CN112501550A - 沉积掩模、制造其的方法和使用其制造显示装置的方法 - Google Patents

沉积掩模、制造其的方法和使用其制造显示装置的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112501550A
CN112501550A CN202010974157.XA CN202010974157A CN112501550A CN 112501550 A CN112501550 A CN 112501550A CN 202010974157 A CN202010974157 A CN 202010974157A CN 112501550 A CN112501550 A CN 112501550A
Authority
CN
China
Prior art keywords
opening
frame
deposition mask
thickness
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010974157.XA
Other languages
English (en)
Inventor
文敏浩
郭珍午
宋昇勇
李德重
李瑟
任星淳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN112501550A publication Critical patent/CN112501550A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02266—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by physical ablation of a target, e.g. sputtering, reactive sputtering, physical vapour deposition or pulsed laser deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Abstract

提供了一种用于制作显示装置的沉积掩模、制造其的方法和使用其制造显示装置的方法，所述沉积掩模包括：框架，包括第一开口；第一构件，设置在框架的第一开口上方，并且包括围绕至少一个第二开口的第一部分和设置在第二开口中且与第一部分物理分离的第二部分；以及第二构件，设置在第一构件上并且包括连接到框架的第一连接部分和与第二部分叠置的第二网格部分。

Description

沉积掩模、制造其的方法和使用其制造显示装置的方法
本申请要求于2019年9月16日提交的第10-2019-0113341号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请出于所有目的通过引用包含于此，如同在这里充分阐述。
技术领域
发明的示例性实施方式总体涉及一种用于制造电子装置的对层的沉积，更具体地，涉及一种沉积掩模、制造该沉积掩模的方法和使用该沉积掩模制造显示装置的方法。
背景技术
有机发光显示装置是具有自发光显示元件并且包括宽视角、高对比度和快速响应时间的优点的一类显示装置。因此，有机发光显示装置作为下一代显示装置正引起关注。
有机发光显示装置包括在彼此相对的电极之间的包括至少发光层的中间层。电极和中间层可以通过各种方法形成，其中一种方法是沉积法。
本背景技术部分中公开的上述信息仅用于理解发明构思的背景，因此，它可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
根据发明的原理示例性实施方式构造的沉积掩模和制造该沉积掩模的示例性方法以及使用这种沉积掩模制造显示装置的方法具有改善的制造工艺效率和/或避免所得沉积膜中的视觉缺陷。例如，根据示例性实施方式构造的沉积掩模包括不直接由沉积掩模的框架支撑的孔形成部分，从而使得能够仅使用一个开口掩模来形成对应的沉积膜的孔，因此可以提高工艺效率。另外，避免了由于支撑孔形成部分所需的连接构件而导致的沉积膜上的暗线，从而消除了视觉缺陷。
将在下面的描述中阐述发明构思的另外的特征，这些另外的特征通过描述将变得清楚，或者可以通过实践发明构思而习得。
根据发明的一个方面，用于制造显示装置的沉积掩模包括：框架，包括第一开口；第一构件，设置在框架的第一开口上方，并且包括围绕至少一个第二开口的第一部分和设置在第二开口中且与第一部分物理分离的第二部分；以及第二构件，设置在第一构件上并且包括连接到框架的第一连接部分和与第二部分叠置的第二网格部分。
第二部分可以被构造为在由沉积掩模制造的沉积膜中制造孔并且可以连接到第二网格部分。
第二部分可以直接连接到第二网格部分。
第二部分可以利用激光被焊接到第二网格部分。
不锈钢(SUS)构件可以设置在框架的边缘上，其中，SUS构件可以连接到框架。
第一构件可以包括基于框架的一个表面具有第一厚度的开口片；第二构件可以包括基于开口片的一个表面具有第二厚度的金属片；SUS构件可以基于框架的所述一个表面具有第三厚度；其中，第三厚度可以比第一厚度和第二厚度的总和大。
第三厚度与第一厚度和第二厚度的总和之间的差可以为至少约600μm。
SUS构件可以焊接到框架。
第二部分可以具有大致圆形剖面形状。
第一连接部分可以直接连接并焊接到框架。
第一连接部分可以包括具有大致矩形形状的金属连接部分；并且第二网格部分可以包括具有大致网格形状的金属网格部分。
金属网格部分可以包括：第一线，在一个方向上延伸；以及第二线，在与所述一个方向交叉的另一方向上延伸。
连接图案可以设置在第二网格部分与第二部分之间，其中，连接图案直接连接到第二网格部分和第二部分。
根据发明的另一方面，用于制造显示装置的沉积掩模包括：框架，包括第一开口；第一构件，设置在框架的第一开口上方并且包括至少一个第二开口；以及第二构件，设置在第一构件上，并且包括连接到框架的第一连接部分和与第一连接部分相邻设置且与第二开口叠置的第二支撑部分，其中，第二支撑部分包括第二网格部分和被第二网格部分围绕的插塞。
不锈钢(SUS)构件可以设置在框架的边缘上并且连接到框架。
第一构件可以包括基于框架的一个表面具有第一厚度的开口片；第二构件可以包括基于开口片的一个表面具有第二厚度的金属片；第二支撑部分可以包括金属主部；第一连接部分可以包括金属连接部分；第二网格部分可以包括金属网格部分；并且SUS构件可以基于框架的所述一个表面具有第三厚度；其中，第三厚度可以比第一厚度和第二厚度的总和大，并且第三厚度与第一厚度和第二厚度的总和之间的差可以为至少约600μm。
插塞可以包括具有大致圆形剖面形状的沉积阻挡部。
根据发明的其他方面，制造用于制作显示装置的沉积掩模的方法包括如下步骤：提供开口片，开口片具有围绕至少一个开口的第一部分、设置在至少一个开口中的第二部分以及使第一部分和第二部分连接的第三部分；在开口片上设置金属片，金属片具有金属网格部分；以及焊接金属网格部分和第二部分并且将第三部分从开口片去除。
使用激光执行焊接金属网格和第二部分并且将第三部分从开口片去除的步骤。
根据发明的另一方面，制造显示装置的方法包括如下步骤：提供沉积掩模，沉积掩模包括框架、开口片和金属片，框架具有第一开口，开口片设置在框架的第一开口上方并且具有围绕至少一个第二开口的第一部分和设置在第二开口中且与第一部分物理分离的第二部分，金属片设置在开口片上并且具有连接到框架的金属连接部分和与第二部分叠置且在其中具有沉积开口的金属网格部分；在与金属网格部分间隔开间隙的位置中设置目标基底；通过在金属网格中的沉积开口将沉积材料沉积在目标基底上；以及形成包括通过与第二部分叠置的部分形成的第三开口的沉积膜。
