CN112521751A - 一种硅树脂组合物及其应用 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种硅树脂组合物及其应用，所述硅树脂组合物包括重量百分比如下的组分：笼型硅树脂8～40％、导热填料30～60％、有机溶剂10～30％和固化剂0.1～3％。所述笼型硅树脂的制备方法为：(1)利用正硅酸乙酯、六甲基二硅氧烷、乙醇和盐酸，在室温下反应；(2)反应放热，待反应温度自然升温到30～33℃时，加入羟基POSS以及乙醇和盐酸，升温继续反应；(3)向步骤(2)的反应液中加入六甲基二硅氧烷，进行封端反应，得到所述笼型硅树脂。本发明的硅树脂组合物介电常数低、介质损耗角正切低、耐热性好、散热快，适用于高频高速PCB板。

Description

一种硅树脂组合物及其应用
技术领域
本发明属于PCB板技术领域，涉及一种硅树脂组合物及其应用，尤其涉及一种高频高速PCB板用硅树脂组合物及其应用。
背景技术
5G时代基站用PCB会倾向于更多层的高集成设计，数据量更大、发射频率更大、工作的频段也更高，这就需要高频高速PCB板有更好的传输性能和散热性能。为了满足高频高速PCB板的性能要求，众多厂商致力于开发特殊用途的树脂。如，聚四氟乙烯树脂的介电常数、介质损失正切角较低，但其机械强度、热传导性不如热固性树脂。聚酰亚胺树脂耐高温、较低ε值，但其有较高的吸水率。环氧树脂加工性好、成本低，介电常数高、耐热性差限制了环氧树脂在高频高速PCB用基板材料中的应用。
因此，开发能够使得高频高速PCB板具有介电常数低、介质损耗角正切低、耐热性好、散热快等优异性能的树脂材料是本领域的研究重点。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种硅树脂组合物及其应用，特别是提供一种高频高速PCB板用硅树脂组合物及其应用。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
一方面，本发明提供一种硅树脂组合物，所述硅树脂组合物包括重量百分比如下的组分：
Figure BDA0002793897590000011
Figure BDA0002793897590000021
在本发明中，笼型硅树脂的加入可以降低硅树脂组合物的介电常数、介质损耗角正切，导热填料的加入可以提高硅树脂组合物的耐热性以及散热性能。
在本发明中，所述硅树脂组合物的组分中，笼型硅树脂的用量可以为8％、15％、20％、25％、30％、35％或40％等。
在本发明中，所述硅树脂组合物的组分中，导热填料的用量可以为30％、35％、40％、45％、50％或60％等。
在本发明中，所述硅树脂组合物的组分中，有机溶剂的用量可以为10％、15％、20％、25％或30％等。
在本发明中，所述硅树脂组合物的组分中，固化剂的用量可以为0.1％、0.2％、0.5％、0.8％、1％、1.5％、1.8％、2％、2.5％或3％等。
在本发明中，所述笼型硅树脂通过以下制备方法制备得到：
(1)利用正硅酸乙酯、六甲基二硅氧烷、乙醇和盐酸，在室温下反应；
(2)反应放热，待反应温度自然升温到30～33℃(例如30℃、31℃、32℃或33℃等)时，加入羟基POSS以及乙醇和盐酸，升温继续反应；
(3)向步骤(2)的反应液中加入六甲基二硅氧烷，进行封端反应，得到所述笼型硅树脂。
在本发明中，乙醇提供水解羟基，盐酸为催化剂，羟基POSS的加入可以在硅树脂上引入笼型结构，步骤(3)中六甲基二硅氧烷的加入起到封端作用，可以调控笼型硅树脂的结构，以避免产生凝胶，降低电性能。
在本发明中，步骤(1)中相对于100g正硅酸乙酯，六甲基二硅氧烷的用量为5～15g，例如5g、8g、10g、13g或15g等。
优选地，步骤(1)中相对于100g正硅酸乙酯，乙醇的用量为5～10g，例如5g、6g、7g、8g、9g或10g等。
优选地，步骤(1)中相对于100g正硅酸乙酯，盐酸的用量为0.5～2g，例如0.5g、0.8g、1g、1.3g、1.5g或2g等。
在本发明中，相对于步骤(1)中100g正硅酸乙酯，步骤(2)中所述羟基POSS的用量为20～50g，例如20g、25g、30g、35g、40g、45g或50g等。
优选地，相对于步骤(1)中100g正硅酸乙酯，步骤(2)中所述乙醇的用量为1～3g，例如1g、1.5g、2g、2.5g或3g等。
优选地，相对于步骤(1)中100g正硅酸乙酯，步骤(2)中所述盐酸的用量为0.5～1g，例如0.5g、0.6g、0.7g、0.8g、0.9g或1g等。
优选地，步骤(1)和步骤(2)中盐酸的浓度为36.5％。
在本发明中，所述盐酸的用量是以盐酸溶液的质量来计算的。
在本发明中，步骤(2)所述升温为升温到50～60℃，例如50℃、52℃、53℃、55℃、58℃或60℃等。
优选地，步骤(2)所述继续反应的反应时间为1～3h，例如1h、1.5h、2h、2.5h或3h等。
在本发明中，相对于步骤(1)中100g正硅酸乙酯，步骤(3)所述的六甲基二硅氧烷的加入量为5～10g，例如5g、6g、7g、8g、9g或10g等。
优选地，步骤(3)所述封端反应的温度为50～60℃，例如50℃、52℃、53℃、55℃、58℃或60℃等。
优选地，步骤(3)所述封端反应的时间为0.5～1h，例如0.5h、0.6h、0.8h或1h等。
在本发明中，所述笼型硅树脂的数均分子量为5000～30000，例如5000、8000、10000、15000、20000、25000或30000等，分子量分布为1.20～1.40，例如1.20、1.25、1.30、1.35或1.40等。
优选地，所述导热填料为氧化铝、氧化镁、氧化锌、氮化铝、氮化硼或碳化硅中的一种或至少两种的组合。所述至少两种的组合，例如氧化铝和氧化镁、氧化锌和氮化铝以及氮化硼等。
优选地，所述有机溶剂为甲苯和/或二甲苯。
优选地，所述固化剂为铂络合物、有机锡、钛酸四丁酯或硅烷偶联剂中的一种或至少两种的组合。所述至少两种的组合，例如铂络合物和有机锡、钛酸四丁酯和硅烷偶联剂等。
另一方面，本发明提供如上所述的硅树脂组合物在高频高速PCB板中的应用。
相对于现有技术，本发明具有以下有益效果：
本发明的硅树脂组合物中由于使用笼型硅树脂和导热填料，使得其介电常数低(50℃条件下2.95以下、250℃条件下2.98以下)、介质损耗角正切低(50℃条件下8.6×10-4以下、250℃条件下1.03×10-4以下)、耐热性好、散热快，适用于高频高速PCB板。具体实施方式
下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。
实施例1
在本实施例中提供一种硅树脂组合物，所述硅树脂组合物包括重量百分比如下的组分：
Figure BDA0002793897590000041
Figure BDA0002793897590000051
其中，所述笼型硅树脂通过以下制备方法制备得到：
(1)利用100g正硅酸乙酯Si40、10g六甲基二硅氧烷、5g乙醇和1g盐酸，在室温下反应；
(2)反应放热，待反应温度自然升温到30℃时，加入20g羟基POSS以及1g乙醇和0.8g盐酸，升温至50℃，继续反应1h；
(3)向步骤(2)的反应液中加入5g六甲基二硅氧烷，进行封端反应，封端反应时间为0.5h，得到所述笼型硅树脂。
对反应结束后的产物笼型硅树脂进行测试，测试结果如下：数均分子量为5000、分子量分布为1.30。其中，数均分子量及分子量分布通过凝胶渗透色谱仪(型号：PL-GPC220)得到。
将笼型硅树脂溶于甲苯中，加入氧化铝、二丁基二月桂酸锡，搅拌均匀后注入胶槽。以玻纤布为增强基材，浸渍树脂胶液，浸渍完成后，将玻纤布置于110℃下直至溶剂完全挥发后，与铜箔叠层放入液压机中在220℃、3MPa下热压成型3h，得到高频高速PCB板。
实施例2
在本实施例中提供一种硅树脂组合物，所述硅树脂组合物包括重量百分比如下的组分：
Figure BDA0002793897590000052
Figure BDA0002793897590000061
其中，所述笼型硅树脂通过以下制备方法制备得到：
(1)利用100g正硅酸乙酯Si40、15g六甲基二硅氧烷、8g乙醇和0.5g盐酸，在室温下反应；
(2)反应放热，待反应温度自然升温到32℃时，加入40g羟基POSS以及2g乙醇和0.5g盐酸，升温至55℃，继续反应2h；
(3)向步骤(2)的反应液中加入8g六甲基二硅氧烷，进行封端反应，封端反应时间为0.5h，得到所述笼型硅树脂。
对反应结束后的产物笼型硅树脂进行测试，测试结果如下：数均分子量为10000、分子量分布为1.25。其中，数均分子量及分子量分布通过凝胶渗透色谱仪(型号：PL-GPC220)得到。
将笼型硅树脂溶于甲苯中，加入氧化铝、二丁基二月桂酸锡，搅拌均匀后注入胶槽。以玻纤布为增强基材，浸渍树脂胶液，浸渍完成后，将玻纤布置于110℃下直至溶剂完全挥发后，与铜箔叠层放入液压机中在220℃、3MPa下热压成型3h，得到高频高速PCB板。
实施例3
在本实施例中提供一种硅树脂组合物，所述硅树脂组合物包括重量百分比如下的组分：
Figure BDA0002793897590000062
Figure BDA0002793897590000071
其中，所述笼型硅树脂通过以下制备方法制备得到：
(1)利用100g正硅酸乙酯Si40、5g六甲基二硅氧烷、10g乙醇和2g盐酸，在室温下反应；
(2)反应放热，待反应温度自然升温到33℃时，加入30g羟基POSS以及3g乙醇和0.6g盐酸，升温至60℃，继续反应1.5h；
(3)向步骤(2)的反应液中加入10g六甲基二硅氧烷，进行封端反应，封端反应时间为0.6h，得到所述笼型硅树脂。
对反应结束后的产物笼型硅树脂进行测试，测试结果如下：数均分子量为20000、分子量分布为1.20。其中，数均分子量及分子量分布通过凝胶渗透色谱仪(型号：PL-GPC220)得到。
将笼型硅树脂溶于二甲苯中，加入氧化镁、钛酸四丁酯，搅拌均匀后注入胶槽。以玻纤布为增强基材，浸渍树脂胶液，浸渍完成后，将玻纤布置于110℃下直至溶剂完全挥发后，与铜箔叠层放入液压机中在220℃、3MPa下热压成型3h，得到高频高速PCB板。
实施例4
在本实施例中提供一种硅树脂组合物，所述硅树脂组合物包括重量百分比如下的组分：
Figure BDA0002793897590000072
其中，所述笼型硅树脂通过以下制备方法制备得到：
(1)利用100g正硅酸乙酯Si40、8g六甲基二硅氧烷、8g乙醇和1g盐酸，在室温下反应；
(2)反应放热，待反应温度自然升温到32℃时，加入50g羟基POSS以及1.5g乙醇和1g盐酸，升温至60℃，继续反应3h；
(3)向步骤(2)的反应液中加入7g六甲基二硅氧烷，进行封端反应，封端反应时间为1h，得到所述笼型硅树脂。
对反应结束后的产物笼型硅树脂进行测试，测试结果如下：数均分子量为15000、分子量分布为1.40。其中，数均分子量及分子量分布通过凝胶渗透色谱仪(型号：PL-GPC220)得到。
将笼型硅树脂溶于二甲苯中，加入氮化硼、钛酸四丁酯，搅拌均匀后注入胶槽。以玻纤布为增强基材，浸渍树脂胶液，浸渍完成后，将玻纤布置于110℃下直至溶剂完全挥发后，与铜箔叠层放入液压机中在220℃、3MPa下热压成型3h，得到高频高速PCB板。
实施例5
在本实施例中提供一种硅树脂组合物，所述硅树脂组合物包括重量百分比如下的组分：
Figure BDA0002793897590000081
其中，所述笼型硅树脂通过以下制备方法制备得到：
(1)利用100g正硅酸乙酯Si40、12g六甲基二硅氧烷、8g乙醇和1.5g盐酸，在室温下反应；
(2)反应放热，待反应温度自然升温到30℃时，加入40g羟基POSS以及2g乙醇和0.8g盐酸，升温至55℃，继续反应2h；
(3)向步骤(2)的反应液中加入8g六甲基二硅氧烷，进行封端反应，封端反应时间为0.8h，得到所述笼型硅树脂。
对反应结束后的产物笼型硅树脂进行测试，测试结果如下：数均分子量为30000、分子量分布为1.20。其中，数均分子量及分子量分布通过凝胶渗透色谱仪(型号：PL-GPC220)得到。
将笼型硅树脂溶于甲苯中，加入氮化硼、硅烷偶联剂，搅拌均匀后注入胶槽。以玻纤布为增强基材，浸渍树脂胶液，浸渍完成后，将玻纤布置于110℃下直至溶剂完全挥发后，与铜箔叠层放入液压机中在220℃、3MPa下热压成型3h，得到高频高速PCB板。
实施例6
在本实施例中提供一种硅树脂组合物，所述硅树脂组合物包括重量百分比如下的组分：
Figure BDA0002793897590000091
其中，所述笼型硅树脂通过以下制备方法制备得到：
(1)利用100g正硅酸乙酯Si40、15g六甲基二硅氧烷、6g乙醇和1g盐酸，在室温下反应；
(2)反应放热，待反应温度自然升温到30℃时，加入50g羟基POSS以及2g乙醇和0.6g盐酸，升温至50℃，继续反应1.5h；
(3)向步骤(2)的反应液中加入6g六甲基二硅氧烷，进行封端反应，封端反应时间为0.8h，得到所述笼型硅树脂。
对反应结束后的产物笼型硅树脂进行测试，测试结果如下：数均分子量为20000、分子量分布为1.25。其中，数均分子量及分子量分布通过凝胶渗透色谱仪(型号：PL-GPC220)得到。
将笼型硅树脂溶于甲苯中，加入碳化硅、二丁基二月桂酸锡，搅拌均匀后注入胶槽。以玻纤布为增强基材，浸渍树脂胶液，浸渍完成后，将玻纤布置于110℃下直至溶剂完全挥发后，与铜箔叠层放入液压机中在220℃、3MPa下热压成型3h，得到高频高速PCB板。
对比例1
本对比例与实施例1不同之处仅在于，硅树脂组合物的组分中不包括导热填料，笼型硅树脂用量为74.9％。
对比例2
本对比例与实施例1不同之处仅在于，制备笼型硅树脂时，步骤(2)中不包括羟基POSS。
对比例3
本对比例与实施例1不同之处仅在于，制备笼型硅树脂时，不包括步骤(3)的封端反应。
对实施例1-6以及对比例1-3的PCB板进行性能测试，测试方法如下：
在25～300℃，频率30GHz，氮气氛围下，采用介电性能测试仪进行介电常数和介电损耗角正切测试。
性能测试结果如表1所示。
表1
Figure BDA0002793897590000111
由表1的数据可以看出，相比于对比例1-3，实施例1-4的PCB板在50℃和250℃下均具有较低的介电常数(50℃条件下2.95以下、250℃条件下2.98以下)和介质损耗角正切(50℃条件下8.6×10-4以下、250℃条件下1.03×10-3以下)，这说明本发明的硅树脂组合物介电常数低，介电损耗角正切低，且在宽温度范围内表现出优异的频率稳定性，耐温性优良。
申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的硅树脂组合物及其应用，但本发明并不局限于上述实施例，即不意味着本发明必须依赖上述实施例才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

Claims (10)

1.一种硅树脂组合物，其特征在于，所述硅树脂组合物包括重量百分比如下的组分：
Figure FDA0002793897580000011
2.根据权利要求1所述的硅树脂组合物，其特征在于，所述笼型硅树脂通过以下制备方法制备得到：
(1)利用正硅酸乙酯、六甲基二硅氧烷、乙醇和盐酸，在室温下反应；
(2)反应放热，待反应温度自然升温到30～33℃时，加入羟基POSS以及乙醇和盐酸，升温继续反应；
(3)向步骤(2)的反应液中加入六甲基二硅氧烷，进行封端反应，得到所述笼型硅树脂。
3.根据权利要求2所述的硅树脂组合物，其特征在于，步骤(1)中相对于100g Si40，六甲基二硅氧烷的用量为5～15g；
优选地，步骤(1)中相对于100g正硅酸乙酯，乙醇的用量为5～10g；
优选地，步骤(1)中相对于100g正硅酸乙酯，盐酸的用量为0.5～2g。
4.根据权利要求2或3所述的硅树脂组合物，其特征在于，相对于步骤(1)中100g正硅酸乙酯，步骤(2)中所述羟基POSS的用量为20～50g。
5.根据权利要求2-4中任一项所述的硅树脂组合物，其特征在于，相对于步骤(1)中100g正硅酸乙酯，步骤(2)中所述乙醇的用量为1～3g；
优选地，相对于步骤(1)中100g正硅酸乙酯，步骤(2)中所述盐酸的用量为0.5～1g；
优选地，步骤(1)和步骤(2)中盐酸的浓度为36.5％。
6.根据权利要求2-5中任一项所述的硅树脂组合物，其特征在于，步骤(2)所述升温为升温到50～60℃；
优选地，步骤(2)所述继续反应的反应时间为1～3h。
7.根据权利要求2-6中任一项所述的硅树脂组合物，其特征在于，相对于步骤(1)中100g Si40，步骤(3)所述的六甲基二硅氧烷的加入量为5～10g；
优选地，步骤(3)所述封端反应的温度为50～60℃；
优选地，步骤(3)所述封端反应的时间为0.5～1h。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的硅树脂组合物，其特征在于，所述笼型硅树脂的数均分子量为5000～30000，分子量分布为1.20～1.40；
优选地，所述导热填料为氧化铝、氧化镁、氧化锌、氮化铝、氮化硼或碳化硅中的一种或至少两种的组合。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的硅树脂组合物，其特征在于，所述有机溶剂为甲苯和/或二甲苯；
优选地，所述固化剂为铂络合物、有机锡、钛酸四丁酯或硅烷偶联剂中的一种或至少两种的组合。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的硅树脂组合物在高频高速PCB板中的应用。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120123054A1 (en) * 2010-11-16 2012-05-17 Kaneka Corporation Curable composition, heat conductive resin molded product and semiconductor package
JP2013001813A (ja) * 2011-06-16 2013-01-07 Nitto Denko Corp シリコーン樹脂組成物、封止層、リフレクタおよび光半導体装置
CN104327272A (zh) * 2014-09-15 2015-02-04 杭州师范大学 一种含梯形聚倍半硅氧烷的嵌段光学透明缩合型有机硅树脂的制备方法
CN109251318A (zh) * 2018-05-16 2019-01-22 浙江启墨新材料科技有限公司 一种低聚倍半硅氧烷改性无溶剂有机硅树脂及其制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120123054A1 (en) * 2010-11-16 2012-05-17 Kaneka Corporation Curable composition, heat conductive resin molded product and semiconductor package
JP2013001813A (ja) * 2011-06-16 2013-01-07 Nitto Denko Corp シリコーン樹脂組成物、封止層、リフレクタおよび光半導体装置
CN104327272A (zh) * 2014-09-15 2015-02-04 杭州师范大学 一种含梯形聚倍半硅氧烷的嵌段光学透明缩合型有机硅树脂的制备方法
CN109251318A (zh) * 2018-05-16 2019-01-22 浙江启墨新材料科技有限公司 一种低聚倍半硅氧烷改性无溶剂有机硅树脂及其制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
M. DOLORES FERNÁNDEZ，等: "Effect of polyhedral oligomeric silsesquioxane (POSS) derivative on the morphology, thermal, mechanical and surface properties of poly(lactic acid)-based nanocomposites", 《JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE》 *
方红承等: "2016年国内有机硅进展", 《有机硅材料》 *

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