CN112420740A - 显示面板及其制作方法 - Google Patents

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CN112420740A
CN112420740A CN202011222618.4A CN202011222618A CN112420740A CN 112420740 A CN112420740 A CN 112420740A CN 202011222618 A CN202011222618 A CN 202011222618A CN 112420740 A CN112420740 A CN 112420740A
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China
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substrate
display panel
active layer
solution
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CN202011222618.4A
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孙荷静
邱恒达
周航
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Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
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Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
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Abstract

本申请提出了一种显示面板及其制作方法。该显示面板包括:衬底以及位于衬底上的辅助层与有源层,辅助层与有源层同层设置;其中,辅助层由疏水性材料构成,以及有源层远离衬底一侧的第一表面与衬底平行。本申请通过辅助层的设置,以辅助用于形成有源层的材料图案化形成有源层,提高了形成有源层的材料的利用率,降低了显示面板的制造成本。

Description

显示面板及其制作方法
技术领域
本申请涉及显示领域,尤其涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
随着人们对显示面板需求量的提升,改善显示面板的制造工艺以及结构,以降低显示面板的制造成本是显示面板的一大重要的发展方向。
现有的显示面板的薄膜晶体管结构中,有源层通常采用半导体材料的物理沉积以及后续的图案化处理获得,设备成本昂贵,且后续的图案化工艺除去多余半导体材料,导致半导体材料利用率难以提高,显示面板的制造成本难以降低。
因此,亟需一种新的显示面板及其制作方法以解决上述技术问题。
发明内容
本申请提供了一种显示面板及其制作方法,用于解决现有的显示面板由于采用物理沉积以及后续图案化处理形成有源层,导致显示面板的制造成本难以降低的问题。
为了解决上述技术问题,本申请提供的技术方案如下:
本申请提供了一种显示面板,衬底以及位于所述衬底上的辅助层与有源层,所述辅助层与所述有源层同层设置;
其中,所述辅助层由疏水性材料构成,以及所述有源层远离所述衬底一侧的第一表面与所述衬底平行。
本申请提供的显示面板中,所述辅助层由第一溶液经第一去溶剂化处理形成;
所述第一溶液由所述疏水性材料以及第一溶剂混合形成。
本申请提供的显示面板中,所述第一溶液经所述第一去溶剂化处理后形成一疏水性材料层,所述疏水性材料层经图案化处理形成所述辅助层,所述疏水性材料为疏水性全氟树脂材料。
本申请提供的显示面板中,所述有源层由第二溶液经第二去溶剂化处理形成,所述第二溶液包括铟元素、镓元素、及锌元素。
本申请提供的显示面板中,所述第二溶液中铟元素、镓元素、及锌元素的含量比为3.2~4.8:0.8~1.2:0.8~1.2。
本申请提供的显示面板中,所述有源层远离所述衬底一侧的所述第一表面与所述辅助层的第二表面位于同一平面内。
本申请提供的显示面板中,所述显示面板还包括位于所述有源层与所述衬底之间的栅极;
所述栅极包括与所述衬底平行的第一区以及位于所述第一区两侧的第二区,所述第二区与所述衬底形成的夹角为80至110度。
本申请提供的显示面板中,所述显示面板还包括位于栅极以及所述有源层之间的绝缘层,所述绝缘层与所述辅助层一体设置。
本申请提供的显示面板中,所述显示面板还包括位于所述辅助层上的凸起,所述凸起远离所述衬底的一侧为弧形;
所述弧形向远离所述衬底的方向凸出。
本申请还提供了一种显示面板的制作方法,包括:
在衬底上经第一预设工艺形成辅助层;
在所述衬底上经第二预设工艺形成有源层;
在所述有源层上经第三预设工艺形成源漏极层;
其中,所述辅助层由疏水性材料构成,以及所述有源层远离所述衬底的一侧的第一表面与所述衬底平行。
有益效果:本申请通过辅助层的设置,以辅助用于形成有源层的材料图案化形成有源层,提高了形成有源层的材料的利用率,降低了显示面板的制造成本。
附图说明
下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请的显示面板的第一种结构示意图。
图2为本申请的显示面板的第二种结构示意图。
图3为本申请的显示面板的第三种结构示意图。
图4为本申请的显示面板的第四种结构示意图。
图5为本申请的显示面板的制作方法的流程图。
图6a~6c为本申请的显示面板的制作方法的工艺图。
图7为本申请的显示面板的薄膜晶体管的Id-Vg曲线图。
图8为本申请的显示面板的薄膜晶体管的Id-Vd曲线图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本申请。此外,本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
现有的显示面板由于采用物理沉积以及后续图案化处理形成有源层,存在显示面板的制造成本难以降低的问题。基于此,本申请提出了一种显示面板及其制作方法。
请参阅图1~图4,所述显示面板100包括衬底101以及位于所述衬底101上的辅助层102与有源层103,所述辅助层102与所述有源层103同层设置。
其中,所述辅助层102由疏水性材料构成,以及所述有源层103远离所述衬底101一侧的第一表面与所述衬底101平行。
本实施例中,所述衬底101可以为刚性衬底或柔性衬底中的一种。当所述衬底101为刚性衬底时,所述衬底101可以为玻璃、石英等材料制备。当所述衬底101为柔性衬底时,所述衬底101可以为聚酰亚胺等材料。
本实施例中,所述有源层103的材料可以为金属氧化物半导体,如铟镓锌氧半导体,或其他金属氧化物半导体。
本实施例中,所述有源层103的厚度可以为64至144纳米,优选为80至120纳米。当所述有源层103的厚度小于64纳米时,所述有源层103的厚度过小,难以保证所述显示面板100的薄膜晶体管的工作性能;所述有源层103的厚度大于144纳米时,所述有源层103的厚度过厚,同样影响所述显示面板100的薄膜晶体管的工作性能;当所述有源层103的厚度为80至120纳米时,能保证所述显示面板100的薄膜晶体管良好的工作性能。
本实施例中,所述显示面板100还包括位于所述有源层103上的源漏极层,所述源漏极层至少包括源极以及漏极。所述源极以及所述漏极分别与所述有源层103搭接。
本实施例中,所述源漏极层的材料可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属中的一种,也可以使用上述几种金属材料的组合物。
本实施例中,所述源极和所述漏极的厚度可以为64至144纳米,优选为80至120纳米。所述源极以及所述漏极的厚度选择原因与所述有源层103的厚度选择原因相同或相似,在此不再赘述。
本实施例中,所述辅助层102的厚度可以为5至288纳米,如,5至20纳米。当所述辅助层102的厚度小于5纳米时,所述辅助层102的厚度过小,无法保证利用溶液法制作所述有源层103时,使所述有源层103形成在目标区域;当所述辅助层102的厚度大于288纳米时,所述辅助层102与所述有源层103的厚度差大于所述源极或所述漏极的厚度,可能造成所述源极或所述漏极在形成时发生断裂,影响所述显示面板100的产品质量。
本申请通过所述辅助层102的设置,以辅助用于形成有源层的材料图案化形成所述有源层103,提高了形成有源层的材料的利用率,降低了所述显示面板100的制造成本。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
本申请中的显示面板100的薄膜晶体管可以为底栅极型薄膜晶体管,也可以为顶栅极型薄膜晶体管,或其他类型的薄膜晶体管,下面以底栅极型薄膜晶体管为例进行描述。
请参阅图1~图4,所述辅助层102由第一溶液经第一去溶剂化处理形成。
所述第一溶液由所述疏水性材料以及第一溶剂混合形成。
本实施例中,所述第一溶液经所述第一去溶剂化处理后形成一疏水性材料层,所述疏水性材料层经图案化处理形成所述辅助层102,所述疏水性材料为疏水性全氟树脂材料。
本实施例中,所述疏水性材料层可以通过所述第一溶液在所述衬底101上经旋涂后,在第一加热温度下、经第一加热时间后,去除所述第一溶液的溶剂形成。
本实施例中,所述第一溶液在所述衬底101上旋涂时的滴加量为每平方厘米8~12微升,优选为10微升。旋涂时的第一旋转速度为1600~2400转每分,优选为2000转每分;第一旋转时间则为48至72秒,优选为60秒。
所述第一加热温度可以为80至120摄氏度,优选为100摄氏度;所述第一加热时间可以为4至6分钟,优选为5分钟。
本实施例中,所述疏水性材料层经图案化处理形成所述辅助层102包括:在所述疏水性材料层上形成一光刻胶材料层;所述光刻胶材料层经第四预设工艺形成光刻胶层,所述光刻胶层包括光刻胶区以及无光刻胶区;去除与所述无光刻胶区对应的所述疏水性材料,以形成所述辅助层102去除所述光刻胶层。
本实施例中,所述光刻胶材料层的材料可以为正性光刻胶也可以为负性光刻胶。
本实施例中,所述光刻胶材料层可以通过光刻胶溶液的旋涂,在第二加热温度下、经第二加热时间后形成。所述光刻胶溶液在旋涂时,先在第二旋转速度下、经第二旋转时间后,再在第三旋转速度下、经第三旋转时间后,再进行所述第二加热温度的加热,最后形成所述光刻胶材料层。
所述第二加热温度可以为96~144摄氏度,优选为120摄氏度;所述第二加热时间可以为56~84秒,优选为70秒;所述第二旋转速度可以为560~840转每分,优选为700转每分;所述第二旋转时间可以为4.8~7.2秒,优选为6秒;所述第三旋转速度可以为4000~6000转每分,优选为5000转每分;所述第三旋转时间可以为32~48秒,优选为40秒。
本实施例中,所述光刻胶材料层通过第一掩膜版在第一曝光光线下、经第一曝光时间后,然后经第一显影时间,再在第三加热温度下、经第三加热时间后形成所述光刻胶层。
所述第一曝光光线可以为紫外线;所述第一曝光时间可以为8.3~12.3秒,优选为10.3秒;所述第一显影时间可以为28至42秒,优选为35秒;所述第三加热温度可以为96至144摄氏度,优选为120摄氏度;所述第三加热时间可以为96至144秒,优选为120秒。
本实施例中,可以通过第一等离子体在第一刻蚀功率下、经第一刻蚀时间后,刻蚀去除与所述无光刻胶区对应的所述疏水性材料。
所述第一等离子体可以为氧等离子体,或其他可以对所述疏水性材料层进行刻蚀的等离子体。
所述第一刻蚀功率可以为120至180瓦,优选为150瓦;所述第一刻蚀时间可以为72至108秒,优选为90秒。
本实施例中,可以通过去离子水清洗所述光刻胶层后,依次在第一溶剂、第二溶剂中超声第一超声时间,以去除所述光刻胶层。
本实施例中,所述第一溶剂、所述第二溶剂可以分别为丙酮、乙醇。
本实施例通过形成图案化的所述辅助层102,辅助用于形成有源层的材料图案化形成所述有源层103,节省了形成有源层的材料的后续图案化以形成所述有源层103的步骤,提高了形成有源层的材料的利用率,降低了所述显示面板100的制造成本。
在本申请的所述显示面板100中,所述有源层103由第二溶液经第二去溶剂化处理形成,所述第二溶液包括铟元素、镓元素、及锌元素。
本实施例中,所述第二溶液中铟元素、镓元素、及锌元素的含量比为3.2~4.8:0.8~1.2:0.8~1.2,优选为4:1:1~3.6:0.6:1.8。
本实施例中,所述第二溶液经所述第二去溶剂化处理后形成所述有源层103。
本实施例中,所述第二溶液由具有第一浓度的第一子溶液、第二浓度的第二子溶液、第三浓度的第三子溶液以第一容积比,在第一混合温度下、经第一搅拌时间后,混合形成。
所述第一子溶液、所述第二子溶液、所述第三子溶液分别由水合硝酸铟、水合硝酸镓、水合硝酸锌分别在第二溶剂中溶解形成。
所述第二溶液在用于形成所述有源层103之前可以静置第一静置时间。
所述第二溶剂可以为2-甲氧基乙醇,或其他可以溶解水合硝酸铟、水合硝酸镓、水合硝酸锌的溶剂。
所述第一浓度、所述第二浓度、所述第三浓度可以为0.016至0.024摩尔每升,优选为0.02摩尔每升;所述第一容积比可以为3.2~4.8:0.8~1.2:0.8~1.2,优选为4:1:1~3.6:0.6:1.8;所述第一混合温度可以为室温,所述第一混合时间可以为2.4~3.6小时,优选为3小时;所述第一静置时间可以为20~28小时,优选为24小时。
本实施例中,所述第二溶液经所述第二去溶剂化处理后形成所述有源层103包括:所述第二溶液在第一超声功率、第一超声温度下通过超声喷涂,涂覆于所述辅助层102上;由于所述辅助层102的材料为疏水性材料,涂覆于所述辅助层102上的所述第二溶液在疏水作用下图案化形成与所述辅助层102同层设置的半导体前驱物溶液层;所述半导体前驱物溶液层在第四加热温度下、经第四加热时间后,再在第五加热温度下、经第五加热时间后形成所述有源层103。
所述第一超声功率可以为2.4至3.6瓦,优选为3瓦;所述第一超声温度可以为36至54摄氏度,优选为45摄氏度。
所述第四加热温度可以为96至144摄氏度,优选为120度;所述第四加热时间可以为8至12分钟,优选为10分钟;所述第五加热温度可以为360摄氏度至540摄氏度,优选为450摄氏度;所述第五加热时间可以为0.8至1.2小时。
本实施例中,所述第四加热温度、第四加热时间用于去除所述半导体前驱物溶液层中的所述第二溶剂;所述第五加热温度、所述第五加热时间,在用于进一步去除所述第二溶剂的同时,还用于将硝酸铟、硝酸镓、硝酸锌通过高温下的化学反应转变为对应的金属氧化物。
本实施例通过图案化的所述辅助层102,在所述辅助层102的材料的疏水性的作用下,利用溶液法形成所述有源层103,有利于形成图案化、且厚度均匀的所述有源层103,提升形成所述有源层103的材料的利用率,降低所述显示面板100的制造成本,并提高所述显示面板100的产品质量。
在本申请的所述显示面板100中,请参阅图1~图2,所述有源层103远离所述衬底101一侧的所述第一表面与所述辅助层102的第二表面位于同一平面内。
当所述第一表面与所述第二表面位于同一平面内时,位于所述有源层103上的其他膜层的平坦化效果达到最佳,所述有源层103上的其他膜层,如源漏极层不需要爬坡,避免了源漏极层发生爬坡断线问题,有利于提高所述显示面板100的产品质量。
本实施例中,所述显示面板100还包括位于所述有源层103与所述衬底101之间的栅极104。
所述栅极104包括与所述衬底101平行的第一区105以及位于所述第一区105两侧的第二区106,所述第二区106与所述衬底101形成的夹角为80至110度。
本实施例中,由于所述辅助层102的设置使所述有源层103以上的其他膜层得以平坦化,因此,所述栅极104的所述第二区106与所述衬底101形成的夹角的大小并不影响所述有源层103以上的膜层,如源漏极层的爬坡的坡度。所以,所述栅极104的所述第二区106与所述衬底101形成的夹角的大小的设置,不需要考虑是否会造成位于所述有源层103上的其他膜层是否会产生爬坡断线的问题。
因此,所述栅极104的所述第二区106与所述衬底101形成的夹角可以设置为80至110度,优选为85至95度,最佳为90度。
当所述栅极104的所述第二区106与所述衬底101形成的夹角小于80度或大于110度时,由于所述栅极104的所述第二区106与所述衬底101形成的夹角的角度过小或过大,会造成显示面板100的信号传输产生延迟的问题,当所述栅极104的所述第二区106与所述衬底101形成的夹角为85至95度时,尤其是达到90度时,所述显示面板100的信号传输效果最好,能有效避免信号传输产生延迟的问题。
本实施例通过所述有源层103远离所述衬底101一侧的所述第一表面与所述辅助层102的第二表面位于同一平面内的设置,避免了所述有源层103以上的膜层发生爬坡断线问题;同时,所述栅极104的所述第二区106与所述衬底101形成的夹角可以设置为80至110度,有利于避免由于所述栅极104的所述第二区106与所述衬底101形成的夹角过大或过小造成的所述显示面板100的信号延迟问题,提高所述显示面板100的产品质量。
在本申请的所述显示面板100中,请参阅图3,所述显示面板100还包括位于栅极104以及所述有源层103之间的绝缘层107,所述绝缘层107与所述辅助层102一体设置。
本实施例中,所述辅助层102与所述绝缘层107可以在同一工艺中,使用同种材料同时形成。
本实施例通过所述辅助层102与所述绝缘层107的一体设置,使两者可以在一道工艺中同时形成,不需要单独增设形成辅助层102的工艺,在提高了产品质量的同时简化了工艺步骤。
在本申请的所述显示面板100中,请参阅图4,所述显示面板100还包括位于所述辅助层102上的凸起108,所述凸起108远离所述衬底101的一侧为弧形。
所述弧形向远离所述衬底101的方向凸出。
本实施例中,所述凸起108可以与所述辅助层102一体设置。
本实施例中,所述凸起108位于相邻所述有源层103之间。
本实施例中,所述凸起108可以用于当所述半导体前驱物溶液层图案化时,将相邻所述半导体前驱物溶液层分隔开,避免相邻所述有源层103存在连接,影响所述显示面板100的产品质量。
同时,由于所述凸起108远离所述衬底101的一侧为弧形,所述弧形向远离所述衬底101的方向凸出,有利于使所述第二溶液会聚于形成所述有源层103的目标区域,从而避免所述第二溶液在目标区域以外的区域残留导致相邻所述有源层103发生连接,以提高形成所述有源层103的材料的利用率,改善所述显示面板100的产品质量,并降低所述显示面板100的制作成本。
本实施例通过位于所述辅助层102上的所述凸起108的设置,所述凸起108远离所述衬底101的一侧为弧形,所述弧形向远离所述衬底101的方向凸出,有利于提高形成所述有源层103的材料的利用率,改善所述显示面板100的产品质量并降低所述显示面板100的制作成本。
上述实施例均通过图案化的所述辅助层102的设置,利用所述辅助层102的材料为疏水性材料,辅助所述有源层103经溶液法形成,有利于形成图案化、且厚度均匀的所述有源层103,提升形成所述有源层103的材料的利用率,降低所述显示面板100的制造成本,并提高所述显示面板100的产品质量。
请参阅图5~图8,本申请还提出了一种显示面板100的制造方法,包括:
S1、在衬底101上经第一预设工艺形成辅助层102。
其中,所述辅助层102由疏水性材料构成。
本实施例中,步骤S1包括:
S11、在所述衬底101上形成一疏水性材料层。
本实施例中,所述疏水性材料层可以由第一溶液经第一去溶剂化处理后形成。
本实施例中,所述第一溶液由所述疏水性材料以及第一溶剂混合形成。所述疏水性材料可以为疏水性全氟树脂材料或其他疏水性材料。所述第一溶剂可以为能溶解所述疏水性材料的有机溶剂或无机溶剂。
S12、所述疏水性材料层经图案化处理形成所述辅助层102。
本实施例中,步骤S12包括:
S12a、在所述疏水性材料层上形成一光刻胶材料层。
S12b、所述光刻胶材料层经第四预设工艺形成光刻胶层,所述光刻胶层包括光刻胶区以及无光刻胶区。
S12c、去除与所述无光刻胶区对应的所述疏水性材料,以形成所述辅助层102。
S12d、去除所述光刻胶层。
S2、在所述衬底101上经第二预设工艺形成有源层103。
其中,所述有源层103远离所述衬底101的一侧的第一表面与所述衬底101平行。
本实施例中,步骤S2包括:
S21、在所述衬底101上形成半导体前驱物溶液层。
本实施例中,步骤S21包括:
S21a、制备第二溶液。
本实施例中,所述第二溶液由具有第一浓度的第一子溶液、第二浓度的第二子溶液、第三浓度的第三子溶液以第一容积比,在第一混合温度下、经第一搅拌时间后混合形成
所述第一子溶液、所述第二子溶液、所述第三子溶液分别由水合硝酸铟、水合硝酸镓、水合硝酸锌分别在第二溶剂中溶解形成。
所述第二溶液在用于形成所述半导体前驱物溶液层之前可以静置第一静置时间。
所述第二溶剂可以为2-甲氧基乙醇,或其他可以溶解水合硝酸铟、水合硝酸镓、水合硝酸锌的溶剂。
S21b、所述第二溶液在所述衬底101上形成所述半导体前驱物溶液层。
S22、所述半导体前驱物溶液层经第二去溶剂化处理形成所述有源层103。
S3、在所述有源层103上经第三预设工艺形成源漏极层。
本实施例中,所述第三预设工艺包括:
利用一第二掩膜板,在第一真空度下、经第一蒸镀速率,在所述有源层103上形成所述源漏极层。
本实施例中,所述第一真空度可以为7.9×10-4~1.2×10-3Pa,优选为9.9×10- 4Pa;所述第一蒸镀速率可以为2.4至3.6埃每秒,优选为3埃每秒。
本实施例中,所述有源层103的厚度可以为64至144纳米,优选为80至120纳米。当所述有源层103的厚度小于64纳米时,所述有源层103的厚度过小,难以保证所述显示面板100的薄膜晶体管的工作性能;所述有源层103的厚度大于144纳米时,所述有源层103的厚度过厚,同样影响所述显示面板100的薄膜晶体管的工作性能;当所述有源层103的厚度为80至120纳米时,能保证显示面板100的薄膜晶体管良好的工作性能。
本实施例中,所述源漏极层包括源极以及漏极,所述源极和所述漏极的厚度可以为64至144纳米,优选为80至120纳米。所述源极以及所述漏极的厚度选择原因与所述有源层103的厚度选择原因相同或相似,在此不再赘述。
请参阅图7以及图8,发明人将所述显示面板的制作方法获得的薄膜晶体管进行性能测试发现,当漏极偏置电压Vd=0.1V时,漏极电流Id开关比(栅极最大电压Vg=40V)约为1.4ⅹ104,开启电压Vth约为-8V,电子迁移率约为1.74cm2/Vs;漏极偏置电压Vd=15V时,漏极电流开关比约为1.2ⅹ106,开启电压约为-8V,电子迁移率约为0.59cm2/Vs,所述显示面板的制作方法获得的薄膜晶体管的性能良好。
本申请提出的所述显示面板100的制作方法,通过形成图案化的所述辅助层102,用于辅助溶液法形成的所述有源层103的图案化,有利于形成图案化、且厚度均匀的所述有源层103,提升了形成所述有源层103的材料的利用率,降低了所述显示面板100的制造成本,并改善了所述显示面板的产品质量。
本申请提出了一种显示面板及其制作方法。该显示面板包括:衬底以及位于衬底上的辅助层与有源层,辅助层与有源层同层设置;其中,辅助层由疏水性材料构成,以及有源层远离衬底一侧的第一表面与衬底平行。本申请通过辅助层的设置,以辅助用于形成有源层的材料图案化形成有源层,提高了形成有源层的材料的利用率,降低了显示面板的制造成本。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制作方法进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板,其特征在于,包括衬底以及位于所述衬底上的辅助层与有源层,所述辅助层与所述有源层同层设置;
其中,所述辅助层由疏水性材料构成,以及所述有源层远离所述衬底一侧的第一表面与所述衬底平行。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述辅助层由第一溶液经第一去溶剂化处理形成;
所述第一溶液由所述疏水性材料以及第一溶剂混合形成。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一溶液经所述第一去溶剂化处理后形成一疏水性材料层,所述疏水性材料层经图案化处理形成所述辅助层,所述疏水性材料为疏水性全氟树脂材料。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述有源层由第二溶液经第二去溶剂化处理形成,所述第二溶液包括铟元素、镓元素、及锌元素。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第二溶液中铟元素、镓元素、及锌元素的含量比为3.2~4.8:0.8~1.2:0.8~1.2。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述有源层远离所述衬底一侧的所述第一表面与所述辅助层的第二表面位于同一平面内。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括位于所述有源层与所述衬底之间的栅极;
所述栅极包括与所述衬底平行的第一区以及位于所述第一区两侧的第二区,所述第二区与所述衬底形成的夹角为80至110度。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括位于栅极以及所述有源层之间的绝缘层,所述绝缘层与所述辅助层一体设置。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括位于所述辅助层上的凸起,所述凸起远离所述衬底的一侧为弧形;
所述弧形向远离所述衬底的方向凸出。
10.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底上经第一预设工艺形成辅助层;
在所述衬底上经第二预设工艺形成有源层;
在所述有源层上经第三预设工艺形成源漏极层;
其中,所述辅助层由疏水性材料构成,以及所述有源层远离所述衬底的一侧的第一表面与所述衬底平行。
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