CN112437986A - 显示装置 - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 425
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 81
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 42
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 29
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 17
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 16
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 11
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 11
- 102100022052 Cyclin N-terminal domain-containing protein 1 Human genes 0.000 description 10
- 101000900815 Homo sapiens Cyclin N-terminal domain-containing protein 1 Proteins 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 10
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 238000004720 dielectrophoresis Methods 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000003491 array Methods 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N cellulose acetate Chemical compound OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1C(CO)OC(O)C(O)C1O.CC(=O)OCC1OC(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(COC(C)=O)O1.CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
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- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
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- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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Abstract
提供了一种显示装置。根据一个实施例的显示装置包括:第一电极主干部和第二电极主干部,在第一方向上延伸并且彼此间隔开;至少一个第一电极分支部,从第一电极主干部分支出来并且被设置为在与第一方向不同的第二方向上延伸;第二电极分支部,从第二电极主干部分支出来并且被设置为在第二方向上延伸;至少一个第三电极,设置在第一电极分支部与第二电极分支部之间;以及至少一个发光器件,设置在第一电极分支部、第三电极和第二电极分支部之间,其中,第三电极被设置为在第二方向上延伸,并且第三电极的在第二方向上延伸的两个端部可以在分别与第一电极主干部和第二电极主干部间隔开的状态下终止。
Description
技术领域
本公开涉及一种显示装置,更具体地,涉及一种包括无机发光二极管阵列的显示装置。
背景技术
随着多媒体技术的发展,显示装置变得越来越重要。因此,目前使用诸如有机发光显示(OLED)装置和液晶显示(LCD)装置的各种类型的显示装置。
显示装置用于显示图像,并且包括诸如有机发光显示面板或液晶显示面板的显示面板。在它们之中,发光显示面板可以包括发光元件。例如,发光二极管(LED)可以包括使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(OLED)和使用无机材料作为荧光材料的无机发光二极管。
有机发光二极管(OLED)使用有机材料作为发光元件的荧光材料。制造工艺简单并且元件具有柔性是令人期望的。然而,有机材料易受高温驱动环境的影响并且蓝光的效率相对较低是公知的。
相反,无机发光二极管使用无机半导体作为荧光材料,并且期望的是,在高温环境中具有耐久性并具有比有机发光二极管高的蓝光效率。以前,制造无机发光二极管的工艺有自身的缺点。然而,已经开发了使用介电泳(DEP)的转移方法,从而已经克服了缺点。因此,由于与有机发光二极管相比无机发光二极管具有较好的耐久性和效率,因此正在进行对无机发光二极管的研究。
发明内容
技术问题
本公开的方面提供了一种其中发光元件串联连接的显示装置,使得驱动晶体管的容量能够减小,并且能够改善分压效率和由线电阻引起的功率损耗。
发明的其它优点、主题和特征将在下面的描述中部分地阐述,并且部分地对于本领域普通技术人员在研究下面的内容时将变得明显,或者可以从发明的实践中习得。
技术方案
根据本公开的方面,显示装置包括:第一电极主干部和第二电极主干部,在第一方向上延伸并且彼此间隔开;至少一个第一电极分支部,从第一电极主干部分支出来并且在与第一方向不同的第二方向上延伸;第二电极分支部,从第二电极主干部分支出来并且在第二方向上延伸;至少一个第三电极,设置在第一电极分支部与第二电极分支部之间;以及一个或更多个发光元件,设置在第一电极分支部与第三电极之间和第三电极与第二电极分支部之间,其中,第三电极在第二方向上延伸,并且第三电极的在第二方向上的两个端部分别与第一电极主干部和第二电极主干部间隔开。
第一电极分支部可以在第二方向上与第二电极分支部相反地延伸。
发光元件可以包括:第一发光元件,设置在第一电极分支部与第三电极之间;以及第二发光元件,设置在第三电极与第二电极分支部之间,其中,第一发光元件和第二发光元件可以串联连接在第一电极分支部与第二电极分支部之间。
第一发光元件的第一端可以连接到第一电极分支部,并且第一发光元件的第二端连接到第三电极,其中,第一发光元件的第一端或第二端可以包括p型半导体层,并且第一发光元件的第二端或第一端包括n型半导体层,其中,第一发光元件可以包括设置在p型半导体层与n型半导体层之间的活性层。
显示装置可以包括从第一电极主干部分支出来的多个第一电极分支部,并且,第二电极分支部可以设置在多个第一电极分支部之间。
第三电极可以至少设置在第二电极分支部与设置在第二电极分支部的一侧的第一电极分支部之间和第二电极分支部与设置在第二电极分支部的相对侧的第一电极分支部之间。
显示装置可以包括两个或更多个第三电极,其中,发光元件可以设置在第三电极中的相邻的第三电极之间。
发光元件可以包括:第三发光元件,电连接在第二电极分支部的一侧;以及第四发光元件,电连接在第二电极分支部的相对侧,其中,第三发光元件和第四发光元件可以并联连接在第二电极分支部的一侧与相对侧之间。
多个第一电极分支部和多个第三电极可以相对于第二电极分支部对称地设置。
第三电极可以包括:第三电极片段,在第二方向上从第一电极主干部和第二电极主干部突出;以及第三电极分支部,被设置为与第三电极片段间隔开,第三电极分支部从第三电极片段延伸。
第三电极可以包括:两个或更多个第三电极分支部,在第一电极分支部与第二电极分支部之间彼此间隔开,其中,发光元件可以包括:第五发光元件,具有电连接到第一电极主干部的一端和连接到第三电极分支部的另一端;第六发光元件,具有电连接到多个第三电极分支部的两个端部;以及第七发光元件,具有电连接到第三电极分支部的一端和连接到第二电极分支部的另一端,其中,第五发光元件、第六发光元件和第七发光元件可以串联连接在第一电极分支部与第二电极分支部之间。
根据本公开的另一方面,显示装置包括:第一电极主干部和第二电极线,在第一方向上延伸并且彼此间隔开;至少一个第一电极分支部,从第一电极主干部分支出来并且在与第一方向不同的第二方向上延伸;第二电极分支部,与第一电极分支部间隔开并且在第二方向上延伸以在与第一电极主干部间隔开的状态下终止;第三电极,设置在第一电极分支部与第二电极分支部之间以在第二方向上延伸,第三电极的两个端部在与第一电极主干部和第二电极线间隔开的状态下终止;以及一个或更多个发光元件,设置在第一电极分支部、第二电极分支部和第三电极之间,其中,第二电极分支部电连接到第二电极线。
第一电极主干部和第二电极线可以设置在不同的线层中,其中,第二电极分支部可以通过接触孔电连接到第二电极线。
第一电极主干部还可以包括:第二电极片段,在第二方向上从第一电极主干部突出。
第二电极片段可以在第二方向上延伸,并且与第二电极分支部对准。
第一电极主干部可以电连接到薄膜晶体管,其中,第二电极线电连接到共电力供应线,其中,发光元件可以包括:第一发光元件,设置在第一电极分支部与第三电极之间;以及第二发光元件,设置在第三电极与第二电极分支部之间,其中,第一发光元件和第二发光元件可以串联连接在第一电极分支部与第二电极分支部之间。
根据本公开的其他方面,显示装置包括:第一电极,连接到薄膜晶体管;第二电极,连接到共电力供应线;浮置电极,设置在第一电极与第二电极之间;至少一个第一发光二极管,具有电连接到第一电极的一端和电连接到浮置电极的另一端;以及至少一个第二发光二极管,具有电连接到浮置电极的一端和电连接到第二电极的另一端,其中,第一发光二极管和第二发光二极管串联连接在第一电极与第二电极之间。
第一电极、第二电极和浮置电极可以在第一方向上延伸,其中,第一发光二极管和第二发光二极管中的每个的纵向方向可以在与第一方向不同的第二方向上延伸。
第一发光二极管和第二发光二极管均可以包括第一导电型半导体层、活性层和第二导电型半导体层,其中,第一导电型半导体层和第二导电型半导体层中的一个可以是p型的导电型半导体层,并且另一个是n型的导电型半导体层,其中,第一发光二极管的第一导电型半导体层可以电连接到第一电极,第一发光二极管的第二导电型半导体层可以电连接到浮置电极,第二发光二极管的第一导电型半导体层可以电连接到浮置电极,第二发光二极管的第二导电型半导体层可以电连接到第二电极。
第一发光二极管和第二发光二极管的长度可以在3μm至6μm范围内。
其他实施例的细节包括在具体描述和附图中。
有益效果
根据本公开的示例性实施例,显示装置包括在第一电极与第二电极之间的浮置电极,使得电连接在电极之间的发光元件可以串联连接在第一电极与第二电极之间。因此,在制造显示装置的工艺期间,更容易设计驱动薄膜晶体管的容量,并且能够改善分压效率和由线电阻引起的功率损耗。
根据本公开的有益效果不限于上面提到的那些,并且这里包括各种其他的有利效果。
附图说明
图1是根据本公开的示例性实施例的显示装置的平面图。
图2是图1的显示装置的单个像素的等效电路图。
图3是根据本公开的另一示例性实施例的显示装置的像素的等效电路图。
图4是沿着图1的线I-I'截取的剖视图。
图5是根据本公开的另一示例性实施例的显示装置的平面图。
图6是沿着图5的线II-II'和III-III'截取的剖视图。
图7是示出根据本公开的示例性实施例的发光元件的图。
图8至图10是示意性地示出制造根据本公开的示例性实施例的显示装置的方法的平面图。
图11至图13是根据本公开的另一示例性实施例的显示装置的平面图。
图14是根据本公开的又一示例性实施例的显示装置的平面图。
图15至图17是用于示出制造图14的显示装置的方法的平面图。
图18和图19是根据本公开的另一示例性实施例的显示装置的平面图。
图20是根据本公开的又一示例性实施例的显示装置的平面图。
图21至图23是用于示出制造图20的显示装置的方法的平面图。
具体实施方式
现在在下文中将参照其中示出了发明的优选实施例的附图更充分地描述本发明。然而,本发明可以以不同的形式实施,并且不应被解释为限于这里阐述的实施例。相反,提供这些实施例,使得本公开将是彻底的且完整的,并且将向本领域的技术人员充分地传达发明的范围。
将理解的是,当层被称为“在”另一层或基底“上”时,该层可以直接在所述另一层或基底上,或者也可以存在中间层。贯穿说明书,相同的附图标记指示相同的组件。
将理解的是,尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件,但是这些元件不应该受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如,在不脱离本发明的教导的情况下,下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似地,第二元件也可以被称为第一元件。
在下文中,将参照附图描述本公开的示例性实施例。
图1是根据本公开的示例性实施例的显示装置的平面图。
显示装置10可以包括被定义为像素PX(例如,像素PX1、PX2、PX3中的一个)的一个或更多个区域。多个像素PX可以设置在显示装置10的显示部分上,使得特定波长带的光可以离开显示装置10。虽然在图1中以示例的方式描绘了三个像素PX1、PX2和PX3,但是将理解,显示装置10可以包括更多像素。虽然图1的剖视图示出了仅沿着一个方向(即,第一方向D1)布置的像素PX,但是像素PX也可以沿着与第一方向D1交叉的第二方向D2布置。另外,图1中示出的像素PX可以被划分为多个子像素,每个子像素可以形成像素PX(例如,像素PX1、PX2、PX3中的一个)。像素可以不必如图1中示出的沿着第一方向D1平行布置,而是可以以各种方式布置,例如,在竖直方向(或第二方向)上、以Z字形图案等。
虽然在附图中未示出,但是显示装置10可以包括其中设置有发光元件350以发射彩色的光的发射部分和被限定为发射部分之外的区域的非发射部分。非发射部分可以被一些构件覆盖,使得其从显示装置10外部不可见。在非发射部分中,定位有用于驱动设置在发射部分中的发光元件350的各种元件。例如,在非发射部分中,可以设置用于向发射部分、电路、驱动器等施加电信号的线。然而,将理解的是,本公开不限于此。
多个像素PX中的每个可以包括发射特定波长带的光以表现颜色的一个或更多个发光元件350。从发光元件350发射的光可以经由发射部分在显示装置10外部被看到。在示例性实施例中,表现不同颜色的像素PX可以包括发射不同颜色的光的发光元件350。例如,用于表现红色的第一像素PX1可以包括用于发射红光的发光元件350,用于表现绿色的第二像素PX2可以包括用于发射绿光的发光元件350,用于表现蓝色的第三像素PX3可以包括用于发射蓝光的发光元件350。然而,将理解的是,本公开不限于此。在一些实施方式中,表现不同颜色的像素可以包括用于发射相同颜色(例如,蓝色)的发光元件350,并且波长转换层或滤色器可以位于发射路径上以表现像素的颜色。然而,将理解的是,本公开不限于此。在一些实施方式中,相邻的像素PX可以发射相同颜色的光。
参照图1,显示装置10可以包括多个电极310、320和330以及多个发光元件350。电极310、320和330中的至少一些可以设置在像素PX中的每个中,并且可以电连接到发光元件350以施加电信号,使得发光元件350可以表现特定颜色。
另外,电极310、320和330中的至少一些可以用于在像素PX内形成电场以使发光元件350对准。具体地,当在多个像素PX中使发射不同颜色的发光元件350对准时,需要针对像素PX中的每个使不同的发光元件350精确地对准。可以利用介电泳如下地使发光元件350对准:将包含发光元件350的溶液涂敷到显示装置10上,并且向溶液施加AC电力以形成电场,然后向发光元件350施加介电泳力以使它们对准。
多个电极310、320和330可以包括第一电极310、第二电极320和第三电极330。在示例性实施例中,第一电极310可以是针对每个像素PX断开的像素电极,而第二电极320可以是遍及多个像素PX连接的共电极。第一电极310可以是发光元件350的阳极电极,而第二电极320可以是发光元件350的阴极电极。然而,将理解的是,本公开不限于此。也就是说,第一电极310可以是发光元件350的阴极电极,而第二电极320可以是发光元件350的阳极电极。
第一电极310和第二电极320可以包括分别在第一方向D1上延伸的电极主干部310S和320S以及分别从电极主干部310S和320S分支出来并在与第一方向D1交叉的第二方向D2上延伸的一个或更多个电极分支部310B和320B。
具体地,第一电极310可以包括在第一方向D1上延伸的第一电极主干部310S以及从第一电极主干部310S分支出来并在第二方向D2上延伸的至少一个第一电极分支部310B。虽然在附图中未示出,但是第一电极主干部310S的一端可以连接到信号施加垫(pad,或称为“焊盘”),其另一端可以在第一方向D1上延伸并且从像素到像素PX电断开。信号施加垫可以连接到显示装置10或外部电源以向第一电极主干部310S施加电信号或者施加AC电力以使发光元件350对准。
像素的第一电极主干部310S可以与在同一行中(例如,在第一方向D1上)与该像素相邻的像素的第一电极主干部310S基本上成一直线。换言之,像素的第一电极主干部310S的两端终止于该像素与相邻的像素PX之间并与其分开,并且相邻的像素的第一电极主干部310S可以与像素的第一电极主干部310S成一直线。第一电极主干部310S可以在制造工艺期间形成为单个主干电极,然后可以在发光元件350对准之后利用激光等切割。因此,设置在像素PX中的每个中的第一电极主干部310S可以向不同的第一电极分支部310B施加不同的电信号,使得第一电极分支部310B可以被单独地驱动。
第一电极分支部310B可以从第一电极主干部310S的至少一部分分支出来以在第二方向D2上延伸,并且可以在与被定位为与第一电极主干部310S相对的第二电极主干部320S间隔开的同时终止。也就是说,在像素PX中,第一电极分支部310B的一端可以连接到第一电极主干部310S,第一电极分支部310B的另一端可以与第二电极主干部320S间隔开。因为第一电极分支部310B连接到从像素到像素电分离的第一电极主干部310S,所以不同的像素PX可以接收不同的电信号。
另外,第一电极分支部310B可以与稍后将描述的第二电极分支部320B和第三电极330间隔开。虽然在图1中仅示出了一个第一电极分支部310B,但是可以设置多于一个的第一电极分支部310B。在这样的情况下,第一电极分支部310B中的一些可以与第一电极主干部310S电分离以形成稍后将描述的第三电极330。下面将给出其更详细的描述。
第二电极320可以包括第二电极主干部320S至少一个第二电极分支部320B,第二电极主干部320S在第一方向D1上延伸且与第一电极主干部310S间隔开并且被定位为与第一电极主干部310S相对,至少一个第二电极分支部320B从第二电极主干部320S分支出来且在第二方向D2上延伸并且与第一电极分支部310B间隔开且面对第一电极分支部310B。与第一电极主干部310S一样,第二电极主干部320S的端部可以连接到信号施加垫。要注意的是,第二电极主干部320S的另一端可以在第一方向D1上遍及彼此相邻的多个像素PX延伸。也就是说,第二电极主干部320S可以电连接在像素PX之间。因此,像素中的第二电极主干部320S的两端连接到两侧上的相邻的像素的端部,使得相同的电信号可以施加到像素。
第二电极分支部320B可以从第二电极主干部320S的至少一部分分支出来以在第二方向D2上延伸,并且可以在与第一电极主干部310S间隔开的同时终止。也就是说,在像素PX中,第二电极分支部320B的一端可以连接到第二电极主干部320S,第二电极分支部320B的另一端可以与第一电极主干部310S间隔开。因为第二电极分支部320B连接到从像素到像素电连接的第二电极主干部320S,所以不同的像素PX可以接收相同的电信号。
另外,第二电极分支部320B可以与第一电极分支部310B和第三电极330间隔开。因为第一电极主干部310S和第二电极主干部320S在每个像素PX的中心的相对侧上彼此间隔开并且被定位为彼此相对,所以第一电极分支部310B和第二电极分支部320B可以在相反的方向上延伸。换言之,第一电极分支部310B可以朝向在第二方向D2上的一侧延伸而第二电极分支部320B可以朝向在第二方向D2上的相对侧延伸,使得它们可以设置在相对于像素PX的中心的相对侧上。然而,将理解的是,本公开不限于此。第一电极主干部310S和第二电极主干部320S可以设置在像素PX的中心的同一侧上,并且可以彼此间隔开。在这样的情况下,分别从电极主干部310S和320S分支出来的第一电极分支部310B和第二电极分支部320B可以在相同的方向上延伸。
虽然在图1中仅示出了一个第二电极分支部320B,但是可以设置多于一个的第二电极分支部320B。在这样的情况下,与第一电极分支部310B一样,第二电极分支部320B中的一些可以与第二电极主干部320S电分离以形成稍后将描述的第三电极330。
至少一个第三电极330可以设置在第一电极分支部310B与第二电极分支部320B之间。第三电极330可以具有与第一电极分支部310B或第二电极分支部320B基本上相同的形状并且面对它们。第三电极330可以在第二方向D2上延伸,并且其两端可以被终止,使得它们与第一电极主干部310S和第二电极主干部320S在第二方向D2上间隔开。也就是说,第三电极330可以与电极主干部310S和320S电分离。在示例性实施例中,第三电极330可以是没有电信号从电极主干部310S和320S直接施加于其的浮置电极。然而,将理解的是,本公开不限于此。
第三电极330可以与第一电极分支部310B和第二电极分支部320B相等地间隔开。也就是说,第三电极330可以在第一电极分支部310B与第二电极分支部320B之间具有恒定的宽度。稍后描述的发光元件350布置在第一电极分支部310B与第三电极330之间以及第三电极330与第二电极分支部320B之间。第三电极330可以以恒定间距间隔开,使得发光元件350可以连接到第一电极分支部310B或第二电极分支部320B和第三电极330。然而,将理解的是,本公开不限于此。当在第一方向D1上测量的第三电极330的长度足够长时,第三电极330可以不必与第一电极分支部310B和第二电极分支部320B相等地间隔开。
在附图中,第三电极330的一端与第一电极分支部310B的一端对齐,第三电极330的另一端与第二电极分支部320B的一端对齐。例如,当设置多个第三电极330时,第三电极330可以在第一方向D1上与第一电极分支部310B和第二电极分支部320B基本上对齐。然而,将理解的是,本公开不限于此。在一些示例性实施例中,第三电极330的两端中的至少一端可以从第一电极分支部310B和第二电极分支部320B的端部突出。在这样的情况下,多个第三电极330可以布置在第一电极分支部310B与第二电极分支部320B之间,并且第三电极330中的一些的两端可以不与端部对齐而可以从端部突出。
这样的第三电极330可以与第一电极分支部310B和第二电极分支部320B分离地形成,但是本公开不限于此。在一些示例性实施例中,第三电极330可以形成为与第一电极分支部310B或第二电极分支部320B基本上相同,然后可以在随后的断开工艺期间分离,使得它们可以与第一电极分支部310B和第二电极分支部320B分离。具体地,第三电极330中的一些可以电连接到第一电极主干部310S或第二电极主干部320S,然后可以通过激光等断开。下面将给出对其的更详细的描述。
多个发光元件350可以布置在第一电极分支部310B与第三电极330之间以及第三电极330与第二电极分支部320B之间。具体地,多个发光元件350中的一些可以具有电连接到第一电极分支部310B的一端和电连接到第三电极330的面对第一电极分支部310B的一侧的另一端。另外,多个发光元件350中的一些可以具有电连接到第三电极330的面对第二电极分支部310B的另一侧的一端和电连接到第二电极分支部320B的另一端。
接触电极360可以设置在连接到发光元件350的第一电极分支部310B、第二电极分支部320B和第三电极330上。接触电极360可以与发光元件350接触,使得发光元件350可以电连接到电极分支部310B和320B或第三电极330。接触电极360可以至少与发光元件350中的每个的两端上的侧部分接触。因此,发光元件350均可以接收电信号以发射特定颜色的光。
在一些示例性实施例中,发光元件350中的每个的与第一电极分支部310B或第三电极330的另一侧部分接触的一端可以是n型或p型掺杂的导电材料层,而发光元件350中的每个的与第三电极330的一侧或第二电极分支部320B接触的另一端可以是p型或n型掺杂的导电材料层。然而,将理解的是,本公开不限于此。
多个发光元件350可以彼此平行地布置。发光元件350可以彼此相等地间隔开。然而,将理解的是,本公开不限于此。在一些实施方式中,发光元件350中的一些可以被设置为彼此靠近以形成组,并且发光元件350中的一些其它发光元件350可以被设置为彼此靠近以形成与所述组间隔开的另一组。可选地,发光元件350可以被布置为使得其在一方向上定向为具有不均一的密度。
如上所述,多个发光元件350可以布置在第一电极分支部310B与第三电极330之间以及第三电极330与第二电极分支部320B之间,使得多个发光元件350可以彼此电连接。第一电极分支部310B与第二电极分支部320B之间的距离可以比发光元件350的较长的轴的长度大,而第三电极330与第一电极分支部310B之间的距离以及第三电极330与第二电极分支部320B之间的距离可以比发光元件350的较长的轴的长度小。然而,将理解的是,本公开不限于此。
设置在第三电极330与第一电极分支部310B之间的发光元件350可以串联地电连接到在第三电极330与第二电极分支部320B之间的发光元件350。发光元件350可以一组接一组地布置在像素PX中,使得它们可以形成串联连接。因为当发光元件350并联连接时施加到发光元件350的电压更大,所以能够提高分压效率。另外,因为驱动串联连接的发光元件350所需的电流量减小,所以能够减小用于向发光元件350施加电流的驱动晶体管的容量,并且能够减小由于电力供应线引起的功率损耗。结果,能够在驱动显示装置10时提高电压效率和发光效率。
如图1中所示,第一电极主干部310S和第二电极主干部320S可以分别通过接触孔(例如,第一接触孔CNTD和第二接触孔CNTS)电连接到下面将描述的薄膜晶体管120或电力供应线161(例如,如图4中所示)。虽然在第一电极主干部310S和第二电极主干部320S上的接触孔形成在像素PX中的每个中,但是本公开不限于此。因为第二电极主干部320S可以如上所述地延伸并电连接到相邻的像素PX,所以在一些示例性实施例中,第二电极主干部320S可以通过单个接触孔电连接到薄膜晶体管。
图2是图1的显示装置的单个像素的等效电路图。虽然在图2中未示出,但是显示装置10可以包括多个像素PX。作为示例,图2示出了第i行第j列处的像素PX(i,j)。
参照图2,显示装置10的像素PX(i,j)可以包括第i扫描线SLi、第j数据线DLj、第一开关元件TR1、第二开关元件TR2、发光元件350和存储电容器Cst。
第一开关元件TR1可以电连接到第i扫描线SLi、第j数据线DLj和第二开关元件TR2。在示例性实施例中,第一开关元件TR1和第二开关元件TR2可以是诸如薄膜晶体管的三端子元件。在下面的描述中,假设第一开关元件TR1和第二开关元件TR2是薄膜晶体管。
第一开关元件TR1可以包括电连接到第i扫描线SLi的控制电极、电连接到第j数据线DLj的电极以及电连接到第二开关元件TR2的控制电极的另一电极。
第二开关元件TR2可以包括电连接到第一开关元件TR1的所述另一电极的控制电极、电连接到经由其施加第一驱动电压VDD的第一电力供应线VDDL的电极以及电连接到发光元件350的另一电极。
存储电容器Cst的一个电极可以电连接到第一开关元件TR1的所述另一电极,并且存储电容器Cst的另一电极可以电连接到经由其供应第一驱动电压VDD的第一电力供应线VDDL。
第一开关元件TR1可以响应于从第i扫描线SLi供应的扫描信号Si而导通,并且可以向存储电容器Cst提供从第j数据线DLj供应的数据信号Dj。存储电容器Cst可以充有等于接收的数据信号Dj的电压与第一驱动电压VDD之间的差的电压。第二开关元件TR2可以根据存储电容器Cst中充入的电压来控制供应到发光元件350的驱动电流的量。也就是说,第一开关元件TR1可以是开关晶体管,第二开关元件TR2可以是驱动晶体管。
发光元件350的连接到第一电极310的一端可以电连接到第二开关元件TR2的另一电极。发光元件350可以通过第二开关元件TR2的另一电极接收电流。发光元件350的连接到第二电极320的另一端可以电连接到第二电力供应线VSSL,使得可以施加第二供应电压VSS。第一驱动电压VDD的电平可以比第二供应电压VSS的电平高。
如图2中所示,发光元件350可以串联连接在第二开关元件TR2与经由其施加第二供应电压VSS的第二电力供应线VSSL之间。如图2中所示,串联连接的发光元件350的数量没有具体限制。将理解的是,可以串联连接更多数量的发光元件350。因此,可以在发光元件350之中更有效地划分用于驱动发光元件350的第一驱动电压VDD和第二供应电压VSS。另外,流过第二开关元件TR2的电流随着发光元件350串联连接而减小,因此更容易设计薄膜晶体管的容量。因为电流的大小减小,所以能够减小在电力供应线或第一电力供应线VDDL和第二电力供应线VSSL上的功率损耗。
在图2中示出的示例中,显示装置10包括两个开关元件(即,第一开关元件TR1和第二开关元件TR2)和单个电容器(即,存储电容器Cst)。然而,将理解的是,本公开不限于此。在一些示例性实施例中,显示装置10可以包括更多数量的开关元件。在下文中,将参照图3描述根据另一示例性实施例的显示装置10的等效电路图。
图3是根据本公开的另一示例性实施例的显示装置的像素的等效电路图。作为示例,图3示出了第i行第j列处的像素PX(i,j)。
参照图3,显示装置10的像素PX(i,j)可以包括第i扫描线SLi、第i-1扫描线SLi-1、第j数据线DLj、第i发射控制线Ei、第一开关元件TR1至第七开关元件TR7、发光元件350和存储电容器Cst。
发光元件350的连接到第一电极310的一端可以电连接到第五开关元件TR5的一个电极和第七开关元件TR7的一个电极。发光元件350可以通过第五开关元件TR5的电极和第七开关元件TR7的电极接收电流。发光元件350的连接到第二电极320的另一端可以电连接到第二电力供应线VSSL,使得第二供应电压VSS可以被施加。
第一开关元件TR1的一个电极电连接到第一节点N1,第一开关元件TR1的另一电极电连接到第二节点N2。第一开关元件TR1的栅电极通过第三节点N3电连接到存储电容器Cst的一端。第一开关元件TR1经由第五开关元件TR5电连接到发光元件350的一端。第一开关元件TR1可以接收第j数据线DLj的数据信号,并且根据第二开关元件TR2的开关操作向发光元件350供应电流。
第二开关元件TR2的一个电极电连接到第j数据线DLj,第二开关元件TR2的另一电极电连接到第一节点N1。第二开关元件TR2的栅电极电连接到第i扫描线SLi。第二开关元件TR2的另一电极电连接到第一节点N1,第一节点N1通过第四开关元件TR4电连接到第一电力供应线VDDL。第二开关元件可以响应于第i扫描线SLi上的扫描信号而导通,并且可以执行开关操作以向第一开关元件TR1传输传输到第j数据线DLj的数据信号。
第三开关元件TR3的一个电极电连接到第二节点N2,第三开关元件TR3的另一电极电连接到第三节点N3。第三开关元件TR3的栅电极电连接到第i扫描线SLi。当扫描信号施加到第i扫描线SLi时,第三开关元件TR3导通并且第一开关元件TR1二极管连接。
第四开关元件TR4的一个电极电连接到第一电力供应线VDDL以接收第一驱动电压VDD。第四开关元件TR4的另一电极电连接到第一节点N1,第四开关元件TR4的栅电极电连接到第i发射控制线Ei。
第五开关元件TR5的一个电极电连接到第二节点N2,第五开关元件TR5的另一电极电连接到发光元件350的一端。第五开关元件TR5的栅电极电连接到第i发射控制线Ei。第四开关元件TR4和第五开关元件TR5根据经由第i发射控制线Ei传输的发射控制信号而同时导通,使得第一驱动电压VDD施加到发光元件350,从而允许驱动电流流过发光元件350。
第六开关元件TR6的一个电极电连接到第三节点N3,第六开关元件TR6的另一电极被供应有初始化电压Vinit。第六开关元件TR6的栅电极电连接到第i-1扫描线SLi-1。因为扫描信号被顺序地供应到扫描线SL,所以扫描信号可以被供应到第i-1扫描线SLi-1,然后供应到第i扫描线SLi。第六开关元件TR6响应于经由第i-1扫描线SLi-1传输的扫描信号而导通,以向第一开关元件TR1的栅电极传输初始化电压Vinit,从而使第一开关元件TR1的栅电极的电压初始化。
第七开关元件TR7的一个电极电连接到发光元件350的一端,第七开关元件TR7的另一电极被供应有初始化电压Vinit。第七开关元件TR7的栅电极电连接到第i-1扫描线SLi-1。第七开关元件TR7可以响应于扫描信号而导通,以使发光元件350的一端初始化。
第一开关元件TR1至第七开关元件TR7可以是薄膜晶体管。在第一开关元件TR1至第七开关元件TR7中的每个中,一个电极可以是源电极或漏电极,另一个电极可以是漏电极或源电极。
存储电容器Cst的一端可以电连接到第一电力供应线VDDL以接收第一驱动电压VDD,另一端可以电连接到第三节点N3。
在下文中,将参照图4更详细地描述设置在显示装置10中的多个元件。
图4是沿着图1的线I-I'截取的剖视图。虽然图4仅示出了一个像素PX,但是将理解的是,该描述也可以等同地应用于其他像素。
参照图1和图4,显示装置10可以包括基底110、设置在基底110上的薄膜晶体管120和140、设置在薄膜晶体管120和140上方的电极310、320和330以及发光元件350。薄膜晶体管可以包括第一薄膜晶体管120和第二薄膜晶体管140,第一薄膜晶体管120和第二薄膜晶体管140可以分别是驱动晶体管和开关晶体管。薄膜晶体管120和140中的每个可以具有有源层、栅电极、源电极和漏电极。第一电极310可以电连接到第一薄膜晶体管120的漏电极。
更具体地,基底110可以是绝缘基底。基底110可以由诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料制成。聚合物材料的示例可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PA)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙酯(polyallylate)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(CAT)、乙酸丙酸纤维素(CAP)或其组合。基底110既可以是刚性基底也可以是可以弯曲、折叠或卷曲的柔性基底。
缓冲层115可以设置在基底110上。缓冲层115可以防止杂质离子扩散,可以防止湿气或外部空气的渗透,并且可以提供平坦的表面。缓冲层115可以包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等。
半导体层设置在缓冲层115上。半导体层可以包括第一薄膜晶体管120的第一有源层126、第二薄膜晶体管140的第二有源层146和辅助层163。半导体层可以包括多晶硅、单晶硅、氧化物半导体等。
第一栅极绝缘层170设置在半导体层上。第一栅极绝缘层170覆盖半导体层。第一栅极绝缘层170可以用作薄膜晶体管的栅极绝缘层。第一栅极绝缘层170可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛等。它们可以单独使用或组合使用。
第一导电层设置在第一栅极绝缘层170上。第一导电层可以包括分别设置在第一薄膜晶体管120的第一有源层126上、第二薄膜晶体管140的第二有源层146上和辅助层163上的第一栅电极121、第二栅电极141和电力供应线161,且第一栅极绝缘层170位于它们之间。第一导电层可以包括选自由钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)组成的组中的至少一种金属。第一导电层可以由单层或多层构成。
第二栅极绝缘层180设置在第一导电层上。第二栅极绝缘层180可以是层间介电层。第二栅极绝缘层180可以由诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铪、氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化锌的无机绝缘材料制成。
第二导电层设置在第二栅极绝缘层180上。第二导电层包括设置在第一栅电极121上方的电容器电极128且它们之间具有第二栅极绝缘层180。电容器电极128可以与第一栅电极121形成存储电容器。
与上面描述的第一导电层一样,第二导电层可以包括选自由钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)组成的组中的至少一种金属。
层间介电层190设置在第二导电层上。层间介电层190可以是层间介电膜。层间介电层190还可以提供平坦的表面。层间介电层190可以包括有机绝缘材料,诸如聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯(BCB)。
第三导电层设置在层间介电层190上。第三导电层包括第一薄膜晶体管120的第一漏电极123和第一源电极124、第二薄膜晶体管140的第二漏电极143和第二源电极144以及设置在电力供应线161上的电力供应电极162。
第一源电极124和第一漏电极123可以分别通过穿透层间介电层190、第二栅极绝缘层180的第一接触孔129电连接到第一有源层126。第二源电极144和第二漏电极143可以分别通过穿透层间介电层190、第二栅极绝缘层180和第一栅极绝缘层170的第二接触孔149电连接到第二有源层146。电力供应电极162可以通过穿透层间介电层190和第二栅极绝缘层180的第三接触孔169电连接到电力供应线161。
第三导电层可以包括选自由铝(Al)、钼(Mo)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)组成的组中的至少一种金属。第三导电层可以由单个膜或多个膜构成。例如,第三导电层可以具有Ti/Al/Ti、Mo/Al/Mo、Mo/AlGe/Mo和Ti/Cu的堆叠结构。
绝缘基底层300设置在第三导电层之上。绝缘基底层300可以由诸如聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯(BCB)的有机绝缘材料制成。绝缘基底层300的表面可以是平坦的。
多个像素限定层410、420和430可以设置在绝缘基底层300上。像素限定层410、420和430可以设置在像素PX中的每个中,并且可以彼此间隔开。第一电极310、第二电极320和第三电极330可以分别设置在第一像素限定层410、第二像素限定层420和第三像素限定层430上。在图1和图4中示出的示例中,三个像素限定层410、420和430设置在一个像素PX中,并且布置有第一电极310、第二电极320和第三电极330。
然而,将理解的是,本公开不限于此。更多数量的像素限定层410、420和430可以设置在一个像素PX中。例如,当更多数量的第三电极330设置在第一电极310与第二电极320之间时,像素PX可以具有更多数量的像素限定层。像素限定层410、420和430可以包括其上设置有第一电极310的至少一个第一像素限定层410、其上设置有第二电极320的至少一个第二像素限定层420以及其上设置有第三电极330的至少一个第三像素限定层430。在这样的情况下,第一像素限定层410和第二像素限定层420可以彼此间隔开,并且多个第三像素限定层430可以设置在它们之间。又例如,第一像素限定层410、第二像素限定层420和第三像素限定层430可以交替地布置在一个方向上。在一些示例性实施例中,两个第一像素限定层410可以被设置为彼此分开,一个第二像素限定层420可以设置在第一像素限定层410之间,并且至少一个第三像素限定层430可以设置在第一像素限定层410中的每个与第二像素限定层420之间。
多个像素限定层410、420和430可以经由单个工艺由基本上相同的材料制成。在这样的情况下,像素限定层410、420和430可以形成单个网格图案。像素限定层410、420和430可以包括聚酰亚胺(PI)。
虽然在附图中未示出,但是多个像素限定层410、420和430中的至少一些可以设置在像素PX之间的边界处,以便彼此区分。这样的像素限定层也可以与上面描述的第一像素限定层410、第二像素限定层420和第三像素限定层430一起以大致网格图案设置。设置在像素PX之间的边界处的像素限定层410、420和430中的至少一些可以形成为覆盖显示装置10的电极线。
反射层311、321和331可以设置在像素限定层410、420和430上。
第一反射层311覆盖第一像素限定层410,并且通过穿透绝缘基底层300的第四接触孔319_1电连接到第一薄膜晶体管120的第一漏电极123。第二反射层321覆盖第二像素限定层420,并且通过穿透绝缘基底层300的第五接触孔319_2电连接到电力供应电极162。第三反射层331覆盖第三像素限定层430,且其两端与第一反射层311和第二反射层321间隔开。与第一反射层311和第二反射层321不同,第三反射层331不通过接触孔连接到任何一个薄膜晶体管。
第一反射层311可以在像素PX中通过第四接触孔319_1电连接到第一薄膜晶体管120的第一漏电极123。因此,第一薄膜晶体管120可以设置在与像素PX叠置的区域中。在图1中示出的示例中,第一反射层311通过形成在第一电极主干部310S上的第一电极接触孔CNTD电连接到第一薄膜晶体管120。也就是说,第一电极接触孔CNTD可以是第四接触孔319_1。
第二反射层321也可以在像素PX中通过第五接触孔319_2电连接到电力供应电极162。在图4中,第二反射层321在一个像素PX中通过第五接触孔319_2连接。图1示出了每个像素PX的第二电极320通过第二电极主干部320S上的多个第二电极接触孔CNTS电连接到电力供应线161。也就是说,第二电极接触孔CNTS可以是第五接触孔319_2。然而,将理解的是,本公开不限于此。例如,在图1中,第二电极接触孔CNTS可以形成在第二电极主干部320S上的各个位置处,并且在一些实施方式中,第二电极接触孔CNTS可以位于第二电极分支部320B上。此外,在一些示例性实施例中,第二反射层321可以在除了一个像素PX之外的区域中连接到一个第二电极接触孔CNTS或第五接触孔319_2。
图5是根据本公开的另一示例性实施例的显示装置的平面图。图6是沿着图5的线II-II'和III-III'截取的剖视图。
可以存在未设置发光元件350的非发射区域,例如,在除了设置有显示装置10的像素PX的发射部分之外的区域中(例如,在像素PX的外侧上)。如上所述,每个像素PX的第二电极320可以通过第二电极主干部320S彼此电连接以接收相同的电信号。
参照图5和图6,在一些示例性实施例中,第二电极320的第二电极主干部320S可以通过位于显示装置10的外侧部分上的非发射区域中的第二电极接触孔CNTS电连接到电力供应电极162。与图1中示出的显示装置10不同,即使第二电极主干部320S通过一个接触孔连接到电力供应电极162,但是因为第二电极主干部320S延伸到相邻的像素PX并且电连接到相邻的像素PX,所以能够向每个像素PX的第二电极分支部320B施加相同的电信号。对于显示装置10的第二电极320,用于从电力供应电极162接收电信号的接触孔的位置可以根据显示装置10的结构而改变。然而,这仅仅是说明性的。
返回参照图1和图4,反射层311、321和331可以包括具有高反射率的材料以反射从发光元件350发射的光。例如,反射层311、321和331可以包括但不限于诸如银(Ag)和铜(Cu)的材料。
多个像素限定层410、420和430中的至少一部分可以从绝缘基底层300突出。像素限定层410、420和430可以从其上设置有发光元件350的平面向上突出,并且突出部分的至少一部分可以具有倾斜度。以倾斜突出的像素限定层410、420和430可以反射入射在设置在其上的反射层311、321和331上的光。从发光元件350指向到反射层311、321和331的光可以被反射离开反射层311、321和331并且朝向显示装置10的外部(例如,像素限定层410、420和430上方)传输。
第一电极层312、第二电极层322和第三电极层332可以分别设置在第一反射层311、第二反射层321和第三反射层331上。
第一电极层312直接设置在第一反射层311上。第一电极层312可以具有与第一反射层311基本上相同的图案。第二电极层322直接设置在第二反射层321上。第二电极层322可以具有与第二反射层321基本上相同的图案。第三电极层332直接设置在第三反射层331上,并且与第一电极层312和第二电极层322间隔开。第三电极层332可以具有与第三反射层331基本上相同的图案。
在示例性实施例中,电极层321、322和332可以分别覆盖其下的反射层311、321和331。也就是说,电极层321、322和332可以比反射层311、321和331大,以覆盖电极层321、322和332的端部的侧表面。然而,将理解的是,本公开不限于此。
第一电极层312和第二电极层322可以向将在下面描述的接触电极传输分别传输到与第一薄膜晶体管120和电力供应电极162连接的第一反射层311和第二反射层321的电信号。电极层312、322和332可以包括透明导电材料。例如,电极层312、322和332可以包括但不限于诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟锡锌(ITZO)的材料。在一些示例性实施例中,反射层311、321和331以及电极层312、322和332中的每个可以具有其中诸如ITO、IZO和ITZO的至少一个透明导电层以及诸如银和铜的至少一个金属层彼此堆叠的结构。例如,反射层311、321和331以及电极层312、322和332可以形成ITO/银(Ag)/ITO的堆叠结构。
设置在第一像素限定层410上的第一反射层311和第一电极层312形成第一电极310。第一电极310可以突出到从第一像素限定层410的两端延伸的区域,使得第一电极310可以与绝缘基底层300接触。设置在第二像素限定层420上的第二反射层321和第二电极层322形成第二电极320。第二电极320可以突出到从第二像素限定层420的两端延伸的区域,使得第二电极320可以与绝缘基底层300接触。设置在第三像素限定层430上的第三反射层331和第三电极层332形成第三电极330。第三电极330可以突出到从第三像素限定层430的两端延伸的区域,使得第三电极330可以与绝缘基底层300接触。
第一电极310、第二电极320和第三电极330被布置为覆盖第一像素限定层410、第二像素限定层420和第三像素限定层430的整个区域。如上所述,第一电极310可以与第三电极330间隔开并面对第三电极330,第三电极330可以与第二电极320间隔开并面对第二电极320。将在下面详细描述的第一绝缘层381可以设置在彼此间隔开的电极之间,发光元件350可以设置在第一绝缘层381上。
因为第一反射层311可以从第一薄膜晶体管120接收驱动电压,并且第二反射层321可以从电力供应线161接收供应电压,所以第一电极310和第二电极320分别接收驱动电压和供应电压。如下面将描述的,第一电极310可以电连接到第一薄膜晶体管120,第二电极320可以电连接到电力供应线161。因此,分别设置在第一电极310和第二电极320上的第一接触电极361和第二接触电极362可以接收驱动电压和供应电压。设置在第一电极310与第二电极320之间的第三电极330可以通过设置在第三电极330上的第三接触电极363向发光元件350传输驱动电压和供应电压,使得电流在发光元件350中流动以发光。
第一绝缘层381设置在第一电极310、第二电极320和第三电极330的一部分上。第一绝缘层381可以设置在第一电极310与第三电极330之间以及第三电极330与第二电极320之间的空间中。当从顶部观看时,第一绝缘层381可以具有沿着第一电极分支部310B、第二电极分支部320B和第三电极330之间的空间形成的岛形形状或线形形状。
发光元件350设置在第一绝缘层381上。第一绝缘层381可以设置在发光元件350与绝缘基底层300之间。第一绝缘层381的下表面可以与绝缘基底层300接触,发光元件350可以设置在第一绝缘层381的上表面上。第一绝缘层381在两侧与电极310、320和330接触并且可以使它们彼此电绝缘。
第一绝缘层381可以与电极310、320和330中的每个的一部分(例如,在第一电极310和第三电极330彼此面对的方向上突出的区域以及在第三电极330和第二电极320彼此面对的方向上突出的区域)叠置。另外,第一绝缘层381可以设置在电极310、320和330上的区域之中的像素限定层410、420和430的倾斜侧表面上。因此,第一绝缘层381的下表面可以与绝缘基底层300以及电极310、320和330接触。第一绝缘层381的至少一个侧部分也可以与电极310、320和330中的每个接触。电极310、320和330的上表面的未设置有第一绝缘层381的部分可以被暴露。另外,第一绝缘层381可以设置为使得发光元件350的两侧被暴露。因此,下面描述的接触电极361、362和363可以与电极310、320和330的暴露的上表面以及发光元件350的两侧接触。
例如,第一绝缘层381可以覆盖第一电极310面对第三电极330以及第三电极330面对第二电极320的区域的上表面。第一绝缘层381保护与电极310、320和330叠置的区域,并且使它们彼此电绝缘。此外,第一绝缘层381防止发光元件350的第一导电型半导体层351和第二导电型半导体层352与其他基底接触,从而可以避免发光元件350的损坏。
至少一个发光元件350可以设置在第一电极310与第三电极330之间以及第三电极330与第二电极320之间。因此,多个发光元件350可以串联连接。图1示出了在每个像素PX中仅设置有发射相同颜色的光的发光元件350的示例。将理解的是,如之前提到的,用于发射不同颜色的光的发光元件350可以设置在一个像素PX中。
如上所述,第一电极310与第三电极330之间的距离以及第三电极330与第二电极320之间的距离可以小于或等于发光元件350的长度。因此,可以容易且可靠地实现发光元件350与第一电极310、第二电极320和第三电极330中的每个之间的电接触。
发光元件350可以是发光二极管。发光元件350可以是通常具有纳米级尺寸的纳米结构。发光元件350可以是由无机材料制成的无机发光二极管。当发光元件350是无机发光二极管时,通过将具有无机晶体结构的发光材料设置在两个相对的电极之间并且在横跨发光材料的方向上施加电场,无机发光二极管可以在具有极性的两个电极之间对准。
参照图4的放大圆圈,在一些示例性实施例中,发光元件350可以包括将在下面详细描述的第一导电型半导体层351、活性材料层353、第二导电型半导体层352和电极材料层357。发光元件350可以通过与绝缘基底层300平行地堆叠第一导电型半导体层351、活性材料层353、第二导电型半导体层352和电极材料层357来形成。换言之,其中堆叠有多个层的发光元件350可以与绝缘基底层300平行地设置在水平方向上。然而,将理解的是,本公开不限于此。发光元件350的层可以以相反的顺序彼此堆叠。
在示例性实施例中,发光元件350的第一导电型半导体层351可以电连接到第一电极310的一侧或第三电极330的面对第二电极320的一侧,发光元件350的第二导电型半导体层352或电极材料层357可以电连接到第三电极330或第二电极320的另一侧。稍后将更详细地描述发光元件350的构造。
第二绝缘层382可以设置在发光元件350上以保护发光元件350并将其固定在电极310、320和330之间。虽然在图4中未示出,但是第二绝缘层382可以设置在发光元件350的外表面上以固定它们。第二绝缘层382可以设置在发光元件350的外表面的一部分上,使得发光元件350的两个侧表面被暴露。具体地,第二绝缘层382的长度比发光元件350的长度小,使得第二绝缘层382可以从发光元件350的两侧向内凹入。因此,第一绝缘层381、发光元件350和第二绝缘层382的侧表面可以具有阶梯状形状。在这样的情况下,第二绝缘层382像第一绝缘层381一样设置,使得接触电极361、362和363可以与发光元件350的侧表面容易且可靠地接触。然而,将理解的是,本公开不限于此。第二绝缘层382的长度可以等于发光元件350的长度,并且两侧可以彼此对齐。
在第二绝缘层382上,可以设置第一接触电极361、第二接触电极362和第三接触电极363,第一接触电极361设置在第一电极310上并且与第二绝缘层382的至少一部分叠置,第二接触电极362设置在第二电极320上并且与第二绝缘层382的至少一部分叠置,第三接触电极363设置在第三电极330上并且与第一接触电极361和第二接触电极362间隔开。
第一接触电极361和第二接触电极362可以分别设置在第一电极310和第二电极320的上表面上。具体地,第一接触电极361和第二接触电极362可以设置在第一电极310和第二电极320的上表面上,以分别与第一电极层312和第二电极层322接触。第一接触电极361和第二接触电极362可以分别与发光元件350的第一导电型半导体层351和第二导电型半导体层352接触。因此,第一接触电极361和第二接触电极362可以向发光元件350传输施加到第一电极层312和第二电极层322的电信号。
第一接触电极361可以设置在第一电极310上并且部分地覆盖第一电极310。第一接触电极361的下表面可以与发光元件350、第一绝缘层381和第二绝缘层382中的每个的一部分接触。第一接触电极361的较靠近第三电极330的一端设置在第二绝缘层382上。第二接触电极362可以设置在第二电极320上并且部分地覆盖第二电极320。第二接触电极362的下表面可以与发光元件350、第一绝缘层381和第二绝缘层382中的每个的一部分接触。第二接触电极362的较靠近第三电极330的一端设置在第二绝缘层382上。
如图1中所示,第一接触电极361和第二接触电极362都不设置在形成在第一电极主干部310S中的第一电极接触孔CNTD和形成在第二电极主干部320S中的第二电极接触孔CNTS上。也就是说,第一接触电极361和第二接触电极362可以分别不与第一电极接触孔CNTD和第二电极接触孔CNTS叠置。然而,将理解的是,本公开不限于此。在一些实施方式中,第一接触电极361和第二接触电极362中的每个的一部分可以设置在第一电极310和第二电极320上,使得它们分别与第一电极接触孔CNTD和第二电极接触孔CNTS叠置。
第三接触电极363可以设置在第三电极330上并且部分地覆盖第三电极330。第三接触电极363的下表面可以与发光元件350、第一绝缘层381和第三绝缘层383中的每个的一部分接触。第三接触电极363的分别较靠近第一电极310和第二电极320的两端设置在第三绝缘层383上。
第一接触电极361和第二接触电极362可以在第二绝缘层382或第三绝缘层383上与第三接触电极363分开。具体地,第一接触电极361、第二接触电极362以及第三接触电极363和发光元件350一起与第二绝缘层382或第三绝缘层383接触,但是在堆叠方向上彼此间隔开并且在第二绝缘层382上彼此不连接。因此,第一接触电极361和第二接触电极362可以从第一薄膜晶体管120和电力供应线161接收不同的电力。例如,第一接触电极361可以从第一薄膜晶体管120接收施加到第一电极310的驱动电压,第二接触电极362可以从电力供应线161接收施加到第二电极320的供应电压。然而,将理解的是,本公开不限于此。
接触电极361、362和363可以包括导电材料。例如,接触电极可以包括ITO、IZO、ITZO、铝(Al)等。然而,将理解的是,本公开不限于此。
此外,接触电极361、362和363可以包括与电极层312、322和332相同的材料。接触电极361、362和363可以以与电极层312、322和332基本上相同的图案布置在电极层312、322和332上,以便与电极层312、322和332接触。例如,分别与第一电极层312和第二电极层322接触的第一接触电极361和第二接触电极362接收施加到第一电极层312和第二电极层322的电信号,以向发光元件350传输电信号。
第三绝缘层383可以设置在第一接触电极361和第二接触电极362上,使得第一接触电极361和第二接触电极362与第三接触电极363电绝缘。第三绝缘层383被设置为覆盖第一接触电极361和第二接触电极362,但是不与发光元件350的一部分叠置,使得发光元件350可以与第三接触电极363接触。第三绝缘层383可以在第二绝缘层382的上表面上与第一接触电极361、第二接触电极362和第二绝缘层382部分地接触。第三绝缘层383可以设置在第二绝缘层382的上表面上,使得其覆盖第一接触电极361和第二接触电极362的一端。因此,第三绝缘层383可以保护第一接触电极361和第二接触电极362并且使它们与第三接触电极363电绝缘。
第三绝缘层383的较靠近第三电极330的一端可以与第二绝缘层382的一侧对齐。
在一些示例性实施例中,可以从显示装置10中消除第三绝缘层383。然后,第一接触电极361、第二接触电极362和第三接触电极363可以设置在基本上相同的平面上,并且第一接触电极361、第二接触电极362和第三接触电极363可以通过钝化层385彼此电绝缘,这将在后面描述。将参照其它示例性实施例给出其更详细的描述。
钝化层385可以形成在第三绝缘层383和第三接触电极363之上,以保护设置在绝缘基底层300上的元件免受外部环境的影响。如果第一接触电极361、第二接触电极362和第三接触电极363被暴露,则电极可能被损坏,因此可能出现断开的问题。为了防止这种情况,设置钝化层385来覆盖它们。也就是说,钝化层385可以被设置为覆盖第一电极310、第二电极320、第三电极330、发光元件350等。如果如上所述第三绝缘层383被消除,则钝化层385可以形成在第一接触电极361、第二接触电极362和第三接触电极363上。在这样的情况下,钝化层385可以使第一接触电极361、第二接触电极362和第三接触电极363彼此电绝缘。
第一绝缘层381、第二绝缘层382、第三绝缘层383和钝化层385中的每个可以包括无机绝缘材料。例如,第一绝缘层381、第二绝缘层382、第三绝缘层383和钝化层385可以包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)和氮化铝(AlN)的材料。第一绝缘层381、第二绝缘层382、第三绝缘层383和钝化层385可以由相同的材料或不同的材料形成。此外,第一绝缘层381、第二绝缘层382、第三绝缘层383和钝化层385中的每个可以由具有绝缘特性的各种材料中的任何一种制成。
发光元件350可以通过外延技术形成在基底上。它可以通过在基底上形成用于形成半导体层的籽晶层,然后沉积期望的半导体材料来生长。在下文中,将参照图7至图9详细描述根据不同示例性实施例的发光元件350的结构。
图7是示出根据本公开的示例性实施例的发光元件的图。
参照图7,发光元件350可以包括多个半导体层351和352、设置在多个半导体层351和352之间的活性材料层353、电极材料层357以及绝缘材料层358。从第一电极310和第二电极320施加的电信号可以经由多个半导体层351和352传输到活性材料层353从而发光。
具体地,发光元件350可以包括第一导电型半导体层351、第二导电型半导体层352、设置在第一导电型半导体层351与第二导电型半导体层352之间的活性材料层353、设置在第二导电型半导体层352上的电极材料层357以及绝缘材料层358。在图7中示出的发光元件350中,第一导电型半导体层351、活性材料层353、第二导电型半导体层352和电极材料层357以该顺序在纵向方向上彼此堆叠。然而,将理解的是,本公开不限于此。可以消除电极材料层357。在一些示例性实施例中,电极材料层357可以设置在第一导电型半导体层351和第二导电型半导体层352中的至少一个上。在下文中,作为示例,将描述图7的发光元件350。
第一导电型半导体层351可以是n型半导体层。例如,当发光元件350发射蓝色波长带的光时,第一导电型半导体层351可以是具有下式的半导体材料:InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)。例如,第一导电型半导体层351可以是n型掺杂的InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种。第一导电型半导体层351可以掺杂有第一导电型掺杂剂。例如,第一导电型掺杂剂可以是Si、Ge、Sn等。第一导电型半导体层351的长度可以在1.5μm至5μm的范围内,但不限于此。
第二导电型半导体层352可以是p型半导体层。例如,当发光元件350发射蓝色波长带的光时,第一导电型半导体层352可以是具有下式的半导体材料:InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)。例如,第二导电型半导体层352可以是p型掺杂的InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种。第二导电型半导体层352可以掺杂有第二导电型掺杂剂。例如,第二导电型掺杂剂可以是Mg、Zn、Ca、Se、Ba等。第二导电型半导体层352的长度可以在0.08μm至0.25μm的范围内,但不限于此。
活性材料层353可以设置在第一导电型半导体层351与第二导电型半导体层352之间,并且可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。当活性材料层353包括具有多量子阱结构的材料时,量子层和阱层可以交替地堆叠在该结构中。响应于通过第一导电型半导体层351和第二导电型半导体层352施加的电信号,活性材料层353可以在电子-空穴对在活性材料层353中结合时发光。例如,当活性材料层353发射蓝色波长范围内的光时,活性材料层353可以包括诸如AlGaN和AlInGaN的材料。特别地,当活性材料层353具有其中量子层和阱层彼此交替堆叠的多量子阱结构时,量子层可以包括AlGaN或AlInGaN,阱层可以包括诸如GaN或AlGaN的材料。然而,将理解的是,本公开不限于此。活性材料层353可以具有其中具有大带隙能的半导体材料和具有小带隙能的半导体材料彼此交替堆叠的结构,并且根据发射的光的波长范围可以包括其它III族至V族半导体材料。因此,从活性材料层353发射的光不限于蓝色波长带的光。在一些实施方式中,活性材料层353可以发射红色波长带或绿色波长带的光。活性材料层353的长度可以在0.05μm至0.25μm的范围内,但不限于此。
从活性材料层353发射的光不仅可以通过发光元件350的在纵向方向上的外表面离开,而且可以通过两个侧表面离开。也就是说,其中从活性材料层353发射的光传播所沿的方向不限于一个方向。
电极材料层357可以是欧姆接触电极。然而,将理解的是,本公开不限于此。电极材料层357可以是肖特基接触电极(Schottky contact electrode)。电极材料层357可以包括具有导电性的金属。例如,电极材料层357可以包括铝(Al)、钛(Ti)、铟(In)、金(Au)和银(Ag)中的至少一种。电极材料层357可以包括相同的材料或者可以包括不同的材料。然而,将理解的是,本公开不限于此。
绝缘材料层358可以形成在发光元件350外部以保护发光元件350。例如,绝缘材料层358可以形成为围绕发光元件350的侧表面,并且不在发光元件350的在纵向方向上的两端处,例如,布置有第一导电型半导体层351和第二导电型半导体层352的位置处。然而,将理解的是,本公开不限于此。绝缘材料层358可以包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlN)和氧化铝(Al2O3)的具有绝缘特性的材料。因此,能够防止在活性材料层353与第一电极310或第二电极320接触时可能产生的电短路。此外,因为绝缘材料层358可以包括活性材料层353以保护发光元件350的外表面,所以能够防止发光效率的降低。
绝缘材料层358可以在纵向方向上延伸以从第一导电型半导体层351覆盖到电极材料层357。然而,将理解的是,本公开不限于此。绝缘材料层358可以仅覆盖第一导电型半导体层351、活性材料层353和第二导电型半导体层352,或者仅覆盖电极材料层357的一部分,使得电极材料层357的另一部分可以被暴露。
在一些示例性实施例中,绝缘材料层358可以经受表面处理,使得其分散在溶液中而不与另一绝缘材料层358团聚。在下面将描述的使发光元件350对准的工艺期间,发光元件350保持分散在溶液中以在第一电极310、第二电极320和第三电极330之间独立地对准。例如,绝缘材料层358的表面可以被处理为疏水的或亲水的,使得其可以保持分散在溶液中。
绝缘材料层358的厚度可以但不限于在0.5μm至1.5μm的范围内。
发光元件350可以是圆柱形的。将理解的是,发光元件350的形状不限于此,而是可以具有诸如立方体、长方体和六角形柱的各种形状。发光元件350的长度可以在1μm至10μm或2μm至5μm的范围内,并且优选地大约为4μm。发光元件350的直径可以在410nm至700nm的范围内,并且优选地为大约500nm。
在下文中,将参照图8至图10描述制造根据本公开的示例性实施例的显示装置10的方法。
图8至图10是示意性地示出制造根据本公开的示例性实施例的显示装置的方法的平面图。
参照图8,在绝缘基底层300上形成多个电极310、320和330。可以通过经由典型的掩模工艺使金属或有机材料图案化来形成多个电极310、320和330。
如上面参照图1描述的,第一电极主干部310S和第二电极主干部320S在第一方向D1上延伸并且彼此间隔且被定位成彼此相对。在图1中,从像素到像素PX第一电极主干部310S彼此电分离和间隔开。相反,在图8中,第一电极主干部310S的一端可以遍布多个相邻像素PX延伸。第一电极主干部310S和第二电极主干部320S中的每个的一端可以连接到信号施加垫PAD,使得可以施加AC电力以使发光元件350对准。
第一电极分支部310B和第二电极分支部320B分别从第一电极主干部310S和第二电极主干部320S分支出来,并且在第二方向D2上延伸。如上所述,第一电极分支部310B和第二电极分支部320B在彼此相反的方向上延伸,并且分别与第二电极主干部320S和第一电极主干部310S间隔开。
第三电极330与第一电极分支部310B和第二电极分支部320B间隔开并且在第二方向D2上延伸。如图1中所示,第三电极330基本上平行于第一电极分支部310B和第二电极分支部320B。将注意的是,因为第三电极330既不电连接到第一电极主干部310S也不电连接到第二电极主干部320S,所以从信号施加垫PAD施加的AC电力可以不直接传输到第三电极330。
也就是说,除了每个像素PX的第一电极主干部310S延伸以连接到相邻像素的第一电极主干部310S之外,图8的第一电极310和第二电极320与图1的第一电极310和第二电极320基本上相同。将不给出其详细描述。
随后,参照图9,发光元件350布置在电极310、320和330之间。
虽然在附图中未示出,但是在第一电极分支部310B与第二电极分支部320B之间涂敷包括发光元件350的溶液。然后,从连接到第一电极主干部310S和第二电极主干部320S中的每个的一端的信号施加垫PAD施加AC电力,以使发光元件350对准。
从信号施加垫PAD施加的AC电力可以形成由第一电极分支部310B与第二电极分支部320B之间的电场引起的电容。在涂敷的溶液中的发光元件350可以通过由电场引起的电容接收介电泳力(DEP力)。发光元件350可以通过DEP力在第一电极分支部310B与第三电极330之间和第三电极330与第二电极分支部320B之间对准。当发光元件350接收DEP力时,发光元件350的一端连接到第一电极分支部310B或第二电极分支部320B,并且发光元件350的另一端连接到第三电极330的相应的一侧。
通过电容施加到发光元件350的介电泳力可以使发光元件350在电极310、320和330之间具有一定的方向性。例如,发光元件350的第一导电型半导体层351可以连接到第一电极分支部310B或第三电极330的靠近第二电极分支部320B的一侧,第二导电型半导体层352可以连接到第二电极分支部320B或第三电极330的另一侧。然而,将理解的是,本公开不限于此。发光元件350可以在电极310、320和330之间在任何方向上对准。
上面已经参照图1描述了发光元件350的布置。
随后,参照图10,在使发光元件350在电极310、320和330之间对准之后,在电极310、320和330上形成接触电极360并使接触电极360与发光元件350接触。虽然在图10中未示出,但是如图4中所示,可以在电极310、320和330上设置多个绝缘层。如上所述,接触电极360可以分别与发光元件350中的每个的两侧以及在像素限定层410、420和430上的电极310、320和330中的每个的上表面接触。
最后,如图10中所示,在切割部分CB处切割第一电极主干部310S,使得第一电极主干部310S被电分离,从而可以制造图1的显示装置10。使第一电极主干部310S电分离的方法没有具体限制。例如,可以使用激光来切割第一电极310的位于切割部分CB处的部分。结果,第一电极主干部310S可以电分离并且在相邻像素PX之间彼此间隔开。
另外,第一电极310和第二电极320可以通过在第一电极主干部310S上的第一电极接触孔CNTD和在第二电极主干部320S上的第二电极接触孔CNTS电连接到第一薄膜晶体管120和电力供应电极162。因此,由驱动电压和供应电压引起的电流可以在第一电极310与第二电极320之间流动,使得布置在第一电极310与第三电极330之间和第三电极330与第二电极320之间的发光元件350可以串联连接。
如上所述,在根据本公开的示例性实施例的显示装置10中,第三电极330设置在第一电极分支部310B与第二电极分支部320B之间,使得发光元件350可以在电极之间对准以串联连接。因此,当驱动显示装置10时,能够提高分压效率,能够容易地设计薄膜晶体管的容量,并且能够改善由于线电阻引起的损耗。
在下文中,将描述根据本公开的另一示例性实施例的显示装置10。图11至图13是根据本公开的另一示例性实施例的显示装置的平面图。
参照图11和图12,显示装置10可以包括如上所述的多个第三电极330。图11的显示装置10_1可以包括在第一电极分支部310B_1与第二电极分支部320B_1之间的两个第三电极330_1。因此,发光元件350可以布置在第一电极310_1与第三电极330_1之间、第三电极330_1与第三电极330_1之间以及第三电极330_1与第二电极320_1之间。串联连接的发光元件350的数量可以是三个。图12的显示装置10_2包括六个第三电极330_2,并且串联连接的发光元件350的数量可以是七个。
与图1中所示的显示装置10相比,串联连接的发光元件350的数量可以根据第三电极330的数量而变化。当奇数个第三电极330包括在显示装置10的一个像素PX中时,在像素PX中可以存在偶数个串联连接的发光元件350。另一方面,当包括偶数个第三电极330时,可以存在奇数个串联连接的发光元件350。
换言之,当显示装置10的像素包括n个第三电极330时,串联连接的发光元件350的数量可以是n+1。串联连接的发光元件350的数量随着第三电极330的数量而增加,因此能够提高分压效率,并且能够进一步改善由于线电阻引起的功率损耗。
图13是根据本公开的又一示例性实施例的显示装置的平面图。
参照图13,显示装置10_3可以包括彼此间隔开的一个第二电极320_3和两个第一电极310_3,并且第二电极320_3可以设置在第一电极310_3之间。多个第三电极330_3可以设置在第一电极310_3与第二电极320_3之间。虽然图13示出了两个第三电极330_3设置在第一电极310_3与第二电极320_3之间的示例,但是本公开不限于此。
具体地,显示装置10_3可以包括从第一电极主干部310S_3分支出来的多个第一电极分支部310B_3。虽然在图13中示出的示例中两个第一电极分支部310B_3在一个像素PX中彼此间隔开,但是本公开不限于此。更多数量的第一电极分支部310B_3可以从第一电极主干部310S_3分支出来。
一个第二电极分支部320_B可以在一个像素PX中从第二电极主干部310S_3分支出来。第二电极分支部320B_3可以设置在两个第一电极分支部310B_3之间并且可以与它们相等地间隔开。换言之,第二电极分支部320B_3可以设置在彼此间隔开的第一电极分支部310B_3之间的中心处。因此,显示装置10_3的一个像素PX可以具有相对于第二电极分支部320B_3横向对称的结构。然而,将理解的是,本公开不限于此。第二电极分支部320B_3可以被设置为更靠近第一电极分支部310B_3中的一个,使得像素的结构可以是不对称的。
第三电极330_3可以设置在第二电极分支部320B_3与两个第一电极分支部310B_3之间。图13示出了两个第三电极分支部330B_3设置在第二电极分支部320B_3的任一侧上,使得四个第三电极330_3设置在一个像素PX中。然而,应当理解,本公开不限于此。将理解的是,可以设置更多数量的第三电极330_3。
发光元件350可以设置在第一电极分支部310B_3与第三电极330_3之间、第三电极330_3之间和第三电极330_3与第二电极分支部320B_3之间。为了便于示出,在图13中,设置在设置于第二电极分支部320B_3的左侧的第一电极分支部310B_3与第三电极330_3之间以及第三电极330_3与第二电极分支部320B_3之间的发光元件被称为第一发光元件队列350A_1。设置在设置于第二电极分支部320B_3的右侧的第一电极分支部310B_3与第三电极330_3之间以及第三电极330_3与第二电极分支部320B_3之间的发光元件被称为第二发光元件队列350A_2。
因为一个或更多个第三电极330_3设置在第二电极分支部320B_3的左侧,所以第一发光元件队列350A_1可以包括一个或更多个发光元件队列。因为一个或更多个第三电极330_3设置在第二电极分支部320B_3的右侧,所以第二发光元件队列350A_2可以包括一个或更多个发光元件队列。在第一发光元件队列350A_1和第二发光元件队列350A_2中的每个中,一个或更多个发光元件可以串联连接。在串联连接的发光元件队列中,电流可以从第一电极分支部310B_3经由第三电极330_3流到第二电极分支部320B_3。
另一方面,分别设置在第二电极分支部320B_3的左侧和右侧的第一发光元件队列350A_1和第二发光元件队列350A_2可以彼此并联连接。因为电流在第一发光元件队列350A_1和第二发光元件队列350A_2中的每个中从不同的第一电极分支部310B_3流到同一第二电极分支部320B_3,所以它们可以并联连接。换言之,根据本公开的本示例性实施例,显示装置10_3可以具有串-并联结构的发光元件队列。
如上所述,第三电极330可以与第一电极分支部310B或第二电极分支部320B基本上相同。在一些示例性实施例中,可以通过使第一电极分支部310B和第二电极分支部320B分别与第一电极主干部310S和第二电极主干部320S电分离来形成第三电极330。将参照图14和图19给出其更详细的描述。
图14是根据本公开的又一示例性实施例的显示装置的平面图。
参照图14,显示装置10_4可以包括第一电极主干部310S_4、第二电极主干部320S_4、第一电极分支部310B_4、第二电极分支部320B_4和第三电极330_4。第一电极主干部310S_4、第二电极主干部320S_4、第一电极分支部310B_4和第二电极分支部320B_4的布置和结构与参照图1描述的布置和结构相同。下面的描述将集中于不同之处。
第三电极330_4可以包括第三电极分支部330B_4和第三电极片段330G_4。
第三电极片段330G_4可以包括从第一电极主干部310S_4分支出来并且在与第三电极分支部330B_4间隔开的同时终止的第3-1电极片段330Ga_4以及从第二电极主干部320S_4分支出来并且在与第三电极分支部330B_4间隔开的同时终止的第3-2电极片段330Gb_4。
第三电极分支部330B_4可以包括与第3-1电极片段330Ga_4间隔开并且在第二方向D2上延伸以与第3-1电极片段330Ga_4对准的第3-1电极分支部330Ba_4以及与第3-2电极片段330Gb_4间隔开并且在第二方向D2上延伸以与第3-2电极片段330Gb_4对准的第3-2电极分支部330Bb_4。
总之,第3-1电极分支部330Ba_4可以在第二方向D2上延伸,并且可以在与第3-1电极片段330Ga_4和第二电极主干部320S_4间隔开的同时终止。第3-1电极分支部330Ba_4和第3-1电极片段330Ga_4可以延伸并彼此对准。第3-2电极分支部330Bb_4可以在第二方向D2上延伸,并且可以在与第3-2电极片段330Gb_4和第一电极主干部310S_4间隔开的同时终止。第3-2电极分支部330Bb_4和第3-2电极片段330Gb_4可以延伸并且彼此对准。
可以通过从第一电极主干部310S_4和第二电极主干部320S_4在第二方向D2上设置和延伸然后通过激光等与第一电极主干部310S_4和第二电极主干部320S_4电分离而形成第三电极330_4。也就是说,第三电极330_4可以与第一电极分支部310B_4和第二电极分支部320B_4基本上相同,但是可以与电极主干部310S_4和320S_4电分离。
图14的显示装置10_4与图1的显示装置10的不同之处在于,第三电极330_4可以进一步包括从第一电极主干部310S_4和第二电极主干部320S_4分支出来的电极片段330Ga_4和330Gb_4。也就是说,可以通过使第一电极分支部310B_4与第一电极主干部310S_4电分离来形成第3-1电极分支部330Ba_4和第3-1电极片段330Ga_4。可以通过使第二电极分支部320B_4与第二电极主干部320S_4电分离来形成第3-2电极分支部330Bb_4和第3-2电极片段330Gb_4。
然而,将理解的是,本公开不限于此。可以通过使第一电极分支部310B_4或第二电极分支部320B_4分别与电极主干部310S_4和320S_4电分离来形成所有的第三电极330_4。
像素PX中的每个的电极分支部可以在第一方向D1上平行地布置,但是其端部可以不彼此对准。例如,第3-1电极分支部330Ba_4的一端可以在第二方向D2上从第二电极分支部320B_4和第3-2电极分支部330Bb_4中的每个的一端突出。相反,第3-2电极分支部330Bb_4的一端可以在第二方向D2上从第一电极分支部310B_4和第3-1电极分支部330Ba_4中的每个的一端突出。也就是说,设置在每个像素PX中的多个电极分支部可以包括不与在第一方向D1上叠置的区域叠置而部分地突出的区域。然而,将理解的是,本公开不限于此。当形成第3-1电极分支部330Ba_4和第3-2电极分支部330Bb_4时,可以调整从第一电极主干部310S_4和第二电极主干部320S_4切断的区域,使得电极分支部中的每个的两端可以彼此对准。
发光元件350可以布置在第一电极分支部310B_4与第3-2电极分支部330Bb_4之间、第3-2电极分支部330Bb_4与第3-1电极分支部330Ba_4之间以及第3-1电极分支部330Ba_4与第二电极分支部320B_4之间。布置在电极分支部之间的发光元件350可以串联连接,使得它们可以在电流在第一电极分支部310B_4、第3-2电极分支部330Bb_4、第3-1电极分支部330Ba_4和第二电极分支部320B_4中流动时发光。
图15至图17是用于示出制造图14的显示装置的方法的平面图。
首先,参照图15,在显示装置10_4中,在绝缘基底层300上形成多个电极,例如,第一电极310_4和第二电极320_4。第一电极310_4和第二电极320_4分别包括电极主干部310S_4和320S_4以及电极分支部310B_4和320B_4。虽然图15示出了两个第一电极分支部310B_4和两个第二电极分支部320B_4,但是本公开不限于此。第一电极主干部310S_4、第二电极主干部320S_4、第一电极分支部310B_4和第二电极分支部320B_4的布置和结构与参照图14描述的布置和结构相同。第一电极分支部310B_4和第二电极分支部320B_4中的至少一些可以经由将在下面描述的后续工艺而用于形成第三电极分支部330B_4和第三电极片段330G_4。
随后,参照图16,在电极分支部310B_4和320B_4之间布置发光元件350。其详细描述基本上与上面参照图9给出的相同,因此,将省略冗余的描述。
随后,参照图17,在位于第一电极主干部310S_4、第二电极主干部320S_4、第一电极分支部310B_4和第二电极分支部320B_4上的切割部分CB处切割第一电极主干部310S_4、第二电极主干部320S_4、第一电极分支部310B_4和第二电极分支部320B_4。在切割部分CB处电分离的第一电极分支部310B_4和第二电极分支部320B_4可以形成第三电极分支部330B_4和第三电极片段330G_4。与图10中示出的示例不同,在图17中示出的示例中,第一电极分支部310B_4和第二电极分支部320B_4也在切割部分CB处电断开。也就是说,可以通过形成单独的电极或线来产生第三电极330_4,并且可以通过从电极主干310S_4和320S_4切割来形成第一电极分支部310B_4和第二电极分支部320B_4。
例如,相对于像素PX的中心位于外侧上的第一电极分支部310B_4和第二电极分支部320B_4可以分别电连接到第一电极主干部310S_4和第二电极主干部320S_4,以直接从第一电极主干部310S_4和第二电极主干部320S_4接收电信号。另一方面,相对于像素PX的中心位于内侧的第一电极分支部310B_4和第二电极分支部320B_4分别与第一电极主干部310S_4和第二电极主干部320S_4电分离,以形成第三电极分支部330B_4。在这样的情况下,从第一电极主干部310S_4和第二电极主干部320S_4分支出来的第三电极片段330G_4可以一起形成。然而,将理解的是,本公开不限于此。可以根据切割电极的方式来消除第三电极片段330G_4。
另外,第一电极310_4和第二电极320_4可以通过在第一电极主干部310S上的第一电极接触孔CNTD和在第二电极主干部320S上的第二电极接触孔CNTS分别电连接到第一薄膜晶体管120和电力供应电极162。
在下文中,将描述根据本公开的又一示例性实施例的显示装置。
图18和图19是根据本公开的另一示例性实施例的显示装置的平面图。
参照图18,如上所述,可以存在多个电极330。除了设置更多数量的第三电极分支部330B_5和更多数量的第三电极片段330G_5之外,图18的显示装置10_5与图14的显示装置10_4相同。在图18中,显示装置10_5的像素可以包括六个第三电极分支部330B_5,因此七个发光元件350串联连接。如上所述,随着对准的发光元件350的数量增加,能够改善显示装置的分压效率和由线电阻引起的功率损耗。将不描述图18中的显示装置10_5,因为图14中的显示装置10_2与图11中的显示装置10_2相同。
参照图19,显示装置10_6包括比图14的显示装置10_4多一个的第一电极分支部310B_6,并且显示装置10_6的电极具有相对于第二电极分支部320B_6对称的结构。因此,位于第二电极分支部320B_6的左侧的第一发光元件队列350A_1和位于第二电极分支部320B_6的右侧的第二发光元件队列350A_2中的每个可以包括串联连接的发光元件队列,并且可以彼此并联连接。其详细说明与上面参照图12给出的描述相同。
顺便提及,如前所述,第一电极310和第二电极320可以用作经由其施加用于使发光元件350对准的AC电力的线。另外,用于驱动显示装置10的电力可以经由电极施加,使得电信号可以施加到发光元件350。然而,将理解的是,本公开不限于此。第一电极310和第二电极320中的至少一个可以具有不同的线,所述线中的一条施加有AC电力以使发光元件350对准,所述线中的另一条施加有用于驱动显示装置10的电力。这将在下面详细描述。
图20是根据本公开的又一示例性实施例的显示装置的平面图。
参照图20,显示装置10_7的第一电极310_7包括第一电极主干部310S_7和从第一电极主干部310S_7分支出来的第一电极分支部310B_7。第一电极主干部310S_7和第一电极分支部310B_7与上面描述的图1的显示装置10的第一电极主干部310S和第一电极分支部310B和图14的显示装置10_4的第一电极主干部310S_4和第一电极分支部310B_4相同。将省略对其的详细描述。
第二电极320可以包括第二电极分支部320B'_7、第二电极片段320G'_7和第二电极线320S'_7。与图1中示出的示例不同,在图20的显示装置10_7中,第二电极分支部320B'_7从第一电极主干部310S_7分支出,并且经由稍后将描述的工艺电分离。也就是说,在制造显示装置10_7的工艺期间,第一电极分支部310B_7与第一电极主干部310S_7分离,使得可以形成第二电极分支部320B'_7和第二电极片段320G'_7。然而,将理解的是,本公开不限于此。第二电极分支部320B'_7可以由单独的线或电极形成。
第二电极分支部320B'_7可以在第二方向D2上延伸并且可以与第一电极分支部320B_7间隔开。第二电极分支部320B'_7的一端与第二电极片段320G'_7间隔开,并且第二电极分支部320B'_7的另一端可以电连接到在第一方向D1上延伸的第二电极线320S'_7。
第二电极片段320G'_7可以在第二方向D2上从第一电极主干部310S_7突出。第二电极片段320G'_7可以被设置成面对第二电极分支部320B'_7的终止端。也就是说,第二电极分支部320B'_7和第二电极片段320G'_7可以在第二方向D2上彼此对准。
第三电极330_7设置在第一电极分支部310B_7与第二电极分支部320B'_7之间。第三电极330_7的布置和结构与上面关于图1和图14描述的布置和结构相同。要注意的是,如稍后将描述的,第三电极330_7可以通过在制造显示装置10_7的工艺期间使第二电极分支部320B_7与第二电极主干部320B_7(见图21)电分离来形成。
第二电极线320S'_7可以在第一方向D1上延伸,并且可以与第一电极主干部320S_7间隔开。虽然在图20中未示出,但是第二电极线320S'_7可以设置在与第一电极主干部310S_7不同的线层中。因此,第二电极线320S'_7可以通过第二电极接触孔CNTS电连接到第二电极分支部320B'_7。第二电极线320S'_7可以连接到上面描述的电力供应线161,并且可以向第二电极分支部320B'_7施加供应电压。另一方面,第二电极主干部320S_7(见图21)可以在制造显示装置10_7的工艺期间被施加有用于使发光元件350对准的AC电压。也就是说,显示装置10_7可以包括两条不同的线(即,第二电极线320S'_7和第二电极主干部320S_7)以由此施加不同的电压。
发光元件350可以设置在第一电极分支部310B_7与第三电极330_7之间和第三电极330_7与第二电极分支部320B'_7之间。发光元件350中一些可以具有电连接到第一电极分支部310B_7的一端和连接到第三电极330_7的另一端。发光元件350中的另一些可以具有连接到电极330_7的一端和电连接到第二电极分支部320B'_7的另一端。因此,发光元件350可以串联连接在第一电极分支部310B_7与第二电极分支部320B'_7之间。发光元件350可以从通过第一电极接触孔CNTD而连接到第一薄膜晶体管120的第一电极主干部310S_7和通过第二电极接触孔CNTS而连接到第二电极线320S'_7的电力供应电极162的第二电极分支部320B'_7接收供应电压。
图21至图23是用于示出制造图20的显示装置的方法的平面图。
参照图21,在绝缘基底层300上形成第一电极主干部310S_7、第一电极分支部310B_7、第二电极主干部320S_7、第三电极330_7、第二电极分支部320B'_7和第二电极线320S'_7。
第一电极主干部310S_7和第一电极分支部310B_7与上面描述的第一电极主干部和第一电极分支部相同,因此,将省略冗余的描述。
第三电极330_7从第二电极主干部320S_7分支出来以在第二方向D2上延伸,并且与第一电极主干部310S_7分开。第三电极330_7与第一电极分支部310B_7间隔开,并且它们在第二方向D2上沿彼此相反的方向延伸。
第二电极分支部320B'_7从第一电极主干部310S_7分支出来以在第二方向D2上延伸并与第一电极分支部310B_7间隔开。第二电极分支部320B'_7可以在与第一电极分支部310B_7相同的方向上延伸。第二电极分支部320B'_7的端部可以比第一电极分支部310B_7的端部朝向第二电极主干部320S_7更突出。因为第二电极分支部320B'_7经由稍后将描述的工艺通过第二电极接触孔CNTS电连接到第二电极线320S'_7,所以当从顶部观看时,其可以覆盖第二电极线320S'_7。
第二电极线320S'_7在第一方向D1上延伸并且设置在第一电极主干部310S_7与第二电极主干部320S_7之间。第二电极线320S'_7可以设置在与第一电极主干部310S_7和第二电极主干部320S_7不同的线层中,并且可以通过下面将描述的第二电极接触孔CNTS电连接。
随后,参照图22,使一个或更多个发光元件350在第一电极分支部310B_7、第三电极330_7和第二电极分支部320B'_7之间对准。为了使发光元件350对准,AC电力被施加到第一电极主干部310S_7和第二电极主干部320S_7以形成由电极之间的电场引起的电容。发光元件350可以如上所述对准。
随后,参照图23,在第一电极分支部310B_7、第三电极330_7和第二电极分支部320B_7上形成接触电极360,以与发光元件350接触。可以在接触电极360上进一步形成上述元件。将省略对其的详细描述。
最后,如图23中所示,在切割部分CB处电分离第一电极主干部310S_7、第二电极分支部320B'_7、第三电极330_7和第二电极主干部320S_7。然后,第一电极主干部310S_7可以通过第一电极接触孔CNTD电连接到第一薄膜晶体管120,第二电极线320S'_7可以通过第二电极接触孔CNTS电连接到第二电极分支部320B'_7。另外,第二电极分支部320B'_7可以与第一电极主干部310S_7电分离,并且可以与第二电极片段320G'_7间隔开。第三电极330_3可以与第二电极主干部320S_7电分离。
因此,电流可以在第一电极分支部310B_7与第二电极分支部320B'_7之间流动。设置在第一电极分支部310B_7与第三电极330_7之间和第三电极330_7与第二电极分支部320B'_7之间的发光元件350可以串联连接。
在详细描述的最后,本领域技术人员将理解的是,在基本上不脱离本发明的原理的情况下,可以对优选实施例进行许多变化和修改。因此,所公开的发明的优选实施例仅在一般和描述性意义上使用,而不是为了限制的目的。
Claims (20)
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
第一电极主干部和第二电极主干部,在第一方向上延伸并且彼此间隔开;
至少一个第一电极分支部,从第一电极主干部分支出来并且在与第一方不同的第二方向上延伸;
第二电极分支部,从第二电极主干部分支出来并且在第二方向上延伸;
至少一个第三电极,设置在第一电极分支部与第二电极分支部之间;以及
一个或更多个发光元件,设置在第一电极分支部与第三电极之间和第三电极与第二电极分支部之间,
其中,第三电极在第二方向上延伸,并且第三电极的在第二方向上的两个端部分别与第一电极主干部和第二电极主干部间隔开。
2.根据权利要求1所述的显示装置,
其中,第一电极分支部在第二方向上与第二电极分支部相反地延伸。
3.根据权利要求2所述的显示装置,
其中,发光元件包括:
第一发光元件,设置在第一电极分支部与第三电极之间;以及
第二发光元件,设置在第三电极与第二电极分支部之间,
其中,第一发光元件和第二发光元件串联连接在第一电极分支部与第二电极分支部之间。
4.根据权利要求3所述的显示装置,
其中,第一发光元件的第一端连接到第一电极分支部,并且第一发光元件的第二端连接到第三电极,
其中,第一发光元件的第一端或第二端包括p型半导体层,并且第一发光元件的第二端或第一端包括n型半导体层,并且
其中,第一发光元件包括设置在p型半导体层与n型半导体层之间的活性层。
5.根据权利要求1所述的显示装置,
其中,显示装置包括从第一电极主干部分支出来的多个第一电极分支部,并且,
第二电极分支部设置在所述多个第一电极分支部之间。
6.根据权利要求5所述的显示装置,
其中,第三电极至少设置在第二电极分支部与设置在第二电极分支部的一侧的第一电极分支部之间和第二电极分支部与设置在第二电极分支部的相对侧的第一电极分支部之间。
7.根据权利要求6所述的显示装置,
其中,显示装置包括两个或更多个第三电极,其中,发光元件设置在第三电极中的相邻的第三电极之间。
8.根据权利要求7所述的显示装置,
其中,发光元件包括:
第三发光元件,电连接在第二电极分支部的所述一侧;以及
第四发光元件,电连接在第二电极分支部的所述相对侧,
其中,第三发光元件和第四发光元件并联连接在第二电极分支部的所述一侧与所述相对侧之间。
9.根据权利要求8所述的显示装置,
其中,所述多个第一电极分支部和所述多个第三电极相对于第二电极分支部对称地设置。
10.根据权利要求1所述的显示装置,
其中,第三电极包括:
第三电极片段,在第二方向上从第一电极主干部和第二电极主干部突出;以及
第三电极分支部,被设置为与第三电极片段间隔开,第三电极分支部从第三电极片段延伸。
11.根据权利要求10所述的显示装置,
其中,第三电极包括:两个或更多个第三电极分支部,在第一电极分支部与第二电极分支部之间彼此间隔开,并且
其中,发光元件包括:第五发光元件,具有电连接到第一电极主干部的一端和连接到第三电极分支部的另一端;第六发光元件,具有电连接到所述多个第三电极分支部的两个端部;以及第七发光元件,具有电连接到第三电极分支部的一端和连接到第二电极分支部的另一端,
其中,第五发光元件、第六发光元件和第七发光元件串联连接在第一电极分支部与第二电极分支部之间。
12.一种显示装置,所述显示装置包括:
第一电极主干部和第二电极线,在第一方向上延伸并且彼此间隔开;
至少一个第一电极分支部,从第一电极主干部分支出来并且在与第一方向不同的第二方向上延伸;
第二电极分支部,与第一电极分支部间隔开并且在第二方向上延伸以在与第一电极主干部间隔开的状态下终止;
第三电极,设置在第一电极分支部与第二电极分支部之间以在第二方向上延伸,第三电极的两个端部在与第一电极主干部和第二电极线间隔开的状态下终止;以及
一个或更多个发光元件,设置在第一电极分支部、第二电极分支部和第三电极之间,
其中,第二电极分支部电连接到第二电极线。
13.根据权利要求12所述的显示装置,
其中,第一电极主干部和第二电极线设置在不同的线层中,并且
其中,第二电极分支部通过接触孔电连接到第二电极线。
14.根据权利要求13所述的显示装置,
其中,第一电极主干部还包括:第二电极片段,在第二方向上从第一电极主干部突出。
15.根据权利要求14所述的显示装置,
其中,第二电极片段在第二方向上延伸,并且与第二电极分支部对准。
16.根据权利要求15所述的显示装置,
其中,第一电极主干部电连接到薄膜晶体管,其中,第二电极线电连接到共电力供应线,
其中,发光元件包括:第一发光元件,设置在第一电极分支部与第三电极之间;以及第二发光元件,设置在第三电极与第二电极分支部之间,并且
其中,第一发光元件和第二发光元件串联连接在第一电极分支部与第二电极分支部之间。
17.一种显示装置,所述显示装置包括:
第一电极,连接到薄膜晶体管;
第二电极,连接到共电力供应线;
浮置电极,设置在第一电极与第二电极之间;
至少一个第一发光二极管,具有电连接到第一电极的一端和电连接到浮置电极的另一端;以及
至少一个第二发光二极管,具有电连接到浮置电极的一端和电连接到第二电极的另一端,
其中,第一发光二极管和第二发光二极管串联连接在第一电极与第二电极之间。
18.根据权利要求17所述的显示装置,
其中,第一电极、第二电极和浮置电极在第一方向上延伸,并且
其中,第一发光二极管和第二发光二极管中的每个的纵向方向在与第一方向不同的第二方向上延伸。
19.根据权利要求18所述的显示装置,
其中,第一发光二极管和第二发光二极管均包括第一导电型半导体层、活性层和第二导电型半导体层,
其中,第一导电型半导体层和第二导电型半导体层中的一个是p型的导电型半导体层,并且另一个是n型的导电型半导体层,并且
其中,第一发光二极管的第一导电型半导体层电连接到第一电极,
并且第一发光二极管的第二导电型半导体层电连接到浮置电极,第二发光二极管的第一导电型半导体层电连接到浮置电极,
并且第二发光二极管的第二导电型半导体层电连接到第二电极。
20.根据权利要求19所述的显示装置,
其中,第一发光二极管和第二发光二极管的长度在3μm至6μm范围内。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2018-0084255 | 2018-07-19 | ||
KR1020180084255A KR102587133B1 (ko) | 2018-07-19 | 2018-07-19 | 표시 장치 |
PCT/KR2018/015859 WO2020017712A1 (ko) | 2018-07-19 | 2018-12-13 | 표시 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112437986A true CN112437986A (zh) | 2021-03-02 |
Family
ID=69164740
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201880095677.4A Pending CN112437986A (zh) | 2018-07-19 | 2018-12-13 | 显示装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11990566B2 (zh) |
EP (1) | EP3826064A4 (zh) |
JP (1) | JP7274567B2 (zh) |
KR (2) | KR102587133B1 (zh) |
CN (1) | CN112437986A (zh) |
TW (2) | TW202404073A (zh) |
WO (1) | WO2020017712A1 (zh) |
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KR102666627B1 (ko) | 2018-11-27 | 2024-05-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US11271032B2 (en) | 2019-06-20 | 2022-03-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
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2018
- 2018-07-19 KR KR1020180084255A patent/KR102587133B1/ko active IP Right Grant
- 2018-12-13 EP EP18926857.6A patent/EP3826064A4/en active Pending
- 2018-12-13 CN CN201880095677.4A patent/CN112437986A/zh active Pending
- 2018-12-13 US US17/260,944 patent/US11990566B2/en active Active
- 2018-12-13 WO PCT/KR2018/015859 patent/WO2020017712A1/ko active Application Filing
- 2018-12-13 JP JP2021502449A patent/JP7274567B2/ja active Active
-
2019
- 2019-07-19 TW TW112134539A patent/TW202404073A/zh unknown
- 2019-07-19 TW TW108125670A patent/TWI830755B/zh active
-
2023
- 2023-10-04 KR KR1020230131980A patent/KR20230143602A/ko not_active Application Discontinuation
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EP3826064A1 (en) | 2021-05-26 |
JP7274567B2 (ja) | 2023-05-16 |
TWI830755B (zh) | 2024-02-01 |
KR20230143602A (ko) | 2023-10-12 |
JP2021532401A (ja) | 2021-11-25 |
TW202404073A (zh) | 2024-01-16 |
EP3826064A4 (en) | 2022-04-20 |
KR102587133B1 (ko) | 2023-10-10 |
KR20200010701A (ko) | 2020-01-31 |
US20210288220A1 (en) | 2021-09-16 |
TW202013713A (zh) | 2020-04-01 |
US11990566B2 (en) | 2024-05-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |