CN220796751U - 显示设备 - Google Patents

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Abstract

实施方式提供一种显示设备，其包括：第一衬底；第一发光二极管、第二发光二极管和第三发光二极管；封装层，覆盖第一发光二极管、第二发光二极管和第三发光二极管；堤部层，在封装层上，堤部层包括与第一发光二极管对应的第一堤部开口、与第二发光二极管对应的第二堤部开口以及与第三发光二极管对应的第三堤部开口；第一量子点层，设置在第一堤部开口中；第二量子点层，设置在第二堤部开口中；第一有机封盖层，设置在第二堤部开口中并且覆盖第二量子点层；以及无机封盖层，覆盖堤部层、第一量子点层和第二量子点层。

Description

显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年8月19日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0104276号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
实施方式涉及一种可在其上显示高质量图像的显示设备。
背景技术
通常，显示设备包括像素。对于全色显示设备，像素可以发射不同颜色的光。为此，显示设备的至少一些像素包括颜色转换单元。因此，由像素的发射单元生成的第一颜色的光通过相应的颜色转换单元被转换成第二颜色的光，并被发射到外部。
将理解的是，该背景技术部分旨在部分地为理解该技术提供有用的背景。然而，该背景技术部分也可以包括并非是本文中公开的主题的相应有效申请日之前被相关领域的技术人员已知或理解的内容的一部分的概念、构思或认识。
实用新型内容
在相关技术的显示设备中，当在显示器制造工艺期间将颜色转换单元暴露于光和/或氧时，可能会降低光转换效率。
实施方式包括可在其上显示高质量图像的显示设备。然而，实施方式仅为示例，并且本公开的范围不限于此。
另外的方面将部分地在随后的描述中阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可以通过实施本公开的实施方式而习得。
根据实施方式，显示设备可以包括：第一衬底；第一发光二极管、第二发光二极管和第三发光二极管，设置在第一衬底上并且发射属于第一波长带的波长的光；封装层，覆盖第一发光二极管、第二发光二极管和第三发光二极管；堤部层，在封装层上，堤部层包括：第一堤部开口，与第一发光二极管对应；第二堤部开口，与第二发光二极管对应；以及第三堤部开口，与第三发光二极管对应；第一量子点层，设置在第一堤部开口中，并且将属于第一波长带的波长的光转换成属于第二波长带的波长的光；第二量子点层，设置在第二堤部开口中，并且将属于第一波长带的波长的光转换成属于第三波长带的波长的光；第一有机封盖层，设置在第二堤部开口中，并且覆盖第二量子点层；以及无机封盖层，覆盖堤部层、第一量子点层和第一有机封盖层。
在实施方式中，堤部层还可以包括：第一堤部层，在封装层上并且具有亲液表面；以及第二堤部层，在第一堤部层上并且具有疏液表面。
在实施方式中，第一有机封盖层的上表面接触第二堤部开口的侧壁的固定点可以与第一堤部层和第二堤部层之间的界面接触第二堤部开口的侧壁的点重合或可以与之相邻。
在实施方式中，第二量子点层可以具有中心部分的厚度小于与第二堤部开口的侧壁相邻的外围部分的厚度的凹形形状。
在实施方式中，在第一有机封盖层中，中心部分的厚度可以等于与第二堤部开口的侧壁相邻的外围部分的厚度。
在实施方式中，第一有机封盖层可以具有中心部分的厚度大于与第二堤部开口的侧壁相邻的外围部分的厚度的凸形形状。
在实施方式中，第二量子点层可以具有中心部分的厚度大于与第二堤部开口的侧壁相邻的外围部分的厚度的凸形形状，以及在第一有机封盖层中，中心部分的厚度可以等于外围部分的厚度。
在实施方式中，第一有机封盖层的厚度可以在约0.1μm至约3μm的范围内。
在实施方式中，第二量子点层可以包括InxGa(1-x)P、AgInxGa(1-x)S2、AgInS2、AgGaS2、CuInS2、CuInSe2、CuGaS2、CuGaSe2、ZnSe、ZnTexSe(1-x)或其任何混合物。
在实施方式中，第一波长带可以在约450nm至约495nm的范围内，以及第三波长带可以在约495nm至约570nm的范围内。
在实施方式中，显示设备还可以包括第二有机封盖层，第二有机封盖层设置在第一堤部开口中并且覆盖第一量子点层。
在实施方式中，显示设备还可以包括：第二衬底，在第一衬底之上，且堤部层在第一衬底和第二衬底之间；以及滤色器层，设置在第二衬底的在朝向第一衬底的方向上的下表面上，其中，当从垂直于第一衬底的方向观察时，滤色器层可以包括分别与第一发光二极管、第二发光二极管和第三发光二极管重叠的第一滤色器开口、第二滤色器开口和第三滤色器开口。
在实施方式中，显示设备还可以包括低折射率层，低折射率层接触滤色器层的在朝向第一衬底的方向上的下表面。
在实施方式中，显示设备还可以包括在无机封盖层和低折射率层之间的填充物。
根据实施方式，显示设备可以包括：第二衬底；滤色器层，在第二衬底上，并且包括第一滤色器开口、第二滤色器开口和第三滤色器开口；低折射率层，在滤色器层上；堤部层，在低折射率层上，堤部层包括：第一堤部开口，与第一滤色器开口对应；第二堤部开口，与第二滤色器开口对应；以及第三堤部开口，与第三滤色器开口对应；第一量子点层，设置在第一堤部开口中，并且将属于第一波长带的波长的光转换成属于第二波长带的波长的光；第二量子点层，设置在第二堤部开口中，并且将属于第一波长带的波长的光转换成属于第三波长带的波长的光；第一有机封盖层，设置在第二堤部开口中并且覆盖第二量子点层；以及无机封盖层，覆盖堤部层、第一量子点层和第一有机封盖层。
在实施方式中，堤部层还可以包括：第一堤部层，在低折射率层上并且具有亲液表面；以及第二堤部层，在第一堤部层上并且具有疏液表面。
在实施方式中，第一有机封盖层的上表面接触第二堤部开口的侧壁的固定点可以与第一堤部层和第二堤部层之间的界面接触第二堤部开口的侧壁的点重合或可以与之相邻。
在实施方式中，第二量子点层可以具有中心部分的厚度小于与第二堤部开口的侧壁相邻的外围部分的厚度的凹形形状。
在实施方式中，在第一有机封盖层中，中心部分的厚度可以等于与第二堤部开口的侧壁相邻的外围部分的厚度。
在实施方式中，第一有机封盖层可以具有中心部分的厚度大于与第二堤部开口的侧壁相邻的外围部分的厚度的凸形形状。
在实施方式中，第二量子点层可以具有中心部分的厚度大于与第二堤部开口的侧壁相邻的外围部分的厚度的凸形形状，以及在第一有机封盖层中，中心部分的厚度可以等于外围部分的厚度。
在实施方式中，显示设备还可以包括第二有机封盖层，第二有机封盖层设置在第一堤部开口中并且覆盖第一量子点层。
在实施方式中，第二量子点层可以包括InxGa(1-x)P、AgInxGa(1-x)S2、AgInS2、AgGaS2、CuInS2、CuInSe2、CuGaS2、CuGaSe2、ZnSe、ZnTexSe(1-x)或其任何混合物。
在实施方式中，显示设备还可以包括：第一衬底，在第二衬底下方，且堤部层在第一衬底和第二衬底之间；第一发光二极管、第二发光二极管和第三发光二极管，设置在第一衬底上并且发射属于第一波长带的波长的光；以及封装层，覆盖第一发光二极管、第二发光二极管和第三发光二极管。
在实施方式中，显示设备还可以包括在封装层和无机封盖层之间的填充物。
根据实施方式，显示设备可以包括：第一衬底；第一发光二极管、第二发光二极管和第三发光二极管，设置在第一衬底上并且发射属于第一波长带的波长的光；封装层，覆盖第一发光二极管、第二发光二极管和第三发光二极管；堤部层，在封装层上，堤部层包括：第一堤部开口，与第一发光二极管对应；第二堤部开口，与第二发光二极管对应；以及第三堤部开口，与第三发光二极管对应；第一量子点层，设置在第一堤部开口中，并且将属于第一波长带的波长的光转换成属于第二波长带的波长的光；第二量子点层，设置在第二堤部开口中，并且将属于第一波长带的波长的光转换成属于第三波长带的波长的光；第一有机封盖层，设置在第二堤部开口中，并且覆盖第二量子点层；无机封盖层，覆盖堤部层、第一量子点层和第一有机封盖层；有机低折射率层，在无机封盖层上并且填充第一堤部开口、第二堤部开口和第三堤部开口；无机保护层，在有机低折射率层上；以及滤色器层，直接接触无机保护层，其中，当从垂直于第一衬底的方向观察时，滤色器层可以包括分别与第一发光二极管、第二发光二极管和第三发光二极管重叠的第一滤色器开口、第二滤色器开口和第三滤色器开口。
从附图、权利要求和本公开的详细描述中，这些和/或其它方面将变得显而易见并且更容易理解。
将理解的是，以上实施方式仅以概述性和解释性的含义来描述，而不是出于限制的目的，并且本公开不限于以上描述的实施方式。
附图说明
通过参考附图详细描述本公开的实施方式，本公开的以上和其它方面和特征将变得更加显而易见的，在附图中：
图1是根据实施方式的显示设备的示意性立体图；
图2是示出根据实施方式的显示设备的每个子像素的示意性剖视图；
图3是图2的颜色转换-透射层的示意图；
图4是示出包括在根据实施方式的显示设备中的发光二极管和电连接到发光二极管的子像素电路的等效电路图；
图5是沿着图1中的线I-I'截取的示出了显示设备的示意性剖视图；
图6是示出图5中所示的显示设备的区域II的放大的示意性剖视图；
图7A和图7B分别是根据实施方式的显示设备的一部分的示意性剖视图；
图8是根据实施方式的显示设备的一部分的示意性剖视图；
图9A至图9F是根据实施方式的顺序地示出制造显示设备的方法的一些操作的示意性剖视图；
图10是根据实施方式的显示设备的一部分的示意性剖视图；
图11是图10所示的显示设备的区域III的放大的示意性剖视图；
图12A和图12B各自是根据实施方式的显示设备的一部分的示意性剖视图；
图13A至图13F是根据实施方式的顺序地示出制造显示设备的方法的一些操作的示意性剖视图；
图14是示出根据实施方式的显示设备的根据量子点层的厚度的光吸收效率增加率和光转换效率增加率的曲线图；
图15是示出根据实施方式和比较性示例的显示设备的根据曝光时间的光转换效率的曲线图；
图16是示出根据实施方式和比较性示例的显示设备的根据曝光时间的光转换效率的曲线图；以及
图17是根据实施方式的显示设备的一部分的示意性剖视图。
具体实施方式
现在将在下文中参考其中示出了实施方式的附图更全面地描述本公开。然而，本公开可以以不同的形式来实现，并且不应被解释为限于在本文中阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开将是透彻且完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。
在附图中，为了便于描述并且为了清楚，可以夸大元件的尺寸、厚度、比例和尺寸。相同的附图标记通篇表示相同的元件。
在描述中，将理解的是，当元件(或区域、层、部分等)被称为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“联接到”另一元件时，它可以直接在另一元件上、直接连接到另一元件或直接联接到另一元件，或者在它们之间可以存在一个或多个中间元件。以类似含义，当元件(或区域、层、部分等)被描述为“覆盖”另一元件时，它可以直接覆盖另一元件，或者在它们之间可以存在一个或多个中间的元件。
在描述中，当元件“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接联接到”另一元件时，不存在中间的元件。例如，“直接在…上”可以意指在其间没有附加元件(诸如，粘附元件)的情况下设置两个层或两个元件。
将理解的是，术语“连接到”或“联接到”可以表示在具有或不具有中间元件的情况下进行物理、电和/或流体连接或联接。
如本文中所使用的，除非上下文另有明确指示，否则诸如“一”、“一个”和“该”的以单数使用的表述旨在也包括复数形式。
如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或多个的任何和所有组合。例如，“A和/或B”可以理解为意指“A、B、或A和B”。术语“和”以及“或”可以以连接词或反义连接词的含义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。
在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，术语“…中的至少一个”旨在包括“选自由…组成的组中的至少一个”的含义。例如，“A、B和C中的至少一个”可以理解为意指仅A、仅B、仅C、或A、B和C中的两个或更多个的任何组合(诸如，ABC、ACC、BC或CC)。当在元素列表之后时，术语“…中的至少一个”修饰整个元素列表而非修饰列表中的个别元素。
将理解的是，尽管在本文中可以使用术语第一、第二等来描述各种元件，但是这些元件不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不背离本公开的教导的情况下，第一元件可以被称为第二元件。类似地，在不背离本公开的范围的情况下，第二元件可以被称为第一元件。
