CN112447898A - Led组件及显示装置、以及led组件的制作方法及显示装置的制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及LED组件及显示装置、以及LED组件的制作方法及显示装置的制作方法。LED芯片具有发光效率高的优点，但由于光扩散地照射，就仅向正面(垂直方向)照射的光的强度而言存在并不那么高的问题。LED组件具有在基底面上设置的第1金属层和在第1金属层之上配置的LED芯片。第1金属层的形成轮廓的第1端部从基底面离开，且第1金属层包含自与LED芯片重叠的区域起至第1端部弯曲的部分。

Description

LED组件及显示装置、以及LED组件的制作方法及显示装置的 制作方法

技术领域

本发明的一实施方式涉及安装有LED(Light Emitting Dioder：发光二极管)芯片的LED组件及包含该LED组件的结构的显示装置、以及它们的制造方法。

背景技术

在以矩阵状排列的像素中安装有被称为Micro LED的微小的发光二极管的MicroLED显示器是已知的。就Micro LED显示器而言，在像素为自发光型这一点上与使用有机电致发光元件的有机EL显示器是共通的。但是，有机EL显示器中有机电致发光元件直接形成在形成有薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)的所谓背板的基板上，相对于此，MicroLED显示器中将在另一基板上制作的LED芯片安装于背板，二者在这一点上不同。

发明内容

发明要解决的课题

LED芯片与有机电致发光元件相比具有发光效率高的优点，但由于光扩散地照射，就仅向正面(垂直方向)照射的光的强度而言存在并不那么高的问题。本发明一实施方式的目的之一在于解决这样的问题。

用于解决课题的手段

本发明一实施方式涉及的LED组件具有在基底面上设置的第1金属层和在第1金属层之上配置的LED芯片。第1金属层的形成轮廓的第1端部从基底面离开、且该第1金属层包含自与LED芯片重叠的区域起至第1端部弯曲的部分。

本发明一实施方式涉及的LED组件的制造方法包含：在基底面上形成第1金属层(其具有形成轮廓的第1端部)，对第1金属层进行热处理，在第1金属层之上配置LED芯片，加热处理包含：通过热处理，使第1金属层的第1端部从基底面离开、且形成自第1端部起至内侧弯曲的部分。

附图说明

图1示出本发明一实施方式涉及的LED组件的构成，(A)示出俯视图，(B)示出剖视图。

图2示出本发明一实施方式涉及的LED组件的构成，示出LED芯片与第1金属层及透明导电层连接的详细结构。

图3示出本发明一实施方式涉及的LED组件的制造工序，(A)至(D)示出形成第1金属层的各步骤。

图4示出本发明一实施方式涉及的LED组件的制造工序，(A)至(D)示出形成第1金属层的各步骤。

图5示出本发明一实施方式涉及的LED组件的构成，(A)示出俯视图，(B)示出剖视图。

图6示出本发明一实施方式涉及的LED组件的构成，(A)示出俯视图，(B)示出剖视图。

图7示出本发明一实施方式涉及的LED组件的制造工序，(A)至(D)示出形成第1金属层的各步骤。

图8示出本发明一实施方式涉及的显示装置的构成。

图9示出本发明一实施方式涉及的显示装置中的像素的剖视图。

附图标记说明

100…LED组件，102…基材，104…基底面，106…第1金属层，108…切缺部，110…第1端部，112…弯曲部，114…LED芯片，116…绝缘层，118…透明导电层，120…第2金属层，122…第2端部，124…n型侧电极，126…n型层，128…发光层，130···p型层，132…p型侧电极，134…导电性构件，136…疏液性区域，138…第1绝缘层，140…第2绝缘层，300…显示装置，302…像素，304…显示区域，306…扫描信号线，308…数据信号线，310…端子部，10…第1面，20…第2面

具体实施方式

以下，参照附图等对本发明的实施方式进行说明。但是，本发明能够以多种不同的方式实施，并非限定解释为以下例示的实施方式的记载内容。为了使说明更加明确，存在附图中的各部分的宽度、厚度、形状等与实际的方式相比示意性示出的情况，但只不过是一例，并非限定本发明的解释。另外，在本说明书和各图中，存在对于与前图中描述过的要素同样的要素标注相同的附图标记(或在数字后标注a、b等而成的附图标记)并适当省略详细说明的情况。此外，针对各要素标注的“第1”、“第2”这样的文字是为了方便区分各要素而使用的标识，若没有特别说明，则不具有其他含义。

在本说明书中，在某构件或区域位于其他构件或区域“之上(或之下)”的情况下，若没有特别限定，则其不仅包括位于其他构件或区域的紧上方(或紧下方)的情况，也包括位于其他构件或区域的上方(或下方)的情况，即，也包括在其他构件或区域的上方(或下方)之间包含其他构成要素的情况。需要说明的是，在以下的说明中，只要没有特别说明，则将剖视时相对于基体构件设置触摸传感器的一侧称为“上”或“上方”，将从“上”或“上方”观察的面称为“上表面”或“上表面侧”，将其相反侧称为“下”、“下方”、“下表面”或“下表面侧”。

在本发明一实施方式中，Micro LED是指芯片尺寸为数μm以上且100μm以下的LED，Mini LED是指芯片尺寸为100μm以上的LED。本发明一实施方式能够使用任意尺寸的LED，能够根据LED组件及显示装置的像素尺寸而区分使用。

[第1实施方式]

图1的(A)及图1的(B)示出本发明一实施方式涉及的LED组件100a的构成。图1(A)示出LED组件100a的俯视图，将与图中A1-A2线对应的剖面结构示于图1(B)。在以下的说明中，适当参照这两个附图。

LED组件100a具有在基材102之上层叠有第1金属层106、LED芯片114a、透明导电层118而成的结构。LED芯片114a配置在也被称为基座金属层的第1金属层106之上，透明导电层118配置在LED芯片114a之上。可以在第1金属层106与透明导电层118之间以埋设LED芯片114a的方式设置绝缘层116。

基材102使用玻璃基板、陶瓷基板、塑料基板、具有挠性的塑料膜、金属基板等。虽未在图1(B)中示出，但可以在基材102与第1金属层106之间设置用于控制LED芯片114a的发光的电路。例如，可以在基材102与第1金属层106之间设置由与LED芯片114a电连接的薄膜晶体管形成的电路。

第1金属层106设置在基材102的上表面。在俯视时，第1金属层106以规定的形状形成。例如，第1金属层106以四边形或边数比四边形多的多边形形成，另外，也可以形成为圆形。这样的第1金属层106也可以从外端朝向内侧形成至少一个部位的切缺部108。例如，如图1(A)所示，第1金属层106可以形成为四边形，并具有在四个角部形成有切缺部108的形状、

如图1(B)所示，在剖视时，第1金属层106具有：与基底面104接触的区域、和从基底面104离开的区域。即，第1金属层106具有在与LED芯片114a重叠的区域中与基底面104接触且形成轮廓的第1端部110从基底面104离开的结构。换言之，第1金属层106具有形成轮廓的第1端部110从基底面104离开并浮起的结构。并且，第1金属层106包含自与LED芯片114a重叠的区域起至第1端部110弯曲的弯曲部112。

需要说明的是，基底面104是与第1金属层106的基底正对的面。在第1金属层106由薄膜形成的情况下，基底面104成为该薄膜的被形成面。另外，在第1金属层106由金属箔形成的情况下，基底面104成为该金属箔的被附着面。若将第1金属层106的基材102侧设为第1面10，将其背面侧设为第2面20，则基底面104为除了前述的弯曲部分以外最接近第1金属层的第1面10的面。

第1金属层106的第1端部110的高度位于比LED芯片114a的下表面高且比上表面低的位置。换言之，第1金属层106的第1端部110位于LED芯片的下表面与上表面之间。通过将第1金属层106的第1端部110配置在这样的位置，从而能够避免与透明导电层接触。优选第1金属层106的弯曲部112具有随着趋向上表面而高度逐渐增加的连续的曲面形状。

这样的弯曲部112成为优选以包围LED芯片114a的全周的方式设置的状态。第1金属层106具有切缺部108，从而容易以包围LED芯片114a的外周的方式形成均匀的弯曲部112。其中，在因第1金属层106的内部应力而自发地形成弯曲部112的情况下，切缺部108并非是必需的。另外，在制造工序中，使热应力作用于第1金属层106而以第1端部110从基底面104浮起的方式形成弯曲部112的情况下，有时也省略切缺部108。

如后所述，第1金属层106的弯曲部112可作为反射面使用，弯曲部112包围LED芯片114a的全周，由此能够提高来自LED芯片114a的发射光的指向性。因此，第1金属层106优选由反射率高的金属材料形成。例如，第1金属层106优选由选自铝(A1)、铜(Cu)、银(Ag)中的至少一种金属材料形成。

LED芯片114a为2端子型的元件，具有被称为阳极或p侧电极、阴极或n侧电极的一对电极。例如，LED芯片114a具有在一个面上设有阳极、在另一面上设有阴极的结构。LED芯片114a的形状是任意的，例如具有立方体、长方体、截顶正方锥这样的形状。

图2示出一对电极夹着发光层的垂直结构型的LED芯片114a的连接结构。LED芯片114a具有n型层126、发光层128、p型层130层叠而成的结构。LED芯片114a由未图示的GaAs等半导体晶片形成，在其之上隔着未图示的缓冲层形成有由氮化镓系的化合物半导体形成的n型层126。发光层128由氮化镓系的化合物半导体形成量子阱结构，p型层130由氮化镓系的化合物半导体形成。在n型层126侧设置有n型侧电极124，在p型层130侧设置有p型侧电极132。LED芯片114a的n型侧电极124与第1金属层106通过导电膏或焊料等导电性构件134电连接，p型侧电极132与透明导电层118以直接接触的方式电连接。

当在第1金属层106与透明导电层118之间施加发光阈值电压以上的电压时，LED芯片114a从发光层128照射光。从LED芯片114a照射的光的指向性弱，不仅向正面(图2中示出的D1方向)照射，也以很广的立体角横向照射。针对这样的LED芯片114a的发光特性，本实施方式涉及的LED组件100a通过将第1金属层106的第1端部110设置为从基底面104离开而具有弯曲部112，从而能够将横向照射的光向D1方向反射。通过这样的作用，LED组件100a能够提高从LED芯片114a照射的光的指向性，实现光的有效利用。

需要说明的是，图2示出n型侧电极124与第1金属层106电连接、p型侧电极132与透明导电层118连接的构成，但本实施方式涉及的LED组件100a不限定于此，也可以具有与之相反的连接结构。即，也可以具有p型侧电极132与第1金属层106电连接、n型侧电极124与透明导电层118连接的构成。

如图1(B)所示，第1金属层106及LED芯片114a埋设在绝缘层116中。第1金属层106的第1端部110及弯曲部112从基底面104离开，因此第1面10及第2面20这两个面与绝缘层116接触。像这样，第1金属层106即使具有第1端部110及弯曲部112从基底面104离开的形状，也可以埋入绝缘层116中，由此能够稳定地维持其形状。

优选绝缘层116具有透光性，由丙烯酸、聚酰亚胺、环氧树脂、硅酮等具有绝缘性的树脂材料形成。绝缘层116可如下形成：涂布含有丙烯酸、聚酰亚胺、环氧树脂等具有绝缘性的树脂材料的前体的树脂组合物，并使热能或光能进行作用而使之固化。树脂组合物具有流动性，因此能够通过在涂布后流平从而以将第1金属层106的弯曲部112埋入的状态使上表面平坦化。像这样，绝缘层116具有作为平坦化膜的功能，通过将第1金属层106的第1端部110以不从LED芯片114a的上表面突出的方式设置，从而能够避免其与透明导电层118接触。

绝缘层116以LED芯片114a的上表面(详细来说是图2中示出的p型侧电极132)露出的方式设置。透明导电层118设置在绝缘层116之上、并形成为与LED芯片114a电连接。

本实施方式涉及的LED组件100a具有在与LED芯片114a的一方电极(n型侧电极或p型侧电极)电连接的第1金属层106设置有弯曲部112的结构。并且，并非将第1金属层106仅作为电极使用，通过以具有作为反射面的功能的方式设置弯曲部112，从而能够提高从LED芯片114a照射的光的指向性。

[第2实施方式]

对本发明一实施方式涉及的LED组件100a的制造方法进行说明。图3的(A)～(D)示出本实施方式涉及的LED组件100a的制造方法。

如图3(A)所示，在基材102之上形成有第1金属层106。第1金属层106以与基底面104接触的方式形成。第1金属层106使用溅射法、真空蒸镀法(电子束蒸镀法)等薄膜制作技术而制作。例如，第1金属层106使用选自铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)中的至少一种金属靶并利用溅射法而制作。基于这样的薄膜制作技术，金属膜在基材102的大致整个面上成膜，因此第1金属层106在形成金属膜后通过光刻法等工序而形成掩膜图案，并通过蚀刻而形成为规定的形状(例如矩形)。需要说明的是，在该金属膜的加工工序中，也可以同时形成图1(A)示出的切缺部108。

接下来，如图3(B)所示，对第1金属层106进行加热。第1金属层106因加热而膨胀，在基底面104上延伸扩展的力(滑动的力)作用于其与基底面104的界面。另一方面，第1金属层106与基材102的热膨胀系数不同，因此两者之间产生热应力。这样的热力学现象例如在利用激光退火或闪光灯退火对第1金属层106进行瞬间加热处理的情况下变得显著。

图3(C)示出第1金属层106的加热后的冷却过程。在冷却过程中，第1金属层106产生从在基底面104上延伸后的状态恢复为初始状态的力。通过这样的热历史，如图3(D)所示，能够使第1金属层106以自第1端部110起剥离而形成弯曲部112的方式改变形状。由第1金属层106弯曲而形成的第1端部110的高度形成为位于比LED芯片114a的下表面高且比上表面低的位置。

就基于这样的加热及其后的冷却的第1金属层106的变形加工而言，通过在图3(A)示出的成膜的步骤预先形成为第1金属层106的内部应力包含拉伸应力，从而能够更加有效地进行。使第1金属层106的内部应力包含拉伸应力，能够通过调整成膜条件来实现。例如，在基于溅射的成膜时，预先使膜中包含氩(Ar)等溅射气体，之后通过热处理将膜中含有的氩(Ar)释放，从而能够对第1金属层106赋予拉伸应力。

在第1金属层106形成弯曲部112，然后安装LED芯片114a并使用绝缘层116将其埋入，形成透明导电层118，由此能够制作图1(B)示出的LED组件100a。

根据本实施方式，能够通过对作为LED芯片114a的基座而设置的第1金属层106实施热处理而使局部发生剥离，从而形成作为光反射面使用的弯曲部112。根据本实施方式中示出的制造工序，无需复杂的工序或追加的工序，仅对加热和冷却的工序进行管理就能够形成具有能够作为光反射面使用的弯曲部112的第1金属层106。由此，能够提高照射光的指向性高的LED组件100a的生产率。

[第3实施方式]

本实施方式示出与第2实施方式不同的LED组件100a的制造方法。以下，对与第2实施方式不同的部分进行说明。

图4的(A)～(D)示出本实施方式涉及的LED组件100a的制造方法。图4(A)示出在基底面104上形成金属膜的附着力不同的区域的步骤。具体来说，在基底面104上选择性地形成疏液性区域136。疏液性区域136对应于第1金属层106剥离而形成弯曲部112的区域而形成。疏液性区域136例如在基底面104为无机绝缘膜的情况下，能够通过氟等离子体处理而形成。另外，作为基底面104形成氟树脂膜，对图4(A)中示出的疏液性区域136以外的区域进行激光处理以形成亲液性表面，从而能够形成金属膜的附着力不同的区域。

需要说明的是，图4(A)示出对应于发生金属膜的剥离的区域而形成疏液性区域136的方式，也可以与之相反地，对应于使金属膜密合的区域而形成亲液性区域。无论是哪种情况，在本实施方式中，均包括下述工序：以附着力与在使第1金属层106剥离而形成弯曲部112的区域和密合的区域中不同的方式进行基底面104的前处理。

之后，通过溅射等形成第1金属层106，如图4(B)所示，进行第1金属层106的加热处理，如图4的(C)所示经过冷却工序，由此如图4的(D)所示，能够形成具有弯曲部112的第1金属层106。

根据本实施方式，通过控制第1金属层106的基底面104的表面状态以形成金属膜的附着力降低的区域，从而能够更加可靠地形成具有弯曲部112的第1金属层106，能够使用该结构制作LED组件100a。在本实施方式中，由于能够基于基底面104的附着力而积极控制使第1金属层106剥离的范围，因此能够根据目的来控制弯曲部112的范围、大小。

[第4实施方式]

本实施方式示出相对于第1实施方式而LED芯片的结构不同的LED组件100b。以下，围绕与第1实施方式不同的部分进行说明。

图5(A)及(B)示出本实施方式涉及的LED组件100b。图5(A)示出LED组件100b的俯视图，将沿着B1-B2线的剖面结构示于图5(B)。

在本实施方式中，LED芯片114b具有一对电极并排设置在一面侧的水平结构。在LED芯片114b的下侧设置有作为基座金属层的第1金属层106a及第1金属层106b。第1金属层106a与第1金属层106b物理分离及电分离，两者作为光反射面而发挥功能。

LED芯片114b的n型侧电极124与第1金属层106a电连接，p型侧电极132与第1金属层106b电连接。第1金属层106a具有弯曲部112a，第1端部110a设置为从基底面104离开。第1金属层106b也同样地具有弯曲部112b，第1端部110b设置为从基底面104离开。第1金属层106a与第2金属层120b也可以具有大致线对称的结构。

第1金属层106a、第1金属层106b及LED芯片114b埋设于绝缘层116的结构与第1实施方式相同。向LED芯片114b的电压施加通过第1金属层106a和第1金属层106b进行，因此未在绝缘层116之上设置透明导电层。

在本实施方式中，从LED芯片114b照射的光与第1实施方式中图2示出的例子相同。在本实施方式涉及的LED组件100b中，第1金属层106a及第1金属层106b也作为光反射面发挥功能，因此能够获得可提高从LED芯片114b照射的光的指向性这样的有利效果。

[第5实施方式]

本实施方式示出相对于第1实施方式而第1金属层的构成不同的一例。以下，围绕与第1实施方式不同的部分进行说明。

图6(A)及(B)示出本实施方式的LED组件100c。图6(A)示出LED组件100c的俯视图，将沿着C1-C2线的剖面结构示于图6的(B)。

本实施方式涉及的LED组件100c在基底面104与第1金属层106之间具有第2金属层120。第2金属层120的一个面与基底面104接触，另一个面与第1金属层106的第1面10接触。第2金属层120配置在与LED芯片114a重叠的区域。在俯视时，第2金属层120小于第1金属层106，第2金属层120的形成轮廓的第2端部122配置为比第1金属层106的第1端部110更靠内侧。更具体来说，第2金属层120的形成轮廓的第2端部122设置为比第1金属层106的弯曲部112更靠内侧、或设置在与弯曲部112的端部(LED芯片114a侧的端部)重叠的位置。

第2金属层120由与基底面104的密合性比第1金属层106高的金属材料形成。具体来说，第1金属层106与第2金属层120由不同的金属材料形成。第1金属层106由选自铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)中的至少一种金属材料形成，与此相对，第2金属层120由选自钛(Ti)、钼(Mo)、钨(W)中的至少一种金属材料形成。

与第1实施方式同样地，第1金属层106及第2金属层120作为向LED芯片114a施加电压的电极使用。第2金属层120与基底面104的密合性高，因此能够可靠地将LED芯片114a安装在基材102上。由此，能够防止LED芯片114a从基材102剥落。另外，第1金属层106的弯曲部112未与第2金属层120重叠，因此能够可靠地形成弯曲部112。换言之，能够通过改变第2金属层120的大小(改变第2端部122的位置)来调整在第1金属层106上形成的弯曲部112的范围。

[第6实施方式]

对本发明一实施方式涉及的LED组件100c的制造方法进行说明。图7的(A)～(D)示出本实施方式的LED组件100c的制造方法。

如图7的(A)所示，在基材102之上形成第2金属层120、第1金属层106。具体来说，先在基材102之上形成第2金属层120，之后以与第2金属层120重叠的方式形成第1金属层106。就第2金属层120而言，通过使用溅射法、真空蒸镀法(电子束蒸镀法)等薄膜制作技术来形成选自钛(Ti)、钼(Mo)、钨(W)中的至少一种金属材料的被膜，并在基底面104上图案化而形成。第1金属层106与第2实施方式同样地形成。

接下来，如图7(B)所示，在包含第2金属层120与第1金属层106层叠的区域及第1金属层106与基底面104接触的区域的状态下，对第1金属层106及第2金属层120进行加热。第1金属层106因加热而膨胀、延伸，在基底界面上作用扩展的力(滑动的力)。第2金属层120也是同样的。其中，第1金属层106的膨胀系数大于第2金属层120，因此加热引起的变化表现为更大。例如，作为第1金属层106，铝(A1)的膨胀系数为23.8×10^-6/℃，相对于此，作为形成第2金属层120的金属材料所选择的钛(Ti)的膨胀系数为8.5×10^-6/℃、钼(Mo)为4.9×10^-6/℃、钨为4.3×10^-6/℃。基于这样的膨胀系数之差，第1金属层106比第2金属层120容易膨胀，因加热而产生的延伸的力表现为更强。

图7的(C)示出第1金属层106及第2金属层的加热后的冷却过程。在冷却过程中，第1金属层106及第2金属层120产生从延伸后的状态恢复为初始状态的力。基于这样的热历史，如图7的(D)所示，第1金属层106以从第1端部110剥离而形成弯曲部112的方式改变形状。另一方面，第2金属层120的由加热产生的变化小，因此未出现剥离现象，以保持其原形状的状态残存。

如本实施方式所示，作为成为LED芯片114a的基座金属的金属层，使用膨胀系数不同的两种金属，在膨胀系数大的第1金属层106的下层侧设置膨胀系数相对较小的第2金属层120，并且以第2金属层120的外周端部与第1金属层106的外周端部相比位于更靠内侧的方式配置，从而能够根据目的来控制在第1金属层106上形成的弯曲部112的宽度。即，对设置作为LED芯片114a的基座的第1金属层106及第2金属层120实施热处理，从而能够维持第2金属层120的原形状而使第1金属层106局部剥离，形成作为光反射面使用的弯曲部112。根据本实施方式中示出的制造工序，仅追加一层第2金属层120即可，无需复杂的工序或追加的工序，仅对加热和冷却的工序进行管理就能够以预先设计的尺寸形成具有能够作为光反射面使用的弯曲部112的第1金属层106。由此，能够提高照射光的指向性高的LED组件100c的生产率。

需要说明的是，本实施方式涉及的LED组件100c能够与第3实施方式涉及的构成适当组合而实施。例如，在基底面104中，在与第2金属层120接触的区域以外的区域中设置疏液性区域136，从而能够使第1金属层106更加容易剥离，能够容易地形成弯曲部112。

[第7实施方式]

本实施方式示出具有第1实施方式、第3实施方式及第5实施方式中示出的LED组件的构成的显示装置。

图8示出本实施方式涉及的显示装置300的构成。显示装置300具有在基材102上以矩阵状排列有多个像素302a而成的显示区域304。在显示区域304中配设有向像素302a输入扫描信号的扫描信号线306和输入影像信号的数据信号线308。扫描信号线306与数据信号线308以交叉的方式配设。在基材102的周缘部设有扫描信号线306的输入端子部310a和数据信号线308的输入端子部310b。需要说明的是，虽在图8中未图示，但也可以在基材102上安装用于驱动像素302a的驱动器IC。

图9示出像素302a的剖面结构的一例。像素302a具有从基材102侧层叠有第1绝缘层138、第2绝缘层140并在由第2绝缘层140形成的基底面104之上设置有第1金属层106的结构。扫描信号线306由透明导电层118形成，数据信号线308设置在第1绝缘层138与第2绝缘层140之间。第1金属层106经由在第2绝缘层140中形成的接触孔与数据信号线308连接。n型侧电极124经由导电性构件134与第1金属层106电连接。p型侧电极132与由透明导电层118形成的扫描信号线306电连接。

第1金属层106具有弯曲部112，第1端部110的高度配置在LED芯片114a的下表面与上表面之间。LED芯片114a及第1金属层106埋设在作为平坦化膜使用的绝缘层116中。需要说明的是，LED芯片及作为基座金属的第1金属层也可以应用第3实施方式及第5实施方式涉及的构成。这样的显示装置300能够通过在第2实施方式、第3实施方式、第6实施方式中示出的工序制作。

根据本实施方式，通过在显示装置300的各个像素302中设置LED芯片114和作为光反射面的第1金属层106，从而能够在正面方向上加强从像素302发射的光的指向性。由此，能够提高显示装置300的动态范围并提高正面观看显示区域304时的画质。

需要说明的是，本实施方式示出由LED组件构成无源矩阵型的像素的例子，但本实施方式不限定于此，也可以应用于各个像素的发光由基于晶体管的像素电路控制的有源矩阵型的像素。

Claims (20)

1.LED组件，其具有：

第1金属层，其设置在基底面之上；和

LED芯片，其配置在所述第1金属层之上，

所述第1金属层的形成轮廓的第1端部从所述基底面离开，

所述第1金属层包含自与所述LED芯片重叠的区域起至所述第1端部弯曲的部分。

2.根据权利要求1所述的LED组件，其具有将所述第1金属层及所述LED芯片埋入的绝缘层，

所述第1金属层具有所述基底面侧的第1面和位于所述第1面的相反侧的第2面，在所述弯曲的部分，所述第1面及所述第2面与所述绝缘层接触。

3.根据权利要求1所述的LED组件，其中，所述第1金属层与所述LED芯片电连接。

4.根据权利要求2所述的LED组件，其中，在所述绝缘层之上设有具有透光性的透明导电层，

所述透明导电层与所述LED芯片电连接。

5.根据权利要求1所述的LED组件，其中，所述第1金属层的所述第1端部的高度位于所述LED芯片的下表面与上表面之间。

6.根据权利要求1所述的LED组件，其中，所述第1金属层的所述弯曲的部分形成光反射面。

7.根据权利要求1所述的LED组件，其在所述基底面与所述第1金属层之间具有第2金属层，

所述第2金属层的形成轮廓的第2端部配置在所述第1端部的内侧，

所述第1金属层的所述第1端部与所述第2端部之间的部分是弯曲的。

8.根据权利要求1所述的LED组件，其中，所述第1金属层具有俯视时呈矩形且所述矩形的四个角部被切削的形状。

9.根据权利要求7所述的LED组件，其中，所述第1金属层由选自铝、铜、银中的至少一种金属材料形成，

所述第2金属层由选自钛、钼、钨中的至少一种金属材料形成。

10.显示装置，其在像素中包含权利要求1至9中任一项所述的LED组件的结构。

11.LED组件的制作方法，其包括：

在基底面之上形成第1金属层，所述第1金属层具有形成轮廓的第1端部，

对所述第1金属层进行热处理，

在所述第1金属层之上配置LED芯片，

对于所述热处理而言，

通过所述热处理，所述第1金属层的所述第1端部从所述基底面离开、且形成自所述第1端部起至内侧弯曲的部分。

12.根据权利要求11所述的LED组件的制作方法，其中，形成将所述LED芯片及所述第1金属层埋入的绝缘层。

13.根据权利要求12所述的LED组件的制作方法，其中，在所述绝缘层之上形成具有透光性的透明导电层。

14.根据权利要求11所述的LED组件的制作方法，其中，利用激光照射或闪光灯退火来进行所述热处理。

15.根据权利要求11所述的LED组件的制作方法，其中，通过所述热处理，使所述第1金属层的所述第1端部的高度以位于所述LED芯片的下表面与上表面之间的方式形成。

16.根据权利要求11所述的LED组件的制作方法，其包括在所述基底面与所述第1金属层之间形成第2金属层的步骤，

所述第2金属层的形成轮廓的第2端部以配置于比所述第1端部更靠内侧的方式形成。

17.根据权利要求16所述的LED组件的制作方法，其中，通过所述热处理，使所述第1金属层以所述第1端部与所述第2端部之间的部分弯曲的方式形成。

18.根据权利要求11所述的LED组件的制作方法，其中，使所述第1金属层形成为在俯视时形成为矩形且所述矩形的四个角部被切削而成的多边形。

19.根据权利要求16所述的LED组件的制作方法，其中，由选自铝、铜、银中的至少一种金属材料形成所述第1金属层，

由选自钛、钼、钨中的至少一种金属材料形成所述第2金属层。

20.显示装置的制作方法，其包括权利要求11至19中任一项所述的LED组件的制作方法。

Images