝缘层3，具体地，才第一金属层2的上表面以及空间缺口20内涂布一层绝缘材料，所述绝缘材料的材质为无机材料，所述无机材料包括硅的氧化物或硅的氮化物或是多层薄膜结构，具有良好的绝缘性能。
S5在绝缘层3的上表面制备出有源层4和第二金属层5等膜层，具体地，在绝缘层3的上表面涂布一层半导体材料，沟道处理后形成有源层4，在有源层4的上表面涂布一层金属材料，图案化处理后，形成若干相互间隔的第二功能走线51，其中至少一第二功能走线51横跨至少两根所述第一功能走线21，第二功能走线51在第一金属层2上的正向投影覆盖其所对应的空间缺口20，
在本实施例中，第一功能走线21为栅极走线，第二功能走线51包括源极走线和漏极走线，所述漏极走线在第一金属层2上的正向投影覆盖其所对应的空间缺口20，且空间缺口20设于第一金属层2内的第一功能走线21的边缘处(参见图2)，空间缺口20是给后续的第二功能走线51修补预留空间。
本实施例所述像素结构的制备方法的技术效果在于，在第一金属层2的两条第一功能走线21处制备出空间缺口20，空间缺口20为第二功能层5内的第二功能走线51的修补提供空间，防止在修补过程中第一金属层2与第二金属层5之间发生短路现象，保证像素结构的电路畅通。
本实施例还可提供一显示装置，包括前文所述的像素结构，避免第一金属层2与第二金属层5之间的短路，空间缺口20给第二金属层5断线处提供修补空间，可防止其断路，提高显示装置的电路安全性能，保证显示装置的良率。
实施例2
具体的，请参阅图1、图3、图4，本发明实施例提供一种像素结构，包括基层1、第一金属层2、绝缘层3、第二金属层5、像素定义层6和像素电极7等膜层。
基层1为衬底基板，起到良好的支撑作用，一般为玻璃基板。
第一金属层2设于基层1的上表面，第一金属层2具有若干相互间隔的第一功能走线21，在本实施例中，第一功能走线21为公共电极走线。
绝缘层3设于第一金属层2的上表面，绝缘层3的材质为绝缘材料，具有良好的绝缘效果。
第二金属层5设于有源层4的上表面，第二金属层5具有若干相互间隔的第二功能走线51，绝缘地设于第一金属层2的上方，其中至少一第二功能走线51横跨至少两根第一功能走线21，在这至少两根第一功能走线21的边缘设置有用以修补这一第二功能走线51的空间缺口20，且这一第二功能走线51在第一金属层2上的正向投影覆盖其所对应的空间缺口20(参见图3)。
在本实施例中，第一功能走线21为公共电极走线，第二功能走线51为分压电极走线，所述分压电极走线和所述公共电极走线具有一重叠部，所述重叠部在第一金属层2上的正向投影覆盖其所对应的空间缺口20，且空间缺口20设于第一金属层2内的两条第一功能走线21的边缘处，且这两个空间缺口20相对设置(参见图4)，空间缺口20是给后续的第二功能走线51修补预留空间。
同时，设置空间缺口20，绝缘层3可包覆第一金属层2，使第一金属层2与其他导电层完全绝缘，例如，第一金属层2的第一功能走线21与第二金属层5的第二功能走线51之间完全处于绝缘状态，避免了第一金属层2的第一功能走线21与第二金属层5的第二功能走线51之间产生短路的现象。
本实施例所述像素结构还可包括钝化层和平坦层等膜层，可覆盖于第二金属层5的上方，起到平滑膜层表面的作用。
像素定义层6设于所述钝化层和/或所述平坦层的上方，起到定义发光层大小的作用，发光层可设于像素定义层6上开设的通孔内，获得像素结构的电路结构驱动后可发光。
像素电极7设于像素定义层6的通孔内，且设于所述发光层的上方，像素电极7同时为所述发光层的发光提供电路支持。
本实施例所述像素结构的技术效果在于，在第二金属层5内的第二功能走线51横跨的第一金属层2的两条第一功能走线21的边缘处设置空间缺口20，空间缺口20为第二功能走线51的修补提供空间，防止在修补过程中第一金属层2与第二金属层5之间发生短路现象，保证像素结构的电路畅通。
如图5所示，本实施例还提供一种像素结构的制备方法，包括步骤S1～S5。
S1提供一基层，基层1为衬底基板，起到良好的支撑作用，一般为玻璃基板。
S2在基层1的上表面制备出第一金属层2，具体地，在基层1的上表面涂布一层金属材料，对所述金属材料进行图案化处理，形成若干相互间隔的第一功能走线21，获得第一金属层2。
S3在第一金属层2上进行挖孔处理，形成若干空间缺口20，可采用蚀刻方式形成空间缺口20，空间缺口20设于至少两根第一功能走线21的边缘处(参见图2)，在第一功能走线21的边缘处的两个空间缺口20可为相互相对设置(参见图4)。
S4在第一金属层2的上表面以及空间缺口20内制备出绝缘层3，具体地，才第一金属层2的上表面以及空间缺口20内涂布一层绝缘材料，所述绝缘材料的材质为无机材料，所述无机材料包括硅的氧化物或硅的氮化物或是多层薄膜结构，具有良好的绝缘性能。
S5在绝缘层3的上表面制备出第二金属层5等膜层，具体地，在绝缘层3的上表面涂布一层金属材料，图案化处理后，形成若干相互间隔的第二功能走线51，其中至少一第二功能走线51横跨至少两根所述第一功能走线21，第二功能走线51在第一金属层2上的正向投影覆盖其所对应的空间缺口20，
在本实施例中，第一功能走线21为公共电极走线，第二功能走线51为压电极走线，所述分压电极走线在所述公共电极走线处的重叠部分即为空间缺口20，且空间缺口20设于第一金属层2内的两条第一功能走线21的边缘处，且这两个空间缺口20相对设置(参见图4)，空间缺口20是给后续的第二功能走线51修补预留空间。