为了便于描述，可以在本文中使用空间相对术语“下方”、“下面”、“下”、“上方”、“上”等来描述如附图中所示的一个元件或部件与另一元件或部件之间的关系。将理解的是，除了附图中描绘的取向之外，空间相对术语旨在涵盖装置在使用或操作中的不同取向。例如，在图中所示的装置被翻转的情况下，定位在另一装置“下方”或“下面”的装置可以被放置在另一装置“上方”。因此，说明性术语“下方”可以包括下部位置和上部位置二者。装置也可以在其它方向上定向，并且因此空间相对术语可以根据定向而被不同地解释。
如在本文中使用的“约”或“近似”包括所述值以及如本领域普通技术人员考虑所讨论的测量以及与记载量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)所确定的记载值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可以意指在一个或多个标准偏差内，或在所述值的±20％、±10％或±5％内。
应理解的是，术语“包括(comprises)”、“包括有(comprising)”、“包括(includes)”、“包括有(including)”、“具有(have)”、“具有(having)”、“包含(contains)”、“包含有(containing)”等旨在指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件或其组合在本公开中的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件或其组合的存在或添加。
在本说明书中，术语“X轴”、“Y轴”和“Z轴”不限于正交坐标系(例如，笛卡尔坐标系)中的三个轴，并且可以以比正交坐标系中的前述三个轴更宽泛的含义进行解释。例如，X轴、Y轴和Z轴可以描述彼此正交的轴，或者可以描述在不同方向上彼此不正交的轴。
除非在本文中另有限定或暗指，否则所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语，诸如在常用词典中限定的那些术语，应被解释为具有与其在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于形式的含义进行解释，除非在说明书中明确限定。
图1是根据实施方式的显示设备的示意性立体图。
参考图1，显示设备1可以包括显示区域DA和在显示区域DA外部的非显示区域NDA。显示设备1可以通过布置在X-Y平面上的子像素的二维阵列来提供图像。子像素可以包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，并且在下文中，为了便于说明，描述了第一子像素是红色子像素Pr，第二子像素是绿色子像素Pg并且第三子像素是蓝色子像素Pb的情况。
红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb是可在其中分别发射红光、绿光和蓝光的区域，并且显示设备1可以通过使用从子像素发射的光来提供图像。
当从与显示设备1的上表面垂直的方向(例如，Z轴方向)观察时，红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb中的每个可以具有多边形形状。在图1中，当从与显示设备1的上表面垂直的方向(例如，Z轴方向)观察时，红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb中的每个具有四边形形状。然而，本公开不限于此。例如，当从与显示设备1的上表面垂直的方向(例如，Z轴方向)观察时，红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb中的每个可以具有圆形或椭圆形形状。当从与显示设备1的上表面垂直的方向(例如，Z轴方向)观察时，红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb中的每个的形状可以由将在下面参考图2等描述的第一滤色器层810、第二滤色器层820和/或第三滤色器层830限定。
不在其中提供图像的非显示区域NDA可以完全围绕显示区域DA。在非显示区域NDA中，可以布置配置成向子像素电路提供电信号或电力的驱动器或主电压线。非显示区域NDA可以包括焊盘，其是电子元件或印刷电路板可与之电连接的区域。
显示区域DA可以具有包括如图1所示的四边形的多边形形状。例如，显示区域DA可以具有其水平长度大于竖直长度的矩形形状、其水平长度小于竖直长度的矩形形状、或正方形形状。在其它实施方式中，显示区域DA可以具有各种形状，诸如椭圆形或圆形。
图2是示出根据实施方式的显示设备的每个子像素的示意性剖视图。
参考图2，显示设备1可以包括在第一衬底100上的电路层200。电路层200可以包括第一子像素电路PC1、第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3，并且第一子像素电路PC1、第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3可以分别电连接到发光二极管层300的第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3。
第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3中的每个可以是包括有机材料的有机发光二极管。在另一实施方式中，第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3中的每个可以是包括无机材料的无机发光二极管。无机发光二极管可以包括PN结二极管，所述PN结二极管包括基于无机半导体的材料。当在正向方向上向PN结二极管施加电压时，空穴和电子可以被注入其中，并且由空穴和电子的复合产生的能量可以被转换成光能以发射特定颜色的光。以上描述的无机发光二极管可以具有数微米至数百微米或数纳米至数百纳米的宽度。在实施方式中，第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3中的每个可以是包括量子点的发光二极管。如上所述，第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3中的每个的发射层可以包括有机材料、无机材料、量子点、具有量子点的有机材料、或具有量子点的无机材料。
第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3可以发射相同颜色的光。例如，由第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3发射的光(例如，蓝光Lb)可以穿过发光二极管层300上的颜色转换-透射层600和封装层400。
颜色转换-透射层600可以包括在进行或不进行颜色转换的情况下透射从发光二极管层300发射的光(例如，蓝光Lb)的光学单元。例如，颜色转换-透射层600可以包括颜色转换单元和透射单元，其中颜色转换单元将从发光二极管层300发射的光(例如，蓝光Lb)转换成另一颜色的光，并且透射单元在不进行颜色转换的情况下透射从发光二极管层300发射的光(例如，蓝光Lb)。颜色转换-透射层600可以包括对应于红色子像素Pr的第一量子点层610、对应于绿色子像素Pg的第二量子点层620、以及对应于蓝色子像素Pb的透射层630。第一量子点层610可以将蓝光Lb转换成红光Lr，并且第二量子点层620可以将蓝光Lb转换成绿光Lg。透射层630可以在不进行转换的情况下透射蓝光Lb。
从发光二极管层300发射的蓝光Lb可以是属于第一波长带的波长的光。例如，第一波长带可以在约450nm至约495nm的范围内。蓝光Lb由第一量子点层610转换而成的红光Lr可以是属于第二波长带的波长的光。例如，第二波长带可以在约625nm至约780nm的范围内。蓝光Lb由第二量子点层620转换而成的绿光Lg可以是属于第三波长带的波长的光。例如，第三波长带可以在约495nm至约570nm的范围内。然而，本公开不限于此，并且从发光二极管层300发射的光的波长所属的波长带和转换后的光的波长所属的波长带可以被修改。
滤色器层800可以设置在颜色转换-透射层600上。滤色器层800可以包括具有不同颜色的第一滤色器层810、第二滤色器层820和第三滤色器层830。例如，第一滤色器层810可以是红色滤色器，第二滤色器层820可以是绿色滤色器，并且第三滤色器层830可以是蓝色滤色器。
由颜色转换-透射层600进行颜色转换的光和由颜色转换-透射层600透射的光中的每个可以通过穿过第一滤色器层810、第二滤色器层820和第三滤色器层830而具有改善的颜色纯度。滤色器层800可以防止或最小化外部光(例如，从显示设备1的外部向显示设备1入射的光)的反射和用户对其的识别。
可以在滤色器层800上设置透射基础层。在实施方式中，透射基础层，其是第二衬底900，可以在滤色器层800和颜色转换-透射层600形成在第二衬底900上之后被集成为使得颜色转换-透射层600和封装层400彼此面对。在另一实施方式中，颜色转换-透射层600可以在颜色转换-透射层600形成在封装层400上并且滤色器层800形成在第二衬底900上之后被集成为使得滤色器层800和颜色转换-透射层600彼此面对。
第二衬底900可以包括玻璃或透射性的有机材料。例如，第二衬底900可以包括透射性的有机材料，诸如基于丙烯酸的树脂。在一些实施方式中，可以在第二衬底900上设置另一光学膜，例如抗反射(AR)膜等。
具有以上描述的结构的显示设备1可以包括能够显示运动图像或静止图像的电子装置，诸如电视机、广告牌、影院屏幕、监视器、平板个人计算机(PC)和膝上型计算机。
图3是示出图2的颜色转换-透射层的每个光学单元的示意图。
参考图3，第一量子点层610可以将入射到其上的蓝光Lb转换成红光Lr。如图3所示，第一量子点层610可以包括第一光敏聚合物1151以及分散在第一光敏聚合物1151中的第一量子点1152和第一散射颗粒1153。
第一量子点1152可以由蓝光Lb激发，并且可以各向同性地发射具有比蓝光Lb长的波长的红光Lr。第一光敏聚合物1151可以是具有透光特性的有机材料。第一散射颗粒1153可以散射未被第一量子点1152吸收的蓝光Lb以激发更多的第一量子点1152，从而改善颜色转换效率。第一散射颗粒1153可以无关于入射角在多个方向上散射入射光，而基本上不转换光的波长。因此，第一散射颗粒1153可以改善显示设备的侧部可见度。例如，第一散射颗粒1153可以是氧化钛(TiO2)或金属颗粒。第一量子点1152可以选自II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物或其任何组合。
II-VI族半导体化合物的示例可以包括：二元化合物，诸如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe或MgS；三元化合物，诸如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe或MgZnS；四元化合物，诸如CnZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe；或其任何混合物。
III-V族半导体化合物的示例可以包括：二元化合物，诸如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs或InSb；三元化合物，诸如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs或InPSb；四元化合物，诸如GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaAlNP、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb；或其任何混合物。III-V族半导体化合物还可以包括II族元素。进一步包括II族元素的III-V族半导体化合物的示例可以包括InZnP、InGaZnP或InAlZnP。
III-VI族半导体化合物的示例可以包括：二元化合物，诸如GaS、GaSe、Ga2Se3、GaTe、InS、In2S3、InSe、In2Se3或InTe；三元化合物，诸如AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、InGaS3或InGaSe3；或其任何组合。
I-III-VI族半导体化合物的示例可以包括：三元化合物，诸如AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、CuGaO2、AgGaO2或AgAlO2；或其任何混合物。
IV-VI族半导体化合物的示例可以包括：二元化合物，诸如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe或PbTe；三元化合物，诸如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe或SnPbTe；四元化合物，诸如SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe；或其任何混合物。
IV族元素或化合物的示例可以包括：单元素材料，诸如Si或Ge；二元化合物，诸如SiC或SiGe；或其任何混合物。
包括在诸如二元化合物、三元化合物和四元化合物的多元化合物中的每种元素可以以均匀的浓度或不均匀的浓度存在于颗粒中。
量子点可以具有包括在相应量子点中的每种元素的浓度均匀的单一结构或核-壳结构。例如，在量子点具有核-壳结构的情况下，包括在核中的材料和包括在壳中的材料可以彼此不同。量子点的壳可以用作保护层，用于通过防止核的化学变性来保持半导体特性，和/或可以用作充电层，用于向量子点赋予电泳特性。壳可以包括一层或多层。核和壳之间的界面可以具有壳中的元素的浓度朝向核减小的浓度梯度。
量子点的壳的示例可以包括金属氧化物、非金属氧化物、半导体化合物或其任何组合。金属氧化物或非金属氧化物的示例可以包括：二元化合物，诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4或NiO；三元化合物，诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4或CoMn2O4；或其任何混合物。半导体化合物的示例可以包括如上所述的II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物或其任何混合物。例如，半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb或其任何混合物。
量子点可以具有小于或等于约45nm的发射波长光谱的半高全宽(FWHM)。例如，量子点可以具有小于或等于约40nm的发射波长光谱的FWHM。对于另一示例，量子点可以具有小于或等于约30nm的发射波长光谱的FWHM。在该范围内可以改善颜色纯度或颜色再现性。从量子点发射的光可以在所有方向上发射，从而可以改善光学视角。
量子点可以具有球形、金字塔形、多臂或立方体、纳米颗粒、纳米线、纳米纤维或纳米片的形式。
因为可以通过调节量子点的尺寸来调节能带隙，所以可以从量子点发射层获得各种波长带的光。因此，通过使用不同尺寸的量子点，可以实现发射各种波长的光的发光元件。可以选择量子点的尺寸，从而可以发射红光、绿光和/或蓝光。量子点的尺寸可以配置成使得各种颜色的光彼此结合以发射白光。
第二量子点层620可以将入射到其上的蓝光Lb转换成绿光Lg。如图3所示，第二量子点层620可以包括第二光敏聚合物1161以及分散在第二光敏聚合物1161中的第二量子点1162和第二散射颗粒1163。
第二量子点1162可以由蓝光Lb激发，并且可以各向同性地发射具有比蓝光Lb大的波长的绿光Lg。第二光敏聚合物1161可以是具有透光特性的有机材料。
第二散射颗粒1163可以散射未被第二量子点1162吸收的蓝光Lb以激发更多的第二量子点1162，从而改善颜色转换效率。例如，第二散射颗粒1163可以是TiO2或金属颗粒。第二量子点1162可以选自III-V族化合物、III-VI族化合物、II-VI族化合物、I-III-VI族化合物或其任何混合物。在实施方式中，第二量子点1162可以包括InxGa(1-x)P、AgInxGa(1-x)S2、AgInS2、AgGaS2、CuInS2、CuInSe2、CuGaS2、CuGaSe2、ZnSe、ZnTexSe(1-x)、或其任何混合物。因为量子限制效应出现于相对大于量子点的一般尺寸的尺寸，所以第二量子点1162可以减小蓝光Lb不被吸收的量子化周期，并且因此具有高的光转换效率。
在一些实施方式中，第一量子点1152可以包括与第二量子点1162的材料相同的材料。第一量子点1152的尺寸可以大于第二量子点1162的尺寸。
透射层630可以透射蓝光Lb，而不转换入射到透射层630的蓝光Lb。如图3所示，透射层630可以包括其中分散有第三散射颗粒1173的第三光敏聚合物1171。第三光敏聚合物1171可以是具有透射率的有机材料，诸如硅树脂和环氧树脂，并且可以包括与第一光敏聚合物1151和第二光敏聚合物1161的材料相同的材料。第三散射颗粒1173可以散射并发射蓝光Lb，并且可以包括与第一散射颗粒1153和第二散射颗粒1163的材料相同的材料。
图4是示出包括在根据实施方式的显示设备中的发光二极管和电连接到发光二极管的子像素电路的等效电路图。图4所示的子像素电路PC可以对应于以上参考图2描述的第一子像素电路PC1、第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3中的每个，并且图4的发光二极管LED可以对应于以上参考图2描述的第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3中的每个。
参考图4，发光二极管LED(例如，发光二极管LED的像素电极(例如，阳极))可以连接到子像素电路PC，并且发光二极管LED的相对电极(例如，阴极)可以电连接到主公共电压线，并且接收公共电压ELVSS。发光二极管LED可以发射具有与从子像素电路PC接收的电流的量对应的亮度的光。
响应于数据信号，子像素电路PC可以控制从施加驱动电压ELVDD的驱动电压线PL途经发光二极管LED流到施加公共电压ELVSS的主公共电压线的电流的量。子像素电路PC可以包括第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3和存储电容器Cst。
第一晶体管M1、第二晶体管M2和第三晶体管M3中的每个可以是包括由氧化物半导体形成的半导体层的氧化物半导体晶体管，或者可以是包括由多晶硅形成的半导体层的硅半导体。根据晶体管的类型，晶体管的第一电极可以是源电极和漏电极中的一个，并且晶体管的第二电极可以是源电极和漏电极中的另一个。
第一晶体管M1的第一电极可以连接到被配置为施加驱动电压ELVDD的驱动电压线PL，并且第一晶体管M1的第二电极可以连接到发光二极管LED的像素电极。第一晶体管M1的栅电极可以连接到第一节点N1。第一晶体管M1可以响应于第一节点N1的电压来控制从施加驱动电压ELVDD的驱动电压线PL流到发光二极管LED的电流的量。
第二晶体管M2可以是开关晶体管。第二晶体管M2的第一电极可以连接到数据线DL，并且第二晶体管M2的第二电极可以连接到第一节点N1。第二晶体管M2的栅电极可以连接到扫描线SL。第二晶体管M2可以在经由扫描线SL接收扫描信号时被导通，并且可以将数据线DL电连接到第一节点N1。
第三晶体管M3可以是初始化晶体管和/或感测晶体管。第三晶体管M3的第一电极可以连接到第二节点N2，并且第三晶体管M3的第二电极可以连接到感测线SEL。第三晶体管M3的栅电极可以连接到控制线CL。
存储电容器Cst可以连接在第一节点N1和第二节点N2之间。例如，存储电容器Cst的第一电容器电极可以连接到第一晶体管M1的栅电极，并且存储电容器Cst的第二电容器电极可以连接到发光二极管LED的像素电极。
在图4中，第一晶体管M1、第二晶体管M2和第三晶体管M3是n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOS)。然而，本公开不限于此。例如，第一晶体管M1、第二晶体管M2和第三晶体管M3中的至少一个可以形成为p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOS)。
在图4中，示出了三个晶体管。然而，本公开不限于此。子像素电路PC可以包括四个或更多个晶体管。
图5是沿着图1中的线I-I'截取的示出了显示设备的示意性剖视图，并且图6是示出图5中所示的显示设备的区域II的放大的示意性剖视图。
参考图5，电路层200可以设置在第一衬底100上，包括第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3的发光二极管层300可以设置在电路层200上，并且发光二极管层300可以由封装层400密封。包括分别与第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3对应的第一堤部开口501、第二堤部开口502和第三堤部开口503的堤部层500可以设置在封装层400上，并且包括第一量子点层610、第二量子点层620和透射层630的颜色转换-透射层600可以设置在第一堤部开口501、第二堤部开口502和第三堤部开口503中。第二衬底900可以位于颜色转换-透射层600上。包括分别与第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3对应的第一滤色器开口801、第二滤色器开口802和第三滤色器开口803的滤色器层800可以设置在第二衬底900的在朝向第一衬底100的方向(例如，-Z轴方向)上的下表面上。低折射率层700可以布置在滤色器层800与第一量子点层610、第二量子点层620和透射层630之间。
第一衬底100可以包括玻璃、金属或聚合物树脂。例如，第一衬底100可以包括聚合物树脂，诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素。然而，第一衬底100可以具有包括两个层和在两个层之间的阻挡层的多层结构，其中，所述两个层包括以上描述的聚合物树脂，并且阻挡层包括无机材料(诸如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等)，并且可以做出各种修改。
缓冲层201可以设置在第一衬底100上。缓冲层201可以防止杂质从第一衬底100渗透到薄膜晶体管TFT的半导体层Act中。缓冲层201可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。
电路层200的包括第一子像素电路PC1、第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3的部分可以设置在缓冲层201上。第一子像素电路PC1、第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3中的每个可以包括薄膜晶体管TFT和电容器Cap。图5所示的薄膜晶体管TFT和电容器Cap可以分别对应于图4所示的第一晶体管M1和存储电容器Cst。
薄膜晶体管TFT的半导体层Act可以设置在缓冲层201上。半导体层Act可以包括氧化物半导体。氧化物半导体可以包括铟镓锌氧化物(IGZO)、锌锡氧化物(ZTO)、铟锌氧化物(IZO)等。在另一实施方式中，半导体层Act可以包括多晶硅、非晶硅或有机半导体。半导体层Act可以包括沟道区域和在沟道区域的相对侧处的导电区域，其中，沟道区域与栅电极GE重叠，并且导电区域掺杂有杂质或者导电地设置。导电区域中的任何一个可以是源极区域，并且导电区域中的另一个可以对应于漏极区域。
栅电极GE可以包括各种导电材料并且可以具有各种层叠的结构，诸如Mo层和Al层。栅电极GE可以具有Mo层、Al层和另一Mo层的层叠结构。在另一实施方式中，栅电极GE可以包括TiNx层、Al层和/或Ti层。
源电极SE和漏电极DE也可以包括各种导电材料，并且可以具有各种层叠结构，诸如Ti层、Al层和/或Cu层。源电极SE中的每个可以具有Ti层、Al层和另一Ti层的层叠结构。
在图5中，薄膜晶体管TFT包括源电极SE和漏电极DE二者。然而，本公开不限于此。例如，薄膜晶体管TFT的半导体层Act的源极区域可以与另一薄膜晶体管的半导体层的漏极区域一体地设置为单个主体，并且薄膜晶体管TFT可以不包括源电极SE。源电极SE和/或漏电极DE可以是线的一部分。
为了确保半导体层Act和栅电极GE之间的绝缘，栅极绝缘层203可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料，可以位于半导体层Act和栅电极GE之间。此外，层间绝缘层205可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料，可以设置在栅电极GE上，并且源电极SE和漏电极DE可以设置在层间绝缘层205上。如上所述的包括无机材料的绝缘层可以通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)形成。这也可以应用于将在下面描述的实施方式及其修改。
电容器Cap可以包括第一电容器电极Cap1和第二电容器电极Cap2。第一电容器电极Cap1可以位于栅极绝缘层203上，并且第二电容器电极Cap2可以位于层间绝缘层205上。
第一电容器电极Cap1可以包括各种导电材料，并且可以具有各种层叠结构，诸如Mo层和Al层。第一电容器电极Cap1可以具有Mo层、Al层和另一Mo层的层叠结构。在另一实施方式中，第一电容器电极Cap1可以包括TiNx层、Al层和/或Ti层。
第二电容器电极Cap2也可以包括各种导电材料，并且可以具有各种层叠结构，例如Ti层、Al层和/或Cu层。第二电容器电极Cap2可以具有Ti层、Al层和另一Ti层的层叠结构。
可以在薄膜晶体管TFT和电容器Cap上形成平坦化层207。平坦化层207可以具有近似平坦的表面，使得第一像素电极311、第二像素电极312和第三像素电极313等可以位于平坦表面上。平坦化层207可以包括有机绝缘材料，诸如丙烯酸、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺和/或六甲基二硅氧烷(HMDSO)。在图5中，平坦化层207包括单层。然而，平坦化层207可以包括多个层，并且可以做出各种修改。
包括第一像素电极311、相对电极330和中间层320的第一发光二极管LED1可以位于平坦化层207上，其中，中间层320位于第一像素电极311和相对电极330之间并且包括发射层。如图5所示，第一像素电极311可以通过限定在平坦化层207等中的接触孔接触薄膜晶体管TFT的源电极SE和漏电极DE中的任一个，并且可以电连接到第一子像素电路PC1。第一像素电极311可以包括透射导电层和反射层，所述透射导电层包括诸如ITO、In2O3和IZO的透射导电氧化物，所述反射层包括诸如Al或Ag的金属。例如，第一像素电极311可以具有ITO层、Ag层和另一ITO层的三层结构。
第二发光二极管LED2可以包括第二像素电极312、相对电极330、以及位于第二像素电极312和相对电极330之间并包括发射层的中间层320。类似地，第三发光二极管LED3可以包括第三像素电极313、相对电极330、以及位于第三像素电极313和相对电极330之间并且包括发射层的中间层320。第二像素电极312可以经由限定在平坦化层207等中的接触孔接触薄膜晶体管TFT的源电极SE和漏电极DE中的任一个，并且电连接到第二子像素电路PC2。第三像素电极313可以经由限定在平坦化层207等中的接触孔接触薄膜晶体管TFT的源电极SE和漏电极DE中的任一个，并且电连接到第三子像素电路PC3。以上提供的第一像素电极311的描述适用于第二像素电极312和第三像素电极313。
如上所述，包括发射层的中间层320不仅可以位于第一发光二极管LED1的第一像素电极311上，而且可以位于第二发光二极管LED2的第二像素电极312和第三发光二极管LED3的第三像素电极313上。以上描述的中间层320可以跨过第一像素电极311、第二像素电极312和第三像素电极313设置为单个主体。然而，中间层320可以被图案化并且位于第一像素电极311、第二像素电极312和第三像素电极313上。除了发射层之外，中间层320还可以包括空穴注入层、空穴传输层和/或电子传输层，并且包括在以上描述的中间层320中的层可以遍及第一像素电极311、第二像素电极312和第三像素电极313作为单个主体整体地设置。然而，包括在中间层320中的层中的一些可以被图案化并定位成对应于第一像素电极311、第二像素电极312和第三像素电极313。包括在中间层320中的发射层可以发射属于第一波长带的波长的光。第一波长带可以例如在约450nm至约495nm的范围内，并且由第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3发射的光可以是蓝光Lb。
然而，中间层320可以包括多个层来代替单层。例如，中间层320可以具有第一发射层和第二发射层的堆叠结构，且电荷生成层位于第一发射层和第二发射层之间。空穴传输层或电子传输层可以位于第一发射层和电荷生成层之间以及第二发射层和电荷生成层之间。
中间层320上的相对电极330也可以跨过第一像素电极311至第三像素电极313作为单个主体整体地设置。相对电极330可以包括包含ITO、In2O3或IZO的透射导电层，并且可以包括包含诸如Al、Li、Mg、Yb或Ag的金属的半透射层。例如，相对电极330可以是包括MgAg、AgYb、Yb/MgAg或Li/MgAg的半透射层。
像素限定层PDL可以设置在平坦化层207上。像素限定层PDL可以包括分别与第一像素电极311、第二像素电极312和第三像素电极313对应的像素开口。例如，像素限定层PDL可以包括暴露第一像素电极311的中心部分的第一像素开口OP1、暴露第二像素电极312的中心部分的第二像素开口OP2、以及暴露第三像素电极313的中心部分的第三像素开口OP3，像素限定层PDL覆盖第一像素电极311、第二像素电极312和第三像素电极313中的每个的边缘。如图5所示，像素限定层PDL可以增加相对电极330和第一像素电极311、第二像素电极312和第三像素电极313中的每个的边缘之间的距离，从而防止在第一像素电极311、第二像素电极312和第三像素电极313的边缘处出现电弧等。以上描述的像素限定层PDL可以包括诸如聚酰亚胺或HMDSO的有机材料。
包括第一像素电极311、第二像素电极312、第三像素电极313、中间层320(其包括发射层)和相对电极330的有机发光元件可能容易被湿气或氧气劣化。因此，为了保护有机发光元件免受外部湿气或氧气的影响，显示设备1可以包括覆盖有机发光元件的封装层400。
封装层400可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。例如，封装层400可以包括第一无机封装层410、第二无机封装层430以及在它们之间的有机封装层420。
第一无机封装层410和第二无机封装层430中的每个可以包括至少一种无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiO2)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或锌氧化物(ZnOx，其可以是ZnO和/或ZnO2)，并且可以通过CVD等形成。有机封装层420可以包括基于聚合物的材料。基于聚合物的材料可以包括基于硅的树脂、基于丙烯酸的树脂(例如，聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚丙烯酸等)、基于环氧的树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。
通过CVD形成的第一无机封装层410具有近似均匀的厚度，并且如图5所示，第一无机封装层410的上表面不是平坦的。然而，有机封装层420的上表面可以具有近似平坦的形状，并且因此，有机封装层420上的第二无机封装层430也可具有近似平坦的形状。
包括第一堤部开口501、第二堤部开口502和第三堤部开口503的堤部层500可以设置在封装层400上。堤部层500的第一堤部开口501、第二堤部开口502和第三堤部开口503可以分别对应于第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3。堤部层500的第一堤部开口501可以对应于像素限定层PDL的暴露第一像素电极311的第一像素开口OP1，第二堤部开口502可以对应于像素限定层PDL的暴露第二像素电极312的第二像素开口OP2，并且第三堤部开口503可以对应于像素限定层PDL的暴露第三像素电极313的第三像素开口OP3。
例如，当从垂直于第一衬底100的方向(例如，Z轴方向)观察时，堤部层500的第一堤部开口501可以与像素限定层PDL的暴露第一像素电极311的第一像素开口OP1重叠，第二堤部开口502可以与像素限定层PDL的暴露第二像素电极312的第二像素开口OP2重叠，并且第三堤部开口503可以与像素限定层PDL的暴露第三像素电极313的第三像素开口OP3重叠。类似地，堤部层500的第一堤部开口501可以对应于第一像素电极311，堤部层500的第二堤部开口502可以对应于第二像素电极312，并且堤部层500的第三堤部开口503可以对应于第三像素电极313。
在实施方式中，堤部层500的第一堤部开口501的面积可以大于像素限定层PDL的第一像素开口OP1的面积，第二堤部开口502的面积可以大于第二像素开口OP2的面积，并且第三堤部开口503的面积可以大于第三像素开口OP3的面积。因此，在像素限定层PDL的第一像素开口OP1上产生的光可以充分地入射到堤部层500的第一堤部开口501中，在像素限定层PDL的第二像素开口OP2上产生的光可以充分地入射到堤部层500的第二堤部开口502中，并且在像素限定层PDL的第三像素开口OP3上产生的光可以充分地入射到堤部层500的第三堤部开口503中。
堤部层500可以包括各种材料，例如诸如BCB或HMDSO的有机材料。必要时，堤部层500可以包括光致抗蚀剂材料，并且通过此，堤部层500可以容易地通过诸如曝光和显影的工艺形成。因为通过诸如曝光和显影的工艺在第一衬底100上形成堤部层500，所以可以呈现出使得堤部层500相对于第一衬底100具有反向锥化的形状。例如，堤部层500的在朝向第一衬底100的方向上的表面的面积可以小于堤部层500的在朝向第二衬底900的方向上的表面的面积。
在实施方式中，如图5所示，堤部层500可以包括具有亲液表面的第一堤部层510和具有疏液表面的第二堤部层520。例如，包括亲液表面的第一堤部层510可以位于封装层400上，并且包括疏液表面的第二堤部层520可以位于第一堤部层510上。在另一实施方式中，第一堤部层510和第二堤部层520可以包括彼此相同的材料，并且可以通过使用CF4等离子体处理等仅向第二堤部层520的表面赋予疏液特性。
由第一发光二极管LED1产生的蓝光Lb可以通过位于第一堤部开口501中的第一量子点层610被转换成红光Lr，并被发射到外部。当从垂直于第一衬底100的方向(例如，Z轴方向)观察时，以上描述的第一量子点层610可以与第一像素电极311重叠。第一量子点层610可以包括具有透光特性的光敏聚合物、量子点和散射颗粒。
如上所述，第一量子点层610的量子点可以包括选自II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物或其任何混合物的材料。这种量子点的直径可以例如在约1nm至约10nm的范围内。
由第二发光二极管LED2产生的蓝光Lb可以通过位于第二堤部开口502中的第二量子点层620被转换成绿光Lg，并被发射到外部。当从垂直于第一衬底100的方向(例如，Z轴方向)观察时，以上描述的第二量子点层620可以与第二像素电极312重叠。第二量子点层620可以包括具有透光特性的光敏聚合物、量子点和散射颗粒。
如上所述，第二量子点层620的量子点可以包括选自III-V族化合物、III-VI族化合物、II-VI族化合物、I-III-VI族化合物及其混合物的材料。在实施方式中，第二量子点层620可以包括InxGa(1-x)P、AgInxGa(1-x)S2、AgInS2、AgGaS2、CuInS2、CuInSe2、CuGaS2、CuGaSe2、ZnSe、ZnTexSe(1-x)或其任何混合物。
第一有机封盖层640可以位于第二堤部开口502中的第二量子点层620上。当从垂直于第一衬底100的方向(例如，Z轴方向)观察时，以上描述的第一有机封盖层640可以与第二像素电极312重叠。
第一有机封盖层640可以是光敏聚合物。例如，用于形成第一有机封盖层640的单体可以是基于丙烯酸的光敏树脂。在实施方式中，用于形成第一有机封盖层640的单体可以包括六亚甲基二丙烯酸酯、四乙二醇二丙烯酸酯、二丙二醇二丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯酸酯、或其任何混合物。
如图6所示，第二量子点层620可以具有中心部分的厚度t1小于与第二堤部开口502的侧壁相邻的外围部分的厚度t2的凹形形状。第一有机封盖层640可以在第二量子点层620的上表面620us上具有恒定的厚度ct。例如，第一有机封盖层640的上表面640us可以具有与第二量子点层620的上表面620us相同或类似的形状。
在实施方式中，第一有机封盖层640的上表面640us接触第二堤部开口502的侧壁的固定点PP可以与第一堤部层510和第二堤部层520之间的界面接触第二堤部开口502的侧壁的点重合或相邻。例如，固定点PP可以与第二堤部开口502的侧壁的表面从亲液变为疏液的点重合或定位成与其相邻。因为第一堤部层510的表面是亲液的并且具有与第二量子点层620的上表面620us相同或类似的表面能，所以第一有机封盖层640可以均匀地分布以在第二量子点层620的上表面620us上具有恒定的厚度ct。在实施方式中，第一有机封盖层640的厚度ct可以在约0.1μm至约3μm的范围内。
第一有机封盖层640可以在形成将稍后描述的无机封盖层PVL之前防止或减少由于第二量子点层620暴露于光和/或氧而导致的光转换效率的降低。例如，当包括InxGa(1-x)P、AgInxGa(1-x)S2、AgInS2、AgGaS2、CuInS2、CuInSe2、CuGaS2、CuGaSe2、ZnSe、ZnTexSe(1-x)或其任何混合物的量子点由于壳的结构而暴露于光和/或氧时，光转换效率可能会快速降低。因此，在根据实施方式的显示设备1中，第一有机封盖层640防止或减少第二量子点层620的光转换效率的降低，从而可以显示高质量的图像。
在第三发光二极管LED3中产生的蓝光Lb可以在没有波长转换的情况下被发射到外部。在实施方式中，透射层630可以位于堤部层500的与第三像素电极313重叠的第三堤部开口503中。当从垂直于第一衬底100的方向(例如，Z轴方向)观察时，透射层630可以与第三像素电极313重叠。透射层630可以包括具有透光率的光敏聚合物和散射颗粒。
无机封盖层PVL可以位于堤部层500上以覆盖第一量子点层610、第一有机封盖层640和透射层630。无机封盖层PVL可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。
滤色器层800可以位于第二衬底900的在朝向第一衬底100的方向(例如，-Z轴方向)上的下表面上。在本公开中，当元件位于第二衬底900的在朝向第一衬底100的方向(例如，-Z轴方向)上的下表面上时，其可以表示该元件形成在第二衬底900上，并且第二衬底900被翻转并且被结合以使得该元件位于第一衬底100和第二衬底900之间。滤色器层800可以包括第一滤色器开口801、第二滤色器开口802和第三滤色器开口803。滤色器层800的第一滤色器开口801、第二滤色器开口802和第三滤色器开口803可以分别对应于第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3。
滤色器层800可以包括：第一滤色器层810，其仅透射在约625nm至约780nm的范围内的波长的光；第二滤色器层820，其仅透射约495nm至约570nm的范围内的波长的光；以及第三滤色器层830，其仅透射约450nm至约495nm的范围内的波长的光。
第一滤色器层810可以包括与第二像素电极312和第三像素电极313对应的开口。第二滤色器层820可以包括与第一像素电极311和第三像素电极313对应的开口。第三滤色器层830可以包括与第一像素电极311和第二像素电极312对应的开口。例如，通过与第二滤色器层820的开口和第三滤色器层830的开口重叠而限定的第一滤色器开口801可以位于第一量子点层610上，并且第一滤色器层810可以填充以上描述的第一滤色器开口801。通过与第一滤色器层810的开口和第三滤色器层830的开口重叠而限定的第二滤色器开口802可以位于第二量子点层620上，并且第二滤色器层820可以填充以上描述的第二滤色器开口802。通过与第一滤色器层810的开口和第二滤色器层820的开口重叠而限定的第三滤色器开口803可以位于透射层630上，并且第三滤色器层830可以填充以上描述的第三滤色器开口803。
第一滤色器层810、第二滤色器层820和第三滤色器层830之中的至少两个层可以在第一滤色器开口801、第二滤色器开口802和第三滤色器开口803之间的区域中彼此重叠。第一滤色器层810、第二滤色器层820和第三滤色器层830之中的至少两个层彼此重叠的区域可以用作黑色矩阵。因此，当从垂直于第一衬底100的方向观察时，红色子像素Pr的形状和尺寸可以由第一滤色器开口801限定。类似地，绿色子像素Pg的形状和尺寸可以由第二滤色器开口802限定，并且蓝色子像素Pb的形状和尺寸可以由第三滤色器开口803限定。
以上描述的第一滤色器层810至第三滤色器层830可以增加发射到外部的光的颜色纯度，从而可以改善显示图像的质量。第一滤色器层810至第三滤色器层830可以通过减小从外部入射到显示设备1的外部光被第一像素电极311至第三像素电极313反射并发射到外部的比率来减小外部反射。
低折射率层700可以位于滤色器层800与堤部层500和颜色转换-透射层600之间。低折射率层700可以包括无机保护层720和有机低折射率层710。无机保护层720可以包括诸如氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的无机材料，并且可以通过CVD形成。无机保护层720可以防止杂质渗透到有机低折射率层710的在朝向第一衬底100的方向(例如，-Z轴方向)上的下表面中。有机低折射率层710可以具有约1.2的折射率。穿过颜色转换-透射层600的散射光可以在有机低折射率层710的界面处被全反射并且在颜色转换-透射层600内被再散射。因此，低折射率层700可以将横向侧散射改变成前向侧散射，从而可以改善亮度。
第一衬底100和第二衬底900可以通过诸如密封剂的结合构件在显示区域的外部结合在一起。当需要时，填充物(未示出)可以填充第一衬底100上的堆叠体和第二衬底900上的堆叠体之间的空间。例如，填充物可以填充无机封盖层PVL和低折射率层700之间的空间。这种填充物可以包括树脂，诸如丙烯酸树脂或环氧树脂。
图7A和图7B分别是根据实施方式的显示设备的一部分的示意性剖视图。图7A和图7B对应于图5中的区域II的放大剖视图。图7A和图7B与图6不同之处至少在于第二量子点层620和第一有机封盖层640的剖面形状。在下文中，可以省略对彼此相同或类似的元件的描述，并且可以仅描述不同之处。
参考图7A，第二量子点层620可以具有中心部分的厚度t1小于与第二堤部开口502的侧壁相邻的外围部分的厚度t2的凹形形状。根据通过使用喷墨印刷方法喷射到第二堤部开口502中的用于形成第一有机封盖层640的材料的量，第一有机封盖层640可以具有中心部分的厚度ct1大于与第二堤部开口502的侧壁相邻的外围部分的厚度ct2的凸形形状。第一有机封盖层640的中心部分的厚度ct1和第一有机封盖层640的外围部分的厚度ct2中的每个可以在约0.1nm至约3nm的范围内。
参考图7B，根据通过使用喷墨印刷方法喷射到第二堤部开口502中的用于形成第二量子点层620的材料的量，第二量子点层620可以具有中心部分的厚度t1大于与第二堤部开口502的侧壁相邻的外围部分的厚度t2的凸形形状。第一有机封盖层640可以在第二量子点层620的上表面620us上具有恒定的厚度ct。例如，第一有机封盖层640的上表面640us可以具有与第二量子点层620的上表面620us相同或类似的形状。
因为如图7A和图7B所示第二堤部层520的表面是疏液的，因此第一有机封盖层640的上表面640us接触第二堤部开口502的侧壁的固定点PP可以与第一堤部层510和第二堤部层520之间的界面接触第二堤部开口502的侧壁的点重合或相邻。
图8是根据实施方式的显示设备的一部分的示意性剖视图。图8可以对应于沿着图1中的线I-I'截取的显示设备的剖视图。图8与图5的不同之处至少在于第二有机封盖层650在第一堤部开口501中位于第一量子点层610上。在下文中，可以省略对彼此相同或类似的元件的描述，并且可以仅描述不同之处。
第二有机封盖层650可以在第一堤部开口501中位于第一量子点层610上。当从垂直于第一衬底100的方向(例如，Z轴方向)观察时，第二有机封盖层650可以与第一像素电极311重叠。
第二有机封盖层650可以是光敏聚合物。例如，用于形成第二有机封盖层650的单体可以是基于光敏丙烯酸的树脂。在实施方式中，用于形成第二有机封盖层650的单体可以包括六亚甲基二丙烯酸酯、四乙二醇二丙烯酸酯、二丙二醇二丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯酸酯、或其任何混合物。在实施方式中，第一有机封盖层640和第二有机封盖层650可以包括彼此相同的材料。
如图8所示，第一量子点层610可以具有中心部分的厚度小于与第一堤部开口501的侧壁相邻的外围部分的厚度的凹形形状。第二有机封盖层650可以在第一量子点层610的上表面上具有恒定的厚度。第二有机封盖层650的上表面接触第一堤部开口501的侧壁的固定点可以与第一堤部层510和第二堤部层520之间的界面接触第一堤部开口501的侧壁的点重合或相邻。在实施方式中，第二有机封盖层650的厚度可以在约0.1μm至约3μm的范围内。
在另一实施方式中，第一量子点层610和第二有机封盖层650可以具有与图7B所示的第二量子点层620和第一有机封盖层640的结构类似的结构。例如，第一量子点层610可以具有中心部分的厚度大于与第一堤部开口501的侧壁相邻的外围部分的厚度的凸形形状，并且第二有机封盖层650可以在第一量子点层610的上表面上具有恒定的厚度。
在另一实施方式中，第一量子点层610和第二有机封盖层650可以具有与图7A所示的第二量子点层620和第一有机封盖层640的结构类似的结构。第一量子点层610可以具有中心部分的厚度小于与第一堤部开口501的侧壁相邻的外围部分的厚度的凹形形状，并且第二有机封盖层650可以具有中心部分的厚度大于与第一堤部开口501的侧壁相邻的外围部分的厚度的凸形形状。
第二有机封盖层650可以在形成无机封盖层PVL之前防止或减少由于第一量子点层610暴露于光和/或氧而导致的光转换效率的降低。例如，尽管包括InP的量子点具有相对高的稳定性，但是当形成无机封盖层PVL之前的延迟时间超过一天时，光转换效率可能降低。因此，在根据实施方式的显示设备1中，第一有机封盖层640位于第二量子点层620上，并且第二有机封盖层650位于第一量子点层610上，并且因此，即使在处理期间延迟时间增加，也可以防止或减少第一量子点层610和第二量子点层620的光转换效率的降低。
另一方面，透射层630不包括量子点，并且因此，有机封盖层可以不位于透射层630上。
图9A至图9F是根据实施方式的顺序地示出制造显示设备的方法的一些操作的示意性剖视图。
参考图9A，可以制备第一衬底100、以及第一衬底100上的电路层200、发光二极管层300和封装层400。
电路层200可以包括第一子像素电路PC1、第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3，并且第一子像素电路PC1、第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3可以分别电连接到发光二极管层300的第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3。电路层200可以包括在第一子像素电路PC1、第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3的元件中的每个上、下方和/或之间的缓冲层201、栅极绝缘层203、层间绝缘层205和平坦化层207。
第一发光二极管LED1可以包括第一像素电极311、相对电极330以及位于第一像素电极311和相对电极330之间并且包括发射层的中间层320。第二发光二极管LED2可以包括第二像素电极312、相对电极330以及位于第二像素电极312和相对电极330之间并且包括发射层的中间层320。类似地，第三发光二极管LED3可以包括第三像素电极313、相对电极330以及位于第三像素电极313和相对电极330之间并且包括发射层的中间层320。
像素限定层PDL可以设置在平坦化层207上。像素限定层PDL可以包括分别对应于第一像素电极311、第二像素电极312和第三像素电极313的像素开口。
封装层400可以覆盖第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3。封装层400可以包括第一无机封装层410、第二无机封装层430和在它们之间的有机封装层420。有机封装层420的上表面可以具有近似平坦的形状，并且因此，有机封装层420上的第二无机封装层430也可以具有近似平坦的形状。
参考图9B，可以在第二无机封装层430上形成堤部层500。堤部层500可以包括第一堤部层510和位于第一堤部层510上的第二堤部层520。第一堤部层510的表面可以是亲液的，并且第二堤部层520的表面可以是疏液的。
堤部层500可以包括第一堤部开口501、第二堤部开口502和第三堤部开口503。堤部层500的第一堤部开口501、第二堤部开口502和第三堤部开口503可以分别对应于第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3。堤部层500的第一堤部开口501可以对应于像素限定层PDL的暴露第一像素电极311的第一像素开口OP1，第二堤部开口502可以对应于像素限定层PDL的暴露第二像素电极312的第二像素开口OP2，并且第三堤部开口503可以对应于像素限定层PDL的暴露第三像素电极313的第三像素开口OP3。
因为通过使用光刻工艺(诸如，曝光和显影)在第一衬底100上形成第一堤部开口501、第二堤部开口502和第三堤部开口503，所以堤部层500的在朝向第一衬底100的方向上的表面的面积可以小于堤部层500的在朝向第二衬底900的方向上的表面的面积。因此，如图9B所示，堤部层500可以相对于第一衬底100具有反向锥化的形状。
参考图9C，通过使用喷墨印刷工艺，第一油墨Ink1可以被喷射到第一堤部开口501中，第二油墨Ink2可以被喷射到第二堤部开口502中，并且第三油墨Ink3可以被喷射到第三堤部开口503中。
第一油墨Ink1可以包括形成第一量子点层610的材料611。在实施方式中，第一油墨Ink1可以包括光敏单体、量子点和散射颗粒。这里，包括在第一油墨Ink1中的量子点可以包括选自II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物或其任何混合物的材料。
第二油墨Ink2可以包括形成第二量子点层620的材料621。在实施方式中，第二油墨Ink2可以包括光敏单体、量子点和散射颗粒。这里，包括在第二油墨Ink2中的量子点可以包括InxGa(1-x)P、AgInxGa(1-x)S2、AgInS2、AgGaS2、CuInS2、CuInSe2、CuGaS2、CuGaSe2、ZnSe、ZnTexSe(1-x)或其任何混合物。
第三油墨Ink3可以包括形成透射层630的材料631。在实施方式中，第三油墨Ink3可以包括光敏单体和散射颗粒。
形成第一量子点层610的材料611可以位于第一堤部开口501中。形成第一量子点层610的材料611的上表面接触第一堤部开口501的侧壁的固定点可以与第一堤部层510和第二堤部层520之间的界面接触第一堤部开口501的侧壁的点重合或相邻。形成第一量子点层610的材料611的上表面的形状可以通过调节第一油墨Ink1的喷射量来确定。例如，当第一油墨Ink1的喷射量较小时，形成第一量子点层610的材料611的上表面可以具有凹形形状。当第一油墨Ink1的喷射量大时，形成第一量子点层610的材料611的上表面可以具有凸形形状。
形成第二量子点层620的材料621可以位于第二堤部开口502中。类似地，形成第二量子点层620的材料621的上表面621us的形状可以通过调节第二油墨Ink2的喷射量来确定。
形成透射层630的材料631可以位于第三堤部开口503中。形成透射层630的材料631的上表面的形状可以通过调节第三油墨Ink3的喷射量来确定。
参考图9D，可以通过使用喷墨印刷工艺将第四油墨Ink4喷射到第二堤部开口502中。
第四油墨Ink4可以包括形成第一有机封盖层640的材料641。形成第一有机封盖层640的材料641可以是基于光敏丙烯酸的单体。在实施方式中，形成第一有机封盖层640的材料641可以包括六亚甲基二丙烯酸酯、四乙二醇二丙烯酸酯、二丙二醇二丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯酸酯、或其任何混合物。
在实施方式中，包括在形成第二量子点层620的材料621中的光敏单体可以是与形成第一有机封盖层640的材料641相同的材料。
在实施方式中，第四油墨Ink4的粘度可以在约1cps至约30cps的范围内。
形成第一有机封盖层640的材料641的厚度可以在约0.1nm至约3nm的范围内。当形成第一有机封盖层640的材料641的厚度小于0.1nm时，形成第一有机封盖层640的材料641可能不能充分地施加到形成第二量子点层620的材料621上。当形成第一有机封盖层640的材料641的厚度大于3nm时，固化效率可能降低。
在实施方式中，形成第一有机封盖层640的材料641可以如图9D所示具有恒定的厚度。例如，形成第一有机封盖层640的材料641的上表面641us可以具有与形成第二量子点层620的材料621的上表面621us的形状类似的形状。
在另一实施方式中，形成第一有机封盖层640的材料641可以具有中心部分的厚度大于与第二堤部开口502的侧壁相邻的外围部分的厚度的凸形形状。
尽管在图9D中未示出，但是可以通过将第四油墨Ink4喷射到第一堤部开口501中来将形成第二有机封盖层的材料施加到形成第一量子点层610的材料611上。
尽管在图9E中未示出，但是可以将红外线照射到形成第一量子点层610的材料611、形成第二量子点层620的材料621、形成透射层630的材料631和形成第一有机封盖层640的材料641，从而可以形成第一量子点层610、第二量子点层620、透射层630和第一有机封盖层640。
包括在形成第一量子点层610的材料611、形成第二量子点层620的材料621、形成透射层630的材料631和形成第一有机封盖层640的材料641中的光敏单体可以彼此聚合并形成聚合物。因此，形成第一量子点层610的材料611、形成第二量子点层620的材料621、形成透射层630的材料631以及形成第一有机封盖层640的材料641可能失去其柔性并被固化。
第二量子点层620和第一有机封盖层640可以彼此交联并形成。在形成无机封盖层PVL之前，可以通过第一有机封盖层640防止或减少由于将第二量子点层620暴露于光和/或氧而导致的光转换效率的降低。
此后，通过使用CVD，可以在堤部层500上形成无机封盖层PVL，以覆盖第一量子点层610、第一有机封盖层640和透射层630。
参考图9F，可以将第二衬底900结合到第一衬底100，在第二衬底900中，滤色器层800和低折射率层700位于其在朝向第一衬底100的方向(例如，-Z轴方向)上的下表面上。
滤色器层800可以位于第二衬底900的在朝向第一衬底100的方向(例如，-Z轴方向)上的下表面上。滤色器层800可以包括第一滤色器开口801、第二滤色器开口802和第三滤色器开口803。滤色器层800的第一滤色器开口801、第二滤色器开口802和第三滤色器开口803可以分别对应于第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3。
滤色器层800可以包括：第一滤色器层810，其仅透射约625nm至约780nm的范围内的波长的光；第二滤色器层820，其仅透射约495nm至约570nm的范围内的波长的光；以及第三滤色器层830，其仅透射约450nm至约495nm的范围内的波长的光。第三滤色器层830可以形成在第二衬底900的在朝向第一衬底100的方向(例如，-Z轴方向)上的下表面上，第一滤色器层810可以形成在第三滤色器层830的下表面上，并且第二滤色器层820可以形成在第一滤色器层810的下表面上。
第一滤色器层810、第二滤色器层820和第三滤色器层830之中的至少两个层可以形成为在第一滤色器开口801、第二滤色器开口802和第三滤色器开口803之间的区域中彼此重叠。
低折射率层700可以包括有机低折射率层710和无机保护层720。有机低折射率层710可以包括具有约1.2的折射率的有机材料，并且可以直接接触滤色器层800。无机保护层720可以包括诸如氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的无机材料，并且可以通过CVD形成。
第一衬底100和第二衬底900可以通过诸如密封剂的结合构件在显示区域的外部结合在一起。当需要时，填充物(未示出)可以填充第一衬底100上的堆叠体和第二衬底900上的堆叠体之间的空间。
图10是根据实施方式的显示设备的一部分的示意性剖视图，并且图11是图10所示的显示设备的区域III的放大的示意性剖视图。图10与图5的不同之处至少在于，在低折射率层700的在朝向第一衬底100的方向(例如，-Z轴方向)上的下表面上形成堤部层500和颜色转换-透射层600。在下文中，可以省略对彼此相同或类似的元件的描述，并且可以仅描述不同之处。
参考图10，滤色器层800可以位于第二衬底900的在朝向第一衬底100的方向(例如，-Z轴方向)上的下表面上。滤色器层800可以包括第一滤色器开口801、第二滤色器开口802和第三滤色器开口803。滤色器层800的第一滤色器开口801、第二滤色器开口802和第三滤色器开口803可以分别对应于第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3。
低折射率层700可以位于滤色器层800的在朝向第一衬底100的方向(例如，-Z轴方向)上的下表面上。低折射率层700可以包括无机保护层720和有机低折射率层710。有机低折射率层710可以具有约1.2的折射率。有机低折射率层710可以直接接触滤色器层800，并且有机低折射率层710的在朝向第一衬底100的方向(例如，-Z轴方向)上的下表面可以具有近似平坦的形状。
无机保护层720可以包括诸如氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的无机材料，并且可以通过CVD形成。无机保护层720可以防止杂质渗透到有机低折射率层710的在朝向第一衬底100的方向(例如，-Z轴方向)上的下表面中。
堤部层500可以设置在无机保护层720的在朝向第一衬底100的方向(例如，-Z轴方向)上的下表面上。堤部层500的第一堤部开口501、第二堤部开口502和第三堤部开口503可以分别对应于第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3。堤部层500的第一堤部开口501可以对应于像素限定层PDL的暴露第一像素电极311的第一像素开口OP1，第二堤部开口502可以对应于像素限定层PDL的暴露第二像素电极312的第二像素开口OP2，并且第三堤部开口503可以对应于像素限定层PDL的暴露第三像素电极313的第三像素开口OP3。
例如，当从垂直于第一衬底100的方向(例如，Z轴方向)观察时，堤部层500的第一堤部开口501可以与像素限定层PDL的暴露第一像素电极311的第一像素开口OP1重叠，第二堤部开口502可以与像素限定层PDL的暴露第二像素电极312的第二像素开口OP2重叠，并且第三堤部开口503可以与像素限定层PDL的暴露第三像素电极313的第三像素开口OP3重叠。类似地，堤部层500的第一堤部开口501可以对应于第一像素电极311，堤部层500的第二堤部开口502可以对应于第二像素电极312，并且堤部层500的第三堤部开口503可以对应于第三像素电极313。
因为通过诸如曝光和显影的工艺在第二衬底900上形成堤部层500，所以可以呈现出使得堤部层500相对于第二衬底900具有反向锥化的形状。例如，堤部层500的在朝向第一衬底100的方向上的表面的面积可以大于堤部层500的在朝向第二衬底900的方向上的表面的面积。
堤部层500可以包括具有亲液表面的第一堤部层510和具有疏液表面的第二堤部层520。例如，具有亲液表面的第一堤部层510可以位于无机保护层720的在朝向第一衬底100的方向(例如，-Z轴方向)上的下表面上，并且具有疏液表面的第二堤部层520可以位于第一堤部层510的在朝向第一衬底100的方向(例如，-Z轴方向)上的下表面上。
由第一发光二极管LED1产生的蓝光Lb可以通过位于第一堤部开口501中的第一量子点层610转换成红光Lr，并被发射到外部。当从垂直于第一衬底100的方向(例如，Z轴方向)观察时，以上描述的第一量子点层610可以与第一像素电极311重叠。第一量子点层610可以包括具有透光特性的光敏聚合物、量子点和散射颗粒。
第一量子点层610的量子点可以包括选自II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物或其任何混合物的材料。
由第二发光二极管LED2产生的蓝光Lb可以通过位于第二堤部开口502中的第二量子点层620被转换成绿光Lg，并被发射到外部。当从垂直于第一衬底100的方向(例如，Z轴方向)观察时，以上描述的第二量子点层620可以与第二像素电极312重叠。第二量子点层620可以包括具有透光特性的光敏聚合物、量子点和散射颗粒。
如上所述，第二量子点层620的量子点可以包括选自III-V族化合物、III-VI族化合物、II-VI族化合物、I-III-VI族化合物及其混合物的材料。在实施方式中，第二量子点层620可以包括InxGa(1-x)P、AgInxGa(1-x)S2、AgInS2、AgGaS2、CuInS2、CuInSe2、CuGaS2、CuGaSe2、ZnSe、ZnTexSe(1-x)或其任何混合物。
第一有机封盖层640可以在第二堤部开口502内位于第二量子点层620的在朝向第一衬底100的方向(例如，-Z轴方向)上的下表面上。当从垂直于第一衬底100的方向(例如，Z轴方向)观察时，以上描述的第一有机封盖层640可以与第二像素电极312重叠。
第一有机封盖层640可以是光敏聚合物。例如，用于形成第一有机封盖层640的单体可以是基于丙烯酸的光敏树脂。在实施方式中，用于形成第一有机封盖层640的单体可以包括六亚甲基二丙烯酸酯、四乙二醇二丙烯酸酯、二丙二醇二丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯酸酯、或其任何混合物。
如图11所示，相对于第二衬底900，第二量子点层620可以具有中心部分的厚度t1小于与第二堤部开口502的侧壁相邻的外围部分的厚度t2的凹形形状。第一有机封盖层640可以在第二量子点层620的在朝向第一衬底100的方向(例如，-Z轴方向)上的上表面620us上具有恒定的厚度ct。例如，第一有机封盖层640的在朝向第一衬底100的方向(例如，-Z轴方向)上的上表面640us可以具有与第二量子点层620的在朝向第一衬底100的方向(例如，-Z轴方向)上的上表面620us相同或类似的形状。在实施方式中，第一有机封盖层640的厚度ct可以在约0.1μm至约3μm的范围内。
尽管在图10中未示出，但是第二有机封盖层(未示出)可以位于第一量子点层610上。第二有机封盖层可以是光敏聚合物。在实施方式中，第一有机封盖层640和第二有机封盖层可以包括彼此相同的材料。在实施方式中，第二有机封盖层的厚度可以在约0.1μm至约3μm的范围内。
无机封盖层PVL可以位于堤部层500上以覆盖第一量子点层610、第一有机封盖层640和透射层630。无机封盖层PVL可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。
第一衬底100和第二衬底900可以通过诸如密封剂的结合构件在显示区域的外部结合在一起。当需要时，填充物(未示出)可以填充第一衬底100上的堆叠体和第二衬底900上的堆叠体之间的空间。例如，填充物可以填充封装层400和无机封盖层PVL之间的空间。
图12A和图12B各自是根据实施方式的显示设备的一部分的示意性剖视图。图12A和图12B与图11不同之处至少在于第二量子点层620和第一有机封盖层640的剖面形状。在下文中，可以省略对彼此相同或类似的元件的描述，并且可以仅描述不同之处。
参考图12A，相对于第二衬底900，第二量子点层620可以具有中心部分的厚度t1小于与第二堤部开口502的侧壁相邻的外围部分的厚度t2的凹形形状。根据通过使用喷墨印刷方法喷射到第二堤部开口502中的用于形成第一有机封盖层640的材料的量，第一有机封盖层640可以具有中心部分的厚度ct1大于与第二堤部开口502的侧壁相邻的外围部分的厚度ct2的凸形形状。第一有机封盖层640的中心部分的厚度ct1和第一有机封盖层640的外围部分的厚度ct2中的每个可以在约0.1nm至约3nm的范围内。
参考图12B，相对于第二衬底900，第二量子点层620可以具有中心部分的厚度t1大于与第二堤部开口502的侧壁相邻的外围部分的厚度t2的凸形形状。第一有机封盖层640可以在第二量子点层620的在朝向第一衬底100的方向(例如，-Z轴方向)上的上表面620us上具有恒定的厚度ct。例如，第一有机封盖层640的在朝向第一衬底100的方向(例如，-Z轴方向)上的上表面640us可以具有与第二量子点层620的在朝向第一衬底100的方向(例如，-Z轴方向)上的上表面620us的形状相同或类似的形状。
因为如图12A和图12B所示第二堤部层520的表面是疏液的，因此第一有机封盖层640的上表面640us接触第二堤部开口502的侧壁的固定点PP可以与第一堤部层510和第二堤部层520之间的界面接触第二堤部开口502的侧壁的点重合或相邻。
图13A至图13F是根据实施方式的顺序地示出制造显示设备的方法的一些操作的示意性剖视图。
参考图13A，可以制备第二衬底900、在第二衬底900上的滤色器层800、以及低折射率层700。
滤色器层800可以包括第一滤色器开口801、第二滤色器开口802和第三滤色器开口803。当第二衬底900和第一衬底100结合在一起时，滤色器层800的第一滤色器开口801、第二滤色器开口802和第三滤色器开口803可以分别对应于位于第一衬底100上的第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3。
滤色器层800可以包括：第一滤色器层810，其仅透射约625nm至约780nm的范围内的波长的光；第二滤色器层820，其仅透射约495nm至约570nm的范围内的波长的光；以及第三滤色器层830，其仅透射约450nm至约495nm的范围内的波长的光。
可以在第二衬底900上形成包括分别与第一像素电极311和第二像素电极312对应的开口的第三滤色器层830。可以在第三滤色器层830上形成包括分别与第二像素电极312和第三像素电极313对应的开口的第一滤色器层810。可以在第一滤色器层810上形成包括分别与第一像素电极311和第三像素电极313对应的开口的第二滤色器层820。通过与第二滤色器层820的开口和第三滤色器层830的开口重叠而限定的第一滤色器开口801可以位于第一量子点层610上，并且第一滤色器层810可以填充以上描述的第一滤色器开口801。通过与第一滤色器层810的开口和第三滤色器层830的开口重叠而限定的第二滤色器开口802可以位于第二量子点层620上，并且第二滤色器层820可以填充以上描述的第二滤色器开口802。通过与第一滤色器层810的开口和第二滤色器层820的开口重叠而限定的第三滤色器开口803可以位于透射层630上，并且第三滤色器层830可以填充以上描述的第三滤色器开口803。
可以在滤色器层800上形成有机低折射率层710。有机低折射率层710可以包括具有约1.2的折射率的有机材料。有机低折射率层710可以包括相对平坦的上表面。无机保护层720可以形成在有机低折射率层710上。无机保护层720可以包括诸如氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的无机材料，并且可以通过CVD形成。
参考图13B，可以在无机保护层720上形成堤部层500。相对于朝向第二衬底900的方向(例如，Z轴方向)，堤部层500可以包括第一堤部层510和位于第一堤部层510上的第二堤部层520。第一堤部层510的表面可以是亲液的，并且第二堤部层520的表面可以是疏液的。
堤部层500可以包括第一堤部开口501、第二堤部开口502和第三堤部开口503。当第二衬底900和第一衬底100结合在一起时，堤部层500的第一堤部开口501、第二堤部开口502和第三堤部开口503可以分别对应于位于第一衬底100上的第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3。堤部层500的第一堤部开口501可以对应于像素限定层PDL的暴露第一像素电极311的第一像素开口OP1，第二堤部开口502可以对应于像素限定层PDL的暴露第二像素电极312的第二像素开口OP2，并且第三堤部开口503可以对应于像素限定层PDL的暴露第三像素电极313的第三像素开口OP3。
因为通过使用光刻工艺(诸如，曝光和显影)在第二衬底900上形成第一堤部开口501、第二堤部开口502和第三堤部开口503，因此堤部层500的在朝向第一衬底100的方向上的表面的面积可以大于堤部层500的在朝向第二衬底900的方向上的表面的面积。因此，如图13B所示，堤部层500可以相对于第二衬底900具有反向锥化的形状。
参考图13C，通过使用喷墨印刷工艺，可以将第一油墨Ink1喷射到第一堤部开口501中，可以将第二油墨Ink2喷射到第二堤部开口502中，并且可以将第三油墨Ink3喷射到第三堤部开口503中。
第一油墨Ink1可以包括形成第一量子点层610的材料611。在实施方式中，第一油墨Ink1可以包括光敏单体、量子点和散射颗粒。这里，包括在第一油墨Ink1中的量子点可以包括选自II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物或其任何混合物的材料。
第二油墨Ink2可以包括形成第二量子点层620的材料621。在实施方式中，第二油墨Ink2可以包括光敏单体、量子点和散射颗粒。这里，包括在第二油墨Ink2中的量子点可以包括InxGa(1-x)P、AgInxGa(1-x)S2、AgInS2、AgGaS2、CuInS2、CuInSe2、CuGaS2、CuGaSe2、ZnSe、ZnTexSe(1-x)或其任何混合物。
第三油墨Ink3可以包括形成透射层630的材料631。在实施方式中，第三油墨Ink3可以包括光敏单体和散射颗粒。
通过调节第一油墨Ink1、第二油墨Ink2和第三油墨Ink3中的每个的喷射量，可以确定形成第一量子点层610的材料611、形成第二量子点层620的材料621和形成透射层630的材料631的上表面的形状。例如，如图13C所示，形成第二量子点层620的材料621可以具有中心部分的厚度小于外围部分的厚度的凹形形状。在另一实施方式中，形成第二量子点层620的材料621可以具有中心部分的厚度大于外围部分的厚度的凸形形状。
参考图13D，可以通过使用喷墨印刷工艺将第四油墨Ink4喷射到第二堤部开口502中。
第四油墨Ink4可以包括形成第一有机封盖层640的材料641。在实施方式中，包括在形成第二量子点层620的材料621中的光敏单体可以是与形成第一有机封盖层640的材料641相同的材料。
形成第一有机封盖层640的材料641的厚度可以在约0.1nm至约3nm的范围内。在实施方式中，形成第一有机封盖层640的材料641可以如图13D所示具有恒定的厚度。例如，形成第一有机封盖层640的材料641的上表面641us可以具有与形成第二量子点层620的材料621的上表面621us的形状类似的形状。
在另一实施方式中，形成第一有机封盖层640的材料641可以具有中心部分的厚度大于与第二堤部开口502的侧壁相邻的外围部分的厚度的凸形形状。
尽管在图13D中未示出，但是可以通过将第四油墨Ink4喷射到第一堤部开口501中来将形成第二有机封盖层的材料施加到形成第一量子点层610的材料611上。
尽管在图13E中未示出，但是可以将红外线照射到形成第一量子点层610的材料611、形成第二量子点层620的材料621、形成透射层630的材料631和形成第一有机封盖层640的材料641，从而可以形成第一量子点层610、第二量子点层620、透射层630以及第一有机封盖层640。
第二量子点层620和第一有机封盖层640可以彼此交联并形成。在形成无机封盖层PVL之前，可以通过第一有机封盖层640防止或减少由于将第二量子点层620暴露于光和/或氧而导致的光转换效率的降低。
此后，通过使用CVD，可以在堤部层500上形成无机封盖层PVL，以覆盖第一量子点层610、第一有机封盖层640和透射层630。
参考图13F，可以将其上设置有电路层200、发光二极管层300和封装层400的第一衬底100结合到第二衬底900。
第一衬底100和第二衬底900可以结合在一起，使得堤部层500以及滤色器层800面向朝向第一衬底100的方向(例如，-Z轴方向)。在实施方式中，堤部层500的第一堤部开口501、第二堤部开口502和第三堤部开口503可以分别对应于第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3。在实施方式中，滤色器层800的第一滤色器开口801、第二滤色器开口802和第三滤色器开口803可以分别对应于第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3。
第一衬底100和第二衬底900可以通过诸如密封剂的结合构件在显示区域的外部结合在一起。当需要时，填充物(未示出)可以填充第一衬底100上的堆叠体和第二衬底900上的堆叠体之间的空间。
图14是示出根据实施方式的显示设备的根据量子点层的厚度的光吸收效率增加率和光转换效率增加率的曲线图。
通过将包括AgInxGa(1-x)S2作为量子点的量子点层的光吸收效率和光转换效率与包括与以上描述的量子点层相同的部件但包括InP作为量子点的量子点层的光吸收效率和光转换效率进行比较，可以计算光吸收效率增加率和光转换效率增加率。
如可从图14看出的，与包括InP作为量子点的量子点层相比，包括AgInxGa(1-x)S2作为量子点的量子点层的光吸收效率可以增加110％至113％，并且光转换效率可以增加120％至150％。
当InP用作量子点时，用于将蓝光转换成绿光的量子点的尺寸可以是约2nm。当量子点的尺寸小于或等于约2nm时，由于量子限制效应，可能在由发光二极管发射的蓝光的波长范围内出现非吸收区段。
另一方面，AgInxGa(1-x)S2具有比InP小的带隙，并且因此，发生量子限制效应的量子点尺寸可能相对大。因此，通过减少在由发光二极管发射的蓝光的波长范围内的非吸收区段，可以获得高的光吸收效率和光转换效率。
图15是示出根据实验性示例和比较性示例的显示设备的根据曝光时间的光转换效率的曲线图，并且图16是示出了根据实验性示例和比较性示例的显示设备的根据曝光时间的光转换效率的曲线图。
如图5所示，电路层200、发光二极管层300、封装层400和堤部层500形成在第一衬底100上。通过喷墨工艺，第一量子点层610可以形成在堤部层500的第一堤部开口501中，第二量子点层620和第一有机封盖层640可以形成在第二堤部开口502中，并且透射层630可以形成在第三堤部开口503中。第二量子点层620可以包括AgInxGa(1-x)S2量子点。无机封盖层PVL可以形成在堤部层500上以覆盖第一量子点层610、第一有机封盖层640和透射层630。此后，将第二衬底900结合到第一衬底100上，以制造根据实验性示例1的显示设备。
尽管根据比较性示例1的显示设备以与根据实验性示例1的显示设备中的相同的方式制造，但是在根据比较性示例1的显示设备中，在第二量子点层上形成无机封盖层，来代替第一有机封盖层。
尽管以与根据比较性示例1的显示设备中的相同的方式制造根据比较性示例2的显示设备，但是在根据比较性示例2的显示设备中，第二量子点层包括InP量子点。
图15示出了当根据实验性示例1和比较性示例1的显示设备在形成无机封盖层PVL之前在大气条件下暴露于具有约460nm的波长的光时第二量子点层的光转换效率。
在比较性示例1中，可以看出，随着曝光时间的增加，光转换效率持续降低。这是因为包括在第二量子点层中的AgInxGa(1-x)S2量子点在大气条件下通过与氧等接触而被损坏。另一方面，在实验性示例1中，可以确定，即使在曝光时间增加时，也保持100％或更高的光转换效率。
图16示出了当根据实验性示例1、比较性示例1和比较性示例2的显示设备在形成无机封盖层PVL之前在大气条件下暴露于具有590nm的波长的光时第二量子点层的光转换效率。
在比较性示例1中，可以确定，随着曝光时间的增加，光转换效率持续降低。如上所述，包括在第二量子点层中的AgInxGa(1-x)S2量子点在大气条件下通过与氧等接触而被损坏。
在比较性示例2中，当包括相对稳定的InP量子点时，光转换效率在1天时间过去之前不会降低，但是可以确定，光转换效率在经过1天之后会降低。
另一方面，在实验性示例1中，可以确定，即使在暴露时间为2天时，也能保持100％或更高的光转换效率。在实验性示例1中，第一有机封盖层640阻挡第二量子点层620接触氧等，从而可以防止或减少在无机封盖层PVL形成之前的延迟时间期间第二量子点层620的光转换效率的降低。
图17是根据实施方式的显示设备的一部分的示意性剖视图。图17与图5的不同之处至少在于，低折射率层700形成在堤部层500和颜色转换-透射层600上，并且滤色器层800形成在低折射率层700上，从而省略了第二衬底。在下文中，可以省略对彼此相同或类似的元件的描述，并且可以仅描述不同之处。
参考图17，包括第一堤部开口501、第二堤部开口502和第三堤部开口503的堤部层500可以设置在封装层400上。堤部层500的第一堤部开口501、第二堤部开口502和第三堤部开口503可以分别对应于第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3。堤部层500的第一堤部开口501可以对应于像素限定层PDL的暴露第一像素电极311的第一像素开口OP1，第二堤部开口502可以对应于像素限定层PDL的暴露第二像素电极312的第二像素开口OP2，并且第三堤部开口503可以对应于像素限定层PDL的暴露第三像素电极313的第三像素开口OP3。
在实施方式中，如图17所示，堤部层500可以包括具有亲液表面的第一堤部层510和具有疏液表面的第二堤部层520。例如，包括亲液表面的第一堤部层510可以位于封装层400上，并且包括疏液表面的第二堤部层520可以位于第一堤部层510上。在另一实施方式中，第一堤部层510和第二堤部层520可以包括彼此相同的材料，并且可以通过使用CF4等离子体处理等仅向第二堤部层520的表面赋予疏液特性。
由第一发光二极管LED1产生的蓝光Lb可以通过位于第一堤部开口501中的第一量子点层610被转换成红光Lr，并被发射到外部。当从垂直于第一衬底100的方向(例如，Z轴方向)观察时，以上描述的第一量子点层610可以与第一像素电极311重叠。第一量子点层610可以包括具有透光特性的光敏聚合物、量子点和散射颗粒。
由第二发光二极管LED2产生的蓝光Lb可以通过位于第二堤部开口502中的第二量子点层620被转换成绿光Lg，并被发射到外部。当从垂直于第一衬底100的方向(例如，Z轴方向)观察时，以上描述的第二量子点层620可以与第二像素电极312重叠。第二量子点层620可以包括具有透光特性的光敏聚合物、量子点和散射颗粒。
第二量子点层620的量子点可以包括选自III-V族化合物、III-VI族化合物、II-VI族化合物、I-III-VI族化合物及其混合物的材料。在实施方式中，第二量子点层620可以包括InxGa(1-x)P、AgInxGa(1-x)S2、AgInS2、AgGaS2、CuInS2、CuInSe2、CuGaS2、CuGaSe2、ZnSe、ZnTexSe(1-x)或其任何混合物。
第一有机封盖层640可以在第二堤部开口502中位于第二量子点层620上。当从垂直于第一衬底100的方向(例如，Z轴方向)观察时，以上描述的第一有机封盖层640可以与第二像素电极312重叠。
第一有机封盖层640可以是光敏聚合物。例如，用于形成第一有机封盖层640的单体可以是基于丙烯酸的光敏树脂。在实施方式中，用于形成第一有机封盖层640的单体可以包括六亚甲基二丙烯酸酯、四乙二醇二丙烯酸酯、二丙二醇二丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯酸酯、或其任何混合物。
如图17所示，第一有机封盖层640可以在第二量子点层620的上表面上具有恒定的厚度。例如，第一有机封盖层640的上表面可以具有与第二量子点层620的上表面相同或类似的形状。在另一实施方式中，第二量子点层620可以具有凹形形状，并且第一有机封盖层640可以具有中心部分的厚度大于与第二堤部开口502相邻的外围部分的厚度的凸形形状。
第一有机封盖层640的上表面接触第二堤部开口502的侧壁的固定点可以与第一堤部层510和第二堤部层520之间的界面接触第二堤部开口502的侧壁的点重合或相邻。例如，固定点可以与第二堤部开口502的侧壁的表面从亲液变为疏液的点重合或定位成与其相邻。
第一有机封盖层640可以防止或减少在形成无机封盖层PVL之前由于第二量子点层620暴露于光和/或氧而导致的光转换效率的降低。
在第三发光二极管LED3中产生的蓝光Lb可以在没有波长转换的情况下被发射到外部。在实施方式中，透射层630可以位于堤部层500的与第三像素电极313重叠的第三堤部开口503中。当从垂直于第一衬底100的方向(例如，Z轴方向)观察时，透射层630可以与第三像素电极313重叠。透射层630可以包括具有透光率的光敏聚合物和散射颗粒。
无机封盖层PVL可以位于堤部层500上以覆盖第一量子点层610、第一有机封盖层640和透射层630。无机封盖层PVL可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机绝缘材料。
低折射率层700可以位于无机封盖层PVL上。低折射率层700可以包括有机低折射率层710和无机保护层720。有机低折射率层710可以具有约1.2的折射率。可以将有机低折射率层710施加到堤部层500和颜色转换-透射层600上，以便为位于有机低折射率层710之上的元件提供平坦的基础表面。穿过颜色转换-透射层600的散射光可以在有机低折射率层710的界面处被全反射并且在颜色转换-透射层600内被再散射。无机保护层720可以形成在有机低折射率层710上。无机保护层720可以包括诸如氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的无机材料，并且可以通过CVD形成。
滤色器层800可以位于无机保护层720上。在无机保护层720形成之后，滤色器层800可以通过连续工艺形成在其上设置有无机保护层720的基础表面上。
滤色器层800可以包括第一滤色器开口801、第二滤色器开口802和第三滤色器开口803。滤色器层800的第一滤色器开口801、第二滤色器开口802和第三滤色器开口803可以分别对应于第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3。
滤色器层800可以包括：第一滤色器层810，其仅透射约625nm至约780nm的范围内的波长的光；第二滤色器层820，其仅透射约495nm至约570nm的范围内的波长的光；以及第三滤色器层830，其仅透射约450nm至约495nm的范围内的波长的光。
第三滤色器层830可以位于无机保护层720上，第一滤色器层810可以位于第三滤色器层830上，并且第二滤色器层820可以位于第一滤色器层810上。第一滤色器层810、第二滤色器层820和第三滤色器层830之中的至少两个层可以在第一滤色器开口801、第二滤色器开口802和第三滤色器开口803之间的区域中彼此重叠。第一滤色器层810、第二滤色器层820和第三滤色器层830之中的至少两个层彼此重叠的区域可以用作黑色矩阵。
因为滤色器层800形成(例如，直接形成)在由无机保护层720提供的基础表面上，所以第一滤色器层810、第二滤色器层820和第三滤色器层830可以接触(例如，直接接触)无机保护层720。
膜层FL可以位于滤色器层800上。膜层FL可以通过诸如光学透明粘合剂或光学透明树脂(OCR)的粘合剂层结合到滤色器层800上。
在一些实施方式中，膜层FL可以设置为抗反射膜。膜层FL可以设置为偏振膜。偏振膜可以包括线性平坦化板和相位延迟膜，诸如四分之一波长(λ/4)板。
在参考图17描述的显示设备1中，因为滤色器层800形成(例如，直接形成)在无机保护层720上，所以可以省略用于形成滤色器层800的第二衬底。因此，可以省略将第一衬底100和第二衬底结合在一起的工艺，并且因此，可以简化制造工艺并且可以减小显示设备1的厚度。
根据如上所述配置的实施方式，可以实现可在其上显示高质量图像的显示设备。然而，本公开的范围不受该效果的限制。
已在本文中公开了实施方式，并且尽管使用了术语，但是这些术语仅以概述性和描述性的含义使用并且仅以概述性和描述性的含义进行解释，而不是出于限制的目的。在一些情况下，如将对本领域的普通技术人员显而易见的，除非另外特别指示，否则结合一实施方式描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或与结合其它实施方式描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域普通技术人员将理解，在不背离本公开的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上做出各种改变。

Claims (10)

1.显示设备，其特征在于，所述显示设备包括：
第一衬底；
第一发光二极管、第二发光二极管和第三发光二极管，设置在所述第一衬底上并且发射属于第一波长带的波长的光；
封装层，覆盖所述第一发光二极管、所述第二发光二极管和所述第三发光二极管；
堤部层，在所述封装层上，所述堤部层包括：
第一堤部开口，与所述第一发光二极管对应；
第二堤部开口，与所述第二发光二极管对应；以及
第三堤部开口，与所述第三发光二极管对应；
第一量子点层，设置在所述第一堤部开口中，并且将属于所述第一波长带的波长的光转换成属于第二波长带的波长的光；
第二量子点层，设置在所述第二堤部开口中，并且将属于所述第一波长带的波长的光转换成属于第三波长带的波长的光；
第一有机封盖层，覆盖所述第二量子点层；以及
无机封盖层，覆盖所述堤部层、所述第一量子点层和所述第一有机封盖层。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述堤部层还包括：
第一堤部层，在所述封装层上并且具有亲液表面；以及
第二堤部层，在所述第一堤部层上并且具有疏液表面。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其特征在于，所述第一有机封盖层的上表面接触所述第二堤部开口的侧壁的固定点与所述第一堤部层和所述第二堤部层之间的界面接触所述第二堤部开口的所述侧壁的点重合或相邻。
4.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述第二量子点层具有中心部分的厚度小于与所述第二堤部开口的侧壁相邻的外围部分的厚度的凹形形状。
5.根据权利要求4所述的显示设备，其特征在于，在所述第一有机封盖层中，中心部分的厚度等于与所述第二堤部开口的所述侧壁相邻的外围部分的厚度。
6.根据权利要求4所述的显示设备，其特征在于，所述第一有机封盖层具有中心部分的厚度大于与所述第二堤部开口的所述侧壁相邻的外围部分的厚度的凸形形状。
7.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，
所述第二量子点层具有中心部分的厚度大于与所述第二堤部开口的侧壁相邻的外围部分的厚度的凸形形状，以及
在所述第一有机封盖层中，中心部分的厚度等于外围部分的厚度。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述第一有机封盖层的厚度在约0.1μm至约3μm的范围内。
9.显示设备，其特征在于，所述显示设备包括：
第二衬底；
滤色器层，在所述第二衬底上，并且包括第一滤色器开口、第二滤色器开口和第三滤色器开口；
低折射率层，在所述滤色器层上；
堤部层，在所述低折射率层上，所述堤部层包括：
第一堤部开口，与所述第一滤色器开口对应；
第二堤部开口，与所述第二滤色器开口对应；以及
第三堤部开口，与所述第三滤色器开口对应；
第一量子点层，设置在所述第一堤部开口中，并且将属于第一波长带的波长的光转换成属于第二波长带的波长的光；
第二量子点层，设置在所述第二堤部开口中，并且将属于所述第一波长带的波长的光转换成属于第三波长带的波长的光；
第一有机封盖层，覆盖所述第二量子点层；以及
无机封盖层，覆盖所述堤部层、所述第一量子点层和所述第一有机封盖层。
10.显示设备，其特征在于，所述显示设备包括：
第一衬底；
第一发光二极管、第二发光二极管和第三发光二极管，设置在所述第一衬底上并且发射属于第一波长带的波长的光；
封装层，覆盖所述第一发光二极管、所述第二发光二极管和所述第三发光二极管；
堤部层，在所述封装层上，所述堤部层包括：
第一堤部开口，与所述第一发光二极管对应；
第二堤部开口，与所述第二发光二极管对应；以及
第三堤部开口，与所述第三发光二极管对应；
第一量子点层，设置在所述第一堤部开口中，并且将属于所述第一波长带的波长的光转换成属于第二波长带的波长的光；
第二量子点层，设置在所述第二堤部开口中，并且将属于所述第一波长带的波长的光转换成属于第三波长带的波长的光；
第一有机封盖层，覆盖所述第二量子点层；
无机封盖层，覆盖所述堤部层、所述第一量子点层和所述第一有机封盖层；
有机低折射率层，在所述无机封盖层上并且填充所述第一堤部开口、所述第二堤部开口和所述第三堤部开口；
无机保护层，在所述有机低折射率层上；以及
滤色器层，直接接触所述无机保护层，其中，
当从垂直于所述第一衬底的方向观察时，所述滤色器层包括分别与所述第一发光二极管、所述第二发光二极管和所述第三发光二极管重叠的第一滤色器开口、第二滤色器开口和第三滤色器开口。
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