将理解的是，前面的一般性描述和后面的详细描述都是示例性的和说明性的，并意在提供对要求保护的发明的进一步解释。
附图说明
附图示出了发明的示例性实施例并且与描述一起用于解释发明构思，附图被包括以提供对发明的进一步理解，并且被包含在本说明书中且构成本说明书的一部分。
图1是示出根据发明的原理构造的沉积掩模的示例性实施例的平面图。
图2是示出图1的框架的示例性实施例的平面图。
图3是示出图1的开口片的示例性实施例的平面图。
图4是示出图1的金属片的示例性实施例的平面图。
图5是沿着图1的线V-V'截取的剖视图。
图6是沿着图1的线VI-VI'截取的剖视图。
图7是沿着图1的线VII-VII'截取的剖视图。
图8是示出图4的区域A的放大平面图。
图9是示出图4的区域B的放大平面图。
图10是示出图7的区域C的放大剖视图。
图11是示出根据发明的原理的制造沉积掩模的示例性方法的步骤的流程图。
图12至图15是示出根据发明的原理的制造沉积掩模的方法中的示例性步骤的平面图。
图16是示出图15的区域D的放大平面图。
图17和图18是根据发明的原理的示出了制造沉积掩模的方法中的示例性步骤的图15的区域D的放大平面图。
图19是示出根据发明的原理的在制造显示装置的方法中的示例性步骤的平面图。
图20是沿着图19的线XX-XX'截取的剖视图。
图21是沿着图19的线XXI-XXI'截取的剖视图。
图22是描绘根据金属片与目标基底之间的间隙沉积的膜的图示表。
图23是示出根据发明的原理构造的沉积掩模的另一示例性实施例的平面图。
图24是示出根据发明的原理构造的沉积掩模的另一示例性实施例的剖视图。
具体实施方式
在以下描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以提供对发明的各种示例性实施例或实施方式的透彻的理解。如在这里使用的“实施例”和“实施方式”是可互换的词语，这些词语是采用在这里公开的发明构思中的一个或更多个的装置或方法的非限制性示例。然而，显而易见的是，各种示例性实施例可以在没有这些具体细节的情况下或使用一个或更多个等效布置来实践。在其他情况下，以框图形式示出了公知的结构和装置，以避免不必要地模糊各种示例性实施例。此外，各种示例性实施例可以是不同的，但不必是排他性的。例如，在不脱离发明构思的情况下，示例性实施例的特定形状、构造和特性可以在另一示例性实施例中使用或实现。
除非另外说明，否则示出的示例性实施例将被理解为提供可以在实践中实施发明构思的一些方式的变化的细节的示例性特征。因此，除非另有说明，否则在不脱离发明构思的情况下，各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中单独地或统一地被称为“元件”)等可以另外组合、分离、交换和/或重新布置。
通常提供附图中的交叉影线和/或阴影的使用是为了使相邻元件之间的边界清楚。如此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在与否都不传达或指示对元件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、图示元件之间的共性和/或任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述性目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实施示例性实施例时，可以不同于所描述的顺序来执行特定工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或者以与描述的顺序相反的顺序执行。此外，同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称为“在”另一个元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。为此，术语“连接”可以指在具有或不具有中间元件的情况下的物理连接、电气连接和/或流体连接。此外，D1轴、D2轴和D3轴不限于直角坐标系的诸如x轴、y轴和z轴的三条轴，而是可以在更广泛的意义上解释。例如，D1轴、D2轴和D3轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个(种/者)”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个(种/者)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z，或者X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合，诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。
尽管术语“第一”、“第二”等在这里可以用于描述各种类型的元件，但这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开来。因此，在不脱离公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被命名为第二元件。
出于描述的目的，可在这里使用诸如“在……之下”、“在……下面”、“在……下方”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“更/较高”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语，并由此描述如附图中所示的一个元件与另外的(多个)元件的关系。空间相对术语除了包括在附图中描绘的方位之外，还意图包括设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果翻转附图中的设备，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”的元件于是将被定向为“在”其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包含上方和下方两种方位。此外，设备可以被另外定向(例如，旋转90度或在其他方位处)，并且如此，相应地解释在这里使用的空间相对描述符。
这里使用的术语是为了描述具体实施例的目的，而不意图成为限制。除非上下文另外清楚地指出，否则如在这里使用的单数形式“一个(种/者)”和“所述/该”也意图包括复数形式。此外，术语“包含”、“包括”和/或其变型用在本说明书中时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。还注意的是，如在这里使用，术语“基本上”、“大约”和其他类似术语被用作近似术语而不是用作程度术语，并且如此被用来解释本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值中的固有偏差。
