CN1125477C - 磁控管 - Google Patents

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Abstract

一种磁控管,在心柱绝缘体(6)的与筒状金属容器(16)的接合面(10)和与阴极导线(2a、2b)的接合面(9)之间形成环状凹槽(11),由所述环状凹槽(11)的周边部(12、13)来隔离形成在所述接合面(9、10)上所形成的金属化层(8)。能够可靠地防止心柱绝缘体的筒状金属容器的接合面与阴极导线的接合面之间产生的放电。

Description

磁控管
技术领域
本发明涉及一种装载在微波炉中的产生微波的磁控管。
背景技术
以往的用于微波炉磁控管的阴极部分,例如,特公平6-97595号公报(H01J 23/04,H01J 23/14)中所登载的,把以线圈状卷曲的灯丝的两端分别连接在一对底盖上,在该底盖上还连接着用钼(Mo)等形成的阴极导线。这些阴极导线穿过氧化铝陶瓷的通孔并延伸至外部,在该氧化铝陶瓷外周的金属化面上,在上部用银进行银焊连接着未图示的另外组装上的阳极部的筒状金属容器。所述阴极导线,在氧化铝陶瓷的金属化面上以金属接合板为媒介材料用银焊材料进行不透气密封。
具有这样结构的磁控管,一般来说,把与阳极部一体接合的筒状金属容器作为地电位,相对于这个地电位,在以灯丝、阴极导线等构成的阴极部例如作为负电位,在施加4kv高压时工作。所以,当把焊接在氧化铝陶瓷周围的金属化面上的筒状金属容器的端部和阴极导线焊接在氧化铝陶瓷上时,与所使用的金属接合板之间很容易发生放电。这是由于在它们的接合部各有其金属化面,不仅周边成为粗糙面,而且在气密接合处所使用的银焊会在周边成长,形成无数针状突起部,成为针状电极,同时使间隔变窄。
特别是对于使用漏磁变压器的微波炉,没有对灯丝进行预热,当打开电源时,在灯丝不放出电子的初期阶段,若在磁控管上施加8~10kv的无负载电压,在进行了所述不透气密封处的金属化部会产生放电,并诱导浪涌电压而损坏高压部件。
为了解决这个问题,在与筒状金属容器接合的金属化面和与阴极导线接合的金属化面之间形成环状凹槽,并使筒状金属容器或金属接合板从环状凹槽的上面伸出,把钎料的针状突起部用导电体进行电屏蔽,形成无电场层来防止放电。
但是,以所述措施实施的结构,存在以下问题,由于使筒状金属容器或金属接合板在环状凹槽的上面伸出,所以筒状金属容器或金属接合板的形状变大从而提高了成本,同时使筒状金属容器和金属接合板之间的间隔变小而不能完全防止放电。
发明内容
本发明的目的在于提供一种磁控管,能够可靠防止在心柱绝缘体筒状金属容器的接合面与阴极导线的接合面之间发生放电。
本发明的磁控管具有在阳极部气密接合并且构成真空容器一部分的筒状金属容器,和该筒状金属容器的开口端部在其周围进行气密接合的心柱绝缘体,和在所述阳极部的中心轴部设有灯丝的阴极,和支撑该阴极并连接在与所述心柱绝缘体的中心部气密接合的金属接合板上的阴极导线,在所述心柱绝缘体的与所述筒状金属容器的接合面和与所述阴极导线的接合面之间形成环状凹槽,其特征为,把在所述筒状金属容器的接合面和所述阴极导线的接合面上所形成的金属化层与所述环状凹槽的周边部隔离形成,至少使所述筒状金属容器的开口端部或者所述金属接合板中的任意一方比所述金属化层向环状凹槽内侧伸出。
根据上述结构,由于在所述环状凹槽的周边部的接合面,不形成所述金属化层,所以,即使在用气密接合用银焊料材料等所形成的针状突起部形成在所述金属化层的周边部,也不会形成在所述环状凹槽的周边部。因此,不会缩小所述筒状金属容器的开口端部与所述金属接合板之间的间隔,能够使在所述金属化层周边部所形成的所述针状突起部用金属导体形成电屏蔽的无电场层,在不从所述阴极放出电子的初级阶段,即使向所述阴极施加8~10kv的无负载电压也能够可靠地防止放电。
另外,本发明的磁控管,其特征为,设定所述筒状金属容器的接合面与所述阴极导线的接合面位于同一平面,并且用图形印刷形成所述金属化层,所以能够简单地设定除在所述接合面的同一平面上的所述环状凹槽的周边部以外的涂覆区域,能够不降低涂覆的操作质量而形成所述金属化层。
另外,本发明的磁控管具有在阳极部气密接合并且构成真空容器一部分的筒状金属容器,和该筒状金属容器的开口端部在其周围进行气密接合的心柱绝缘体,和在所述阳极部的中心轴部设有灯丝的阴极,和支撑该阴极并连接在与所述心柱绝缘体的中心部气密接合的金属接合板上的阴极导线,在所述心柱绝缘体的与所述筒状金属容器的接合面和与所述阴极导线的接合面之间形成环状凹槽,其特征为,在所述每个接合面上形成金属化层,并在所述环状凹槽的周边部形成比所述每个接合面低的阶梯部。
根据上述结构,所述阶梯部阻止气密接合用银焊料材料等的成长,而不在所述环状凹槽的周边部形成所述针状突起部,所以不会缩小所述筒状金属容器的开口端部与所述金属接合板之间的间隔,金属导体能够使所述针状突起部在所述凹槽前部形成电屏蔽的无电场层,因此在不从所述阴极放出电子的初级阶段,即使向所述阴极施加8~10kv的无负载电压也能够可靠地防止放电。
另外,由于所述筒状金属容器金的接合面与所述阴极导线的接合面位于同一平面,并且在所述接合面上涂有为钎焊所需要的钼(Mo)和锰(Mn),使形成所述金属化层的操作,例如可用1次屏蔽涂覆,所以能够提高所述心柱绝缘体的生产率。
附图说明
图1是本发明实施例1磁控管主要部分的纵剖视图。
图2为图1的放大图。
图3为同心柱绝缘体的俯视图。
图4为本发明实施例2的磁控管主要部分的纵剖视图。
图5为图4的放大图。
图中:16-筒状金属容器,16a-开口端部,6-心柱绝缘体,5-灯丝,1-阴极,14a、14b-金属接合板,2a、2b-阴极导线,10-筒状金属容器接合面,9-阴极导线接合面,11-环状凹槽,8-金属化层,12、13-周边部,17-阶梯部。
具体实施方式
参照附图对本发明的实施例1进行详细说明。
图1是本发明实施例1磁控管主要部分的纵剖视图,图2为图1的放大图,图3为同一心柱绝缘体的俯视图。
1是在一对阴极导线2a、2b的两端之间,通过顶盖3和底盖4夹持灯丝5构成的阴极,该阴极1接受来自所述阴极导线2a、2b的供电,从灯丝5放射出热电子。
6是由氧化铝陶瓷制成的高耐热性心柱绝缘体,所述阴极导线2a、2b穿通在一对通孔7a、7b中。
8是涂覆有钼(Mo)和锰(Mn)膏的金属化层,将该金属化层8形成在与所述阴极导线2a、2b接合的接合面9和与后述的筒状金属容器16接合的接合面10上,并且除了在所述接合面9、10之间所形成的环状凹槽11的周边部12、13以外,都可以进行图形印刷。另外,为提高钎焊性,在所述金属化层8的表面实行了镀镍(Ni),并且所述接合面9、10与所述心柱绝缘体6位于同一平面。
14a、14b是固定所述阴极导线2a、2b的金属接合板,该金属接合板14a、14b以中央槽15分开,在所述通孔7a、7b周边所形成的所述阴极导线2a、2b的接合面9用钎焊气密接合。而且所述金属接合板14a、14b比所述金属化层8处向所述环状凹槽11一侧伸出并接合。
16是在阳极部(未图示)气密接合并构成真空容器一部分的筒状金属容器,在所述心柱绝缘体6的表面外周边上所形成的与所述筒状金属容器16接合的接合面10用钎焊气密接合该筒状金属容器16的开口端部16a。而且,所述开口端部16a,比所述金属化层8处向所述阴极1一侧伸出并被接合。
虽然实施例1使金属接合板和筒状金属容器开口端部的两方比金属化层向内侧伸出,但也可以使金属容器或筒状金属容器的端部的任意一方比金属化层向内侧伸出。
根据上述结构,由于没有在所述环状凹槽11的周边部12、13上形成所述金属化层8,所以,即使在所述金属化层8的周边部形成使用气密接合用银焊料材料等所形成的针状突起部,也不会在所述环状凹槽11的周边部12、13上形成针状突起部。因此,由于不缩小所述筒状金属容器16的开口端部16a与所述金属接合板14a、14b的间隔,就能够形成无电场层,所以在不从所述阴极1放出电子的初级阶段,即使在所述阴极1上施加8~10kv的无负载电压也能够可靠防止放电。
另外,由于将钼(Mo)和锰(Mn)膏以在能够设定的涂覆区域的图形印刷涂覆在所述接合面9、10上,所以能够简单地进行除与所述接合面9、10在同一平面上所具有的周边部12、13以外的涂覆。
下面,参照附图对本发明的实施例2进行说明。但是,对于与所述实施例1同样的结构,给予同样的图号并省略对其说明。
图4是本发明实施例2的磁控管主要部分的纵剖视图,图5是图4的放大图。
17是在所述环状凹槽11的周边部所形成的阶梯部,在该阶梯部17上不形成所述金属化层8。
根据上述结构,由于不在所述阶梯部17上形成所述金属化层8,所以不在所述环状凹槽11的周边部形成使用气密接合用银焊料材料等所形成的针状突起部。因此,由于不使所述筒状金属容器16的开口端部16a与所述金属接合板14a、14b的间隔变窄,就能够形成无电场层,所以在不从所述阴极1放出电子的初级阶段,即使在所述阴极1上施加8~10kv的无负载电压也能够可靠地防止放电。
另外,由于所述接合面9、10位于所述心柱绝缘体6的同一平面上,所以,涂覆为钎焊所需要的钼(Mo)和锰(Mn)以便形成所述金属化层8的操作,例如进行1次屏蔽涂覆,可提高所述心柱绝缘体6的生产率。
根据本发明1的磁控管,由于在心柱绝缘体的与筒状金属容器的接合面和与阴极导线的接合面之间形成环状凹槽,使在所述筒状金属容器的接合面和所述阴极导线的接合面上所形成的金属化层与所述环状凹槽的两侧周边部隔离形成,至少所述筒状金属容器的开口端部或者所述金属接合板中的一方比所述金属化层向内侧伸出,所以不缩小所述筒状金属容器的开口部与所述金属接合板之间的间隔,就能够使在所述金属化层周边部形成的所述针状突起部用金属导体形成电屏蔽的无电场层,在不从所述阴极放出电子的初级阶段,即使向所述阴极施加8~10kv的无负载电压也能够可靠地防止放电,另外,由于所述金属化层形成的面积很小,而且作为所述金属化层材料的钼(Mo)和锰(Mn)的使用量也很少,所以具有能够降低材料成本等效果。
根据本发明2的另一磁控管,由于设定所述筒状金属容器的接合面与所述阴极导线的接合面位于同一平面,并且用图形印刷形成所述金属化层,所以能够简单地设定除与所述接合面位于同一平面上的所述环状凹槽的周边部以外的涂覆区域,因此具有能够在不降低涂覆操作质量的同时形成所述金属化层等效果。
根据本发明3的又一磁控管,由于在所述心柱绝缘体的与所述筒状金属容器的接合面和与所述阴极导线的接合面之间形成环状凹槽,在所述接合面上形成金属化层,并在所述环状凹槽的周边部形成比所述接合面低的阶梯部,所以所述阶梯部阻止气密接合用银焊料材料等的成长,从而不在所述环状凹槽的周边部形成所述针状突起部,因此不缩小所述筒状金属容器的开口端部与所述金属接合板之间的间隔,金属导体就能够使所述针状突起部在所述环状凹槽前部形成电屏蔽的无电场层。因此,在不从所述阴极放出电子的初级阶段,即使向所述阴极施加8~10kv的无负载电压也能够可靠地防止放电。另外,由于所述金属化层形成的面积很小,而且作为所述金属化层材料的钼(Mo)和锰(Mn)的使用量也很少,所以具有能够降低材料成本等效果。
根据本发明4的另一磁控管,由于设定所述筒状金属容器的接合面与所述阴极导线的接合面位于同一平面上,并且在所述接合面上涂有为钎焊所需要的钼(Mo)和锰(Mn),使之形成所述金属化层,这样的操作,例如可以用1次屏蔽涂覆,所以具有能够提高所述心柱绝缘体的生产率等效果。

Claims (4)

1.一种磁控管,具有在阳极部被气密接合并且构成真空容器一部分的筒状金属容器、和在该筒状金属容器的开口端部的周围被气密接合的心柱绝缘体、和在所述阳极部的中心轴部设有灯丝的阴极、和支撑该阴极并被连接在与所述心柱绝缘体的中心部气密接合的金属接合板上的阴极导线,在所述心柱绝缘体的与所述筒状金属容器的接合面和与所述阴极导线的接合面之间形成环状凹槽,其特征在于:
由所述环状凹槽的两侧周边部来隔离形成在所述筒状金属容器的接合面和所述阴极导线的接合面上所形成的金属化层,至少所述筒状金属容器的开口端部或者所述金属接合板中的任意一方比所述金属化层向环状凹槽内侧伸出。
2.根据权利要求1所述的磁控管,其特征在于,设定所述筒状金属容器的接合面与所述阴极导线的接合面位于同一平面上,并且用图形印刷形成所述金属化层。
3.一种磁控管,具有在阳极部被气密接合并且构成真空容器一部分的筒状金属容器、和在该筒状金属容器的开口端部的周围被气密接合的心柱绝缘体、和在所述阳极部的中心轴部设有灯丝的阴极、和支撑该阴极并被连接在与所述心柱绝缘体的中心部气密接合的金属接合板上的阴极导线,在所述心柱绝缘体的与所述筒状金属容器的接合面和与所述阴极导线的接合面之间形成环状凹槽,其特征在于:
在所述每个接合面上形成金属化层,并在所述环状凹槽的周边部形成比所述每个接合面低的阶梯部。
4.根据权利要求3所述的磁控管,其特征在于,所述筒状金属容器的接合面与所述阴极导线的接合面位于同一平面上。
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