CN106873305B - 光学邻近效应矫正方法 - Google Patents

光学邻近效应矫正方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106873305B
CN106873305B CN201510926262.5A CN201510926262A CN106873305B CN 106873305 B CN106873305 B CN 106873305B CN 201510926262 A CN201510926262 A CN 201510926262A CN 106873305 B CN106873305 B CN 106873305B
Authority
CN
China
Prior art keywords
corrected
graph
pattern
parameters
correcting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201510926262.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106873305A (zh
Inventor
舒强
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Original Assignee
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp filed Critical Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority to CN201510926262.5A priority Critical patent/CN106873305B/zh
Publication of CN106873305A publication Critical patent/CN106873305A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106873305B publication Critical patent/CN106873305B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

本发明公开了一种光学邻近效应矫正方法,包括:提供集成电路的设计版图,所述设计版图具有若干待修正问题图形;测量所有所述待修正问题图形的图形参数;根据所有所述待修正问题图形的图形参数,将所有所述待修正问题图形中属于同一类别的若干待修正问题图形在同一步骤中进行统一修正。在本发明的技术方案中,将待修正问题图形中属于同一类别的若干待修正问题图形在同一步骤中进行统一修正,避免了对同一类别的若干待修正问题图形进行一一修正,因而减少了待修正问题图形的修正次数,缩短了光学邻近效应矫正所用时间,提高了矫正效率。

Description

光学邻近效应矫正方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,特别是涉及一种光学邻近效应矫正方法。
背景技术
在半导体制造过程中,光刻工艺是集成电路生产中最重要的工艺步骤之一。随着半导体制造技术的发展,特征尺寸越来越小,对光刻工艺中分辨率的要求就越来越高。光刻分辨率是指通过光刻机在硅片表面能曝光的最小特征尺寸(Critical Dimension,简称CD),是光刻技术中重要的性能指标之一。
然而,随着半导体技术的发展,半导体器件的特征尺寸越来越小,当特征尺寸接近甚至小于光刻工艺中所使用的光波波长时,由于光的衍射和干涉现象,实际硅片上得到的光刻图形与掩膜版上的图形之间存在一定的变形,这种现象称为光学邻近效应(OpticalProximity Effect,简称OPE)。为了消除光刻中的光学邻近效应,一种有效的方法是光学邻近效应矫正(Optical Proximity Correction,简称OPC),其使形成在掩膜版上的图形为经过光学邻近校正后的图形,之后将掩模版上的图形转移至光刻胶层上时,就不会产生光学邻近效应。
如图1所示,光学邻近效应所引起的图形变形有多种,包括:图1a所示的桥接(bridge)和图1b所示的夹断,所谓桥接是指硅片上相邻两个图形1的局部粘连在一起,所谓夹断是指硅片上的图形1出现断口以致断裂成两个部分。为了避免硅片上的图形出现桥接或夹断等变形,现有光学邻近效应矫正的方法包括:提供集成电路的设计版图,所述设计版图用于制作掩膜版上的图形;对所述设计版图进行初矫正;查找出初矫正后的设计版图上的容易引起变形的图形(在本发明中统一称为待修正问题图形),所述容易引起变形的图形包括容易引起桥接缺陷的图形(本发明统一称为待修正桥接图形)或容易引起夹断缺陷的图形(本发明统一称为待修正夹断图形);逐一对设计版图上的所有待修正问题图形进行修正。
