CN112506149B - 一种机台程式控制方法及装置 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例公开了一种机台程式控制方法及装置，包括根据机台中各个处理单元对各自的子程式的处理时间，确定出处理单元中处理时间最长的瓶颈单元，在瓶颈单元的程式中加入第一伪子程式，第一伪子程式在瓶颈单元的程式中的至少一个子程式之前被调用，第一伪子程式在被调用时，晶圆通过瓶颈单元而不被瓶颈单元处理，这是因为，在瓶颈单元对晶圆处理的过程中，有些晶圆必须经过该瓶颈单元但是无需被瓶颈单元处理，本申请实施例中，可以在瓶颈单元的程式中增加第一伪子程式，这样堆积的晶圆可以通过瓶颈单元，减少晶圆堆积，提高晶圆处理效率，提高整个机台的产能。

Description

一种机台程式控制方法及装置
技术领域
本申请涉及半导体器件制造领域，尤其涉及一种机台程式控制方法及装置。
背景技术
目前，在半导体制造行业中，半导体制造工厂要同时生产种类繁多、数量不同的半导体器件，而且各种类型的半导体器件的加工工艺不同、加工的时间周期不同、加工的数量不同、各类半导体器件客户要求的交货日期和交货数量也各不相同。在这种复杂的条件下，如何提高机台的生成效率，越来越成为半导体企业在激烈竞争中生存以及发展的关键所在。
近年来，半导体制造工业普遍要求提高管理水平，以尽量降低产品生产周期，具体的，每批货进行处理时，机台中的处理单元可以对应有程式(recipe)，recipe即为每批货要经过的工艺步骤，工艺步骤中的总程式可以记为Track recipe，Track recipe可以包括流程式(flow recipe)和flow recipe的各级子程式(sub recipe)，参考图1所示，flowrecipeA可以包括四个子程式：sub recipe1、sub recipe2、sub recipe3、sub recipe4，分别对应的四个处理单元：unit1、unit2、unit5、unit6，四个子程式按照顺序执行。
对于不同的膜层可以存在不同的Track recipe，一个Track recipe中，某个处理单元的子程式在该单元中平均所需处理(process)时间最长，该处理单元可以作为瓶颈单元(bottleneck unit)，则一个Track recipe的产能是由瓶颈单元的处理时长决定的。而整个机台的产能不仅与某个Track recipe的产能相关，而是由各个瓶颈单元以及各个Trackrecipe共同决定的。
随着半导体工艺的复杂化，Track recipe也逐渐增多，当这些不同的Trackrecipe混合运行(run)时，存在很多瓶颈单元，导致目前机台的产能(Wafer Per Hour，WPH)有待提高。
发明内容
有鉴于此，本申请实施例提供了一种机台程式控制方法及装置，减少机台中晶圆的堆积，提高机台的产能。
本申请实施例提供了一种机台程式控制方法，包括：
根据机台中各个处理单元对各自的子程式的处理时间，确定出处理单元中处理时间最长的瓶颈单元；
在所述瓶颈单元的程式中加入第一伪子程式；所述第一伪子程式在所述瓶颈单元的程式中的至少一个子程式之前被调用，所述第一伪子程式在被调用时，晶圆通过所述瓶颈单元而不被所述瓶颈单元处理。
可选的，所述伪子程式均匀分布在所述瓶颈单元的程式中的多个子程式之间被调用。
可选的，所述伪子程式在所述瓶颈单元程式中的多个子程式的中部被调用。
可选的，所述瓶颈单元用于执行光刻工艺中的晶圆处理。
可选的，所述方法还包括：
在所述处理单元的除所述瓶颈单元之外的其他单元的程式中加入第二伪子程式；所述第二伪子程式在被调用时，晶圆通过所述其他单元而不被所述其他单元处理。
本申请实施例提供了一种机台程式控制装置，包括：
瓶颈单元确定单元，用于根据机台中各个处理单元对各自的子程式的处理时间，确定出处理单元中处理时间最长的瓶颈单元；
子程式增加单元，用于在所述瓶颈单元的程式中加入第一伪子程式；所述第一伪子程式在所述瓶颈单元的程式中的至少一个子程式之前被调用，所述第一伪子程式在被调用时，晶圆通过所述瓶颈单元而不被所述瓶颈单元处理。
可选的，所述伪子程式均匀分布在所述瓶颈单元的程式中的多个子程式之间被调用。
可选的，所述伪子程式在所述瓶颈单元程式中的多个子程式的中部被调用。
可选的，所述瓶颈单元用于执行光刻工艺中的晶圆处理。
