CN112513687A - 结构化光栅部件、成像系统和制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种制造结构化光栅的方法、对应的结构化光栅部件(1)和成像系统。所述方法包括以下步骤：在衬底(20)上提供(110、120、130)催化剂(30)，所述催化剂(20)具有光栅图案；在所述催化剂(30)上生长(140)纳米结构(50)以便基于所述光栅图案来形成壁(52)和沟槽(54)；并且使用X射线吸收材料(70)来填充(160)纳米结构(50)的所述壁(52)之间的所述沟槽(54)。本发明提供一种用于制造结构化光栅的改进的方法和这样的结构化光栅部件(1)，其特别地适合于暗场X射线成像或相衬成像。
Description
技术领域
本发明涉及一种制造结构化光栅的方法和对应的结构化光栅部件。本发明特别地适用于医学应用中的暗场或相衬X射线成像的领域，同时应用当然不限于这些领域并且可以例如被应用于非破坏性试验(NDT)。
背景技术
已知暗场X射线成像或相衬成像要求具有几μm宽度和200-300μm深度的沟槽/壁结构的特殊光栅部件，即，其具有非常高的深宽比。X射线吸收率在壁与沟槽之间变化，使得由第一或相位光栅部件创建的干涉图样可以使用第二或分析器光栅部件分析。
US 2012/0307966 A1公开了一种用于相衬成像的装置，包括用于X射线暗场成像或相衬成像的光栅部件。光栅装置包括分束器光栅和分析器光栅。
US 2018/0187294 A1公开了一种用于产生可以形成处于较低粘度的状态的金属玻璃材料的模制材料的过程，并且可以在相当短的时间内制造几十pm或更小的小结构，同时通过以下过程来精确地控制其形状，该过程包括：以0.5K/s的温度增加速率将过冷状态金属玻璃材料或固体金属玻璃材料加热到针对所述金属玻璃材料的过冷液体的结晶过程开始的温度处的温度或比其更高的温度的加热步骤，以及传送模制所述金属玻璃材料直到针对所述金属玻璃材料的过冷液体的结晶过程已经完成的模制步骤。
本发明的目标是提供一种用于制造结构化光栅的方法和这样的结构化光栅部件，其特别适合于暗场X射线成像或相衬成像，并且其允许更容易达到的光栅制造。
发明内容
根据第一方面，提供了一种制造结构化光栅的方法，所述方法包括以下步骤：
在衬底上提供催化剂，所述催化剂具有光栅图案，
在所述催化剂上生长纳米结构以便基于所述光栅图案来形成壁和沟槽，并且
使用X射线吸收材料来填充纳米结构的所述壁之间的所述沟槽。
由于对应于所述光栅图案的纳米结构被生长，因而其形成具有对应于所述纳米结构的X射线吸收率的X射线吸收率的壁。由于此外所述壁之间的沟槽使用X射线吸收材料(即，具有至少比所述纳米材料更高的X射线吸收率的材料)来填充，因而可以获得适合于例如暗场X射线成像的光栅部件。因此，根据该方面的方法允许获得具有有利特性的结构化光栅，同时将方法的复杂性保持到最小值。
所述衬底特别地是导电衬底，其中，所述衬底可以是类似具有电镀基底的导电硅的刚性衬底，电镀基底包括例如铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)。所述衬底可以备选地或额外地包括导电箔，包括镍箔和/或铜箔，其中，所述衬底然后可选地包括所述导电箔下面的绝缘体。
所述催化剂优选地以所述衬底之上的子层的形式提供，其中，所述催化剂被配置用于所述纳米结构生长过程。优选地，在所述催化剂上生长纳米结构。换言之，没有纳米结构将在未提供催化剂的衬底上的区域上生长。
优选地，生长垂直于所述衬底的表面的纳米结构，同时还预见了在特定角度下生长纳米结构。特别地，有角度的纳米结构可以通过例如提供具有相对于所述衬底的倾斜形状的催化剂或通过不同方法来生长。
所述光栅图案优选地包括纵向光栅元件，其是伸长和平行中的至少一个。所述光栅图案旨在覆盖本领域技术人员的光栅的所有理解，而全部催化剂和衬底以及仅所述催化剂和所述衬底的子结构可以以光栅图案的形式提供。
在优选实施例中，所述纳米结构使用具有比所述X射线吸收材料更低的X射线吸收率生长，所述材料特别地示出比所述X射线吸收材料的X射线吸收率低至少两倍的X射线吸收率。
优选地，X射线吸收率的差异允许如适合于例如暗场或相衬成像中的相位光栅的干涉图样的生成，以及例如与这些应用中的所谓的分析器光栅有关的强度改变的生成。术语X射线吸收率具有本领域中通常适用的含义。特别地，当比较X射线吸收率时，优选地比较特定能量或波长的X射线吸收率。更优选地，比较待用于所述结构化光栅的应用的所有能量或波长的X射线吸收率。因此，最优选地，所述纳米结构具有比所述结构化光栅预期的整个能量范围上的X射线吸收材料显著地更低的X射线吸收率。
在优选的实施例中，所述纳米结构包括碳纳米管(CNT)或由碳纳米管(CNT)构成。由于其特别是关于X射线吸收的性质，CNT特别地适合作为根据本发明的纳米结构。另外，CNT可以生长直到具有高稳定性的高长宽比。根据该实施例，预见了所有种类的CNT，包括单壁CNT、双壁CNT和其组合。其对于CNT是垂直CNT是优选的。
在优选的实施例中，所述方法还包括以下步骤：在使用所述X射线吸收材料来填充所述沟槽之前应用钝化层。所述钝化层优选地支持利用X射线吸收材料来填充所述沟槽的步骤，并且因此优选地基本上完全覆盖所述纳米结构的壁。更具体地，针对经由例如电镀充满X射线吸收材料的步骤，钝化层作为允许仅从所述沟槽的底部到顶部而非从所述侧壁(即，所述壁)电镀的隔离材料是必要的。否则，没有空隙的完全填充可能是不可能的。
在优选实施例中，所述CNT连同被称为纳米结构的应用的钝化层一起。
在优选实施例中，应用所述钝化层包括化学气相沉积的步骤，特别地包括原子层沉积(ALD)的步骤。
化学气相沉积并且特别是ALD是将薄材料层沉积在衬底上的众所周知的方法。有利地，实现了相应地覆盖所述纳米结构的所有壁的基本上均匀厚度。由于采用的方法，所述钝化层的应用可以被精确地控制以也在所述沟槽内的定义深度处停止，使得所述钝化层不覆盖所述衬底，衬底优选地是导电的并且因此不会由于应用在其上的钝化层而绝缘。在一些实施例中，电导率可以对于利用X射线吸收材料来填充所述沟槽的步骤是基本的，诸如针对包括电镀的方法。而且，所述渗透可以被精确地控制以在钝化层的定义厚度处停止。
在优选实施例中，所述钝化层被应用于距所述衬底的定义距离，特别地到小于2μm的距离。因此，可以维持所述衬底的电连接性，同时安全地防止所述纳米结构还原或氧化。
优选地，所述钝化层中采用的钝化材料包括氧化铝(Al2O3)、二氧化钛(TiO2)和二氧化硅(SiO2)中的至少一个。
在优选的实施例中，填充所述沟槽的步骤包括电镀的步骤。
使用电镀用于填充所述沟槽携带牢固地且完全地(即，在没有空隙的情况下)利用X射线吸收材料来填充所述沟槽的优点。由于所述衬底是导电的，因而其可以用作用于所述电镀过程的一个电极。优选地，用于电镀的X射线吸收材料包括至少一个X射线吸收材料，更优选地是金(Au)、铅(Pb)和铋(bi)中的至少一个，而同样地也可以采用其他元素、合金或其组合。在一些实施例中，所述沟槽中的X射线吸收材料的填充高度可以通过调节理论时间来定义，可能非常好的是，所述光栅未被完全填充，而是仅被填充到某个水平，其小于所述CNT结构。
在优选的实施例中，填充所述沟槽的步骤包括特别地使用机械应力、高温度和低压力的机械填充的步骤。
由于该填充方法不依赖于电镀，因而所述钝化层不必被提供，因此允许减少步骤的数目和整体上制造方法的复杂性。在例如Lei,Yaohu等人的“Improvement of fillingbismuth for X-ray absorption gratings through the enhancement of wettability”(Journal of Micromechanics and Microengineering26.6(2016):065011)中公开了机械填充沟槽的可比较的方法。
而且，在该实施例中，然而，可以有利地额外地采用包括ALD的钝化步骤。取代隔离或钝化的目的，在该实施例中，特别是润湿性将对于所述纳米结构(例如，所述CNT结构)重要，而所述钝化步骤可能导致改进的润湿性。
在优选实施例中，填充所述沟槽的步骤包括以下步骤：
利用嵌入粘合剂物质中的金属粉末来填充所述沟槽，
烘烤所述粘合剂物质以实现对所述沟槽的实体填充。
为了获得高密度并且特别是所述沟槽内的最后产物中的金属的填充速率，所述金属粉末优选地是精细的，例如在直径方面平均小于25微米。优选地，粉末颗粒的平均大小是更小的，诸如小于5微米。因此，可以实现所述沟槽内的高充填效率因子。
在优选实施例中，填充所述沟槽的步骤包括使用所生长的纳米结构来压印所述光栅结构的步骤。
根据压印所述光栅结构的该实施例的备选方法可以有利地取决于所述材料系统的机械特性而被应用。然而，通过例如Yashiro、Wataru等人的“A metallic glass gratingfor x-ray grating interferometers fabricated by imprinting”(Applied PhysicsExpress 7.3(2014):032501)描述了具有不同方法的类似构思。
在优选的实施例中，长宽比被定义为壁的高度与壁的厚度的比，其中，执行生长所述纳米结构的步骤直到长宽比是至少5，特别地至少10并且优选地至少15。
利用所述壁的高度，定义在基本上垂直于所述衬底的表面的方向上的壁的延伸。而且，所述壁的厚度被定义为在基本上垂直于所述壁的纵向延伸的方向上的延伸。优选地，所述壁的长度和厚度横跨基本上平行于所述衬底的表面的平面，而所述高度基本上垂直于该平面。所述纳米结构的所有壁可以在高度和/或厚度方面是相等的，或者不同的壁可以分别具有不同的高度和/或厚度。在其他实施例中，跨所述光栅的不同占空比也可以是有利的。在不同的高度和/或厚度的情况下，根据该实施例的长宽比被理解为最低长宽比，即，具有最高厚度和最低高度。
在优选实施例中，所述壁的厚度和所述沟槽的厚度是近似相等的。因此，可以确保壁和沟槽之间的厚度的差是显著的，其可能导致例如干涉图样的增加的噪声或X射线的减少的吸收。
在本申请的上下文中，近似是指近似值的加和减30％的范围。因此，所述壁的厚度和所述沟槽的厚度可以是相等的，或者两个值之一可以大/小多达相应其他厚度的30％。优选地，壁和沟槽的厚度在整个光栅结构上是基本上恒定的。优选地，壁和沟槽的厚度的方差分别地小于平均厚度的10％，更优选地小于5％。
在优选实施例中，所述衬底被提供有至少100cm2、优选地至少43cm乘43cm的表面。
由于纳米结构生长的过程(特别是CNT生长的过程)允许大面积的沟槽壁结构的生成，因而根据该实施例的方法可以允许在单个处理步骤中覆盖全部检测器场(即，43cm乘43cm)的光栅的制造。因此，由于在将需要多个光栅的情况下无伪影等在边界光栅之间的接合点处出现，因而将改进成像质量。而且，由于仅单个制造步骤中的单个部件变为必要的，因而可以减少制造成本。
在优选实施例中，所述衬底被提供有允许所述衬底的子区域的形成的瓦片结构。
由于所述衬底被提供有瓦片结构，取决于产量和均匀性，所述子区域形成可以对于使所述结构化光栅部件弯曲和/或聚焦是有益的。
在优选实施例中，所述方法还包括以下步骤：使所述光栅结构弯曲以便调节到X射线源的锥形束，即，调节到所述设置的几何形状。
在优选实施例中，使用机械框架设置来执行使所述光栅结构弯曲的步骤。
在使用中，特别是在用于暗场X射线成像/相衬成像的系统内，所述结构化光栅通常被安装在所述检测器的前面，其中，X射线源与检测器之间的距离超过2米。因此，要求所述X射线源的焦斑点的方向上的光栅表面的聚焦。优选地，根据本发明的一些实施例，已经充满所述沟槽内的X射线吸收材料的完全处理结构被弯曲，以便到达聚焦的几何形状。该过程流也可以被称为“最后聚焦(focus last)”过程流。当然，应当预见到，还预见了其中聚焦在填充沟槽之前发生的不同的过程流或步骤的不同次序。
在优选实施例中，在衬底上提供催化剂的步骤包括以下步骤：
提供衬底，所述衬底至少具有导电表面，
将所述催化剂沉积在所述衬底上，
使用光刻和蚀刻来创建所述催化剂上的所述光栅图案。
根据该实施例，更详细地描述了所述衬底上的催化剂的几何制备。在子层或催化剂沉积之后，使用本领域中众所周知的光刻和蚀刻，使用可用技术获得几何光栅图案。
根据另一方面，提供了一种结构化光栅部件。所述结构化光栅部件包括：
衬底，
所述衬底上的催化剂，所述催化剂具有光栅图案，
所述衬底上的纳米结构，其基于所述光栅图案来形成壁和沟槽，以及
X射线吸收材料，其填充纳米结构的所述壁之间的所述沟槽，
其中，所述纳米结构包括碳纳米管(CNT)。
根据该方面的结构化光栅部件特别地适合于暗场成像或相关过程，而不限于本申请。由于形成壁和其之间的充满X射线吸收材料的沟槽的提供的纳米结构，提供了具有简单结构的有效结构化光栅。由于纳米结构(诸如CNT)允许大面积衬底上的制造，因而根据该方面的结构化光栅部件可以具有大表面，诸如包括适合于X射线成像系统的全场光栅。由根据该方面的结构光栅部件解决的主要问题是大面积，但是具有沟槽/几何形状的非常高长宽比的光栅的非常精细的结构化，其通过生长的纳米结构(包括CNT)来解决。
根据该方面的结构化光栅部件可以用作相位光栅和分析器光栅二者。优选地，所述结构化光栅部件被用作分析器光栅，其中，除了其他益处，其有益地导致具有减少的噪声的分析。
在优选实施例中，所述结构化光栅部件还包括：
钝化层，其布置在所述X射线吸收材料与所述纳米结构之间。
在优选实施例中，所述钝化层包括Al2O3、TiO2和SiO2中的至少一个。
在优选实施例中，所述衬底与所述X射线吸收材料直接接触。
优选地导电以便允许用于利用X射线吸收材料来填充所述沟槽的电镀过程的衬底因此被维持导电，尽管应用保护所述纳米结构的钝化层。优选地，所述钝化层进入所述沟槽中并且覆盖所述纳米结构的所有壁和表面，而定义距离(诸如小于2微米)被维持，在其处所述钝化涂层在覆盖所述接地衬底之前停止。所述钝化层的精确控制可以通过例如应用ALD技术来实现。
在优选实施例中，所述纳米结构包括接合两个相邻沟槽壁的支撑元件。所述支撑结构改进所述结构化光栅部件的机械稳定性。
在优选实施例中，所述支撑元件分别被提供在壁的两个相对侧上的纵向方向上的不同位置处。因此，所述结构化光栅部件的机械稳定性可以进一步增加。同时，在所述结构化光栅是相位光栅的情况下，可以减少在垂直于所述光栅图案的壁的延伸的方向上的干涉图样。同样地，在所述结构化光栅是分析器光栅的情况下，可以减少由所述支撑元件引起的背景噪声。最后，对于分别地接合相同壁的两个支撑元件优选的是，沿着所述壁的方向具有比两个相邻壁之间的距离显著地更大的距离，例如超过4倍、优选地超过10倍。
