CN118076159A - 显示设备 - Google Patents

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CN118076159A CN202311554331.5A CN202311554331A CN118076159A CN 118076159 A CN118076159 A CN 118076159A CN 202311554331 A CN202311554331 A CN 202311554331A CN 118076159 A CN118076159 A CN 118076159A
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金垈炫
李昌敃
李炫植
金弘壹
黄载薰
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Abstract

显示设备包括：第一像素电极和第二像素电极，设置在第一衬底上；中间层，设置在第一像素电极和第二像素电极上，并且发射第一光；相对电极，设置在中间层上；第一滤色器，设置在相对电极上并且在平面图中与第一像素电极重叠；有机材料层，设置在相对电极和第一滤色器之间；以及第二滤色器，设置在相对电极上并且在平面图中与第二像素电极重叠，以及第一光在CIE颜色坐标中具有在约0.220至约0.222的范围内的X值以及在约0.225至约0.309的范围内的Y值，以及第一光基本上沿着线型路径穿过有机材料层。

Description

显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年11月23日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0158529号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
一个或多个实施方式涉及显示设备，并且涉及显示高质量图像的显示设备。
背景技术
显示设备具有像素。对于全色显示设备，像素可以发射不同颜色的光。为此，显示设备的至少一些像素可以具有颜色转换部分。因此，由一些像素的发光部分生成的第一颜色的光在穿过相应的颜色转换部分的同时被转换成第二颜色的光并且被提取到外部。
然而，在根据现有技术的显示设备中，由于低的光效率而不能显示高质量图像。
应当理解，本背景技术部分部分地旨在为理解技术提供有用的背景。然而，本背景技术部分还可以包括不属于在本文中所公开的主题的相应有效申请日期之前的相关领域中的技术人员已知或理解的思想、概念或认识。
发明内容
一个或多个实施方式包括显示高质量图像的显示设备。然而，这些是示例，并且本公开的范围不受此限制。
附加的方面将在以下描述中部分地阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可以通过实施方式的实践来获知。
要由本公开实现的技术目的不限于本文中描述的那些技术目的，并且本文中未提及的其他技术目的将由本领域技术人员从本公开的描述中清楚地理解。
根据本公开的一方面，显示设备可以包括：第一像素电极和第二像素电极，设置在衬底上；中间层，设置在第一像素电极和第二像素电极上并且发射第一光；相对电极，设置在中间层上；第一滤色器(也称为第一滤色器层)，设置在相对电极上并且在平面图中与第一像素电极重叠；有机材料层，设置在相对电极和第一滤色器之间；以及第二滤色器(也称为第二滤色器层)，设置在相对电极上并且在平面图中与第二像素电极重叠，其中，第一光在CIE颜色坐标中具有在约0.220至约0.222的范围内的X值以及在约0.225至约0.309的范围内的Y值，以及第一光基本上沿着线型路径穿过有机材料层。
第一光的发光光谱强度可以具有第一峰值，第一峰值是在约440nm至约460nm的范围内的波长带中的局部最大值，并且在基于与衬底垂直的方向改变发光光谱强度的测量角度的情况下，第一峰值根据测量角度的增大而持续减小。
第一滤色器可以包括散射颗粒。
显示设备还可以包括：封装层，设置在相对电极上，并且包括至少一个无机封装层和一个有机封装层，其中，至少一个有机材料层的折射率可以基本上等于有机封装层的折射率。
显示设备还可以包括：填充材料，设置在封装层与第一滤色器和第二滤色器之间；以及保护层，设置在有机材料层和填充材料之间。
显示设备还可以包括：填充材料，设置在封装层与第一滤色器和第二滤色器之间，并且有机材料层可以与填充材料为一体。
中间层可以包括第一发射层、第二发射层、第三发射层和第四发射层，以及第一发射层、第二发射层和第三发射层可以发射蓝光，并且第四发射层可以发射绿光。
第一发射层、第二发射层和第三发射层中的每一个可以发射具有在约400nm至约500nm的范围内的波长的光，并且第四发射层可以发射具有在约500nm至约600nm的范围内的波长的光。
中间层可以包括至少一个空穴注入层，并且第一像素电极和中间层之间的第一界面与中间层和相对电极之间的第二界面之间的距离可以在约至约/>的范围内。
显示设备还可以包括：第一颜色转换层，设置在相对电极和第二滤色器之间，并且将第一光转换成具有第二波长带的波长的光，以及第一滤色器可以仅使具有属于第一波长带的波长的光穿过，并且第二滤色器可以仅使具有属于第二波长带的波长的光穿过。
显示设备还可以包括：第三像素电极，设置在衬底上；以及第三滤色器(也称为第三滤色器层)，设置在相对电极上以在平面图中与第三像素电极重叠，并且仅使具有属于第三波长带的波长的光穿过。
显示设备还可以包括：第二颜色转换层，设置在相对电极和第三滤色器之间，并且将第一光转换成具有第三波长带的波长的光。
第三滤色器可以包括散射颗粒。
根据本公开的方面，显示设备可以包括：第一像素电极和第二像素电极，设置在第一衬底上；中间层，设置在第一像素电极和第二像素电极上并且发射第一光；相对电极，设置在中间层上；第二衬底，设置在第一衬底上方，且相对电极设置在第一衬底和第二衬底之间；堤，设置在第二衬底的在第一衬底的方向上的下表面上，并且具有第一堤开口和第二堤开口，第一堤开口在平面图中与第一像素电极重叠，第二堤开口在平面图中与第二像素电极重叠；第一滤色器，第一滤色器设置在堤和第二衬底之间并且在平面图中与第一像素电极重叠；有机材料层，设置在相对电极和第一滤色器之间；以及第二滤色器，设置在堤和第二衬底之间并且在平面图中与第二像素电极重叠，其中，第一光在CIE颜色坐标中具有在约0.220至约0.222的范围内的X值，并且第一光基本上沿着线型路径穿过有机材料层。
第一光的发光光谱强度可以具有第一峰值，第一峰值是在约440nm至约460nm的范围内的波长带中的局部最大值，并且在基于与第一衬底垂直的方向改变发光光谱强度的测量角度的情况下，第一峰值根据测量角度的增大而持续减小。
第一滤色器可以包括散射颗粒。
显示设备还可以包括：封装层，设置在相对电极上，并且包括至少一个无机封装层和一个有机封装层，其中，有机材料层的折射率可以与有机封装层的折射率相同。
中间层可以包括在平面图中重叠的第一发射层、第二发射层、第三发射层和第四发射层，并且第一发射层、第二发射层和第三发射层可以发射蓝光，并且第四发射层可以发射绿光。
第一发射层、第二发射层和第三发射层中的每一个可以发射具有在约400nm至约500nm的范围内的波长的光，并且第四发射层可以发射具有在约500nm至约600nm的范围内的波长的光。
中间层可以包括至少一个空穴注入层，并且像素电极和中间层之间的第一界面与中间层和相对电极之间的第二界面之间的距离可以在约至约/>的范围内。
显示设备还可以包括：填充材料，设置在第一滤色器和第二滤色器与相对电极之间，并且有机材料层可以与填充材料为一体。
填充材料可以填埋第一堤开口。
除了以上所描述的方面、特征、优点之外的其它方面、特征、优点将从以下附图、权利要求书和本公开的详细描述中变得显而易见。
附图说明
本公开的以上和其他方面、特征和优点将从以下结合附图的描述中更加显而易见，在附图中：
图1是示意性地示出根据实施方式的显示设备的示意性平面图；
图2A、图2B和图2C是示意性地示出根据实施方式的显示设备的一部分的示意性平面图；
图3是示意性地示出根据实施方式的显示设备的像素的示意性剖视图；
图4示出了根据实施方式的颜色转换透明层的光学部分；
图5是示意性地示出根据实施方式的显示设备的示意性剖视图；
图6是示意性地示出根据实施方式的显示设备的示意性剖视图；
图7A、图7B和图7C是示意性地示出根据实施方式的中间层的示意性剖视图；
图8A、图8B、图8C和图8D是示出由根据实施方式的显示设备的发光装置发射的光的根据测量角度的发光光谱强度的曲线图；
图9A、图9B和图9C是示出由根据比较示例的显示设备的发光装置发射的光的根据测量角度的发光光谱强度的曲线图；
图10是示出根据中间层的厚度变化的由显示设备的每个像素发射的光的颜色坐标、发光效率和白光发射效率的表；
图11是示出由根据实施方式的显示设备的第一像素发射的光的发光光谱强度和由根据比较示例的显示设备的第一像素发射的光的发光光谱强度的曲线图；以及
图12是示出根据中间层的厚度变化的显示设备的光源颜色坐标和白光发射效率的曲线图，以及图13是示出根据中间层的厚度变化的显示设备的白光发射效率的曲线图。
具体实施方式
现在将详细参考其示例在附图中示出的实施方式，其中相同的附图标记始终表示相同的元件。在这点上，实施方式可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中所阐述的描述。因此，下面通过参考附图来描述实施方式以说明描述的方面。
在附图中，为了易于描述和为了清楚起见，可以夸大元件的大小、厚度、比例和尺寸。相同的附图标记始终表示相同的元件。
在说明书和权利要求书中，术语“和/或”出于其含义和解释的目的旨在包括术语“和”和“或”的任何组合。例如，“A和/或B”可以理解为意指A、B或者A和B。术语“和”和“或”可以以结合或分离的意义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。
在说明书和权利要求中，短语“…中的至少一个”出于其含义和解释的目的旨在包括“从…的群组中选择的至少一个”的含义。例如，“A和B中的至少一个”可以理解为意指A、B或者A和B。
由于各种修改和各种实施方式是可能的，因此示例实施方式在附图中示出并且在详细描述中详细描述。参考下面结合附图详细描述的实施方式，本公开的效果和特征以及实现它们的方法将是显而易见的。然而，本公开不限于本文中所公开的实施方式，而是可以以多种形式实现。
在下文中，将参考附图详细描述实施方式，并且相同的或相应的组件由相同的附图标记表示，并且被指定相同的附图标记，并且冗余的说明可以被省略。
将理解，尽管在本文中可以使用术语第一、第二等来描述各种元件，但是这些元件不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不背离本公开的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件也可以被称为第一元件。
除非上下文另有明确指示，否则如本文中所使用的，单数形式“一(a)”、“一个(an)”和“该”旨在还包括复数形式。
术语“重叠(overlap)”或“重叠(overlapped)”意味着第一对象可以在第二对象的上方或下方，或者到第二对象的一侧，并且反之亦然。另外，术语“重叠(overlap)”可以包括层叠、堆叠、面对(face)或面向(facing)、在…之上延伸、覆盖或部分地覆盖或者如将由本领域普通技术人员领会和理解的任何其他合适的术语。
当元件被描述为“不”与另一元件“重叠或与另一元件不重叠时，这可以包括元件彼此间隔开、彼此偏移或彼此分开设置或者如将由本领域普通技术人员领会和理解的任何其他合适的术语。
术语“面对(face)”和“面对(facing)”意味着第一元件可以与第二元件直接相对或间接相对。在其中第三元件插置在第一元件和第二元件之间的情况下，第一元件和第二元件尽管仍然彼此面对，但可以被理解为彼此间接相对。
在本说明书中，当术语“包括(comprises)”、“包括有(comprising)”、“包含(includes)”和/或“包含有(including)”、“具有(has)”、“具有(have)”和/或“具有(having)”以及其变型在本说明书中使用时指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件或/其群组的存在或添加。
在本说明书中，当诸如层、区域、组件等的部分在其它部分上时，这不仅是当该部分在其它组件上时，而且是当其它组件插置在该部分与其它组件之间时。
在本说明书中，当层、区域、组件等彼此连接时，层、区域和组件可以彼此直接连接，和/或层、区域和组件可以彼此间接连接且其他层、其他区域和其他组件插置在层、区域和组件之间。例如，在说明书中，当层、区域、组件等彼此电连接时，层、区域、组件等可以彼此直接电连接，和/或层、区域和组件等可以彼此间接电连接且其他层、其他区域和其他组件插置在层、区域和组件之间。
x轴、y轴和z轴不限于笛卡尔坐标系上的三个轴，并且可以以包括笛卡尔坐标系上的三个轴的更宽泛的含义进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不正交的不同方向。
在说明书中，在实施方式可以在说明书中实现时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行，或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。
在说明书中，“中间层”是表示布置在发光装置的像素电极和相对电极之间的所有层中的单个和/或多个的术语。
在附图中，为了便于说明，可以夸大或缩小组件的尺寸。例如，由于为了便于说明任意地表示附图中所示的每个组件的尺寸和厚度，因此本公开不一定限于图示。
鉴于所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)，如本文中所使用的“约”或“近似”包括所述值并且意味着在由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或在所述值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
除非在本文中另有定义或暗示，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域中的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。还将理解，术语，诸如在常用词典中定义的那些术语，应当被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且除非在本文中明确地如此定义，否则将不以理想化或过于形式化的含义进行解释。
图1是示意性地示出根据实施方式的显示设备的示意性平面图。如图1中所示，根据实施方式的显示设备可以包括显示面板10。只要显示设备可以包括显示面板10，任何显示设备都是可以的。例如，显示设备可以是诸如智能手机、平板电脑、膝上型计算机、电视或广告牌的各种设备。
显示面板10可以包括显示区域DA和显示区域DA外部的周边区域PA。在图1中，显示区域DA具有矩形形状。然而，实施方式不限于此。在本公开的精神和范围内，显示区域DA可以具有其他形状，诸如圆形形状、椭圆形形状、多边形形状、其他图形形状等。
显示区域DA可以是其中显示图像的部分，并且像素PX可以布置(或设置)在显示区域DA中。每个像素PX可以包括诸如有机发光二极管的显示元件。例如，每个像素PX可以发射红光、绿光或蓝光。在本公开的精神和范围内，像素PX可以连接到包括薄膜晶体管(TFT)、存储电容器等的像素电路。像素电路可以连接到用于传输扫描信号的扫描线SL、与扫描线SL相交并且用于传输数据信号的数据线DL以及用于提供驱动电压的驱动电压线PL。扫描线SL可以在x方向上延伸，并且数据线DL和驱动电压线PL可以在y方向上延伸。
像素PX可以发射具有与来自电连接的像素电路的电信号对应的亮度的光。在显示区域DA中，给定图像可以通过由像素PX发射的光来显示。作为参考，如以上所描述的，像素PX可以被定义为其中发射红色、绿色和蓝色中的一种颜色的光的区域。
作为其中未布置有像素PX的区域的周边区域PA可以是不显示图像的区域。用于驱动像素PX的电源布线等可以位于(或设置在)周边区域PA中。在实施方式中，包括驱动电路部分或驱动器集成电路(IC)的印刷电路板连接到其的端子部分可以布置在周边区域PA中。
作为参考，因为显示面板10可以包括第一衬底100，所以第一衬底100可以具有显示区域DA和周边区域PA。
图2A、图2B和图2C是示意性地示出根据实施方式的显示设备的一部分的示意性平面图。图2A、图2B和图2C是图1的显示面板10的区域A的放大示意性平面图。
如图2A、图2B和图2C中所示，显示设备可以包括像素PX。像素PX可以包括发射不同颜色的光的第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3。第一像素PX1可以是发射蓝光的像素，第二像素PX2可以是发射红光的像素，并且第三像素PX3可以是发射绿光的像素。
第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每一个可以在从与第一衬底100垂直的方向(z轴方向)观察的情况下具有多边形形状。图2A、图2B和图2C示出了在第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每一个在从与第一衬底100垂直的方向(z轴方向)观察的情况下具有矩形形状(例如，具有圆化边缘的矩形形状)的情况下。然而，实施方式不限于此。例如，在从与第一衬底100垂直的方向(z轴方向)观察的情况下，第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每一个可以具有圆形形状或椭圆形形状。
第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的尺寸(例如，其面积)可以彼此不同。例如，第二像素PX2的面积可以小于第一像素PX1的面积和第三像素PX3的面积。然而，实施方式不限于此。例如，第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的面积也可以基本上相同。
第一像素PX1可以包括第一像素电极311，并且第二像素PX2可以包括第二像素电极312，并且第三像素PX3可以包括第三像素电极313。像素限定层150可以覆盖第一像素电极311、第二像素电极312和第三像素电极313中的每一个的边缘。例如，像素限定层150可以具有用于暴露第一像素电极311的中心的开口、用于暴露第二像素电极312的中心的开口以及用于暴露第三像素电极313的中心的开口。
如图2A中所示，图2A是示意性示出根据实施方式的显示设备的一部分的示意性平面图，第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3也可以以条纹方式布置。例如，第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以在x轴方向上依次布置。当然，实施方式不限于第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3以条纹方式布置的情况。
例如，如图2B中所示，图2B是示意性地示出根据实施方式的显示设备的一部分的示意性平面图，第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3也可以以pentile方式布置。例如，在假设以第二像素PX2的中心为中心的虚拟矩形VQ的情况下，第一像素PX1可以设置在第一顶点Q1处，并且第三像素PX3可以设置在与第一顶点Q1相邻的第二顶点Q2处。第一像素PX1可以设置在与第一顶点Q1以虚拟矩形VQ的中心为中心对称的第三顶点Q3处，并且第三像素PX3可以设置在与第二顶点Q2以虚拟矩形VQ的中心为中心对称的第四顶点Q4处。虚拟矩形VQ可以具有正方形形状。第一像素PX1和第三像素PX3可以在x轴方向和与x轴方向相交的y轴方向上交替布置。例如，一组第一像素PX1、一组第二像素PX2和一组第三像素PX3可以在x轴方向上重复定位，并且还可以在y轴方向上重复定位。因此，第二像素PX2可以由第一像素PX1和第三像素PX3围绕。
如图2C中所示，图2C是示意性地示出根据实施方式的显示设备的一部分的示意性平面图，第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3也可以以S条纹方式布置。第二像素PX2和第三像素PX3可以在y轴方向上交替定位，并且一对第二像素PX2和第三像素PX3与第一像素PX1可以在x轴方向上交替定位。当然，与此不同，像素PX也可以以马赛克方式布置。
在从与第一衬底100垂直的方向(z轴方向)观察的情况下，第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每一个的形状可以如下面所描述的由第一滤色器层(参见图5的810)、第二滤色器层(参见图5的820)和/或第三滤色器层(参见图5的830)限定。在实施方式中，第一像素PX1的第一像素电极311、第二像素PX2的第二像素电极312和第三像素PX3的第三像素电极313中的每一个的由像素限定层150暴露的部分可以与第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每一个的由第一滤色器层810、第二滤色器层820和/或第三滤色器层830限定的形状不同。
图3是示意性地示出根据实施方式的显示设备的像素的示意性剖视图。
参考图3，显示设备可以包括在第一衬底100上的电路层200。电路层200可以包括第一像素电路PC1、第二像素电路PC2和第三像素电路PC3，并且第一像素电路PC1、第二像素电路PC2和第三像素电路PC3中的每一个可以电连接到发光元件层300的第一发光装置LED1、第二发光装置LED2和第三发光装置LED3。
第一发光装置LED1、第二发光装置LED2和第三发光装置LED3可以包括包含有机材料的有机发光二极管。第一发光装置LED1、第二发光装置LED2和第三发光装置LED3可以发射相同颜色的光。例如，由第一发光装置LED1、第二发光装置LED2和第三发光装置LED3发射的第一光L0可以穿过发光元件层300上的封装层400以穿过颜色转换透明层600。在CIE颜色坐标中，第一光L0可以具有0.220至0.222的X值，并且可以具有0.225至0.309的Y值。CIE颜色坐标是国际照明委员会(CIE)标准为国际确定关于横向光和横向颜色而定义的颜色坐标。
颜色转换透明层600可以包括颜色转换部分和有机材料层610，颜色转换部分用于将由发光元件层300发射的第一光L0转换成具有与不同波长带对应的波长的光，有机材料层610用于使由发光元件层300发射的第一光L0在不进行颜色转换的情况下穿过。
在实施方式中，第一光L0可以具有与第一波长带对应的波长。这里，第一波长带可以例如为约450nm至约495nm。在本说明书中，具有属于具有给定范围的B波长带的波长的A光是指在A光的发光光谱中具有最大强度值的点的波长属于B波长带。
在实施方式中，第一光L0可以是具有属于不同波长带的波长的多种光的混合光。例如，第一光L0可以是浅蓝光和深蓝光的混合光或者蓝光和绿光的混合光。
如图3中所示，颜色转换透明层600可以包括与第一像素PX1对应的有机材料层610、与第二像素PX2对应的第一颜色转换层620和与第三像素PX3对应的第二颜色转换层630。
有机材料层610可以使由第一发光装置LED1发射的第一光L0在不进行转换的情况下穿过。第一光L0可以沿着线型路径穿过有机材料层610。在说明书中，“光沿着线型路径穿过A层”是指光不由A层内部的光界面散射，而是沿着基本上线型的路径穿过A层。第一颜色转换层620可以将由第二发光装置LED2发射的第一光L0转换成具有属于第二波长带的波长的第三光L2。类似地，第二颜色转换层630可以将由第三发光装置LED3发射的第一光L0转换成具有属于第三波长带的波长的第四光L3。这里，第二波长带可以为约625nm至约780nm，并且第三波长带可以为约495nm至约570nm。然而，实施方式不限于此，并且第一光L0、第三光L2和第四光L3中的每一个的波长带可以与此不同地进行修改。
在实施方式中，第二颜色转换层630可以使由第三发光装置LED3发射的第一光L0在不进行颜色转换的情况下穿过。类似地，在实施方式中，第一颜色转换层620可以使由第二发光装置LED2发射的第一光L0在不进行颜色转换的情况下穿过。
滤色器层800可以位于颜色转换透明层600上。滤色器层800可以包括具有不同颜色的第一滤色器层810、第二滤色器层820和第三滤色器层830。例如，第一滤色器层810可以是用于仅使具有属于约450nm至约495nm的波长的第二光L1穿过的层。第二滤色器层820可以是用于仅使具有属于约625nm至约780nm的波长的第三光L2穿过的层。第三滤色器层830可以是用于仅使具有属于约495nm至约570nm的波长的第四光L3穿过的层。滤色器层800可以提高发射到外部的光的颜色纯度，从而改善要显示的图像的质量。滤色器层800可以减小从外部入射在显示设备上的外部光从滤色器层800下方的组件反射并且再次发射到外部的比例，从而减小外部光反射。
在实施方式中，第一滤色器层810可以包括散射颗粒。这里，散射颗粒可以是金属氧化物颗粒或有机颗粒。用于散射颗粒的金属氧化物可以包括氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)及其组合。用于散射颗粒的有机材料可以包括基于丙基酰基的树脂、聚氨酯基树脂及其组合。散射颗粒可以在基本上不改变入射光的波长的情况下在各种方向上散射光而不管入射角如何。因此，散射颗粒可以改善显示设备的横向可见度。在实施方式中，第二滤色器层820和/或第三滤色器层830可以包括散射颗粒。
第二衬底900可以位于滤色器层800上。第二衬底900可以包括玻璃或透明有机材料。例如，第二衬底900可以包括诸如基于丙基酰基的树脂的透明有机材料。
在实施方式中，在滤色器层800和颜色转换透明层600依次形成在第二衬底900上之后，第一衬底100和第二衬底900可以彼此接合，使得颜色转换透明层600可以位于第一衬底100和第二衬底900之间。
在实施方式中，在颜色转换透明层600和滤色器层800依次形成在第一衬底100上之后，第二衬底900也可以施加到滤色器层800上并且固化。
图4示出了根据实施方式的颜色转换透明层的光学部分。图4是用于描述图3中所示的显示设备的颜色转换透明层600的图。
参考图4，有机材料层610可以包括透明层，该透明层使入射在有机材料层610上的第一光L0在不进行转换的情况下穿过。有机材料层610可以包括第一基础树脂1151。
包括在有机材料层610中的第一基础树脂1151可以是透明材料。例如，第一基础树脂1151可以包括基于丙基酰基的树脂、环氧基树脂、苯并环丁烯(BCB)、六甲基二硅氧烷(HMDSO)或其组合。
有机材料层610可以不包括散射颗粒或量子点。换言之，在有机材料层610内部可以几乎不存在用于散射光的光学界面。因此，入射在有机材料层610上的第一光L0可以不由散射颗粒和/或量子点散射或折射，而是可以沿着基本上为线型线的路径穿过有机材料层610。
第一颜色转换层620可以设置为颜色转换层，该颜色转换层用于将具有属于第一光L0的第一波长带的波长的光转换成具有属于第二波长带的波长的第三光L2。这里，第二波长带可以为例如约625nm至约780nm。当然，实施方式不限于此，并且要由第一颜色转换层620转换的波长所属的波长带和转换之后的波长所属的波长带可以与此不同地进行修改。
第一颜色转换层620可以包括第二基础树脂1161、分散到第二基础树脂1161中的第一量子点1162和第一散射颗粒1163。
在说明书中，量子点是指半导体化合物的晶体，并且可以包括能够根据晶体的尺寸发射各种发光波长的光的任何材料。量子点的直径可以例如为约1nm至约10nm。
量子点可以通过湿法化学工艺、有机金属化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或类似工艺来合成。湿法化学工艺是在混合有机溶剂和前体材料之后生长量子点颗粒晶体的方法。在晶体在湿法化学工艺中生长的情况下，有机溶剂用作配位在量子点晶体的表面上的分散剂并且控制晶体的生长，使得更容易执行诸如金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE)的气相沉积方法。在湿法化学工艺的情况下，量子点颗粒的生长可以被控制，同时具有低成本。
量子点可以包括II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、IV族元素或化合物或者其任何组合。
II-VI族半导体化合物的示例可以包括二元元素化合物(诸如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe或MgS)、三元元素化合物(诸如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe或MgZnS)、四元元素化合物(诸如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe)或其任何组合。
III-V族半导体化合物的示例可以包括二元元素化合物(诸如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs或InSb)、三元元素化合物(诸如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb或GaAlNP)、四元元素化合物(诸如GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs)或其任何组合。III-V族半导体化合物还可以包括II族元素。进一步包括II族元素的III-V族半导体化合物的示例可以包括InZnP、InGaZnP或InAlZnP。
III-VI族半导体化合物的示例可以包括二元元素化合物(诸如GaS、GaSe、Ga2Se3、GaTe、InS、In2S3、InSe、In2Se3或InTe)、三元元素化合物(诸如AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、InGaS3或InGaSe3)或其任何组合。
I-III-VI族半导体化合物的示例可以包括三元元素化合物(诸如AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、CuGaO2、AgGaO2或AgAlO2)或其任何组合。
IV-VI族半导体化合物的示例可以包括二元元素化合物(诸如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe或PbTe)、三元元素化合物(诸如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe或SnPbTe)、四元元素化合物(诸如SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe)或其任何组合。
IV族元素或化合物可以包括诸如硅或锗等的单元素、二元元素化合物(诸如SiC或SiGe)或其任何组合。
包括在多元素化合物(诸如二元元素化合物、三元元素化合物和四元元素化合物)中的每种元素可以以均匀的浓度或不均匀的浓度存在于颗粒中。
量子点可以具有其中包括在相应的量子点中的每种元素的浓度是均匀的单个结构或者核-壳的双结构。例如，包括在核中的材料和包括在壳中的材料可以彼此不同。量子点的壳可以用作用于通过防止核的化学变性来保持半导体特性的保护层和/或用于向量子点提供电泳性质的电荷层。壳可以是单个层或多个层。核与壳之间的界面可以具有其中存在于壳中的元素的浓度逐渐降低的浓度梯度。
量子点的壳的示例可以包括金属或非金属的氧化物、半导体化合物或其组合。金属或非金属氧化物的示例可以包括二元元素化合物(诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4或NiO)、三元元素化合物(诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4或CoMn2O4)或其任何组合。半导体化合物的示例可以包括如以上所描述的II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、IV族元素或化合物或者其任何组合。例如，半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb或其任何组合。
量子点可以具有约45nm或更小(例如，约40nm或更小以及又例如，约30nm或更小)的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)，并且颜色纯度或颜色再现性可以在该范围内改善。通过量子点发射的光在所有方向上发射，从而改善宽视角。
例如，量子点的形状可以是以球形、金字塔形、多臂或立方形的形式的纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米板颗粒。
由于能带间隙可以通过调节量子点的尺寸来调节，因此可以在量子点发射层中获得各种波长带的光。因此，通过使用具有不同尺寸的量子点，可以实现发射具有多个波长的光的发光元件。
第一量子点1162可以由第一光L0激发并且可以发射具有属于第二波长带的波长的第三光L2。第二基础树脂1161可以包括基于丙基酰基的树脂、环氧基树脂、丙烯酸基树脂、BCB、HMDSO或其组合。第一散射颗粒1163可以散射未由第一量子点1162吸收的第一光L0，使得更多的第一量子点1162被激发，从而增加颜色转换效率。第一散射颗粒1163可以是诸如氧化钛(TiO2)的金属氧化物颗粒或有机颗粒。
第二颜色转换层630可以设置为用于将具有属于第一光L0的第一波长带的波长的光转换成具有属于第三波长带的波长的第四光L3的颜色转换层。这里，第三波长带可以为例如约495nm至约570nm。当然，实施方式不限于此，并且要由第二颜色转换层630转换的波长所属的波长带和转换之后的波长所属的波长带可以与此不同地进行修改。
第二颜色转换层630可以包括第三基础树脂1171、分散到第三基础树脂1171中的第二量子点1172和第二散射颗粒1173。
第二量子点1172可以由第一光L0激发并且可以发射具有属于第三波长带的波长的第三光L2。第三基础树脂1171可以包括基于丙基酰基的树脂、环氧基树脂、BCB、HMDSO或其组合。第二散射颗粒1173可以散射未由第二量子点1172吸收的第一光L0，使得更多的第二量子点1172被激发，从而增加颜色转换效率。第二散射颗粒1173可以是诸如氧化钛(TiO2)的金属氧化物颗粒或有机颗粒。
在实施方式中，第一量子点1162和第二量子点1172可以包括相同的材料或类似的材料。第一量子点1162的尺寸可以大于第二量子点1172的尺寸。
在实施方式中，有机材料层610和第二颜色转换层630可以设置为用于分别使入射在有机材料层610和第二颜色转换层630上的第一光L0在不进行转换的情况下穿过的透明层。如以上所描述的，在实施方式中，第一光L0可以是具有属于不同波长带的波长的多种光的混合光。第二颜色转换层630可以包括其中分散有第二散射颗粒1173的第三基础树脂1171。
第三滤色器层(参见图3的830)可以仅使第四光L3穿过，该第四光L3具有属于穿过第二颜色转换层630的第一光L0的约495nm至约570nm的波长。
在实施方式中，有机材料层610、第一颜色转换层620和第二颜色转换层630可以设置为用于分别使入射在有机材料层610、第一颜色转换层620和第二颜色转换层630上的第一光L0在不进行转换的情况下穿过的透明层。第一颜色转换层620可以包括其中分散有第一散射颗粒1163的第二基础树脂1161，并且第二颜色转换层630可以包括其中分散有第二散射颗粒1173的第三基础树脂1171。第一颜色转换层620可以不包括第一量子点1162，并且第二颜色转换层630可以不包括第二量子点1172。
第二滤色器层(参见图3的820)可以仅使第三光L2穿过，该第三光L2具有属于穿过第一颜色转换层620的第一光L0的约625nm至约780nm的波长，并且第三滤色器层(参见图3的830)可以仅使第四光L3穿过，该第四光L3具有属于穿过第二颜色转换层630的第一光L0的约495nm至约570nm的波长。
在实施方式中，有机材料层610也可以被省略。
图5是示意性地示出根据实施方式的显示设备的示意性剖视图。图5是示意性地示出图2A的显示设备的沿着线I-I'截取的截面的示意性剖视图。
参考图5，根据实施方式的显示设备可以包括第一衬底100、第一像素电极311、第二像素电极312、第三像素电极313、像素限定层150、封装层400、第二衬底900、堤500、有机材料层610、第一颜色转换层620和第二颜色转换层630。
第一衬底100可以包括玻璃、金属或聚合物树脂。第一衬底100可以包括聚合物树脂，诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或醋酸丙酸纤维素。当然，第一衬底100可以具有多层结构，该多层结构包括包含聚合物树脂的两个层和在两层之间的包括无机材料(诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等)的阻隔层。
第一像素电极311、第二像素电极312和第三像素电极313可以位于第一衬底100上。当然，除了第一像素电极311、第二像素电极312和第三像素电极313之外，分别电连接到第一像素电极311、第二像素电极312和第三像素电极313的第一薄膜晶体管210、第二薄膜晶体管220和第三薄膜晶体管230可以设置在第一衬底100上。换言之，如图5中所示，第一像素电极311可以电连接到第一薄膜晶体管210，并且第二像素电极312可以电连接到第二薄膜晶体管220，并且第三像素电极313可以电连接到第三薄膜晶体管230。第一像素电极311、第二像素电极312和第三像素电极313可以设置在第一衬底100上的下面要描述的平坦化层140上。
第一薄膜晶体管210可以包括包含非晶硅、多晶硅、有机半导体材料或氧化物半导体材料的第一半导体层211、第一栅电极213、第一源电极215a和第一漏电极215b。第一栅电极213可以包括导电材料并且可以具有层叠结构，例如，钼层和铝层。第一栅电极213可以具有Mo/Al/Mo的层叠结构。例如，第一栅电极213还可以包括TiNx层、Al层和/或Ti层。第一源电极215a和第一漏电极215b可以包括其它导电材料并且可以具有其它层叠结构，例如Ti层、Al层和/或Cu层。第一源电极215a和第一漏电极215b可以具有Ti/Al/Ti的层叠结构。
图5示出了第一薄膜晶体管210可以包括第一源电极215a和第一漏电极215b两者，但是实施方式不限于此。例如，第一薄膜晶体管210的第一半导体层211的源极区域可以与另一薄膜晶体管的半导体层的漏极区域为一体，并且第一薄膜晶体管210可以不具有第一源电极215a。第一源电极215a和/或第一漏电极215b可以是布线的一部分。
为了确保第一半导体层211和第一栅电极213之间的绝缘性质，包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的栅极绝缘层121可以在第一半导体层211和第一栅电极213之间。此外，包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的层间绝缘层131可以设置在第一栅电极213上方，并且第一源电极215a和第一漏电极215b可以布置在层间绝缘层131上。以此方式，包括无机材料的绝缘层可以通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)形成。这也适用于以下实施方式及其变型。
包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的缓冲层110可以在具有这种结构的第一薄膜晶体管210和第一衬底100之间。缓冲层110可以增加第一衬底100的上表面的平滑度，并且防止或最小化来自第一衬底100的杂质渗透到第一薄膜晶体管210的第一半导体层211中。
位于第二像素PX2处的第二薄膜晶体管220可以包括第二半导体层221、第二栅电极223、第二源电极225a和第二漏电极225b。位于第三像素PX3处的第三薄膜晶体管230可以包括第三半导体层231、第三栅电极233、第三源电极235a和第三漏电极235b。因为第二薄膜晶体管220的结构和第三薄膜晶体管230的结构与定位在第一像素PX1中的第一薄膜晶体管210的结构相同或类似，因此其描述可以被省略。
平坦化层140可以设置在第一薄膜晶体管210上。例如，如图5中所示，在包括第一像素电极311的第一发光装置LED1设置在第一薄膜晶体管210上方的情况下，用于覆盖第一薄膜晶体管210的平坦化层140可以具有近似平坦的上表面，使得第一发光装置LED1的第一像素电极311可以位于平坦的表面上。平坦化层140可以包括有机材料，例如丙基酰基、BCB或HMDSO。在图5中，平坦化层140被示出为单个层，但是可以存在诸如多层结构的各种修改。
具有第一像素电极311、相对电极330以及在第一像素电极311和相对电极330之间并且包括发射层的中间层320的第一发光装置LED1可以位于第一像素PX1处。第一像素电极311可以如图5中所示通过形成在平坦化层140中的接触孔与第一源电极215a和第一漏电极215b中的一个进行接触，并且可以电连接到第一薄膜晶体管210。第一像素电极311可以包括由透明导电氧化物(诸如ITO、In2O3或IZO)形成的透明导电层以及由金属(诸如Al或Ag)形成的反射层。例如，第一像素电极311可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构。
具有第二像素电极312、相对电极330以及在第一像素电极311和相对电极330之间并且包括发射层的中间层320的第二发光装置LED2可以位于第二像素PX2处。具有第三像素电极313、相对电极330以及在第一像素电极311和相对电极330之间并且包括发射层的中间层320的第三发光装置LED3可以位于第三像素PX3处。第二像素电极312可以通过形成在平坦化层140中的接触孔与第二源电极225a和第二漏电极225b中的一个进行接触，并且可以电连接到第二薄膜晶体管220。第三像素电极313可以通过形成在平坦化层140中的接触孔与第三源电极235a和第三漏电极235b中的一个接触，并且可以电连接到第三薄膜晶体管230。以上所描述的第一像素电极311的描述可以应用于第二像素电极312和第三像素电极313。
除了位于第一像素PX1的第一像素电极311上之外，中间层320还可以位于第二像素PX2的第二像素电极312和第三像素PX3的第三像素电极313上。中间层320可以跨第一像素电极311、第二像素电极312和第三像素电极313一体地形成。必要时，中间层320可以在第一像素电极311、第二像素电极312和第三像素电极313上图案化。中间层320可以包括至少一个发射单元。下面提供中间层320的更详细的描述。
中间层320上的相对电极330也可以跨第一像素电极311、第二像素电极312和第三像素电极313一体地形成。相对电极330可以包括由ITO、In2O3或IZO形成的透明导电层，并且还可以包括包含诸如Al、锂(Li)、镁(Mg)、钇(Yb)或银的金属的半透射层。相对电极330可以是包括MgAg、AgYb、Yb/MgAg或Li/MgAg的半透射层。
像素限定层150可以设置在平坦化层140上方。像素限定层150可以具有与像素PX对应的像素开口。换言之，像素限定层150可以覆盖第一像素电极311、第二像素电极312和第三像素电极313中的每一个的边缘，并且可以具有用于暴露第一像素电极311的中心的第一像素开口151、用于暴露第二像素电极312的中心的第二像素开口152以及用于暴露第三像素电极313的中心的第三像素开口153。如图5中所示，像素限定层150可以增加第一像素电极311、第二像素电极312和第三像素电极313中的每一个的边缘与相对电极330之间的距离，从而防止在第一像素电极311、第二像素电极312和第三像素电极313的边缘中出现电弧等。例如，像素限定层150可以包括有机材料，诸如聚酰亚胺或HMDSO。
在本公开的精神和范围内，包括第一像素电极311、第二像素电极312、第三像素电极313、包括发射层的中间层320和相对电极330的发光装置LED1、LED2和LED3可能因湿气、氧气等而劣化。因此，为了保护发光装置LED1、LED2和LED3免受来自外部的湿气、氧气等的影响，显示设备可以包括用于覆盖有机发光装置的封装层400。
封装层400可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。例如，封装层400可以包括第一无机封装层410、第二无机封装层430以及在它们之间的有机封装层420。
在本公开的精神和范围内，第一无机封装层410和第二无机封装层430可以包括诸如氧化硅(SiO2)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)的一种或多种无机绝缘材料，并且可以通过CVD等形成。有机封装层420可以包括聚合物基材料。聚合物基材料可以包括硅基树脂、基于丙基酰基的树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)、环氧基树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。
如图5中所示，由于通过CVD形成的第一无机封装层410具有基本上均匀的厚度，因此第一无机封装层410的上表面不是平坦的。然而，有机封装层420可以具有其上表面近似平坦的形状。因此，有机封装层420上的第二无机封装层430的上表面也可以是近似平坦的。
第二衬底900可以位于第一衬底100上方，使得相对电极330位于第一衬底100和第二衬底900之间。第二衬底900可以包括玻璃、金属或聚合物树脂。第二衬底900可以包括聚合物树脂，诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或醋酸丙酸纤维素。当然，第二衬底900可以具有多层结构，该多层结构包括包含聚合物树脂的两个层和在两层之间的包括无机材料(诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等)的阻隔层。
堤500可以位于第二衬底900的在第一衬底100的方向(-z方向)上的下表面上。堤500可以具有第一堤开口501、第二堤开口502和第三堤开口503。堤500的堤开口可以与发光装置对应。详细地，堤500的第一堤开口501可以与像素限定层150的用于暴露第一像素电极311的第一像素开口151对应，堤500的第二堤开口502可以与像素限定层150的用于暴露第二像素电极312的第二像素开口152对应，并且堤500的第三堤开口503可以与像素限定层150的用于暴露第三像素电极313的第三像素开口153对应。
例如，在从与第一衬底100垂直的方向(z轴方向)观察的情况下，堤500的第一堤开口501可以与像素限定层150的用于暴露第一像素电极311的第一像素开口151重叠，堤500的第二堤开口502可以与像素限定层150的用于暴露第二像素电极312的第二像素开口152重叠，并且堤500的第三堤开口503可以与像素限定层150的用于暴露第三像素电极313的第三像素开口153重叠。因此，在从与第一衬底100垂直的方向(z轴方向)观察的情况下，堤500的第一堤开口501至第三堤开口503中的每一个的边缘的形状可以与对应于像素限定层150的像素开口的边缘的形状相同或类似。这样，堤500的第一堤开口501可以与第一像素电极311对应，堤500的第二堤开口502可以与第二像素电极312对应，并且堤500的第三堤开口503可以与第三像素电极313对应。
例如，堤500可以由各种材料形成，诸如BCB或HMDSO的有机材料。如果需要，堤500可以包括光刻胶材料，从而通过曝光和显影工艺容易地形成堤500。在本公开的精神和范围内，在制造工艺中，堤500可以形成在第二衬底900上，并且如下面所描述的有机材料层610、第一颜色转换层620、第二颜色转换层630等可以形成在堤500的堤开口中，并且第一衬底100和第二衬底900通过使用接合构件等彼此接合。在实施方式中，如图5中所示，在示意性剖视图中，堤500可以具有以第二衬底900为中心的倒锥形形状。
有机材料层610可以位于堤500的与第一像素电极311重叠的第一堤开口501中。有机材料层610可以设置为用于使由第一发光装置LED1发射的光在不进行颜色转换的情况下穿过的透明层。有机材料层610可以包括第一基础树脂1151。用于形成有机材料层610的材料可以通过喷墨印刷方法位于堤500的与第一像素电极311重叠的第一堤开口501中。有机材料层610可以不包括散射颗粒或量子点。因此，入射在有机材料层610上的第一光L0可以不由散射颗粒和/或量子点散射或折射，而是可以沿着基本上为线型线的路径穿过有机材料层610。
在实施方式中，有机材料层610的折射率可以与有机封装层420的折射率类似或基本上相同。
第一颜色转换层620可以位于堤500的与第二像素电极312重叠的第二堤开口502中。如参考图4所描述的，在实施方式中，第一颜色转换层620可以设置为用于将由第二发光装置LED2发射的发射光的至少一部分转换成具有属于第二波长带的波长的光的颜色转换层。第二波长带可以为例如约625nm至约780nm。第一颜色转换层620可以包括第二基础树脂1161、第一散射颗粒1163和第一量子点1162。
在实施方式中，第一颜色转换层620可以设置为用于在不进行颜色转换的情况下使由第二发光装置LED2发射的光穿过的透明层。例如，第一颜色转换层620可以包括第二基础树脂1161和第一散射颗粒1163，但是可以不包括第一量子点1162。用于形成第一颜色转换层620的材料可以通过喷墨印刷方法位于堤500的与第二像素电极312重叠的第二堤开口502中。
第二颜色转换层630可以位于堤500的与第三像素电极313重叠的第三堤开口503中。如参考图4所描述的，在实施方式中，第二颜色转换层630可以设置为用于将由第三发光装置LED3发射的发射光的至少一部分转换成具有属于第三波长带的波长的光的颜色转换层。例如，第三波长带可以为约495nm至约570nm。例如，第二颜色转换层630可以包括第三基础树脂1171、第二散射颗粒1173和第二量子点1172。
在实施方式中，第二颜色转换层630可以设置为用于使由第三发光装置LED3发射的光在不进行颜色转换的情况下穿过的透明层。例如，第二颜色转换层630可以包括第三基础树脂1171和第二散射颗粒1173，但是可以不包括第二量子点1172。用于形成第二颜色转换层630的材料可以通过喷墨印刷方法位于堤500的与第三像素电极313重叠的第三堤开口503中。
堤500在第一衬底100的方向(-z方向)上的表面、有机材料层610的在第一衬底100的方向(-z方向)上的表面、第一颜色转换层620在第一衬底100的方向(-z方向)上的表面以及第二颜色转换层630在第一衬底100的方向(-z方向)上的表面可以被保护层510覆盖。保护层510可以保护有机材料层610、第一颜色转换层620和第二颜色转换层630。保护层510可以包括诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的无机材料。
滤色器层可以设置在有机材料层610、第一颜色转换层620和第二颜色转换层630与第二衬底900之间。第一滤色器层810设置在有机材料层610上方，第二滤色器层820设置在第一颜色转换层620上方，并且第三滤色器层830设置在第二颜色转换层630上方。
第一滤色器层810可以是用于仅使具有属于约450nm至约495nm的波长的第一光(参见图3的L1)穿过的层。第二滤色器层820可以是用于仅使具有属于约625nm至约780nm的波长的第二光(参见图3的L2)穿过的层。第三滤色器层830可以是用于仅使具有属于约495nm至约570nm的波长的第三光(参见图3的L3)穿过的层。在实施方式中，第一滤色器层810可以包括散射颗粒。在实施方式中，第一滤色器层810、第二滤色器层820和第三滤色器层830可以包括散射颗粒。
第一滤色器层810、第二滤色器层820和第三滤色器层830可以增加发射到外部的光的颜色纯度，从而增加所显示的图像的质量。第一滤色器层810、第二滤色器层820和第三滤色器层830可以减小从外部入射在显示设备上的外部光从第一像素电极311、第二像素电极312和第三像素电极313反射并且再次发射到外部的比例，从而减小外部光反射。如果需要，黑矩阵可以位于第一滤色器层810、第二滤色器层820和第三滤色器层830之间。
如图5中所示，第一滤色器层810可以具有与第一颜色转换层620对应的第二过滤器开口802。第一滤色器层810的第二过滤器开口802可以用于限定第二像素PX2的区域。例如，在从与第一衬底100垂直的方向观察的情况下，第二像素PX2的形状和尺寸可以由第一滤色器层810的第二过滤器开口802限定。第二滤色器层820可以填充第一滤色器层810的第二过滤器开口802。
如图5中所示，第一滤色器层810可以具有与第二颜色转换层630对应的第三过滤器开口803。第一滤色器层810的第三过滤器开口803可以用于限定第三像素PX3的区域。例如，在从与第一衬底100垂直的方向观察的情况下，第三像素PX3的形状和尺寸可以由第一滤色器层810的第三过滤器开口803限定。第三滤色器层830可以至少填充第一滤色器层810的第三过滤器开口803。
第三滤色器层830可以具有与有机材料层610对应的第一过滤器开口801。第三滤色器层830的第一过滤器开口801可以用于限定第一像素PX1的区域。例如，在从与第一衬底100垂直的方向观察的情况下，第一像素PX1的形状和尺寸可以由第三滤色器层830的第一过滤器开口801限定。第一滤色器层810可以至少填充第三滤色器层830的第一过滤器开口801。
这样，因为第一滤色器层810通过第二过滤器开口802和第三过滤器开口803限定第二像素PX2的区域和第三像素PX3的区域，所以第一滤色器层810可以是第二像素PX2和第三像素PX3中的滤色器限定层。类似地，第三滤色器层830可以通过第一过滤器开口801限定第一像素PX1的区域，并且第三滤色器层830可以被称为第一像素PX1中的过滤器限定层。当然，过滤器限定层可以被称为像素区域限定层。
两个或更多个滤色器层重叠的部分可以用作黑矩阵。例如，如果第一滤色器层810仅使具有约450nm至约495nm的波长的光穿过，并且第二滤色器层820仅使具有约625nm至约780nm的波长的光穿过，则理论上在第一滤色器层810和第二滤色器层820的重叠部分中不存在可以穿过第一滤色器层810和第二滤色器层820两者的光。当然，第一滤色器层810、第二滤色器层820和第三滤色器层830的一部分在第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3之间彼此重叠，并且因此滤色器可以用作第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3之间的黑矩阵。
在实施方式中，低折射率层700可以位于第一滤色器层810、第二滤色器层820和第三滤色器层830与堤500、有机材料层610、第一颜色转换层620和第二颜色转换层630之间。在制造工艺中，低折射率层700可以覆盖第一滤色器层810、第二滤色器层820和第三滤色器层830，并且堤500等可以形成在其上表面上。低折射率层700可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅的无机材料，并且可以通过CVD方法形成。
第一衬底100和第二衬底900可以由诸如显示区域DA外部的密封剂的接合构件彼此接合。这里，根据需要，填充材料520可以填充在第一衬底100上的叠层和第二衬底900上的叠层之间。例如，填充材料520可以填充在封装层400和保护层510之间。填充材料520可以包括诸如丙烯酰基或环氧树脂的树脂。
图6是示意性地示出根据实施方式的显示设备的示意性剖视图。图6与图5类似，但图6和图5之间的不同之处在于，有机材料层610与填充材料520为一体。在下文中，相同或类似组件的描述可以被省略，并且将描述不同之处。
参考图6，根据实施方式的显示设备可以包括第一衬底100、第一像素电极311、第二像素电极312、第三像素电极313、像素限定层150、封装层400、第二衬底900、堤500、有机材料层610、第一颜色转换层620和第二颜色转换层630。
第一像素电极311、第二像素电极312和第三像素电极313可以位于第一衬底100上。当然，除了第一像素电极311、第二像素电极312和第三像素电极313设置在第一衬底100上之外，电连接到第一像素电极311、第二像素电极312和第三像素电极313的第一薄膜晶体管210、第二薄膜晶体管220和第三薄膜晶体管230可以设置在第一衬底100上。
平坦化层140可以设置在第一薄膜晶体管210上。具有第一像素电极311、相对电极330以及在第一像素电极311和相对电极330之间并且包括发射层的中间层320的第一发光装置LED1可以位于第一像素PX1处。第一像素电极311可以如图6中所示通过形成在平坦化层140中的接触孔与第一源电极215a和第一漏电极215b中的一个进行接触，并且可以电连接到第一薄膜晶体管210。
具有第二像素电极312、相对电极330以及在第一像素电极311和相对电极330之间并且包括发射层的中间层320的第二发光装置LED2可以位于第二像素PX2处。具有第三像素电极313、相对电极330以及在第一像素电极311和相对电极330之间并且包括发射层的中间层320的第三发光装置LED3可以位于第三像素PX3处。第二像素电极312可以通过形成在平坦化层140中的接触孔与第二源电极225a和第二漏电极225b中的一个进行接触，并且可以电连接到第二薄膜晶体管220。第三像素电极313可以通过形成在平坦化层140中的接触孔与第三源电极235a和第三漏电极235b中的一个进行接触，并且可以电连接到第三薄膜晶体管230。
除了第一像素PX1的第一像素电极311之外，中间层320还可以位于第二像素PX2的第二像素电极312和第三像素PX3的第三像素电极313上。中间层320可以跨第一像素电极311、第二像素电极312和第三像素电极313一体地形成。必要时，中间层320可以在第一像素电极311、第二像素电极312和第三像素电极313上图案化。中间层320可以包括至少一个发射单元。
中间层320上的相对电极330也可以跨第一像素电极311、第二像素电极312和第三像素电极313一体地形成。
像素限定层150可以设置在平坦化层140上方。像素限定层150可以具有与像素PX对应的像素开口。换言之，像素限定层150可以覆盖第一像素电极311、第二像素电极312和第三像素电极313中的每一个的边缘，并且可以具有用于暴露第一像素电极311的中心的第一像素开口151、用于暴露第二像素电极312的中心的第二像素开口152以及用于暴露第三像素电极313的中心的第三像素开口153。
封装层400可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。例如，封装层400可以包括第一无机封装层410、第二无机封装层430以及在它们之间的有机封装层420。
第二衬底900可以位于第一衬底100上方，使得相对电极330位于第一衬底100和第二衬底900之间。
堤500可以位于第二衬底900的在第一衬底100的方向(-z方向)上的下表面上。堤500可以具有第一堤开口501、第二堤开口502和第三堤开口503。堤500的堤开口可以与发光装置对应。详细地，堤500的第一堤开口501可以与像素限定层150的用于暴露第一像素电极311的第一像素开口151对应，堤500的第二堤开口502可以与像素限定层150的用于暴露第二像素电极312的第二像素开口152对应，并且堤500的第三堤开口503可以与像素限定层150的用于暴露第三像素电极313的第三像素开口153对应。
第一颜色转换层620可以位于堤500的与第二像素电极312重叠的第二堤开口502中。如参考图4所描述的，在实施方式中，第一颜色转换层620可以设置为用于将由第二发光装置LED2发射的发射光的至少一部分转换成具有属于第二波长带的波长的光的颜色转换层。例如，第二波长带可以为约625nm至约780nm。第一颜色转换层620可以包括第二基础树脂1161、第一散射颗粒1163和第一量子点1162。
在实施方式中，第一颜色转换层620可以设置为用于在不进行颜色转换的情况下使由第二发光装置LED2发射的光穿过的透明层。例如，第一颜色转换层620可以包括第二基础树脂1161和第一散射颗粒1163，但是可以不包括第一量子点1162。用于形成第一颜色转换层620的材料可以通过喷墨印刷方法位于堤500的与第二像素电极312重叠的第二堤开口502中。
第二颜色转换层630可以位于堤500的与第三像素电极313重叠的第三堤开口503中。如参考图4所描述的，在实施方式中，第二颜色转换层630可以设置为用于将由第三发光装置LED3发射的发射光的至少一部分转换成具有属于第三波长带的波长的光的颜色转换层。例如，第三波长带可以为约495nm至约570nm。例如，第二颜色转换层630可以包括第三基础树脂1171、第二散射颗粒1173和第二量子点1172。
在实施方式中，第二颜色转换层630可以设置为用于使由第三发光装置LED3发射的光在不进行颜色转换的情况下穿过的透明层。例如，第二颜色转换层630可以包括第三基础树脂1171和第二散射颗粒1173，但是可以不包括第二量子点1172。用于形成第二颜色转换层630的材料可以通过喷墨印刷方法位于堤500的与第三像素电极313重叠的第三堤开口503中。
滤色器层可以设置在第一颜色转换层620和第二颜色转换层630与第二衬底900之间。第一滤色器层810可以设置在第一像素电极311上，第二滤色器层820可以设置在第二像素电极312上，并且第三滤色器层830可以设置在第三像素电极313上。
第一滤色器层810可以是用于仅使具有属于约450nm至约495nm的波长的第一光(参见图3的L1)穿过的层。第二滤色器层820可以是用于仅使具有属于约625nm至约780nm的波长的第二光(参见图3的L2)穿过的层。第三滤色器层830可以是用于仅使具有属于约495nm至约570nm的波长的第三光(参见图3的L3)穿过的层。在实施方式中，第一滤色器层810可以包括散射颗粒。在实施方式中，第一滤色器层810、第二滤色器层820和第三滤色器层830可以包括散射颗粒。
低折射率层700可以位于第一滤色器层810、第二滤色器层820和第三滤色器层830与堤500、第一颜色转换层620和第二颜色转换层630之间。
堤500的在第一衬底100的方向(-z方向)上的表面、第一颜色转换层620在第一衬底100的方向(-z方向)上的表面以及第二颜色转换层630在第一衬底100的方向(-z方向)上的表面可以被保护层510覆盖。低折射率层700的在堤500的与第一像素电极311重叠的第一堤开口501中的在第一衬底100的方向(-z方向)上的表面可以被保护层510覆盖。例如，保护层510和低折射率层700可以在堤500的第一堤开口501内彼此直接接触。
第一衬底100和第二衬底900可以由诸如显示区域DA外部的密封剂的接合构件彼此接合。这里，根据需要，填充材料520可以填充在第一衬底100上的叠层和第二衬底900上的叠层之间。例如，填充材料520可以填充在封装层400和保护层510之间。填充材料520可以填埋堤500的第一堤开口501。换言之，位于堤500的第一堤开口501中的有机材料层610可以与填充材料520一体地形成。有机材料层610可以是填充材料520的一部分。填充材料520可以包括诸如丙烯酰基或环氧树脂的树脂。
填充材料520可以不包括散射颗粒或量子点。换言之，在填充材料520内部可以几乎不存在用于散射光的光学界面。因此，入射在填充材料520上的第一光L0可以不由散射颗粒和/或量子点散射或折射，而是可以沿着基本上为线型线的路径穿过填充材料520。
在实施方式中，填充材料520的折射率可以与有机封装层420的折射率类似或基本上相同。
在实施方式中，第二颜色转换层630也可以被省略。保护层510和低折射率层700可以在堤500的第三堤开口503内彼此直接接触。填充材料520可以填埋堤500的第三堤开口503。
在其它实施方式中，第一颜色转换层620和第二颜色转换层630可以被省略。保护层510和低折射率层700可以在堤500的第二堤开口502和第三堤开口503中直接接触。此外，填充材料520可以填埋堤500的第二堤开口502和第三堤开口503。
图7A、图7B和图7C是示意性地示出根据实施方式的中间层的示意性剖视图。图7A、图7B和图7C中所示的发光装置可以与第一发光装置(参见图5的LED1)、第二发光装置(参见图5的LED2)和第三发光装置(参见图5的LED3)中的一个对应。
参考图7A，根据实施方式的发光装置可以包括像素电极310、相对电极330以及在像素电极310和相对电极330之间的中间层320。
中间层320可以包括发射给定颜色的光的聚合物或低分子有机材料。除了各种有机材料之外，中间层320还可以包括诸如有机金属化合物的含金属化合物、诸如量子点的无机材料。
在实施方式中，中间层320还可以包括一个发射层以及在发射层之下或下方以及在发射层上的第一功能层和第二功能层。例如，第一功能层可以包括空穴传输层，或者可以包括空穴传输层和空穴注入层。作为设置在发射层上的组件的第二功能层可以是可选的。第二功能层可以包括电子传输层和/或电子注入层。在这方面，图7A示出了第一发射层EML1、包括设置在第一发射层EML1之下或下方的第一空穴传输层HTL1和第一空穴注入层HIL1的第一功能层以及包括设置在第一发射层EML1上的电子传输层ETL的第二功能层。
在实施方式中，中间层320可以包括在像素电极310和相对电极330之间依次堆叠的两个发射单元以及设置在两个发射单元之间的电荷生成层。在中间层320可以包括发射单元和电荷生成层的情况下，发光装置可以是串联发光装置。发光装置可以具有发射单元的堆叠结构，从而改善颜色纯度和发光效率。
一个发射单元可以包括发射层以及在发射层之下或下方以及在发射层上的第一功能层和第二功能层。电荷生成层可以包括负电荷生成层和正电荷生成层。包括发射层的串联发光装置的发光效率可以通过负电荷生成层和正电荷生成层进一步提高。在实施方式中，发射层可以具有其中红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或多个层彼此接触或彼此间隔开的堆叠结构，或者可以具有其中红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的两个或多个材料彼此混合而不进行层分类的结构。
负电荷生成层可以是n型电荷生成层。负电荷生成层可以提供电子。负电荷生成层可以包括主体和掺杂剂。主体可以包括有机材料。掺杂剂可以包括金属材料。正电荷生成层可以是p型电荷生成层。正电荷生成层可以提供空穴。正电荷生成层可以包括主体和掺杂剂。主体可以包括有机材料。掺杂剂可以包括金属材料。
在实施方式中，如图7B中所示，有机发光二极管(OLED)可以包括可以彼此依次堆叠的包含第一发射层EML1的第一发射单元EU1和包含第二发射层EML2的第二发射单元EU2。电荷生成层CGL可以设置在第一发射单元EU1和第二发射单元EU2之间。例如，OLED可以包括可以彼此依次堆叠的像素电极310、第一发射层EML1、电荷生成层CGL、第二发射层EML2和相对电极330。
第一功能层和第二功能层可以分别包括在第一发射层EML1之下或下方以及在第一发射层EML1上。第一功能层和第二功能层可以分别包括在第二发射层EML2之下或下方以及在第二发射层EML2上。例如，第一发射单元EU1可以包括第一空穴传输层HTL1，并且第二发射单元EU2可以包括第二空穴传输层HTL2。在实施方式中，第一空穴传输层HTL1和第二空穴传输层HTL2中的一个可以被省略。第二发射单元EU2可以包括设置在第二发射层EML2上的电子传输层ETL。
参考图7C，发光装置可以包括可以彼此依次堆叠的第一发射单元EU1、第二发射单元EU2、第三发射单元EU3和第四发射单元EU4。第一电荷生成层CGL1可以设置在第一发射单元EU1和第二发射单元EU2之间，第二电荷生成层CGL2可以设置在第二发射单元EU2和第三发射单元EU3之间，并且第三电荷生成层CGL3可以设置在第三发射单元EU3和第四发射单元EU4之间。第一电荷生成层CGL1、第二电荷生成层CGL2和第三电荷生成层CGL3中的每一个可以包括负电荷生成层(例如，nCGL1、nCGL2和nCGL3)和正电荷生成层(例如，pCGL1、pCGL2、pCGL3)。
第一发射单元EU1可以包括第一发射层EML1，并且还可以包括在第一发射层EML1和像素电极310之间的第一空穴注入层HIL1和第一空穴传输层HTL1，并且还可以包括在第一发射层EML1和第一电荷生成层CGL1的负电荷生成层nCGL1之间的第一电子传输层ETL1。在实施方式中，p掺杂层还可以包括在第一空穴注入层HIL1和第一空穴传输层HTL1之间。p掺杂层可以通过用p型掺杂材料掺杂第一空穴注入层HIL1来形成。
第二发射单元EU2可以包括第二发射层EML2，并且还可以包括在第一电荷生成层CGL1的正电荷生成层pCGL1和第二发射层EML2之间的第二空穴注入层HIL2和第二空穴传输层HTL2，并且还可以包括在第二发射层EML2和第二电荷生成层CGL2的负电荷生成层nCGL2之间的第二电子传输层ETL2。
第三发射单元EU3可以包括第三发射层EML3，并且还可以包括在第二电荷生成层CGL2的正电荷生成层pCGL2和第三发射层EML3之间的第三空穴注入层HIL3和第三空穴传输层HTL3，并且还可以包括在第三发射层EML3和第三电荷生成层CGL3的负电荷生成层nCGL3之间的第三电子传输层ETL3。
第四发射单元EU4可以包括第四发射层EML4，并且还可以包括在第三电荷生成层CGL3的正电荷生成层pCGL3和第四发射层EML4之间的第四空穴传输层HTL4，并且还可以包括第四电子传输层ETL4。第四电子传输层ETL4可以是单个层或多个层。在实施方式中，空穴阻挡层和缓冲层中的至少一个还可以包括在第四发射层EML4和第四电子传输层ETL4之间。空穴阻挡层可以防止空穴注入到第四电子传输层ETL4中。
在实施方式中，第一空穴传输层HTL1、第二空穴传输层HTL2、第三空穴传输层HTL3和第四空穴传输层HTL4的一部分可以被省略。
在实施方式中，第一发射层EML1、第二发射层EML2、第三发射层EML3和第四发射层EML4中的至少一个可以发射具有与第一发射层EML1、第二发射层EML2、第三发射层EML3和第四发射层EML4中的至少另一个发射的光属于不同波长带的波长的光。例如，第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的每一个可以发射具有属于约400nm至约500nm的波长的光(例如蓝光)，并且第四发射层EML4可以发射具有属于约500nm至约600nm的波长的光(例如绿光)。
图7A、图7B和图7C中所示的根据本公开的实施方式的发光装置可以发射包括长波长分量和短波长分量的光。因此，从发光装置发射的第一光L0的发光光谱可以具有广泛分布的发射峰。例如，从发光装置发射的第一光L0在CIE颜色坐标中可以具有0.220至0.222的X值和0.225至0.309的Y值。可以改变中间层320的厚度t320以调节从发光装置发射的第一光L0的发光光谱。中间层320的厚度t320是像素电极310和设置成与像素电极310接触的发射单元之间的第一界面与相对电极330和设置成与相对电极330接触的发射单元之间的第二界面之间的距离。
在实施方式中，可以改变包括在中间层320中的空穴传输层的厚度以调节由发光装置发射的第一光L0的发光光谱。例如，如图7A中所示，可以改变第一空穴传输层HTL1的第一厚度t1以调节中间层320的厚度t320。例如，如图7B中所示，可以改变第一空穴传输层HTL1的第一厚度t1和/或第二空穴传输层HTL2的第二厚度t2以调节中间层320的厚度t320。
例如，如图7C中所示，在中间层320可以包括第一发射单元EU1、第二发射单元EU2、第三发射单元EU3和第四发射单元EU4的情况下，第一发射单元EU1、第二发射单元EU2和第三发射单元EU3中的每一个可以发射具有属于约400nm至约500nm的波长的光，并且第四发射单元EU4发射具有属于约500nm至约600nm的波长的光，中间层320的厚度t320可以为约至约/>可以改变第一空穴传输层HTL1的第一厚度t1、第二空穴传输层HTL2的第二厚度t2、第三空穴传输层HTL3的第三厚度t3和/或第四空穴传输层HTL4的厚度t4以调节中间层320的厚度t320。当然，除了参考图7A、图7B和图7C的以上描述的结构之外，中间层320的结构可以进行各种修改。
图8A、图8B、图8C和图8D是示出由根据实施方式的显示设备的发光装置发射的光的根据测量角度的发光光谱强度的曲线图，并且图9A、图9B和图9C是示出由根据比较示例的显示设备的发光装置发射的光的根据测量角度的发光光谱强度的曲线图。图10是示出由显示设备的每个像素发射的光的根据中间层的厚度变化的颜色坐标、发光效率和白光发射效率的表。
在图8A至图8D以及图9A至图9C中，测量了在第一衬底(参见图5的100)和第二衬底(参见图5的900)彼此接合之前由形成在第一衬底(参见图5的100)上的第一发光装置(参见图5的LED1)发射的光的根据测量角度的发光光谱强度。例如，通过将检测器的相对于与第一衬底100垂直的方向(-z方向)的倾斜增加5°，测量由第一发光装置LED1发射的光的发光光谱强度。
在图8A中，第一发光装置(参见图5的LED1)的中间层(参见图7C的320)的厚度(参见图7C的t320)是并且在图8B中，第一发光装置LED1的中间层320的厚度t320是并且在图8C中，第一发光装置LED1的中间层320的厚度t320是/>并且在图8D中，第一发光装置LED1的中间层320的厚度t320是/>
在图9A中，第一发光装置的中间层的厚度为并且在图9B中，第一发光装置的中间层的厚度为/>并且在图9C中，第一发光装置的中间层的厚度为/>
参考图8A至图8D，由根据实施方式的第一发光装置LED1发射的第一光(参见图3的L0)具有第一峰值，该第一峰值为在约440nm至约460nm的波长带中的局部最大值，并且在发光光谱强度的测量角度相对于与第一衬底100垂直的方向(-z方向)改变5°的情况下，第一峰值具有随着测量角度的增大而持续减小的直线共振结构。
另一方面，参考图9A至图9C，在相对于与第一衬底垂直的方向(-z方向)改变发光光谱强度的测量角度5°的情况下，由根据比较示例的第一发光装置发射的光的第一峰值随着测量角度的增加而增加，并且具有减小的对角共振结构。
例如，参考图8A，在测量角度为0°的情况下，第一峰值P0为约0.205，在测量角度为10°的情况下，第一峰值P10为约0.174，在测量角度为20°的情况下，第一峰值P20为约0.112，在测量角度为30°的情况下，第一峰值P30为约0.066，在测量角度为40°的情况下，第一峰值P40为约0.042，在测量角度为40°的情况下，第一峰值P50为约0.039，并且在测量角度为60°的情况下，第一峰值P60持续下降至约0.036。
参考图8B，在测量角度为0°的情况下，第一峰值P0为约0.278，在测量角度为10°的情况下，第一峰值P10为约0.244，在测量角度为20°的情况下，第一峰值P20为约0.159，在测量角度为30°的情况下，第一峰值P30为约0.088，在测量角度为40°的情况下，第一峰值P40为约0.056，在测量角度为50°的情况下，第一峰值P50为约0.042，并且在测量角度为60°的情况下，第一峰值P60持续下降至约0.037。
参考图8C，在测量角度为0°的情况下，第一峰值P0为约0.316，在测量角度为10°的情况下，第一峰值P10为约0.279，在测量角度为20°的情况下，第一峰值P20为约0.186，在测量角度为30°的情况下，第一峰值P30为约0.099，在测量角度为40°的情况下，第一峰值P40为约0.059，在测量角度为50°的情况下，第一峰值P50为约0.043，并且在测量角度为60°的情况下，第一峰值P60持续下降至约0.036。
参考图8D，在测量角度为0°的情况下，第一峰值P0为约0.408，在测量角度为10°的情况下，第一峰值P10为约0.381，在测量角度为20°的情况下，第一峰值P20为约0.275，在测量角度为30°的情况下，第一峰值P30为约0.144，在测量角度为40°的情况下，第一峰值P40为约0.076，在测量角度为50°的情况下，第一峰值P50为约0.050，并且在测量角度为60°的情况下，第一峰值P60持续降低至约0.040。
另一方面，参考图9A，在测量角度为0°的情况下，第一峰值P0为约0.466，在测量角度为5°的情况下，第一峰值为约0.469，并且在测量角度为10°的情况下，第一峰值P10为约0.466，第一峰值在测量角度从0°增加至5°的区段中增加，并且在测量角度从5°增加至10°的区段中减小。
参考图9B，在测量角度为0°的情况下，第一峰值P0为约0.444，在测量角度为10°的情况下，第一峰值P10为约0.466，并且在测量角度为20°的情况下，第一峰值P20为约0.489，并且在测量角度为30°的情况下，第一峰值P30为约0.390，第一峰值在测量角度从0°增加至20°的区段中增加，并且在测量角度从20°增加至30°的区段中减小。
参考图9C，在测量角度为0°的情况下，第一峰值P0为约0.303，在测量角度为10°的情况下，第一峰值P10为约0.341，并且在测量角度为20°的情况下，第一峰值P20为约0.456，并且在测量角度为30°的情况下，第一峰值P30为约0.598，并且在测量角度为40°的情况下，第一峰值P40为约0.505，并且第一峰值在测量角度从0°增加至30°的区段中增大，并且在测量角度从30°增加至40°的区段中减小。
图10是示出由显示设备的每个像素发射的光的颜色坐标、发光效率和白光发射效率的表。每个像素可以包括发光元件、颜色转换层和滤色器，并且从发光元件发射的光的颜色坐标和发光效率是在该光穿过相应的颜色转换层和滤色器之后测量的。这里，R_x和R_y是红色像素的CIE颜色坐标值，G_x和G_y是绿色像素的CIE颜色坐标值，并且B_x和B_y是蓝色像素的CIE颜色坐标值。R_Eff、G_Eff和B_Eff分别是红色像素的发射效率、绿色像素的发射效率和蓝色像素的发射效率，并且B_con是蓝色像素的转换发射效率。W_Eff是白光发射效率。
参考图8A至图8D以及图10，中间层的厚度t320在约至约/>的范围内，并且在发光装置具有线性共振结构的情况下，显示设备的白光发射效率为22.4或更大。在中间层的厚度t320为约/>的情况下，显示设备的白光发射效率具有最大值22.7。
在显示设备的白光发射效率在中间层的厚度t320为约的情况下被转换成100％的情况下，白光发射效率在中间层的厚度t320被增加至约/>或更大的情况下降低至96％或更小，并且发光元件具有诸如图9A至图9C中所示的对角共振结构的对角共振结构。类似地，在中间层的厚度t320减小至约/>或更小的情况下，白光发射效率迅速减小至约90.7％或更小。
图11是示出由根据实施方式的显示设备的第一像素发射的光的发光光谱强度和由根据比较示例的显示设备的第一像素发射的光的发光光谱强度的曲线图。在图11中，第一衬底(参见图5的100)和第二衬底(参见图5的900)彼此接合，并且从第一发光装置(参见图5的LED1)发射的光穿过有机材料层(参见图5的610)和第一滤色器层(参见图5的810)以测量所发射的光的发光光谱强度。
在图11中，根据实施方式E1的第一像素的中间层的厚度t320为约并且根据比较示例C1的第一像素的中间层的厚度为约
比较示例C1的发光光谱强度具有在约456nm和约475nm处分离的两个峰。另一方面，实施方式E1的发光光谱的强度使约475nm处的峰的强度降低，并且在约456nm处的峰移动到约453nm并且合并成一个峰。在如比较示例C1中的从第一像素发射的光的发光光谱强度具有分离的峰的情况下，第一像素的转换发射效率低至约115.4，而在如实施方式E1中的由第一像素发射的光的发光光谱强度具有一个峰的情况下，第一像素的转换发射效率高达约209.6。
图12是示出根据中间层的厚度变化的显示设备的光源颜色坐标和白光发射效率的曲线图，以及图13是示出根据中间层的厚度变化的显示设备的白光发射效率的曲线图。
在图12和图13中，在第一衬底(参见图5的100)和第二衬底(参见图5的900)彼此接合之前，测量形成在第一衬底(参见图5的100)上的第一发光装置(参见图5的LED1)的CIE颜色坐标，并且通过将第一衬底100和第二衬底900彼此接合来测量显示设备的白光发射效率。在图12中，CIEx和CIEy是显示设备的光源颜色坐标。
参考图12和图13，中间层的厚度t320为约至约/>并且在发光装置具有线性共振结构的情况下，从第一发光装置发射的光在CIE颜色坐标中具有约0.220至约0.222的X值和约0.225至约0.309的Y值。
在中间层的厚度t320为约的情况下，显示设备的白光发射效率具有约22.7的最大值，并且在中间层的厚度t320增加至约/>或更大的情况下，白光发射效率降低至约21.8或更小。类似地，在中间层的厚度t320减小至约/>或更小的情况下，白光发射效率迅速减小至约20.6或更小。
根据实施方式，可以实现其中显示高质量图像的显示设备。然而，本公开的范围不受这些效果的限制。
应当理解，本文中描述的实施方式应当仅以描述性的含义来考虑，并且不是出于限制的目的。每个实施方式内的特征或方面的描述通常应被认为适用于其他实施方式中的其他类似特征或方面。虽然已经参考附图描述了一个或多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离如由所附权利要求书限定的精神和范围的情况下，可以在实施方式进行形式和细节上的各种改变。

Claims (22)

1.一种显示设备，包括：
第一像素电极和第二像素电极，设置在衬底上；
中间层，设置在所述第一像素电极和所述第二像素电极上并且发射第一光；
相对电极，设置在所述中间层上；
第一滤色器，设置在所述相对电极上并且在平面图中与所述第一像素电极重叠；
有机材料层，设置在所述相对电极和所述第一滤色器之间；以及
第二滤色器，设置在所述相对电极上并且在平面图中与所述第二像素电极重叠，其中，
所述第一光在CIE颜色坐标中具有在0.220至0.222的范围内的X值以及在0.225至0.309的范围内的Y值，以及
所述第一光沿着线型路径穿过所述有机材料层。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述第一光的发光光谱强度具有第一峰值，所述第一峰值是在440nm至460nm的范围内的波长带中的局部最大值，以及
在基于与所述衬底垂直的方向改变所述发光光谱强度的测量角度的情况下，所述第一峰值根据所述测量角度的增大而持续减小。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一滤色器包括散射颗粒。
4.根据权利要求1所述的显示设备，还包括：
封装层，设置在所述相对电极上，并且包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层，
其中，所述有机材料层的折射率等于所述有机封装层的折射率。
5.根据权利要求4所述的显示设备，还包括：
填充材料，设置在所述封装层与所述第一滤色器和所述第二滤色器之间；以及
保护层，设置在所述有机材料层和所述填充材料之间。
6.根据权利要求4所述的显示设备，还包括：
填充材料，设置在所述封装层与所述第一滤色器和所述第二滤色器之间，
其中，所述有机材料层与所述填充材料为一体。
7.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述中间层包括第一发射层、第二发射层、第三发射层和第四发射层，以及
所述第一发射层、所述第二发射层和所述第三发射层发射蓝光，以及
所述第四发射层发射绿光。
8.根据权利要求7所述的显示设备，其中，
所述第一发射层、所述第二发射层和所述第三发射层中的每一个发射在400nm至500nm的范围内的波长的光，以及
所述第四发射层发射具有在500nm至600nm的范围内的波长的光。
9.根据权利要求6所述的显示设备，其中，
所述中间层包括至少一个空穴注入层，以及
所述第一像素电极和所述中间层之间的第一界面与所述中间层和所述相对电极之间的第二界面之间的距离在至/>的范围内。
10.根据权利要求1所述的显示设备，还包括：
第一颜色转换层，设置在所述相对电极和所述第二滤色器之间，并且将所述第一光转换成具有第二波长带的波长的光，其中，
所述第一滤色器仅使具有第一波长带的波长的光穿过，以及
所述第二滤色器仅使具有所述第二波长带的所述波长的所述光穿过。
11.根据权利要求10所述的显示设备，还包括：
第三像素电极，设置在所述衬底上；以及
第三滤色器，设置在所述相对电极上，以在平面图中与所述第三像素电极重叠并且仅使具有第三波长带的波长的光穿过。
12.根据权利要求11所述的显示设备，还包括：
第二颜色转换层，设置在所述相对电极和所述第三滤色器之间，并且将所述第一光转换成具有所述第三波长带的所述波长的所述光。
13.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述第三滤色器包括散射颗粒。
14.一种显示设备，包括：
第一像素电极和第二像素电极，设置在第一衬底上；
中间层，设置在所述第一像素电极和所述第二像素电极上并且发射第一光；
相对电极，设置在所述中间层上；
第二衬底，设置在所述第一衬底上方，且所述相对电极设置在所述第一衬底和所述第二衬底之间；
堤，设置在所述第二衬底的在所述第一衬底的方向上的下表面上，并且具有在平面图中与所述第一像素电极重叠的第一堤开口和在平面图中与所述第二像素电极重叠的第二堤开口；
第一滤色器，设置在所述堤和所述第二衬底之间并且在平面图中与所述第一像素电极重叠；
有机材料层，设置在所述相对电极和所述第一滤色器之间；以及
第二滤色器，设置在所述堤和所述第二衬底之间并且在平面图中与所述第二像素电极重叠，其中，
所述第一光在CIE颜色坐标中具有在0.220至0.222的范围内的X值以及0.225至0.309的Y值，以及
所述第一光沿着线型路径穿过所述有机材料层。
15.根据权利要求14所述的显示设备，其中，
所述第一光的发光光谱强度具有第一峰值，所述第一峰值是在440nm至460nm的范围内的波长带中的局部最大值，以及
在基于与所述第一衬底垂直的方向改变所述发光光谱强度的测量角度的情况下，所述第一峰值根据所述测量角度的增大而持续减小。
16.根据权利要求14所述的显示设备，其中，所述第一滤色器包括散射颗粒。
17.根据权利要求14所述的显示设备，还包括：
封装层，设置在所述相对电极上，并且包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层，
其中，所述有机材料层的折射率等于所述有机封装层的折射率。
18.根据权利要求14所述的显示设备，其中，
所述中间层包括第一发射层、第二发射层、第三发射层和第四发射层，以及
所述第一发射层、所述第二发射层和所述第三发射层发射蓝光，以及
所述第四发射层发射绿光。
19.根据权利要求18所述的显示设备，其中，
所述第一发射层、所述第二发射层和所述第三发射层中的每一个发射具有在400nm至500nm的范围内的波长的光，以及
所述第四发射层发射具有在500nm至600nm的范围内的波长的光。
20.根据权利要求18所述的显示设备，其中，
所述中间层包括至少一个空穴注入层，以及
所述第一像素电极和所述中间层之间的第一界面与所述中间层和所述相对电极之间的第二界面之间的距离在至/>的范围内。
21.根据权利要求14所述的显示设备，还包括：
填充材料，设置在所述第一滤色器和所述第二滤色器与所述相对电极之间，
其中，所述有机材料层与所述填充材料为一体。
22.根据权利要求21所述的显示设备，其中，所述填充材料设置在所述第一堤开口中。
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