可选的，所述子程式增加单元还用于：
在所述处理单元的除所述瓶颈单元之外的其他单元的程式中加入第二伪子程式；所述第二伪子程式在被调用时，晶圆通过所述其他单元而不被所述其他单元处理。
与现有技术相比，本申请至少具有以下优点：
本申请实施例提供了一种机台程式控制方法及装置，包括根据机台中各个处理单元对各自的子程式的处理时间，确定出处理单元中处理时间最长的瓶颈单元，在瓶颈单元的程式中加入第一伪子程式，第一伪子程式在瓶颈单元的程式中的至少一个子程式之前被调用，第一伪子程式在被调用时，晶圆通过瓶颈单元而不被瓶颈单元处理，这是因为，在瓶颈单元对晶圆处理的过程中，有些晶圆必须经过该瓶颈单元但是无需被瓶颈单元处理，现有技术中的程式并未考虑这些晶圆的通过，因此这些晶圆容易在瓶颈单元堆积，影响这些晶圆在其他处理单元的处理，本申请实施例中，可以在瓶颈单元的程式中增加第一伪子程式，这样堆积的晶圆可以通过瓶颈单元，减少晶圆堆积，提高晶圆处理效率，提高整个机台的产能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本申请实施例提供的一种流程式的示意图；
图2为本申请实施例提供的一种机台程式控制方法的流程图；
图3为本申请实施例提供的另一种流程式的示意图；
图4为本申请实施例提供的一种机台程式控制装置的结构框图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
目前，机台的处理单元可以对应有Track recipe，一个Track recipe中，某个处理单元的子程式在该单元中平均所需处理(process)时间最长，该处理单元可以作为瓶颈单元(bottleneck unit)，则一个Track recipe的产能是由瓶颈单元的处理时长决定的。而整个机台的产能不仅与某个Track recipe的产能相关，而是由各个瓶颈单元以及各个Trackrecipe共同决定的。
随着半导体工艺的复杂化，膜层不断增多，光阻和膜厚也不断变化，因此程式也逐渐增多，当这些不同的程式混合运行时，由于各个程式的参数不同，导致存在很多瓶颈单元，导致目前机台的产能有待提高。目前业界一通通过优化每一个Track recipe的产能以及调整流程式一些的差异或者分组派货来提高机台的产能。
而发明人研究发现，瓶颈单元存在很多待处理的晶圆，这些晶圆的存在导致一些需要经过瓶颈单元而无需瓶颈单元处理的晶圆也在瓶颈单元出等待，造成晶圆的堆积，影响机台整体的产能。
为了解决以上技术问题，本申请实施例提供了一种机台程式控制方法及装置，包括根据机台中各个处理单元对各自的子程式的处理时间，确定出处理单元中处理时间最长的瓶颈单元，在瓶颈单元的程式中加入第一伪子程式，第一伪子程式在瓶颈单元的程式中的至少一个子程式之前被调用，第一伪子程式在被调用时，晶圆通过瓶颈单元而不被瓶颈单元处理，这是因为，在瓶颈单元对晶圆处理的过程中，有些晶圆必须经过该瓶颈单元但是无需被瓶颈单元处理，现有技术中的程式并未考虑这些晶圆的通过，因此这些晶圆容易在瓶颈单元堆积，影响这些晶圆在其他处理单元的处理，本申请实施例中，可以在瓶颈单元的程式中增加第一伪子程式，这样堆积的晶圆可以通过瓶颈单元，减少晶圆堆积，提高晶圆处理效率，提高整个机台的产能。
为了更好地理解本申请的技术方案和技术效果，以下将结合附图对具体的实施例进行详细的描述。
参考图2所示，为本申请实施例提供的一种机台程式控制方法的流程图，该方法可以包括以下步骤：
S101，根据机台中各个处理单元对各自的子程式的处理时间，确定出处理单元中处理时间最长的瓶颈单元。
本申请实施例中，机台中的各个处理单元可以根据各自的子程式对晶圆进行处理，根据各个处理单元对各自的子程式的处理时间，可以确定出处理单元中处理时间最长的瓶颈单元，瓶颈单元需要的处理时间较长，会有较多晶圆在等待处理，后续也有较多晶圆在等待通过以便其他单元进行处理，因此容易造成晶圆的堆积，影响其他单元的处理，导致整个机台的产能较低。
本申请实施例中的机台可以是光刻机台，则各个处理单元可以用于执行光刻工艺中的晶圆处理，例如光刻胶的形成、光刻胶的曝光等。
S102，在瓶颈单元的程式中加入第一伪子程式，第一伪子程式在被调用时，晶圆通过瓶颈单元而不被瓶颈单元处理。
