CN112530698B - 多层电子组件 - Google Patents
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- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 123
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 35
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 47
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 47
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 223
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 9
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001089723 Metaphycus omega Species 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
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- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
- H01G2/02—Mountings
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
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- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
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- H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
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- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
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- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
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Abstract
本公开提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：Si有机化合物层，包括设置在主体的外表面的在外电极之间的区域上的主体覆盖部、以及从所述主体覆盖部延伸到所述外电极的镀层和附加镀层之间的区域的延伸部，从而具有改善的翘曲强度和耐湿性。
Description
本申请要求于2019年9月18日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0114820号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用被包含于此。
技术领域
本公开涉及一种多层电子组件。
背景技术
多层陶瓷电容器(MLCC)(多层电子组件)是安装在包括成像装置(诸如液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)等)、计算机、智能电话、移动电话等的各种电子产品的印刷电路板上的片式电容器，并且可被构造为向装置中充电或从装置放电。
由于多层陶瓷电容器的尺寸相对小、可确保高容量并且可容易地安装，因此多层陶瓷电容器可用作各种电子装置的组件。随着诸如计算机、移动装置等的电子装置已经被设计成具有减小的尺寸并且以高功率操作，对于多层陶瓷电容器的小型化和高容量的需求已经增加。
此外，近来，对电气组件的兴趣已经增加，并且已经要求多层陶瓷电容器具有高可靠性和高强度特性以用于车辆或信息娱乐系统。
为确保高可靠性和高强度的特性，已经提出将包括普通电极层的外电极改变为具有包括电极层和导电树脂层的双层结构的外电极的方法。
在包括电极层和导电树脂层的双层结构的情况下，包含导电材料的树脂组合物可涂覆在电极层上，并且双层结构可吸收外部冲击并且可防止镀覆溶液的渗透，从而改善可靠性。
然而，由于在汽车工业中已经开发了电动车辆、无人驾驶车辆等，因此需要更多数量的多层陶瓷电容器，并且需要在车辆中使用的多层陶瓷电容器保证更高的耐湿可靠性和翘曲强度。
发明内容
本公开的一方面是提供一种具有改善的翘曲强度特性的多层电子组件。
本公开的一方面是提供一种具有改善的耐湿可靠性的多层电子组件。
本公开的一方面是提供一种具有减小的等效串联电阻(ESR)的多层电子组件。
根据本公开的一方面，一种多层电子组件包括：主体，包括介电层以及交替堆叠的第一内电极和第二内电极，且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，所述主体包括在所述第一内电极和所述第二内电极的堆叠方向上彼此相对的第一表面和第二表面、彼此相对并且连接到所述第一表面和所述第二表面的第三表面和第四表面、以及彼此相对并且连接到所述第一表面至所述第四表面的第五表面和第六表面；第一外电极，包括设置在所述主体的所述第三表面上的第一连接部和从所述第一连接部延伸到所述第一表面、所述第二表面、所述第五表面和所述第六表面中的每个的至少一部分上的第一带部，其中，所述第一连接部和所述第一带部中的每个包括按顺序布置在所述主体的外部上的第一电极层、第一导电树脂层、第一镀层和第一附加镀层；第二外电极，包括设置在所述主体的所述第四表面上的第二连接部和从所述第二连接部延伸到所述第一表面、所述第二表面、所述第五表面和所述第六表面中的每个的至少一部分上的第二带部，其中，所述第二连接部和所述第二带部中的每个包括按顺序设置在所述主体的外部上的第二电极层、第二导电树脂层、第二镀层和第二附加镀层；以及Si有机化合物层，包括设置在所述主体的外表面的在所述第一外电极和所述第二外电极之间的区域上的主体覆盖部、从所述主体覆盖部延伸到所述第一带部的所述第一镀层和所述第一附加镀层之间的区域的第一延伸部、以及从所述主体覆盖部延伸到所述第二带部的在所述第二镀层和所述第二附加镀层之间的区域的第二延伸部。
根据本公开的一方面，一种多层电子组件包括：主体，包括介电层以及交替堆叠的第一内电极和第二内电极，且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，所述主体包括在所述第一内电极和所述第二内电极的堆叠方向上彼此相对的第一表面和第二表面、彼此相对并且连接到所述第一表面和所述第二表面的第三表面和第四表面、以及彼此相对并且连接到所述第一表面至所述第四表面的第五表面和第六表面；第一外电极，包括按顺序布置在所述主体的外部上的第一电极层、第一导电树脂层、第一镀层和第一附加镀层，所述第一外电极包括设置在所述主体的所述第三表面上的第一连接部和从所述第一连接部延伸到所述第一表面、所述第二表面、所述第五表面和所述第六表面中的每个的至少一部分上的第一带部；第二外电极，包括按顺序布置在所述主体的外部上的第二电极层、第二导电树脂层、第二镀层和第二附加镀层，所述第二外电极包括设置在所述主体的所述第四表面上的第二连接部和从所述第二连接部延伸到所述第一表面、所述第二表面、所述第五表面和所述第六表面中的每个的至少一部分上的第二带部；Si有机化合物层，包括设置在所述主体的外表面的在所述第一外电极和所述第二外电极之间的区域上的主体覆盖部、从所述主体覆盖部延伸到所述第一镀层和所述第一附加镀层之间的区域的第一延伸部、以及从所述主体覆盖部延伸到所述第二镀层和所述第二附加镀层之间的区域的第二延伸部；以及第一开口和第二开口，所述第一开口限定在所述第一延伸部上，并且所述第二开口限定在所述第二延伸部上。
附图说明
通过以下结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其它方面、特征及优点将被更清楚地理解，在附图中：
图1是示出根据本公开的示例性实施例的多层电子组件的透视图；
图2是沿着图1中的线I-I’的截面图；
图3是示出根据本公开的示例性实施例的其中堆叠有介电层和内电极的主体的分解透视图；
图4是示出图2中示出的区域P的放大图；
图5是示出根据本公开的示例性实施例的多层电子组件的透视图；
图6是沿着图5中的线II-II’的截面图；
图7是示出多层电子组件的变型示例的透视图；以及
图8是沿着图7中的线III-III’的截面图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图如下描述本公开的实施例。
然而，本公开可以以许多不同的形式例示，并且不应被解释为局限于在此阐述的具体实施例。更确切地说，提供这些实施例使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本公开的范围。因此，为了描述的清楚，可夸大附图中的元件的形状和尺寸，并且在附图中由相同的附图标记指示的元件是相同的元件。
在附图中，可省略特定元件以允许清楚地描述本公开，并且可放大厚度以清楚地表示多个层和区域。将使用相同的附图标记来描述在相同构思的范围内具有相同功能的相同元件。此外，在整个说明书中，将理解，除非另有说明，否则当部分“包括”元件时，其可进一步包括另一元件，而不排除另一元件。
在附图中，X方向是第二方向、L方向或长度方向，Y方向是第三方向、W方向或宽度方向，并且Z方向是第一方向、层叠方向、T方向或厚度方向。
多层电子组件
图1是示出根据示例性实施例的多层电子组件的透视图。
图2是沿着图1中的线I-I’的截面图。
图3是示出根据示例性实施例的其中堆叠有介电层和内电极的主体的分解透视图。
图4是示出图2中示出的区域P的放大图。
在以下描述中，将参照图1至图4根据示例性实施例描述多层电子组件100。
示例性实施例中的多层电子组件100可包括主体110，主体110包括介电层111以及交替地堆叠的第一内电极121和第二内电极122，且介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间，并且主体110包括在层叠方向上彼此相对的第一表面1和第二表面2、连接到第一表面1和第二表面2并且彼此相对的第三表面3和第四表面4、以及连接到第一表面1至第四表面4并且彼此相对的第五表面5和第六表面6。多层电子组件100还可包括第一外电极131，第一外电极131包括按顺序设置的第一电极层131a、第一导电树脂层131b、第一镀层131c和第一附加镀层131d。第一外电极131可包括设置在主体110的第三表面上的第一连接部A1和从第一连接部A1延伸到第一表面、第二表面、第五表面和第六表面中的每个的一部分的第一带部B1。多层电子组件100还可包括第二外电极132，第二外电极132包括按顺序设置的第二电极层132a、第二导电树脂层132b、第二镀层132c和第二附加镀层132d。第二外电极132可包括设置在主体110的第四表面上的第二连接部A2和从第二连接部A2延伸到第一表面、第二表面、第五表面和第六表面中的每个的一部分的第二带部B2。多层电子组件100还可包括Si有机化合物层140，Si有机化合物层140包括设置在主体110的外表面的在第一外电极131和第二外电极132之间的区域上(或在主体110的外表面的未设置第一外电极131和第二外电极132的区域上)的主体覆盖部143、从主体覆盖部143延伸到第一带部B1的在第一镀层131c和第一附加镀层131d之间的区域的第一延伸部141、以及从主体覆盖部143延伸到第二带部B2的在第二镀层132c和第二附加镀层132d之间的区域的第二延伸部142。
在主体110中，介电层111和内电极121和122可交替地堆叠。
主体110可不限于任何特定形状。如示出的，主体110可具有六面体形状或类似于六面体的形状。由于包括在主体110中的陶瓷粉末在烧结工艺期间的收缩，主体110可不具有具有直线的精确的六面体形状，而是可具有大体上六面体形状。
主体110可具有在厚度方向(Z方向)上彼此相对的第一表面1和第二表面2、连接到第一表面1和第二表面2并且在长度方向(X方向)上彼此相对的第三表面3和第四表面4、以及连接到第一表面1和第二表面2以及第三表面3和第四表面4并且在宽度方向(Y方向)上彼此相对的第五表面5和第六表面6。
形成主体110的多个介电层111可处于烧结状态，并且可一体化使得在不使用扫描电子显微镜(SEM)的情况下可能难以识别相邻介电层111之间的边界。
根据示例性实施例，介电层111的材料可不限于任何特定材料，只要能够由其获得足够的电容即可。例如，可使用钛酸钡材料、具有铅(Pb)的钙钛矿材料化合物、钛酸锶材料等作为介电层111的材料。钛酸钡材料可包括BaTiO3基陶瓷粉末，并且陶瓷粉末的示例可包括其中钙(Ca)、锆(Zr)等部分固溶于BaTiO3等中的BaTiO3、(Ba1-xCax)TiO3、Ba(Ti1-yCay)O3、(Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3、Ba(Ti1-yZry)O3等。
根据预期目的，除了诸如钛酸钡(BaTiO3)粉末等的粉末之外，还可添加各种陶瓷添加剂、有机溶剂、塑化剂、偶联剂、分散剂等作为介电层111的材料。
主体110可包括设置在主体110中并形成电容的电容形成部、设置在电容形成部上的上保护层112和设置在电容形成部下方的下保护层113，电容形成部包括彼此相对的第一内电极121和第二内电极122，且介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间。
电容形成部可对形成电容器的电容有贡献，并且可通过交替地层叠多个第一内电极121和多个第二内电极122且使介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间而形成。
上保护层112和下保护层113可通过在电容形成部的上表面和下表面中的每个上设置单个介电层或者两个或更多个介电层来形成，并且可防止由物理或化学应力导致的对内电极的损坏。
上保护层112和下保护层113可不包括内电极，并且可包括与介电层111的材料相同的材料。
多个内电极121和122可彼此相对，且介电层111介于其间。
内电极121和122可包括交替地设置并且彼此相对的第一内电极121和第二内电极122，且介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间。
第一内电极121和第二内电极122可分别暴露到主体110的第三表面3和第四表面4。
参照图2，第一内电极121可与第四表面4间隔开，并且可通过第三表面3暴露。第二内电极122可与第三表面3间隔开，并且可通过第四表面4暴露。第一外电极131可设置在主体的第三表面3上并且可连接到第一内电极121，第二外电极132可设置在主体的第四表面4上并且可连接到第二内电极122。
第一内电极121可不连接到第二外电极132并且可连接到第一外电极131，第二内电极122可不连接到第一外电极131并且可连接到第二外电极132。因此，第一内电极121可与第四表面4间隔开特定距离，并且第二内电极122可与第三表面3间隔开特定距离。
第一内电极121和第二内电极122可通过介于其间的介电层111彼此电隔离。
参照图3，主体110可通过在厚度方向(Z方向)上交替地层叠其上印刷有第一内电极121的介电层111和其上印刷有第二内电极122的介电层111并执行烧结工艺来形成。
用于形成第一内电极121和第二内电极122的材料可不限于任何特定材料。例如，第一内电极121和第二内电极122可使用包括镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、锡(Sn)、钨(W)、钛(Ti)及它们的合金中的一种或更多种的导电膏形成。
可使用丝网印刷方法、凹版印刷方法等作为印刷导电膏的方法，但方法不限于此。
外电极131和132可设置在主体110上，并且可包括电极层131a和132a、导电树脂层131b和132b、镀层131c和132c以及附加镀层131d和132d。Si有机化合物层140的延伸部141和142可设置在镀层131c和132c与附加镀层131d和132d之间。
外电极131和132可包括分别连接到第一内电极121和第二内电极122的第一外电极131和第二外电极132。
第一外电极131可包括第一电极层131a、第一导电树脂层131b、第一镀层131c和第一附加镀层131d，并且第二外电极132可包括第二电极层132a、第二导电树脂层132b、第二镀层132c和第二附加镀层132d。
当根据第一外电极131的位置划分第一外电极131时，第一外电极131可包括设置在主体的第三表面3上的第一连接部A1、以及从第一连接部A1延伸到第一表面1、第二表面2、第五表面5和第六表面6中的每个的一部分的第一带部B1。
当根据第二外电极132的位置划分第二外电极132时，第二外电极132可包括设置在主体的第四表面4上的第二连接部A2、以及从第二连接部A2延伸到第一表面1、第二表面2、第五表面5和第六表面6中的每个的一部分的第二带部B2。
第一电极层131a和第二电极层132a可使用诸如金属的具有导电性的材料形成。可考虑电特性、结构稳定性等来确定第一电极层131a和第二电极层132a的材料。
例如，第一电极层131a和第二电极层132a可包括导电金属和玻璃。
包括在第一电极层131a和第二电极层132a中的导电金属可不限于任何特定材料，只要该材料能够电连接到内电极以形成电容即可。例如，用于电极层131a和132a的导电金属可以是镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、锡(Sn)、钨(W)、钛(Ti)及它们的合金中的一种或更多种。
电极层131a和132a可通过涂覆导电膏并执行烧结工艺来形成，导电膏通过将玻璃料添加到导电金属粉末来制备。
当第一电极层131a和第二电极层132a包括导电金属和玻璃时，连接部A1和A2与带部B1和B2相交处的角部的厚度可能降低，或者在带部B1和B2的端部与主体110之间可能形成气隙，这可能使耐湿可靠性劣化。因此，当第一电极层131a和第二电极层132a包括导电金属和玻璃时，耐湿可靠性的改善可更有效。
第一电极层131a和第二电极层132a可通过原子层沉积(ALD)方法、分子层沉积(MLD)方法、化学气相沉积(CVD)方法、溅射方法等形成。
第一电极层131a和第二电极层132a也可通过将包括导电金属的片转移到主体110上的方法来形成。
导电树脂层131b和132b可包括导电金属和基体树脂。
包括在导电树脂层131b和132b中的导电金属可允许导电树脂层131b和132b电连接到电极层131a和132a。
包括在导电树脂层131b和132b中的导电金属可不限于任何特定材料，只要该材料能够电连接到电极层131a和132a即可。例如，包括在导电树脂层131b和132b中的导电金属可以是镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、锡(Sn)、钨(W)、钛(Ti)及它们的合金中的一种或更多种。
包括在导电树脂层131b和132b中的导电金属可包括球形粉末和片状粉末中的一种或更多种。因此，导电金属可仅包括片状粉末，或者可仅包括球形粉末，或者可包括片状粉末和球形粉末的混合物。
球形粉末还可包括不具有完全球形形状的粉末颗粒。例如，球形粉末可包括均具有1.45或更低的长轴和短轴之间的长度比(长轴/短轴)的粉末颗粒。
片状粉末可以是指均具有平坦和细长形状的粉末颗粒。例如，片状粉末的颗粒的长轴和短轴之间的长度比(长轴/短轴)可以是1.95或更高，但其示例性实施例不限于此。
球形粉末的颗粒和片状粉末的颗粒的长轴和短轴中的每个的长度可从使用扫描电子显微镜(SEM)获得的多层电子组件的在宽度(Y)方向上截取的中心部分的在X和Z方向上截取的截面表面(L-T截面表面)的图像来测量。
包括在导电树脂层131b和132b中的基体树脂可确保粘附性并且可吸收冲击。
包括在导电树脂层131b和132b中的基体树脂可不限于任何特定材料，并且可使用具有粘附性和冲击吸收性并且可用于通过与导电金属粉末混合来制造膏的任何材料。例如，基体树脂可通过环氧树脂实现。
第一镀层131c和第二镀层132c可改善安装特性，并且可将导电树脂层131b和132b电连接到附加镀层131d和132d。
镀层131c和132c的类型可不限于任何特定类型。例如，镀层131c和132c可被构造为包括Ni、Sn、Pd及它们的合金中的一种或更多种的镀层，或者可包括多个层。
第一附加镀层131d和第二附加镀层132d可改善安装特性。此外，当发生翘曲应力时，第一附加镀层131d和第二附加镀层132d可剥离并且可防止翘曲裂纹。
附加镀层131d和132d可不限于任何特定类型。例如，附加镀层131d和132d可被构造为包括Ni、Sn、Pd及它们的合金中的一种或更多种的镀层，或者可包括多个层。
例如，镀层131c和132c可被构造为Ni镀层，并且附加镀层131d和132d可被构造为Sn镀层。
Si有机化合物层140可包括：主体覆盖部143，设置在主体的外表面的其中未设置第一外电极131和第二外电极132的区域中；第一延伸部141，从主体覆盖部143延伸到第一带部B1的第一镀层131c和第一附加镀层131d之间的区域；以及第二延伸部142，从主体覆盖部143延伸到第二带部B2的第二镀层132c与第二附加镀层132d之间的区域。
Si有机化合物层140可防止在多层电子组件100安装在基板上时当基板由于热/物理冲击而变形时产生的应力传播到主体110，并且可防止裂纹。
Si有机化合物层140还可阻隔湿气渗透路径，从而改善耐湿可靠性。
包括在导电树脂层131b和132b中的基体树脂也可吸收冲击。然而，由于第一导电树脂层131b和第二导电树脂层132b需要设置为彼此绝缘，因此导电树脂层131b和132b吸收冲击可能存在限制。
主体覆盖部143可不包括导电金属并且可具有绝缘性质。相应地，由于主体覆盖部143设置在主体的外表面的其中未设置第一外电极131和第二外电极132的区域中，因此主体覆盖部143可设置在更大的面积中使得主体覆盖部143可有效地吸收冲击并防止应力的传播。
主体覆盖部143还可通过密封主体110的细小气隙或裂纹来防止湿气经过主体110的外表面渗透到主体中。
第一延伸部141可从主体覆盖部143延伸到第一带部B1的第一镀层131c和第一附加镀层131d之间的区域，并且可防止应力传播到主体110中并且可防止裂纹。
第一延伸部141可防止在第一镀层131c的设置在第一带部B1上的端部与主体110之间的气隙，从而改善耐湿可靠性。
第二延伸部142可从主体覆盖部143延伸到第二带部B2的第二镀层132c和第二附加镀层132d之间的区域，并且可防止应力传播到主体110中并且可防止裂纹。
第二延伸部142可防止在第二镀层132c的设置在第二带部B2上的端部与主体110之间的气隙，从而改善耐湿可靠性。
由于Si有机化合物层140的延伸部141和142与附加镀层131d和132d之间的内聚力相对低，因此当发生翘曲应力时，延伸部141和142可引起附加镀层131d和132d的剥离使得可防止延伸部141和142翘曲裂纹。
第一延伸部141和第二延伸部142可包括分别限定在第一延伸部141和第二延伸部142上的第一开口H1和第二开口H2(例如，通孔)。
当延伸部141和142与附加镀层131d和132d之间的内聚力极低时，即使微弱的翘曲应力也可能发生剥离使得可能难以有效地防止翘曲裂纹。
因此，通过包括第一开口H1和第二开口H2，附加镀层131d和132d可分别通过第一开口H1和第二开口H2与镀层131c和132c接触，使得可确保内聚力，并且可有效地防止翘曲裂纹。
Si有机化合物层140可通过以下工艺来形成：在包括介电层和内电极的主体110上形成电极层131a和132a、导电树脂层131b和132b以及镀层131c和132c，在主体110的暴露的外表面上以及镀层131c和132c上形成Si有机化合物层140，并且去除形成在镀层131c和132c的连接部A1和A2上的Si有机化合物层140。
可使用诸如激光加工、机械研磨方法、干蚀刻方法、湿蚀刻方法、使用带保护层的遮蔽沉积方法等的方法作为去除设置在连接部A1和A2上的Si有机化合物层140的方法。此外，在去除形成在连接部A1和A2上的Si有机化合物层140的工艺期间通过部分地去除形成在带部B1和B2上的Si有机化合物层140，可将开口H1和H2限定在延伸部141和142中。
Si有机化合物层140可包括烷氧基硅烷。
因此，Si有机化合物层140可具有包括多个碳化硅键结构的聚合物的形式，并且可具有疏水性。
烷氧基硅烷可防止湿气和污染物的渗透，可保护产品并且可通过渗透各种无机基底并固化来提高耐久性。烷氧基硅烷还可与羟基(OH)反应并且可形成强化学键，使得可改善可靠性。
此外，与环氧树脂或无机化合物相比，环氧树脂可能不具有疏水效果使得环氧树脂可能不能有效地防止湿气的渗透，并且当环氧树脂固化时，可能产生大量的CO2气体使得可能产生气隙。由于无机化合物不具有当涂覆在主体的表面上时可与羟基反应的官能团，因此无机化合物可能不粘附到主体的表面并且可能不形成化学键使得可能难以将无机化合物应用到示例性实施例的多层电子组件。
因此，由于Si有机化合物层140包括烷氧基硅烷，因此可改善密封细小气隙和裂纹的效果，并且可改善翘曲应力和耐湿可靠性。
当第一带部B1的第一电极层131a上的第一导电树脂层131b的厚度定义为Ta，并且第一延伸部141的厚度定义为Tb时，Tb/Ta可以是大于或等于0.5且小于或等于0.9。
图4是示出图2中示出的区域P的放大图。在以下描述中，将参照图4更详细地描述第一带部B1的第一电极层131a上的第一导电树脂层131b和第一延伸部141中的每个的厚度。示例实施例还可应用于第二带部B2的第二电极层132a上的第二导电树脂层132b和第二延伸部142中的每个的厚度。
在改变第一延伸部141的厚度Tb与第一带部B1的第一电极层131a上的第一导电树脂层131b的厚度Ta的比率(Tb/Ta)的同时制造样品片，评估翘曲应力和等效串联电阻(ESR)，并且将评估结果列于表1和表2中。
关于翘曲强度，使用通过压电效应的翘曲强度测量方法。将多层陶瓷电容器的样品安装在基板上，当样品弯曲时距施加压力的中心部分的距离确定为6mm，观察样品片中是否产生裂纹，并且在全部样品片中，列出其中产生裂纹的样品片的数量。
关于ESR评估，其中样品片在-55℃下保持30分钟、温度升高至125℃、并且样品片在升高的温度下保持30分钟的过程被确定为单个循环，并且施加500个循环。ESR超过50mΩ的样品片被确定为有缺陷。列出全部样品片中ESR有缺陷的样品片的数量。
[表1]
参照表1，在Tb/Ta为0.3的试验编号1中，在300个样品片中的4个样品片中产生裂纹。
在Tb/Ta为0.5或更高的试验编号2至6中，产生裂纹的样品片的数量为0，这表明翘曲强度优异。
[表2]
参照以上表2，在Tb/Ta为1.1的试验编号5中，在1600个样品片中的6个样品片中发生ESR缺陷。在Tb/Ta为1.3的试验编号6中，在1600个样品片中的5个样品片中发生ESR缺陷。
在Tb/Ta为0.9或更低的试验编号1至4中，发生ESR缺陷的样品片的数量为0，这表明ESR特性优异。
因此，为了在改善翘曲强度的同时确保优异的ESR特性，第一延伸部141的厚度Tb与第一电极层131a上的第一导电树脂层131b的厚度Ta的优选比率(Tb/Ta)为大于或等于0.5且小于或等于0.9。
图5是示出根据示例实施例的多层电子组件的透视图。
图6是沿着图5中的线II-II’的截面图。
图7是示出多层电子组件的变型示例的透视图。
图8是沿着图7中的线III-III’的截面图。
在以下描述中，将参照图5至图8描述多层电子组件100’和多层电子组件100’的变型示例。为避免重复描述，将不提供与多层电子组件100的元件相同的元件的描述。
在另一示例性实施例中的多层电子组件100’可包括主体110，主体110包括介电层111以及交替地堆叠的第一内电极121和第二内电极122，且介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间，并且主体110包括在层叠方向上彼此相对的第一表面1和第二表面2、连接到第一表面1和第二表面2并且彼此相对的第三表面3和第四表面4、以及连接到第一表面1至第四表面4并且彼此相对的第五表面5和第六表面6。多层电子组件100’还可包括第一外电极131，第一外电极131包括按顺序设置的第一电极层131a、第一导电树脂层131b、第一镀层131c和第一附加镀层131d，并且第一外电极131包括设置在主体110的第三表面上的第一连接部C1以及从第一连接部C1延伸到第一表面、第二表面、第五表面和第六表面中的每个的一部分的第一带部B1。多层电子组件100’还可包括第二外电极132，第二外电极132包括按顺序设置的第二电极层132a、第二导电树脂层132b、第二镀层132c和第二附加镀层132d，并且第二外电极132包括设置在主体110的第四表面上的第二连接部C2以及从第二连接部C2延伸到第一表面、第二表面、第五表面和第六表面中的每个的一部分的第二带部B2。多层电子组件100’还可包括Si有机化合物层140’，Si有机化合物层140’包括设置在主体的外表面的未设置第一外电极131和第二外电极132的区域中的主体覆盖部143、从主体覆盖部延伸到第一镀层131c与第一附加镀层131d之间的区域的第一延伸部141’、以及从主体覆盖部延伸到第二镀层132c和第二附加镀层132d之间的区域的第二延伸部142’。第一开口H1和第二开口H2可分别设置在第一延伸部141’和第二延伸部142’中。第一开口H1和第二开口H2中的每个可包括彼此间隔开的多个离散开口。
第一附加镀层131d可通过第一开口H1与第一镀层131c接触，并且第二附加镀层132d可通过第二开口H2与第二镀层132c接触。因此，第一开口H1可填充有第一附加镀层131d，并且第二开口H2可填充有第二附加镀层132d。
Si有机化合物层140’可通过以下工艺来形成：在包括介电层和内电极的主体110上形成电极层131a和132a、导电树脂层131b和132b以及镀层131c和132c，在主体110的暴露的外表面上和镀层131c和132c上形成Si有机化合物层，部分地去除形成在镀层131c和132c上的Si有机化合物层，并且形成第一开口H1和第二开口H2。
可使用诸如激光加工、机械研磨方法、干蚀刻方法、湿蚀刻方法、使用带保护层的遮蔽沉积方法等的方法作为用于去除其中形成开口H1和H2的区域的方法。
第一开口H1的面积可以是第一延伸部141’的面积的20％至90％，并且第二开口H2的面积可以是第二延伸部142’的面积的20％至90％。
当第一开口H1的面积小于第一延伸部141’的面积的20％时，第一镀层131c与第一附加镀层131d之间的电连接性可能降低使得ESR可能增加。当第一开口H1的面积超过第一延伸部141’的面积的90％时，Si有机化合物层140’的翘曲强度和耐湿可靠性的改善效果可能不足。
当第二开口H2的面积小于第二延伸部142’的面积的20％时，第二镀层132c与第二附加镀层132d之间的电连接性可能降低使得ESR可能增加。当第二开口H2的面积超过第二延伸部142’的面积的90％时，Si有机化合物层140’的翘曲强度和耐湿可靠性的改善效果可能不足。
第一开口H1可设置在第一外电极的第一带部B1和第一连接部C1中的一个或更多个中，并且第二开口H2可设置在第二带部B2和第二连接部C2中的一个或更多个中。
如图6中所示，在第一延伸部141’中，第一开口H1可仅设置在第一连接部C1中，并且在第二延伸部142’中，第二开口H2可仅设置在第二连接部C2中。
此外，如图8所示，在多层电子组件100”中的Si有机化合物层140”的第一延伸部141”中，第一开口H1可设置在第一连接部C1和第一带部B1两者中，并且在第二延伸部142”中，第二开口H2可设置在第二连接部C2和第二带部B2两者中。
开口H1和H2的形状以及开口H1和H2的数量可不限于任何特定示例。例如，开口H1和H2中的每个可具有圆形形状、矩形形状、椭圆形形状、具有圆角的矩形形状等，或者可具有不规则形状。
根据前述示例实施例，通过包括Si有机化合物层可改善翘曲，Si有机化合物层包括设置在主体的外表面的其中未设置外电极的区域中的主体覆盖部和从主体覆盖部延伸到外电极的镀层与附加镀层之间的区域的延伸部。
此外，通过包括Si有机化合物层，可改善耐湿可靠性。
尽管上面已经示出和描述了示例性实施例，但是对于本领域技术人员将显而易见的是，在不脱离本发明的由所附权利要求限定的范围的情况下，可做出修改和变型。
Claims (19)
1.一种多层电子组件，包括：
主体，包括介电层以及交替堆叠的第一内电极和第二内电极，且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，所述主体包括在所述第一内电极和所述第二内电极的堆叠方向上彼此相对的第一表面和第二表面、彼此相对并且连接到所述第一表面和所述第二表面的第三表面和第四表面、以及彼此相对并且连接到所述第一表面至所述第四表面的第五表面和第六表面；
第一外电极，包括设置在所述主体的所述第三表面上的第一连接部和从所述第一连接部延伸到所述第一表面、所述第二表面、所述第五表面和所述第六表面中的每个的至少一部分上的第一带部，其中，所述第一连接部和所述第一带部中的每个包括按顺序布置在所述主体的外部上的第一电极层、第一导电树脂层、第一镀层和第一附加镀层；
第二外电极，包括设置在所述主体的所述第四表面上的第二连接部和从所述第二连接部延伸到所述第一表面、所述第二表面、所述第五表面和所述第六表面中的每个的至少一部分上的第二带部，其中，所述第二连接部和所述第二带部中的每个包括按顺序设置在所述主体的外部上的第二电极层、第二导电树脂层、第二镀层和第二附加镀层；以及
Si有机化合物层，包括设置在所述主体的外表面的在所述第一外电极和所述第二外电极之间的区域上的主体覆盖部、从所述主体覆盖部延伸到所述第一带部的所述第一镀层和所述第一附加镀层之间的区域的第一延伸部、以及从所述主体覆盖部延伸到所述第二带部的所述第二镀层和所述第二附加镀层之间的区域的第二延伸部。
2.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述Si有机化合物层包括烷氧基硅烷。
3.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，Tb/Ta为大于或等于0.5且小于或等于0.9，其中，所述第一带部的所述第一电极层上的所述第一导电树脂层的厚度定义为“Ta”，并且所述第一延伸部的厚度定义为“Tb”。
4.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一导电树脂层和所述第二导电树脂层包括导电金属和基体树脂。
5.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一电极层和所述第二电极层包括导电金属和玻璃。
6.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述第一镀层和所述第二镀层被构造为Ni镀层，并且所述第一附加镀层和所述第二附加镀层被构造为Sn镀层。
7.根据权利要求1所述的多层电子组件，所述多层电子组件还包括：第一开口和第二开口，所述第一开口限定在所述第一延伸部上，并且所述第二开口限定在所述第二延伸部上。
8.根据权利要求7所述的多层电子组件，其中，所述第一附加镀层通过所述第一开口与所述第一镀层接触，并且所述第二附加镀层通过所述第二开口与所述第二镀层接触。
9.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述Si有机化合物层的所述第一延伸部不在所述第一连接部的所述第一镀层与所述第一附加镀层之间延伸，并且
所述Si有机化合物层的所述第二延伸部不在所述第二连接部的所述第二镀层和所述第二附加镀层之间延伸。
10.一种多层电子组件，包括：
主体，包括介电层以及交替堆叠的第一内电极和第二内电极，且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，所述主体包括在所述第一内电极和所述第二内电极的堆叠方向上彼此相对的第一表面和第二表面、彼此相对并且连接到所述第一表面和所述第二表面的第三表面和第四表面、以及彼此相对并且连接到所述第一表面至所述第四表面的第五表面和第六表面；
第一外电极，包括按顺序布置在所述主体的外部上的第一电极层、第一导电树脂层、第一镀层和第一附加镀层，所述第一外电极包括设置在所述主体的所述第三表面上的第一连接部和从所述第一连接部延伸到所述第一表面、所述第二表面、所述第五表面和所述第六表面中的每个的至少一部分上的第一带部；
第二外电极，包括按顺序布置在所述主体的外部上的第二电极层、第二导电树脂层、第二镀层和第二附加镀层，所述第二外电极包括设置在所述主体的所述第四表面上的第二连接部和从所述第二连接部延伸到所述第一表面、所述第二表面、所述第五表面和所述第六表面中的每个的至少一部分上的第二带部；
Si有机化合物层，包括设置在所述主体的外表面的在所述第一外电极和所述第二外电极之间的区域上的主体覆盖部、从所述主体覆盖部延伸到所述第一镀层和所述第一附加镀层之间的区域的第一延伸部、以及从所述主体覆盖部延伸到所述第二镀层和所述第二附加镀层之间的区域的第二延伸部；以及
第一开口和第二开口，所述第一开口限定在所述第一延伸部上，并且所述第二开口限定在所述第二延伸部上。
11.根据权利要求10所述的多层电子组件，
其中，所述第一开口的面积是所述第一延伸部的面积的20％至90％，并且
其中，所述第二开口的面积是所述第二延伸部的面积的20％至90％。
12.根据权利要求10所述的多层电子组件，其中，所述第一开口设置在所述第一带部和所述第一连接部中的至少一个中，并且所述第二开口设置在所述第二带部和所述第二连接部中的至少一个中。
13.根据权利要求10所述的多层电子组件，其中，所述Si有机化合物层包括烷氧基硅烷。
14.根据权利要求10所述的多层电子组件，其中，Tb/Ta为大于或等于0.5且小于或等于0.9，其中，所述第一带部的所述第一电极层上的所述第一导电树脂层的厚度定义为“Ta”，并且所述第一延伸部的厚度定义为“Tb”。
15.根据权利要求10所述的多层电子组件，其中，所述第一导电树脂层和所述第二导电树脂层包括导电金属和基体树脂。
16.根据权利要求10所述的多层电子组件，其中，所述第一电极层和所述第二电极层包括导电金属和玻璃。
17.根据权利要求10所述的多层电子组件，其中，所述第一镀层和所述第二镀层被构造为Ni镀层，并且所述第一附加镀层和所述第二附加镀层被构造为Sn镀层。
18.根据权利要求10所述的多层电子组件，其中，所述第一附加镀层通过所述第一开口与所述第一镀层接触，并且所述第二附加镀层通过所述第二开口与所述第二镀层接触。
19.根据权利要求10所述的多层电子组件，其中，所述第一开口和所述第二开口中的每个包括彼此间隔开的多个离散开口。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211429843.4A CN115692021A (zh) | 2019-09-18 | 2020-06-08 | 多层电子组件 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190114820A KR102293305B1 (ko) | 2019-09-18 | 2019-09-18 | 적층형 전자 부품 |
| KR10-2019-0114820 | 2019-09-18 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202211429843.4A Division CN115692021A (zh) | 2019-09-18 | 2020-06-08 | 多层电子组件 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112530698A CN112530698A (zh) | 2021-03-19 |
| CN112530698B true CN112530698B (zh) | 2022-11-15 |
Family
ID=68171880
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202211429843.4A Pending CN115692021A (zh) | 2019-09-18 | 2020-06-08 | 多层电子组件 |
| CN202010511344.4A Active CN112530698B (zh) | 2019-09-18 | 2020-06-08 | 多层电子组件 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202211429843.4A Pending CN115692021A (zh) | 2019-09-18 | 2020-06-08 | 多层电子组件 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11183332B2 (zh) |
| JP (1) | JP7497813B2 (zh) |
| KR (2) | KR102293305B1 (zh) |
| CN (2) | CN115692021A (zh) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7279894B2 (ja) * | 2018-09-13 | 2023-05-23 | サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド． | 積層型キャパシタ |
| JP7275951B2 (ja) * | 2019-07-16 | 2023-05-18 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP7481064B2 (ja) | 2019-11-19 | 2024-05-10 | 太陽誘電株式会社 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
| KR20220060286A (ko) * | 2020-11-04 | 2022-05-11 | 삼성전기주식회사 | 적층형 커패시터 |
| KR20220074262A (ko) * | 2020-11-27 | 2022-06-03 | 삼성전기주식회사 | 적층형 커패시터 |
| JP2022142214A (ja) | 2021-03-16 | 2022-09-30 | 太陽誘電株式会社 | セラミック電子部品、実装基板およびセラミック電子部品の製造方法 |
| JP2022142213A (ja) * | 2021-03-16 | 2022-09-30 | 太陽誘電株式会社 | セラミック電子部品、実装基板およびセラミック電子部品の製造方法 |
| JP2023072760A (ja) * | 2021-11-15 | 2023-05-25 | Tdk株式会社 | 電子部品 |
| KR20230102299A (ko) * | 2021-12-30 | 2023-07-07 | 삼성전기주식회사 | 세라믹 전자부품 |
| WO2024090008A1 (ja) * | 2022-10-28 | 2024-05-02 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
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| CN110120299A (zh) * | 2018-09-18 | 2019-08-13 | 三星电机株式会社 | 陶瓷电子组件 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP3307133B2 (ja) * | 1995-01-27 | 2002-07-24 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品 |
| JP5439944B2 (ja) | 2009-05-18 | 2014-03-12 | 株式会社村田製作所 | 積層型電子部品およびその製造方法 |
| JP5439954B2 (ja) | 2009-06-01 | 2014-03-12 | 株式会社村田製作所 | 積層型電子部品およびその製造方法 |
| JP2016171236A (ja) | 2015-03-13 | 2016-09-23 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
| JP6512139B2 (ja) * | 2016-03-04 | 2019-05-15 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の実装構造及びその電子部品の製造方法 |
| JP2018049881A (ja) * | 2016-09-20 | 2018-03-29 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
| JP6852326B2 (ja) * | 2016-09-20 | 2021-03-31 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
| JP6806035B2 (ja) | 2017-10-31 | 2021-01-06 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| KR102068805B1 (ko) | 2018-09-06 | 2020-01-22 | 삼성전기주식회사 | 세라믹 전자 부품 |
| JP7115461B2 (ja) * | 2019-12-12 | 2022-08-09 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
-
2019
- 2019-09-18 KR KR1020190114820A patent/KR102293305B1/ko active IP Right Grant
-
2020
- 2020-03-30 US US16/834,210 patent/US11183332B2/en active Active
- 2020-06-08 CN CN202211429843.4A patent/CN115692021A/zh active Pending
- 2020-06-08 CN CN202010511344.4A patent/CN112530698B/zh active Active
- 2020-06-22 JP JP2020107314A patent/JP7497813B2/ja active Active
-
2021
- 2021-08-18 KR KR1020210108930A patent/KR102561937B1/ko active IP Right Grant
- 2021-10-14 US US17/501,331 patent/US11600443B2/en active Active
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| CN110120299A (zh) * | 2018-09-18 | 2019-08-13 | 三星电机株式会社 | 陶瓷电子组件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20220044872A1 (en) | 2022-02-10 |
| KR102561937B1 (ko) | 2023-08-01 |
| US11183332B2 (en) | 2021-11-23 |
| CN115692021A (zh) | 2023-02-03 |
| JP2021048387A (ja) | 2021-03-25 |
| KR20210104631A (ko) | 2021-08-25 |
| CN112530698A (zh) | 2021-03-19 |
| US11600443B2 (en) | 2023-03-07 |
| JP7497813B2 (ja) | 2024-06-11 |
| KR20190116173A (ko) | 2019-10-14 |
| US20210082622A1 (en) | 2021-03-18 |
| KR102293305B1 (ko) | 2021-08-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |