CN112447401A - 多层电子组件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种多层电子组件,所述多层电子组件包括硅有机化合物层,所述硅有机化合物层具有主体覆盖部和延伸部,所述主体覆盖部设置在主体的外表面的未设置外电极的电极层和导电树脂层的区域中,所述延伸部设置为从所述主体覆盖部延伸到所述外电极的导电树脂层和镀层之间,因此可以提高弯曲强度和耐湿可靠性。
Description
本申请要求于2019年8月28日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0105820号韩国专利申请的优先权的权益,该韩国专利申请的全部公开内容通过引用被包含于此。
技术领域
本公开涉及一种多层电子组件。
背景技术
多层陶瓷电容器(MLCC)(一种多层电子组件)可以是安装在各种电子产品(诸如包括液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)等的成像装置以及计算机、智能电话、移动电话等)的印刷电路板上的芯片型电容器,用于对其充电或从其放电。
这样的多层陶瓷电容器由于其相对小的尺寸、相对高的电容和相对易于安装而可用作各种电子装置的组件。随着诸如计算机、移动装置等的各种电子装置被小型化并且在输出方面提高,对多层陶瓷电容器的小型化和高电容的需求正在增加。
此外,随着近来对车辆电气/电子组件的兴趣增加,多层陶瓷电容器也变得需要相对高的可靠性和强度特性以在车辆或信息娱乐系统中使用。
为了确保高可靠性和高强度特性,已经提出了将包括电极层的传统的外电极改变为具有包括电极层和导电树脂层的双层结构的方法。在包括电极层和导电树脂层的双层结构中,包括导电材料的树脂组合物被涂覆到电极层上以吸收外部冲击并防止镀覆液的渗透。结果,可提高可靠性。
然而,随着电动车辆、自动驾驶车辆等在汽车工业中的发展,需要更多数量的多层陶瓷电容器,并且在汽车等中使用的多层陶瓷电容器需要确保其中具有更严格的耐湿可靠性条件和弯曲强度特性。
发明内容
本公开的一方面在于提供一种具有改善的弯曲强度特性的多层电子组件。
本公开的一方面在于提供一种具有改善的耐湿可靠性的多层电子组件。
本公开的一方面在于提供一种具有低的等效串联电阻(ESR)的多层电子组件。
然而,本公开的目标不限于以上目标,并且在描述本公开的具体实施例的过程中将被更容易地理解。
根据本公开的一方面,一种多层电子组件包括:主体,包括介电层以及交替堆叠的第一内电极和第二内电极,且相应的介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间,所述主体具有在堆叠方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面且彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面、所述第二表面、所述第三表面和所述第四表面且彼此相对的第五表面和第六表面;第一外电极,包括连接到所述第一内电极的第一电极层、设置在所述第一电极层上的第一导电树脂层和设置在所述第一导电树脂层上的第一镀层,并且所述第一外电极划分为第一连接部和第一带部,所述第一连接部设置在所述主体的所述第三表面上,所述第一带部从所述第一连接部延伸到所述第一表面、所述第二表面、所述第五表面和所述第六表面中的每个的一部分;第二外电极,包括连接到所述第二内电极的第二电极层、设置在所述第二电极层上的第二导电树脂层和设置在所述第二导电树脂层上的第二镀层,并且所述第二外电极划分为第二连接部和第二带部,所述第二连接部设置在所述主体的所述第四表面上,所述第二带部从所述第二连接部延伸到所述第一表面、所述第二表面、所述第五表面和所述第六表面中的每个的一部分;以及硅(Si)有机化合物层,具有主体覆盖部、第一延伸部和第二延伸部,所述主体覆盖部设置在所述主体的外表面的位于所述第一导电树脂层和所述第二导电树脂层之间的区域上,所述第一延伸部设置为从所述主体覆盖部延伸到所述第一带部中的所述第一导电树脂层和所述第一镀层之间的区域,所述第二延伸部设置为从所述主体覆盖部延伸到所述第二带部中的所述第二导电树脂层和所述第二镀层之间的区域。
根据本公开的另一方面,一种多层电子组件包括:主体,包括介电层以及交替堆叠的第一内电极和第二内电极,且相应的介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间,所述主体具有在堆叠方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面且彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面、所述第二表面、所述第三表面和所述第四表面且彼此相对的第五表面和第六表面;第一外电极,包括连接到所述第一内电极的第一电极层、设置在所述第一电极层上的第一导电树脂层和设置在所述第一导电树脂层上的第一镀层,并且所述第一外电极划分为第一连接部和第一带部,所述第一连接部设置在所述主体的所述第三表面上,所述第一带部从所述第一连接部延伸到所述第一表面、所述第二表面、所述第五表面和所述第六表面中的每个的一部分;第二外电极,包括连接到所述第二内电极的第二电极层、设置在所述第二电极层上的第二导电树脂层和设置在所述第二导电树脂层上的第二镀层,并且所述第二外电极划分为第二连接部和第二带部,所述第二连接部设置在所述主体的所述第四表面上,所述第二带部从所述第二连接部延伸到所述第一表面、所述第二表面、所述第五表面和所述第六表面中的每个的一部分;以及硅(Si)有机化合物层,具有主体覆盖部、第一延伸部和第二延伸部,所述主体覆盖部设置在位于所述第一导电树脂层和所述第二导电树脂层之间的区域上,所述第一延伸部设置为从所述主体覆盖部延伸到所述第一镀层与所述第一导电树脂层之间的区域,所述第二延伸部设置为从所述主体覆盖部延伸到所述第二镀层与所述第二导电树脂层之间的区域。所述第一延伸部具有第一开口,所述第二延伸部具有第二开口。
根据本公开的另一方面,一种多层电子组件包括主体、第一外电极和第二外电极以及硅(Si)有机化合物层。所述主体包括介电层以及在堆叠方向上交替堆叠的第一内电极和第二内电极,且相应的介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间,所述第一内电极和所述第二内电极分别暴露于所述主体的在垂直于所述堆叠方向的长度方向上相对的端表面。所述第一外电极包括第一电极层、第一导电树脂层和第一镀层,所述第二外电极包括第二电极层、第二导电树脂层和第二镀层,所述第一电极层和所述第二电极层分别设置在所述主体的所述相对的端表面上并且所述第一电极层连接到所述第一内电极,所述第二电极层连接到所述第二内电极,所述第一电极层和所述第二电极层还沿着所述主体的将所述相对的端表面彼此连接的表面在所述长度方向上向内延伸;所述第一导电树脂层和所述第二导电树脂层分别覆盖所述第一电极层和所述第二电极层;并且所述第一镀层和所述第二镀层分别覆盖所述第一导电树脂层和所述第二导电树脂层。所述硅(Si)有机化合物层设置为覆盖所述主体的外表面、所述第一电极层和所述第二电极层以及所述第一导电树脂层和所述第二导电树脂层。所述Si有机化合物层在所述第一导电树脂层和所述第一镀层之间具有一个或更多个第一开口,使得所述第一导电树脂层和所述第一镀层通过所述一个或更多个第一开口接触,并且所述Si有机化合物层在所述第二导电树脂层和所述第二镀层之间具有一个或更多个第二开口,使得所述第二导电树脂层和所述第二镀层通过所述一个或更多个第二开口接触。
附图说明
通过以下结合附图进行的详细描述,本公开的以上和其他方面、特征及优点将被更清楚地理解,在附图中:
图1是根据本公开的示例性实施例的多层电子组件的示意性透视图;
图2是沿图1中的线I-I'截取的截面图;
图3是根据本公开的示例性实施例的主体的示意性分解透视图,在主体中堆叠有介电层和内电极;
图4是图2中的P区域的放大图;
图5是根据本公开的另一示例性实施例的多层电子组件的示意性透视图;
图6是沿图5中的线II-II'截取的截面图;
图7是示出根据本公开的另一示例性实施例的多层电子组件的修改示例的示意性透视图;以及
图8是沿图7中的线III-III'截取的截面图。
具体实施方式
在下文中,将参照具体实施例和附图来描述本公开的实施例。然而,本公开的实施例可修改为具有各种其他形式,并且本公开的范围不限于以下描述的实施例。此外,可提供本公开的实施例以向普通技术人员更完整地描述本公开。因此,为了清楚描述,可夸大附图中的元件的形状和尺寸,并且附图中由相同的附图标记表示的元件可以是相同的元件。
在附图中,为了本公开的清楚性,将省略与描述无关的部分,并且可夸大厚度以清楚地示出层和区域。将使用相同的附图标记来以相同的附图标记表示相同的组件。此外,在整个说明书中,除非另外特别说明,否则当元件被称为“包括”或“包含”元件时,其意味着该元件还可包括其他元件,而不排除其他元件。
在附图中,X方向可被定义为第二方向、L方向或长度方向,Y方向可被定义为第三方向、W方向或宽度方向,Z方向可被定义为第一方向、堆叠方向、T方向或厚度方向。
多层电子组件
图1是根据示例性实施例的多层电子组件的示意性透视图。
图2是沿图1中的线I-I'截取的截面图。
图3是根据示例性实施例的主体的示意性分解透视图,在主体中堆叠有介电层和内电极。
图4是图2中的P区域的放大图。
在下文中,将参照图1至图4描述根据示例性实施例的多层电子组件100。
根据示例性实施例的多层电子组件100可包括主体110、第一外电极131、第二外电极132和硅(Si)有机化合物层140。主体110包括介电层111以及交替堆叠的第一内电极121和第二内电极122,且相应的介电层介于第一内电极121和第二内电极122之间,并且主体110具有在堆叠方向上彼此相对的第一表面1和第二表面2、连接到第一表面1和第二表面2且彼此相对的第三表面3和第四表面4以及连接到第一表面1、第二表面2、第三表面3和第四表面4且彼此相对的第五表面5和第六表面6。第一外电极131包括连接到第一内电极121的第一电极层131a、设置在第一电极层131a上的第一导电树脂层131b、设置在第一导电树脂层131b上的第一镀层131c,并且第一外电极131划分为第一连接部A1和第一带部B1,第一连接部A1设置在主体110的第三表面3上,第一带部B1从第一连接部A1延伸到第一表面1、第二表面2、第五表面5和第六表面6中的每个的一部分。第二外电极132包括连接到第二内电极122的第二电极层132a、设置在第二电极层132a上的第二导电树脂层132b和设置在第二导电树脂层132b上的第二镀层132c,并且第二外电极132划分为第二连接部A2和第二带部B2,第二连接部A2设置在主体110的第四表面4上,第二带部B2从第二连接部A2延伸到第一表面1、第二表面2、第五表面5和第六表面6中的每个的一部分。硅(Si)有机化合物层140具有主体覆盖部143、第一延伸部141和第二延伸部142,其中,主体覆盖部143设置在主体110的外表面的其中未设置第一电极层131a和第二电极层132a以及第一导电树脂层131b和第二导电树脂层132b的区域中,第一延伸部141设置为从主体覆盖部143延伸到第一带部B1中的第一导电树脂层131b和第一镀层131c之间的区域,第二延伸部142设置为从主体覆盖部143延伸到第二带部B2中的第二导电树脂层132b和第二镀层132c之间的区域。例如,第一延伸部141仅在第一带部B1中的第一导电树脂层131b和第一镀层131c之间延伸,第二延伸部142仅在第二带部B2中的第二导电树脂层132b和第二镀层132c之间延伸。
在主体110中,介电层111以及内电极121和122是交替堆叠的。
主体110的形状不受限制,而是可具有六面体形状或类似于六面体形状的形状。由于包括在主体110中的陶瓷粉末颗粒在烧结期间的收缩,因此主体110可具有大体六面体形状而不是具有完全直线的六面体形状。
主体110可具有在厚度方向(Z方向)上彼此相对的第一表面1和第二表面2、连接到第一表面1和第二表面2且在长度方向(X方向)上彼此相对的第三表面3和第四表面4以及连接到第一表面1和第二表面2以及第三表面3和第四表面4且在宽度方向(Y方向)上彼此相对的第五表面5和第六表面6。
构成主体110的多个介电层111处于烧结状态并且可彼此一体化,使得在不使用扫描电子显微镜(SEM)的情况下,其间的边界可能不是显而易见的。
根据示例性实施例,形成介电层111的原材料不受限制,只要可获得足够的电容即可。例如,可使用钛酸钡基材料、铅基复合钙钛矿材料、钛酸锶基材料等。
可根据本公开的目的将各种陶瓷添加剂、有机溶剂、塑化剂、粘合剂、分散剂等添加到钛酸钡(BaTiO3)等的粉末,作为用于形成介电层111的材料。
主体110可具有电容形成部以及上保护层112和下保护层113,电容形成部设置在主体110中并且包括第一内电极121和第二内电极122,第一内电极121和第二内电极122设置为彼此相对且介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间以形成电容,上保护层112设置在电容形成部的上方,下保护层113设置在电容形成部的下方。
电容形成部可对电容器的电容形成有贡献,并且可通过重复地层叠多个第一内电极121和多个第二内电极122且使介电层111介于其间来形成。
上保护层112可通过在竖直方向上在电容形成部的上表面上层叠单个介电层或者两个或更多个介电层来形成,下保护层113可通过在竖直方向上在电容形成部的下表面上层叠单个介电层或者两个或更多个介电层来形成,并且上保护层112和下保护层113基本上可起到防止由于物理或化学应力而损坏内电极的作用。
上保护层112和下保护层113可不包括内电极,但可包括与介电层111的材料相同的材料。
多个内电极121和122可设置为彼此相对且介电层111介于其间。
内电极121和122可包括第一内电极121和第二内电极122,第一内电极121和第二内电极122交替地设置为彼此相对且相应的介电层介于其间。
第一内电极121和第二内电极122可分别暴露于第三表面3和第四表面4。
参照图2,第一内电极121可与第四表面4间隔开并且可通过第三表面3暴露,第二内电极122可与第三表面3间隔开并且可通过第四表面4暴露。第一外电极131可设置在主体110的第三表面3上以连接到第一内电极121,第二外电极132可设置在主体110的第四表面4上以连接到第二内电极122。
例如,第一内电极121不连接到第二外电极132而连接到第一外电极131,第二内电极122不连接到第一外电极131而连接到第二外电极132。因此,第一内电极121形成为与第四表面4间隔开预定距离,第二内电极122形成为与第三表面3间隔开预定距离。
第一内电极121和第二内电极122可通过设置在其间的介电层111彼此电隔离。
参照图3,主体110可通过在厚度方向(Z方向)上交替层叠其上印刷有第一内电极121的介电层111和其上印刷有第二内电极122的介电层111并烧结介电层111来形成。
形成第一内电极121和第二内电极122的材料不受限制。例如,第一内电极121和第二内电极122可使用包含诸如钯(Pd)、钯-银(Pd-Ag)合金等的贵金属材料、镍(Ni)和铜(Cu)中的至少一种的导电膏形成。
印刷导电膏的方法可以是丝网印刷法、凹版印刷法等,但不限于此。
外电极131和132设置在主体110上,并且外电极131包括电极层131a、导电树脂层131b和镀层131c,外电极132包括电极层132a、导电树脂层132b和镀层132c。
外电极131和132可包括连接到第一内电极121的第一外电极131和连接到第二内电极122的第二外电极132。
第一外电极131可包括第一电极层131a、第一导电树脂层131b和第一镀层131c,第二外电极132可包括第二电极层132a、第二导电树脂层132b和第二镀层132c。第一电极层131a和第二电极层132a可分别形成在主体110的第三表面3和第四表面4(相对的端表面)上,第一电极层131a和第二电极层132a还可沿着主体110的将第三表面3和第四表面4彼此连接的表面(例如,第一表面1、第二表面2、第五表面5和第六表面6)在长度方向上向内延伸,例如,第一电极层131a和第二电极层132a可朝着主体110的中央延伸。
当第一外电极131根据其设置的位置而被划分时,第一外电极131划分为第一连接部A1和第一带部B1,第一连接部A1设置在主体的第三表面3上,第一带部B1从第一连接部A1延伸到第一表面1的一部分、第二表面2的一部分、第五表面5的一部分和第六表面6的一部分。
当第二外电极132根据其设置的位置而被划分时,第二外电极132划分为第二连接部A2和第二带部B2,第二连接部A2设置在主体的第四表面4上,第二带部B2从第二连接部A2延伸到第一表面1的一部分、第二表面2的一部分、第五表面5的一部分和第六表面6的一部分。
第一电极层131a和第二电极层132a可使用任意材料形成,只要其是诸如金属等的具有导电性的材料即可,并且可考虑电特性、结构稳定性等来确定具体材料。
例如,第一电极层131a和第二电极层132a可包括导电金属和玻璃。
用于电极层131a和132a的导电金属不受限制,只要其可电连接到内电极以形成电容即可,并且导电金属可包括从由例如铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)及它们的合金组成的组中选择的至少一种。
电极层131a和132a可通过涂覆导电膏并烧结导电膏来形成,导电膏通过将玻璃料添加到导电金属粉末颗粒来制备。
当第一电极层131a和第二电极层132a不包括导电金属和玻璃时,连接部A1与带部B1相交处的角部以及连接部A2与带部B2相交处的角部可形成为薄的,或者带部B1的端部与主体110之间以及带部B2的端部与主体110之间会发生脱离。因此,由于耐湿可靠性可能是有问题的,因此当第一电极层131a和第二电极层132a包括导电金属和玻璃时,提高耐湿可靠性的效果可以更有效。
第一电极层131a和第二电极层132a可通过原子层沉积(ALD)、分子层沉积(MLD)、化学气相沉积(CVD)、溅射等形成。
此外,第一电极层131a和第二电极层132a可通过将包括导电金属的片转移到主体110上来形成。
导电树脂层131b和132b可包括导电金属和基体树脂。
包括在导电树脂层131b和132b中的导电金属用于将导电树脂层131b和132b分别电连接到第一镀层131c和第二镀层132c。
包括在导电树脂层131b和132b中的导电金属不受限制,只要其可电连接到第一镀层131c和第二镀层132c即可,并且可包括从由例如铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)及它们的合金组成的组中选择的至少一种。
包括在导电树脂层131b和132b中的导电金属可包括球状粉末颗粒和片状粉末颗粒中的至少一种。例如,导电金属可仅包括片状粉末颗粒,或者可仅包括球状粉末颗粒,或者可包括片状粉末颗粒和球状粉末颗粒的混合物。
球状粉末颗粒可具有不完全球形形状,并且可具有例如长轴的长度与短轴的长度的比(长轴/短轴)为1.45或更小的形状。
片状粉末颗粒是指均具有平坦且细长的形状的粉末颗粒,并且不限于特定形状,并且例如,长轴的长度与短轴的长度的比(长轴/短轴)可以为1.95或更大。
球状粉末颗粒和片状粉末颗粒的长轴和短轴的长度可从通过用扫描电子显微镜(SEM)在X方向和Z方向上扫描截面(L-T截面)获得的图像测量,截面(L-T截面)从多层电子组件在宽度(Y)方向上的中央部截取。
包括在导电树脂层131b和132b中的基体树脂用于确保粘附性和吸收冲击。
包括在导电树脂层131b和132b中的基体树脂不受限制,只要其具有粘附性和冲击吸收性并且与导电金属粉末颗粒混合以制备膏即可,并且基体树脂可包括例如环氧基树脂。
第一镀层131c和第二镀层132c用于改善安装特性。此外,当产生弯曲应力时,第一镀层131c和第二镀层132c可被剥离以用于防止弯曲裂纹。
第一镀层131c可以是镍(Ni)镀层或锡(Sn)镀层,并且第二镀层132c也可以是Ni镀层或Sn镀层。
第一附加镀层131d还可设置在第一镀层131c上,第二附加镀层132d还可设置在第二镀层132c上。在这种情况下,第一镀层131c和第二镀层132c均可以是Ni镀层,并且第一附加镀层131d和第二附加镀层132d均可以是Sn镀层。
第一镀层131c和第二镀层132c均可包括多个Ni镀层和/或多个Sn镀层。
Si有机化合物层140具有主体覆盖部143、第一延伸部141和第二延伸部142,主体覆盖部143设置在主体110的外表面的未设置第一电极层131a和第二电极层132a以及第一导电树脂层131b和第二导电树脂层132b的区域中,第一延伸部141设置为从主体覆盖部143延伸到第一带部B1中的第一导电树脂层131b和第一镀层131c之间的区域,第二延伸部142设置为从主体覆盖部143延伸到第二带部B2中的第二导电树脂层132b和第二镀层132c之间的区域。
Si有机化合物层140用于防止当多层电子组件100安装在基板上时基板由于热冲击和物理冲击而变形时产生的应力传播到主体110,并用于防止裂纹。
此外,Si有机化合物层140通过阻断湿气渗透路径来用于提高耐湿性。
包括在导电树脂层131b和132b中的基体树脂也起到吸收冲击的作用,但由于第一导电树脂层131b和第二导电树脂层132b必须被设置为彼此绝缘,因此基体树脂的作用是有限的。
此外,由于主体覆盖部143不包括导电金属并且设置在主体110的外表面的未设置第一电极层131a和第二电极层132a的区域中,因此主体覆盖部143设置在更宽的区域中以更有效地吸收冲击并抑制应力传播。
此外,主体覆盖部143可通过密封主体110的细小孔隙或裂纹来防止湿气通过主体100的外表面渗透到主体110中。
第一延伸部141设置为从主体覆盖部143延伸到第一带部B1中的第一镀层131c和第一导电树脂层131b之间的区域,用于抑制应力传播到主体110并防止裂纹。
此外,第一延伸部141用于抑制设置在第一带部B1中的第一电极层131a的端部与主体110之间的脱离,以提高耐湿可靠性。
第二延伸部142设置为从主体覆盖部143延伸到第二带部B2中的第二镀层132c和第二导电树脂层132b之间的区域,用于抑制应力传播到主体110并防止裂纹。
此外,第二延伸部142用于通过抑制设置在第二带部B2中的第二电极层132a的端部与主体110之间的脱离来提高耐湿可靠性。
此外,由于Si有机化合物层140的延伸部141和142与镀层131c和132c具有低的结合强度,因此当产生弯曲应力时会引起镀层131c和132c的剥离。因此,延伸部141和142可用于防止弯曲裂纹。
然而,当延伸部141和142与镀层131c和132c之间的结合力过低时,即使在低的弯曲应力下也可能发生剥离,因此,可能无法有效地防止弯曲裂纹。
因此,可在第一延伸部141和第二延伸部142中形成开口(例如,图2中的开口H1和H2),使得镀层131c和132c通过开口与导电树脂层131b和132b接触。因此,可确保预定的结合力以更有效地防止弯曲裂纹。
Si有机化合物层140可通过以下方式形成:在包括介电层和内电极的主体110上形成第一电极层131a和第二电极层132a;在第一电极层131a和第二电极层132a上分别形成第一导电树脂层131b和第二导电树脂层132b;在主体110的暴露的外表面上以及第一导电树脂层131b和第二导电树脂层132b上形成硅(Si)有机化合物层;以及将形成在第一导电树脂层131b和第二导电树脂层132b上的Si有机化合物层的一部分去除。
去除Si有机化合物层的方法可以是例如激光处理、机械抛光、干法蚀刻、湿法蚀刻、使用带保护层的遮蔽沉积等。
Si有机化合物层140可包括烷氧基硅烷。
因此,Si有机化合物层140具有包括多个碳-硅键结构的聚合物形式,并且具有疏水性。
烷氧基硅烷防止湿气渗透和污染,并渗透到各种无机基板中然后固化以保护产品并增加耐久性。此外,烷氧基硅烷可与羟基(OH)反应,并且因此可形成强化学键以提高耐久性。
与环氧树脂或无机化合物相比,环氧树脂难以有效地抑制湿气渗透,这是因为它不具有疏水效果,在固化期间中可能产生大量的CO2气体以引起脱离,而无机化合物在施加到主体110的表面时不具有能够与羟基反应的官能团,因此难以粘附到主体110的表面并且不形成化学键。因此,可能难以将环氧树脂或无机化合物应用于本公开。
因此,由于Si有机化合物层140可包括烷氧基硅烷,因此可进一步改善密封细小孔隙或裂纹的效果,并且可进一步改善弯曲应力和耐湿可靠性。
当第一带部B1中的在第一电极层131a上的第一导电树脂层131b的厚度被定义为Ta并且第一延伸部141的厚度被定义为Tb时,Tb/Ta可大于等于0.5且小于等于0.9。
图4是图2中的P区域的放大图。参照图4,将详细描述第一带部B1中的在第一电极层131a上的第一导电树脂层131b和第一延伸部141的厚度。然而,相关详细描述可同样应用于第二带部B2中的在第二电极层132a上的第二导电树脂层132b和第二延伸部142的厚度。
在改变第一延伸部141的厚度Tb与第一带部B1中的在第一电极层131a上的第一导电树脂层131b的厚度Ta的比(Tb/Ta)的同时制备样品芯片之后,评估弯曲强度和等效串联电阻(ESR),并且分别在表1和表2中示出结果。
通过使用压电效应的弯曲强度测量方法测量弯曲强度。在将多层陶瓷电容器的样品安装在基板上之后,将与弯曲期间被压的中央部的距离设定为6mm,以观察样品芯片中是否出现裂纹。示出了出现裂纹的样品芯片的数量与样品芯片的总数的比较。
根据ESR评估,将样品芯片在-55℃的温度下保持30分钟,并温度升高至125℃,然后保持30分钟,这是一个循环。在施加500个循环之后,ESR大于50mΩ的样品被确定为有缺陷的。示出了具有有缺陷的ESR的样品芯片的数量与样品芯片的总数的比较。
表1
参照表1,在Tb/Ta为0.3的测试1中,在全部的300个样品芯片中的三个样品芯片中出现了裂纹。
另一方面,在Tb/Ta为0.5或更大的测试2、测试3、测试4、测试5和测试6中,不存在出现裂纹的样品芯片。因此,弯曲强度是优异的。
表2
参照表2,在Tb/Ta为1.1的测试5中,在全部的1600个样品芯片中的五个样品芯片中出现了ESR缺陷。在Tb/Ta为1.3的测试6中,在全部的1600个样品芯片中的十二个样品芯片中出现了ESR缺陷。
另一方面,在Tb/Ta为0.9或更小的测试1、测试2、测试3和测试4中,不存在出现ESR缺陷的样品芯片。因此,ESR特性是优异的。
因此,为了在提高弯曲强度的同时确保优异的ESR特性,第一延伸部141的厚度Tb与第一带部B1中的在第一电极层131a上的第一导电树脂层131b的厚度Ta的比(Tb/Ta)可具体为大于等于0.5且小于等于0.9。
图5是根据另一示例性实施例的多层电子组件的示意性透视图。
图6是沿图5中的线II-II'截取的截面图。
图7是示出根据另一示例性实施例的多层电子组件的修改示例的示意性透视图。
图8是沿图7中的线III-III'截取的截面图。
在下文中,将参照图5至图8描述根据另一示例性实施例的多层电子组件100'及其修改示例100”。然而,将省略与根据实施例的多层电子组件100共同的描述以避免重复描述。
根据示例性实施例的多层电子组件100'可包括主体110、第一外电极131、第二外电极132和硅(Si)有机化合物层140'。主体110包括介电层111以及交替堆叠的第一内电极121和第二内电极122,且相应的介电层介于第一内电极121和第二内电极122之间,并且主体110具有在堆叠方向上彼此相对的第一表面1和第二表面2、连接到第一表面1和第二表面2且彼此相对的第三表面3和第四表面4以及连接到第一表面1、第二表面2、第三表面3及第四表面4且彼此相对的第五表面5和第六表面6。第一外电极131包括连接到第一内电极121的第一电极层131a、设置在第一电极层131a上的第一导电树脂层131b、设置在第一导电树脂层131b上的第一镀层131c,并且第一外电极131划分为第一连接部C1和第一带部B1,第一连接部C1设置在主体110的第三表面3上,第一带部B1从第一连接部C1延伸到第一表面1、第二表面2、第五表面5和第六表面6中的每个的一部分。第二外电极132包括连接到第二内电极122的第二电极层132a、设置在第二电极层132a上的第二导电树脂层132b以及设置在第二导电树脂层132b上的第二镀层132c,并且第二外电极132划分为第二连接部C2和第二带部B2,第二连接部C2设置在主体110的第四表面4上,第二带部B2从第二连接部C2延伸到第一表面1、第二表面2、第五表面5和第六表面6中的每个的一部分。硅(Si)有机化合物层140'具有主体覆盖部143、第一延伸部141'和第二延伸部142',主体覆盖部143设置在主体110的外表面的未设置第一电极层131a和第二电极层132a以及第一导电树脂层131b和第二导电树脂层132b的区域中,第一延伸部141'设置为从主体覆盖部143延伸到第一镀层131c和第一导电树脂层131b之间的区域,第二延伸部142'设置为从主体覆盖部143延伸到第二镀层132c和第二导电树脂层132b之间的区域。与上面的实施例类似地,在第一电极层131a上的第一导电树脂层131b的厚度被定义为Ta并且第一延伸部141'的厚度被定义为Tb,或者所述第二电极层132a上的第二导电树脂层132b的厚度被定义为Ta并且第二延伸部142'的厚度被定义为Tb时,Tb/Ta可大于等于0.5且小于等于0.9。第一延伸部141'和第二延伸部142'可分别具有第一开口H1和第二开口H2。
第一导电树脂层131b可通过第一开口H1与第一镀层131c接触,第二导电树脂层132b可通过第二开口H2与第二镀层132c接触。例如,第一开口H1可填充有第一镀层131c,并且第二开口H2可填充有第二镀层132c。
Si有机化合物层140'可通过以下方式形成:在包括介电层和内电极的主体110上形成第一电极层131a和第二电极层132a;分别在第一电极层131a和第二电极层132a上形成第一导电树脂层131b和第二导电树脂层132b;在主体110的暴露外表面以及第一导电树脂层131b和第二导电树脂层132b上形成硅(Si)有机化合物层;以及将形成在第一导电树脂层131b和第二导电树脂层132b上的Si有机化合物层的一部分去除,以形成第一开口H1和第二开口H2。
去除将形成开口H1和H2的区域的方法可以是例如激光处理、机械抛光、干法蚀刻、湿法蚀刻、使用带保护层的遮蔽沉积等。
在这种情况下,第一开口H1的面积可以是第一延伸部141'的面积的20%至90%,第二开口H2的面积可以是第二延伸部142'的面积的20%至90%。
当第一开口H1的面积小于第一延伸部141'的面积的20%时,第一镀层131c和第一导电树脂层131b之间的电连接性劣化以增加ESR。另一方面,当第一开口H1的面积大于第一延伸部141'的面积的90%时,提高Si有机化合物层140'的弯曲强度和耐湿可靠性的效果可能是不足的。
第一开口H1可设置在第一带部B1和第一连接部C1中的一个或更多个中,第二开口H2可设置在第二带部B2和第二连接部C2中的一个或更多个中。
如图6所示,第一延伸部141'可具有其中第一开口H1仅设置在第一连接部C1中的形式,并且第二延伸部142'可具有其中第二开口H2仅设置在第二连接部C2中的形式。
此外,如图8所示,第一延伸部141”可具有其中第一开口H1设置在第一连接部C1和第一带部B1两者中的形式,第二延伸部142”可具有其中第二开口H2设置在第二连接部C2和第二带部B2两者中的形式。
开口H1和H2的形状和数量不受限制,并且开口H1和H2中的每个可具有诸如圆形、矩形、椭圆形、具有倒圆角的矩形等的形状,并且可具有不规则形状。
如上所述,多层电子组件可包括硅(Si)有机化合物层,硅(Si)有机化合物层具有主体覆盖部和延伸部,主体覆盖部设置在主体的外表面的未设置电极层和导电树脂层的区域中,延伸部设置为从主体覆盖部延伸到外电极的导电树脂层和镀层之间,并且因此可提高弯曲强度。
此外,可设置Si有机化合物层以提高耐湿可靠性。
虽然上面已经示出和描述了实施例,但是对于本领域技术人员将显而易见的是,在不脱离本公开的由所附权利要求限定的范围的情况下,可做出修改和变型。
Claims (20)
1.一种多层电子组件,包括:
主体,包括介电层以及交替堆叠的第一内电极和第二内电极,且相应的介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间,所述主体具有在堆叠方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面且彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面、所述第二表面、所述第三表面和所述第四表面且彼此相对的第五表面和第六表面;
第一外电极,包括连接到所述第一内电极的第一电极层、设置在所述第一电极层上的第一导电树脂层和设置在所述第一导电树脂层上的第一镀层,并且所述第一外电极划分为第一连接部和第一带部,所述第一连接部设置在所述主体的所述第三表面上,所述第一带部从所述第一连接部延伸到所述第一表面、所述第二表面、所述第五表面和所述第六表面中的每个的一部分;
第二外电极,包括连接到所述第二内电极的第二电极层、设置在所述第二电极层上的第二导电树脂层和设置在所述第二导电树脂层上的第二镀层,并且所述第二外电极划分为第二连接部和第二带部,所述第二连接部设置在所述主体的所述第四表面上,所述第二带部从所述第二连接部延伸到所述第一表面、所述第二表面、所述第五表面和所述第六表面中的每个的一部分;以及
硅有机化合物层,具有主体覆盖部、第一延伸部和第二延伸部,所述主体覆盖部设置在所述主体的外表面的位于所述第一导电树脂层和所述第二导电树脂层之间的区域上,所述第一延伸部设置为从所述主体覆盖部延伸到所述第一带部中的所述第一导电树脂层和所述第一镀层之间的区域,所述第二延伸部设置为从所述主体覆盖部延伸到所述第二带部中的所述第二导电树脂层和所述第二镀层之间的区域。
2.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述硅有机化合物层包括烷氧基硅烷。
3.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,Tb/Ta大于等于0.5且小于等于0.9,其中,所述第一带部中的在所述第一电极层上的所述第一导电树脂层的厚度被定义为Ta且所述第一延伸部的厚度被定义为Tb,或者所述第二带部的在所述第二电极层上的所述第二导电树脂层的厚度被定义为Ta且所述第二延伸部的厚度被定义为Tb。
4.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述第一导电树脂层和所述第二导电树脂层包括导电金属和基体树脂。
5.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述第一电极层和所述第二电极层包括导电金属和玻璃。
6.根据权利要求1所述的多层电子组件,所述多层电子组件还包括:
第一附加镀层和第二附加镀层,分别设置在所述第一镀层和所述第二镀层上。
7.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述第一延伸部和所述第二延伸部中的每个具有开口。
8.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述主体覆盖部设置在所述主体的外表面的未设置所述第一电极层和所述第二电极层以及所述第一导电树脂层和所述第二导电树脂层的区域上。
9.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述第一延伸部仅在所述第一带部中的所述第一导电树脂层和所述第一镀层之间延伸,并且
其中,所述第二延伸部仅在所述第二带部中的所述第二导电树脂层和所述第二镀层之间延伸。
10.一种多层电子组件,包括:
主体,包括介电层以及交替堆叠的第一内电极和第二内电极,且相应的介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间,所述主体具有在堆叠方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面且彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面、所述第二表面、所述第三表面和所述第四表面且彼此相对的第五表面和第六表面;
第一外电极,包括连接到所述第一内电极的第一电极层、设置在所述第一电极层上的第一导电树脂层和设置在所述第一导电树脂层上的第一镀层,并且所述第一外电极划分为第一连接部和第一带部,所述第一连接部设置在所述主体的所述第三表面上,所述第一带部从所述第一连接部延伸到所述第一表面、所述第二表面、所述第五表面和所述第六表面中的每个的一部分;
第二外电极,包括连接到所述第二内电极的第二电极层、设置在所述第二电极层上的第二导电树脂层和设置在所述第二导电树脂层上的第二镀层,并且所述第二外电极划分为第二连接部和第二带部,所述第二连接部设置在所述主体的所述第四表面上,所述第二带部从所述第二连接部延伸到所述第一表面、所述第二表面、所述第五表面和所述第六表面中的每个的一部分;以及
硅有机化合物层,具有主体覆盖部、第一延伸部和第二延伸部,所述主体覆盖部设置在所述主体的外表面的位于所述第一导电树脂层和所述第二导电树脂层之间的区域上,所述第一延伸部设置为从所述主体覆盖部延伸到所述第一镀层与所述第一导电树脂层之间的区域,所述第二延伸部设置为从所述主体覆盖部延伸到所述第二镀层与所述第二导电树脂层之间的区域,
其中,所述第一延伸部具有第一开口,所述第二延伸部具有第二开口。
11.根据权利要求10所述的多层电子组件,其中,所述第一开口的面积为所述第一延伸部的面积的20%至90%,并且
所述第二开口的面积为所述第二延伸部的面积的20%至90%。
12.根据权利要求10所述的多层电子组件,其中,所述第一开口设置在所述第一带部和所述第一连接部中的至少一个中,并且
所述第二开口设置在所述第二带部和所述第二连接部中的至少一个中。
13.根据权利要求10所述的多层电子组件,其中,所述硅有机化合物层包括烷氧基硅烷。
14.根据权利要求10所述的多层电子组件,其中,Tb/Ta大于等于0.5且小于等于0.9,其中,所述第一带部中的在所述第一电极层上的所述第一导电树脂层的厚度被定义为Ta且所述第一延伸部的厚度被定义为Tb,或者所述第二带部的在所述第二电极层上的所述第二导电树脂层的厚度被定义为Ta且所述第二延伸部的厚度被定义为Tb。
15.根据权利要求10所述的多层电子组件,其中,所述第一导电树脂层和所述第二导电树脂层包括导电金属和基体树脂。
16.根据权利要求10所述的多层电子组件,其中,所述第一电极层和所述第二电极层包括导电金属和玻璃。
17.根据权利要求10所述的多层电子组件,所述多层电子组件还包括:
第一附加镀层和第二附加镀层,分别设置在所述第一镀层和所述第二镀层上。
18.一种多层电子组件,包括:
主体,包括介电层以及在堆叠方向上交替堆叠的第一内电极和第二内电极,且相应的介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间,所述第一内电极和所述第二内电极分别暴露于所述主体的在垂直于所述堆叠方向的长度方向上相对的端表面;
第一外电极和第二外电极,所述第一外电极包括第一电极层、第一导电树脂层和第一镀层,所述第二外电极包括第二电极层、第二导电树脂层和第二镀层,其中,所述第一电极层和所述第二电极层分别设置在所述主体的所述相对的端表面上,并且所述第一电极层连接到所述第一内电极,所述第二电极层连接到所述第二内电极,所述第一电极层和所述第二电极层还沿着所述主体的将所述相对的端表面彼此连接的表面在所述长度方向上向内延伸,所述第一导电树脂层和所述第二导电树脂层分别覆盖所述第一电极层和所述第二电极层,并且所述第一镀层和所述第二镀层分别覆盖所述第一导电树脂层和所述第二导电树脂层;以及
硅有机化合物层,设置为覆盖所述主体的外表面、所述第一电极层和所述第二电极层以及所述第一导电树脂层和所述第二导电树脂层,
其中,所述硅有机化合物层在所述第一导电树脂层和所述第一镀层之间具有一个或更多个第一开口,使得所述第一导电树脂层和所述第一镀层通过所述一个或更多个第一开口接触,并且所述硅有机化合物层在所述第二导电树脂层和所述第二镀层之间具有一个或更多个第二开口,使得所述第二导电树脂层和所述第二镀层通过所述一个或更多个第二开口接触。
19.根据权利要求18所述的多层电子组件,其中,所述一个或更多个第一开口以及所述一个或更多个第二开口仅布置在与所述主体在所述长度方向上的所述相对的端表面对应的区域中。
20.根据权利要求18所述的多层电子组件,其中,所述一个或更多个第一开口布置在所述第一导电树脂层与所述第一镀层之间的整个区域中,并且
其中,所述一个或更多个第二开口布置在所述第二导电树脂层与所述第二镀层之间的整个区域中。
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