在本申请实施例中，可以在瓶颈单元的程式中加入第一伪子程式(dummyrecipe)，第一伪子程式在被调用时，晶圆可以通过瓶颈单元而不被瓶颈单元处理，这样那些不需要被瓶颈单元处理而在瓶颈单元处堆积的晶圆可以快速通过瓶颈单元，进入后续处理单元的处理流程，减少瓶颈单元处的晶圆堆积，在不改造机台的硬件的情况下提高机台的产能。
具体的，为了有效减少瓶颈单元处堆积的晶圆，第一伪子程式需要在瓶颈单元的程式中的至少一个子程式之前被调用，这样不需要被瓶颈单元处理而在瓶颈单元处堆积的晶圆无需等到瓶颈单元处理完其他晶圆即可快速通过瓶颈单元，减少该晶圆在瓶颈单元的等待时间。
具体实施时，第一伪子程式可以均匀分布在瓶颈单元的程式中的多个子程式之间被调用，这样可以瓶颈单元可以在每处理一批晶圆后，通过一批无需处理的晶圆，有效减少晶圆堆积。具体实施时，第一伪子程式也可以在瓶颈单元的程式中的多个子程式的中部被调用，这样可以在瓶颈单元处理一半待处理晶圆后，通过一批无需处理的晶圆，而后再进行剩余待处理晶圆的处理。
参考图3所示，为本申请实施例提供的另一种流程式的示意图，瓶颈单元unit3和unit4可以分别加入第一伪子程式unit3 dummy recipe5和unit4 dummy recipe6，则在流程式flow recipeA中可以增加unit3 dummy recipe5和unit4dummy recipe6，得到flowrecipe+dummy，其中unit3 dummy recipe5和unit4dummy recipe6表征晶圆从待处理单元unit2出来后，经过unit3和unit4后进入unit5。
本申请实施例中，还可以在处理单元的除瓶颈单元之外的其他单元的程式中加入第二伪子程式，第二伪子程式在被调用时，晶圆通过该其他单元而不被该其他单元处理，第二伪子程式可以在该其他单元的程式中的至少一个子程式之前被调用，也可以在该其他单元的程式中的所有子程式之后被调用。前述的其他单元可以为除瓶颈单元之外的处理单元，通过在其他单元的程式中加入第二伪子程式，可以调整各个处理单元的程式中的第二伪子程式数量，例如在其他单元中增加第二伪子程式后，可以使各个处理单元的程式包含相同数量的子程式，则各个处理单元具有相同的结构，提高晶圆处理的规范性以及各个处理单元的利用率。
本申请实施例提供了一种机台程式控制方法，包括根据机台中各个处理单元对各自的子程式的处理时间，确定出处理单元中处理时间最长的瓶颈单元，在瓶颈单元的程式中加入第一伪子程式，第一伪子程式在瓶颈单元的程式中的至少一个子程式之前被调用，第一伪子程式在被调用时，晶圆通过瓶颈单元而不被瓶颈单元处理，这是因为，在瓶颈单元对晶圆处理的过程中，有些晶圆必须经过该瓶颈单元但是无需被瓶颈单元处理，现有技术中的程式并未考虑这些晶圆的通过，因此这些晶圆容易在瓶颈单元堆积，影响这些晶圆在其他处理单元的处理，本申请实施例中，可以在瓶颈单元的程式中增加第一伪子程式，这样堆积的晶圆可以通过瓶颈单元，减少晶圆堆积，提高晶圆处理效率，提高整个机台的产能。
基于以上机台程式控制方法，本申请实施例还提供了一种机台程式控制装置，参考图4所示，为本申请实施例提供的一种机台程式控制装置的结构框图，该装置可以包括：
瓶颈单元确定单元，用于根据机台中各个处理单元对各自的子程式的处理时间，确定出处理单元中处理时间最长的瓶颈单元；
子程式增加单元，用于在所述瓶颈单元的程式中加入第一伪子程式；所述第一伪子程式在所述瓶颈单元的程式中的至少一个子程式之前被调用，所述第一伪子程式在被调用时，晶圆通过所述瓶颈单元而不被所述瓶颈单元处理。
可选的，所述伪子程式均匀分布在所述瓶颈单元的程式中的多个子程式之间被调用。
可选的，所述伪子程式在所述瓶颈单元程式中的多个子程式的中部被调用。
可选的，所述瓶颈单元用于执行光刻工艺中的晶圆处理。
可选的，所述子程式增加单元还用于：
在所述处理单元的除所述瓶颈单元之外的其他单元的程式中加入第二伪子程式；所述第二伪子程式在所述其他单元的程式中的至少一个子程式之前被调用，所述第二伪子程式在被调用时，晶圆通过所述其他单元而不被所述其他单元处理。
本申请实施例提供了一种机台程式控制装置，包括根据机台中各个处理单元对各自的子程式的处理时间，确定出处理单元中处理时间最长的瓶颈单元，在瓶颈单元的程式中加入第一伪子程式，第一伪子程式在瓶颈单元的程式中的至少一个子程式之前被调用，第一伪子程式在被调用时，晶圆通过瓶颈单元而不被瓶颈单元处理，这是因为，在瓶颈单元对晶圆处理的过程中，有些晶圆必须经过该瓶颈单元但是无需被瓶颈单元处理，现有技术中的程式并未考虑这些晶圆的通过，因此这些晶圆容易在瓶颈单元堆积，影响这些晶圆在其他处理单元的处理，本申请实施例中，可以在瓶颈单元的程式中增加第一伪子程式，这样堆积的晶圆可以通过瓶颈单元，减少晶圆堆积，提高晶圆处理效率，提高整个机台的产能。
需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于装置实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
以上所述，仅是本申请的较佳实施例而已，并非对本申请作任何形式上的限制。虽然本申请已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本申请。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本申请技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本申请技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本申请技术方案的内容，依据本申请的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本申请技术方案保护的范围内。

Claims (10)

1.一种机台程式控制方法，其特征在于，包括：
根据机台中各个处理单元对各自的子程式的处理时间，确定出处理单元中处理时间最长的瓶颈单元；
在所述瓶颈单元的程式中加入第一伪子程式；所述第一伪子程式在所述瓶颈单元的程式中的至少一个子程式之前被调用，所述第一伪子程式在被调用时，晶圆通过所述瓶颈单元而不被所述瓶颈单元处理，以便不需要被所述瓶颈单元处理而在所述瓶颈单元处堆积的晶圆快速通过所述瓶颈单元。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述伪子程式均匀分布在所述瓶颈单元的程式中的多个子程式之间被调用。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述伪子程式在所述瓶颈单元程式中的多个子程式的中部被调用。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的方法，其特征在于，所述瓶颈单元用于执行光刻工艺中的晶圆处理。
5.根据权利要求1-3任意一项所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述处理单元的除所述瓶颈单元之外的其他单元的程式中加入第二伪子程式；所述第二伪子程式在被调用时，晶圆通过所述其他单元而不被所述其他单元处理。
6.一种机台程式控制装置，其特征在于，包括：
瓶颈单元确定单元，用于根据机台中各个处理单元对各自的子程式的处理时间，确定出处理单元中处理时间最长的瓶颈单元；
子程式增加单元，用于在所述瓶颈单元的程式中加入第一伪子程式；所述第一伪子程式在所述瓶颈单元的程式中的至少一个子程式之前被调用，所述第一伪子程式在被调用时，晶圆通过所述瓶颈单元而不被所述瓶颈单元处理，以便不需要被所述瓶颈单元处理而在所述瓶颈单元处堆积的晶圆快速通过所述瓶颈单元。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述伪子程式均匀分布在所述瓶颈单元的程式中的多个子程式之间被调用。
8.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述伪子程式在所述瓶颈单元程式中的多个子程式的中部被调用。
9.根据权利要求6-8任意一项所述的装置，其特征在于，所述瓶颈单元用于执行光刻工艺中的晶圆处理。
10.根据权利要求6-8任意一项所述的装置，其特征在于，所述子程式增加单元还用于：
在所述处理单元的除所述瓶颈单元之外的其他单元的程式中加入第二伪子程式；所述第二伪子程式在被调用时，晶圆通过所述其他单元而不被所述其他单元处理。
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