由于在光学邻近效应矫正的过程中,需逐一对设计版图上的所有待修正问题图形进行修正,故当设计版图上具有N个待修正问题图形时,需进行N次修正,导致光学邻近效应矫正所用时间过长、矫正效率较低。
发明内容
本发明要解决的问题是:现有光学邻近效应矫正方法的矫正效率较低。
为解决上述问题,本发明提供了一种光学邻近效应矫正方法,包括:
提供集成电路的设计版图,所述设计版图用于制作掩膜版上的图形,并具有若干待修正问题图形;
测量所有所述待修正问题图形的图形参数;
根据所有所述待修正问题图形的图形参数,将所有所述待修正问题图形中属于同一类别的若干待修正问题图形在同一步骤中进行统一修正。
可选地,将所有所述待修正问题图形中属于同一类别的若干待修正问题图形在同一步骤中进行统一修正的步骤包括:重复对未被修正的部分所述待修正问题图形进行修正的步骤若干次,直至任一属于同一类别的所有待修正问题图形均被修正;
所述对未被修正的部分所述待修正问题图形进行修正的步骤包括:
将所有未被修正的所述待修正问题图形的图形参数按照由小到大或由大到小的顺序排列,获得图形参数排序表;
将所述图形参数排序表中在排列顺序上相邻的两个图形参数相减,获得若干差值;
设定阈值,所述阈值大于所述若干差值中的最小值、小于所述若干差值中的最大值,将所述若干差值中大于所述阈值的每个差值所对应的两个所述待修正问题图形分别定义为第一、二待修正问题图形;
判断每个所述差值所对应的所述第一待修正问题图形与在图形参数的所述排列顺序上邻近的待修正问题图形是否属于同一类别,若是,则将与所述第一待修正问题图形属于同一类别的所有待修正问题图形在同一步骤中进行统一修正,否则,对所述第一待修正问题图形进行单独修正;
判断每个所述差值所对应的所述第二待修正问题图形与在图形参数的所述排列顺序上邻近的待修正问题图形是否属于同一类别,若是,则将与所述第二待修正问题图形属于同一类别的所有待修正问题图形在同一步骤中进行统一修正,否则,对所述第二待修正问题图形进行单独修正。
可选地,任一属于同一类别的所有待修正问题图形均被修正之后,若仍有所述待修正问题图形未被修正,则对未被修正的所有所述待修正问题图形进行逐一修正。
可选地,所有所述对未被修正的部分所述待修正问题图形进行修正的步骤中,未被修正的所述待修正问题图形的图形参数按照相同的顺序排列。
可选地,每次所述对未被修正的部分所述待修正问题图形进行修正的步骤中,未被修正的所述待修正问题图形的图形参数均按照由小到大的顺序排列。
可选地,判断所述第一待修正问题图形与在图形参数的所述排列顺序上邻近的待修正问题图形是否属于同一类别的方法包括:
按照所述排列顺序依次判断图形参数排列在所述第一待修正问题图形的图形参数之后的待修正问题图形是否与所述第一待修正问题图形是否属于同一类别,若是,则继续判断,否则,则终止判断;
按照所述排列顺序的相反顺序依次判断图形参数排列在所述第一待修正问题图形的图形参数之前的待修正问题图形是否与所述第一待修正问题图形是否属于同一类别,若是,则继续判断,否则,则终止判断。
可选地,判断所述第二待修正问题图形与在图形参数的所述排列顺序上邻近的待修正问题图形是否属于同一类别的方法包括:
按照所述排列顺序依次判断图形参数排列在所述第二待修正问题图形的图形参数之后的待修正问题图形是否与所述第二待修正问题图形是否属于同一类别,若是,则继续判断,否则,则终止判断;
按照所述排列顺序的相反顺序依次判断图形参数排列在所述第二待修正问题图形的图形参数之前的待修正问题图形是否与所述第二待修正问题图形是否属于同一类别,若是,则继续判断,否则,则终止判断。
可选地,所述待修正问题图形为待修正桥接图形或待修正夹断图形。
可选地,测量所述待修正桥接图形的图形参数的方法包括:测量所述待修正桥接图形与相邻图形之间的间隔;
测量所述待修正夹断图形的图形参数的方法包括:测量所述待修正夹断图形的宽度。
可选地,对所述待修正问题图形进行修正的方法包括:在矫正数据库中根据所述待修正问题图形的图形参数查找出对应的矫正数据;根据所述矫正数据对所述待修正问题图形进行修正。
可选地,每次所述对未被修正的部分所述待修正问题图形进行修正的步骤中,大于所述阈值的所述差值至少有两个以上。
与现有技术相比,本发明的技术方案具有以下优点:
将设计版图上的所有待修正问题图形中属于同一类别的若干待修正问题图形在同一步骤中进行统一修正,避免了对同一类别的若干待修正问题图形进行一一修正,因而减少了设计版图上所有待修正问题图形的修正次数,缩短了光学邻近效应矫正所用时间,提高了矫正效率。
附图说明
图1是硅片上因光学邻近效应导致的桥接缺陷和夹断缺陷示意图;
图2是本发明的一个实施例中光学邻近效应矫正方法的流程示意图;
图3是本发明的一个实施例中集成电路的设计版图的示意图;
图4是本发明的一个具体实施例中,第一次执行对未被修正的部分所述待修正问题图形进行修正的步骤时,各个待修正问题图形的图形参数之间的差值所对应的数值点在坐标系上的分布示意图;
图5是本发明的一个具体实施例中,第二次执行对未被修正的部分所述待修正问题图形进行修正的步骤时,各个待修正问题图形的图形参数之间的差值所对应的数值点在坐标系上的分布示意图。
