CN112447768A - 显示装置 - Google Patents
显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112447768A CN112447768A CN202010913411.5A CN202010913411A CN112447768A CN 112447768 A CN112447768 A CN 112447768A CN 202010913411 A CN202010913411 A CN 202010913411A CN 112447768 A CN112447768 A CN 112447768A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- display device
- disposed
- substrate
- array substrate
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 135
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 143
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 33
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 26
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 14
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- VGLYDBMDZXTCJA-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Sn+4].[Zn+2] VGLYDBMDZXTCJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- PNHVEGMHOXTHMW-UHFFFAOYSA-N magnesium;zinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Mg+2].[Zn+2] PNHVEGMHOXTHMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- UPAJIVXVLIMMER-UHFFFAOYSA-N zinc oxygen(2-) zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Zn+2].[Zr+4] UPAJIVXVLIMMER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/851—Division of substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
显示装置包括阵列基板和导电性连接焊盘。所述阵列基板包括配置在基底基板上的像素阵列、配置在所述基底基板上的侧面端子以及电连接到所述侧面端子和所述像素阵列的传递布线,且具有倾斜的侧面。所述导电性连接焊盘配置在所述阵列基板的侧面上而与所述侧面端子接触,且沿着所述阵列基板的所述倾斜的侧面而向所述阵列基板的下表面延伸。
Description
技术领域
本发明涉及显示装置,更详细而言涉及显示装置及显示装置的制造方法。
背景技术
通常,显示装置包括显示面板以及向所述显示面板提供驱动信号的驱动部。所述驱动部可以包括于驱动芯片,所述驱动芯片可以直接结合到所述显示面板的基板上或者可以通过柔性电路膜等而与所述显示面板的焊盘部连接。
根据现有技术中的方法,所述驱动芯片或者安装有所述驱动芯片的柔性电路膜与所述显示面板的基板的上表面结合。因此,用于结合所述驱动芯片和所述显示面板的区域会成为边框增加的原因。
为了减少所述边框,正在开发将柔性电路膜接合到显示面板的侧面的技术。所述柔性电路膜其一端被接合到所述显示面板的侧面,并向所述显示面板的下部延伸。在这种结构中,所述柔性电路膜具有弯曲区域,这可能会成为使显示装置整体的厚度增加的原因。
发明内容
本发明的目的在于提供一种减少了边框和厚度的显示装置。
本发明的其他目的在于提供一种所述显示装置的制造方法。
但是,本发明并不限于上述的目的,在不超出本发明的思想以及领域的范围内可以进行各种扩展。
为了达成上述的本发明的目的,本发明的各示例性实施例涉及的显示装置包括阵列基板和导电性连接焊盘。所述阵列基板包括配置在基底基板上的像素阵列、配置在所述基底基板上的侧面端子以及电连接到所述侧面端子和所述像素阵列的传递布线,且所述阵列基板具有倾斜的侧面。所述导电性连接焊盘配置在所述阵列基板的侧面上而与所述侧面端子接触,且沿着所述阵列基板的所述倾斜的侧面而向所述阵列基板的下表面延伸。
根据一实施例,所述显示装置还包括:盖基板,与所述阵列基板结合。
根据一实施例,所述显示装置还包括:填充部件,配置在所述阵列基板与所述盖基板之间,并且覆盖所述侧面端子。
根据一实施例,所述导电性连接焊盘与所述填充部件的侧面接触。
根据一实施例,所述填充部件具有从所述侧面端子在水平方向上突出的形状,所述导电性连接焊盘与所述填充部件的下表面接触。
根据一实施例,所述盖基板具有倾斜的侧面。
根据一实施例,所述盖基板具有垂直的侧面。
根据一实施例,所述阵列基板的所述倾斜的侧面具有圆形形状。
根据一实施例,所述侧面端子包括多个导电层。
根据一实施例,所述传递布线的端部远离所述导电性连接焊盘。
根据一实施例,所述显示装置还包括:外部驱动装置,在所述阵列基板的下表面被接合到所述导电性连接焊盘,且通过所述导电性连接焊盘和所述侧面端子向所述传递布线提供驱动信号或电源。
根据本发明的各示例性实施例涉及的显示装置的制造方法,准备阵列基板,该阵列基板包括配置在基底基板上的像素阵列、与所述像素阵列电连接的传递布线以及与所述传递布线电连接的导电图案。去除所述阵列基板的一部分来形成倾斜的侧面,并形成从所述导电图案通过所述倾斜的侧面露出的侧面端子。形成与所述侧面端子接触且沿着所述阵列基板的所述倾斜的侧面向所述阵列基板的下表面延伸的导电性连接焊盘。
(发明效果)
根据本发明的各示例性实施例,通过接合显示面板的下表面与外部驱动装置,从而可以减少显示面板的周边区域的大小。
另外,不需要为了结合所述外部驱动装置与所述显示面板而弯曲外部驱动装置,因此可以去除用于确保弯曲区域的空间。可以进一步减小显示装置的厚度。另外,无需弯曲外部驱动装置,因此可以用刚性基板等代替柔性电路膜,可以防止因弯曲带来的损伤。
另外,所述显示面板具有倾斜的侧面,从而可以通过同一沉积工序来形成在所述显示面板的下表面与侧面连续延伸的导电性连接焊盘。
附图说明
图1是示出本发明的一实施例涉及的显示面板的平面图。
图2是示出本发明的一实施例涉及的显示装置的接合区域的剖视图。
图3是示出本发明的一实施例涉及的显示装置的接合区域的侧面图。
图4是示出本发明的一实施例涉及的显示装置的显示区域的剖视图。
图5至图15是示出本发明的各实施例涉及的显示装置的制造方法的剖视图。
图16和图17是示出本发明的各实施例涉及的显示装置的接合区域的剖视图。
具体实施方式
以下,参照附图,详细说明本发明的各示例性实施例涉及的显示装置及其制造方法。在附图中,对于相同或类似的构成要素赋予相同或类似的符号。
图1是示出本发明的一实施例涉及的显示面板的平面图。
参照图1,本发明的一实施例涉及的显示面板10包括显示区域DA和包围所述显示区域DA的周边区域。所述显示区域DA可以生成光或调节从外部的光源提供的光的透过率来显示图像。所述周边区域可以被定义为不显示图像的区域。
根据一实施例,所述显示面板10可以是有机发光显示面板。例如,在所述显示区域DA配置包括发光元件的像素PX的阵列,从而根据驱动信号来生成光。在所述显示区域DA可以配置向所述像素PX提供驱动信号和电源的信号布线和电源布线。例如,在所述显示区域DA可以配置在第一方向D1上延伸且向所述像素PX提供栅极信号的栅极线GL、在与所述第一方向D1交叉的第二方向D2上延伸且向所述像素PX提供数据信号的数据线DL以及在所述第二方向D2上延伸且向所述像素PX提供电源的电源线PL。
在所述周边区域可以配置用于将驱动信号或电源传递至所述显示区域DA的传递布线、用于生成驱动信号的电路部等。例如,在所述周边区域可以配置生成所述栅极信号的驱动部DR、向所述驱动部DR传递控制信号的控制信号布线DSL、向所述数据线DL传递所述数据信号的扇出布线FL、向所述电源线PL传递电源的电源传递布线PBL等。
根据一实施例,所述周边区域包括配置密封部件的密封区域SA。所述密封区域SA可以具有包围所述显示区域DA的形状。
所述传递布线向所述周边区域的一侧延伸。所述传递布线与侧面端子电连接。所述侧面端子与外部驱动装置电连接。由此,所述传递布线可以与所述外部驱动装置电连接而接受驱动信号、控制信号、电源等的传递。
排列有所述侧面端子的区域可以被定义为接合区域BA。例如,在所述接合区域BA,可以沿着所述第一方向D1排列所述侧面端子。在所述接合区域BA可以配置覆盖所述侧面端子的填充部件FM(参照图2)。
图2是示出本发明的一实施例涉及的显示装置的接合区域的剖视图。图3是示出本发明的一实施例涉及的显示装置的接合区域的侧面图。具体而言,图2可以是沿着图1的I-I’线的剖视图。
参照图2和图3,显示面板可以包括阵列基板100、与所述阵列基板100结合的盖基板220、配置在所述阵列基板100与所述盖基板220之间的密封部件SM以及配置在所述阵列基板100与所述盖基板220之间的填充部件FM。所述填充部件FM可以沿着所述第一方向D1延伸。
在所述接合区域BA,所述显示面板具有倾斜的侧面。例如,所述阵列基板100和所述盖基板220中的至少一个可以在所述接合区域BA具有倾斜的侧面。
在所述显示面板的一侧面,侧面端子SC的侧面与导电性连接焊盘CP接触。所述导电性连接焊盘CP沿着所述显示面板的侧面向所述阵列基板100的下表面延伸。在配置于所述阵列基板100的下表面的所述导电性连接焊盘CP的部分,接合外部驱动装置。由此,可以电连接所述外部驱动装置和所述传递布线。所述侧面端子SC可以被填充部件FM覆盖。所述侧面端子SC与所述导电性连接焊盘CP的接触面实质上可以由所述侧面端子的露出的侧面进行定义。
例如,所述外部驱动装置可以包括安装有驱动芯片的电路基板300。所述驱动芯片可以通过所述电路基板300向所述传递布线提供数据信号。所述电路基板300可以包括柔性电路膜或者刚性电路基板等。
所述电路基板300可以与安装有控制部的印刷电路基板电连接。安装有所述控制部的印刷电路基板可以通过所述电路基板300向所述传递布线提供控制信号、电源等。
图4是示出本发明的一实施例涉及的显示装置的显示区域的剖视图。
参照图4,配置在显示区域DA的像素单元可以包括配置在基底基板110上的晶体管以及与所述晶体管电连接的发光元件。根据一实施例,所述发光元件可以是有机发光二极管。
在所述基底基板110上可以配置缓冲层120。在所述缓冲层120上可以配置有源图案AP。
例如,所述基底基板110可以包括玻璃、石英、蓝宝石、高分子物质等。根据一实施例,所述基底基板110可以包括如玻璃这样的透明的刚性物质。
所述缓冲层120可以减少或阻断异物、水分或外气从所述基底基板110的下部渗透,并且可以将所述基底基板110的上表面平坦化。例如,所述缓冲层120可以包括如氧化物或氮化物等这样的无机物质。
在所述有源图案AP上可以配置包括栅电极GE的第一栅极金属图案,在所述有源图案AP与所述栅电极GE之间可以配置第一绝缘层130。
在所述栅电极GE上可以配置包括栅极布线图案GP的第二栅极金属图案。所述栅极布线图案GP可以包括用于形成电容器的电容器电极、用于传递各种信号的布线等。
在所述栅电极GE与所述栅极布线图案GP之间可以配置第二绝缘层140。在所述栅极布线图案GP上可以配置第三绝缘层150。
例如,所述有源图案AP可以包括硅或金属氧化物半导体。根据一实施例,所述有源图案AP可以包括多晶硅,可以利用N型杂质或P型杂质进行掺杂。
在其他实施例中,或者在未图示的其他晶体管中,有源图案AP可以包括金属氧化物半导体。例如,有源图案AP可以包括含有铟(In)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)、钛(Ti)、铝(Al)、铪(Hf)、锆(Zr)、镁(Mg)等的双组分化合物(ABx)、三组分化合物(ABxCy)、四组分化合物(ABxCyDz)等。例如,所述有源图案AP可以包括锌氧化物(ZnOx)、镓氧化物(GaOx)、钛氧化物(TiOx)、锡氧化物(SnOx)、铟氧化物(InOx)、铟-镓氧化物(IGO)、铟-锌氧化物(IZO)、铟-锡氧化物(ITO)、镓-锌氧化物(GZO)、锌-镁氧化物(ZMO)、锌-锡氧化物(ZTO)、锌-锆氧化物(ZnZrxOy)、铟-镓-锌氧化物(IGZO)、铟-锌-锡氧化物(IZTO)、铟-镓-铪氧化物(IGHO)、锡-铝-锌氧化物(TAZO)和铟-镓-锡氧化物(IGTO)等。
所述第一绝缘层130、所述第二绝缘层140和所述第三绝缘层150可以包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅碳化物或它们的组合,也可以包括如铝氧化物、钽氧化物、铪氧化物、锆氧化物、钛氧化物等这样的绝缘性金属氧化物。例如,所述第一绝缘层130、所述第二绝缘层140和所述第三绝缘层150分别可以具有硅氮化物或硅氧化物的单层或多层结构,可以具有彼此不同的结构。
所述栅电极GE和所述栅极布线图案GP可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电性金属氧化物等。例如,所述栅电极GE可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、镁(Mg)、铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)或它们的合金,可以具有单层结构或者包括彼此不同的金属层的多层结构。
在所述第三绝缘层150上可以配置第一源极金属图案。所述第一源极金属图案可以包括与所述有源图案AP电接触的源电极SE和漏电极DE。所述源电极SE和所述漏电极DE分别可以贯通下部的绝缘层而与所述有源图案AP接触。
在所述第一源极金属图案上可以配置第四绝缘层160。在所述第四绝缘层160上可以配置第二源极金属图案。所述第二源极金属图案可以包括用于将所述漏电极DE电连接至有机发光二极管210的连接电极CE。根据一实施例,所述第二源极金属图案还可以包括用于防止提供至所述有机发光二极管210的电源的电压降的网格电源布线等。在所述第二源极金属图案上可以配置第五绝缘层170。
所述第一源极金属图案和所述第二源极金属图案可以包括金属、金属合金、金属氮化物、导电性金属氧化物等。例如,所述第一源极金属图案和所述第二源极金属图案可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、镁(Mg)、铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)或它们的合金,可以具有单层结构或者包括彼此不同的金属层的多层结构。根据一实施例,第一源极金属图案和所述第二源极金属图案可以具有包括铝的多层结构。
所述第四绝缘层160和所述第五绝缘层170可以包括有机物质。例如,所述第四绝缘层160和所述第五绝缘层170可以包括如酚醛树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、硅氧烷树脂、环氧树脂等这样的有机绝缘物质。
在所述第五绝缘层170上可以配置有机发光二极管210。所述有机发光二极管210可以包括与所述连接电极CE接触的第一电极212、配置在所述第一电极212上的发光层214以及配置在所述发光层214上的第二电极216。所述有机发光二极管210的发光层214可以配置于在所述第五绝缘层170上配置的像素定义层180的开口部内。所述第一电极212可以是所述有机发光二极管210的下部电极,所述第二电极216可以是所述有机发光二极管210的上部电极。
所述第一电极212可以作为阳极来工作。例如,所述第一电极212可以根据发光类型而形成为透过电极或形成为反射电极。在所述第一电极212形成为透过电极的情况下,所述第一电极212可以包括铟-锡氧化物、铟-锌氧化物、锌-锡氧化物、铟氧化物、锌氧化物、锡氧化物等。在所述第一电极212形成为反射电极的情况下,可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、镁(Mg)、铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)等,也可以具有与在所述透过电极中所使用的物质的层叠结构。
所述像素定义层180具有使所述第一电极212的至少一部分露出的开口部。例如,所述像素定义层180可以包括有机绝缘物质。
所述发光层214可以以单层结构或多层结构包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层等功能层中的至少一个层。所述发光层214可以包括低分子有机化合物或高分子有机化合物。
在一实施例中,所述发光层214可以发出红色、绿色或蓝色的光。在其他实施例中,在所述发光层214发出白色的光的情况下,所述发光层214可以包括包含红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层的多层结构,或者可以包括包含红色、绿色和蓝色的发光物质的单层结构。
所述第二电极216可以根据包括所述晶体管的显示装置的发光类型而形成为透过电极或形成为反射电极。例如,所述第二电极216可以包括金属、合金、金属氮化物、金属氟化物、导电性金属氧化物或它们的组合。
例如,所述第二电极216可以横跨多个像素而在显示区域上连续地延伸。
在所述有机发光二极管210上配置盖基板220。例如,所述盖基板220可以包括玻璃、石英、蓝宝石、高分子物质等。根据一实施例,所述盖基板220可以包括如玻璃这样的透明的刚性物质。
例如,在所述盖基板220的下部可以配置用于支承所述盖基板220的垫片。所述垫片可以配置在所述盖基板220与所述有机发光二极管210之间,或者可以配置在所述有机发光二极管210的第二电极216与所述像素定义层180之间。
所述盖基板220与所述有机发光二极管210之间的空间可以维持真空状态或者填充有气体或者填充有密封部件。例如,所述密封部件可以包括有机层、无机层或它们的组合。
参照图2和图3,在接合区域BA,传递布线TL可以朝向所述显示面板的侧面延伸。根据一实施例,所述传递布线TL可以是扇出布线FL。但是,本发明的各实施例并不限于此,所述传递布线TL可以是电源传递布线PBL、控制信号布线DSL或者与它们连接的桥接布线。
在所述接合区域BA,在所述传递布线TL与基底基板110之间可以配置缓冲层122和第一绝缘层132。所述缓冲层122和所述第一绝缘层132可以从显示区域DA的缓冲层120(参照图4)和第一绝缘层130(参照图4)延伸,或者可以由与显示区域DA的缓冲层120和第一绝缘层130相同的层形成。
根据一实施例,所述传递布线TL可以由与显示区域DA的栅电极GE(参照图4)相同的层形成而配置在相同的层。
所述侧面端子SC可以与所述传递布线TL电连接,并可以向所述显示面板的侧面延伸而向外部露出。根据一实施例,所述侧面端子SC可以具有多层结构。
例如,所述侧面端子SC可以包括从所述传递布线TL延伸的第一导电层SC1、配置在所述第一导电层SC1上的第二导电层SC2、配置在所述第二导电层SC2上的第三导电层SC3以及配置在所述第三导电层SC3上的第四导电层SC4。但是,本发明的各实施例并不限于此,可以根据需要或者根据显示区域的构成而具有不同的构成。例如,所述侧面端子SC可以包括一个以上的导电层。优选地,所述侧面端子SC可以为了增加接触面积而包括两个以上的导电层。
根据一实施例,所述传递布线TL以及从其延伸的所述第一导电层SC1可以由与所述栅电极GE相同的层形成而配置在相同的层。所述第二导电层SC2可以由与显示区域DA的栅极布线图案GP(参照图4)相同的层形成而配置在相同的层。所述第三导电层SC3可以由与显示区域DA的第一源极金属图案相同的层形成而配置在相同的层。所述第四导电层SC4可以由与显示区域DA的第二源极金属图案相同的层形成而配置在相同的层。
例如,可以在所述第一导电层SC1与所述第二导电层SC2之间配置第二绝缘层142,可以在所述第二导电层SC2与所述第三导电层SC3之间配置第三绝缘层152,可以在所述第三导电层SC3与所述第四导电层SC4之间配置第四绝缘层162。在所述第四导电层SC4上可以配置第五绝缘层172。
例如,所述第二导电层SC2可以贯通所述第二绝缘层142而与所述第一导电层SC1接触,所述第三导电层SC3可以贯通所述第三绝缘层152而与所述第二导电层SC2接触,所述第四导电层SC4可以贯通所述第四绝缘层162而与所述第三导电层SC3接触。
所述第二绝缘层142、所述第三绝缘层152、所述第四绝缘层162和所述第五绝缘层172可以从显示区域DA的第二绝缘层140、第三绝缘层150、第四绝缘层160和第五绝缘层170(参照图4)延伸或者由与这些层相同的层形成。
在与所述密封部件SM重叠的区域或者在所述接合区域BA,所述缓冲层122、所述第一绝缘层132、所述第二绝缘层142、所述第三绝缘层152、所述第四绝缘层162和所述第五绝缘层172的至少一个可以根据需要而部分被去除或被省略。例如,在所述密封部件SM的下部可以去除包括有机物质的绝缘层。
根据一实施例,在所述接合区域BA,在所述阵列基板100与盖基板220之间配置填充部件FM。所述填充部件FM在所述接合区域BA填充所述侧面端子SC与所述盖基板220之间的空间。由此,在形成所述导电性连接焊盘CP的过程或者磨削过程等中可以防止密封部件SM受损或异物进入面板内部的情况。
例如,所述填充部件FM可以包括如聚氨酯树脂、硅酮树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂等这样的固化树脂。
在图2中示出了所述填充部件FM远离所述密封部件SM的情况,但是本发明的各实施例并不限于此,所述填充部件FM和所述密封部件SM也可以接触。
在所述显示面板的侧面配置与所述侧面端子SC接触的导电性连接焊盘CP。所述导电性连接焊盘CP可以沿着所述显示面板的侧面在斜线方向上延伸。所述导电性连接焊盘CP可以沿着所述显示面板的侧面向下部延伸,从而所述导电性连接焊盘CP的一部分配置在所述显示面板的下表面上。
所述导电性连接焊盘CP可以包括金属。例如,可以沉积金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、镁(Mg)、铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)等这样的金属来形成金属层,并通过激光等对所述金属层进行图案化,从而形成所述导电性连接焊盘CP。
所述导电性连接焊盘CP可以通过导电性连接部件CM与所述电路基板300结合。
所述导电性连接部件CM可以通过各种方法形成。例如,所述导电性连接部件CM可以是分散有导电性粒子的各向异性导电膜(ACF)。在其他实施例中,所述导电性连接部件CM可以是与所述电路基板300结合而通过超声波焊接等与所述导电性连接焊盘CP结合的导电性凸起。但是,本发明的各实施例并不限于此,可以使用公知的各种接合方法。
虽然未图示,但是为了保护所述导电性连接焊盘CP的露出的部分,也可以在所述显示面板的侧面利用固化树脂等来形成涂布层。
根据本发明的各实施例,通过接合显示面板的下表面与外部驱动装置,从而可以减小显示面板的周边区域的大小。
另外,无需为了结合所述外部驱动装置和所述显示面板而弯曲外部驱动装置,因此可以去除用于确保弯曲区域的空间。因此,可以减小显示装置的厚度。另外,由于无需弯曲外部驱动装置,因此可以用刚性基板等代替柔性电路膜,可以防止因弯曲带来的损伤。
另外,所述显示面板具有倾斜的侧面,从而可以通过同一沉积工序形成在所述显示面板的下表面和侧面连续地延伸的导电性连接焊盘。
图5至图8是示出本发明的一实施例涉及的显示装置的制造方法的剖视图。图5至图8示出显示装置的接合区域。
参照图5,在基底基板110上形成缓冲层122。在所述缓冲层122上形成第一绝缘层132。在所述第一绝缘层132上形成传递布线TL。在所述传递布线TL上形成第二绝缘层142。所述传递布线TL的端部可以定义第一导电图案CL1。在所述第二绝缘层142上形成与所述第一导电图案CL1接触的第二导电图案CL2。在所述第二导电图案CL2上形成第三绝缘层152。在所述第三绝缘层152上形成与所述第二导电图案CL2接触的第三导电图案CL3。在所述第三导电图案CL3上形成第四绝缘层162。在所述第四绝缘层162上形成与所述第三导电图案CL3接触的第四导电图案CL4。在所述第四导电图案CL4上形成第五绝缘层172。
所述的绝缘层和所述的导电图案可以在形成显示区域的晶体管或有机发光二极管的过程中形成。
所述基底基板110、形成在所述基底基板110上的像素阵列和接合区域BA的结构物可以被称为阵列基板100。
参照图6,在所述阵列基板100上设置盖基板220。为了结合所述盖基板220和阵列基板100并封装显示区域的发光元件,可以在所述盖基板220与所述阵列基板100之间形成密封部件SM。
例如,所述密封部件SM可以由高分子固化树脂或玻璃料(glass frit)形成。根据一实施例,在密封区域涂布玻璃料并在玻璃料上配置盖基板220之后,利用热、紫外线、激光等来进行烧结,从而可以形成所述密封部件SM。
另外,在所述侧面端子SC与所述盖基板220之间可以设置填充部件FM。
根据一实施例,所述填充部件FM可以在结合所述盖基板220与所述阵列基板100之前在接合区域涂布固化树脂来形成。所述固化树脂的固化可以在所述盖基板220的结合前或结合后执行。例如,所述固化树脂可由光固化性组成物形成。所述光固化性组成物作为粘合剂成分可以包括环氧树脂、聚氨酯树脂、硅酮树脂、丙烯酸树脂、酚醛树脂等。
根据其他实施例,所述填充部件FM可由玻璃料形成。因此,所述填充部件FM可包括与所述密封部件SM相同的物质。在所述填充部件FM由玻璃料形成的情况下,可以优选在配置所述填充部件FM的接合区域BA去除有机绝缘层。
根据其他实施例,所述填充部件FM可以在结合所述阵列基板100与所述盖基板220之后通过侧面注入固化树脂来形成。
根据其他实施例,所述填充部件FM可以在切割所述显示面板之后形成。在该情况下,可以为了使侧面端子露出且使所述显示面板的侧面平坦化而执行磨削工序或研磨工序。
参照图7,切割(scribing)所述显示面板的一部分来形成倾斜侧面。
所述显示面板的切割可以利用如切割刀轮等这样的切割部件410来执行。根据一实施例,为了形成所述显示面板的倾斜侧面,所述切割部件410可以在与所述显示面板的上表面或者下表面倾斜的方向上切割所述显示面板。
参照图8,在去除所述第一导电图案CL1、所述第二导电图案CL2、所述第三导电图案CL3和所述第四导电图案CL4的一部分之后,剩余的多个导电层(SC1、SC2、SC3、SC4)形成侧面端子SC。所述侧面端子SC的侧面通过所述显示面板的侧面露出。
随着所述显示面板在斜线方向上被切割,所述盖基板220与所述阵列基板100可以具有倾斜的侧面。例如,所述盖基板220的上表面的长度可以大于所述盖基板220的下表面的长度,所述阵列基板100的上表面的长度可以大于所述阵列基板100的下表面的长度。另外,所述盖基板220的下表面的长度可以大于所述阵列基板100的上表面的长度。由此,所述阵列基板100的下表面与侧面可以形成钝角,所述盖基板220的上表面与侧面可以形成锐角。
另外,所述侧面端子SC和所述填充部件FM也可以具有倾斜的侧面。但是,本发明的各实施例并不限于此,所述侧面端子SC和所述填充部件FM中的至少一个实质上可以具有垂直的侧面。
然后,形成与所述侧面端子SC接触且沿着所述显示面板的侧面和下表面延伸的导电性连接焊盘CP。
例如,在所述显示面板的下方配置具有开口部的掩模MK。所述掩模MK可以具有使所述显示面板的下表面和倾斜的侧面露出的开口部。通过溅射等这样的沉积,在通过所述开口部露出的区域形成金属层。由此,可以形成与所述侧面端子SC接触且沿着所述显示面板的侧面和下表面延伸的金属层。
然后,利用激光等对所述金属层进行图案化来形成彼此远离而使得与对应的侧面端子接触的多个导电性连接焊盘CP的阵列。
例如,所述导电性连接焊盘CP的一部分可以与所述填充部件FM的侧面接触。另外,所述导电性连接焊盘CP可以延伸成与所述盖基板220的侧面接触。
然后,在配置于所述显示面板的下表面上的所述导电性连接焊盘CP,接合包括驱动部的外部驱动装置,从而形成图2所示的显示装置。
根据现有技术中的侧面接合方法,在显示面板的侧面接合外部驱动装置。经过了切割工序的显示面板的侧面可能不光滑。因此,为了减小接合面的粗糙度,需要对所述显示面板的侧面进行研磨或磨削的工序。
根据本发明的一实施例,外部驱动装置未被接合到显示面板的侧面,而是被接合到所述显示面板的下表面。因此,可以省略用于减小接合面的粗糙度的研磨工序或磨削工序。
另外,通过在显示面板形成倾斜侧面,从而在用于形成导电性连接焊盘的工序中可以通过一次沉积工序,在显示面板的侧面和下表面形成连续的金属层。
本发明的各实施例可以具有各种构成。以下,说明本发明其他各实施例。
图9至图11示出本发明的一实施例涉及的显示装置的制造方法的剖视图。
参照图9,可以在不同的方向上切割阵列基板100和盖基板220。根据一实施例,所述阵列基板100可以在与所述阵列基板100的下表面倾斜的方向上被切割,所述盖基板220可以在与所述盖基板220的上表面垂直的方向上被切割。
参照图10,被切割的所述盖基板220具有垂直的侧面。由此,可以通过减小接合区域BA的大小来减小显示装置的边框。配置在所述盖基板220与所述阵列基板100之间的填充部件FM可以具有与所述盖基板220的侧面连接且在垂直的方向上延伸的侧面。
然后,形成与所述侧面端子SC接触且沿着所述显示面板的侧面和下表面延伸的导电性连接焊盘CP。根据一实施例,所述导电性连接焊盘CP的末端和所述盖基板220的垂直的侧面可以实质上位于同一垂直线上。因此,所述盖基板220的上表面和下表面的长度可以相同,并且所述阵列基板100的上表面的长度可以大于所述阵列基板100的下表面的长度。另外,如图11所示,在一实施例涉及的显示装置中,也可以省略填充部件。
图12是示出本发明的一实施例涉及的显示装置的制造方法的剖视图。
参照图12,阵列基板100可以在与所述阵列基板100的下表面倾斜的方向上被切割,盖基板220可以在与所述盖基板220的上表面垂直的方向上被切割。
被切割的所述盖基板220具有垂直的侧面。配置在所述盖基板220与所述阵列基板100之间的填充部件FM可以具有与所述盖基板220的侧面连接且在垂直的方向上延伸的侧面。
所述盖基板220或所述填充部件FM可以从所述阵列基板100的侧面末端在水平方向上突出。
导电性连接焊盘CP与侧面端子SC接触,并且沿着显示面板的侧面和下表面延伸。所述导电性连接焊盘CP的一部分可以沿着所述填充部件FM的下表面在水平方向上延伸。这种构成可以增加所述导电性连接焊盘CP与所述侧面端子SC的接触区域来提高连接可靠性。
图13至图15是示出本发明的一实施例涉及的显示装置的制造方法的剖视图。
参照图13,阵列基板100在与所述阵列基板100的下表面垂直的方向上被切割,盖基板220可以在与所述盖基板220的上表面垂直的方向上被切割。
因此,被切割的显示面板具有垂直的侧面。为了在所述显示面板形成倾斜的侧面,可以追加执行磨削工序。
参照图14,利用磨石420,在所述显示面板形成环形的倾斜侧面。
参照图15,形成与所述侧面端子SC接触且沿着所述显示面板的侧面和下表面延伸的导电性连接焊盘CP。
图16和图17是示出本发明的一实施例涉及的显示装置的剖视图。
参照图16,传递布线TL并未延伸到所述显示面板的侧面。因此,所述传递布线TL的端部远离导电性连接焊盘CP。因此,侧面端子SC可以由配置在所述传递布线TL上的各导电层构成。
根据一实施例,所述传递布线TL并未通过显示面板的侧面而露出。因此,在所述显示面板的侧面加工工序中可以防止所述传递布线TL受损。
参照图17,传递布线TL可以由与栅极布线图案GP(参照图4)相同的层形成。所述传递布线TL与侧面端子SC电连接。所述侧面端子SC可以包括从所述传递布线TL延伸的第二导电层SC2、配置在所述第二导电层SC2下的第一导电层SC1、配置在所述第二导电层SC2上的第三导电层SC3以及配置在所述第三导电层SC3上的第四导电层SC4。
本发明的各实施例并不限于上述的构成,所述传递布线TL也可以由用于形成源电极SE或连接电极CE的金属层形成。
以上,作为例示说明了有机发光显示装置的构成,但是本发明的各实施例并不限于此。例如,本发明的各实施例可以适用于如液晶显示装置、电致发光显示装置、微LED显示装置等这样的各种显示装置的接合结构中。
如上所述,参照本发明的各例示性实施例进行了说明,但是本领域技术人员应当能够理解在不超出权利要求书记载的本发明的思想以及领域的范围内,可对本发明进行各种修正以及变更。
(产业上的可利用性)
本发明可适用于各种显示装置。例如,本发明可适用于如车辆用、船舶用及航空器用显示装置、便携式通信装置、展示用或信息传递用显示装置、医疗用显示装置等这样的各种显示设备中。
Claims (11)
1.一种显示装置,包括:
阵列基板,包括配置在基底基板上的像素阵列、配置在所述基底基板上的侧面端子以及电连接到所述侧面端子和所述像素阵列的传递布线,且具有倾斜的侧面;和
导电性连接焊盘,配置在所述阵列基板的侧面上而与所述侧面端子接触,且沿着所述阵列基板的所述倾斜的侧面而向所述阵列基板的下表面延伸。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,还包括:
盖基板,与所述阵列基板结合。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,还包括:
填充部件,配置在所述阵列基板与所述盖基板之间,并且覆盖所述侧面端子。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其特征在于,
所述导电性连接焊盘与所述填充部件的侧面接触。
5.根据权利要求3所述的显示装置,其特征在于,
所述填充部件具有从所述侧面端子在水平方向上突出的形状,所述导电性连接焊盘与所述填充部件的下表面接触。
6.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,
所述盖基板具有倾斜的侧面。
7.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,
所述盖基板具有垂直的侧面。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述阵列基板的所述倾斜的侧面具有圆形形状。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述侧面端子包括多个导电层。
10.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述传递布线的端部远离所述导电性连接焊盘。
11.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,还包括:
外部驱动装置,在所述阵列基板的下表面被接合到所述导电性连接焊盘,且通过所述导电性连接焊盘和所述侧面端子向所述传递布线提供驱动信号或电源。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2019-0108530 | 2019-09-03 | ||
KR1020190108530A KR20210028295A (ko) | 2019-09-03 | 2019-09-03 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112447768A true CN112447768A (zh) | 2021-03-05 |
Family
ID=74682701
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010913411.5A Pending CN112447768A (zh) | 2019-09-03 | 2020-09-03 | 显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11678533B2 (zh) |
KR (1) | KR20210028295A (zh) |
CN (1) | CN112447768A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023103041A1 (zh) * | 2021-12-09 | 2023-06-15 | 惠州华星光电显示有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112582452B (zh) * | 2020-12-04 | 2023-05-30 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
US11765838B2 (en) * | 2021-08-20 | 2023-09-19 | Apple Inc. | Right angle sidewall and button interconnects for molded SiPs |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI396003B (zh) | 2009-07-30 | 2013-05-11 | Au Optronics Corp | 顯示面板及其邊框窄化、邊緣強度提昇方法 |
KR20110110549A (ko) | 2010-04-01 | 2011-10-07 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널, 플라즈마 디스플레이 장치, 멀티 플라즈마 디스플레이 패널 및 멀티 플라즈마 디스플레이 장치 |
KR101910841B1 (ko) | 2012-03-27 | 2018-10-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
KR102127379B1 (ko) | 2013-12-23 | 2020-06-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
KR20170080937A (ko) | 2015-12-31 | 2017-07-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 측면 접합 구조를 갖는 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
KR102612998B1 (ko) * | 2016-12-30 | 2023-12-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이를 이용한 멀티 스크린 표시 장치 |
KR20180079078A (ko) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 다이오드 표시 장치 및 이를 이용한 멀티 스크린 표시 장치 |
JP2018124504A (ja) * | 2017-02-03 | 2018-08-09 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102578423B1 (ko) * | 2018-07-03 | 2023-09-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 다중패널 유기발광 표시장치 |
-
2019
- 2019-09-03 KR KR1020190108530A patent/KR20210028295A/ko active Search and Examination
-
2020
- 2020-07-31 US US16/944,524 patent/US11678533B2/en active Active
- 2020-09-03 CN CN202010913411.5A patent/CN112447768A/zh active Pending
-
2023
- 2023-04-24 US US18/305,816 patent/US20230255073A1/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023103041A1 (zh) * | 2021-12-09 | 2023-06-15 | 惠州华星光电显示有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20210028295A (ko) | 2021-03-12 |
US11678533B2 (en) | 2023-06-13 |
US20230255073A1 (en) | 2023-08-10 |
US20210066437A1 (en) | 2021-03-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9997589B2 (en) | Display device | |
CN112447768A (zh) | 显示装置 | |
CN112151582A (zh) | 显示装置 | |
CN112951867A (zh) | 显示装置 | |
CN111952331A (zh) | 微发光二极管显示基板及其制作方法 | |
CN112310151A (zh) | 显示装置 | |
JP7469943B2 (ja) | 表示装置及び表示装置の製造方法 | |
CN112349755A (zh) | 显示装置及用于制造显示装置的方法 | |
KR20200133890A (ko) | 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
CN112242428A (zh) | 显示装置 | |
KR20240040698A (ko) | 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법 | |
KR20210109089A (ko) | 표시 장치 | |
KR20210043771A (ko) | 표시 장치와 그의 제조 방법 | |
KR20210044362A (ko) | 표시 장치 | |
CN113013194A (zh) | 显示装置 | |
US11723243B2 (en) | Organic light emitting display device including a connecting structure with dummy pad on flexible substrate | |
US11586258B2 (en) | Bonding structure and display device including the same | |
CN114188466A (zh) | 显示面板及其制备方法 | |
CN109935613B (zh) | 显示面板 | |
KR20210027666A (ko) | 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
US12010883B2 (en) | Display device having filler and seal, and method for manufacturing the same | |
JP2021039846A (ja) | 半導体装置、表示装置、及び電子機器 | |
CN116583140A (zh) | 有机发光显示装置及其制造方法 | |
KR20220049086A (ko) | 표시 장치 | |
CN117500305A (zh) | 具有发光器件的显示装置以及形成该显示装置的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |