CN112490385A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
提供了一种显示装置。所述显示装置包括第一显示基底和第二显示基底。第一显示基底包括第一基体、设置在第一基体上的第一电极、与第一电极间隔开的第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的发光元件。第二显示基底面对第一显示基底并且被构造为接收从发光元件发射的光。第二显示基底包括第二基体、设置在第二基体的表面上的第一滤色器以及设置在第一滤色器上的第一波长转换图案。第一波长转换图案包括面对第一显示基底的第一表面以及背对第一表面和并且面对第一滤色器的第二表面。第一表面包括朝向第二表面凹陷的弯曲表面部分。
Description
本申请要求于2019年9月11日提交的第10-2019-0113123号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请出于所有目的通过引用包含于此,如同在此充分地阐述一样。
技术领域
示例性实施例总体上涉及一种显示装置。
背景技术
随着多媒体的发展,显示装置的重要性已经增加。因此,已经开发了诸如液晶显示器(LCD)装置、有机发光二极管(OLED)显示装置和无机发光二极管显示装置的各种类型的显示装置。
在显示装置之中,无机发光显示装置包括作为自光(或自发光)发射元件的无机发光元件。无机发光元件通常设置在彼此面对的两个电极之间,并且接收来自每个电极的电信号以经由活性层发射特定波段的光。此外,在显示装置之中,有机发光显示装置包括作为自发光元件的有机发光元件。有机发光元件通常包括彼此面对的两个电极和置于所述两个电极之间的有机发光层。从所述两个电极提供的电子和空穴在有机发光层中复合以生成激子,并且生成的激子从激发态转变到较低态(例如,基态)以发射光。
因此,自发光显示装置不需要附加的光源、具有低功耗并且可以被制成薄的且重量轻的。此外,自发光显示装置通常具有诸如宽视角、高亮度和对比度以及快速响应时间的高质量特性。因此,自发光显示装置作为下一代显示装置已经引起了相当大的关注。
本部分中公开的上面的信息仅用于理解发明构思的背景技术,因此可能包含不形成现有技术的信息。
发明内容
一些方面能够提供包括均具有弯曲表面的透光图案和波长转换图案的显示装置。
附加的方面将在以下的详细描述中被阐述,并且部分地通过公开将是清楚的,或者可以通过发明构思的实践来获知。
根据一些方面,显示装置包括第一显示基底和第二显示基底。第一显示基底包括第一基体、设置在第一基体上的第一电极、与第一电极间隔开的第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的发光元件。第二显示基底面对第一显示基底并且被构造为接收从发光元件发射的光。第二显示基底包括第二基体、设置在第二基体的表面上的第一滤色器和设置在第一滤色器上的第一波长转换图案。第一波长转换图案包括面对第一显示基底的第一表面以及背对第一表面并且面对第一滤色器的第二表面。第一表面包括朝向第二表面凹陷的弯曲表面部分。
根据一些方面,显示装置包括第一显示基底和第二显示基底。第一显示基底包括第一发光区域、在第一方向上与第一发光区域间隔开的第二发光区域以及设置在第一发光区域与第二发光区域之间的非发光区域。第二显示基底设置在第一显示基底上。第二显示基底包括第一透光区域、在第一方向上与第一透光区域间隔开的第二透光区域以及设置在第一透光区域与第二透光区域之间的非透光区域。第一显示基底还包括设置在第一发光区域中的第一发光元件和设置在第二发光区域中的第二发光元件。第二显示基底还包括设置在第一透光区域中的第一滤色器、设置在第一滤色器上的透光图案、设置在第二透光区域中的第二滤色器以及设置在第二滤色器上的第一波长转换图案。透光图案和第一波长转换图案中的每个包括面对第一显示基底的第一表面和背对第一表面的第二表面。第一表面包括朝向第二表面凹陷的弯曲表面部分。
前面的总体描述和以下的详细描述是示例性和解释性的,并且旨在提供对所要求保护的主题的进一步解释。
附图说明
附图示出了发明构思的示例性实施例,并且与描述一起用于解释发明构思的原理,其中附图被包括以提供对发明构思的进一步理解,并且被并入本说明书中且构成本说明书的一部分。在附图中:
图1是根据示例性实施例的显示装置的透视图;
图2是根据一些示例性实施例的沿着图1中的剖面线Xa-Xa'截取的显示装置的示意性剖视图;
图3是示出根据一些实施例的第一显示基底的显示区域的示意性平面图;
图4是示出根据一些示例性实施例的第二显示基底的显示区域的示意性平面图;
图5是示出根据一些示例性实施例的第一显示基底的像素的示意性平面图;
图6是根据一些示例性实施例的沿着图5中的剖面线X5-X5'截取的剖视图;
图7是根据一些示例性实施例的发光元件的示意图;
图8是根据一些示例性实施例的沿着图3和图4中的剖面线X1-X1'截取的显示装置的剖视图;
图9是根据一些示例性实施例的图8中的部分QM1的放大剖视图;
图10是根据一些示例性实施例的图8中的部分QM2的放大剖视图;
图11是示出根据一些示例性实施例的第二显示基底中的光阻挡构件的布置结构的示意性平面图;
图12是示出根据一些示例性实施例的第二显示基底中的第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器的布置结构的示意性平面图;
图13是示出根据一些示例性实施例的第二显示基底中的第一波长转换图案、第二波长转换图案和透光图案的布置结构的示意性平面图;
图14是根据一些示例性实施例的沿着图3和图4中的剖面线X2-X2'截取的显示装置的剖视图;
图15是根据一些示例性实施例的沿着图3和图4中的剖面线X3-X3'截取的显示装置的剖视图;
图16是根据一些示例性实施例的沿着图3和图4中的剖面线X4-X4'截取的显示装置的剖视图;
图17至图22是示出根据各种示例性实施例的显示装置处于制造的各个阶段的剖视图;
图23是根据一些示例性实施例的显示装置的示意性剖视图;
图24是根据一些示例性实施例的图23中的部分QM3的放大剖视图;
图25至图28是示出根据各种示例性实施例的图23的显示装置处于制造的各个阶段的剖视图;
图29和图30是根据各种示例性实施例的显示装置的示意性剖视图;
图31是示出根据一些示例性实施例的第二显示基底中的第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器的布置结构的示意性平面图;
图32是示出根据一些示例性实施例的第二显示基底中的第一波长转换图案、第二波长转换图案和透光图案的布置结构的示意性平面图;
图33是根据一些示例性实施例的显示装置的示意性剖视图;
图34是根据一些示例性实施例的显示装置的示意性剖视图;
图35和图36是根据各种示例性实施例的显示装置的示意性剖视图;
图37是示出根据一些示例性实施例的第一显示基底的显示区域的示意性平面图;
图38是示出根据一些示例性实施例的第二显示基底的显示区域的示意性平面图;
图39是根据一些示例性实施例的沿着图37和图38中的剖面线X1-X1'截取的显示装置的剖视图;
图40是根据一些示例性实施例的图39中的部分Q的放大剖视图;以及
图41是根据一些示例性实施例的显示装置的示意性剖视图。
具体实施方式
在以下描述中,出于解释的目的,阐述了许多特定细节以提供对各种示例性实施例的透彻理解。如在此所使用的,术语“实施例”和“实施方式”可互换地被使用,并且是采用在此所公开的发明构思中的一个或更多个发明构思的非限制性示例。然而,清楚的是,可以在没有这些特定细节或者具有一个或更多个等同布置的情况下实践各种示例性实施例。在其它情况下,以框图形式示出了公知的结构和装置,以避免不必要地使各种示例性实施例模糊。此外,各种示例性实施例可以是不同的,但不必是排他的。例如,在不脱离发明构思的情况下,示例性实施例的特定形状、构造和特性可以在另一示例性实施例中被使用或实施。
除非另有说明,否则所示的示例性实施例将被理解为提供一些示例性实施例的不同细节的示例性特征。因此,除非另有说明,否则在不脱离发明构思的情况下,可以对各种图示的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域、方面等(在下文中,单独地或共同地被称为“元件”或“多个元件”)进行另外地组合、分离、互换和/或重新布置。
附图中交叉影线和/或阴影的使用通常被提供以阐明相邻元件之间的边界。如此,除非说明,否则交叉影线或阴影的存在或不存在都不传达或指示对元件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外,在附图中,出于清楚和/或描述性的目的,可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。如此,相应元件的尺寸和相对尺寸不必限于附图中所示的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实施示例性实施例时,可以与所描述的顺序不同地执行特定工艺顺序。例如,可以基本上同时执行或以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。此外,同样的附图标记表示同样的元件。
当诸如层的元件被称为“在”另一元件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件时,所述元件可以直接在所述另一元件上、直接连接到或直接结合到所述另一元件,或者可以存在中间元件。然而,当元件被称为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件时,不存在中间元件。应该以同样的方式解释用于描述元件之间的关系的其它术语和/或词语,例如,“在……之间”与“直接在……之间”、“相邻的”与“直接相邻的”、“在……上”与“直接在……上”等。此外,术语“连接”可以指物理连接、电连接和/或流体连接。另外,DR1轴、DR2轴和DR3轴不限于直角坐标系的三个轴,并且可以以更宽泛的意义被解释。例如,DR1轴、DR2轴和DR3轴可以彼此垂直,或者可以表示彼此不垂直的不同方向。出于本公开的目的,“X、Y和Z中的至少一个(种/者)”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个(种/者)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合,诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。如在此所使用的,术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。
尽管术语“第一”、“第二”等可以在此用于描述各种元件,但是这些元件不应该被这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此,下面讨论的第一元件可以被称为第二元件,而不脱离公开的教导。
为了描述性目的,可以在此使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……下”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“较高”和“侧”(例如,如在“侧壁”中)等的空间相对术语,由此来描述如附图中所示的一个元件与另一(其它)元件的关系。空间相对术语旨在涵盖设备在使用、操作和/或制造中的除了附图中描绘的方位之外的不同方位。例如,如果附图中的设备被翻转,则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”其它元件或特征“上方”。因此,示例性术语“在……下方”可以涵盖上方和下方两种方位。此外,设备可以被另外地定位(例如,旋转90度或在其它方位处),如此,相应地解释在此所使用的空间相对描述符。
在此所使用的术语是出于描述具体实施例的目的,并且不旨在是限制性的。如在此所使用的,除非上下文另外清楚地指示,否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“所述(该)”也旨在包括复数形式。此外,当在本说明书中使用术语“包含”及其变型和/或“包括”及其变型时,说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组,但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。也注意到的是,如在此所使用的,术语“基本上”、“约”和其它类似术语用作近似术语而不用作程度术语,如此,它们被用来解释本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。
在此参照作为理想化示例性实施例和/或中间结构的示意性图示的剖视图、等距视图、透视图、平面图和/或分解图示来描述各种示例性实施例。如此,将预期由例如制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此,在此公开的示例性实施例不应该被解释为限于具体所示的区域的形状,而是将包括由例如制造引起的形状的偏差。为此,附图中所示的区域本质上可以是示意性的,并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状,如此,不旨在是限制性的。
除非另有定义,否则在此所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开作为其一部分的领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。术语(诸如在通用词典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义,并且将不以理想化或过于形式化的意义来解释,除非在此明确地如此定义。
如本领域中惯用的,在附图中在功能块、单元和/或模块方面描述和示出了一些示例性实施例。本领域技术人员将理解的是,通过可以使用基于半导体的制造技术或其它制造技术形成的诸如逻辑电路、分立组件、微处理器、硬连线电路、存储器元件、布线连接等电子(或光学)电路来物理地实施这些块、单元和/或模块。在块、单元和/或模块由微处理器或其它类似硬件实现的情况下,可以使用软件(例如,微代码)对它们进行编程和控制以执行在此所讨论的各种功能,并且可以可选地通过固件和/或软件来驱动它们。也设想的是,每个块、单元和/或模块可以由专用硬件来实施,或者作为执行一些功能的专用硬件和执行其它功能的处理器(例如,一个或更多个编程的微处理器和相关的电路)的组合来实施。此外,在不脱离发明构思的情况下,一些示例性实施例的每个块、单元和/或模块可以被物理地分离为两个或更多个交互且离散的块、单元和/或模块。此外,在不脱离发明构思的情况下,一些示例性实施例的块、单元和/或模块可以被物理地组合为更复杂的块、单元和/或模块。
在下文中,将参照附图详细地解释各种示例性实施例。
图1是根据一些示例性实施例的显示装置的透视图。图2是根据一些示例性实施例的沿着图1中的剖面线Xa-Xa'截取的显示装置的示意性剖视图。
参照图1和图2,显示装置1可以应用于(或关联于)诸如平板个人计算机(PC)、智能电话、车辆导航单元、照相机、用于车辆的中心信息显示器(CID)、腕表型电子装置、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、游戏机、电视机、户外广告牌、监视器、个人计算机、笔记本计算机等的各种电气设备。仅作为示例提供了这些设备,并且将理解的是,示例性显示装置可以应用于其它电气设备,只要其不脱离发明构思即可。
在一些实施例中,显示装置1在平面图中可以具有矩形(或大致矩形)形状。显示装置1可以包括沿第一方向DR1延伸的两条第一边和沿与第一方向DR1交叉的第二方向DR2延伸的两条第二边。显示装置1的第一边和第二边彼此相交的拐角可以是直角,但是示例性实施例不限于此。例如,一个或更多个拐角可以具有诸如弧形表面的表面。在一些实施例中,第一边可以比第二边短,但是示例性实施例不限于此。显示装置1的平面形状不限于所示的平面形状,并且可以具有圆形(或大致圆形)形状或其它不同形状。
显示装置1可以包括在其处显示图像的显示区域DA和在其处不显示图像的非显示区域NDA。在一些实施例中,非显示区域NDA可以定位在显示区域DA周围,并且可以围绕显示区域DA。
在实施例中,显示装置1包括第一显示基底100和面对第一显示基底100的第二显示基底300,并且还可以包括使第一显示基底100和第二显示基底300结合的密封构件500。填料700可以填充(或设置)在第一显示基底100与第二显示基底300之间。
除非在本说明书中另有定义,否则术语/词语“在……上”、“在……之上”、“上侧”、“顶侧”和/或“上表面”指第二显示基底300沿其堆叠在第一显示基底100之上的与第一方向DR1和第二方向DR2交叉的第三方向DR3的方向,术语/短语“在……之下”、“在……下”、“下侧”、“底侧”和/或“下表面”指与第二显示基底300沿其堆叠在第一显示基底100之上的方向相反的方向。
第一显示基底100可以包括用于显示图像的元件和电路。例如,第一显示基底100可以包括:发光元件层EML(见例如图8),包括设置在显示区域DA中并发射光的发光元件;以及电路元件层PAL(见例如图8),包括设置在发光元件层EML上的用于驱动发光元件的电路元件。发光元件层EML的发光元件可以包括自光(或自发光)发射元件。在示例性实施例中,自发光元件可以包括有机发光二极管、量子点发光二极管和无机发光二极管中的至少一种。在下文中,将描述自发光元件是无机发光二极管的情况;然而,示例性实施例不限于此。
第二显示基底300可以设置在第一显示基底100之上并且面对第一显示基底100。第二显示基底300可以包括用于转换从第一显示基底100入射的光的颜色的颜色转换图案。在一些实施例中,颜色转换图案可以包括滤色器和波长转换图案中的至少一种。
密封构件500可以在非显示区域NDA中设置在第一显示基底100与第二显示基底300之间。密封构件500可以在非显示区域NDA中沿着第一显示基底100和第二显示基底300的边缘设置,以在平面上围绕显示区域DA。第一显示基底100和第二显示基底300可以通过密封构件500彼此结合。在一些实施例中,密封构件500可以由有机材料制成。例如,密封构件500可以由环氧树脂制成,但是示例性实施例不限于此。
填料700可以定位在第一显示基底100与第二显示基底300之间的空间中。该空间可以被密封构件500围绕。填料700可以填充第一显示基底100与第二显示基底300之间的空间。填料700可以由透光材料制成。在一些示例性实施例中,填料700可以由有机材料制成。例如,填料700可以由Si基有机材料和/或环氧类有机材料等制成,但是示例性实施例不限于此。在一些情况下,可以省略填料700。在下文中,将参照图1和图2以及各个其它附图更详细地描述显示装置1的结构。
图3是示出根据一些示例性实施例的第一显示基底的显示区域的示意性平面图。图4是示出根据一些示例性实施例的第二显示基底的显示区域的示意性平面图。
参照图1至图4,发光区域LA和非发光区域NLA可以限定在第一显示基底100的显示区域DA中。发光区域LA可以包括第一发光区域LA1、第二发光区域LA2、第三发光区域LA3、第四发光区域LA4、第五发光区域LA5和第六发光区域LA6。发光区域LA1、LA2、LA3、LA4、LA5和LA6中的每个可以是由第一显示基底100的发光元件生成的光在其处被发射到第一显示基底100的外部的区域,非发光区域NLA可以是所述光在其处不被发射到第一显示基底100的外部的区域。
在实施例中,从发光区域LA1、LA2、LA3、LA4、LA5和LA6中的每个发射到第一显示基底100的外部的光可以是具有特定(或确定的)中心波段的光。在一些实施例中,所述光可以是蓝光,并且可以具有从约440nm至约480nm的范围的峰值波长。
第一显示基底100可以包括布置在显示区域DA中的第一行RL1中的发光区域LA1、LA2和LA3以及布置在显示区域DA中的第二行RL2中的发光区域LA4、LA5和LA6。在第一显示基底100中,第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3可以沿着第一方向DR1布置在第一行RL1中。根据实施例,在第一显示基底100中,第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3可以沿着第一方向DR1顺序地且重复地布置在第一行RL1中。此外,第四发光区域LA4、第五发光区域LA5和第六发光区域LA6也可以沿着第一方向DR1顺序地且重复地布置于在第二方向DR2上与第一行RL1相邻的第二行RL2中。
在一些实施例中,第一发光区域LA1的第一宽度WL1、第二发光区域LA2的第二宽度WL2和第三发光区域LA3的第三宽度WL3可以基本上相同。然而,示例性实施例不限于此。例如,多个发光区域LA中的一个或更多个可以具有彼此不同的宽度。
例如,沿着第一方向DR1测量的第一发光区域LA1的第一宽度WL1可以比沿着第一方向DR1测量的第二发光区域LA2的第二宽度WL2窄,并且可以比沿着第一方向DR1测量的第三发光区域LA3的第三宽度WL3窄。此外,第二发光区域LA2的第二宽度WL2和第三发光区域LA3的第三宽度WL3也可以彼此不同。例如,第二发光区域LA2的第二宽度WL2可以比第三发光区域LA3的第三宽度WL3宽。在一些实施例中,第二发光区域LA2的面积可以比第三发光区域LA3的面积小。
虽然在附图中示出了第一显示基底100中的第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3的宽度彼此相同,但是示例性实施例不限于此。
沿着第二方向DR2与第一发光区域LA1相邻的第四发光区域LA4除了定位在第二行RL2中之外可以与第一发光区域LA1相同,并且在宽度、面积和该区域中的组件的结构方面可以与第一发光区域LA1基本上相同。类似地,沿着第二方向DR2彼此相邻的第二发光区域LA2和第五发光区域LA5可以具有基本上相同的结构,并且沿着第二方向DR2彼此相邻的第三发光区域LA3和第六发光区域LA6可以具有基本上相同的结构。
第一显示基底100的显示区域DA可以包括多个像素PX。多个像素PX可以以矩阵方向或矩阵排列布置,但是示例性实施例不限于此。每个像素PX可以在平面图中具有矩形(或大致矩形)形状或正方形(或大致正方形)形状,但是形状不限于此。例如,像素PX可以具有其中每条边相对于一个方向倾斜的菱形(或大体上菱形)形状,或一些其它几何形状。每个像素PX可以包括发射特定波段的光以显示特定颜色的至少一个发光元件30(在图5中示出)。
每个像素PX可以包括多个子像素,每个子像素可以包括发光区域。如附图中所示,第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3可以包括在一个像素PX中,并且可以分别包括在彼此不同的子像素中。稍后将描述其细节。
第二显示基底300可以面对第一显示基底100。透光区域TA和光阻挡区域BA可以被限定在第二显示基底300的显示区域DA中。透光区域TA可以包括第一透光区域TA1、第二透光区域TA2、第三透光区域TA3、第四透光区域TA4、第五透光区域TA5和第六透光区域TA6。透光区域TA1、TA2、TA3、TA4、TA5和TA6中的每个可以是从第一显示基底100发射的光在其处透射通过第二显示基底300并且被提供到显示装置1的外部的区域。光阻挡区域BA可以是从第一显示基底100发射的光在其处不透射通过第二显示基底300的区域。
第二显示基底300可以包括布置在显示区域DA中的第一行RT1中的透光区域TA1、TA2和TA3以及布置在显示区域DA中的第二行RT2中的透光区域TA4、TA5和TA6。在第二显示基底300中,第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3可以沿着第一方向DR1布置在第一行RT1中。在第二显示基底300中,第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3可以沿着第一方向DR1顺序地且重复地布置在第一行RT1中。
第一透光区域TA1可以与第一发光区域LA1对应或叠置。类似地,第二透光区域TA2可以与第二发光区域LA2对应或叠置,第三透光区域TA3可以与第三发光区域LA3对应或叠置。如上面所描述的,第一显示基底100的第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3可以在第一方向DR1上顺序地且重复地布置,第二显示基底300的与这些发光区域LA1、LA2和LA3对应或叠置的第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3也可以在第一方向DR1上顺序地且重复地布置。
从第一显示基底100提供的光可以透射通过第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3以被提供到显示装置1的外部。当从第一发光区域LA1发射到显示装置1的外部的光被称为第一发射光、从第二发光区域LA2发射到显示装置1的外部的光被称为第二发射光并且从第三发光区域LA3发射到显示装置1的外部的光被称为第三发射光时,第一发射光可以是第一颜色的光L1(见图8),第二发射光可以是与第一颜色不同的第二颜色的光L2(见图8),第三发射光可以是与第一颜色和第二颜色不同的第三颜色的光L3(见图8)。在一些实施例中,第一颜色的光L1可以是具有在约440nm至约480nm的范围内的峰值波长的蓝光,第二颜色的光L2可以是具有在约510nm至约550nm的范围内的峰值波长的绿光,第三颜色的光L3可以是具有在约610nm至约650nm的范围内的峰值波长的红光。
第四透光区域TA4、第五透光区域TA5和第六透光区域TA6可以布置在沿着第二方向DR2与第一行RT1相邻的第二行RT2中。第四透光区域TA4、第五透光区域TA5和第六透光区域TA6也可以沿着第一方向DR1顺序地且重复地布置在第二行RT2中。第四透光区域TA4可以与第四发光区域LA4对应或叠置,第五透光区域TA5可以与第五发光区域LA5对应或叠置,第六透光区域TA6可以与第六发光区域LA6对应或叠置。
在一些实施例中,在第一方向DR1上测量的第一透光区域TA1的宽度WT1、第二透光区域TA2的宽度WT2和第三透光区域TA3的宽度WT3的关系可以类似于在第一方向DR1上测量的第一发光区域LA1的宽度WL1、第二发光区域LA2的宽度WL2和第三发光区域LA3的宽度WL3的关系。例如,沿着第一方向DR1测量的第一透光区域TA1的第一宽度WT1、沿着第一方向DR1测量的第二透光区域TA2的第二宽度WT2和沿着第一方向DR1测量的第三透光区域TA3的第三宽度WT3可以基本上彼此相同。然而,示例性实施例不限于此。例如,多个透光区域TA中的至少一个可以具有彼此不同的宽度。
例如,沿着第一方向DR1测量的第一透光区域TA1的第一宽度WT1可以比沿着第一方向DR1测量的第二透光区域TA2的第二宽度WT2窄,并且可以比沿着第一方向DR1测量的第三透光区域TA3的第三宽度WT3窄。此外,第二透光区域TA2的第二宽度WT2和第三透光区域TA3的第三宽度WT3也可以彼此不同。例如,第二透光区域TA2的第二宽度WT2可以比第三透光区域TA3的第三宽度WT3宽。在一些实施例中,第二透光区域TA2的面积可以比第三透光区域TA3的面积小。
虽然在附图中示出了第二显示基底300中的第一透光区域TA1的宽度、第二透光区域TA2的宽度和第三透光区域TA3的宽度彼此相同,但是示例性实施例不限于此。
在宽度、面积、区域中的组件的结构以及发射到外部的光的颜色方面,第四发光区域LA4可以与沿着第二方向DR2彼此相邻的第一发光区域LA1基本上相同,第五发光区域LA5可以与沿着第二方向DR2彼此相邻的第二发光区域LA2基本上相同,第六发光区域LA6可以与沿着第二方向DR2彼此相邻的第三发光区域LA3基本上相同。
在第二显示基底300的显示区域DA中,光阻挡区域BA可以定位在透光区域TA1、TA2、TA3、TA4、TA5和TA6的外部(例如,周围)。在一些实施例中,光阻挡区域BA可以被划分为第一光阻挡区域BA1、第二光阻挡区域BA2、第三光阻挡区域BA3、第四光阻挡区域BA4、第五光阻挡区域BA5、第六光阻挡区域BA6和第七光阻挡区域BA7。
第一光阻挡区域BA1可以沿着第一方向DR1定位在第一透光区域TA1与第二透光区域TA2之间,第二光阻挡区域BA2可以沿着第一方向DR1定位在第二透光区域TA2与第三透光区域TA3之间,第三光阻挡区域BA3可以沿着第一方向DR1定位在第三透光区域TA3与另一第一透光区域TA1之间。
第四光阻挡区域BA4可以沿着第一方向DR1定位在第四透光区域TA4与第五透光区域TA5之间,第五光阻挡区域BA5可以沿着第一方向DR1定位在第五透光区域TA5与第六透光区域TA6之间,第六光阻挡区域BA6可以沿着第一方向DR1定位在第六透光区域TA6与另一第四透光区域TA4之间。
第七光阻挡区域BA7可以定位在沿着第二方向DR2彼此相邻的第一行RT1与第二行RT2之间。此外,第七光阻挡区域BA7也可以定位在除了第一行RT1和第二行RT2之外的其它行之间。
在下文中,将参照图1至图4以及一些其它附图更详细地描述显示装置1的第一显示基底100和第二显示基底300的结构。
图5是示出根据一些示例性实施例的第一显示基底的一个像素的示意性平面图。
参照图5,多个像素PX中的每个可以包括第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3。每个子像素可以包括其中设置有发光元件30以发射特定波段的光的发光区域LA。
在一些实施例中,第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3可以分别发射相同的第一颜色的光L1。每个子像素可以包括相同类型的发光元件30并且发射从发光元件30发射的同一光,例如,第一颜色的光L1。然而,示例性实施例不限于此。例如,第一子像素PX1可以发射第一颜色的光L1,第二子像素PX2可以发射第二颜色的光L2,第三子像素PX3可以发射第三颜色的光L3。虽然在图5中示出了像素PX包括三个子像素,但是示例性实施例不限于此。例如,像素PX可以包括更少或更多数量的子像素。
第一显示基底100的每个子像素可以包括多个电极21和22、发光元件30、多个接触电极26、多个内堤41和42(在图6中示出)、多个外堤43以及一个或更多个绝缘层51、52、53和55(在图6中示出)。
多个电极21和22电连接到发光元件30,并且可以接收预定电压,使得发光元件30发射特定波段的光。电极21和22中的至少一个可以用于在子像素中形成电场,以使发光元件30对准。
多个电极21和22可以包括第一电极21和第二电极22。在示例性实施例中,第一电极21可以是针对每个子像素分开的像素电极,第二电极22可以是沿着每个子像素公共地连接的共电极。第一电极21和第二电极22中的一个是发光元件30的阳极电极,第一电极21和第二电极22中的另一个可以是发光元件30的阴极电极,或者反之亦然。然而,示例性实施例不限于此。
第一电极21可以包括沿第一方向DR1延伸的第一电极主干部分21S和沿第二方向DR2延伸且从第一电极主干部分21S分支的至少一个第一电极分支部分21B,第二电极22可以包括沿第一方向DR1延伸的第二电极主干部分22S和沿第二方向DR2延伸且从第二电极主干部分22S分支的第二电极分支部分22B。
任何一个子像素的第一电极主干部分21S可以被封端,使得在相邻的子像素之间第一电极主干部分21S的两个端部彼此间隔开,并且可以与在同一行中与其相邻(例如,在第一方向DR1上与其相邻)的第一电极主干部分21S放置在基本上同一条线上。因为每个子像素的第一电极主干部分21S被构造为使得其两个端部彼此间隔开,所以彼此不同的电信号可以被施加到第一电极分支部分21B,第一电极分支部分21B可以独立地被驱动。
第一电极分支部分21B可以从第一电极主干部分21S的至少一部分分支且沿第二方向DR2延伸,但是可以在与被设置为面对第一电极主干部分21S的第二电极主干部分22S间隔开的状态下被封端。
第二电极22可以包括沿第一方向DR1延伸、与第一电极主干部分21S间隔开且面对第一电极主干部分21S的第二电极主干部分22S,以及从第二电极主干部分22S分支且沿第二方向DR2延伸的第二电极分支部分22B。第二电极主干部分22S可以连接到在第一方向DR1上相邻的另一子像素的第二电极主干部分22S。也就是说,与第一电极主干部分21S不同,第二电极主干部分22S可以沿第一方向DR1延伸以与子像素交叉。与子像素交叉的第二电极主干部分22S可以连接到其中设置有每个像素PX(或子像素)的显示区域DA的外部部分或者从非显示区域NDA沿一个方向延伸的部分。
第二电极分支部分22B可以与第一电极分支部分21B间隔开且面对第一电极分支部分21B,并且可以在与第一电极主干部分21S间隔开的状态下被封端。第二电极分支部分22B可以连接到第二电极主干部分22S,并且第二电极分支部分22B的在延伸方向上的端部部分可以设置在子像素中,同时与第一电极主干部分21S间隔开。
第一电极21和第二电极22中的每个可以通过接触孔(例如,第一电极接触孔CNTD和第二电极接触孔CNTS)电连接到第一显示基底100的电路元件层PAL(见图8)。虽然在附图中示出了针对每个子像素的每个第一电极主干部分21S形成第一电极接触孔CNTD,并且仅一个第二电极接触孔CNTS形成在与每个子像素交叉的一个第二电极主干部分22S中,但是示例性实施例不限于此。例如,在一些情况下,可以针对每个子像素形成第二电极接触孔CNTS。
多个第一内堤41可以设置在第一电极21下并且与每个子像素的中心相邻,多个第二内堤42可以设置在第二电极22下并且与每个子像素的中心相邻。第一内堤41可以设置在第一电极分支部分21B下,第二内堤42可以设置在第二电极分支部分22B下。
外堤43可以设置在相应的子像素之间的边界处。多个第一电极主干部分21S的端部可以被封端,同时相对于外堤43彼此间隔开。外堤43可以沿第二方向DR2延伸,并且可以设置在沿第一方向DR1布置的子像素之间的边界处。示例性实施例不限于此。例如,外堤43可以沿第一方向DR1延伸,并且可以设置在沿第二方向DR2布置的子像素之间的边界处。例如,外堤43可以限定子像素的边界。外堤43可以包括与内堤41和42的材料相同的材料,并且可以在一个工艺中同时与内堤41和42一起形成。
在制造第一显示基底100的一个示例性工艺中,当喷射其中分散有发光元件30的墨水时,外堤43可以执行防止墨水溢出子像素的边界的功能。外堤43可以将其中针对每个子像素分散有不同的发光元件30的墨水分开,使得墨水彼此不混合。然而,示例性实施例不限于此。
发光元件30可以设置在第一电极21与第二电极22之间。发光元件30的一个端部可以电连接到第一电极21,发光元件30的另一端部可以电连接到第二电极22。发光元件30可以通过稍后将描述的接触电极26电连接到第一电极21和第二电极22。
多个发光元件30可以彼此间隔开,并且可以基本上彼此平行地对准。不具体地限制彼此间隔开的发光元件30之间的距离。在一些情况下,一些发光元件30可以被布置为彼此相邻以形成组,其它发光元件30可以被布置为彼此间隔开以形成组,并且这些发光元件30可以以不均匀的密度沿一个方向布置。在示例性实施例中,发光元件30具有沿一个方向延伸的形状,每个电极21和22的延伸方向(例如,第一电极分支部分21B和第二电极分支部分22B的延伸方向)可以与发光元件30的延伸方向基本上垂直。然而,示例性实施例不限于此。例如,发光元件30可以以一定角度被设置,而不与第一电极分支部分21B和第二电极分支部分22B的延伸方向垂直。
根据实施例,多个发光元件30可以包括具有相同材料的活性层33以发射相同波段的光或相同颜色的光。从包括在第一显示基底100中的多个像素PX或子像素发射的光或者从每个发光区域LA发射的光可以具有相同的颜色。在示例性实施例中,多个发光元件30可以发射第一颜色的光L1,诸如具有在450nm至495nm的范围内的中心波段的蓝光。因此,可以从第一显示基底100的每个发光区域LA发射第一颜色的光L1。然而,示例性实施例不限于此。例如,第一显示基底100的多个子像素中的每个可以包括具有彼此不同的活性层33的发光元件30以发射不同颜色的光。例如,第一显示基底100可以针对每个发光区域LA发射不同颜色的光。
第一显示基底100可以包括覆盖第一电极21的至少一部分和第二电极22的至少一部分的第二绝缘层52。
第二绝缘层52可以针对每个子像素而被设置(或设置在每个子像素中)。第二绝缘层52可以被设置为完全覆盖每个子像素,并且可以被设置为延伸到另一相邻的子像素。第二绝缘层52可以被设置为覆盖第一电极21的至少一部分和第二电极22的至少一部分。第二绝缘层52可以被设置为暴露第一电极21的一部分和第二电极22的一部分,例如,暴露第一电极分支部分21B的一部分和第二电极分支部分22B的一部分。
多个接触电极26中的每个可以具有其中接触电极26的一部分沿一个方向延伸的形状。多个接触电极26中的每个可以与发光元件30以及第一电极21和第二电极22接触。发光元件30可以通过接触电极26从第一电极21和第二电极22接收电信号。
接触电极26可以包括第一接触电极26a和第二接触电极26b。第一接触电极26a可以设置在第一电极分支部分21B上,第二接触电极26b可以设置在第二电极分支部分22B上。
第一接触电极26a可以设置在第一电极21或第一电极分支部分21B上以沿第二方向DR2延伸。第一接触电极26a可以与发光元件30的一个端部接触。此外,第一接触电极26a可以与没有第二绝缘层52而被暴露的第一电极21接触。因此,发光元件30可以通过第一接触电极26a电连接到第一电极21。
第二接触电极26b可以设置在第二电极22或第二电极分支部分22B上以沿第二方向DR2延伸。第二接触电极26b可以在第一方向DR1上与第一接触电极26a间隔开。第二接触电极26b可以与发光元件30的另一端部接触。此外,第二接触电极26b可以与没有第二绝缘层52而被暴露的第二电极22接触。因此,发光元件30可以通过第二接触电极26b电连接到第二电极22。虽然在附图中示出了两个第一接触电极26a和一个第二接触电极26b设置在一个子像素中,但是示例性实施例不限于此。例如,第一接触电极26a和第二接触电极26b的数量可以根据正在使用的第一电极21和第二电极22的数量或者第一电极分支部分21B和第二电极分支部分22B的数量而改变。
在一些实施例中,第一接触电极26a的在一个方向上测量的宽度可以比第一电极分支部分21B的在所述一个方向上测量的宽度大,第二接触电极26b的在一个方向上测量的宽度可以比第二电极分支部分22B的在所述一个方向上测量的宽度大。然而,示例性实施例不限于此。例如,在一些情况下,第一接触电极26a可以被设置为覆盖第一电极分支部分21B的仅一侧,第二接触电极26b可以被设置为覆盖第二电极分支部分22B的仅一侧。
第一显示基底100可以包括定位在电极21和22中的每个下的电路元件层PAL、设置为覆盖发光元件30的至少一部分以及电极21和22中的每个的第三绝缘层53(在图6中示出)以及钝化层55(在图6中示出)。在下文中,将参照图6更详细地描述第一显示基底100的结构。
图6是根据一些示例性实施例的沿着图5中的剖面线X5-X5'截取的剖视图。
图6仅示出了第一子像素PX1的发光元件层EML的剖面,但是可以类似地应用于其它像素PX或子像素。图6示出了横穿设置在第一子像素PX1中的发光元件30的一个端部和另一端部的剖面。
第一显示基底100还可以包括设置在电极21和22中的每个下的电路元件层PAL。电路元件层PAL包括多个半导体层和多个导电图案,并且还可以包括一个或更多个开关元件T1、T2和T3(在图8中示出)以及电源线。然而,将省略其详细描述。
参照图5和图6,第一显示基底100可以包括第一绝缘层51、设置在第一绝缘层51上的电极21和22以及发光元件30。电路元件层PAL还可以设置在第一绝缘层51下。第一绝缘层51可以包括有机绝缘材料以执行表面平坦化功能。
多个内堤41和42、外堤43、多个电极21和22以及发光元件30可以布置在第一绝缘层51上。
多个内堤41和42可以包括与每个子像素的中心相邻设置的第一内堤41和第二内堤42。
第一内堤41和第二内堤42被设置为彼此间隔开且彼此面对。第一电极21可以设置在第一内堤41上,第二电极22可以设置在第二内堤42上。例如,第一电极分支部分21B设置在第一内堤41上,第二电极分支部分22B设置在第二内堤42上。
第一内堤41和第二内堤42可以沿第二方向DR2在每个子像素中延伸。然而,示例性实施例不限于此。例如,可以针对每个子像素设置第一内堤41和第二内堤42,以在第一显示基底100的整个表面上形成图案。多个内堤41和42以及多个外堤43可以包括但不限于聚酰亚胺(PI)。
第一内堤41和第二内堤42可以具有其中其的至少一部分从第一绝缘层51突出的结构。第一内堤41和第二内堤42可以基于发光元件30设置在其处的平面向上突出,并且突出部分的至少一部分可以相对于所述平面和/或第一绝缘层51的表面具有倾斜度。由于内堤41和42具有从第一绝缘层51突出的倾斜侧,所以从发光元件30发射的光可以从内堤41和42的倾斜侧反射。如稍后将描述的,当设置在内堤41和42上的电极21和22包括具有高反射率的材料时,从发光元件30发射的光可以被电极21和22反射以在第一绝缘层51的向上方向上行进。
如上面所描述的,多个内堤41和42以及外堤43可以包括相同的材料,并且可以在同一工艺中形成。然而,外堤43形成在每个子像素的边界处以形成网格图案,然而内堤41和42设置在每个子像素中以具有沿一个方向延伸的形状。
多个电极21和22可以设置在第一绝缘层51以及内堤41和42上。如上面所描述的,第一电极21包括第一电极主干部分21S和第一电极分支部分21B,第二电极22包括第二电极主干部分22S和第二电极分支部分22B。
第一电极21的一部分和第二电极22的一部分可以设置在第一绝缘层51上,并且第一电极21和第二电极22的其它部分可以设置在第一内堤41和第二内堤42上。如上面所描述的,第一电极21的第一电极分支部分21B和第二电极22的第二电极分支部分22B可以沿第二方向DR2延伸,第一内堤41和第二内堤42也可以沿第二方向DR2延伸,以设置在沿第二方向DR2相邻的子像素中。
穿透通过第一绝缘层51以暴露电路元件层PAL的一部分的第一电极接触孔CNTD可以形成在第一电极21的第一电极主干部分21S中。第一电极21可以通过第一电极接触孔CNTD电连接到电路元件层PAL的开关元件。第一电极21可以从开关元件接收预定电信号。
第二电极22的第二电极主干部分22S可以沿一个方向延伸以设置在发光元件30未设置在其处的非发光区域NLA中。穿透通过第一绝缘层51以暴露电路元件层PAL的一部分的第二电极接触孔CNTS可以形成在第二电极22的第二电极主干部分22S中。第二电极22可以通过第二电极接触孔CNTS电连接到电源电极。第二电极22可以从电源电极接收预定电信号。
第一电极21和第二电极22的一些区域(例如,第一电极分支部分21B和第二电极分支部分22B)可以分别设置在第一内堤41和第二内堤42上。多个发光元件30可以设置在第一电极21与第二电极22之间的区域中,例如,可以设置在第一电极分支部分21B和第二电极分支部分22B在其处彼此间隔开的空间中。
电极21和22中的每个可以包括透明导电材料。例如,电极21和22中的每个可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铟锡锌(ITZO)的材料,但是示例性实施例不限于此。在一些实施例中,电极21和22中的每个可以包括高反射率导电材料。例如,电极21和22中的每个可以包括诸如银(Ag)、铜(Cu)或铝(Al)的金属作为高反射率材料,但是示例性实施例不限于此。在这种情况下,入射在电极21和22中的每个上的光可以在每个子像素的上方向上被反射和发射。
此外,电极21和22可以具有其中堆叠有至少一个透明导电材料层和至少一个高反射率金属层的结构,或者可以形成为包括这些层的单层。在示例性实施例中,电极21和22中的每个可以具有ITO/Ag/ITO/IZO的层压结构,或者可以包括包含铝(Al)、镍(Ni)或镧(La)的合金;然而,示例性实施例不限于此。
第二绝缘层52设置在第一绝缘层51、第一电极21和第二电极22上。第二绝缘层52被设置为部分地覆盖第一电极21和第二电极22。第二绝缘层52可以被设置为覆盖第一电极21和第二电极22的上表面的大部分,并且可以暴露第一电极21的一部分和第二电极22的一部分。第二绝缘层52可以被设置为暴露第一电极21的上表面的一部分和第二电极22的上表面的一部分,例如,暴露第一电极分支部分21B的上表面中的设置在第一内堤41上的部分和第二电极分支部分22B的上表面中的设置在第二内堤42上的部分。例如,第二绝缘层52可以形成在第一绝缘层51的整个第一表面上,并且可以包括部分地暴露第一电极21和第二电极22的开口。
在示例性实施例中,台阶可以形成在第二绝缘层52中,使得第二绝缘层52的上表面的一部分在第一电极21与第二电极22之间凹陷。在一些实施例中,第二绝缘层52可以包括无机绝缘材料,并且第二绝缘层52的上表面的一部分可以由于设置在第二绝缘层52下并且设置为覆盖第一电极21和第二电极22的构件的台阶而凹陷。设置在第一电极21与第二电极22之间的第二绝缘层52上的发光元件30可以在第二绝缘层52的凹陷的上表面之间形成空的空间。发光元件30可以被设置为与第二绝缘层52的上表面的一部分间隔开,并且构成稍后将描述的第三绝缘层53的材料可以填充所述空的空间。然而,示例性实施例不限于此。第二绝缘层52可以具有平坦的上表面,使得发光元件30设置在其上。
第二绝缘层52可以保护第一电极21和第二电极22并且使它们彼此绝缘。此外,第二绝缘层52可以防止(或至少减轻)设置在第二绝缘层52上的发光元件30与其它构件直接接触,从而不被损坏。然而,第二绝缘层52的形状和结构不限于此。
发光元件30可以设置在电极21和22之间的第二绝缘层52上。在一些实施例中,至少一个发光元件30可以设置在设置于电极分支部分21B和22B之间的第二绝缘层52上。然而,示例性实施例不限于此。设置在每个子像素中的发光元件30中的至少一些可以设置在除了电极分支部分21B和22B之间之外的区域中。发光元件30可以设置在第一电极分支部分21B和第二电极分支部分22B在其处彼此面对的每个端部部分上,并且可以通过接触电极26电连接到电极21和22中的每个。
在发光元件30中,多个层可以沿与第一绝缘层51平行的方向布置。根据实施例,第一显示基底100的发光元件30具有沿一个方向延伸的形状,并且可以具有其中多个半导体层沿一个方向顺序地布置的结构。如上面所描述的,在发光元件30中,第一半导体层31、活性层33、第二半导体层32和电极层37可以沿着一个方向顺序地布置,并且它们的外表面可以被绝缘膜38围绕。设置在第一显示基底100中的发光元件30可以在一个方向上平行于第一绝缘层51设置,并且包括在发光元件30中的多个半导体层可以沿着与第一绝缘层51的上表面平行的方向顺序地设置。然而,示例性实施例不限于此。在一些情况下,当发光元件30具有不同的结构时,多个层可以沿与第一绝缘层51垂直的方向或另一布置方向布置。
发光元件30的一个端部可以与第一接触电极26a接触,发光元件30的另一端部可以与第二接触电极26b接触。根据实施例,由于发光元件30的在一个方向上的延伸端部没有形成在其上的绝缘膜38而被暴露,所以发光元件30可以在暴露区域中与稍后将描述的第一接触电极26a和第二接触电极26b接触。然而,示例性实施例不限于此。在一些情况下,在发光元件30中,可以去除绝缘膜38的至少一部分,因此,可以部分地暴露发光元件30的两个端部的侧表面。
第三绝缘层53可以部分地设置在发光元件30上并且设置在第一电极21与第二电极22之间。第三绝缘层53可以被设置为部分地围绕发光元件30的外表面。第三绝缘层53可以用于保护发光元件30,并且也可以在第一显示基底100的制造工艺中用于固定发光元件30。此外,在示例性实施例中,第三绝缘层53的材料的一部分可以设置在发光元件30的下表面与第二绝缘层52之间。如上面所描述的,第三绝缘层53可以被形成为填充在第一显示基底100的制造工艺期间形成的位于第二绝缘层52与发光元件30之间的空间。因此,第三绝缘层53可以被形成为围绕发光元件30的外表面。然而,示例性实施例不限于此。
第三绝缘层53可以在平面图中在第一电极分支部分21B与第二电极分支部分22B之间沿第二方向DR2延伸。例如,第三绝缘层53可以在第一绝缘层51上在平面图中具有岛形(或大致岛形)形状或线形(或大致线形)形状。根据实施例,第三绝缘层53可以设置在发光元件30上。
第一接触电极26a设置在第一电极21和第三绝缘层53上,第二接触电极26b设置在第二电极22和第三绝缘层53上。第一接触电极26a和第二接触电极26b可以在第三绝缘层53上彼此间隔开。第三绝缘层53可以使第一接触电极26a和第二接触电极26b彼此绝缘,使得第一接触电极26a和第二接触电极26b彼此不直接接触。
第一接触电极26a可以在第一内堤41上与第一电极21的暴露区域接触,第二接触电极26b可以在第二内堤42上与第二电极22的暴露区域接触。第一接触电极26a和第二接触电极26b可以将从电极21和22传输的电信号传输到发光元件30。
接触电极26可以包括导电材料。例如,接触电极26可以包括ITO、IZO、ITZO或铝(Al)。然而,示例性实施例不限于此。
钝化层55可以设置在接触电极26和第三绝缘层53上。钝化层55可以用于保护设置在第一绝缘层51上的构件免受外部环境污染物和/或条件的影响。
上面描述的第二绝缘层52、第三绝缘层53和钝化层55中的每个可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。在示例性实施例中,第二绝缘层52、第三绝缘层53和钝化层55中的每个可以包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)等的无机绝缘材料。此外,第二绝缘层52、第三绝缘层53和钝化层55中的每个可以包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯撑树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯、cardo树脂、硅氧烷树脂、倍半硅氧烷树脂、聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚碳酸酯、聚(甲基丙烯酸甲酯)-聚碳酸酯合成树脂等的有机绝缘材料。然而,示例性实施例不限于此。
图7是根据一些示例性实施例的发光元件的示意图。
发光元件30可以是发光二极管。例如,发光元件30可以是具有微米或纳米的尺寸并且由无机材料制成的无机发光二极管。当沿特定方向在彼此面对的两个电极21和22之间形成电场时,无机发光二极管可以在两个电极21和22之间对准。发光元件30可以通过形成在两个电极21和22上(或形成在两个电极21和22之间)的电场在电极21和22之间对准。
根据实施例的发光元件30可以具有沿一个方向延伸的形状。发光元件30可以具有棒、线、管等的形状。在示例性实施例中,发光元件30可以是圆柱形(或大致圆柱形)形状或者棒形(大致棒形)形状。然而,发光元件30的形状不限于此。发光元件30可以具有立方体(或大致立方体)、长方体(或大致长方体)、多边形柱(诸如六边形(或大致六边形)柱)的形状,或者可以具有沿一个方向延伸并且具有部分地倾斜的外表面的形状。稍后将描述的包括在发光元件30中的多个半导体可以具有在一个方向上顺序地布置或堆叠的结构。
发光元件30可以包括掺杂有任何导电类型(例如,p型或n型)杂质的半导体层。半导体层可以从外部电源接收电信号,并且可以将电信号变换(或转换)为特定波段的光。
参照图7,发光元件30可以包括第一半导体层31、第二半导体层32、活性层33、电极层37和绝缘膜38。
第一半导体层31可以是n型半导体层。例如,当发光元件30发射蓝色波段的光时,第一半导体层31可以包括具有AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的化学式的半导体材料。例如,半导体材料可以是均掺杂有n型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任何一种。第一半导体层31可以掺杂有n型掺杂剂,n型掺杂剂的示例可以包括Si、Ge和Sn。在示例性实施例中,第一半导体层31可以包括掺杂有n型Si的n-GaN。第一半导体层31的长度可以具有1.5μm至5μm的范围,但不限于此。
第二半导体层32设置在活性层33上。第二半导体层32可以是p型半导体层。例如,当发光元件30发射蓝色或绿色波段的光时,第二半导体层32可以包括具有AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的化学式的半导体材料。例如,半导体材料可以是均掺杂有p型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任何一种。第二半导体层32可以掺杂有p型掺杂剂,p型掺杂剂的示例可以包括Mg、Zn、Ca、Se和Ba。在示例性实施例中,第二半导体层32可以包括掺杂有p型Mg的p-GaN。第二半导体层32的长度可以具有0.05μm至0.10μm的范围,但不限于此。
虽然在图7中示出了第一半导体层31和第二半导体层32形成为一个层,但是示例性实施例不限于此。在一些实施例中,根据活性层33的材料,第一半导体层31和第二半导体层32还可以包括更多数量的层,诸如包覆层或拉伸应变势垒降低(TSBR)层。稍后将参照其它附图描述其细节。
活性层33设置在第一半导体层31与第二半导体层32之间。活性层33可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。当活性层33包括具有多量子阱结构的材料时,多量子阱结构可以是其中量子层和阱层交替地堆叠的结构。活性层33可以根据通过第一半导体层31和第二半导体层32施加的电信号通过电子-空穴对的结合而发光。例如,当活性层33发射蓝色波段的光时,活性层33可以包括诸如AlGaN或AlGaInN的材料。例如,当活性层33具有其中量子层和阱层彼此交替地堆叠的多量子阱结构时,量子层可以包括诸如AlGaN或AlGaInN的材料,阱层可以包括诸如GaN或AlInN的材料。在示例性实施例中,由于活性层33可以包括包含AlGaInN的量子层和包含AlInN的阱层,因此如上面所描述的,活性层33可以发射具有在450nm至495nm的范围内的中心波段的蓝光。
然而,示例性实施例不限于此。活性层33可以具有其中具有大(或高)带隙能量的半导体材料和具有小(或低)带隙能量的半导体材料彼此交替地堆叠的结构,并且根据发射光的波段而可以包括其它III族至V族半导体材料。由活性层33发射的光不限于蓝色波段的光,并且在一些情况下,活性层33可以发射红色波段的光或绿色波段的光。活性层33的长度可以具有0.05μm至0.10μm的范围,但不限于此。
从活性层33发射的光可以发射到发光元件30的两个侧表面以及纵向外表面。从活性层33发射的光在方向性上不限于一个方向。
电极层37可以是欧姆接触电极。然而,示例性实施例不限于此,电极层37可以是肖特基接触电极。发光元件30可以包括至少一个电极层37。虽然在图7中示出了发光元件30包括一个电极层37,但是示例性实施例不限于此。在一些情况下,发光元件30可以包括更多数量的电极层37,或者可以省略电极层37。即使电极层37的数量不同或者发光元件30包括或进一步包括其它结构,也可以等同地应用稍后将描述的发光元件30的细节。
当发光元件30电连接到根据实施例的第一显示基底100中的电极21和22或者接触电极26时,电极层37可以使发光元件30与电极21和22或接触电极26之间的电阻减小。电极层37可以包括导电金属。例如,电极层37可以包括铝(Al)、钛(Ti)、铟(In)、金(Au)、银(Ag)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟锡锌(ITZO)中的至少一种。此外,电极层37可以包括掺杂有n型或p型杂质的半导体材料。电极层37可以包括相同的材料或者可以包括不同的材料,但是示例性实施例不限于此。
绝缘膜38被设置为围绕多个半导体层31和32和多个电极层37的外表面。在示例性实施例中,绝缘膜38可以被设置为至少围绕活性层33的外表面,并且可以沿发光元件30沿其延伸的一个方向延伸。绝缘膜38可以用于保护前述构件。例如,绝缘膜38可以被形成为围绕构件的侧表面,但是可以被形成为暴露发光元件30的在长度方向上的两个端部(例如,末端端部)。
虽然在图7中示出了绝缘膜38被形成为从第一半导体层31沿发光元件30的长度方向延伸以覆盖电极层37的侧表面,但是示例性实施例不限于此。绝缘膜38可以仅覆盖包括活性层33的半导体层中的一些的外表面,或者可以覆盖电极层37的外表面的一部分以部分地暴露电极层37的外表面。此外,在与发光元件30的至少一个端部相邻的区域中,绝缘膜38可以在剖面中形成为具有圆形(或大致圆形)上表面。
绝缘膜38的厚度可以在从10nm至1.0μm的范围内,但不限于此。例如,绝缘膜38的厚度可以是约40nm。
绝缘膜38可以包括例如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlN)和氧化铝(Al2O3)中的至少一种的具有绝缘性质的材料。因此,绝缘膜38可以防止在活性层33与电极21和22直接接触时可能发生的电短路,其中,电信号通过电极21和22被传输到发光元件30。此外,因为绝缘膜38可以保护包括活性层33的发光元件30的外表面,所以它可以防止发光效率的劣化。
在一些实施例中,绝缘膜38的外表面可以被表面处理。当制造第一显示基底100时,可以在发光元件30被分散在预定墨水(或溶液)中的状态下将发光元件30喷射在电极21和22上或在电极21和22上对准。为了保持发光元件30分散在墨水中而不与其它相邻发光元件30聚集的状态,可以对绝缘膜38的表面进行疏水处理或亲水处理。
发光元件30可以具有诸如2μm至6μm(例如,3μm至5μm)的1μm至10μm的长度h。发光元件30可以具有从300nm至700nm的范围的直径,并且可以具有1.2至100的长宽比。然而,示例性实施例不限于此,并且包括在第一显示基底100中的多个发光元件30可以根据活性层33的成分差异而具有不同的直径。在一些实施例中,发光元件30的直径可以是约500nm。
在下文中,将参照各个附图描述第二显示基底300。
图8是根据一些示例性实施例的沿着图3和图4中的剖面线X1-X1'截取的显示装置的剖视图。
图8示出了第一显示基底100的第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3与第二显示基底300的第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3对应的剖面。
除了图3和图4之外,参照图8,如上面所描述的,显示装置1包括第一显示基底100和第二显示基底300,并且还可以包括定位在第一显示基底100与第二显示基底300之间的填料700。
在实施例中,第一显示基底100可以包括电路元件层PAL、发光元件层EML和薄膜封装层170。如参照图5至图7所描述的,发光元件层EML可以包括多个电极21和22以及多个发光元件30。虽然在附图中示出了一个第一电极21、一个第二电极22和一个发光元件30设置在每个发光区域LA或子像素中,但是示例性实施例不限于此。另外,第一显示基底100不限于上面参照图5至图7所描述的第一显示基底100,并且可以以各种结构修改。就此而言,在图8中,为了便于解释,对第一电极AE、第二电极CE和发光元件ED赋予新的附图标记。然而,即使没有另外提及,它们的描述也可以与上面参照图5至图7所描述的那些相同。在下文中,将省略对发光元件层EML的详细描述。
第一显示基底100的电路元件层PAL可以包括第一基体110、设置在第一基体110上的多个开关元件T1、T2和T3以及过孔层120。
第一基体110可以由透光材料制成。在一些实施例中,第一基体110可是玻璃基底或塑料基底。当第一基体110是塑料基底时,第一基体110可以具有柔性。在一些实施例中,第一基体110还可以包括设置在玻璃基底或塑料基底上的单独的层,例如,缓冲层或绝缘层。在一些实施例中,多个发光区域LA1、LA2、LA3、LA4、LA5和LA6以及非发光区域NLA可以被限定在第一基体110中、被限定第一基体110上或被限定为与第一基体110相关。
开关元件T1、T2和T3可以定位在第一基体110上。在一些实施例中,第一开关元件T1可以定位在第一发光区域LA1中,第二开关元件T2可以定位在第二发光区域LA2中,第三开关元件T3可以定位在第三发光区域LA3中。然而,示例性实施例不限于此。在一些实施例中,第一开关元件T1、第二开关元件T2和第三开关元件T3中的至少一个可以定位在非发光区域NLA中。
在一些实施例中,第一开关元件T1、第二开关元件T2和第三开关元件T3中的每个可以是包括多晶硅的薄膜晶体管或包括氧化物半导体的薄膜晶体管。
根据一些示例性实施例,用于将信号传输到相应的开关元件T1、T2和T3的多条信号线(例如,栅极线、数据线和电源线)可以进一步布置在第一基体110上。
过孔层120可以定位在第一开关元件T1、第二开关元件T2和第三开关元件T3上。在一些实施例中,过孔层120可以是平坦化膜。在一些实施例中,过孔层120可以由有机膜形成。说明性地,过孔层120可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酰亚胺树脂和酯树脂中的至少一种。在一些实施例中,过孔层120可以包括正性光敏材料或负性光敏材料。
发光元件层EML可以设置在过孔层120上。例如,第一电极AE、第二电极CE、发光元件ED和外堤43可以设置在过孔层120上。外堤43可以与第一显示基底100的非发光区域NLA对应地设置,第一电极AE、第二电极CE和发光元件ED可以与相应的发光区域LA对应地设置。第一电极AE1、第二电极CE1和发光元件ED1可以设置在第一发光区域LA1中,第一电极AE2、第二电极CE2和发光元件ED2可以设置在第二发光区域LA2中,第一电极AE3、第二电极CE3和发光元件ED3可以设置在第三发光区域LA3中。由于其详细描述与上面的描述相同,将省略其详细描述。
薄膜封装层170设置在发光元件层EML上。薄膜封装层170公共地设置在第一发光区域LA1、第二发光区域LA2、第三发光区域LA3和非发光区域NLA中。在一些实施例中,薄膜封装层170直接覆盖发光元件层EML的钝化层55。在一些实施例中,薄膜封装层170可以直接设置在钝化层55没有设置在其处的第一电极AE、第二电极CE和发光元件ED上。
在一些实施例中,薄膜封装层170可以包括顺序地堆叠在发光元件层EML上的第一无机封装层171、有机封装层173和第二无机封装层175。
在一些实施例中,第一无机封装层171和第二无机封装层175中的每个可以包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈、氮氧化硅(SiON)和氟化锂等中的至少一种。
在一些实施例中,有机封装层173可以包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧树脂、氨基甲酸酯树脂、纤维素树脂和苝树脂等中的至少一种。
然而,薄膜封装层170的结构不限于上面描述的示例,并且可以对薄膜封装层170的层压结构进行各种修改。
面板光阻挡构件190可以定位在薄膜封装层170上。面板光阻挡构件190可以定位在薄膜封装层170上,并且定位在非发光区域NLA中。面板光阻挡构件190可以防止光进入相邻的发光区域LA之间以防止颜色混合,从而进一步改善颜色再现性。
在一些实施例中,面板光阻挡构件190可以设置在非发光区域NLA中以围绕平面上的发光区域LA1、LA2、LA3、LA4、LA5和LA6中的每个。
面板光阻挡构件190可以包括有机光阻挡材料,并且可以通过有机光阻挡材料的涂覆和曝光工艺形成。
填料700可以设置在面板光阻挡构件190上,并且第二显示基底300设置在填料700上。在下文中,将参照各个附图更详细地描述根据一些示例性实施例的第二显示基底300。
图9是根据一些示例性实施例的图8中的部分QM1的放大剖视图。图10是根据一些示例性实施例的图8中的部分QM2的放大剖视图。图11是示出根据一些示例性实施例的第二显示基底中的光阻挡构件的布置结构的示意性平面图。图12是示出根据一些示例性实施例的第二显示基底中的第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器的布置结构的示意性平面图。图13是示出根据一些示例性实施例的第二显示基底中的第一波长转换图案、第二波长转换图案和透光图案的布置结构的示意性平面图。图14是根据一些示例性实施例的沿着图3和图4中的剖面线X2-X2'截取的显示装置的剖视图。图15是根据一些示例性实施例的沿着图3和图4中的剖面线X3-X3'截取的显示装置的剖视图。图16是根据一些示例性实施例的沿着图3和图4中的剖面线X4-X4'截取的显示装置的剖视图。
除了图8之外,参照图9至图16,第二显示基底300可以包括第二基体310、多个滤色器361、363和365、分隔壁380、多个波长转换图案350和340以及透光图案330。
第二基体310可以由透光材料制成。在一些实施例中,第二基体310可以包括玻璃基底或塑料基底。在一些实施例中,第二基体310还可以包括单独的层,例如,绝缘层(诸如无机膜)。如图4中所示,多个透光区域TA1、TA2、TA3、TA4、TA5和TA6以及光阻挡区域BA可以被限定在第二基体310中、被限定在第二基体310上或被限定为与第二基体310相关。将省略其详细描述。
滤色器361、363和365以及光阻挡构件320可以设置在第二基体310的面对第一显示基底100的一个表面上。
滤色器361、363和365可以包括第一滤色器361、第二滤色器363和第三滤色器365。
第一滤色器361可以定位在第二基体310的一个表面上,并且可以定位在第一透光区域TA1和第四透光区域TA4中。在一些实施例中,定位在第一透光区域TA1中的第一滤色器361和定位在第四透光区域TA4中的第一滤色器361可以沿着第二方向DR2彼此连接。例如,如图12中所示,定位在第一行RT1中的第一滤色器361可以沿第二方向DR2延伸以连接到定位在第二行RT2中的第一滤色器361。稍后将描述的第七光阻挡构件327和分隔壁380可以设置在第一滤色器361在其处沿第二方向DR2延伸以与第七光阻挡区域BA7叠置的区域中。第七光阻挡构件327和分隔壁380可以从第七光阻挡区域BA7沿第一方向DR1延伸,以在第二方向DR2上形成第一透光区域TA1和第四透光区域TA4。
然而,示例性实施例不限于此。在一些实施例中,定位在第一透光区域TA1中的第一滤色器361和定位在第四透光区域TA4中的第一滤色器361可以彼此间隔开。例如,第一滤色器361可以被设置为沿第二方向DR2延伸的条形形状或在第二方向DR2上间隔开的岛形形状。
第一滤色器361可以选择性地透射第一颜色的光L1(例如,蓝光),并且可以阻挡或吸收第二颜色的光L2(例如,绿光)和第三颜色的光L3(例如,红光)。在一些实施例中,第一滤色器361可以是蓝色滤色器,并且可以包括诸如蓝色染料或蓝色颜料的蓝色着色剂。也预期的是着色剂可以被理解为包括染料和颜料两者的概念。
与第一滤色器361类似,第二滤色器363和第三滤色器365也可以定位在第二基体310的一个表面上。第二滤色器363可以定位在第二透光区域TA2和第五透光区域TA5中,第三滤色器365可以定位在第三透光区域TA3和第六透光区域TA6中。在一些实施例中,由于第二滤色器363和第三滤色器365沿第二方向DR2延伸,所以定位在第一行RT1中的第二滤色器363和第三滤色器365可以连接到定位在第二行RT2中的第二滤色器363和第三滤色器365。稍后将描述的第七光阻挡构件327和分隔壁380可以定位在第二滤色器363和第三滤色器365在其处与第七光阻挡区域BA7叠置的区域中。然而,示例性实施例不限于此。在一些实施例中,第二滤色器363和第三滤色器365可以在第一行RT1与第二行RT2之间彼此间隔开。例如,第二滤色器363和第三滤色器365可以被设置为沿第二方向DR2延伸的条形形状或在第二方向DR2上间隔开的岛形形状。
第二滤色器363可以选择性地透射第二颜色的光L2(例如,绿光),并且可以阻挡或吸收第一颜色的光L1(例如,蓝光)和第三颜色的光L3(例如,红光)。在一些实施例中,第二滤色器363可以是绿色滤色器,并且可以包括诸如绿色染料和绿色颜料中的至少一种的绿色着色剂。
第三滤色器365可以选择性地透射第三颜色的光L3(例如,红光),并且可以阻挡或吸收第二颜色的光L2(例如,绿光)和第一颜色的光L1(例如,蓝光)。在一些实施例中,第三滤色器365可以是红色滤色器,并且可以包括诸如红色染料和红色颜料中的至少一种的红色着色剂。
根据实施例,第一滤色器361、第二滤色器363和第三滤色器365可以彼此间隔开。参照图8和图12,第一滤色器361、第二滤色器363和第三滤色器365可以沿第二方向DR2延伸,但是可以被布置为在第一方向DR1上彼此间隔开。第一滤色器361可以在第一透光区域TA1中沿第二方向DR2延伸,第二滤色器363可以在第二透光区域TA2中沿第二方向DR2延伸,第三滤色器365可以在第三透光区域TA3中沿第二方向DR2延伸。在一些实施例中,第一滤色器361、第二滤色器363和第三滤色器365中的每个可以形成为沿着第二方向DR2延伸的条形形状,并且可以与第一行RT1和第二行RT2之间的第七光阻挡区域BA7交叉。
然而,示例性实施例不限于此。在一些实施例中,第一滤色器361、第二滤色器363和第三滤色器365中的至少一个可以均被设置为沿着第二方向DR2与第一行RT1和第二行RT2之间的第七光阻挡区域BA7间隔开。例如,第一滤色器361、第二滤色器363和第三滤色器365中的至少一个可以形成为岛形形状。在一些实施例中,第一滤色器361、第二滤色器363和第三滤色器365可以被设置为彼此叠置。在这种情况下,任何一个滤色器的下表面可以与另一滤色器的上表面接触。稍后将描述这种构造。
如上面所描述的,由于第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3可以具有彼此相同的宽度,因此在一些实施例中,第一滤色器361、第二滤色器363和第三滤色器365也可以具有彼此相同的宽度。由于上面已经相对于透光区域TA描述了其描述,因此将省略其详细描述。第一光阻挡区域BA1、第二光阻挡区域BA2和第三光阻挡区域BA3可以设置在彼此间隔开的第一滤色器361、第二滤色器363和第三滤色器365之间的区域中。稍后将描述的光阻挡构件320和分隔壁380可以设置在光阻挡区域BA中。
光阻挡构件320可以设置在第二基体310的面对第一显示基底100的一个表面上。光阻挡构件320可以设置在光阻挡区域BA中以阻挡光的透射。光阻挡构件320可以包括有机光阻挡材料,并且可以通过有机光阻挡材料的涂覆工艺和曝光工艺形成。在一些实施例中,光阻挡构件320可以被设置为如图11中所示的平面晶格图案。光阻挡构件320可以设置在光阻挡区域BA中以与非发光区域NLA叠置。然而,示例性实施例不限于此。
如上面所描述的,外部光会引起使颜色转换图案的颜色再现性失真的问题。然而,根据一些实施例,当光阻挡构件320定位在第二基体310上时,外部光的至少一部分被光阻挡构件320吸收。因此,可以减少由外部光反射引起的颜色失真。在一些实施例中,光阻挡构件320可以防止光进入相邻的透光区域TA之间以防止颜色混合,从而进一步改善颜色再现性。
光阻挡构件320可以被设置为与光阻挡区域BA叠置。如图8和图11中所示,光阻挡构件320可以在光阻挡区域BA中沿第一方向DR1和第二方向DR2延伸。光阻挡构件320可以包括设置在第一光阻挡区域BA1中的第一光阻挡构件321、设置在第二光阻挡区域BA2中的第二光阻挡构件322、设置在第三光阻挡区域BA3中的第三光阻挡构件323、设置在第四光阻挡区域BA4中的第四光阻挡构件324、设置在第五光阻挡区域BA5中的第五光阻挡构件325、设置在第六光阻挡区域BA6中的第六光阻挡构件326以及设置在第七光阻挡区域BA7中的第七光阻挡构件327。在一些实施例中,第一光阻挡构件321、第二光阻挡构件322和第三光阻挡构件323可以沿第二方向DR2延伸以连接到第七光阻挡构件327,第四光阻挡构件324、第五光阻挡构件325和第六光阻挡构件326也可以沿第二方向DR2延伸以连接到第七光阻挡构件327。
光阻挡构件320可以被设置为围绕第一透光区域TA1、第二透光区域TA2、第三透光区域TA3、第四透光区域TA4、第五透光区域TA5和第六透光区域TA6。因此,光阻挡构件320可以设置在滤色器361、363和365之间,使得光阻挡构件320的在第一方向DR1上的两侧可以分别与滤色器361、363和365接触。在制造第二显示基底300的工艺中,可以在形成滤色器361、363和365之前在第二基体310上形成光阻挡构件320。因此,如图8中所示,在第一方向DR1上,第一滤色器361可以设置在第一光阻挡构件321的一侧上,第二滤色器363可以设置在第一光阻挡构件321的另一侧上。类似地,在第一方向DR1上,第二滤色器363可以设置在第二光阻挡构件322的一侧上,第三滤色器365可以设置在第二光阻挡构件322的另一侧上。此外,在第一方向DR1上,第三滤色器365可以设置在第三光阻挡构件323的一侧上,第一滤色器361可以设置在第三光阻挡构件323的另一侧上。多个滤色器361、363和365可以被设置为在光阻挡构件320上彼此间隔开,并且光阻挡构件320设置在相邻的滤色器361、363和365之间。然而,示例性实施例不限于此。
覆盖第一滤色器361、第二滤色器363、第三滤色器365和光阻挡构件320的第一盖层391可以设置在第二基体310的一个表面上。在一些实施例中,第一盖层391可以与第一滤色器361、第二滤色器363和第三滤色器365直接接触。此外,第一盖层391可以与光阻挡构件320部分地直接接触。例如,第一盖层391可以与第一光阻挡构件321的通过与第一滤色器361和第二滤色器363间隔开而暴露的一个表面部分地接触。
第一盖层391可以防止第一滤色器361、第二滤色器363、第三滤色器365等由于杂质(诸如湿气或空气)从外部渗入而被损坏和/或污染。此外,第一盖层391可以防止包括在第一滤色器361、第二滤色器363和第三滤色器365中的颜色材料扩散到与第一滤色器361、第二滤色器363和第三滤色器365不同的组件中,例如,防止扩散到透光图案330、第一波长转换图案340和/或第二波长转换图案350中。在一些实施例中,第一盖层391可以包括无机材料。例如,第一盖层391可以包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅中的至少一种。
第一盖层391也可以与稍后描述的分隔壁380接触。在一些实施例中,第一盖层391可以至少在光阻挡区域BA中与分隔壁380接触。如稍后将描述的,分隔壁380可以设置在第一滤色器361、第二滤色器363和第三滤色器365之间,第一盖层391可以与第一滤色器361、第二滤色器363和第三滤色器365之间的分隔壁380接触。
透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350可以设置在第一盖层391的一个表面上。在一些实施例中,透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350可以通过喷墨方法形成。然而,示例性实施例不限于此。例如,透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350可以通过涂覆光敏材料并且对所述光敏材料进行曝光和显影来形成。在下文中,将例示和描述通过喷墨方法形成透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350的情况。
透光图案330可以定位在第一盖层391的一个表面上,并且可以定位在第一透光区域TA1和第四透光区域TA4中。在一些实施例中,透光图案330可以具有其中定位在第一透光区域TA1中的部分和定位在第四透光区域TA4中的部分彼此间隔开的结构,也就是说,可以以岛形图案的形式形成。
透光图案330可以透射入射光。如上面所描述的,第一显示基底100可以包括发射彼此相同颜色的光L1的发光元件(诸如图5中的发光元件30或图8中的发光元件ED1至发光元件ED3)。例如,发光元件30或ED1至ED3可以向第二显示基底300的透光图案330以及波长转换图案340和350提供第一颜色的光L1。在第一显示基底100的发光元件30或ED1至ED3之中,从第一发光区域LA1的第一发光元件ED1提供的第一颜色的发射光L1可以透射通过透光图案330和第一滤色器361并且可以发射到显示装置1的外部。例如,从第一透光区域TA1发射的光可以是第一颜色的光L1,例如,蓝光。
在一些实施例中,透光图案330可以包括第一基体树脂331,并且还可以包括分散在第一基体树脂331中的第一散射体333。
第一基体树脂331可以由具有高透光率的材料制成。在一些实施例中,第一基体树脂331可以由有机材料制成。例如,第一基体树脂331可以包括诸如环氧树脂、丙烯酸树脂、cardo树脂和酰亚胺树脂中的至少一种的有机材料。然而,示例性实施例不限于此。
第一散射体333可以具有与第一基体树脂331的折射率不同的折射率,并且可以与第一基体树脂331一起形成光学界面。例如,第一散射体333可以是光散射颗粒。不具体限制第一散射体333,只要第一散射体333是能够使透射光的至少一部分散射的材料即可,但是可以是例如金属氧化物颗粒和有机颗粒中的至少一种。金属氧化物颗粒可以包括氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)和氧化锡(SnO2)中的至少一种。有机颗粒可以包括丙烯酸树脂和氨基甲酸酯树脂中的至少一种。第一散射体333可以在与入射光的入射方向无关的随机方向上散射光,而基本上不转换穿过透光图案330的光的波长。
第一波长转换图案340可以定位在第一盖层391的一个表面上,并且可以定位在第二透光区域TA2和第五透光区域TA5中。在一些实施例中,第一波长转换图案340可以具有其中定位在第二透光区域TA2中的部分和定位在第五透光区域TA5中的部分彼此间隔开的结构。例如,第一波长转换图案340可以以岛形图案的形式形成。
第一波长转换图案340可以将峰值波长的入射光转换或转变为另一特定峰值波长的光,然后可以发射转换或转变的光。第一显示基底100可以包括发射彼此相同颜色的光L1的发光元件(诸如图5中的发光元件30或图8中的发光元件ED1至ED3)。例如,发光元件30或ED1至ED3可以向第二显示基底300的透光图案330以及波长转换图案340和350提供第一颜色的光L1。在一些实施例中,第一波长转换图案340可以将从第一显示基底100的第二发光区域LA2的第二发光元件ED2提供的第一颜色的光L1转换为具有从约510nm至约550nm的范围的峰值波长的绿光L2,然后发射所述绿光L2。
在一些实施例中,第一波长转换图案340可以包括第二基体树脂341和分散在第二基体树脂341中的第一波长转换材料345,并且还可以包括分散在第二基体树脂341中的第二散射体343。在一些实施例中,第二基体树脂341可以由有机材料制成。例如,第二基体树脂341可以由与第一基体树脂331的材料相同的材料制成,或者可以包括被示例为第一基体树脂331的构成材料的材料中的至少一种。然而,示例性实施例不限于此。
第一波长转换材料345可以将入射光的峰值波长转换或转变为另一特定峰值波长。在一些实施例中,第一波长转换材料345可以将从第二发光元件ED2发射的第一颜色的蓝光L1转换为具有从约510nm至约550nm的范围的峰值波长的绿光L2,并且可以发射所述绿光L2。
第一波长转换材料345的示例可以包括量子点、量子棒和磷光体中的至少一种。例如,量子点可以是响应于电子从导带转变到价带而发射特定颜色的光的颗粒物质。
量子点可以是半导体纳米晶材料。量子点可以根据其成分和尺寸而具有特定的带隙以吸收光,然后发射具有固有(或确定)波长的光。量子点的半导体纳米晶的示例可以包括IV族纳米晶、II-VI族化合物纳米晶、III-V族化合物纳米晶和IV-VI族化合物纳米晶中的至少一种。
II-VI族化合物可以包括二元素化合物、三元素化合物和四元素化合物中的至少一种,二元素化合物是诸如CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe和MgS中的至少一种,三元素化合物是诸如InZnP、AgInS、CuInS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe和MgZnS中的至少一种,四元素化合物是诸如HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe和HgZnSTe中的至少一种。
III-V族化合物可以是二元素化合物、三元素化合物和四元素化合物中的至少一种,二元素化合物是诸如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs和InSb中的至少一种,三元素化合物是诸如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs和InPSb中的至少一种,四元素化合物是诸如GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs和InAlPSb中的至少一种。
IV-VI族化合物可以是二元素化合物、三元素化合物和四元素化合物中的至少一种,二元素化合物是诸如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe和PbTe中的至少一种,三元素化合物是诸如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe和SnPbTe中的至少一种;四元素化合物是诸如SnPbSSe、SnPbSeTe和SnPbSTe中的至少一种。IV族元素可以是Si和Ge中的至少一种。IV族化合物可以是诸如SiC和SiGe中的至少一种的二元素化合物。
根据一些实施例,二元素化合物、三元素化合物和/或四元素化合物可以以均匀的浓度以颗粒存在,或者可以在浓度分布部分地不同的状态下以相同的颗粒存在。此外,二元素化合物、三元素化合物和/或四元素化合物可以具有其中一个量子点围绕另一量子点的核-壳结构。核与壳之间的界面可以具有壳中的元素的浓度在其处沿确定的方向降低(例如,朝向中心降低)的浓度梯度。
在一些实施例中,量子点可以具有包括包含前述纳米晶中的至少一种的核和围绕所述核的壳的核-壳结构。量子点的壳可以通过防止核的化学变性而用作用于维持半导体特性的保护层和/或用作用于赋予量子点电泳特性的荷电层。壳可以是单层或多层结构。核与壳之间的界面可以具有壳中的元素的浓度在其处沿确定的方向降低(例如,朝向中心降低)的浓度梯度。量子点的壳的示例可以包括金属的氧化物、非金属的氧化物和半导体化合物中的至少一种。
金属或非金属的氧化物的示例可以包括但不限于二元素化合物和三元素化合物中的至少一种,二元素化合物是诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4和NiO中的至少一种,三元素化合物是诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4和CoMn2O4中的至少一种。
半导体化合物的示例可以包括但不限于CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP和AlSb中的至少一种。
从第一波长转换材料345发射的光可以具有约45nm或更小(诸如约40nm或更小(例如,约30nm或更小))的半峰全宽(FWHM),因此,可以进一步改善由显示装置1显示的颜色的颜色纯度和颜色再现性。此外,从第一波长转换材料345发射的光可以在各个方向上发射,而与入射光的入射方向无关。结果,可以改善在第二透光区域TA2中显示的绿光L2的侧面可见性。
从第一显示基底100提供的光的一部分可以通过穿过第一波长转换图案340被发射,而不被第一波长转换材料345转换为绿光L2。在从第一显示基底100发射的光中的未被第一波长转换图案340转换并且入射在第二滤色器363上的部分可以被第二滤色器363阻挡。相比之下,在从第一显示基底100发射的光中的被第一波长转换图案340转换的绿光L2透射通过第二滤色器363并且发射到外部。例如,从第二透光区域TA2发射的光可以是绿光L2。
第二散射体343可以具有与第二基体树脂341的折射率不同的折射率,并且与第二基体树脂341一起形成光学界面。例如,第二散射体343可以是光散射颗粒。第二散射体343的详细描述与第一散射体333的详细描述基本上相同或类似,因此,将省略其描述。
第二波长转换图案350可以定位在第一盖层391的一个表面上,并且可以定位在第三透光区域TA3和第六透光区域TA6中。在一些实施例中,第二波长转换图案350可以具有其中定位在第三透光区域TA3中的部分和定位在第六透光区域TA6中的部分彼此间隔开的结构,例如,可以以岛形图案的形式形成。
第二波长转换图案350可以将峰值波长的入射光转换或转变为不同峰值波长的光,然后可以发射所转换或转变的光。在一些实施例中,第二波长转换图案350可以将从第一显示基底100的第三发光区域LA3的第三发光元件ED3提供的第一颜色的光L1转换为具有从约610nm至约650nm的范围的峰值波长的红光L3,然后发射所述红光L3。
在一些实施例中,第二波长转换图案350可以包括第三基体树脂351和分散在第三基体树脂351中的第二波长转换材料355,并且还可以包括分散在第三基体树脂351中的第三散射体353。
第三基体树脂351可以由具有高透光率的材料制成。在一些实施例中,第三基体树脂351可以由有机材料制成。在一些实施例中,第三基体树脂351可以由与第一基体树脂331的材料相同的材料制成,或者可以包括被例示为第一基体树脂331的构成材料的材料中的至少一种。然而,示例性实施例不限于此。
第二波长转换材料355可以将入射光的峰值波长转换或转变为另一特定峰值波长。在一些实施例中,第二波长转换材料355可以将具有440nm至480nm的峰值波长的第一颜色的光L1转换为具有从约610nm至约650nm的范围的峰值波长的红光L3。
第二波长转换材料355的示例可以包括量子点、量子棒和磷光体中的至少一种。第二波长转换材料355的描述与第一波长转换材料345的描述基本上相同或类似,因此,将省略其描述。
在一些实施例中,第一波长转换材料345和第二波长转换材料355都可以由量子点制成。在这种情况下,构成第一波长转换材料345的量子点的颗粒尺寸可以与构成第二波长转换材料355的量子点的颗粒尺寸不同。
第三散射体353可以具有与第三基体树脂351的折射率不同的折射率,并且与第三基体树脂351一起形成光学界面。例如,第三散射体353可以是光散射颗粒。第三散射体353的详细描述与第一散射体333的详细描述基本上相同或类似,因此,将省略其描述。
第二波长转换图案350可以被提供有从第三发光元件ED3发射的第一颜色的光L1,第二波长转换材料355可以将从第三发光元件ED3提供的光L1转换为具有从约610nm至约650nm的范围的峰值波长的红光L3并且发射所述红光L3。
根据各种实施例,从第一显示基底100发射的光L1可以入射在透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350上。如上面参照图6所描述的,第一显示基底100的发光元件30可以设置在第一电极21与第二电极22之间,从发光元件30发射的光可以被第一电极21和第二电极22反射并且例如朝向第二显示基底300向上传输。然而,由于从第一显示基底100提供到第二显示基底300的光从第一电极21和第二电极22反射或散射而不从发光元件30直接提供,所以可能发生光的亮度降低和光路分布的减少。
为了解决或处理上面提到的问题,第二显示基底300的透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350可以具有其中可以收集从第一显示基底100提供的光的结构。根据实施例,透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350中的至少一部分可以包括弯曲表面。将结合至少图9和图10提供其更详细的描述。
图9是示出从第一显示基底100发射的光入射在透光图案330上的放大图,图10是示出从第一显示基底100发射的光入射在第一波长转换图案340上的放大图。虽然图10仅示出了第一波长转换图案340,但是其描述可以等同地应用于第二波长转换图案350。
参照图9和图10,第二显示基底300的透光图案330以及波长转换图案340和350可以包括面对第一显示基底100的第一表面CS1以及背对第一表面CS1且面对滤色器361、363和365的第二表面CS2。滤色器361、363和365可以包括接触第二基体310的第三表面CS3和背对第三表面CS3的第四表面CS4。透光图案330以及波长转换图案340和350的第二表面CS2与滤色器361、363和365的第四表面CS4可以彼此面对,第一盖层391置于第二表面CS2与第四表面CS4之间。此外,透光图案330以及波长转换图案340和350的第一表面CS1(例如,面对第一显示基底100的表面)可以是从第一显示基底100发射的光入射在其上的表面。
透光图案330以及波长转换图案340和350可以包括至少部分地弯曲的一个表面。根据实施例,透光图案330以及波长转换图案340和350可以具有其中面对第一显示基底100的一个表面(例如,第一表面CS1)部分地弯曲的形状。如图9和图10中所示,在透光图案330和第一波长转换图案340中,面对第一显示基底100的第一表面CS1可以包括弯曲表面。第一表面CS1可以具有这样的形状:与第一表面CS1的与分隔壁380接触的两侧相比,第一表面CS1的中心部分朝向第二基体310或第二表面CS2凹陷。第一表面CS1的弯曲表面可以具有定位在第一显示基底100的面对透光图案330以及波长转换图案340和350的侧上的中心曲率。这样的形状可以被形成为包括通过调整在形成透光图案330以及波长转换图案340和350的工艺中使墨水干燥的工艺的工艺条件而使第一表面CS1在其上凹陷的表面。然而,示例性实施例不限于此。
从第一显示基底100发射的第一颜色的光L1可以朝向第二显示基底300行进,并且可以被提供到作为透光图案330和第一波长转换图案340的一个表面的第一表面CS1。如至少图9和图10中所示,当作为透光图案330和第一波长转换图案340的一个表面的第一表面CS1具有弯曲表面使得中心部分具有朝向第二基体310或第二表面CS2凹陷的形状时(例如,当第一表面CS1的中心部分具有朝向从第一显示基底100发射的第一颜色的光L1沿其行进的方向凹陷的形状时),从第一显示基底100提供的发射光的吸收面积可以增大。此外,以第一表面CS1为边界,入射在透光图案330以及波长转换图案340和350上的发射光的漫反射可以增加,并且与朝向第一显示基底100行进的光的量相比,再次入射在透光图案330以及波长转换图案340和350上的光的量可以增加。在根据实施例的显示装置1中,第二显示基底300的透光图案330以及波长转换图案340和350可以包括弯曲表面,因此,从第一显示基底100发射并通过第二显示基底300发射的光的亮度可以改善。
在示例性实施例中,在透光图案330以及波长转换图案340和350的第一表面CS1与第二表面CS2之间的距离之中,第一表面CS1与第二表面CS2之间的在与分隔壁380间隔开的中心部分中测量的第一距离HA1可以比第一表面CS1与第二表面CS2之间的在透光图案330以及波长转换图案340和350在其处与分隔壁380接触的侧表面上测量的第二距离HA2小。
为了大面积地吸收入射光,透光图案330以及波长转换图案340和350的第一表面CS1可以包括其的中心部分朝向第二基体310或第二表面CS2凹陷的表面。相比之下,第二表面CS2面对滤色器361、363和365的第四表面CS4,因此可以与第四表面CS4对应地形成。滤色器361、363和365直接设置在第二基体310上,因此,第三表面CS3和第四表面CS4可以形成与第二基体310平行的表面。如至少图9和图10中所示,在根据实施例的第二基体310中,滤色器361、363和365布置在其处的部分的第四距离HA4可以等于光阻挡构件320的部分布置在其处的第五距离HA5。例如,第二基体310可以形成其上设置有滤色器361、363和365的平坦表面。由于第二基体310可以形成平坦表面,所以滤色器361、363和365的第三表面CS3和第四表面CS4可以形成基本上平坦表面。例如,在滤色器361、363和365中,第三表面CS3与第四表面CS4之间的第三距离HA3可以是恒定的,而与位置无关。然而,注意的是,滤色器361、363和365的与光阻挡构件320的部分叠置的部分可以不与第三距离HA3一样厚。
相比之下,在透光图案330以及波长转换图案340和350中,第二表面CS2沿着滤色器361、363和365的第四表面CS4形成平坦表面,第一表面CS1包括弯曲表面,使得透光图案330以及波长转换图案340和350的第一表面CS1与第二表面CS2之间的距离可以根据位置而变化。在一些实施例中,在第一表面CS1与第二表面CS2之间的距离之中,第一表面CS1与第二表面CS2之间的在其中心部分中测量的第一距离HA1可以比第一表面CS1与第二表面CS2之间的在其两侧或其边缘上测量的第二距离HA2小。
然而,示例性实施例不限于此。在一些实施例中,第二基体310的其上设置有滤色器361、363和365的一个表面可以包括部分地凹陷部分,滤色器361、363和365的第三表面CS3和第四表面CS4与透光图案330以及波长转换图案340和350的第二表面CS2可以包括弯曲表面,并且透光图案330以及波长转换图案340和350的第二表面CS2可以与滤色器361、363和365的第四表面CS4彼此平行。在这种情况下,在透光图案330以及波长转换图案340和350中,第一表面CS1与第二表面CS2之间的距离可以是恒定的,而与位置无关。稍后将描述其更详细的描述。
如至少在图9和图10中看到的,从第一显示基底100发射的第一颜色的光L1的一部分可以入射在第一波长转换图案340上,可以被第二散射体343散射,或者可以被第一波长转换材料345转换为另一颜色的光(例如,第二颜色的光L2)。第一颜色的光L1的入射在第一波长转换图案340上的一部分可以以第一颜色入射在第二滤色器363上,第一颜色的光L1的另一部分可以被转换为第二颜色的光L2并入射在第二滤色器363上。第二滤色器363可以阻挡除了第二颜色的光L2之外的光的透射,并且可以通过第二基体310发射第二颜色的光L2。因此,第二显示基底300的第二透光区域TA2可以显示第二颜色的光L2。
此外,从第一显示基底100发射的第一颜色的光L1的一部分可以入射在第二波长转换图案350上,入射光的一部分可以被第二波长转换材料355转换为第三颜色的光L3。此外,第三滤色器365可以阻挡除了第三颜色的光L3之外的光的透射,并且可以通过第二基体310发射第三颜色的光L3。因此,第二显示基底300的第三透光区域TA3可以显示第三颜色的光L3。
再次参照图8,分隔壁380可以设置在第二基体310的一个表面上。分隔壁380可以设置在光阻挡构件320上且定位在光阻挡区域BA中,并且可以与第一显示基底100的非发光区域NLA叠置。分隔壁380可以被设置为围绕第一透光区域TA1、第二透光区域TA2、第三透光区域TA3、第四透光区域TA4、第五透光区域TA5和第六透光区域TA6,并且分隔壁380的平面形状可以形成晶格图案。
在一些实施例中,第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和透光图案330可以通过使用墨水组合物的喷墨方法形成。分隔壁380可以用作将用于形成第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和透光图案330的墨水组合物稳定地放置在期望的位置处的引导件。
例如,分隔壁380不仅可以定位在第一波长转换图案340与第二波长转换图案350之间,而且可以定位在第二波长转换图案350与透光图案330之间。分隔壁380可以防止彼此相邻定位的不同的透光区域TA之间的颜色混合。换句话说,分隔壁380可以与光阻挡区域BA叠置以防止相邻的透光区域TA之间的颜色混合,并且可以防止墨水在形成第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和透光图案330的工艺中溢出到相邻的透光区域TA中。
如上面所描述的,当透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350从第二基体310沿第二方向DR2延伸并且被布置为条形形状时,诸如图14和图15中所示,分隔壁380可以不设置在第七光阻挡区域BA7的定位在第二显示基底300的第一行RT1与第二行RT2之间的部分中(或上)。然而,示例性实施例不限于此。当透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350以岛形形式布置时,分隔壁380甚至可以设置在第七光阻挡区域BA7中(或上)。
在一些实施例中,分隔壁380可以由有机材料形成,并且也可以由光敏有机材料形成。光敏有机材料可以是但不限于其在光施加到其的部分处被固化的负性光敏材料。在一些实施例中,分隔壁380还可以包括光阻挡材料,并且可以定位在光阻挡区域BA中以阻挡光的透射。
第二盖层393可以设置在透光图案330、第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和分隔壁380上。第二盖层393可以覆盖并封装透光图案330、第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和分隔壁380。因此,能够防止透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350由于外部杂质(诸如湿气和空气)的渗透而损坏和/或污染。在一些实施例中,第二盖层393可以由无机材料制成。在一些实施例中,第二盖层393可以由与第一盖层391的材料相同的材料制成,或者可以包括在第一盖层391的描述中提到的材料中的至少一种。然而,示例性实施例不限于此。
如上面所描述的,填料700可以定位在第二显示基底300与第一显示基底100之间的空间中。在一些实施例中,填料700可以定位在第二盖层393与薄膜封装层170之间。在一些实施例中,填料700可以与第二盖层393直接接触。
在下文中,将参照各个附图描述制造显示装置1的方法,具体地,描述制造第二显示基底300的方法。
图17至图22是示出根据各种示例性实施例的显示装置处于制造的各个阶段的剖视图。
图17至图22示意性地示出了制造显示装置1的第二显示基底300的工艺的阶段。在下文中,将仅示出和描述第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3;然而,以下描述可以等同地应用于其它透光区域TA,例如,第四透光区域TA4、第五透光区域TA5和第六透光区域TA6。
参照图17,在第二基体310的一个表面上形成光阻挡构件320。光阻挡构件320可以形成在与每个光阻挡区域BA叠置的区域中。由于光阻挡构件320的各个部分的布置的描述与上面描述的相同,因此将省略其详细描述。可以通过涂覆光敏有机材料,并且对所述光敏有机材料进行曝光和显影来形成光阻挡构件320。然而,示例性实施例不限于此。
参照图18,在第二基体310的一个表面上形成滤色器361、363和365。滤色器361、363和365可以在光阻挡构件320的部分之间形成在与每个透光区域TA叠置的区域中。可以通过涂覆包括特定颜色的颜色材料的光敏有机材料,并且对所述光敏有机材料进行曝光和显影来形成滤色器361、363和365。说明性地,可以通过涂覆包括蓝色的颜色材料的光敏有机材料,并对所述光敏有机材料进行曝光和显影来形成第一滤色器361;可以通过涂覆包括绿色的颜色材料的光敏有机材料,并且对所述光敏有机材料进行曝光和显影来形成第二滤色器363;可以通过涂覆包括红色的颜色材料的光敏有机材料,并且对所述光敏有机材料进行曝光和显影来形成第三滤色器365。
参照图19,可以形成第一盖层391以覆盖第一滤色器361、第二滤色器363和第三滤色器365,可以在多个滤色器361、363和365之间形成分隔壁380。分隔壁380和第一盖层391的布置或形状与上面描述的布置或形状相同。
参照图20和图21,通过将墨水喷射到第一透光区域TA1中的第一喷射工艺330set以及对所述墨水进行干燥的第一干燥工艺dry1来形成透光图案330,通过将墨水喷射到第二透光区域TA2中的第二喷射工艺340set以及对所述墨水进行干燥的第一干燥工艺dry1来形成第一波长转换图案340,通过将墨水喷射到第三透光区域TA3中的第三喷射工艺350set以及对所述墨水进行干燥的第一干燥工艺dry1来形成第二波长转换图案350。透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350可以分别形成在被分隔壁380围绕的区域中。
如上面所描述的,在透光图案330以及波长转换图案340和350中,作为面对第一显示基底100的一个表面的第一表面CS1可以包括弯曲表面。可以通过改变对喷射在分隔壁380之间的墨水进行干燥的第一干燥工艺dry1的工艺条件来形成第一表面CS1的形状。
例如,如上面所描述的,分隔壁380可以由有机材料制成,并且可以由例如疏水性有机材料(诸如聚酰亚胺(PI))制成。这里,当通过紫外线(UV)辐射等将分隔壁380的表面材料改性为亲水性时,喷射在分隔壁380之间的墨水与分隔壁380之间的吸引力增大。然后,当执行对墨水进行干燥的工艺时,如至少图21中所示,可以将透光图案330以及波长转换图案340和350的第一表面CS1形成为具有其中一些区域朝向第二表面CS2凹陷的形状。此外,当对墨水进行干燥时,如果在相对低的温度下缓慢地进行第一干燥工艺dry1,则表面改性的分隔壁380与墨水之间的相互作用可以更强烈地发生,透光图案330以及波长转换图案340和350的第一表面CS1可以具有呈更大的曲率的凹陷形状。然而,示例性实施例不限于此。
如图22中所示,可以将第二盖层393形成为覆盖透光图案330、第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和分隔壁380。可以将第一显示基底100附着到第二显示基底300,填料700形成在第一显示基底100与第二显示基底300之间,以从而形成显示装置1。
在下文中,将描述根据一些示例性实施例的显示装置的第二显示基底。
图23是根据一些示例性实施例的显示装置的示意性剖视图。图24是根据一些示例性实施例的图23中的部分QM3的放大剖视图。
参照图23和图24,在根据实施例的显示装置1_1的第二显示基底300_1中,透光图案330_1以及波长转换图案340_1和350_1的第一表面CS1_1和第二表面CS2_1可以分别包括部分弯曲的表面。在第二显示基底300_1中,第二基体310_1的一个表面的与透光区域TA对应的区域部分地凹陷,滤色器361_1、363_1和365_1、透光图案330_1以及波长转换图案340_1和350_1可以设置在凹陷区域中。因此,透光图案330_1、波长转换图案340_1和350_1以及滤色器361_1、363_1和365_1可以包括与第二基体310_1的凹陷区域对应的弯曲表面。以这种方式,显示装置1_1与显示装置1的不同之处在于透光图案330_1、波长转换图案340_1和350_1以及滤色器361_1、363_1和365_1还可以包括根据第二显示基底300_1的第二基体310_1的形状的弯曲表面。在以下描述中,将省略冗余的描述,并且将主要描述差异。
在图23的第二显示基底300_1中,第二基体310_1可以包括与透光区域TA对应凹陷的表面。在第二基体310_1的一个表面上,其中设置有光阻挡构件320_1的光阻挡区域BA可以形成平坦表面,其中布置有滤色器361_1、363_1和365_1的透光区域TA可以部分地凹陷以形成弯曲表面。可以通过在制造显示装置1_1的工艺中部分地蚀刻第二基体310_1的一个表面(或另外使第二基体310_1的一个表面图案化)的工艺来形成第二基体310_1的这种形状。根据实施例,第二基体310_1可以具有可以比与光阻挡区域BA相关地测量的第五距离HA5小的与透光区域TA相关地测量的第四距离HA4。然而,示例性实施例不限于此。
滤色器361_1、363_1和365_1与第二基体310_1的一个表面的透光区域TA对应地设置。如上面所描述的,滤色器361_1、363_1和365_1可以包括作为与第二基体310_1接触的一个表面的第三表面CS3_1和其背对第三表面CS3_1的第四表面CS4_1。第三表面CS3_1可以具有沿着第二基体310_1的凹陷区域形成的弯曲表面,背对第三表面CS3_1的第四表面CS4_1也可以具有沿着第二基体310_1的凹陷区域形成的弯曲表面。与在图8中示出其实施例的第二显示基底300不同,在图23和图24中示出其实施例的第二显示基底300_1中,滤色器361_1、363_1和365_1的至少一个表面可以包括弯曲表面。
然而,如上面参照图8以及滤色器361、363和365类似地描述的,滤色器361_1、363_1和365_1可以基本上彼此相同,而与第三表面CS3_1与第四表面CS4_1之间的第三距离HA3的位置无关。滤色器361_1、363_1和365_1的第三表面CS3_1和第四表面CS4_1的形状可以根据第二基体310_1的其上设置有滤色器361_1、363_1和365_1的表面的形状而改变,第三表面CS3_1与第四表面CS4_1之间的第三距离HA3可以保持恒定,而与第三表面CS3_1和第四表面CS4_1的形状无关。虽然图24仅示出了透光图案330_1,但是透光图案330_1的描述甚至可以等同地应用于第一波长转换图案340_1和第二波长转换图案350_1。
透光图案330_1以及波长转换图案340_1和350_1可以分别设置在滤色器361_1、363_1以及365_1上。如上面所描述的,透光图案330_1以及波长转换图案340_1和350_1可以包括作为面对第一显示基底100的一个表面的第一表面CS1_1以及背对第一表面CS1_1且面对滤色器361_1、363_1和365_1的第四表面CS4_1的第二表面CS2_1。根据实施例,第二表面CS2_1可以具有沿着滤色器361_1、363_1和365_1的第四表面CS4_1的形状形成的弯曲表面,背对第二表面CS2_1的第一表面CS1_1也可以具有沿着滤色器361_1、363_1和365_1的第四表面CS4_1的形状形成的弯曲表面。如此,第二表面CS2_1的至少一部分可以朝向滤色器361_1、363_1和365_1突出以形成弯曲表面。与第二显示基底300不同,在第二显示基底300_1中,透光图案330_1以及波长转换图案340_1和350_1的第二表面CS2_1中的至少一个表面可以包括弯曲表面。透光图案330_1以及波长转换图案340_1和350_1的第一表面CS1_1和第二表面CS2_1以及滤色器361_1、363_1和365_1的第四表面CS4_1的曲率的中心设置在透光图案330_1以及波长转换图案340_1和350_1与第一显示基底100之间,并且滤色器361_1、363_1和365_1的第三表面CS3_1的曲率的中心设置在滤色器361_1、363_1和365_1与第一显示基底100之间。
第一表面CS1_1和第二表面CS2_1的弯曲表面可以具有基本上相同的曲率。在第二显示基底300中,在透光图案330以及波长转换图案340和350的情况下,第一表面CS1的弯曲表面的曲率可以根据在制造第二显示基底300的工艺中执行的第一干燥工艺dry1的工艺条件而改变。相比之下,在第二显示基底300_1中,透光图案330_1以及波长转换图案340_1和350_1的第一表面CS1_1可以被形成为根据第二表面CS2_1的弯曲表面的形状朝向第二基体310_1或第二表面CS2_1部分地凹陷。因此,透光图案330_1以及波长转换图案340_1和350_1的第一表面CS1_1和第二表面CS2_1的弯曲表面的曲率可以基本上彼此相同。此外,在第一表面CS1_1与第二表面CS2_1之间的距离之中,作为在透光区域TA的中心部分中测量的距离的第一距离HA1可以与作为在透光区域TA的两侧或透光区域TA的边缘上测量的距离的第二距离HA2基本上相同。即使在第二显示基底300_1的情况下,在透光图案330_1以及波长转换图案340_1和350_1中,从第一显示基底100提供的光入射在其上的第一表面CS1_1可以包括弯曲表面,因此,入射光的吸收面积可以增大。其的描述与上面参照至少图8和图9描述的描述相同。
在下文中,将参照各个附图描述制造显示装置1_1的工艺(显示装置1_1的实施例在图23中被示出),具体地,描述制造第二显示基底300_1的工艺。
图25至图28是示出根据各种示例性实施例的图23的显示装置的处于制造的各个阶段的剖视图。
参照图25,蚀刻第二基体310_1的一个表面的一部分以形成凹进部分CP,在第二基体310_1的所述一个表面上形成光阻挡构件320_1。在第二基体310_1的一个表面中,与透光区域TA对应的区域可以具有部分凹陷的形状。如图25中所示,可以在透光区域TA中形成其中第二基体310_1的一个表面被凹陷的凹进部分CP。在第二基体310_1的一个表面中,可以与第一透光区域TA1对应地形成第一凹进部分CP1,可以与第二透光区域TA2对应地形成第二凹进部分CP2,可以与第三透光区域TA3对应地形成第三凹进部分CP3。相比之下,在第二基体310_1上,定位在透光区域TA之间的光阻挡区域BA(例如,第一光阻挡区域BA1、第二光阻挡区域BA2和第三光阻挡区域BA3)可以在第二基体310_1的不凹陷的一个表面上形成平坦表面。可以在光阻挡区域BA的平坦表面上形成光阻挡构件320_1的多个部分。
参照图26,在第二基体310_1的一个表面的凹进部分CP上形成滤色器361_1、363_1和365_1。滤色器361_1、363_1和365_1可以设置在相应的透光区域TA中,并且可以与形成在第二基体310_1的一个表面上的凹进部分CP对应形成。因此,如上面所描述的,滤色器361_1、363_1和365_1的第三表面CS3_1和第四表面CS4_1可以包括弯曲表面。
形成第一盖层391_1以覆盖第一滤色器361_1、第二滤色器363_1和第三滤色器365_1,在多个滤色器361_1、363_1和365_1之间形成分隔壁380(见图27)。分隔壁380和第一盖层391_1的布置或形状与上面与例如图23和图24相关地描述的布置或形状相同。
参照图27和图28,通过将墨水喷射到第一透光区域TA1中的第一喷射工艺330set以及对所述墨水进行干燥的第二干燥工艺dry2来形成透光图案330_1,通过将墨水喷射到第二透光区域TA2中的第二喷射工艺340set以及对所述墨水进行干燥的第二干燥工艺dry2来形成第一波长转换图案340_1,通过将墨水喷射到第三透光区域TA3中的第三喷射工艺350set以及对所述墨水进行干燥的第二干燥工艺dry2来形成第二波长转换图案350_1。透光图案330_1、第一波长转换图案340_1和第二波长转换图案350_1可以分别形成在被分隔壁380围绕的区域中。
如上面所描述的,透光图案330_1以及波长转换图案340_1和350_1可以包括均包括根据滤色器361_1、363_1和365_1的形状的弯曲表面的第一表面CS1_1和第二表面CS2_1。可以在与第一干燥工艺dry1的工艺条件不同的工艺条件下执行用于形成透光图案330_1以及波长转换图案340_1和350_1的第二干燥工艺dry2。
如与图21相关地描述的,由于用于形成透光图案330以及波长转换图案340和350的墨水被喷射到滤色器361、363和365的平坦的第四表面CS4上,所以对所述墨水进行干燥的工艺可以被用于在透光图案330以及波长转换图案340和350的第一表面CS1上形成弯曲表面。相比之下,如与图28相关地描述的,由于用于形成透光图案330_1以及波长转换图案340_1和350_1的墨水被喷射到滤色器361_1、363_1和365_1的弯曲的第四表面CS4_1上,所以即使当在正常工艺条件下执行第二干燥工艺dry2时,透光图案330_1以及波长转换图案340_1和350_1的第一表面CS1_1也可以具有形成在其上的弯曲表面。在示例性实施例中,第二干燥工艺dry2的工艺条件可以与第一干燥工艺dry1的工艺条件不同。
可以形成第二盖层393以覆盖透光图案330_1、第一波长转换图案340_1、第二波长转换图案350_1和分隔壁380。为此,第一显示基底100可以附着到第二显示基底300_1,填料700设置在第一显示基底100与第二显示基底300_1之间,以从而形成显示装置1_1。
在一些示例性实施例中,第二显示基底(诸如显示装置1的第二显示基底300)还可以包括设置在光阻挡区域BA上的颜色图案以改善颜色再现性。
图29和图30是根据各种示例性实施例的显示装置的示意性剖视图。
参照图29,根据一些实施例的显示装置1_2的第二显示基底300_2还可以包括设置在光阻挡区域BA中(或上)并且设置在第二基体310与光阻挡构件320_2之间的颜色图案329_2。第二显示基底300_2与第二显示基底300的不同之处在于,第二显示基底300_2还包括颜色图案329_2。在下文中,将省略冗余的描述,并且将主要描述差异。
第二显示基底300_2可以包括在第二基体310的一个表面上设置在光阻挡区域BA中的颜色图案329_2。颜色图案329_2可以以与光阻挡构件320_2的部分的图案基本上相同的图案形成,并且可以设置在光阻挡构件320_2的所述部分与第二基体310之间。例如,在一些实施例中,颜色图案329_2可以设置在第一光阻挡区域BA1、第二光阻挡区域BA2、第三光阻挡区域BA3、第四光阻挡区域BA4、第五光阻挡区域BA5、第六光阻挡区域BA6和第七光阻挡区域BA7中。颜色图案329_2的厚度可以比光阻挡构件320_2的各个部分的厚度大,但是示例性实施例不限于此。
颜色图案329_2可以吸收从显示装置1_2的外部流入第二显示基底300_2中的光的一部分,以减少由于外部光导致的反射光。因此,显示装置1_2可以减少由于外部光导致的颜色的失真。在一些实施例中,颜色图案329_2可以包括诸如蓝色染料和/或蓝色颜料的蓝色着色剂。例如,颜色图案329_2可以由与第一滤色器361的材料相同的材料制成。
由于颜色图案329_2可以包括与第一滤色器361_2的材料相同的材料,因此在一些实施例中,第一滤色器361_2可以与颜色图案329_2成为一体。
参照图30,在根据实施例的第二显示基底300_3中,第一滤色器361_3可以与颜色图案329_3成为一体。如此,第一滤色器361_3的两侧可以定位在光阻挡区域BA中。第二显示基底300_3与第二显示基底300_2的不同之处在于第一滤色器361_3与颜色图案329_3的一部分成为一体。在下文中,将省略与参照图29描述的描述重复的描述,并且将主要描述差异。
在根据实施例的第二显示基底300_3中,由于颜色图案329_3包括与第一滤色器361_3的材料相同的材料,所以颜色图案329_3可以吸收从外部引入的光的一部分以减少由于外部光导致的反射光。在这种情况下,第一滤色器361_3的厚度可以与颜色图案329_3的厚度基本上相同。在一些实施例中,第一滤色器361_3可以与颜色图案329_3同时形成。因此,在制造第二显示基底300_3的工艺中可以省略一个工艺步骤,从而改善生产效率。
第一滤色器361_3可以设置在第一透光区域TA1中,并且也可以设置在光阻挡区域BA(例如,定位在第一滤色器361_3的两侧处的第一光阻挡区域BA1和第三光阻挡区域BA3)中。此外,第一滤色器361_3可以与设置在相邻透光区域TA中的滤色器(例如,设置在第二透光区域TA2中的第二滤色器363_3和设置在第三透光区域TA3中的第三滤色器365_3)直接接触。与第二显示基底300不同,第一滤色器361_3可以在光阻挡区域BA与透光区域TA之间的边界处与第二滤色器363_3和第三滤色器365_3接触,而不与第二滤色器363_3和第三滤色器365_3间隔开。
此外,由于第一滤色器361_3与颜色图案329_3成为一体,所以光阻挡构件320_3的设置在颜色图案329_3上的部分中的一些可以设置在第一滤色器361_3上。例如,在设置在第二光阻挡区域BA2中的第二光阻挡构件322_3的情况下,第二光阻挡构件322_3可以设置在第二滤色器363_3与颜色图案329_3之间以及第三滤色器365_3与颜色图案329_3之间。例如,在第二光阻挡区域BA2中,可以基于第二基体310的一个表面顺序地设置颜色图案329_3、第二光阻挡构件322_3和第二滤色器363_3或第三滤色器365_3。
相比之下,在其中设置有第一滤色器361_3的一部分的第一光阻挡区域BA1和第三光阻挡区域BA3中,第一光阻挡构件321_3或第三光阻挡构件323_3可以设置在第一滤色器361_3与第二滤色器363_3之间或者第一滤色器361_3与第三滤色器365_3之间。例如,在第一光阻挡区域BA1中,可以基于第二基体310的一个表面顺序地设置第一滤色器361_3、第一光阻挡构件321_3和第二滤色器363_3,并且在第三光阻挡区域BA3中,可以基于第二基体310的一个表面顺序地设置第一滤色器361_3、第三光阻挡构件323_3和第三滤色器365_3。在这种构造中,由于第一滤色器361_3与颜色图案329_3成为一体,所以可以在同一工艺中形成第一滤色器361_3和颜色图案329_3,并且可以在后续工艺中形成光阻挡构件320_3。
如上面所描述的,在一些实施例中,第一滤色器361、第二滤色器363和第三滤色器365可以不设置在第七光阻挡区域BA7中。例如,设置在第一行RT1中的第一滤色器361、第二滤色器363和第三滤色器365可以与设置在第二行RT2中的第一滤色器361、第二滤色器363和第三滤色器365间隔开。在这种情况下,设置在第七光阻挡区域BA7中的分隔壁380可以不与第一滤色器361、第二滤色器363和第三滤色器365叠置。
图31是示出根据一些示例性实施例的第二显示基底中的第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器的布置结构的示意性平面图。
参照图31,根据实施例,第一滤色器361_4、第二滤色器363_4和第三滤色器365_4可以与每个透光区域TA对应地设置,而不沿第二方向DR2延伸到相邻的透光区域TA。例如,第一滤色器361_4、第二滤色器363_4和第三滤色器365_4可以被布置为岛形形状。因此,滤色器361_4、363_4和365_4可以在第二基体310的第七光阻挡区域BA7上被部分地去除,并且可以与设置在沿第二方向DR2相邻的透光区域TA中的滤色器361_4、363_4和365_4间隔开。根据一些实施例的第二显示基底300_4与第二显示基底300的不同之处在于第一滤色器361_4、第二滤色器363_4和第三滤色器365_4被布置为岛形形状。在以下描述中,将省略冗余的描述,并且将主要描述差异。
根据实施例,第一滤色器361_4可以与第一透光区域TA1或第四透光区域TA4对应地设置,第二滤色器363_4可以与第二透光区域TA2或第五透光区域TA5对应地设置,第三滤色器365_4可以与第三透光区域TA3或第六透光区域TA6对应地设置。然而,由于第一滤色器361_4、第二滤色器363_4和第三滤色器365_4可以具有比其中设置有第一滤色器361_4、第二滤色器363_4和第三滤色器365_4的每个透光区域TA的面积大的面积,所以一些区域可以设置在光阻挡区域BA中。其中未设置有滤色器361_4、363_4和365_4的区域可以形成在第七光阻挡区域BA7中,并且设置在第七光阻挡区域BA7中的分隔壁380可以沿第一方向DR1延伸。
在一些实施例中,与每个透光区域TA对应的透光图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350也可以与滤色器361_4、363_4和365_4类似地被布置为岛形形状。
图32是示出根据一些示例性实施例的第二显示基底中的第一波长转换图案、第二波长转换图案和透光图案的布置结构的示意性平面图。
参照图32,在根据实施例的第二显示基底300_4中,透光图案330_4、第一波长转换图案340_4和第二波长转换图案350_4也可以与每个透光区域TA对应地设置,而不沿第二方向DR2延伸。例如,透光图案330_4、第一波长转换图案340_4和第二波长转换图案350_4也可以被布置为岛形形状。由于参照图32描述的透光图案330_4、第一波长转换图案340_4和第二波长转换图案350_4的布置与参照图31描述的滤色器361_4、363_4和365_4的布置基本上类似,因此将省略其详细描述。
在一些实施例中,多个滤色器361、363和365可以被设置为彼此接触而不彼此间隔开。
图33是根据一些示例性实施例的显示装置的示意性剖视图。
参照图33,在根据实施例的第二显示基底300_5中,多个滤色器361_5、363_5和365_5可以彼此叠置而不彼此间隔开。因此,任何一个滤色器可以具有定位在另一滤色器上的一些区域。第二显示基底300_5与第二显示基底300的不同之处在于多个滤色器361_5、363_5和365_5彼此接触。在以下描述中,将省略冗余的描述,并且将主要描述差异。
如图33中所示,任何一个滤色器(例如,第一滤色器361_5)可以形成为与其它滤色器(例如,第二滤色器363_5和第三滤色器365_5)部分地叠置。在第一方向DR1上,第三滤色器365_5设置在第一滤色器361_5的一侧上,第二滤色器363_5设置在第一滤色器361_5的另一侧上。在第一方向DR1上,第二滤色器363_5的一侧设置在第一滤色器361_5上,第三滤色器365_5设置在第二滤色器363_5的另一侧上。在第一方向DR1上,第三滤色器365_5的一侧设置在第二滤色器363_5上,并且第三滤色器365_5的另一侧设置在第一滤色器361_5上。
多个滤色器361_5、363_5和365_5可以在它们在其处彼此叠置而不彼此间隔开的区域中(诸如在光阻挡区域BA的一部分中)彼此接触。因此,第一盖层391_5可以被设置为覆盖第一滤色器361_5、第二滤色器363_5和第三滤色器365_5的上表面,而不与光阻挡构件320_5的各个部分接触。可以通过在制造第二显示基底300_5的工艺期间在顺序地形成各个滤色器361_5、363_5和365_5的同时将滤色器361_5、363_5和365_5形成为彼此不间隔开来实现这样的结构。
图34是根据一些示例性实施例的显示装置的示意性剖视图。
参照图34,在根据实施例的显示装置1_6的第二显示基底300_6中,可以通过光刻工艺而不是喷墨工艺形成透光图案330_6以及波长转换图案340_6和350_6。因此,在第二显示基底300_6中,可以在分隔壁380_6下设置第二盖层393_6。当通过光刻工艺形成透光图案330_6以及波长转换图案340_6和350_6时,可以在形成分隔壁380_6的工艺之前形成第二盖层393_6。
第二盖层393_6可以被设置为覆盖透光图案330_6以及波长转换图案340_6和350_6。第二盖层393_6可以与透光图案330_6、波长转换图案340_6和350_6以及分隔壁380_6直接接触。在制造第二显示基底300_6的工艺中,形成透光图案330_6以及波长转换图案340_6和350_6,然后形成第二盖层393_6以覆盖透光图案330_6以及波长转换图案340_6和350_6。由于透光图案330_6以及波长转换图案340_6和350_6可以被设置为基于光阻挡区域BA彼此间隔开,所以如图34中所示,分隔壁380_6可以设置在与光阻挡区域BA叠置的区域中。不同于与图8相关地描述的,在第二显示基底300_6中,分隔壁380_6可以设置在也可以直接接触第一盖层391_6的第二盖层393_6上。
即使当通过光刻工艺形成透光图案330_6以及波长转换图案340_6和350_6时,至少一个表面(例如,面对第一显示基底100的一个表面)可以包括弯曲表面。因此,第二盖层393_6可以具有沿着透光图案330_6以及波长转换图案340_6和350_6的弯曲表面的弯曲形状。由于其它构件与上面至少参照图8描述的构件相同(或基本上相同),因此将省略其详细描述。
根据实施例,显示装置1的第一显示基底100不一定仅发射第一颜色的光L1,而是可以被构造为发射第二颜色的光L2和/或第三颜色的光L3。
图35和图36是根据各种示例性实施例的显示装置的示意性剖视图。
参照图35,根据实施例的显示装置1_7的第一显示基底100_7可以针对每个发光区域LA发射具有不同颜色的光。例如,在第一显示基底100_7中,设置在第一发光区域LA1中的第一发光元件ED1可以发射第一颜色的光L1,设置在第二发光区域LA2中的第二发光元件ED2'可以发射第二颜色的光L2,设置在第三发光区域LA3中的第三发光元件ED3”可以发射第三颜色的光L3。因此,设置在相应的透光区域TA中的透光图案330_7以及波长转换图案340_7和350_7可以被提供有不同颜色的光。第一颜色的光L1可以入射在设置在第一透光区域TA1中的透光图案330_7上,第二颜色的光L2可以入射在设置在第二透光区域TA2中的第一波长转换图案340_7上,第三颜色的光L3可以入射在设置在第三透光区域TA3中的第二波长转换图案350_7上。
如上面所描述的,第一显示基底100_7的每个子像素可以包括彼此不同的发光元件30。发光元件30可以根据其活性层33的种类而发射不同颜色的光。根据示例性实施例,在第一显示基底100_7中,第一子像素PX1的发光元件30可以发射具有450nm至495nm的中心波段的第一颜色的光L1,第二子像素PX2的发光元件30可以发射具有495nm至570nm的中心波段的第二颜色的光L2,第三子像素PX3的发光元件30可以发射具有620nm至750nm的中心波段的第三颜色的光L3。因此,可以从第一显示基底100_7的第一发光区域LA1发射第一颜色的光L1,可以从第一显示基底100_7的第二发光区域LA2发射第二颜色的光L2,可以从第一显示基底100_7的第三发光区域LA3发射第三颜色的光L3。
在这种情况下,在设置在第二透光区域TA2和第三透光区域TA3中的第一波长转换图案340_7和第二波长转换图案350_7中,可以不发生由于波长转换材料345和355引起的光学转变。仅由滤色器361_7、363_7和365_7透射的颜色的光可以入射在设置在相应的透光区域TA中的滤色器361_7、363_7和365_7上,从而可以进一步改善显示装置1_7的颜色纯度。
根据一些示例性实施例,显示装置可以不必针对每个发光区域LA发射不同颜色的光。在一些实施例中,一些发光区域LA可以发射相同颜色的光。
参照图36,在显示装置1_8的第一显示基底100_8中,设置在第一发光区域LA1中的第一发光元件ED1可以发射第一颜色的光L1,设置在第二发光区域LA2中的第二发光元件ED2'可以发射第二颜色的光L2,设置在第三发光区域LA3中的第三发光元件ED3可以发射第一颜色的光L1。如此,设置在相应的透光区域TA中的透光图案330_8以及波长转换图案340_8和350_8可以被提供有至少两种不同颜色的光。第一颜色的光L1可以入射在设置在第一透光区域TA1中的透光图案330_8上,第二颜色的光L2可以入射在设置在第二透光区域TA2中的第一波长转换图案340_8上,第一颜色的光L1可以入射在设置在第三透光区域TA3中的第二波长转换图案350_8上。在这种情况下,只有入射在第二波长转换图案350_8上的第一颜色的光L1可以通过第二波长转换材料355引起光学转变。由于其它构件与上述构件相同,因此将省略其详细描述。
如上面所描述的,第一显示基底不必包括无机发光二极管,并且可以包括不同种类的自发光元件。在一些实施例中,第一显示基底可以是有机发光二极管(OLED)或液晶显示器(LCD)。
在下文中,将参照各个附图描述第一显示基底是有机发光二极管(OLED)或液晶显示器(LCD)的情况。
图37是示出根据一些示例性实施例的第一显示基底的显示区域的示意性平面图。图38是示出根据一些示例性实施例的第二显示基底的显示区域的示意性平面图。图39是根据一些示例性实施例的沿着图37和图38中的剖面线X1-X1'截取的显示装置的剖视图。图40是根据一些示例性实施例的图39中的部分Q的放大剖视图。
图37至图40示出了显示装置1_9包括有机发光二极管(OLED)作为第一显示基底100_9的情况。图37示出了第一显示基底100_9的包括有机发光层OL的显示区域DA,图38示出了当第一显示基底100_9包括有机发光层OL时第二显示基底300_9的显示区域DA。在以下描述中,将省略冗余的描述,并且将更详细地描述差异(具体地,第一显示基底100_9的有机发光层OL)。
参照图37至图40,当第一显示基底100_9是包括有机发光层OL的有机发光二极管(OLED)时,第一显示基底100_9的发光区域LA可以具有彼此不同的宽度WL_9。
在一些实施例中,第一发光区域LA1的沿着第一方向DR1测量的第一宽度WL1_9可以比第二发光区域LA2的沿着第一方向DR1测量的宽度WL2_9窄,并且可以比第三发光区域LA3的沿着第一方向DR1测量的第三宽度WL3_9窄。此外,第二发光区域LA2的第二宽度WL2_9和第三发光区域LA3的第三宽度WL3_9也可以彼此不同。说明性地,第二发光区域LA2的第二宽度WL2_9可以比第三发光区域LA3的第三宽度WL3_9宽。在一些实施例中,第一发光区域LA1的面积可以比第二发光区域LA2的面积小,并且可以比第三发光区域LA3的面积小,第二发光区域LA2的面积可以比第三发光区域LA3的面积大。
然而,示例性实施例不限于此,在一些情况下,第二发光区域LA2的面积可以比第三发光区域LA3的面积小。虽然示出了在第一显示基底100_9中,第一发光区域LA1具有最窄的宽度,第二发光区域LA2具有比第三发光区域LA3的宽度宽的宽度,但是示例性实施例不限于此。除了该差异之外,第一显示基底100_9的发光区域LA的描述与上面参照至少图3和图4描述的描述相同。
第二显示基底300_9的透光区域TA可以被形成为与第一显示基底100_9的发光区域LA基本上对应。当第一显示基底100_9是包括有机发光层OL的有机发光二极管(OLED)时,第二显示基底300_9的透光区域TA可以具有彼此不同的宽度WT_9。
在一些实施例中,第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3的在第一方向DR1上测量的宽度WT_9可以与第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3的在第一方向DR1上测量的宽度WL_9具有类似的关系。例如,第一透光区域TA1的沿着第一方向DR1测量的第一宽度WT1_9可以比第二透光区域TA2的沿着第一方向DR1测量的第二宽度WT2_9窄,并且可以比第三透光区域TA3的沿着第一方向DR1测量的第三宽度WT3_9窄。此外,第二透光区域TA2的第二宽度WT2_9和第三透光区域TA3的第三宽度WT3_9也可以彼此不同。说明性地,第二透光区域TA2的第二宽度WT2_9可以比第三透光区域TA3的第三宽度WT3_9宽。
在一些实施例中,第一透光区域TA1的面积可以比第二透光区域TA2的面积小,并且可以比第三透光区域TA3的面积小,第二透光区域TA2的面积可以比第三透光区域TA3的面积大。沿着第二方向DR2与第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3相邻的第四透光区域TA4、第五透光区域TA5和第六透光区域TA6可以与第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3在宽度、面积、区域中组件的结构和发射到显示装置1_9的外部的光的颜色方面基本上相同。
第一显示基底100_9可以包括有机发光层OL,并且可以具有与先前描述的各种实施例(诸如先前与至少图8相关地描述的那些实施例)的布置结构不同的布置结构。根据实施例,第一显示基底100_9可以包括第一电极AE1、AE2和AE3、第二电极CE以及设置在第一电极AE1、AE2和AE3与第二电极CE之间的有机发光层OL,并且还可以包括设置在第一显示基底100_9的非显示区域NDA中的像素限定层150。
如图39中所示,第一电极AE1、AE2和AE3可以设置在第一显示基底100_9的过孔层120上。设置在第一发光区域LA1中的第一电极AE1可以定位在第一发光区域LA1中,但是第一电极AE1的至少一部分可以延伸到非发光区域NLA(或者延伸到非发光区域NLA中)。设置在第二发光区域LA2中的第一电极AE2可以定位在第二发光区域LA2中,但是第一电极AE2的至少一部分可以延伸到非发光区域NLA(或者延伸到非发光区域NLA中)。设置在第三发光区域LA3中的第一电极AE3可以定位在第三发光区域LA3中,但是第一电极AE3的至少一部分可以延伸到非发光区域NLA(或者延伸到非发光区域NLA中)。设置在第一发光区域LA1中的第一电极AE1可以通过过孔层120连接到第一开关元件T1,设置在第二发光区域LA2中的第一电极AE2可以通过过孔层120连接到第二开关元件T2,设置在第三发光区域LA3中的第一电极AE3可以通过过孔层120连接到第三开关元件T3。
在一些实施例中,第一电极AE1、AE2和AE3的宽度或面积可以彼此不同。说明性地,设置在第一发光区域LA1中的第一电极AE1的宽度可以比设置在第二发光区域LA2中的第一电极AE2的宽度小,设置在第二发光区域LA2中的第一电极AE2的宽度可以比设置在第一发光区域LA1中的第一电极AE1的宽度大,并且可以比设置在第三发光区域LA3中的第一电极AE3的宽度大。在一些实施例中,设置在第一发光区域LA1中的第一电极AE1的面积可以比设置在第三发光区域LA3中的第一电极AE3的面积小。然而,示例性实施例不限于此。设置在第一发光区域LA1中的第一电极AE1的面积可以比设置在第二发光区域LA2中的第一电极AE2的面积小,设置在第三发光区域LA3中的第一电极AE3的面积可以比设置在第二发光区域LA2中的第一电极AE2的面积小,并且可以比设置在第一发光区域LA1中的第一电极AE1的面积大。在一些情况下,第一电极AE1、AE2和AE3的宽度或面积可以彼此基本上相同。
第一电极AE1、AE2、AE3中的每个可以是反射电极。在这种情况下,第一电极AE1、AE2、AE3中的每个可以是包含诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr中的至少一种的金属的金属层。在一些实施例中,第一电极AE1、AE2和AE3中的每个还可以包括沉积在金属层上的金属氧化物层。在示例性实施例中,第一电极AE1、AE2和AE3中的每个可以具有ITO/Ag、Ag/ITO、ITO/Mg或ITO/MgF2的双层结构,或者ITO/Ag/ITO的多层结构,但是示例性实施例不限于此。
像素限定层150可以设置在第一电极AE1、AE2和AE3上。像素限定层150可以包括用于暴露第一电极AE1、AE2和AE3的开口,并且可以限定第一发光区域LA1、第二发光区域LA2、第三发光区域LA3和非发光区域NLA。例如,第一发光区域LA1可以是第一电极AE1的设置在第一发光区域LA1中的区域,该区域没有被像素限定层150覆盖而被暴露。类似地,第二发光区域LA2可以是第一电极AE2的设置在第二发光区域LA2中的区域,该区域没有被像素限定层150覆盖而被暴露,第三发光区域LA3可以是第一电极AE3的设置在第三发光区域LA3中的区域,该区域没有被像素限定层150覆盖而被暴露。非发光区域NLA可以是像素限定层150设置在其处的区域。
在一些实施例中,像素限定层150可以包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯(BCB)中的至少一种的有机绝缘材料。
在一些实施例中,像素限定层150的部分可以被设置为与分隔壁380叠置。说明性地,如图38和图39中所示,像素限定层150可以与设置在光阻挡区域BA中的分隔壁380叠置。
有机发光层OL可以设置在第一电极AE1、AE2和AE3上。在一些实施例中,有机发光层OL可以具有遍及多个发光区域LA1、LA2、LA3、LA4、LA5和LA6以及非发光区域NLA形成的连续层的形状。有机发光层OL可以发光,并且光可以被提供到第二显示基底300。在一些实施例中,有机发光层OL可以发射第一颜色的光L1。稍后将描述有机发光层OL的更详细的描述。
第二电极CE可以设置在有机发光层OL上。在一些实施例中,第二电极CE可以具有半透射性或透射性。当第二电极CE具有半透射性时,第二电极CE可以包括诸如Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo和Ti中的至少一种的金属或者它们的任何复合物或任何混合物(例如,Ag和Mg的混合物)的单层或多层。当第二电极CE的厚度是几十至几百埃时,第二电极CE可以具有半透射性。
当第二电极CE具有透射性时,第二电极CE可以包括透明导电氧化物(TCO)。例如,第二电极CE可以包括氧化钨(WxOy)、氧化钛(TiO2)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)和氧化镁(MgO)等中的至少一种。
在一些实施例中,有机发光层OL可以具有其中堆叠有多个层的结构。
参照图40,在实施例中,有机发光层OL可以包括设置在第一发光区域LA1中的第一电极AE1上的第一空穴传输层HTL1、设置在第一空穴传输层HTL1上的第一发光材料层EL11和设置在第一发光材料层EL11上的第一电子传输层ETL1。有机发光层OL可以仅包括一个发光层(例如,作为发光层的第一发光材料层EL11),第一发光材料层EL11可以是蓝色发光层。然而,有机发光层OL的层压结构不限于如与图40相关地描述的结构。
再次参照图39,薄膜封装层170设置在第二电极CE上。薄膜封装层170公共地设置在第一发光区域LA1、第二发光区域LA2、第三发光区域LA3和非发光区域NLA中。在一些实施例中,薄膜封装层170直接覆盖第二电极CE。在一些实施例中,还可以在薄膜封装层170与第二电极CE之间设置覆盖第二电极CE的盖层,并且在这种情况下,薄膜封装层170可以直接覆盖所述盖层。
在一些实施例中,薄膜封装层170可以包括顺序地堆叠在第二电极CE上的第一无机封装层171、有机封装层173和第二无机封装层175。其描述与上面描述的描述相同。
根据一些示例性实施例,显示装置可以包括作为第一显示基底的液晶显示器(LCD)。
图41是根据一些示例性实施例的显示装置的示意性剖视图。
参照图41,在显示装置1_10中,第一显示基底100_10可以是包括液晶LC的液晶显示器(LCD)。在下文中,将仅描述作为液晶显示器(LCD)的第一显示基底100_10的结构,并且将省略其它结构的描述。
第一显示基底100_10可以包括背光单元BLU、下基底620、第一电极630、液晶层650、第二电极670、下取向层640、上取向层660、上基底680、下偏振器610和上偏振器690。
根据实施例,第一显示基底100_10可以包括下基底620、面对下基底620的上基底680、设置在下基底620与上基底680之间的液晶层650以及基于液晶层650设置在与第二显示基底300相对的一侧处(例如,设置在下基底620的一侧处)的背光单元BLU。
背光单元BLU可以设置在第一显示基底100_10下,以向第一显示基底100_10提供具有特定波长的光。背光单元BLU可以包括直接发射光的光源以及引导从光源发射的光并将所述光透射到第一显示基底100_10的导光板。
在示例性实施例中,光源可以发射第一颜色的光L1。例如,背光单元BLU可以向第一显示基底100_10提供第一颜色(例如,蓝色)的光L1。在一些实施例中,光源可以发射具有紫外波段中的峰值波长的光,并且背光单元BLU可以向第一显示基底100_10提供紫外光。
下基底620可以设置在背光单元BLU之上。下基底620可以包括多个绝缘层以及由薄膜晶体管构成的开关元件和驱动元件。例如,下基底620可以是用于控制布置在下基底620与上基底680之间的液晶LC的取向的薄膜晶体管基底。
可以在下基底620上针对每个发光区域LA设置第一电极630。第二电极670可以设置在第一电极630上而不限定像素PX。液晶层650可以包括液晶LC,并且可以置于第一电极630与第二电极670之间。液晶LC可以在具有负介电各向异性的情况下在初始取向状态下竖直取向,但是示例性实施例不限于此。
当在第一电极630与第二电极670之间形成电场时,液晶LC可以倾斜或旋转,从而改变透射通过液晶层650的光的偏振状态。在一些实施例中,液晶LC可以在具有正介电各向异性的情况下在初始取向状态下水平取向。
下取向层640可以设置在第一电极630与液晶层650之间,上取向层660可以设置在第二电极670与液晶层650之间。下取向层640和上取向层660可以诱导液晶LC在初始取向状态下具有预定的预倾角。
上基底680可以支撑第二电极670。上基底680可以包括多个绝缘层以及由薄膜晶体管构成的开关元件和驱动元件。例如,上基底680可以是用于控制液晶LC的取向的薄膜晶体管基底,但是示例性实施例不限于此。在一些示例性实施例中,上基底680可以与下基底620一起形成薄膜晶体管基底,以这种方式,上基底680可以包括或可以不包括开关元件和/或驱动元件。
下偏振器610可以设置在背光单元BLU与下基底620之间,上偏振器690可以设置在上基底680与第二显示基底300之间。下偏振器610和上偏振器690中的每个可以是吸收偏振器和反射偏振器中的至少一种。例如,吸收偏振器可以吸收与吸收轴平行的偏振分量并且透射与透射轴平行的偏振分量以将偏振光赋予透射光。下偏振器610和上偏振器690可以与液晶层650一起执行光学快门功能,以控制针对每个发光区域LA的透射光的量。
下偏振器610和上偏振器690的布置位置不限于图41中所示的布置位置。例如,下偏振器610可以设置在下基底620与液晶层650之间,上偏振器690可以设置在第二电极670与液晶层650之间。
如上面所描述的,第一显示基底100_10可以是能够通过液晶层650的控制通过调节透射光来显示图像的液晶显示器(LCD),并且将光透射到上覆的第二显示基底300的光源可以是液晶显示器(LCD)的背光单元BLU。
尽管在此已经描述了某些示例性实施例和实施方式,但是根据该描述,其它实施例和修改将是清楚的。因此,发明构思不限于这样的实施例,而是限于所附权利要求以及如对于本领域普通技术人员将是清楚的各种明显的修改和等同布置的更宽范围。
Claims (27)
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
第一显示基底,包括第一基体、设置在所述第一基体上的第一电极、与所述第一电极间隔开的第二电极以及设置在所述第一电极与所述第二电极之间的发光元件;以及
第二显示基底,面对所述第一显示基底,所述第二显示基底被构造为接收从所述发光元件发射的光,
其中:
所述第二显示基底包括第二基体、设置在所述第二基体的表面上的第一滤色器和设置在所述第一滤色器上的第一波长转换图案;
所述第一波长转换图案包括面对所述第一显示基底的第一表面以及背对所述第一表面并且面对所述第一滤色器的第二表面;并且
所述第一表面包括朝向所述第二表面凹陷的弯曲表面部分。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中:
所述第一滤色器包括:
第三表面,面对所述第二基体的表面;以及
第四表面,背对所述第三表面并且面对所述第一波长转换图案,并且
所述第二表面与所述第四表面平行。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中:
所述第三表面和所述第四表面与所述第二基体的所述表面平行;并且
所述第二表面与所述第二基体的所述表面平行。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,作为所述第一表面的中心与所述第二表面的中心之间的距离的第一距离比作为所述第一表面和所述第二表面的对应侧之间的距离的第二距离短。
5.根据权利要求2所述的显示装置,其中:
所述第二基体的所述表面的一部分包括凹进;并且
所述第一滤色器设置在所述凹进上。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述第三表面和所述第四表面中的每个包括与所述凹进对应地形成的弯曲表面部分。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述第二表面的一部分沿着所述第四表面的所述弯曲表面部分弯曲。
8.根据权利要求6所述的显示装置,其中,作为所述第一表面的中心与所述第二表面的中心之间的距离的第一距离等于作为所述第一表面和所述第二表面的对应侧之间的距离的第二距离。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述弯曲表面部分的曲率的中心设置在所述第一波长转换图案与所述第一显示基底之间。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中:
所述第二显示基底还包括设置在所述第二基体的所述表面上的第二滤色器以及设置在所述第二滤色器上的透光图案;
所述透光图案包括面对所述第一显示基底的表面和面对所述第二基体的所述表面且面对所述第二滤色器的另一表面;并且
所述透光图案的所述表面包括弯曲表面部分。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述第二显示基底还包括:
第一光阻挡构件,设置在所述第一滤色器与所述第二滤色器之间;以及
分隔壁,设置在所述第一光阻挡构件上并且设置在所述第一波长转换图案与所述透光图案之间。
12.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一电极和所述第二电极设置在所述第一基体上。
13.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述第一电极和所述第二电极在所述第一基体上沿第一方向延伸,并且在与所述第一方向不同的第二方向上彼此间隔开。
14.根据权利要求13所述的显示装置,其中,所述发光元件的第一端部部分电连接到所述第一电极,并且所述发光元件的第二端部部分电连接到所述第二电极。
15.一种显示装置,所述显示装置包括:
第一显示基底,包括第一发光区域、在第一方向上与所述第一发光区域间隔开的第二发光区域以及设置在所述第一发光区域与所述第二发光区域之间的非发光区域;以及
第二显示基底,设置在所述第一显示基底上,所述第二显示基底包括第一透光区域、在所述第一方向上与所述第一透光区域间隔开的第二透光区域以及设置在所述第一透光区域与所述第二透光区域之间的非透光区域,
其中:
所述第一显示基底还包括设置在所述第一发光区域中的第一发光元件和设置在所述第二发光区域中的第二发光元件;
所述第二显示基底还包括设置在所述第一透光区域中的第一滤色器、设置在所述第一滤色器上的透光图案、设置在所述第二透光区域中的第二滤色器以及设置在所述第二滤色器上的第一波长转换图案;
所述透光图案和所述第一波长转换图案中的每个包括面对所述第一显示基底的第一表面和背对所述第一表面的第二表面;并且
所述第一表面包括朝向所述第二表面凹陷的弯曲表面部分。
16.根据权利要求15所述的显示装置,其中,与所述透光图案和所述第一波长转换图案中的每个相关地,作为所述第一表面的中心与所述第二表面的中心之间的距离的第一距离比作为所述第一表面和所述第二表面的对应侧之间的距离的第二距离短。
17.根据权利要求15所述的显示装置,其中,所述透光图案的所述第二表面包括朝向所述第一滤色器突出的弯曲表面部分。
18.根据权利要求17所述的显示装置,其中,与所述透光图案相关地,作为所述第一表面的中心与所述第二表面的中心之间的距离的第一距离等于作为所述第一表面和所述第二表面的对应侧之间的距离的第二距离。
19.根据权利要求17所述的显示装置,其中:
所述第一滤色器包括:第三表面;以及第四表面,背对所述第三表面并且面对所述透光图案;并且
所述第三表面和所述第四表面中的每个包括弯曲表面部分。
20.根据权利要求19所述的显示装置,其中:
所述第一表面、所述第二表面和所述第四表面的曲率的中心设置在所述透光图案与所述第一显示基底之间;并且
所述第三表面的曲率的中心设置在所述第一滤色器与所述第一显示基底之间。
21.根据权利要求15所述的显示装置,其中,所述第二显示基底还包括:
光阻挡构件,在所述非透光区域中设置在所述第一滤色器和所述第二滤色器之间;以及
分隔壁,设置在所述光阻挡构件上并且设置在所述透光图案与所述第一波长转换图案之间。
22.根据权利要求15所述的显示装置,其中:
在所述第一发光区域和所述第二发光区域中的每个中,所述第一显示基底还包括第一电极和与所述第一电极间隔开的第二电极;
所述第一发光元件在所述第一发光区域中设置在所述第一电极和所述第二电极之间;以及
所述第二发光元件在所述第二发光区域中设置在所述第一电极和所述第二电极之间。
23.根据权利要求22所述的显示装置,其中:
所述第一发光元件被构造为朝向所述透光图案发射第一颜色的光;并且
所述第一滤色器被构造为透射所述第一颜色的光并且阻挡除了所述第一颜色的光之外的光。
24.根据权利要求23所述的显示装置,其中:
所述第二发光元件被构造为朝向所述第一波长转换图案发射所述第一颜色的光;并且
所述第一波长转换图案被构造为将所述第一颜色的光转换为与所述第一颜色不同的第二颜色的光,并被构造为向所述第二滤色器提供所述第二颜色的光。
25.根据权利要求24所述的显示装置,其中,所述第二滤色器被构造为透射所述第二颜色的光并且阻挡除了所述第二颜色的光之外的光。
26.根据权利要求23所述的显示装置,其中,所述第二发光元件被构造为朝向所述第一波长转换图案发射与所述第一颜色不同的第二颜色的光。
27.根据权利要求22所述的显示装置,其中,所述第一显示基底还包括设置在所述非发光区域中的多个堤。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114156322A (zh) * | 2021-11-29 | 2022-03-08 | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
WO2023028945A1 (zh) * | 2021-09-02 | 2023-03-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法和显示装置 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20220130308A (ko) * | 2021-03-17 | 2022-09-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치와 그를 포함하는 타일형 표시 장치 |
KR20220146725A (ko) * | 2021-04-23 | 2022-11-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
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KR20230030122A (ko) * | 2021-08-24 | 2023-03-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
WO2023153532A1 (ko) * | 2022-02-08 | 2023-08-17 | 엘지전자 주식회사 | 디스플레이 장치 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20160079975A (ko) | 2014-12-26 | 2016-07-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
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KR102282060B1 (ko) * | 2017-05-23 | 2021-07-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US10497842B2 (en) * | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Innolux Corporation | Display device and lighting apparatus |
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KR102407848B1 (ko) | 2017-09-11 | 2022-06-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 퀀텀-나노 발광 다이오드 픽셀 및 퀀텀-나노 발광 다이오드 디스플레이 장치 |
KR102507122B1 (ko) * | 2017-11-03 | 2023-03-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이를 이용한 제조 방법 |
KR102559514B1 (ko) * | 2018-04-13 | 2023-07-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102600928B1 (ko) * | 2018-07-05 | 2023-11-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
KR20210114080A (ko) * | 2020-03-09 | 2021-09-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 리페어 방법 |
KR20210129786A (ko) * | 2020-04-20 | 2021-10-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치, 그리고 그 제조 방법 |
KR20220034291A (ko) * | 2020-09-10 | 2022-03-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023028945A1 (zh) * | 2021-09-02 | 2023-03-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法和显示装置 |
CN114156322A (zh) * | 2021-11-29 | 2022-03-08 | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210074769A1 (en) | 2021-03-11 |
KR20210031586A (ko) | 2021-03-22 |
US11621305B2 (en) | 2023-04-04 |
EP3792978A1 (en) | 2021-03-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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