具体实施方式
如前所述,现有光学邻近效应矫正方法中,需逐一对设计版图上的所有待修正问题图形进行修正,故当设计版图上具有N个待修正问题图形时,需进行N次修正,导致光学邻近效应矫正所用时间过长、矫正效率较低。
考虑到某些设计版图上所有待修正问题图形中的部分待修正问题图形属于同一类别,而属于同一类别的待修正问题图形能够在同一步骤中进行统一修正的原理,在本发明技术方案的光学邻近效应矫正方法中,将设计版图上属于同一类别的若干待修正问题图形在同一步骤中进行统一修正,避免了对同一类别的若干待修正问题图形进行一一修正,因而减少了设计版图上所有待修正问题图形的修正次数,缩短了光学邻近效应矫正所用时间,提高了矫正效率。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
结合图2至图3所示,首先,执行步骤S1,提供集成电路的设计版图1,设计版图1用于制作掩膜版上的图形,设计版图1具有若干待修正问题图形2。
设计版图1上形成有图形,利用光学邻近效应矫正方法对设计版图1进行矫正后,可以按照设计版图1来制作掩膜版上的图形,这样一来,掩膜版上的图形为经过光学邻近校正后的图形,之后将掩模版上的图形转移至光刻胶层上时,就不会产生因光学邻近效应所导致的图形变形。
受光学邻近效应的影响,设计版图1上的某些图形可能会导致硅片上得到的光刻图形发生一定的变形,该变形包括桥接(bridge)、夹断(pinch)、线条宽度的变化、线条顶端的变化、图形拐角的变化等。在本实施例的附图中,设计版图1上仅显示出会导致变形的图形(即待修正问题图形),而并未显示其他正常图形,相邻两个待修正问题图形2之间可能有未示出的其他正常图形。
在本发明的技术方案中,具有若干待修正问题图形2的设计版图1可以是原始设计版图,也可以是对原始设计版图进行初步矫正后的设计版图。
在本实施例中,设计版图1上的所有待修正问题图形2均为长方形。但需说明的是,在本发明的技术方案中,对待修正问题图形2的形状并不做此限制,其可以根据硅片上欲形成结构的形状来设置待修正问题图形2的形状。
在本实施例中,待修正问题图形2为待修正桥接图形。
检测设计版图1上的图形是否为待修正问题图形2的方法包括:测量设计版图1上相邻两个图形之间的间隔,将测量获得的间隔与标准值进行比较,若测量获得的间隔小于标准值,则表示设计版图1上的相邻两个图形间隔过近,将该测量获得的间隔所对应的两个图形中至少有一个标定为待修正问题图形。
接着,执行步骤S2,获得所有待修正问题图形2的图形参数。
在本实施例中,所述图形参数包括待修正问题图形2与相邻的图形之间的间隔。
接着,执行步骤S3,根据所有待修正问题图形2的图形参数,将所有待修正问题图形2中属于同一类别的若干待修正问题图形2在同一步骤中进行统一修正。
部分待修正问题图形属于同一类别的设计版图有很多,例如,当该设计版图上的图形为图形阵列,该图形阵列由若干相同的图形单元排列而成时,则该设计版图上的部分待修正问题图形会属于同一类别。举例来讲,当利用该设计版图制作出的掩膜版用来在硅片上形成存储器阵列、TFT阵列时,则该设计版图上的部分待修正问题图形会属于同一类别。
在本实施例中,对待修正问题图形2进行矫正的方法包括:在矫正数据库中根据待修正问题图形2的图形参数查找出对应的矫正数据;根据所述矫正数据对待修正问题图形2进行矫正。所述矫正数据库是根据大量的经验数据建立起来的,其收集了大量图形的图形参数范围,所述图形会引起变形(如桥接变形),对应每个所述图形参数范围都给出了相应的矫正数据,根据查找出的所述矫正数据对待修正问题图形2进行矫正之后,硅片上对应该待修正问题图形2的图形不会再出现变形(如桥接变形)。若待修正问题图形2的图形参数未落入所述矫正数据库中的任意一个图形参数范围内,则可以线性插值的近似得到矫正数据。
举例来讲,测量获得设计版图1上某个待修正问题图形2的图形参数为d0,所述矫正数据库中记载有大于等于d1但小于等于d2的图形参数范围,对应该图形参数范围所给出的矫正数据为j,d0落入大于等于d1但小于等于d2的图形参数范围。则根据待修正问题图形2的图形参数d0查找矫正数据库后能获得矫正数据为j,根据矫正数据为j可以对该图形参数为d0的待修正问题图形2进行矫正。
在本实施例中,根据待修正问题图形2的图形参数判断两个待修正问题图形2是否属于同一类别的方法包括:若两个待修正问题图形2的图形参数落入所述矫正数据库中同一个图形参数范围,则可认定两个待修正问题图形2属于同一类别。否则,则可认定两个待修正问题图形2不属于同一类别。当两个待修正问题图形2的图形参数相等或相差很小时,则两个待修正问题图形2属于同一类别。
将所有待修正问题图形2中属于同一类别的若干待修正问题图形2在同一步骤中进行统一修正的步骤中,属于同一类别的所有待修正问题图形2所对应的矫正数据相同,可以利用同一矫正数据对属于同一类别的若干待修正问题图形2同时进行修正,避免了对同一类别的若干待修正问题图形2进行一一修正,因而减少了设计版图1上所有待修正问题图形的修正次数,缩短了光学邻近效应矫正所用时间,提高了矫正效率。
举例来讲,若根据待修正问题图形2的图形参数,设计版图1上的所有待修正问题图形2被划分为第一至四个类别,则可以先对属于第一类别的所有待修正问题图形2在同一步骤中进行统一修正,然后对属于第二类别的所有待修正问题图形2在同一步骤中进行统一修正,依次类推。这样一来,设计版图1上的所有待修正问题图形2仅需进行四次矫正。
当设计版图1上存在一待修正问题图形2与其余的任意一个待修正问题图形2均不属于同一类别时,则需对所述一待修正问题图形2单独进行矫正。
在本实施例中,将所有待修正问题图形2中属于同一类别的所有待修正问题图形2在同一步骤中进行统一修正的步骤包括:重复对未被修正的部分待修正问题图形2进行矫正的步骤若干次,直至任一属于同一类别的所有待修正问题图形2均被修正。
在本实施例中,第一次所述对未被修正的部分待修正问题图形2进行矫正的步骤包括:
1)将所有未被修正的待修正问题图形2的图形参数按照由小到大或由大到小的顺序排列,获得图形参数排序表。
2)将所述图形参数排序表中在排列顺序上相邻的两个图形参数相减,获得若干差值。
3)设定阈值,所述阈值大于所述若干差值中的最小值、小于所述若干差值中的最大值,将所述若干差值中大于阈值的每个差值所对应的两个待修正问题图形2分别定义为第一、二待修正问题图形。
4)判断每个所述差值所对应的所述第一待修正问题图形与在图形参数的所述排列顺序上邻近的待修正问题图形是否属于同一类别,若是,则将与所述第一待修正问题图形属于同一类别的所有待修正问题图形在同一步骤中进行统一修正,否则,对所述第一待修正问题图形进行单独修正。
举例来讲,若大于所述阈值的差值有四个,则在步骤4)中需依次对四个差值所对应的所述第一待修正问题图形与在图形参数的所述排列顺序上邻近的待修正问题图形是否属于同一类别进行判断。
5)判断每个所述差值所对应的所述第二待修正问题图形与在图形参数的所述排列顺序上邻近的待修正问题图形是否属于同一类别,若是,则将与所述第二待修正问题图形属于同一类别的所有待修正问题图形在同一步骤中进行统一修正,否则,对所述第二待修正问题图形进行单独修正。
在本实施例的变换例中,步骤4)和5)的先后顺序可以对调。
在上述步骤3)中,大于所述阈值的所述差值所对应的所述第一、二待修正问题图形由于图形参数相差较大因而很有可能不属于同一类别,而所述第一待修正问题图形与在图形参数的所述排列顺序上邻近的待修正问题图形很有可能属于同一类别,所述第二待修正问题图形与在图形参数的所述排列顺序上邻近的待修正问题图形很有可能属于另一同一类别,故通过步骤3)能够以大于所述阈值的所述差值所对应的所述第一、二待修正问题图形为界,将所有未被修正的待修正问题图形2进行预分类。
在上述步骤4)和5)中,对步骤3)中的预分类进行判断,并分别将与所述第一、二待修正问题图形属于同一类别的所有待修正问题图形在同一步骤中进行统一修正。若所述第一、二待修正问题图形与其它任一待修正问题图形均不属于同一类别,则对所述第一、二待修正问题图形进行单独修正。
经过第一次所述对未被修正的部分待修正问题图形2进行矫正的步骤之后,设计版图1上的部分待修正问题图形2已经被矫正过。接下来,需重复所述对未被修正的部分待修正问题图形2进行矫正的步骤若干次,以分批次地对剩下未被修正过的待修正问题图形2进行矫正,直至任一属于同一类别的所有待修正问题图形2均被修正,即,停止重复所述对未被修正的部分待修正问题图形2进行矫正的步骤时,若仍有待修正问题图形未被修正,则未被修正的待修正问题图形中任意两个待修正问题图形均不属于同一类别。当然,也有可能在停止重复所述对未被修正的部分待修正问题图形2进行矫正的步骤时,未被修正的待修正问题图形为零个。
任一属于同一类别的所有待修正问题图形均被修正之后,若仍有未被修正的所述待修正问题图形,则对未被修正的所有所述待修正问题图形进行逐一修正。
每次执行所述对未被修正的部分待修正问题图形2进行矫正的步骤时,在上述步骤4)和5)中,均以所述第一、二待修正问题图形为中心,判断所述第一、二待修正问题图形与在图形参数的所述排列顺序上邻近的待修正问题图形是否属于同一类别,以此按照特定规律、分批次地来判断出属于同一类别的待修正问题图形2,然后对其在同一步骤中进行统一修正。
虽然在某次所述对未被修正的部分待修正问题图形2进行矫正的步骤中,有可能会出现下述情形:由于某个待修正问题图形的图形参数与在所述排列顺序上相邻的前后两个图形参数均相差过大,造成在上述步骤4)和5)中对所述第一、二待修正问题图形均进行单独修正。但是,由于所述对未被修正的部分待修正问题图形2进行矫正的步骤会重复若干次,且直至任一属于同一类别的所有待修正问题图形2均被修正才停止执行,因此至少在一次所述对未被修正的部分待修正问题图形2进行矫正的步骤中,会将与所述第一待修正问题图形属于同一类别的若干待修正问题图形在同一步骤中进行统一修正,和/或将与所述第二待修正问题图形属于同一类别的若干待修正问题图形在同一步骤中进行统一修正。
在本实施例中,判断所述第一待修正问题图形与在图形参数的所述排列顺序上邻近的待修正问题图形是否属于同一类别的方法包括:按照所述排列顺序依次判断图形参数排列在所述第一待修正问题图形的图形参数之后的待修正问题图形是否与所述第一待修正问题图形是否属于同一类别,若是,则继续判断,否则,则终止判断;按照所述排列顺序的相反顺序依次判断图形参数排列在所述第一待修正问题图形的图形参数之前的待修正问题图形是否与所述第一待修正问题图形是否属于同一类别,若是,则继续判断,否则,则终止判断。
由于所有未被修正的待修正问题图形的图形参数按序排列,因此,通过按照所述排列顺序来判断,所述第一待修正问题图形与在图形参数的所述排列顺序上邻近的待修正问题图形是否属于同一类别时,一旦判断出某一待修正问题图形与所述第一待修正问题图形不属于同一类别,则可以判断出图形参数排列在所述某一待修正问题图形的图形参数之后的待修正问题图形,必定与所述第一待修正问题图形不属于同一类别,因而可以终止按照所述排列顺序来判断,从而提高矫正效率。
类似地,由于所有未被修正的待修正问题图形的图形参数按序排列,因此,通过按照所述排列顺序的相反顺序来判断,所述第一待修正问题图形与在图形参数的所述排列顺序上邻近的待修正问题图形是否属于同一类别时,一旦判断出某一待修正问题图形与所述第一待修正问题图形不属于同一类别,则可以判断出图形参数排列在所述某一待修正问题图形的图形参数之前的待修正问题图形,必定与所述第一待修正问题图形不属于同一类别,因而可以终止按照所述排列顺序的相反顺序来判断,从而提高矫正效率。
在本实施例中,判断所述第二待修正问题图形与在图形参数的所述排列顺序上邻近的待修正问题图形是否属于同一类别的方法包括:按照所述排列顺序依次判断图形参数排列在所述第二待修正问题图形的图形参数之后的待修正问题图形是否与所述第二待修正问题图形是否属于同一类别,若是,则继续判断,否则,则终止判断;按照所述排列顺序的相反顺序依次判断图形参数排列在所述第二待修正问题图形的图形参数之前的待修正问题图形是否与所述第二待修正问题图形是否属于同一类别,若是,则继续判断,否则,则终止判断。通过该方式也能提高矫正效率,其原因参考上面所述。
在本实施例中,所有所述对未被修正的部分所述待修正问题图形进行修正的步骤中,未被修正的所述待修正问题图形的图形参数按照相同的顺序排列。举例来讲,第一次执行所述对未被修正的部分所述待修正问题图形进行修正的步骤时,若未被修正的所述待修正问题图形的图形参数按照由小到大的顺序排列,则在执行后续的每次所述对未被修正的部分所述待修正问题图形进行修正的步骤时,未被修正的所述待修正问题图形的图形参数均按照由小到大的顺序排列。
在本实施例的变换例中,所有所述对未被修正的部分所述待修正问题图形进行修正的步骤中,未被修正的所述待修正问题图形的图形参数也可以按照不同的顺序排列。举例来讲,第一次执行所述对未被修正的部分所述待修正问题图形进行修正的步骤时,若未被修正的所述待修正问题图形的图形参数按照由小到大的顺序排列,则在执行后续的所述对未被修正的部分所述待修正问题图形进行修正的步骤时,未被修正的所述待修正问题图形的图形参数可以按照由大到小的顺序排列。
需说明的是,在本发明的技术方案中,对于上述步骤3)中的所述阈值大小并没有具体限制,只要其大于所述若干差值中的最小值、小于所述若干差值中的最大值即可。当所述阈值越接近所述若干差值中的最大值时,则重复所述对未被修正的部分待修正问题图形2进行矫正的步骤的次数越多。反之,当所述阈值越接近所述若干差值中的最小值时,则重复所述对未被修正的部分待修正问题图形2进行矫正的步骤的次数越少。因此,在每次所述对未被修正的部分待修正问题图形2进行矫正的步骤中,可以根据光学邻近效应矫正方法的矫正效率要求来相应设置所述阈值的大小。
在本实施例中,每次所述对未被修正的部分所述待修正问题图形进行修正的步骤中,大于所述阈值的所述差值至少有两个以上,这样一来,能保证每次步骤中被矫正的待修正问题图形2的数量不会过少,因而提高矫正效率。
在本实施例的步骤3)中,设定阈值的方法包括:如图4所示,建立一坐标系,该坐标系的横坐标表示所述图形参数排序表中在排列顺序上相邻的两个图形参数相减,其中Dn表示在排列顺序上位于第n个的待修正问题图形的图形参数,Dn-1表示在排列顺序上位于第n-1个的待修正问题图形的图形参数,该坐标系的纵坐标表示所述差值Δ,根据将所述图形参数排序表中在排列顺序上相邻的两个图形参数相减、以及对应的差值建立若干数值点(即图中菱形黑点),根据所有所述数值点在所述坐标系上的分布,可以很直观地来设定阈值,以保证大于所述阈值的差值数量不会过少,即位于图中单点划线上方的菱形黑点数量不会过少,以此来提高矫正效率。
下面结合图3至图5对上述光学邻近效应矫正方法实施例中的一个具体例子进行详细介绍。
结合图3至图4所示,提供设计版图1,设计版图1具有若干待修正问题图形2。在本实施例中为了方便说明,将设计版图1上待修正问题图形2的数量设置为十六个,然而,在实际制造过程中所采用的设计版图1中待修正问题图形2可能有上百个甚至上千个。
然后,测量所有待修正问题图形2的图形参数,即能获得十六个图形参数。
接着,执行第一次所述对未被修正的部分待修正问题图形2进行矫正的步骤,具体包括如下:
1)将十六个待修正问题图形2的图形参数按序(由小到大)排列,获得图形参数排序表,该排序表上的图形参数依次为D1、D2、……、D15、D16。其中,D1=D2=D3<D4=D5=D6=D7=D8<D9=D10=D11=D12=D13<D14=D15=D16。图形参数D1、D2、……、D15、D16所对应的待修正问题图形依次定义为第一、二……、十五、十六待修正问题图形。
2)将所述图形参数排序表中在排列顺序上相邻的两个图形参数相减,获得若干差值,依次为D2-D1=D3-D2=0,D4-D3=Δ1,D5-D4=D6-D5=D7-D6=D8-D7=0,D9-D8=Δ2,D10-D9=D11-D10=D12-D11=D13-D12=0,D14-D13=Δ3,D15-D14=D16-D15=0,Δ1<Δ3<Δ2。
3)设定阈值T0,T0小于Δ2,但均大于Δ1、Δ3。
4)判断差值Δ2所对应的第九待修正问题图形与在图形参数的所述排列顺序上邻近的待修正问题图形是否属于同一类别。判断后得知第九、十、十一、十二、十三待修正问题图形属于同一类别,将属于同一类别的第九、十、十一、十二、十三待修正问题图形在同一步骤中进行统一修正。
5)判断差值Δ2所对应的第八待修正问题图形与在图形参数的所述排列顺序上邻近的待修正问题图形是否属于同一类别。判断后得知第四、五、六、七、八待修正问题图形属于同一类别,将属于同一类别的第四、五、六、七、八待修正问题图形在同一步骤中进行统一修正。
由此可见,执行第一次所述对未被修正的部分待修正问题图形2进行矫正的步骤之后,剩下第一至三待修正问题图形、以及第十四至十六待修正问题图形未被修正。
接着,结合图3和图5所示,执行第二次所述对未被修正的部分待修正问题图形2进行矫正的步骤,具体包括如下:
1)将第一至三待修正问题图形、以及第十四至十六待修正问题图形的图形参数按序(由小到大)排列,获得图形参数排序表,该排序表上的图形参数依次为D1、D2、D3、D14、D15、D16。其中,D1=D2=D3<D14=D15=D16。
2)将所述图形参数排序表中在排列顺序上相邻的两个图形参数相减,获得若干差值,依次为D2-D1=D3-D2=0,D14-D3=Δ4,D15-D14=D16-D15=0。
3)设定阈值T1,T1小于Δ4,但大于0。
4)判断差值Δ4所对应的第十四待修正问题图形与在图形参数的所述排列顺序上邻近的待修正问题图形是否属于同一类别。判断后得知第十四、十五、十六待修正问题图形属于同一类别,将属于同一类别的第十四、十五、十六待修正问题图形在同一步骤中进行统一修正。
5)判断差值Δ4所对应的第三待修正问题图形与在图形参数的所述排列顺序上邻近的待修正问题图形是否属于同一类别。判断后得知第一、二、三待修正问题图形属于同一类别,将属于同一类别的第一、二、三待修正问题图形在同一步骤中进行统一修正。
由此可见,执行第二次所述对未被修正的部分待修正问题图形2进行矫正的步骤之后,未有待修正问题图形2未被修正。
在本实施例的变换例中,待修正问题图形2为待修正夹断图形。检测设计版图1上的图形是否为待修正问题图形2的方法包括:测量设计版图1上每个图形的宽度,将测量获得的宽度与标准值进行比较,若测量获得的宽度小于标准值,则表示设计版图1上的该图形过窄、可以将其标定为待修正桥接图形。待修正问题图形2的图形参数包括图形的宽度。
需说明的是,在本发明的技术方案中,设计版图1上待修正问题图形2的种类并不应局限于上述实施例中所讲到的待修正桥接图形、待修正夹断图形。
虽然本发明披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改,因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (10)

1.一种光学邻近效应矫正方法,其特征在于,包括:
提供集成电路的设计版图,所述设计版图用于制作掩膜版上的图形,并具有若干待修正问题图形;
测量所有所述待修正问题图形的图形参数;
根据所有所述待修正问题图形的图形参数,将所有所述待修正问题图形中属于同一类别的若干待修正问题图形在同一步骤中进行统一修正;
将所有所述待修正问题图形中属于同一类别的若干待修正问题图形在同一步骤中进行统一修正的步骤包括:重复对未被修正的部分所述待修正问题图形进行修正的步骤若干次,直至任一属于同一类别的所有待修正问题图形均被修正;
所述对未被修正的部分所述待修正问题图形进行修正的步骤包括:
将所有未被修正的所述待修正问题图形的图形参数按照由小到大或由大到小的顺序排列,获得图形参数排序表;
将所述图形参数排序表中在排列顺序上相邻的两个图形参数相减,获得若干差值;
设定阈值,所述阈值大于所述若干差值中的最小值、小于所述若干差值中的最大值,将所述若干差值中大于所述阈值的每个差值所对应的两个所述待修正问题图形分别定义为第一、二待修正问题图形;
判断每个所述差值所对应的所述第一待修正问题图形与在图形参数的所述排列顺序上邻近的待修正问题图形是否属于同一类别,若是,则将与所述第一待修正问题图形属于同一类别的所有待修正问题图形在同一步骤中进行统一修正,否则,对所述第一待修正问题图形进行单独修正;
判断每个所述差值所对应的所述第二待修正问题图形与在图形参数的所述排列顺序上邻近的待修正问题图形是否属于同一类别,若是,则将与所述第二待修正问题图形属于同一类别的所有待修正问题图形在同一步骤中进行统一修正,否则,对所述第二待修正问题图形进行单独修正。
2.如权利要求1所述的光学邻近效应矫正方法,其特征在于,任一属于同一类别的所有待修正问题图形均被修正之后,若仍有所述待修正问题图形未被修正,则对未被修正的所有所述待修正问题图形进行逐一修正。
3.如权利要求1所述的光学邻近效应矫正方法,其特征在于,所有所述对未被修正的部分所述待修正问题图形进行修正的步骤中,未被修正的所述待修正问题图形的图形参数按照相同的顺序排列。
4.如权利要求3所述的光学邻近效应矫正方法,其特征在于,每次所述对未被修正的部分所述待修正问题图形进行修正的步骤中,未被修正的所述待修正问题图形的图形参数均按照由小到大的顺序排列。
5.如权利要求1所述的光学邻近效应矫正方法,其特征在于,判断所述第一待修正问题图形与在图形参数的所述排列顺序上邻近的待修正问题图形是否属于同一类别的方法包括:
按照所述排列顺序依次判断图形参数排列在所述第一待修正问题图形的图形参数之后的待修正问题图形是否与所述第一待修正问题图形是否属于同一类别,若是,则继续判断,否则,则终止判断;
按照所述排列顺序的相反顺序依次判断图形参数排列在所述第一待修正问题图形的图形参数之前的待修正问题图形是否与所述第一待修正问题图形是否属于同一类别,若是,则继续判断,否则,则终止判断。
6.如权利要求1所述的光学邻近效应矫正方法,其特征在于,判断所述第二待修正问题图形与在图形参数的所述排列顺序上邻近的待修正问题图形是否属于同一类别的方法包括:
按照所述排列顺序依次判断图形参数排列在所述第二待修正问题图形的图形参数之后的待修正问题图形是否与所述第二待修正问题图形是否属于同一类别,若是,则继续判断,否则,则终止判断;
按照所述排列顺序的相反顺序依次判断图形参数排列在所述第二待修正问题图形的图形参数之前的待修正问题图形是否与所述第二待修正问题图形是否属于同一类别,若是,则继续判断,否则,则终止判断。
7.如权利要求1至6任一项所述的光学邻近效应矫正方法,其特征在于,所述待修正问题图形为待修正桥接图形或待修正夹断图形。
8.如权利要求7所述的光学邻近效应矫正方法,其特征在于,测量所述待修正桥接图形的图形参数的方法包括:测量所述待修正桥接图形与相邻图形之间的间隔;
测量所述待修正夹断图形的图形参数的方法包括:测量所述待修正夹断图形的宽度。
9.如权利要求1至6任一项所述的光学邻近效应矫正方法,其特征在于,对所述待修正问题图形进行修正的方法包括:在矫正数据库中根据所述待修正问题图形的图形参数查找出对应的矫正数据;根据所述矫正数据对所述待修正问题图形进行修正。
10.如权利要求1至6任一项所述的光学邻近效应矫正方法,其特征在于,每次所述对未被修正的部分所述待修正问题图形进行修正的步骤中,大于所述阈值的所述差值至少有两个以上。
CN201510926262.5A 2015-12-11 2015-12-11 光学邻近效应矫正方法 Active CN106873305B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510926262.5A CN106873305B (zh) 2015-12-11 2015-12-11 光学邻近效应矫正方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510926262.5A CN106873305B (zh) 2015-12-11 2015-12-11 光学邻近效应矫正方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106873305A CN106873305A (zh) 2017-06-20
CN106873305B true CN106873305B (zh) 2020-05-08

Family

ID=59177718

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510926262.5A Active CN106873305B (zh) 2015-12-11 2015-12-11 光学邻近效应矫正方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106873305B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110515265B (zh) * 2019-08-29 2023-06-13 上海华力集成电路制造有限公司 光学临近矫正批量处理方法及其处理系统
