CN112452288A - 反应容器及碳化硅合成装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种反应容器及碳化硅合成装置，该反应容器包括用于容纳粉料的容器本体和至少一个用于传递热量的导热件，容器本体和导热件均为石墨材质；导热件设置于容器本体的底壁上，且导热件可拆卸地设置于容器本体的中心区域。应用本发明可以增大碳化硅原料的粒径，提高大粒径原料的占比。

Description

反应容器及碳化硅合成装置
技术领域
本发明涉及半导体工艺技术领域，具体地，涉及一种反应容器及碳化硅合成装置。
背景技术
在碳化硅(SiC)的单晶生长过程中，碳化硅原料的各项参数(如纯度、颗粒尺寸等)在PVT(物理气相传输)法生长半导体SiC单晶时具有重要作用，可能直接影响生长单晶的结晶质量和电学性质。其中，碳化硅原料的粒径是非常重要的参数，因为它对生长过程中产生的气相成分影响较大，用于碳化硅晶体生长的原料粒径基本在几十微米至几百微米，目前，小粒径原料占比较大。但是，小粒径原料与晶体中包裹物有密切联系，小粒径的碳化硅原料在完全石墨化后由于重量较轻，更容易被升华气体带至晶体表面，导致晶体中产生碳粒子包裹物。碳粒子包裹物不仅影响SiC基器件的效率、使用寿命，同时会衍生其它缺陷，极大的影响了碳化硅晶体的质量，故需要增大碳化硅原料的粒径，提高大粒径原料的占比。
因此，亟需一种用于碳化硅原料合成的装置，以能够在碳化硅原料合成过程中增大碳化硅原料的粒径，提高大粒径原料的占比。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种反应容器及碳化硅合成装置，以增大碳化硅原料的粒径，提高大粒径原料的占比。
为实现本发明的目的，第一方面提供一种反应容器，用于粉料的合成反应，所述反应容器包括用于容纳粉料的容器本体和至少一个用于传递热量的导热件，所述容器本体和所述导热件均为石墨材质；
所述导热件设置于所述容器本体的底壁上，且所述导热件可拆卸地设置于所述容器本体的中心区域。
可选地，所述导热件为柱状件，且所述导热件上形成有沿所述导热件的轴线方向延伸的第一通孔，所述导热件的轴线方向与所述容器本体的轴线方向一致。
可选地，所述第一通孔的远离所述底壁的一端为渐扩开口，所述渐扩开口的孔径沿背离所述底壁的方向尺寸逐渐增加。
可选地，所述导热件的底面上设置有第一凸台，所述底壁上设置有第一凹槽，所述第一凸台和所述第一凹槽插接配合，且所述导热件的底面覆盖所述第一凹槽的开口。
可选地，所述反应容器还包括盖板，所述盖板可拆卸地设置于所述容器本体中，并位于所述导热件的上方，所述盖板、所述导热件和所述容器本体的内壁围设成用于容纳所述粉料的空间。
可选地，所述盖板和所述导热件的顶部连接，所述盖板上设有第二通孔，所述第二通孔与所述第一通孔相连通。
可选地，所述第二通孔的横截面的形状与所述第一通孔顶端部分的形状相似，且所述第二通孔的横截面的轮廓尺寸不小于所述第一通孔顶端的轮廓尺寸。
可选地，所述盖板的底面设有环绕所述第二通孔的第二凸台，所述第二凸台向靠近所述底壁的方向凸出，所述导热件的顶面设有第二凹槽，所述第二凸台插入所述第二凹槽中。
可选地，所述盖板为多孔材料制成，所述盖板的孔隙率大于或等于40％。
为实现本发明的目的，第二方面提供一种碳化硅合成装置，包括外护管和加热装置，所述加热装置设置于所述外护管的外侧，还包括第一方面所述的反应容器，所述反应容器设置于所述外护管的内部。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的反应容器及碳化硅合成装置，在容器本体的内部设置有导热件，容器本体和导热件均为石墨材质，通过将导热件可拆卸地设置在反应容器的底壁的中心区域，可以对反应容器内部靠近轴线的碳粉和硅粉进行加热，使盛放在导热件与容器本体的侧壁之间的间隙的所有粉料(碳粉和硅粉)受热更加均匀，反应速度更快，反应更加充分，从而可以增大合成的碳化硅粒径，提高合成的碳化硅原料中的大粒径占比。同时，导热件的设置可以增加合成碳化硅的混合料面面积，因为SiC合成过程中，在轴向及径向温度梯度的作用下，越靠近混合料料面的SiC颗粒越大，因此应用本实施例提供的反应容器可制备出更多的大粒径SiC。
附图说明
图1为本发明实施例提供的反应容器的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的导热件的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的盖板的主视结构示意图；
图4为本发明实施例提供的盖板的俯视结构示意图；
图5为本发明实施例提供的盖板的装配结构放大示意图；
图6为本发明实施例提供的碳化硅合成装置示意图；
图7a为采用本发明实施例提供的反应容器及碳化硅合成装置获得的碳化硅中的各粒径料量占比及采用现有的的反应容器及碳化硅合成装置获得的碳化硅中的各粒径料量占比的对比图一；
图7b为采用本发明实施例提供的反应容器及碳化硅合成装置获得的碳化硅中的各粒径料量占比及采用现有的的反应容器及碳化硅合成装置获得的碳化硅中的各粒径料量占比的对比图二。
具体实施方式
下面详细描述本发明，本发明的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本发明的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本发明所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”和“该”也可包括复数形式。应该理解，当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
下面结合附图以具体的实施例对本发明的技术方案以及本发明的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。
为了提高大粒径原料的占比，本实施例做了两方面研究：一是改变碳化硅原料的合成参数，二是二次合成法。其中，改变合成参数：是指在直接反应合成碳化硅原料的过程中，改变合成温度或合成时间来达到优化原料的方法；二次合成：是碳粉和硅粉经过一次反应合成碳化硅粉体后，进行研磨破碎，然后重新放入炉体内进行二次合成反应，以提高碳化硅原料的颗粒尺寸和纯度等。研究过程中发现：通过改变合成参数，可使合成后得到的碳化硅原料的粒径增大，但增长有限，且大粒径占比量增长不大，而生成的SiC原料中碳的比例会明显增加，碳的增加会导致晶体中包裹物缺陷的增多。而采用二次合成法，虽能有效得到大颗粒原料，但此种方式有三个不利因素，一是能耗增大，二是产出周期增长；三是取出研磨再装入过程中易引入杂质，影响原料纯度，在后期晶体生长过程中会产生相关缺陷。
鉴于上述研究，本实施例提供了一种反应容器，可用于粉料的合成反应，例如碳粉和硅粉合成碳化硅(SiC)。如图1所示，该反应容器包括用于容纳粉料的容器本体1和至少一个用于传递热量的导热件2。导热件2设置于容器本体1的的底壁12上，且导热件2可拆卸地设置于容器本体1的中心区域。需要说明的是，该中心区域不仅指底壁12的中心点位置，其还包括靠近中心点的区域。例如，当包括多个导热件2时，该多个导热件2可均匀间隔设置于以该中心点为圆心的圆环上(该圆环的半径小于底壁12的内径)。
本实施例提供的反应容器，在容器本体1的内部设置有导热件2，可以对反应容器内部靠近轴线的碳粉和硅粉进行加热，使盛放在导热件2与容器本体1的侧壁11之间的间隙的所有粉料(碳粉和硅粉)受热更加均匀，反应速度更快，反应更加充分，从而可以增大合成的碳化硅粒径，提高合成的碳化硅原料中的大粒径占比。同时，导热件2的设置可以增加合成碳化硅的混合料面面积(原来仅是容器本体1的内壁，本实施例还包括导热件2的表面)，因为SiC合成过程中，在轴向及径向温度梯度的作用下，越靠近混合料料面的SiC颗粒越大，因此应用本实施例提供的反应容器可制备出更多的大粒径SiC。另外，导热件2可拆卸地设置在反应容器的底壁12的中心区域，可使得反应容器的内部空间更加规则，以便于装载粉料和卸载合成后的原料。
需要说明的是，本实施例提供的反应容器，并不限于仅应用在碳化硅的合成，其它采用粉料作为反应原料，需要在反应容器内部增加导热源以使反应原料反应更加充分的情况均可应用本实施例提供的该反应容器，例如，氮化铝的合成。
优选地，导热件2可以设置在反应容器的轴线上，即导热件2的轴线方向与容器本体1的轴线方向一致，以使粉料的受热更加均匀。
于本实施例另一具体实施方式中，如图1和图2所示，导热件2可以为柱状件(可以是圆柱也可以是多边形柱体等)，以减少装载粉料和卸载合成原料时的阻力，更有利于工艺实施。且导热件2上形成有沿导热件2的轴线方向延伸的第一通孔24，如此，由于合成反应过程中整体粒径增大，使气体通道(颗粒与颗粒之间的缝隙)加大，可以加速粉料中的杂质(含N、B、Al等杂质)向第一通孔24溢出，继而排出至反应物料外部，从而可以去掉SiC原料中的杂质，提高SiC的纯度，更有利于半绝缘晶体的生长。且这样整个反应过程形成一个循环模式，合成的SiC随着气流的作用而循环流通，进一步增大了合成原料的总量。
于本实施例另一具体实施方式中，第一通孔24的远离底壁12的一端为渐扩开口，渐扩开口的孔径沿背离底壁12的方向尺寸逐渐增加，以便于气体及杂质从第一通孔24中排出。
于本实施例另一具体实施方式中，导热件2的底面可以设有第一凸台25，底壁12可以设有第一凹槽，第一凸台25可以和第一凹槽插接配合，且导热件2的底面覆盖第一凹槽的开口，以增加导热件2的稳固性及提高导热件2的导热性能。且可以抵御反应过程中结晶体的侵蚀(可有效阻挡反应过程中结晶体侵蚀下述第一凹槽和第一凸台25的位置)，提高整体使用率和使用寿命。其中，第一凸台25可以为圆柱状(也可以为其它形状)，可以为一个或多个，只要能与第一凹槽匹配对导热件2进行固定即可。上述第一通孔24可以贯穿凸台，也可以仅贯通导热件2的底部段23、主体段22及顶部段21，本实施例对此不作具体限定。
具体地，导热件2可以包括沿轴线方向依次设置的底部段23、主体段22及顶部段21，底部段23的外径可以自远离底壁12的一端至靠近底壁12的一端逐渐增大，底部段23与底壁12相连，如此，底部段23有较大面积直接接触在反应容器的底壁12上，因此增强了导热件2的导热性。且可以抵御反应过程中结晶体的侵蚀，提高整体使用率和使用寿命。上述底部段23、主体段22及顶部段21可以一体设计，也可以分体设计制作，并通过机械的方式进行组装，本实施例对此不作具体限定。需要说明的是，上述导热件2的底部段23、主体段22及顶部段21结构只是本实施例的一种具体实施方式，本实施例并不以此为限。
于本实施例另一具体实施方式中，如图1和图3、图4所示，该反应容器还可以包括盖板3，盖板3可拆卸地设置于容器本体1中，并位于导热件2的上方，盖板3、导热件2和容器本体1的内壁围设成用于容纳粉料的空间。如此，盖板3与容器本体1的底壁12相对，盖板3可以与粉料接触，以进一步增大混合料面的面积，制备出更多的大粒径SiC。具体可以在装载完粉料之后再将盖板3组装到容器本体1中，以便于粉料的装载；相应地，也可以在卸载合成的原料之前先拆除盖板3，以便于卸载合成的原料。
其中，盖板3可以和导热件2的顶部连接，盖板3上可以设有第二通孔31，且第二通孔31与第一通孔24相连通，则反应过程中产生的杂质(主要是气体杂质)可通过导热件2的第一通孔24和盖板3的第二通孔31，然后逸出至反应物料的外部，从而有利于去除SiC中的杂质，提高SiC的纯度。且第二通孔31的横截面的形状与第一通孔24顶端部分的形状相似，第二通孔31的横截面的轮廓尺寸不小于第一通孔24顶端的轮廓尺寸，以便于携带杂质的气体从第一通孔24进入第二通孔31，并排出第二通孔31。其中，第二通孔31的横截面的形状与第一通孔24顶端部分的形状相似可以理解为：在第二通孔31的横截面的形状F和第一通孔24顶端部分的形状F'的所有点之间可以建立一一对应，并且图形F上的任一线段与图形F'上对应线段之比为一常数。例如，F和F'可以都为圆形。第二通孔31的孔径也可以自靠近导热件2的一侧向远离导热件2的一侧逐渐增大，以与导热件2的顶部段21匹配，且更便于气体从第二通孔31内向外逸出。
于本实施例另一具体实施方式中，如图3和所示，盖板3的底面还可以设有环绕第二通孔31的第二凸台32(即第二凸台32可以理解为环状的凸起)，且当盖板3设置在反应容器中时，第二凸台32向靠近底壁12的方向凸出，导热件2的顶面设有第二凹槽211(可以为环形槽)，第二凸台32插入第二凹槽211中，如此，导热件2可对盖板3进行支撑和定位，使整体结构更加稳定。与第二通孔31的设置相匹配，第二凸台32的外径也可以自靠近导热件2的一侧向远离导热件2的一侧逐渐增大，以适应逐渐增大的第二通孔31。
进一步地，侧壁11还可以包括向容器本体1的内部凸出的第三凸台111，盖板3的外径大于第三凸台111的内径，将盖板3放置于反应容器中时，盖板3可以搭接在第三凸台111上，如此，侧壁11可对盖板3进行支撑，且使容器本体1、盖板3及导热件2有效形成一体，形成一反应屏障，混合粉料(硅粉和碳粉)在该反应屏障内进行合成反应过程中，反应气体会随着气流作用呈向上抛物状运动，导热件2周围的反应气体也随气流向上运动，而混合粉料内部因为热能运动使微小杂质随着反应过程做向上或向外扩散运动，因此，既可有效阻止反应气体溢出(如Si、Si2C、SiC2等)，提高产率，又便于杂质随着气流溢出混合粉料内部，阻止杂质在回旋的过程中回落至混合粉料中等。
需要说明的是，上述盖板3的结构及与导热件2和反应容器的连接方式，只是本实施例的一种具体实施方式，本实施例并不以此为限。上述第二凸台32和第三凸台111可以为环状，也可以不为环状，可以包括一个，也可以包括多个，本实施例对此均不作具体限定，只要第二凸台32及第三凸台111能够对盖板3进行支撑和限位即可。
其中，盖板3、导热件2及容器本体1均可以为多孔材料制成，如，均为石墨材质，以便于气体透过，提高其导热性及杂质分子的扩散能力。盖板3的孔隙率可以大于或等于40％，优选40％，较常规石墨的孔隙率高3倍左右，更有利于气体逸出混合粉料内部。本实施例中，导热件2的总高可以比反应容器的内部高度小约40mm(毫米)，外径可以约为20-40mm，内径可以约为5-15mm，导热件2底部的第一凸台25高度可以约为8-12mm，盖板3的厚度的取值范围可以为2mm～5mm，盖板3上的第二通孔31的直径约为50-70mm，侧壁11上用于搭接支撑盖板3边缘的第三凸台111的宽度约为1-3mm。
基于上述反应容器相同的构思，本实施例还提供一种碳化硅合成装置，包括外护管30和位于外护管30内的反应容器，该反应容器为上述任意一实施方式的反应容器。
如图6所示，该碳化硅合成装置还可以包括包覆在反应容器外的保温层20和用于对反应容器加热的加热装置40。其中，保温层20也可以是多孔材质，优选为碳纤维，以实现其耐热保温功能。且可以在保温层20靠近反应容器顶壁的一侧开设测温孔201，通过设置在测温孔201中的测温仪器202可检测反应容器的温度。外护管30可以设置在保温层20外侧，加热装置40可以设置在外护管30外侧，具体可以为缠绕在外护管30外的加热线圈。外护管30可以但不限于为石英管。
具体地，应用本实施例提供的碳化硅合成装置进行碳化硅的合成的过程包括：
1)粉料准备：选用指定粒径(如200目)的高纯碳粉和硅粉，将碳粉、硅粉以摩尔比1:1～1:1.5进行称量好，制成碳、硅混合粉料待用；
2)导热件2安装：先将导热件2下端的第一凸台25插入在容器本体1底壁12上的第一凹槽内，直到底部段23的底面与容器本体1相接触，使导热件2与容器本体1的底壁12近似呈垂直状；
3)粉料装备：将步骤1)中准备的碳、硅混合粉料装入步骤2)中组装的反应容器中；
4)盖板3安装：待碳、硅混合粉料装至导热件2的下沿约10mm，之后安装盖板3，并使盖板3下部的第二凸台32插入到导热件2顶端的第二凹槽211内，盖板3的边缘搭接在容器本体1侧壁11上的第三凸台111上，即完成整体反应容器的组装；
5)装炉：将步骤4)中组装好的反应容器包覆上保温层20，然后放入合成热场系统(如石英管)中，再将整体放入中频感应加热的单晶炉中，整体如图6所示。
6)工艺：按照预定的合成参数进行原料合成工艺，合成过程中通过测温孔201进行测温。
具体地，原料合成工艺可以包括如下处理：对反应容器进行抽真空，至真空度小于10-4Pa(约60min)，然后先将温度升高至约1000℃；再向反应容器中充入10-4sccm(StandardCubic Centimeter perMinute，标准毫升每分)高纯氩气(体积分数＞99.999％)，然后再加热至1900℃～2000℃，控制反应时间约10h，降温至室温，即可得到高纯度的碳化硅。
本实施例还采用上述反应容器进行了合成碳化硅试验，并采用四组其它反应容器进行对比试验，然后从获得的碳化硅中随机称量相同重量(约两千克)的粉料进行采样，然后对样品进行粒径尺寸统计，各碳化硅样品中的不同粒径料量占比统计结果如图7a和图7b所示。图7a和图7b分别表示采用两个规格的反应容器合成碳化硅的对比试验，每个规格中均包括一组采用本实施例提供的反应容器和四组采用现有反应容器获得的碳化硅，其中，图7a中的A4#为采用本实施例提供的反应容器获得的碳化硅，图7b中的B5#为采用本实施例提供的反应容器获得的碳化硅。
由图7a和图7b可知，应用本实施例提供的反应容器获得的碳化硅中的大粒径(≥1.5mm)料量占比(46％)，相对应用现有的反应容器获得的碳化硅中的大粒径料量占比(21％，其它四组的平均值)，提高2倍以上。通过SIMS(二次离子质谱)检测SiC中几种主要杂质的含量发现：应用本实施例提供的反应容器获得的碳化硅中N杂质的含量，相对应用现有的反应容器获得的碳化硅中N杂质的含量减少约2倍；应用本实施例提供的反应容器获得的碳化硅中B杂质的含量，相对应用现有的反应容器获得的碳化硅中B杂质的含量减少约5倍；应用本实施例提供的反应容器获得的碳化硅中Al杂质的含量，相对应用现有的反应容器获得的碳化硅中Al杂质的含量减少约2倍，详见下表1。
表1：
Figure BDA0002793472750000101
另外，在碳化硅晶体生长过程中，还可以用粗颗粒粉料(碳粉和硅粉)替换细颗粒粉料，粗颗粒粉料比表面积更小(即同质量的粗颗粒粉料和细颗粒粉料相比，粗颗粒粉料的表面积更小)，粗颗粒粉料相比细颗粒粉料更不易蒸发，因此粗颗粒粉料不会完全石墨化，温度梯度作用下生长室内产生的对流不会对其产生影响，从粉料方面降低了晶体生长过程中包裹物缺陷发生的几率，从而也可以减少晶体缺陷，提升碳化硅晶体质量。
综上，本实施例提供的碳化硅合成装置，在其容器本体1的内部设置有导热件2，可以对反应容器内部靠近轴线的碳粉和硅粉进行加热，使盛放在导热件2与容器本体1的侧壁11之间的间隙的所有粉料(碳粉和硅粉)受热更加均匀，反应速度更快，反应更加充分，从而可以增大合成的碳化硅粒径，提高合成的碳化硅原料中的大粒径占比。同时，导热件2的设置可以增加合成碳化硅的混合料面面积(原来仅是容器本体1的内壁，本实施例还包括导热件2的表面)，因为SiC合成过程中，在轴向及径向温度梯度的作用下，越靠近混合料料面的SiC颗粒越大，因此应用本实施例提供的反应容器可制备出更多的大粒径SiC。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上仅是本发明的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种反应容器，用于粉料的合成反应，其特征在于，所述反应容器包括用于容纳粉料的容器本体和至少一个用于传递热量的导热件，所述容器本体和所述导热件均为石墨材质；
所述导热件设置于所述容器本体的底壁上，且所述导热件可拆卸地设置于所述容器本体的中心区域。
2.根据权利要求1所述的反应容器，其特征在于，所述导热件为柱状件，且所述导热件上形成有沿所述导热件的轴线方向延伸的第一通孔，所述导热件的轴线方向与所述容器本体的轴线方向一致。
3.根据权利要求2所述的反应容器，其特征在于，所述第一通孔的远离所述底壁的一端为渐扩开口，所述渐扩开口的孔径沿背离所述底壁的方向尺寸逐渐增加。
4.根据权利要求1所述的反应容器，其特征在于，所述导热件的底面上设置有第一凸台，所述底壁上设置有第一凹槽，所述第一凸台和所述第一凹槽插接配合，且所述导热件的底面覆盖所述第一凹槽的开口。
5.根据权利要求2-4中任意一项所述的反应容器，其特征在于，所述反应容器还包括盖板，所述盖板可拆卸地设置于所述容器本体中，并位于所述导热件的上方，所述盖板、所述导热件和所述容器本体的内壁围设成用于容纳所述粉料的空间。
6.根据权利要求5所述反应容器，其特征在于，所述盖板和所述导热件的顶部连接，所述盖板上设有第二通孔，所述第二通孔与所述第一通孔相连通。
7.根据权利要求6所述的反应容器，其特征在于，所述第二通孔的横截面的形状与所述第一通孔顶端部分的形状相似，且所述第二通孔的横截面的轮廓尺寸不小于所述第一通孔顶端的轮廓尺寸。
8.根据权利要求6所述的反应容器，其特征在于，所述盖板的底面设有环绕所述第二通孔的第二凸台，所述第二凸台向靠近所述底壁的方向凸出，所述导热件的顶面设有第二凹槽，所述第二凸台插入所述第二凹槽中。
9.根据权利要求5所述的反应容器，其特征在于，所述盖板为多孔材料制成，所述盖板的孔隙率大于或等于40％。
10.一种碳化硅合成装置，包括外护管和加热装置，所述加热装置设置于所述外护管的外侧，其特征在于，还包括如权利要求1-9中任意一项所述的反应容器，所述反应容器设置于所述外护管的内部。
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