这里，参照作为理想化示例性实施例和/或中间结构的示意性图示的剖视图和/或分解图来描述各种示例性实施例。这样，将预期例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，这里公开的示例性实施例不应必须被解释为局限于区域的具体图示形状，而是要包括例如由制造引起的形状上的偏差。以这种方式，附图中示出的区域本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状，如此不必意图成为限制。
除非另外限定，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开是其一部分的领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。术语(诸如在通用字典中定义的术语)应被解释为具有与相关领域的上下文中它们的意思一致的意思，而不应以理想化的或过于形式化的含义来进行解释，除非这里明确地如此定义。
图1是示出根据发明的原理构造的沉积掩模的示例性实施例的平面图。图2是示出图1的框架的示例性实施例的平面图。图3是示出图1的开口片的示例性实施例的平面图。图4是示出图1的金属片的示例性实施例的平面图。图5是沿着图1的线V-V'截取的剖视图。图6是沿着图1的线VI-VI'截取的剖视图。图7是沿着图1的线VII-VII'截取的剖视图。图8是示出图4的区域A的放大平面图。图9是示出图4的区域B的放大平面图。图10是示出图7的区域C的放大剖视图。在图4中，为了便于描述，示出了第二部分250。
根据发明的示例性实施例构造的沉积掩模可以用于在诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、智能手表、手表电话、移动通信终端、数字助理、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航系统、超移动PC(UMPC)的便携式电子装置或电视机、笔记本、监视器、广告牌或物联网装置的显示装置中沉积有机层或无机层的沉积工艺中。例如，沉积掩模可以用于沉积有机发光显示装置的有机发光层或用于空穴注入/传输层、电子注入/传输层等的有机薄膜，并且还可用于沉积其它有机膜、无机膜、金属图案等。沉积掩模可以是包括开口的开口掩模，开口具有与将形成在目标基底上的薄膜的图案相同的图案。
参照图1至图10，沉积掩模1包括框架100、第一构件和第二构件，第一构件可以是设置在框架100上的开口片200的形式，第二构件可以是设置在开口片200上的一个或更多个金属片300的形式。根据一个示例性实施例的沉积掩模1还可以包括设置在框架100上的一个或更多个不锈钢(SUS)构件400。
首先，参照图1和图2，框架100可以包括第一开口OP1。框架100可以用于固定开口片200和金属片300。框架100可以连接到开口片200和金属片300，并且还可以直接连接到开口片200和金属片300。例如，框架100可以通过焊接工艺连接到开口片200和金属片300。框架100可以具有其中在其中心处或附近形成有第一开口OP1的大致四边形框架形式。框架100可以包括具有预定宽度并在一个方向上延伸的两条短边框和在与所述一个方向交叉的另一方向上延伸的两条长边框。
当从Z轴方向(例如，上方)观看时，两条短边框和两条长边框可以完全围绕第一开口OP1。框架100可以由具有高强度的金属材料(例如，不锈钢)形成。
开口片200可以设置在框架100上。如图3中所示，当从上方观看时，开口片200可以包括第一部分210和被第一部分210围绕的第二开口OP2。第二开口OP2可以被设置为多个第二开口OP2。多个第二开口OP2可以在一个方向以及另一方向上布置。当从上方观看时，第一部分210可以完全围绕多个第二开口OP2。第一部分210的大致平面形状可以是大致格子形状，但不限于此。
如所描绘的，五个第二开口OP2设置在一个方向上并且两个第二开口OP2设置在另一方向上，总共10个第二开口OP2，但是一个方向和另一方向上的第二开口OP2的数量不限于此。
开口片200还可以包括第二部分250，当从上方观看时，第二部分250与第一部分210物理地分离并且设置在第二开口OP2中。第一部分210和第二部分250可以被设置为共面并且由相同的材料形成。
第二开口OP2的大致平面形状可以与如下面描述的显示装置的通过第二开口OP2沉积的沉积膜的大致平面形状对应。沉积膜的大致平面形状可以粗略地与显示装置的大致平面形状对应。显示装置的大致平面形状可以是具有大致角形拐角的大致矩形形状，但不限于此，并且可以是具有大致圆形拐角的大致矩形形状、大致正方形形状、大致圆形形状、大致椭圆形形状或另一大致多边形形状。
如图3中所示，第二部分250的大致平面形状可以是大致圆形形状。第二部分250可以用作在用于显示装置的沉积膜的沉积工艺期间在与第二部分250对应的部分处形成沉积膜的孔。显示装置可以包括与沉积膜的孔对应的传感器。传感器可以是设置在显示装置的面板下方并与沉积膜的孔对应的面板下传感器(UPS)或面板下相机(UPC)，但不限于此。
在根据一些示例性实施例的沉积掩模1中，由于第二部分250与第一部分210物理地分离并且用于形成沉积膜的孔，所以在用于显示装置的沉积膜的沉积工艺期间，多个沉积掩模或连接第二部分250和第一部分210的连接构件(例如，大致细杆)不是形成沉积膜的孔所必需的。
当使用多个沉积掩模来形成对应的沉积膜的孔时，增加了工艺时间和工艺成本。当使用连接第二部分250和第一部分210的连接构件(例如，细杆)来形成对应的沉积膜的孔时，由于连接构件，会从沉积膜看到暗线等，从而导致视觉缺陷。
然而，由于根据一个示例性实施例的沉积掩模1包括上述第二部分250，所以可以仅使用一个开口掩模来形成对应的沉积膜的孔，并且可以防止由于连接第二部分250和第一部分210的连接构件而导致的沉积膜上的暗线可见。
与第一部分210分离的第二部分250可以连接到金属片300。金属片300可以包括金属材料。如图1和图4中所示，金属片300可以具有在一个方向上延伸的大致细长形状。
金属片300可以包括一个或更多个第一连接部分和一个或更多个第二网格部分，所述一个或更多个第一连接部分可以是连接到框架100的金属连接部分310的形式，所述一个或更多个第二网格部分可以是邻近金属连接部分310设置的金属网格部分350的形式。金属连接部分310可以被设置为与框架100的在第一开口OP1周围的区域的一部分叠置，并且可以设置为与开口片200的第一部分210叠置。
金属网格部分350可以被设置为与开口片200的第二开口OP2和第一部分210的与第二开口OP2相邻的部分叠置，并且可以如图9中所示被设置为与第二部分250叠置。金属连接部分310可以具有大致矩形形状，金属网格部分350可以具有大致网格状的形状。
如上所述，第二部分250和第一部分210彼此物理地分离，并且第二部分250可以固定地连接到金属网格部分350。第二部分250可以直接连接到金属网格部分350。例如，第二部分250可以焊接到金属网格部分350以直接连接到金属网格部分350。第二部分250与金属网格部分350之间的焊接可以使用激光来执行。
参照图8，金属网格部分350可以包括在一个方向(例如，Y方向)上延伸的第一线L1和在另一个方向(例如，X方向)上延伸的第二线L2。第一线L1和第二线L2可以分别被设置为多条第一线L1和多条第二线L2。多条第一线L1可以布置在一个方向上，并且多条第二线L2可以布置在另一方向上。
第一线L1可以在与多条第二线L2交错的同时延伸，并且第二线L2可以在与多条第一线L1交错的同时延伸。例如，第一线L1可以在与多条第二线L2以如下方式交错的同时延伸：第一线L1在多条第二线L2中的一条下方延伸并且在多条第二线L2中的与所述一条相邻的另一条上方延伸。类似地，第二线L2可以在与多条第一线L1以如下方式交错的同时延伸：第二线L2在多条第一线L1中的一条下方延伸并且在多条第一线L1中的与所述一条相邻的另一条上方延伸。
金属网格部分350可以具有其中多条第一线L1和多条第二线L2交错的大致网格形状，并且由大致网格形状围绕的部分可以是网格开口。沉积材料可以穿过网格开口，并且所述沉积材料可以不穿过其中设置有多条第一线L1和多条第二线L2的部分。
SUS构件400可以设置在框架100的两条短边框的边缘区域104上。如在图1的图示实施例中所描绘的，两个SUS构件400设置在框架100的两条短边框上，但是示例性实施例不限于此，并且SUS构件400的数量可以是一个或者三个或更多个。
SUS构件400可用于在金属网格部分350与将在下面描述的目标基底之间保持预定间隙。也就是说，SUS构件400可以具有能够保持金属网格部分350与目标基底之间的预定间隙的厚度。
SUS构件400可以直接连接到框架100的两条短边框。例如，SUS构件400可以直接固定地焊接到框架100的两条短边框。因此，当对目标基底执行沉积工艺时，可以防止由于SUS构件400的移动而导致的位于SUS构件400上方的目标基底的移动。
SUS构件400可以包括不锈钢但不限于此，并且可以包括具有能够维持金属网格部分350与目标基底之间的预定间隙的强度并且可焊接到框架100的任何材料。
参照图5和图6，在框架100中，一条短边框(图1的上短边框)与另一条短边框(图1的下短边框)间隔开且第一开口OP1位于它们之间。
开口片200可以设置在框架100上。第一部分210可以设置在框架100的一个表面上。第一部分210可以直接设置在框架100的一个表面上以与第一开口OP1叠置。
在图5和图6中，当从上方观看时，第一部分210可以具有其中被分割的第一部分210被一体地连接的大致格子形状。
在图5和图6中，第二开口OP2可以限定在设置为彼此间隔开的被分割的第一部分210之间。当从上方观看时，第二开口OP2可以设置在第一开口OP1中或之上。
如上所述，开口片200还可以包括设置在第二开口OP2中的第二部分250，并且第二部分250被设置为与第一部分210共面并且通常由与第一部分210相同的材料制成。
金属片300可以设置在开口片200上。金属片300的金属网格部分350可以被设置为与第二开口OP2和第一开口OP1叠置。金属网格部分350可以延伸以比第二开口OP2长，以便与第一部分210部分地叠置。
金属片300可以直接设置在开口片200上。金属片300的金属网格部分350可以直接设置在可以具有一个表面204的开口片200的第一部分210和第二部分250上。金属网格部分350和第二部分250可以通过诸如如上所述的焊接工艺的工艺直接连接。也就是说，虽然第二部分250与第一部分210物理地分离，但是第二部分250可以直接且固定地焊接到金属网格部分350。SUS构件400可以设置在框架100的两条短边框上。
开口片200可以具有第一厚度t1，金属片300可以具有第二厚度t2，SUS构件400可以具有第三厚度t3，并且第三厚度t3与第一厚度t1和第二厚度t2的总和之间的差可以是第四厚度(或称为间隙)t4。
第一厚度t1可以在例如约100μm至约200μm的范围内，并且第二厚度t2可以在例如约20μm至约40μm的范围内。
第三厚度t3可以比第一厚度t1和第二厚度t2的总和大。因此，可以保持将设置在SUS构件400上的目标基底与金属片300之间的间隙。
第三厚度t3可以通过考虑第四厚度t4来设置。
第三厚度t3可以设定在使得第四厚度t4为至少约600μm的范围内。下面将详细描述第三厚度t3和目标基底与金属片300之间的间隙。
参照图7，示出了图1的框架100的两条长边框。
金属连接部分310可以连接到框架100。金属连接部分310的一部分可以由于金属连接部分310与第一部分210之间的台阶差而在厚度方向上弯曲，并且可以连接到框架100。金属连接部分310可以直接连接到第一部分210。例如，金属连接部分310可以通过诸如焊接方法的方法直接连接到第一部分210。
参照图10，金属网格部分350可以直接连接到第二部分250。金属网格部分350可以包括上述多条第一线L1和多条第二线L2。如图10中所示，在金属网格部分350中，多个图案可以直接连接到第二部分250。多个图案可以由多条第一线L1和多条第二线L2中的至少一条形成。
如上所述，在根据示出的示例性实施例的沉积掩模1中，第二部分250与第一部分210物理分离并且用于形成沉积膜的孔，因此在用于显示装置的沉积膜的沉积工艺期间，可以不使用多个沉积掩模或连接第二部分250和第一部分210的连接构件(例如，细杆)来形成对应的沉积膜的孔。
当多个沉积掩模用于形成对应的沉积膜的孔时，会增加工艺时间和工艺成本。另外，当使用连接第二部分250和第一部分210的连接构件(例如，细杆)来形成对应的沉积膜的孔时，由于连接构件，会从沉积膜看到暗线等，从而会出现视觉缺陷。
然而，由于根据一个示出的实施例的沉积掩模1包括上述第二部分250，因此可以仅使用一个开口掩模来形成对应的沉积膜的孔，并且可以防止由于连接第二部分250和第一部分210的连接构件而导致的沉积膜上的暗线可见。
在下文中，将描述制造上述沉积掩模的方法。将省略对与上述实施例的组件相同或相似的组件的详细描述以避免冗余。
图11是示出根据发明的原理的制造沉积掩模的示例性方法的步骤的流程图。图12至图15是示出根据发明的原理的制造沉积掩模的方法中的示例性步骤的平面图。图16是示出图15的区域D的放大平面图。图17和图18是根据本发明的原理的示出了制造沉积掩模的方法中的示例性步骤的图15的区域D的放大平面图。
首先，参照图11和图12，提供包括围绕至少一个开口的第一部分210、当从上方观看时设置在开口中的第二部分250a以及连接第一部分210和第二部分250a的第三部分270的开口片200a(S10)。可以进一步将在图1和图2中示出的框架100设置在开口片200a下方。
可以在第二部分250a与第一部分210之间设置第三部分270，并且第三部分270可以用于连接第二部分250a和第一部分210。第三部分270可以与第二部分250a和第一部分210共面并且由与它们相同的材料形成。
由于除了第二部分250a通过第三部分270连接到第一部分210之外，第二部分250a与图1和图3中示出的第二部分250相同，因此将省略其重复描述以避免冗余。
第三部分270可以连接第二部分250a的一侧和第一部分210，并且连接第二部分250a的与作为第二部分250a的所述一侧相对的一侧的另一侧和第一部分210。
可以在第二开口OP2中设置第三部分270。也就是说，可以通过第三部分270使第二部分250a物理地连接到第一部分210。
然后，参照图11和图13，将包括金属网格部分350的金属片300a设置在开口片200a上(S20)。金属片300a可以包括金属连接部分310a，金属连接部分310a设置在金属网格部分350中的每个的一侧和另一侧处并且连接到金属网格部分350中的每个的一侧和另一侧。
将金属片300a设置在开口片200a上的操作S20可以包括其中将金属片300a在一个方向上拉长并设置在开口片200a上的操作。因此，可以减少或防止其中金属片300a的金属网格部分350下垂等现象。
参照图14，在将金属片300a设置在开口片200a上(S20)之后，还可以包括其中将连接到金属片300a的金属网格部分350中的每个的一侧和另一侧的金属连接部分310a焊接到框架100的操作。
可以使用激光来执行将金属连接部分310a焊接到框架100的操作。例如，激光器发射光到金属连接部分310a和框架100，以使金属连接部分310a和框架100的至少一部分熔化，从而直接焊接金属连接部分310a和框架100。
在其中激光器发射光的操作中，激光器可以是点激光器。也就是说，如图14中所示，点激光器可以在另一方向上以预定间隔将光发射到金属连接部分310a和框架100上，以焊接金属连接部分310a和框架100。在图14中，在另一方向上设置金属连接部分310a和框架100被焊接的部分，但不限于此，并且还可以在一个方向上设置或在所述另一方向和所述一个方向上设置金属连接部分310a和框架100被焊接的部分。另外，如示出的，在框架100的一条短边框的一侧的焊接金属连接部分310a和框架100的部分的数量为六个，并且在另一条短边框的一侧的焊接金属连接部分310a和框架100的部分的数量为六个，但是焊接部分的数量不限于此。另外，一条短边框的一侧的焊接部分的数量可以与另一条短边框的一侧的焊接部分的数量不同。
然后，可以去除设置在其中金属连接部分310a和框架100被焊接的部分外侧的部分。当设置在其中金属连接部分310a和框架100被焊接的部分的外侧的部分被去除时，金属连接部分310a的端部可以与框架100的端部对齐，但是示例性实施例不限于此。
然后，参照图15，将框架100、开口片200a和金属片300a翻转。也就是说，可以将框架100、开口片200a和金属片300a的堆叠顺序从图14的堆叠顺序改变。因此，堆叠顺序可以是金属片300a、开口片200a和框架100的堆叠顺序。
可以在框架100的第一开口OP1和开口片200a的第二开口OP2中向外部暴露开口片200a的第二部分250a和第三部分270。
然后，参照图11、图14和图16，连接第二部分250a和金属网格部分350(S30)。其中将第二部分250a和金属网格部分350连接的操作(S30)可以包括其中使第二部分250a和金属网格部分350直接连接的操作。其中使第二部分250a和金属网格部分350直接连接的操作可以包括例如焊接第二部分250a和金属网格部分350的操作。
可以使用激光来执行其中焊接第二部分250a和金属网格部分350的操作。激光器可以是点激光器。也就是说，如图16中所示，点激光器可以在随机方向上以预定间隔将光发射到金属网格部分350和第二部分250a上。在图16中，金属网格部分350和第二部分250a被焊接的部分的数量为四个，但焊接部分的数量不限于此。
然后，参照图11、图14、图17和图18，从开口片200a去除第三部分270(S30)。
可以使用激光来执行从开口片200a去除第三部分270的操作S30。激光器可以是点激光器。也就是说，如图17中所示，激光器可以将光发射到第一部分210与第三部分270之间的边界处和第三部分270与第二部分250a之间的边界处，以将第三部分270从开口片200a去除并获得如上所述的第二部分250。
因此，如图9和图18中所示，第二部分250可以直接连接到金属网格部分350。在下文中，将描述根据一个示出的实施例的使用上述沉积掩模1制造显示装置的方法。将省略对与上述实施例的组件相同或相似的组件的详细描述以避免冗余。
图19是示出根据发明的原理的制造显示装置的方法中的示例性步骤的平面图。图20是沿着图19的线XX-XX'截取的剖视图。图21是沿着图19的线XXI-XXI'截取的剖视图。图22是描绘根据金属片与目标基底之间的间隙沉积的膜的图示表。
参照图19至图22，提供了根据一个示例性实施例的沉积掩模1。
如上所述，沉积掩模1可以包括框架100、开口片200和金属片300，框架100包括第一开口OP1，开口片200包括第一部分210和第二部分250，第一部分210设置在框架100的第一开口OP1上方并且围绕至少一个第二开口OP2，第二部分250当从Z轴方向(例如，上方)观看时设置在第二开口OP2中并且与第一部分210物理分离，金属片300包括设置在开口片200上并连接到框架100的金属连接部分310和设置为与第二部分250叠置的金属网格部分350。
然后，在沉积掩模1上设置目标基底500。目标基底500可以是其中通过沉积掩模1沉积有沉积材料DPMa的沉积基底。目标基底500可以是包括诸如玻璃和石英中的至少一种的刚性材料的刚性基底，但不限于此，或者可以是包括柔性材料的柔性基底。当从上方观看时，目标基底500可以具有大致矩形形状。然而，目标基底500不限于此，而是可以是正方形形状、圆形形状、椭圆形形状或任何多边形形状。
在其中将目标基底500设置在沉积掩模1上的操作中，目标基底500可以被设置为与SUS构件400直接接触。如上所述，开口片200可以具有第一厚度t1，金属片300可以具有第二厚度t2，SUS构件400可以具有第三厚度t3，并且第三厚度t3与第一厚度t1和第二厚度t2的总和之间的差可以是第四厚度t4。
第一厚度t1可以在例如约100μm至约200μm的范围内，第二厚度t2可以在例如约20μm至约40μm的范围内。
第三厚度t3可以比第一厚度t1和第二厚度t2的总和大。因此，可以保持将设置在SUS构件400上方的目标基底500与金属片300之间的预定间隙。可以通过考虑第四厚度t4来设定第三厚度t3。可以将第三厚度t3设定在使得第四厚度t4为至少约600μm的范围内。
从沉积掩模1下方向上将沉积材料DPMa传导(例如，通过喷射)到沉积掩模1。通过第一开口OP1(参见图1)和第二开口OP2(参见图1)将沉积材料DPMa沉积在目标基底500上。
更具体地，当沉积材料DPMa从沉积掩模1下方向上传导到沉积掩模1时，由于框架100，沉积材料DPMa不会在除了第一开口OP1之外的区域处向上传导到沉积掩模1。也就是说，仅向第一开口OP1移动的沉积材料DPMa被传导到开口片200。
由于开口片200的第一部分210和第二部分250，传导到开口片200的沉积材料DPMa在除了第二开口OP2之外的区域处不传导到金属片300。也就是说，穿过第一开口OP1的沉积材料DPMa中的只有朝向的第二开口OP2移动的沉积材料DPMa被传导到金属片300。
在除了由金属片300的上述第一线L1和第二线L2形成的金属开口的区域之外处，传导到金属片300的沉积材料DPMa由于金属片300的第一线L1和第二线L2而不传导到目标基底500。也就是说，穿过开口片200的沉积材料DPMa中的只有朝向金属开口移动的沉积材料DPMa被传导到目标基底500。
只有朝向第一开口OP1、第二开口OP2和金属开口移动的沉积材料DPMa被传导到目标基底500以形成沉积膜DPM。沉积膜DPM还可以包括形成在其中的第三开口OP3。除了沉积膜DPM中的第三开口OP3之外的区域可以与第一开口OP1、第二开口OP2和金属开口粗略地对应。
可以将沉积膜DPM的第三开口OP3设置为与开口片200的第二部分250粗略地叠置且与其对应。另外，沉积膜DPM还可以包括与第一线L1和第二线L2对应的图案或第四开口。
间隙t4设置在目标基底500与金属片300的金属网格部分350之间。即使当间隙t4大且在穿过开口片200的沉积材料DPMa中的只有朝向金属开口移动的沉积材料DPMa被传导到目标基底500时，也可以实质上降低沉积膜DPM的与金属网格部分350的第一线L1和第二线L2对应的图案或第四开口的可见性。将参照图22对此进行描述。
参照图22，示出了根据金属网格部分350与目标基底500之间的间隙t4在反射模式和透射模式中的每种模式下的沉积膜DPM的平面形状。在反射模式下的大致平面形状通过从沉积膜DPM下方向上发射光并拍摄沉积膜DPM的图像而形成，在透射模式下的大致平面形状通过从沉积膜DPM上方向下发射光并拍摄沉积膜DPM的图像而形成。在反射模式中，相对暗的部分是沉积膜DPM的图案或第四开口，并且相对亮的部分其中是沉积膜DPM中未设置有图案或第四开口的部分。在透射模式中，相对亮的部分是沉积膜DPM的图案或第四开口，并且相对暗的部分是其中沉积膜DPM中未设置有图案或第四开口的部分。
如图22中所示，随着金属网格部分350与目标基底500之间的间隙t4从约0μm增加到约50μm并高达约600μm，在反射模式中相对暗的部分不显著可见，且在透射模式中相对亮的部分不显著可见。
根据一个示例性实施例的金属网格部分350与目标基底500之间的间隙t4可以在约500μm至2000μm的范围内。金属网格部分350与目标基底500之间的间隙t4可以在约600μm至约1000μm的范围内。当金属网格部分350与目标基底500之间的间隙t4为至少约600μm时，沉积膜DPM的图案或第四开口不会通过视觉检查被识别，并且当金属网格部分350与目标基底500之间的间隙t4不大于约1000μm时，可以防止由于容纳沉积掩模1和目标基底500的扩大的沉积设备导致沉积工艺鉴于空间限制而不容易执行的情况。
如上所述，在根据一个实施例的制造显示装置的方法中，由于沉积掩模1的第二部分250与第一部分210物理分离并且用于形成沉积膜的孔，所以在用于显示装置的沉积膜的沉积工艺期间，多个沉积掩模或者连接第二部分250和第一部分210的连接构件(例如，细杆)不是形成对应的沉积膜的孔所必需的。当使用多个沉积掩模来形成对应沉积膜的孔时，增加了工艺时间周期和工艺成本。当使用连接第二部分250和第一部分210的连接构件(例如，细杆)来形成对应的沉积膜的孔时，因为由于连接构件导致的暗线等会从沉积膜可见，所以会发生视觉缺陷。
然而，在使用沉积掩模1制造显示装置的方法中，由于沉积掩模1包括上述第二部分250，所以可以仅使用一个开口掩模来形成对应的沉积膜的孔，因此可以提高工艺效率，并且防止由于连接第二部分250和第一部分210的连接构件而导致的在沉积膜上的暗线可见，因此可以从根本上防止视觉缺陷。
在下文中，将描述上述沉积掩模1的另一实施例。将省略对与上述实施例的组件相同或相似的组件的详细描述以避免冗余。
图23是示出根据发明的原理构造的沉积掩模的另一示例性实施例的平面图。
参照图23，沉积掩模2与图1、图3和图4的沉积掩模1的不同之处在于开口片200_1仅包括第一部分210而不包括第二部分。
更具体地，在沉积掩模2中，开口片200_1可以仅包括第一部分210并且可以不包括第二部分。在沉积掩模2中，金属片300_1还可以包括可以是一个或更多个沉积阻挡部355的形式的一个或更多个插塞。当从上方观看时，沉积阻挡部355可以由金属片300_1的金属网格部分350_1围绕。
沉积阻挡部355可以起到与上面参照图1、图3和图4描述的开口片200的第二部分250的功能基本上相同的功能。当从上方观看时，沉积阻挡部355在堆叠结构中与第二部分250不共面，但是可以设置在第二部分250的相同的位置处。沉积阻挡部355可以连接到金属网格部分350_1且与金属网格部分350_1共面，并且由与金属网格部分350_1相同的材料形成。沉积阻挡部355的大致平面形状可以与上面参照图1、图3和图4描述的第二部分250的形状相同，但不限于此。
图24是示出根据发明的原理构造的沉积掩模的另一示例性实施例的剖视图。
参照图24，沉积掩模3与根据一个示出的示例性实施例的沉积掩模1的不同之处在于，沉积掩模3还包括在金属网格部分350与开口片200的第二部分250之间的连接图案SWM。
更具体地，沉积掩模3还可以包括在金属网格部分350与开口片200的第二部分250之间的连接图案SWM。连接图案SWM可以设置在金属网格部分350与第二部分250之间，并且连接到金属网格部分350和第二部分250。连接图案SWM可以设置在金属网格部分350与第二部分250之间，并且直接连接到金属网格部分350和第二部分250。连接图案SWM可以设置在金属网格部分350与第二部分250之间，并且通过诸如焊接方法的方法直接连接到金属网格部分350和第二部分250。
连接图案SWM的大致平面形状可以与第二部分250的大致平面形状基本上相同，但不限于此。
连接图案SWM的平面尺寸可以与第二部分250的平面尺寸相同。例如，连接图案SWM的平面尺寸可以比于第二部分250的平面尺寸小。由于连接图案SWM的平面尺寸比第二部分250的平面尺寸小，所以可以防止沉积材料DPMa的移动由于连接图案SWM而受到阻碍，因此可以形成具有期望尺寸和形状的沉积膜DPM。
由于已经描述了用于连接图案SWM、金属网格部分350和第二部分250的焊接方法，因此将省略其详细描述以避免冗余。
根据发明的原理示例性实施方式构造的沉积掩模和制造该沉积掩模的示例性方法以及使用这种沉积掩模制造显示装置的方法具有改善的制造工艺效率并且/或者避免在所得沉积膜中的视觉缺陷。
尽管这里已经描述了某些示例性实施例和实施方式，其他实施例和修改将通过该描述而明显。因此，发明构思不限于这样的实施例，而是限于所附权利要求以及将对于本领域普通技术人员来说显而易见的各种明显修改和等同布置的更广泛范围。

Claims (20)

1.一种用于制造显示装置的沉积掩模，所述沉积掩模包括：
框架，包括第一开口；
第一构件，设置在所述框架的所述第一开口上方，并且包括围绕至少一个第二开口的第一部分和设置在所述第二开口中且与所述第一部分物理分离的第二部分；以及
第二构件，设置在所述第一构件上，并且包括连接到所述框架的第一连接部分和与所述第二部分叠置的第二网格部分。
2.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述第二部分被构造为在由所述沉积掩模制造的沉积膜中制造孔，并且连接到所述第二网格部分。
3.根据权利要求2所述的沉积掩模，其中，所述第二部分直接连接到所述第二网格部分。
4.根据权利要求3所述的沉积掩模，其中，所述第二部分利用激光被焊接到所述第二网格部分。
5.根据权利要求2所述的沉积掩模，所述沉积掩模还包括设置在所述框架的边缘上的不锈钢构件，其中，所述不锈钢构件连接到所述框架。
6.根据权利要求5所述的沉积掩模，其中：
所述第一构件包括基于所述框架的一个表面具有第一厚度的开口片；
所述第二构件包括基于所述开口片的一个表面具有第二厚度的金属片；以及
所述不锈钢构件基于所述框架的所述一个表面具有第三厚度；
其中，所述第三厚度比所述第一厚度和所述第二厚度的总和大。
7.根据权利要求6所述的沉积掩模，其中，所述第三厚度与所述第一厚度和所述第二厚度的总和之间的差为至少600μm。
8.根据权利要求5所述的沉积掩模，其中，所述不锈钢构件焊接到所述框架。
9.根据权利要求2所述的沉积掩模，其中，所述第二部分具有圆形剖面形状。
10.根据权利要求2所述的沉积掩模，其中，所述第一连接部分直接连接并焊接到所述框架。
11.根据权利要求2所述的沉积掩模，其中：
所述第一连接部分包括具有矩形形状的金属连接部分；并且
所述第二网格部分包括具有网格形状的金属网格部分。
12.根据权利要求11所述的沉积掩模，其中，所述金属网格部分包括：
第一线，在一个方向上延伸；以及
第二线，在与所述一个方向交叉的另一方向上延伸。
13.根据权利要求1所述的沉积掩模，所述沉积掩模还包括设置在所述第二网格部分与所述第二部分之间的连接图案，
其中，所述连接图案直接连接到所述第二网格部分和所述第二部分。
14.一种用于制造显示装置的沉积掩模，所述沉积掩模包括：
框架，包括第一开口；
第一构件，设置在所述框架的所述第一开口上方并且包括至少一个第二开口；以及
第二构件，设置在所述第一构件上，并且包括连接到所述框架的第一连接部分和与所述第一连接部分相邻设置且与所述第二开口叠置的第二支撑部分，
其中，所述第二支撑部分包括第二网格部分和被所述第二网格部分围绕的插塞。
15.根据权利要求14所述的沉积掩模，所述沉积掩模还包括设置在所述框架的边缘上并且连接到所述框架的不锈钢构件。
16.根据权利要求15所述的沉积掩模，其中：
所述第一构件包括基于所述框架的一个表面具有第一厚度的开口片；
所述第二构件包括基于所述开口片的一个表面具有第二厚度的金属片；
所述第二支撑部分包括金属主部；
所述第一连接部分包括金属连接部分；
所述第二网格部分包括金属网格部分；并且
所述不锈钢构件基于所述框架的所述一个表面具有第三厚度；
其中，所述第三厚度比所述第一厚度和所述第二厚度的总和大，并且所述第三厚度与所述第一厚度和所述第二厚度的总和之间的差为至少600μm。
17.根据权利要求14所述的沉积掩模，其中，所述插塞包括具有圆形剖面形状的沉积阻挡部。
18.一种制造用于制作显示装置的沉积掩模的方法，所述方法包括如下步骤：
提供开口片，所述开口片具有围绕至少一个开口的第一部分、设置在所述至少一个开口中的第二部分以及使所述第一部分和所述第二部分连接的第三部分；
在所述开口片上设置金属片，所述金属片具有金属网格部分；以及
焊接所述金属网格部分和所述第二部分并且将所述第三部分从所述开口片去除。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，使用激光执行焊接所述金属网格部分和所述第二部分并且将所述第三部分从所述开口片去除的步骤。
20.一种制造显示装置的方法，所述方法包括如下步骤：
提供沉积掩模，所述沉积掩模包括框架、开口片和金属片，所述框架具有第一开口，所述开口片设置在所述框架的所述第一开口上方并且具有围绕至少一个第二开口的第一部分和设置在所述第二开口中且与所述第一部分物理分离的第二部分，所述金属片设置在所述开口片上并且具有连接到所述框架的金属连接部分和与所述第二部分叠置且在其中具有沉积开口的金属网格部分；
在与所述金属网格部分间隔开间隙的位置中设置目标基底；
通过在所述金属网格部分中的所述沉积开口将沉积材料沉积在所述目标基底上；以及
形成包括通过与所述第二部分叠置的部分形成的第三开口的沉积膜。
CN202010974157.XA 2019-09-16 2020-09-16 沉积掩模、制造其的方法和使用其制造显示装置的方法 Pending CN112501550A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190113341A KR20210032586A (ko) 2019-09-16 2019-09-16 증착 마스크, 증착 마스크의 제조 방법
KR10-2019-0113341 2019-09-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112501550A true CN112501550A (zh) 2021-03-16

Family

ID=74869838

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010974157.XA Pending CN112501550A (zh) 2019-09-16 2020-09-16 沉积掩模、制造其的方法和使用其制造显示装置的方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US11723260B2 (zh)
KR (1) KR20210032586A (zh)
CN (1) CN112501550A (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102595560B1 (ko) * 2023-01-30 2023-10-31 (주)템스코 분할 접합법과 샵 마스크를 이용한 8세대급 oled 메탈 마스크의 제조방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1535082A (zh) * 2002-11-22 2004-10-06 �����ձ������ƶ���ʾ��ʽ���� 淀积掩模框架组件及其制造方法、有机电致发光器制造方法
CN107236927A (zh) * 2017-06-16 2017-10-10 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板模组、有机电致发光显示面板及其制作方法
CN107994054A (zh) * 2017-11-07 2018-05-04 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
US20180198067A1 (en) * 2017-01-12 2018-07-12 Samsung Display Co., Ltd. Deposition mask assembly for display devices
CN109457217A (zh) * 2013-12-27 2019-03-12 大日本印刷株式会社 带框架的蒸镀掩模的制造方法
CN110079763A (zh) * 2019-05-15 2019-08-02 昆山维信诺科技有限公司 掩膜板及掩膜组件

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4112202B2 (ja) 2001-10-01 2008-07-02 富士電機アドバンストテクノロジー株式会社 薄膜太陽電池の製造方法
KR101930265B1 (ko) 2012-05-21 2018-12-18 엘지디스플레이 주식회사 새도우 마스크 및 이를 이용한 유기발광 다이오드 표시장치의 제조방법
JP6142196B2 (ja) * 2013-03-15 2017-06-07 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着マスクの製造方法
JP6255592B2 (ja) 2014-04-24 2018-01-10 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスク、成膜マスクの製造方法及びタッチパネルの製造方法
JP6303154B2 (ja) 2014-07-08 2018-04-04 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスク、その製造方法及びタッチパネル
KR102286464B1 (ko) 2015-03-30 2021-08-04 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102354386B1 (ko) * 2015-04-07 2022-01-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치용 증착 장치와, 이를 이용한 증착 방법