CN113495424B (zh) * 2020-04-08 2024-04-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201405239A (zh) * 2012-07-31 2014-02-01 United Microelectronics Corp 光學鄰近修正方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1255704C (zh) * 2002-04-09 2006-05-10 联华电子股份有限公司 一种修正掩膜布局图的方法
CN101995763B (zh) * 2009-08-17 2012-04-18 上海宏力半导体制造有限公司 光学邻近校正方法
TWI588595B (zh) * 2013-01-24 2017-06-21 聯華電子股份有限公司 光學鄰近修正方法
CN103885285B (zh) * 2014-03-20 2016-08-17 上海华力微电子有限公司 一种针对光刻版图接触孔热点的检查方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201405239A (zh) * 2012-07-31 2014-02-01 United Microelectronics Corp 光學鄰近修正方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106873305A (zh) 2017-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108073047B (zh) 光学临近效应校正方法及系统
US7797656B2 (en) Method of checking and correcting mask pattern
US8042069B2 (en) Method for selectively amending layout patterns
US8225237B2 (en) Method to determine process window
US20170032075A1 (en) System And Method For Discovering Unknown Problematic Patterns In Chip Design Layout For Semiconductor Manufacturing
US20170115556A1 (en) Mask manufacturing method and semiconductor device manufacturing method using the same
US8192902B2 (en) Replaced photomask
CN110456617B (zh) 光学邻近效应修正方法及其修正系统
CN105573048B (zh) 一种光学临近修正模型的优化方法
CN106873305B (zh) 光学邻近效应矫正方法
CN102436149A (zh) 确定光刻工艺窗口的方法
CN108732869B (zh) 一种调试关键尺寸均匀性的方法
CN107193190A (zh) 焦距监测方法
TW201931015A (zh) 設計關鍵性分析擴充之製程窗合格取樣
CN106292174B (zh) 一种提高光学临近修正准确性的方法
US20090225295A1 (en) Systems and methods for determining width/space limits for a mask layout
CN107045259B (zh) 包含有监测图形的掩膜版以及监测方法
CN108107670B (zh) 提高通孔层opc精度的方法
CN112415864B (zh) 一种确定opc最小分割长度的方法
CN105892223B (zh) 一种优化opc验证的方法
US6974650B2 (en) Method of correcting a mask layout
CN108681205B (zh) 栅极区域的opc验证方法
Yang et al. New OPC verification method using die-to-database inspection
CN112599434A (zh) 芯片产品的良率预测方法、存储介质及终端
KR20070101905A (ko) 광 근접 보정 검증 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant