CN1659609A - 聚焦电压放大器 - Google Patents

Abstract

一种在电容性负载上为阴极射线管的聚焦电极产生聚焦电压的动态聚焦放大器包括在水平偏转频率上的周期性信号的电源。下拉晶体管响应所述周期性信号并且耦合到所述电容性负载，用于根据所述周期性信号产生所述动态聚焦电压的第一部分，所述动态聚焦电压在所述周期性信号的周期的第一部分期间减少。存储电容器耦合到所述电容性负载，用于从存储在所述负载中的电荷补充存储在所述存储电容器中的电荷，以便在所述存储电容器中形成控制电压。上拉晶体管响应所述控制电压并且耦合到高压的电源和所述电容性负载，以便从所述高压产生耦合到所述电容性负载的电流。所述电流形成所述动态聚焦电压的第二部分，其中所述动态聚焦电压在所述周期性信号的周期的第二部分期间增加，并且将所述电荷存储在所述电容性负载中。

Description

聚焦电压放大器

本申请要求于2002年4月19日提交的美国临时专利申请序号60/374,280的优先权的利益。

技术领域

本发明涉及显像管的供电，特别涉及当存在最高压级电压变化时与聚焦跟踪相关的功率减少。

背景技术

诸如用于电视观看和计算机操作的视频显示器，经常使用电子显像管(kinescope)、显像管或阴极射线管(CRT)作为显示装置。显像管是具有磷光显示屏和控制端的真空管，所述控制端将聚焦的电子束导向屏幕以产生期望的图像。通常，显像管需要：相对高的阳极或“最高压级(ultor)”电压来加速朝向屏幕的电子束；阴极和栅极，其共同合作以根据所产生的图像来调制所述电子束的强度；以及被施加了聚焦电压的聚焦电极，从而使得所述电子束聚焦在所述屏幕。此外，显像管与偏转结构相连接，该偏转结构用于垂直和水平偏转所述电子束。经常调节显像管的最高压级或阳极电压来减少电压变压，所述电压变化归结于在最高压级电压源与变化的阴极或产生图像所需的射束流之间的内阻抗的相互作用。将“静态”聚焦电压施加到显像管的聚焦终端以在给定位置(诸如屏幕的中心)聚焦所述电子束。很明显地，“静态”聚焦电压的值是理想为最高压级电压的固定部分。经常提供动态聚焦控制以根据电子数的位置来调节施加到显像管的聚焦电压的值，以便虽然存在因为偏转引起的电子束路径的长度的改变，但仍能保持电子束聚焦在屏幕上。

在一种现有技术结构中，聚焦放大器包括上拉(pull-up)晶体管和下拉(pull-down)晶体管。下拉晶体管响应在与偏转频率相关的频率上的输入信号，用于将所放大的输入信号施加到包含聚焦电极电容的电容性负载。高压源在上拉晶体管的集电极形成高压。上拉晶体管的发射极耦合到电容性负载。可以期望以减少来自高压源的功耗的方式来产生上拉晶体管的基极电压。

为了实现发明的特征，在存储电容器中从存储在电容性负载中的电荷产生上拉晶体管的基极电压。从电容性负载到存储电容器的电荷转移没有向驱动电路添加任何显著的功率耗散，所述驱动电路产生上拉晶体管的基极电压。因此，有利地，降低了功率损失。

发明内容

一种为阴极射线管的聚焦电极产生聚焦电压的动态聚焦放大器包括高压源和响应控制电压的上拉晶体管。所述上拉晶体管耦合到所述高压源和电容性负载，用于在所述电容性负载中产生聚焦电压的第一动态聚焦电压部分。所述放大器还包括存储电容器和在与偏转频率相关的频率上的周期动态聚焦输入信号的源。下拉晶体管耦合到所述电容性负载，以便放大输入信号以在所述电容性负载中产生第二动态聚焦电压部分。所述电容性负载耦合到下拉晶体管以从存储在所述电容性负载中的电荷产生上拉晶体管的控制电压。

附图说明

图1a和1b图解说明了根据本发明的一个方面的动态聚焦放大器；和

图2是在其中使用了三个显像管的结构的简化等效图。

具体实施方式

在图1中，通常指明为10的电视装置包括在右下方的阴极射线管(CRT)或显像管12，其包括屏幕12s、最高压级或高压(阳极)端12U、聚焦端12F和阴极12C。CRT 12的阴极12C所示为连接到为视频源14形式的图像信号源。如图1a所注释的，CRT 12可以是例如在投影电视结构中可能被使用的三个相似的CRT中的一个。

图1a的CRT 12的最高压级或高压端12U通过导线9连接到如图块49所示的最高压级或高压以及聚焦电压源。在图1b中更详细地图解说明了块49。在图1b中，与图1a相对应的元件由相同的附图标记表示。图1b的结构49包括集成的高压/聚焦电压变压器/整流器结构(通常指明为50)，其包括初级绕组50P，初级绕组50P的一端连接到调节电压B+源，另一端连接到所示为块218的水平输出晶体管，其中块218是图1a中左上方的偏转块18的一部分。图1b的变压器50还包括由次级部分(表示为50S)组成的分布式次级绕组(表示为50S)和位于每对次级部分之间的整流器或二极管(一些表示为52)。变压器50中的最上面的次级绕组50S通过电感线圈50i1和另外的整流器或二极管52’的串连组合来连接到高压导线9，所述高压从其连接到图1a中的阳极端12U。图1b的变压器50的最低的次级绕组50S通过导线50i2和二极管52’的串连组合来连接到地面。电阻器4R’代表抽头50t以上的次级绕组52的分布式电阻，以及连接在变压器端9和抽头50t之间的电容器C’代表抽头50t以上的所述线圈的分布式电容。类似地，电阻器2R’代表位于变压器50的抽头50t以下的线圈52和电感线圈50i2的分布式电阻器，以及电容器2C’代表分布式电容。图1b的变压器50的抽头50t通过聚焦电压导线11连接到图1a的聚焦控制26的输入端26i2。在图1a的聚焦控制26内，来自变压器50的聚焦电压通过聚焦控制26的分压器(表示为28)耦合到聚焦端12F。分压器28包括电阻器R101和R102，在所述电阻器R101和R102之间具有抽头28t。抽头28t连接到CRT 12的聚焦端12F。聚焦控制26包括可能被施加其它聚焦信号的输入端口26i1。

同样在图1a中，所示在左上方(表示为块16)的偏转结构(Def1)在端口16i接收复合视频信号或至少分离的同步信号。偏转结构16产生垂直或水平偏转信号，一起所示为在输出端16o产生并且通过路径19施加到偏转绕组(一起所示为12W)，该偏转绕组与CRT 12连接，以上为普通技术人员公知。偏转结构16还包括偏转处理器18，例如东芝TA1317AN偏转处理器。偏转处理器18在输出端口18H产生水平动态聚焦信号，以及在输出端口18V产生垂直动态聚焦信号。

动态聚焦组合电路和放大器(在图1a中通常表示为20)包括微分放大器22、共发射极电阻器R10以及基极电阻器R504和R505，所述微粉放大器包括NPN晶体管Q5和Q6。通过AC-增益判定电阻器R301和dc隔离电阻器C301将来自偏转处理器18的端18V的垂直动态聚焦信号施加到微分放大器22的第一输入端口22i1。包含电阻器R11和R12的分压器提供偏压和用于微分放大器22的输入端22i1的附加AC增益控制。在偏转处理器18的端18H产生的水平动态聚焦信号包含回扫抛物线(retrace parabola)，或者说与其相关联。从水平动态聚焦信号移除回扫抛物线以便限定信号的带宽，从而下面的转换速率限制电路能够有效地做出反应。从偏转处理器18的输出端18H将水平速率动态聚焦信号施加到回扫抛物线移除电路24的输入端口24i。通过回扫抛物线移除电路24将回扫抛物线从水平动态聚焦信号中移除，所述回扫抛物线移除电路24包括晶体管Q201和Q202，二极管D201、D202和D203，电容器C201，和电阻器R16、R201、R202、R203和R204。

在图1a中，回扫抛物线移除电路24包括串联组合的电阻器R16和耦合电容器C201，电阻器R16和耦合电容器C201电连接在输入端口24i与输出端口24o之间，从而在缺乏抛物线移除电路24的剩余物时，水平速率动态聚焦信号不用变化而从输入端口24i耦合到输出端口24o。水平回扫脉冲源24H通过电阻器R204将正向脉冲耦合到接地发射极NPN晶体管Q202的基极。晶体管Q202在水平跟踪间隔期间不导电，而在水平回扫间隔期间导电。当晶体管Q202在水平跟踪间隔期间不导电时，PNP晶体管Q201不接收任何基极偏压，并且不导电。在水平回扫期间，当晶体管Q202导电时，包含电阻器R202和R203的分压器将前向偏压施加到晶体管Q201的基极-发射极结，结果晶体管Q201导通。晶体管Q201的发射极电流经过二极管D201流到+V1电源电压，因此晶体管Q201的发射极保留在一个半导体结电压降(一个VBE)或比+V1电源电压更低的电压。晶体管Q201还能饱和或达到小的集电极-到-发射极的电压降的状态，因此Q201的集电极以及输出端口24o上升到在+V1电源的一个VBE内。于是，回扫抛物线移除电路24的输出电压在水平回扫期间被设定为固定电压，而不考虑施加到输入端口24i的水平动态聚焦信号的大小。二极管D202和电阻器R201一起形成分压器，其提供低于两个(2)二极管电压降(2VBE)或比施加到D201的阳极的+V1电压电源更低的参考电压。因此，二极管D202和D203的阴极比+V1低2VBE。二极管D203和电容器C201将水平动态聚焦波形的大部分正部分传输到晶体管Q201的发射极的电压。穿过二极管D202和D203的电压降彼此取消，并且因为在二极管VBE中中的温度相关改变而最小化箝位的输出信号中的变化。类似地，二极管Q201抵消晶体管Q401中的VBE降，从而来自Q401的集电极电流在晶体管Q401的基极处的波形的大多数正部分期间为零。这能够将出现在穿过电阻器R402的反向形式中的波形的大多数负部分箝位到地电压，所述大多数负部分包括在水平回扫期间通过开关晶体管Q201而消除的部分或局部。如果水平动态聚焦波形幅度改变，例如通过偏转处理器IC 18的总线控制，所述地电压箝位动作保持可预测的直接电压或DC。

移除了回扫抛物线的水平动态聚焦信号在图1a的回扫抛物线移除电路24的输出端口24o产生，并且被施加到反向放大器的基极，该反向放大器包括PNP晶体管Q401和电阻器R401与R402。放大的水平动态聚焦信号(移除了回扫抛物线)能够通过AC增益判定电阻器R17和电容器C24与C401的串并联组合从晶体管Q401的集电极电容性耦合到微分放大器22的第二输入端口22i2。微分放大器22从两个晶体管中产生集电极电流，所述晶体管与水平和垂直动态聚焦信号的组合有关。晶体管Q6的集电极中的电流不带任何影响地流向直接电压电源V1。Q5的集电极中流动的电流代表期望的组合动态聚焦信号。

在图1a中通常指明为17的“动态聚焦放大器”包括微分放大器22，Q1保护电路(指明为块25)，Q1偏压探测电路32，反馈组件R2与C504，直流(DC)增益判定电阻器R5、R11和R12，垂直增益判定组件R301、C301、R11和R12，水平增益判定部分C401、C24和R17，以及电涌限制电阻器R503和R25，所有的以上部件将在下面讨论。端17o是动态聚焦放大器17的输出端口。

图1a的晶体管Q20以共发共射排列的方式连接微分放大器22的晶体管Q5，在它们之间带有低值电涌保护电阻器R506。晶体管Q20是带有低电流增益和高压增益的高压晶体管。晶体管Q20的基极通过电涌保护电阻器R25连接到直接电压源V1，因此晶体管Q20的发射极永远不会超过电压V1。这种排列还可以在晶体管Q5的集电极保持恒定电压，因此在所述集电极不会有电压改变，所述集电极可以通过集电极-到-基极的“米勒”电容来耦合以便充当在更高频的负反馈，因此晶体管Q5保持了宽带宽。

图1a中的晶体管Q1和Q2以及它们的辅助部分一起组成了高压动态聚焦信号放大器17的用于放大组合动态聚焦信号的一部分。在动态聚焦信号放大器17上的负载具有很大的电容性并且等于在CRT中的电容器C602、Cwire和CT1的并联组合，所述CRT通过放大的动态聚焦信号来驱动。这些并联电容器通过晶体管Q1来充电而通过晶体管Q20来放电。在图1a中，通过二极管D501来连接NPN晶体管Q1的集电极以便接收电压V2，通过电阻器D501和齐纳二极管D4将NPN晶体管Q1的发射极连接到晶体管Q20的集电极。晶体管Q1的基极通过导线60连接到晶体管Q20的集电极。晶体管Q1的基极也通过电阻器R502连接到电容器C501的结和二极管D502的阴极。电容器C501的另一端以及齐纳二极管D503的阳极通过齐纳二极管D4的阳极连接到电阻器R501的结。二极管D502的阳极和齐纳二极管D503的阴极连接到Q1偏压检测器32的输出端17。与电容器C504并联的电阻器R2向微分放大器22的输入端口22i2提供来自输出端17附近位置的负反馈。

在体现了发明特征的图1a的动态聚焦信号放大器17的操作中，晶体管Q5的集电极电流通过晶体管Q20、二极管D4、电容器C501和二极管D502的发射极-到-集电极的通路连接到动态聚焦放大器17的输出17o。所述电流从输出端17o流向晶体管Q20的结果是，电容器C501充电了。

在实现本发明的一方面时，输出端17o从电容性负载提供电容器C501的充电电流，所述电容性负载如上所述由电容器C602、Cwire和CT1形成。充电持续一直到达到齐纳或齐纳二极管D503的击穿电压，此后D503导通以保持穿过电容器C501的电压恒定并且等于齐纳电压。Q20的集电极电流的小部分流经电阻器R502。在晶体管Q20中的集电极电流导通期间，晶体管Q1保持截止或非导电状态，因为穿过齐纳二极管D4的前向电压降反向偏压晶体管Q1的基极-发射极结。

当图1a的晶体管Q20中的集电极电流减少到零时，在动态聚焦信号放大器17的操作周期的部分期间，通过经由电阻器R502、晶体管Q1的基极-发射极结和电阻器R501回到电容器C501的电容器C501的放电，晶体管Q1导通或表现为导电。从在由电容器C602、Cwire和CT1形成的电容性负载的输出端17o上形成的电压中在电容器C501中产生晶体管Q1的基极电压。从由电容器C602、Cwire和CT1形成的电容性负载到存储电容器C501的电荷传输没有添加任何重大的功率消耗。因此，很有利地，减少了与产生晶体管Q1的基极电压的电路相关的功率损失。

Q1导通时，真正的Q1电流倾向于从电源V2穿过二极管D501、晶体管Q1的集电极-到-发射极通路、电阻器R501和前向偏压二极管D503流向放大器输出端17o。通过穿过发射极电阻器R501形成的反馈电压来防止对晶体管Q1的过电流损坏，所述发射极电阻器R501将集电极电流限制在由穿过发射极电阻器R501的二极管D4的齐纳电压(减去一个基极-发射极结电压)所建立的值，因此当达到齐纳电压时，Q1在恒定电流下操作。电容器C501存储足够的电荷，以便在Q20断开期间的放大器周期的整个部分期间保持Q1导通，并且当Q1的集电极-到-发射极电压为低时保持Q1接通导通。这允许最大正放大器电压紧密地接近电源V2的电压。连接在正电压V2与输出端17o的电阻器R1在开始时对电容器C501预充电，从而循环AC泵浦操作能开始。开始后，穿过电阻器R1形成的电压相对较低，并且因此电阻器R1中的功耗有利地为低。与电阻器R502相连的二极管D501有助于保护晶体管Q1不受当在高压或最高压级端12U和聚焦端12F之间的显像管12中的内部电弧的情况下通过其集电极-到-基极结的过电流的影响。

图1a的放大器17可以被认为是高压运算放大器，至少从它的输出端17o上看是如此。在该运算放大器中，电阻器R2和电容器C504向输入提供来自输出的反馈，并且电阻器R5、R11和R12设置直接(DC)操作点。电阻器R17和电容器C24设置动态或AC增益用于水平速率动态聚焦信号，而电阻器R301、R11和R12与电容器C301一起设置动态或AC增益用于垂直速率动态聚焦信号。

在图1a的Q1偏压检测器32的输出端口17o产生的放大的组合垂直和水平动态偏压信号可以被视为由低阻抗源产生的。从端口17o经过电涌限制电阻器R503将信号施加到束流负载感测聚焦跟踪电路34(“组合”电路34)的第一输入端口34i₁上。第二输入端口34i₂连接到显像管12的最高压级端12U，用于接收最高压级电压。射束电流负载感测聚焦跟踪或组合电路34的输出端口34o连接到聚焦控制块26的输入端口26i1，并且可能连接到与除了显像管12以外的其它显像管相关的相应聚焦控制，以上一起所示为块36。根据本发明的一方面，通过允许高压响应射束电流进行变化，经由调节的高压源，我们实现了成本节约。因此，不调节高压源49。

如图1a中所述，电阻器R601与电容器C601并联连接，并且并联组合R601与C601的一端连接到组合电路34的输入端口34i₁。并联组合R601与C601的另一端连接到组合电路34的输出端口34o。组合电路34还包括电阻器R602与电容器C602的串联组合，并且该串联组合的一端连接到第二输入端口34i₂，而该串联组合的另一端连接到输出端口34o。

图1a的射束电流负载感测聚焦跟踪电路34还可以被视为频率敏感性组合器，其将施加到它的第一输入端34i₁的组合垂直和水平动态聚焦信号与施加到它的第二输入端口34i₂的高压部分相组合。将得到的组合信号施加到聚焦控制块26的输入端口26il，用于组合聚焦电压的“静态”部分。

图1a的聚焦控制26和射束电流负载感测聚焦跟踪电路34可以使用下面值的组件来制造：

R101          50          兆欧姆

R102          80          兆欧姆

R601          5.6         兆欧姆

R602          940         千欧姆

C101          1000        皮法拉

C601          470         皮法拉

C602          200         皮法拉

杂散接线(stray wiring)电容器被指明为Cwire并且值为10皮法拉，而单个显像管，例如诸如显像管12的聚焦电极的电容器CT1大约为25皮法拉。Q1偏压检测器32的输出阻抗和R503的电阻因为相对于影响结果的其它值来说太小而忽略了。本领域的技术人员将认知到连接在第二输入端口34i₂和组合电路34的输出端34o之间的串联电容器C602仅允许耦合到输出端口34o的高压中的变化或改变(“下降”)。类似地，连接在聚焦控制块26的输入端口26i1与分压器28的抽头28t之间的电容器C101的存在阻止直接信号组件耦合到抽头28t。电容器C101和电阻器R101与R102一起组成高通滤波器，其具有大约为5Hz的切断或截止频率。

图2是根据本发明一方面的电视或视频显示装置的简化等效电路或示意图，其中在本发明中使用红、绿和蓝阴极射线或显像管来作为显示器。所述红、绿和蓝显像管分别所示为块12R、12G和12B，它们的最高压级端分别标记为12UR、12UG和12UB，以及它们的聚焦端分别标记为12FR、12FG和12FB。在图2中，相应于图1的元件用相似的附图标记来指明。元件R101、R102和C101具有附加的字母R、G和B，用来识别分别与红、绿和蓝阴极射线管显示器相关的对应元件。在图2中，电源V DF代表施加到组合器34的第一输入端口34i₁的组合垂直和水平动态聚焦信号电源。

图2的电源V_HV代表高或最高压级电压源。电压源V_HV包括带有初级绕组250p的集成变压器250。初级绕组250p的一端耦合到调节源B+以及其另一端耦合到代表开关水平输出晶体管的块。变压器250还包括具有多个绕组的分布式次级绕组，每个绕组都指明为250s。变压器250的分布式次级绕组的一端接地。一组二极管(其中一些指明为252)散布在绕组次级部分250s之间，并且用来矫正在输出导线(图解说明为209)上产生的高压。在变压器250的抽头250t上产生静态聚焦电压。在本发明的一个实施例中，抽头250t相对于最高压级电压来说为1/3抽头，因此在抽头250t产生的静态聚焦电压大约是在导线209上产生的高压的1/3，并且维持为阳极电压的固定百分点。

高或最高压级电压V_HV通过导线209耦合到组合电路34的端34i2，并且分别耦合到图2的红、绿和蓝显像管12R、12G和12B的最高压级连接12UR、12UG和12UB上，因此共同从最高压级电源V_HV供电给组合器34和所有阴极射线管。静态聚焦电压分别通过阻抗分压器126R、126G和126B经由导线(所示为211)从抽头250t分别连接到红、绿和蓝聚焦端12FR、12FG和12FB。分压器126R包括串联电阻器R101R和分路电阻器R102R，在它们之间具有抽头126Rt。抽头126Rt耦合到红显像管聚焦端12FR。电阻器R101R的值为50兆欧姆，电阻器R102R的值为80兆欧姆。类似地，分压器126G包括串联电阻器R101G和分路电阻器R102G，在它们之间具有抽头126Gt。抽头126Gt耦合到绿显像管聚焦端12FG。电阻器R101G的值为50兆欧姆，电阻器R102G的值为80兆欧姆。同样，分压器126B包括串联电阻器R101B和分路电阻器R102B，在它们之间具有抽头126Bt。抽头126Bt耦合到蓝显像管聚焦端12FB。电阻器R101B的值为50兆欧姆，电阻器R102B的值为80兆欧姆。因此，红、绿和蓝显像管的每个聚焦端12FR、12FG和12FB“看见”它的静态聚焦电压就像是源自大约30兆欧姆的阻抗，正如图1a的结构一样。

图2的组合器34的输出端34o分别通过耦合电容器C101R、C101G和C101B分别耦合到红、绿和蓝聚焦端12FR、12FG和12FB中的每一个。电容器C101R、C101G和C101B中的每一个值为100皮法拉。红、绿和蓝显像管的电容分别指明为CT1R、CT1G和CT1B。

Claims (11)

1.一种为阴极射线管的聚焦电极产生聚焦电压的动态聚焦放大器，包括：

高压的电源；

响应控制电压并且耦合到所述高压的所述电源和电容性负载的上拉晶体管，用于在所述电容性负载中产生所述聚焦电压的第一动态聚焦电压部分；

在与偏转频率相关的频率上的周期性动态聚焦输入信号的电源；和

响应所述输入信号并且耦合到所述电容性负载以放大所述输入信号的下拉晶体管，用于在所述电容性负载中产生所述聚焦电压的第二动态聚焦电压部分，所述电容性负载耦合到所述上拉晶体管用以从存储在所述电容性负载中的电荷产生所述上拉晶体管的所述控制电压。

2.如权利要求1所述的放大器，还包括存储电容器，其中所述下拉晶体管耦合到所述存储电容器用以从存储在所述电容性负载的所述电荷产生在所述存储电容器中的所述控制电压。

3.如权利要求2所述的放大器，其中所述下拉晶体管将所述存储电容器耦合到所述电容性负载用以在所述周期性动态聚焦输入信号的周期的第一部分期间产生在所述存储电容器中的所述控制电压。

4.如权利要求3所述的放大器，还包括半导体开关，用于在所述周期性动态聚焦输入信号的周期的第二部分期间阻止电荷从所述存储电容器转移到所述电容性负载。

5.如权利要求2所述的放大器，其中所述存储电容器连接在控制端和所述上拉晶体管的主电流传导端之间。

6.如权利要求2所述的放大器，其中，在所述输入信号的周期的部分期间，所述存储电容器通过来自所述电容性负载的下拉电流流经所述下拉晶体管来充电。

7.如权利要求2所述的放大器，还包括耦合到所述高压的所述电源和耦合到至少所述存储电容器的阻抗，用于在开始操作期间对所述存储电容器充电。

8.如权利要求2所述的放大器，还包括耦合到所述存储电容器的齐纳二极管，用于限制所述控制电压。

9.如权利要求1所述的放大器，其中所述输入信号包括在与水平偏转频率和垂直偏转频率中的至少一个相关的频率上的信号部分。

10.一种为阴极射线管的聚焦端产生聚焦电压的动态聚焦放大器，包括：

高压的电源；

上拉晶体管，具有耦合到所述高压的所述电源的第一主电流传导端和耦合到电容性负载的第二主电流传导端，用于从所述高压在所述电容性负载中形成所述聚焦电压的第一部分；

存储电容器；

在与偏转频率相关的频率上的周期性动态聚焦输入信号的电源；和

下拉晶体管，其具有耦合到所述周期性聚焦输入信号源输入控制端和耦合到所述电容性负载以便放大所述输入信号以在所述电容性负载中产生所述聚焦电压的第二部分的主电流传导端，耦合到所述存储电容器的所述下拉晶体管的所述主电流传导端用于在耦合到所述上拉晶体管的控制端的所述存储电容器中产生控制电压。

11.如权利要求10所述的放大器，其中所述输入信号包括在与水平偏转频率和垂直偏转频率中的至少一个相关的频率上的信号部分。

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