本实施例所述像素结构的制备方法的技术效果在于，在第一金属层2的两条第一功能走线21处制备出空间缺口20，空间缺口20为第二功能层5内的第二功能走线51的修补提供空间，防止在修补过程中第一金属层2与第二金属层5之间发生短路现象，保证像素结构的电路畅通。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本发明实施例所提供的一种像素结构及其制备方法、显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种像素结构，其特征在于，包括：
基层；
第一金属层，具有若干相互间隔的第一功能走线，设于所述基层一侧的表面；
第二金属层，具有若干相互间隔的第二功能走线，绝缘地设于所述第一金属层的上方，其中至少一第二功能走线横跨至少两根第一功能走线，在这些第一功能走线的至少一个边缘设置有用以修补这一第二功能走线的空间缺口，且这一第二功能走线在所述第一金属层上的正向投影覆盖其所对应的所述空间缺口；
绝缘层，包覆每一第一功能走线且填充所述空间缺口。
2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，其中一第二功能走线横跨两根相邻的第一功能走线，所述空间缺口设置在这两根第一功能走线的边缘，且相对设置。
3.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述第二功能走线为分压电极走线，所述第一功能走线为公共电极走线。
4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，其中一第二功能走线横跨两根相邻的第一功能走线，所述空间缺口设置在这两根第一功能走线之一的边缘。
5.如权利要求4所述的像素结构，其特征在于，所述第二功能走线为源极走线和漏极走线，所述第一功能走线为栅极走线。
6.如权利要求5所述的像素结构，其特征在于，还包括：
有源层，设于所述绝缘层远离所述第一金属层一侧的表面；
钝化层，设于所述第二金属层远离所述绝缘层一侧的表面；以及
像素定义层，设于所述钝化层远离所述第二金属层一侧的表面。
7.一种像素结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一基层；
在所述基层的上表面制备出第一金属层，所述第一金属层具有若干相互间隔的第一功能走线；
在所述第一功能走线的至少一个边缘设置空间缺口；
在所述第一金属层的上表面以及所述空间缺口内制备出绝缘层；以及
在所述绝缘层的上表面制备出第二金属层，所述第二金属层具有若干相互间隔的第二功能走线，其中至少一第二功能走线横跨至少两根第一功能走线，所述第二功能走线在所述第一金属层上的正向投影覆盖其所对应的所述空间缺口。
8.如权利要求7所述的像素结构的制备方法，其特征在于，在所述绝缘层的上表面制备出第二金属层的步骤中，
在所述绝缘层的上表面涂布一层金属材料，对所述金属材料进行图案化处理，形成若干第二功能走线；
所述第二功能走线包括源极走线和漏极走线；
所述第一功能走线包括栅极走线；
所述漏极走线在所述第一金属层上的正向投影覆盖其所对应的所述空间缺口。
9.如权利要求7所述的像素结构的制备方法，其特征在于，在所述绝缘层的上表面制备出第二金属层的步骤中，
在所述绝缘层的上表面涂布一层金属材料，对所述金属材料进行图案化处理，形成若干第二功能走线；
所述第二功能走线包括分压电极走线；
所述第二功能走线包括公共电极走线；
所述分压电极走线在所述公共电极走线上的正投影处设有所述空间缺口。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～6中任一项所述的像素结构。
CN202011401376.5A 2020-12-02 2020-12-02 像素结构及其制备方法、显示装置 Pending CN112563290A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011401376.5A CN112563290A (zh) 2020-12-02 2020-12-02 像素结构及其制备方法、显示装置
PCT/CN2020/137541 WO2022116289A1 (zh) 2020-12-02 2020-12-18 像素结构及其制备方法、显示装置
US17/264,815 US20220399424A1 (en) 2020-12-02 2020-12-18 Pixel structure, manufacturing method thereof, and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011401376.5A CN112563290A (zh) 2020-12-02 2020-12-02 像素结构及其制备方法、显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112563290A true CN112563290A (zh) 2021-03-26

Family

ID=75047893

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011401376.5A Pending CN112563290A (zh) 2020-12-02 2020-12-02 像素结构及其制备方法、显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220399424A1 (zh)
CN (1) CN112563290A (zh)
WO (1) WO2022116289A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022267157A1 (zh) * 2021-06-21 2022-12-29 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及显示面板

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1558285A (zh) * 2004-02-04 2004-12-29 友达光电股份有限公司 主动式阵列液晶显示器
CN104485337A (zh) * 2014-09-10 2015-04-01 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板及薄膜晶体管阵列基板的制备方法
CN108183125A (zh) * 2017-12-28 2018-06-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示面板
CN111613624A (zh) * 2020-05-18 2020-09-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制备方法
CN112002715A (zh) * 2020-09-15 2020-11-27 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及显示面板

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104898333B (zh) * 2015-06-17 2017-07-28 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种阵列基板及其线不良维修方法、显示装置
CN107579078B (zh) * 2017-08-31 2020-11-03 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板及其制造方法和显示装置
US10446632B2 (en) * 2017-12-28 2019-10-15 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Organic light-emitting diode display panel
CN108649039B (zh) * 2018-06-01 2020-10-09 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
KR20200087912A (ko) * 2019-01-11 2020-07-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
CN210403730U (zh) * 2019-10-22 2020-04-24 北京京东方技术开发有限公司 显示面板及阵列基板
CN115244599B (zh) * 2020-03-11 2023-08-01 夏普株式会社 显示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1558285A (zh) * 2004-02-04 2004-12-29 友达光电股份有限公司 主动式阵列液晶显示器
CN104485337A (zh) * 2014-09-10 2015-04-01 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板及薄膜晶体管阵列基板的制备方法
CN108183125A (zh) * 2017-12-28 2018-06-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示面板
CN111613624A (zh) * 2020-05-18 2020-09-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制备方法
CN112002715A (zh) * 2020-09-15 2020-11-27 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及显示面板

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022267157A1 (zh) * 2021-06-21 2022-12-29 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及显示面板
US11846858B2 (en) 2021-06-21 2023-12-19 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Array substrate and display panel

Also Published As

Publication number Publication date
US20220399424A1 (en) 2022-12-15
WO2022116289A1 (zh) 2022-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10090486B2 (en) Frameless display device with concealed drive circuit board and manufacturing method thereof
CN109031779B (zh) 发光二极管基板、背光模组和显示装置
CN106796947B (zh) 具有微盖层的显示装置及其制造方法
KR101084183B1 (ko) 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
JP7239481B2 (ja) アレイ基板、その製造方法及び表示装置
US11075258B2 (en) Display substrate, manufacturing method thereof, corresponding display panel and encapsulation method for the same
CN109037235B (zh) 阵列基板及其制作方法
WO2017071233A1 (zh) 制作阵列基板的方法和阵列基板
WO2018099404A1 (zh) 触控基板及其制备方法、触控显示装置
CN103579220A (zh) 阵列基板及其制造方法和包括其的显示装置的制造方法
CN110187575B (zh) 阵列基板及阵列基板母板
CN104716147A (zh) 一种tft阵列基板及其制备方法、显示装置
KR20140015112A (ko) 표시 패널 및 그 제조 방법
CN113611700B (zh) 显示面板母板
CN112563290A (zh) 像素结构及其制备方法、显示装置
CN109728058B (zh) 一种显示基板及其制备方法和显示面板
CN110993664A (zh) 显示面板及显示装置
JPWO2012160610A1 (ja) 表示パネルおよびその製造方法
CN108957815B (zh) 显示装置
CN105425492A (zh) 阵列基板及其制备方法
KR20070010422A (ko) 유기 발광표시장치 및 그 제조방법
TWI544265B (zh) 顯示面板及其製作方法
CN110600520A (zh) 一种显示面板及显示装置
CN215895422U (zh) 一种显示面板及显示装置
CN113157140B (zh) 一种显示面板及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20210326