在优选实施例中，所述衬底包括包含导电硅的刚性衬底和包含镍箔、铜箔的导电箔中的至少一个。
在优选实施例中，在所述衬底包括刚性衬底的情况下，所述衬底包括电镀基底，其中，所述电镀基底特别地包括元素Cu、Ni、Au中的至少一个。
在优选实施例中，所述衬底包括元素Cu、Ni和Au中的至少一个。
在优选实施例中，所述X射线吸收材料包括元素Au、Pb和Bi中的至少一个。
在另一方面中，提供了一种成像系统，特别是X射线相衬或暗场成像系统。所述成像系统包括根据本发明的方面的结构化光栅部件。
应当理解，权利要求1所述的方法、权利要求10所述的结构化光栅部件和权利要求15所述的成像系统具有特别地如在从属权利要求中定义的类似和/或相同的优选实施例。
应当理解，本发明的优选实施例还可以是从属权利要求或具有相应的独立权利要求的以上实施例的任何组合。
本发明的这些和其他方面将从下文中所描述的实施例变得显而易见并且将参考下文中所描述的实施例得以阐述。
附图说明
在以下附图中：
图1A-1F示意性且示范性地图示了根据本发明的方法的步骤；
图2示意性且示范性地图示了关于未填充的结构化光栅部件的俯视图；并且
图3示意性且示范性地图示了穿过结构化光栅的横切面的透视图。
具体实施方式
图1A至1F示意性且示范性地图示了根据本发明的制造结构化光栅的方法的各种步骤。
如图1A中所图示的，在步骤110中，衬底20被提供有在其表面上的催化剂30。衬底20可以是类似具有电镀基底的导电硅的刚性衬底，电镀基底包括例如Cu、Ni、Au，其中，催化剂30形成用于下文所描述的纳米结构50(诸如碳纳米管(CNT))的生长过程的子层。衬底20还可以是或者包括导电箔，包括镍箔、铜箔等。
在图1B中，应用具有光栅结构的光掩膜40的光刻步骤120被应用，即，光栅结构包括催化剂30将被图案化的几何结构。
在图1C中示意性且示范性地图示的蚀刻步骤130中，光被投射到该装置上，使得未由光掩膜40覆盖的催化剂30的所有部分被移除或者蚀刻。步骤110至130可以被概述为具有衬底20上的光栅图案的催化剂30的几何制备。
在图1D中，示意性且示范性地图示了在催化剂30上生长纳米结构50的步骤140。因此，形成在两个相邻壁52之间定位的壁52和沟槽54。壁52基于出于该目的而提供的光栅图案在催化剂30之上生长。
优选地，纳米结构50包括碳纳米管(CNT)或由碳纳米管(CNT)构成。因此，生长步骤140特别地适于CNT的生长。CNT分别允许具有非常高的长宽比的壁52的沉积和生长，即，壁52的厚度53与高度55的非常高的比。形成光栅图案，使得厚度53近似地对应于两个相邻壁52之间的距离57。
图1E示意性且示范性地图示了制备用于充满X射线吸收材料的结构的可选步骤150。更特别地，应用钝化层60，包括壁52的侧表面和壁52的顶面处的纳米结构50的渗透。钝化层60例如使用原子层沉积(ALD)或可比较的技术来应用。渗透被精确地控制以也在定义深度处停止，以及壁52的侧壁上的钝化层60被精确地控制以在覆盖沟槽54的接地并且因此接触衬底20之前在距衬底20的定义距离内停止。因此，衬底20的电子和电导率特性未由钝化层60阻塞。
图1F示意性且示范性地图示了使用X射线吸收材料70来填充纳米结构50的壁52之间的沟槽54的步骤160。以下描述了在步骤160中用于填充沟槽54的多个备选方案。
钝化层60的钝化材料优选地包括Al2O3、TiO2和SiO2中的至少一个。
步骤160优选地包括电镀的步骤。电镀允许利用X射线吸收材料70对沟槽54的完全且可靠的填充。
用于步骤106的电镀的备选方案包括使用机械应力、高温度和低压力的机械填充，如由Lei等人2016年的上文引用的文章中所描述的。更进一步的方法包括在步骤160中使用例如可以在最后烘烤的粘合剂基质中的金属的精细粉末来填充沟槽，以便实现充满沟槽54的X射线吸收材料70的固体。步骤160的另一备选方法包括使用纳米结构50来压印光栅结构。该备选方案取决于材料系统的机械特性。类似的构思，但是与该方法不同的方法由Yashiro等人2014年的上文引用的文章描述。
X射线吸收材料70包括例如Au、Pb、Bi、或其任何组合或合金。特别地，可以选择X射线吸收材料70的组成以便具有用于预期应用的最有利的X射线吸收率。
在电镀被用作用于填充沟槽54的步骤160的实施方式的情况下，严格地要求步骤150。在步骤160的备选版本中，可能不会针对所有实施方式要求步骤150的钝化。针对这些方法，在若干范例中，保证具有形成X射线吸收材料70的填充材料的纳米结构50的润湿性以避免归因于相应材料特性的差异的填充中的缺陷是更重要的。因此，针对除电镀之外的步骤160中的填充的其他方法，步骤150可以额外地或者备选地采用可选纳米层在所有纳米结构50上的沉积，以便改进相应纳米结构50的润湿性。
在步骤160中填充沟槽54之后，结构化光栅部件1的制造完成。
图2示意性且示范性地图示了关于对应于图1A至1F中解释的方法的结果的结构化光栅部件1的俯视图。多个纵向和平行壁52可以看作在图2中在图示为垂直的方向上延伸，其中，在相应壁52之间的沟槽中图示了X射线吸收材料70。在沿着壁52的延伸方向的相应不同位置处，提供了接合或链接相邻壁52的支撑元件58。因此，结构化光栅部件1的机械稳定性增加。
优选地，壁和沟槽的厚度分别在1至10微米的范围内，优选在7微米与9微米之间，其中，与标准或平均厚度的偏差优选地小于10％。因此，壁和沟槽的厚度可以被认为是近似恒定的。
图3示意性且示范性地图示了透视剖视图中的结构化光栅部件1，使得可以看到在衬底20上的垂直方向上的壁52和沟槽54的延伸。壁52的高度55大于其相应的宽度或厚度，其中，长宽比大于5，优选地大于10或最优选地至少15。
为了将这样的结构化光栅部件1集成在X射线成像系统中，衬底20可以优选地被弯曲到定义半径以将焦点匹配到焦点距离。优选地，衬底20可以在根据如参考图1所描述的方法来制造结构化光栅部件1之后被弯曲，其中，衬底20与纳米结构40之间的界面处的底层的稳定结构将支持弯曲。
渗透和步骤160(包括电镀)或利用纳米结构70来填充沟槽54的任何其他方法可以取决于优化配方而使机械接口稳定。优选地，衬底20可以使用机械框架设置而被弯曲。在一些范例中，衬底20也可以以瓦片被图案化以形成子区域，其可以单独地被用于弯曲。
虽然如上文所描述的根据本发明的构思的主要焦点是医学X射线成像，特别是在相衬成像和暗场成像中，但是用于发明构思的其他用例是多种多样的。除了医学成像之外，本发明构思的应用例如在非破坏性试验(NDT)中也是有益的。
通过研究附图、说明书和随附的权利要求书，本领域的技术人员在实践要求保护的本发明时可以理解并实现对所公开的实施例的其他变型。
在权利要求中，词语“包括”不排除其他元件或者步骤，并且词语“一”或“一个”不排除多个。
单个单元或设备可以实现权利要求中记载的若干项的功能。互不相同的从属权利要求中记载了特定措施的仅有事实并不指示不能有利地使用这些措施的组合。
权利要求中的任何附图标记不应当被解释为对范围的限制。
Claims (14)
1.一种制造结构化光栅的方法，所述方法包括以下步骤：
在衬底(20)上提供(110、120、130)催化剂(30)，所述催化剂(20)具有光栅图案，
在所述催化剂(30)上生长(140)纳米结构(50)以便基于所述光栅图案来形成壁(52)和沟槽(54)，并且
使用X射线吸收材料(70)来填充(160)纳米结构(50)的所述壁(52)之间的所述沟槽(54)。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述纳米结构(50)使用具有比所述X射线吸收材料(70)更低的X射线吸收率的材料来生长，所述材料特别地示出比所述X射线吸收材料(70)低至少两倍的X射线吸收率。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述纳米结构(50)包括碳纳米管(CNT)或由碳纳米管(CNT)构成。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括以下步骤(106)：在使用所述X射线吸收材料(70)来填充(160)所述沟槽(54)之前应用钝化层(60)。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，应用所述钝化层(60)包括化学气相沉积的步骤，特别地包括原子层沉积(ALD)的步骤。
6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述钝化层(60)被应用于距所述衬底(20)的定义距离，其中，所述定义距离特别地小于2μm。
7.根据权利要求4所述的方法，其中，填充所述沟槽(54)的步骤包括电镀的步骤。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，填充所述沟槽(54)的步骤包括以下各项中的至少一项：
特别地使用机械应力、高温度和低压力的机械填充的步骤，
利用嵌入在粘合剂物质中的金属粉末来填充所述沟槽(54)的步骤和烘烤所述粘合剂物质以实现对所述沟槽(54)的实体填充的步骤，以及
使用所生长的纳米结构(50)来压印所述光栅结构的步骤。
9.根据权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：使所述结构化光栅结构(1)弯曲，特别地使所述衬底(20)弯曲，以便将所述光栅结构调节到X射线源的锥形束。
10.一种结构化光栅部件，包括：
衬底(20)，
所述衬底(20)上的催化剂(30)，所述催化剂(30)具有光栅图案，
所述衬底上的纳米结构(50)，其基于所述光栅图案来形成壁(52)和沟槽(54)，以及
X射线吸收材料(70)，其填充纳米结构(50)的所述壁(52)之间的所述沟槽(54)，
其中，所述纳米结构(50)包括碳纳米管(CNT)。
11.根据权利要求10所述的结构化光栅部件(1)，还包括：
钝化层(60)，其布置在所述X射线吸收材料(70)与所述纳米结构(50)之间。
12.根据权利要求10所述的结构化光栅部件(1)，其中，所述衬底(20)与所述X射线吸收材料(70)直接接触。
13.根据权利要求10所述的结构化光栅部件(1)，其中，所述纳米结构(50)包括接合两个相邻壁(52)的支撑元件(58)，其中，所述支撑元件(58)优选地分别被提供在壁(52)的两个相对侧上的纵向方向上的不同位置处。
14.一种成像系统，特别是X射线相衬或暗场成像系统，包括根据权利要求10所述的结构化光栅部件(1)。
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