KR102505877B1 (ko) * 2016-01-29 2023-03-06 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 조립체 및 이를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법
CN106019819A (zh) * 2016-07-22 2016-10-12 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板及其制作方法
KR20180032717A (ko) * 2016-09-22 2018-04-02 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크, 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR20180047594A (ko) 2016-10-31 2018-05-10 엘지디스플레이 주식회사 박막 증착용 마스크와 이의 제조 방법 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
CN108165927B (zh) * 2018-01-03 2020-03-31 京东方科技集团股份有限公司 掩膜版的吸附装置及吸附方法、蒸镀设备及蒸镀方法
KR20210007084A (ko) 2019-07-09 2021-01-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1535082A (zh) * 2002-11-22 2004-10-06 �����ձ������ƶ���ʾ��ʽ���� 淀积掩模框架组件及其制造方法、有机电致发光器制造方法
CN109457217A (zh) * 2013-12-27 2019-03-12 大日本印刷株式会社 带框架的蒸镀掩模的制造方法
US20180198067A1 (en) * 2017-01-12 2018-07-12 Samsung Display Co., Ltd. Deposition mask assembly for display devices
CN107236927A (zh) * 2017-06-16 2017-10-10 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板模组、有机电致发光显示面板及其制作方法
CN107994054A (zh) * 2017-11-07 2018-05-04 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
CN110079763A (zh) * 2019-05-15 2019-08-02 昆山维信诺科技有限公司 掩膜板及掩膜组件

Also Published As

Publication number Publication date
US11723260B2 (en) 2023-08-08
US20240040921A1 (en) 2024-02-01
KR20210032586A (ko) 2021-03-25
US20210083189A1 (en) 2021-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110473988B (zh) 一种显示面板制程用掩模版及其应用
US20220100013A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
CN109166976B (zh) 显示面板、掩膜板、显示面板的制作方法及显示装置
JP4170179B2 (ja) 有機ｅｌパネルの製造方法および有機ｅｌパネル
US20150185516A1 (en) Display panel and method of manufacturing the same
CN110607497B (zh) 掩模组件、沉积装置及使用沉积装置制造显示设备的方法
EP3400589A1 (en) Splicing screen, fabricating method and display apparatus
US20240040921A1 (en) Deposition mask, method of fabricating the same, and method of manufacturing display device using the same
US20170250381A1 (en) Shadow mask, method of manufacturing a shadow mask and method of manufacturing a display device using a shadow mask
US20190173042A1 (en) Display panel and display device including the same
KR20170028311A (ko) 성막 마스크, 성막 마스크의 제조 방법 및 터치 패널
CN115811901A (zh) 镜面显示面板及电子设备
US11443659B2 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
US9644256B2 (en) Mask assembly and thin film deposition method using the same
US20220049342A1 (en) Mask and fabricating method thereof, and displaying base plate and fabricating method thereof
JP4910541B2 (ja) 液晶表示装置および携帯情報端末装置
CN106843558A (zh) 触控面板的感测金属网格及其制法
US20220199905A1 (en) Mask, mask assembly, and method of manufacturing display panel
CN110724905B (zh) 掩膜片、掩膜板及其制备方法
CN112935566A (zh) 激光拼接方法、导电膜、触控模组、电容屏及电子设备
US20230119614A1 (en) Mask assembly and deposition apparatus of the same
US20210373686A1 (en) Touch substrate, method for manufacturing the same, and touch display device
CN109830507A (zh) Oled显示基板及制备方法、显示面板及显示装置
US20230323527A1 (en) Mask assembly manufacturing apparatus and mask assembly manufacturing method using the same
CN108922895A (zh) 一种像素结构及其制作方法、阵列基板及tn型显示面板

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination