CN1125562C - 用于阴极线管的偏转电路 - Google Patents

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Abstract

在阴极射线管中减小杂散发射效应的最普遍方法是在该管的回扫变压器上安装一个泄流电阻。然而这种泄流电阻是相当昂贵的。因此，按照本发明的杂散发射衰减电路在电视机从“接通”切换到产生控制晶体管的较高占空比、意味着水平输出晶体管HOT的较低占空比的“备用”状态时对H脉冲微分。这导致调谐电容器的较低电压，因而降低了阳极的回扫峰值电压。这导致EHT电压的下降。

Description

用于阴极射线管的偏转电路
技术领域
本发明涉及一种电视接收机，其中配备有用于防止因从正常“运行”或“接通”工作方式变换到“备用”或“关断”工作方式而出现某些可视人工产物(例如余辉现象)的装置，尤其涉及一种用于减小阴极射线管中的杂散发射的电路。
背景技术
当电视机从“接通”方式切换到“备用”方式或“关断”时，在一些用过的阴极射线管(以下简称为CRT)上可能出现重影。这种效应称之为杂散发射或余辉，其通常是由在电子机构(即电子枪)的栅1或栅2上收集、被阳极电压(标注为EHT的极高电压)加速并击打在CRT的荧光体上的微粒、换言之杂质所引起的。归因于当前CRT的制造工艺，还不可能完全除去这些微粒。CRT的制造商通常保证，当电视机从接通切换为备用方式时如果EHT电压立即放电到一个特定电平(例如18kV)，则杂散发射得到抑制。
已知在把电视机切换到“备用”方式或“关断”后将EHT电压放电的若干方法。
EP-OS 0 521 378 A公开了一种电视装置，该电视装置包括一个具有高压电源的显像管，一个偏转电路，一个阴极驱动放大器和一个用于控制接收机的工作方式的控制电路。响应来自控制电路的截止命令信号的第一晶体管禁止高压电源并以一受控速率启动偏转电路的截止。同时，响应截止命令的第二装置将一“导通驱动”信号施加到所述显像管的至少一个电子枪以使其高压放电。因此，在截止期间由于显示光栅破坏如此提供的特征，比如具有一个完全放电的显像管的安全特征，显像管烧斑的避免及显像管余辉的预防，故从显像管排放高压。
US-PS 5,266,870公开了一种用于具有阴极射线管的系统的杂散发射防止电路，它包括一用于施加系统电源电压的充放电部分，当对该系统加电时以恒定电压充电，而当关断该系统时将充电的电压放电，以及一个切换部分，用于在对该系统加电时在阴极射线管的高压单元与地之间形成一开路，并在关断该系统时在阴极射线管的高压单元与地之间形成一闭合电路，以对阴极射线管中的剩余高压放电，该电路被设置在该系统的一个电路板上。
用于防止杂散发射的上述方法所具有的缺点是，它们需要额外数量的电路系统，这增加了复杂性和成本。
而且，所使用的最普遍而毫无争议的方法是在回扫变压器(以下称之为FBT)上装配一个泄流电阻，以将EHT变压器放电，如稍后借助于图6所说明的。
虽然使用泄流电阻有其优点，但是主要缺点之一是在FTB上安装泄流电阻的造价。
发明内容
因此本发明的目的是提供一种可靠并节省成本的杂散发射衰减电路。
本发明涉及一种用于阴极射线管的偏转电路，用于杂散发射衰减，该电路具有一个驱动变压器和一个用于控制电子束的水平偏转的水平输出晶体管(下面称之为HOT)，其中HOT晶体管连接到高压，一个用于控制HOT晶体管的控制晶体管，其基极连接到H脉冲，以及一个备用电路，其中如果电路从正常操作切换到备用操作，则H脉冲被微分。
为了获得一种低成本电路，最好用一个电容器来执行对H脉冲的微分，其中所述电容器连接到H脉冲和控制晶体管的基极。
此外，该电路包含与第一电容器并联设置的一个二极管装置和一个第二电容器装置，因此根据工作方式，即“接通”或“备用”方式，H脉冲既能够直接通过二极管，也可通过由第二电容器形成的旁路。第一电容器最好小于第二电容器。而且通过备用电路为二极管加偏压，该备用电路包含一个备用晶体管和一个电阻器，其中如果备用晶体管是打开的则最好以电位P对二极管加以偏置。
另外，该电路的H脉冲线路可以用一个开关接地，其中所述开关是用一个接地晶体管实现的，以将H线路接地。接地晶体管的基极最好通过电阻器连接到电位P。
此外，控制晶体管的基极用电位P2加以偏置，其中偏置电位P最好近似为22V，电位P2最好近似为24V。
本发明的主要优点在于，它以与阳极电压泄流相比更为廉价的方式解决了余辉的问题。所需的附加元件是一个晶体管，五个电阻器，以及两个电容器，与安装在FBT中的泄流电阻所额外需要的1.5美元相比，这只花费不到0.5美元。而且，该电路的设计非常简单，因此是易于配装的。这种电路可以用在具有某些改进的多数现存机壳中。
此外，它引入了从备用到接通的软起动，因此HOT导通时间的逐渐增加导致一较低电压和电流应力。当从接通切换到备用时，导通时间是逐渐减少的，所以HOT电压和电流逐渐下降。因此，改进了HOT的可靠性。这是通过利用上述电阻器和电容器逐渐将接地晶体管切换为导通和截止而实现的。
附图说明
下面参照附图来描述本发明的优选实施例，附图中：
图1示出一种按照本发明优选实施例的电路的电路图；
图2示出在正常工作期间控制晶体管的基极电压；
图3示出H脉冲和相应的导数脉冲；
图4示出在电视机已切换为备用方式以后降低为较低电压的HOT集电极电压的包络；
图5示出在正常工作方式下和接地晶体管部分导通方式下接地晶体管集电极电压、控制晶体管基极电压和HOT导通时间的示图；以及
图6示出具有FBT和内部泄流电阻器的CRT的简化图示。
具体实施方式
图1用于说明一个优选实施例的原理。在正常工作下，当电视机接通时，晶体管TR16被备用信号接通。这将使得TR17截止，同时使二极管DL01正偏，用于使晶体管TL01接通和关断的H脉冲由电容器CL02耦合到晶体管TL01的基极。电容器CL02相对于并联电容器CL01具有一较高数值。在正常工作下，H脉冲被连接并加以24V的足够偏压以驱动晶体管TL01，接着以常规切换频率(也见图2)控制HOT晶体管TL02的正确切换。
当电视机被切换为备用方式时，晶体管TR16被截止。因此，由于点B的高压(为22V左右)，二极管DL01是反偏的。本发明的有益部分在于，此时，由于小数值的电容器CL01和24V的正偏压，H脉冲在该时刻被微分，这导致晶体管TL01的较高工作占空比，这也意味着HOT晶体管(水平输出晶体管)的较低占空比，因为驱动变压器DT在初级与次级绕组之间为相反极性。由于晶体管TL02的导通时间要短得多(与24μs的正常工作相比为10μs)，在水平偏转中存储的能量明显减少。如同在电视机机壳中水平偏转电路的基本操作中，当晶体管TL02截止时，能量开始在调谐电容器与偏转电路之间振荡。如前文所提到的，由于在较短的导通时间期间减少了能量存储，这将导致一较低的调谐电容器电压(即，晶体管TL02截止时的HOT集电极电压)以及阳极电压的较低回扫峰值电压，换言之，电压EHT的下降。
本发明的另一正面效果是在电视机从接通切换到备用方式的时刻，晶体管TR16被关断，电容器CL03(其跨接于晶体管TR17的基-发射极)被充电到点P的电位P，充电的时间常数由电阻器RL02、电阻器RL06和电容器CL03确定，其结果是使晶体管TR17随后被缓慢地接通。
下文中，图2，3和4中的纵轴表示任意单元的测量电压，横轴则给出任意单元的时间。
图2示出正常工作期间，即当所施加的H脉冲经过与电容器CL02相比具有小电容值的上面的电容器CL01时，控制晶体管TL01的基极电压Ub。
图3在上半部分示出微分的H脉冲(dH)。在图3的相应下半部分示出原始H脉冲。换言之，图2的上半部分的波形表示的是当电视机切换为备用方式和晶体管TR16截止时，H脉冲被微分。下半部分的脉冲是在输入到本发明电路并被处理以驱动晶体管TL01基极之前来自视频IC的原始H脉冲。
图4表示HOT集电极电压Vc的包络，如图4中所示出的，在电视机切换为备用方式之后它被减小为一较低电压。
图5最后表示出减小H脉冲幅度的效果，其也将给出一更短的HOT晶体管导通时间。所存储的能量将被进一步减少，并给出一较低的晶体管TL02集电极电压，以致晶体管TL02最终在一较低峰值电压被关断。另一方面，电视机从备用方式切换为接通，晶体管TR17(图5的右边部分)将逐渐被关断，这是因为由于晶体管TR16将导通，电容CL03被以数值为RL05/CL03的时间常数放电。这将导致HOT晶体管的导通时间逐步增加，产生一软起动效应，这还带给HOT晶体管较低的电压和电流应力。因此，本发明不仅用于它的主要目的，即利用杂散发射，而且还增强HOT晶体管在其切换瞬间的可靠性。
图6示出在一个阴极射线管CRT中泄流电阻RBL在CRT阳极A与一个电阻链之间的公知配置，该电阻链包含一个聚焦电阻RF和屏幕电阻RS，以在从“接通”方式到“备用”方式转换瞬间使施加于阳极A的高电压EHT放电。泄流电阻RBL为400兆欧姆的数量级。

Claims (10)

1.一种用于阴极射线管的偏转电路，用于杂散发射衰减，其具有一个驱动变压器，该驱动变压器与一个用于控制一水平偏转线圈以提供阴极射线管电子束水平偏转的输出晶体管(TL02)相连接，其中，该输出晶体管(TL02)连接到高压(EHT)，该偏转电路还具有一个连接到该驱动变压器、用于基于一包含H脉冲的信号控制该输出晶体管(TL02)的控制晶体管(TL01)，其中，所述H脉冲是由耦合到该控制晶体管(TL01)的H脉冲线路承载的，
其特征在于：
所述偏转电路还具有一个备用电路(TR16，RL02，TR17，CL03，RL06，RL05)，其连接到所述H脉冲线路，用于在该偏转电路从正常操作切换到备用操作或切换到“关断”方式时对H脉冲进行微分。
2.如权利要求1所述的电路，其中，用一个连接到H脉冲线路和控制晶体管(TL01)基极的第一电容器(CL01)执行微分。
3.如权利要求2所述的电路，其中，该电路还包括一个二极管装置(DL01)和一个与所述第一电容器(CL01)并联设置的第二电容装置(CL02)。
4.如权利要求3所述的电路，其中，所述第一电容器(CL01)小于所述第二电容器(CL02)。
5.如权利要求3或4所述的电路，其中，所述二极管(DL01)用包含晶体管(TR16)和电阻器(RL02)的备用电路加以偏置。
6.如权利要求1至3中任一项所述的电路，其中，所述H脉冲线路可用一个开关(TR17)接地。
7.如权利要求6所述的电路，其中，所述开关是用一个晶体管(TR17)实现的，以将H脉冲线路接地。
8.如权利要求1至3中任一项所述的电路，其中，如果所述备用晶体管(TR16)打开，则所述二极管(DL01)被以电位P加以偏置。
9.如权利要求7所述的电路，其中，所述接地晶体管(TR17)的基极通过电阻器(RL05，RL06)连接到电位P。
10.如权利要求9所述的电路，其中所述电位P为22V，而控制晶体管(TL01)的基极用24V的电位P2加以偏置。
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