CN112368423A - 用于沉积分散体银层和具有分散体银层的接触表面的银电解质 - Google Patents

用于沉积分散体银层和具有分散体银层的接触表面的银电解质 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种用于将银层沉积在基材上的银电解质，包含银氰化钾，含量至少为10g/L的氰化钾，至少一种具有0.2至10g/L含量的晶粒细化剂，至少一种具有1至10g/L含量的分散剂，至少一种具有1至150g/L含量的固体成分，其中所述固体成分的颗粒具有10nm至100μm的平均粒度(d50)。此外示出了接触表面和用于沉积这种接触表面的方法，以及根据本发明的电解质在带镀中的用途。

Description

用于沉积分散体银层和具有分散体银层的接触表面的银电 解质
技术领域
本发明涉及一种用于在基材上沉积银层的银电解质，一种用于在基材以及接触表面上沉积分散体银层的方法，其中在基材上布置有电化学沉积的分散体银层。此外，本发明还涉及所述接触表面在插接连接中的电接触中的用途以及银电解质用于借助于带镀来涂覆基材的用途。
背景技术
银是一种非常通用的材料。由于其延展性和柔软性，它可以以各种方式进行加工。银在所有金属中具有最好的导热和导电性。这使得银成为用于电气和电子工业的感兴趣的材料，尤其用于表面、尤其接触表面的涂覆。作为用于传输高电流的接口，使用插头和插接接触件，所述插头和插接接触件具有尽可能小的接触电阻，因此银涂层经常在接触元件中使用，所述接触元件装入这种插接连接器中并且在插接状态下负责电接触。
银电解质用于基材的银涂覆和用于制造接触表面。在此，各种含银的溶液和分散体称为银电解质，其用于电化学地、尤其电镀地给表面镀银。银电解质溶液在此可以包含各种另外的添加剂，例如晶粒细化剂、分散剂、光泽剂或固体成分。
对于在电气和电子领域中的用途，尤其是在插头和插接接触件中，电导率、接触电阻和摩擦系数是尤其重要的。尤其在电子迁移率增加方面，要考虑对银层、尤其是电镀沉积的银层的升高的需求。
如果两个银涂层的表面彼此上下往复运动，则为此需要高的力，因为插接力和拉力起作用。在此显示出与银表面接触的缺点，因为银表面具有相对高的摩擦系数，该摩擦系数尤其在插接接触的情况下导致高的插接力和拉力。由于高的摩擦系数，银表面会磨损，由此严重限制了可能的插接周期的数量。此外，存在银表面倾向于冷焊的问题。然而，两个银涂覆的表面的系统的接触电阻是有利的。
在DE 10346206A1中描述了一种用于电接触的接触表面。细分散的石墨颗粒沉积在所示的银层(其借助电镀方法来制造)中。通过在银层中装入石墨，实现了摩擦的减少，由此实现了更低的插接力、改善的防腐蚀保护以及由于提高的磨损保护而延长的接触件寿命。同时确保了良好的电接触。
DE 10 2008 030 988 B4描述了构件的电化学涂层，其中该层具有金属组织，并且在此层中装入碳纳米管和干润滑剂一起。通过碳纳米管的引入，层的导电性和导热性提高，并且通过与另外的干润滑剂的混合，层可以在其磨损表现方面针对不同的用途目的被优化。
DE 2543082A1公开了一种用于制造银涂层的银电解质，其还含有石墨、光泽添加剂和润湿剂。石墨在沉积期间必须通过泵送循环包含电解质的浴来保持处于悬浮。
现有技术描述了银电解质，其另外包含光泽剂或其它改善沉积的物质，例如黄原酸盐、氨基甲酸酯或门灰粉油。电解质溶液同样显示出需要机械干预以保持固体成分处于悬浮。现有技术中还描述了包含各种固体成分的电解质，以获得沉积表面的性质，该性质由于花费高昂的添加剂系统而失去。
用于在表面上沉积银的已知银电解质的缺点在于，其不能将待分散的物质足够均匀地分散在电解质中，这一方面导致固体成分在沉积的层中不均匀的分布，另一方面导致部分地完全不进行沉积。同样，一些电解质还不适合于均匀地分散各种类型的固体成分，使得在沉积期间需要泵送循环或搅拌，这对所获得的表面的均匀性具有负面影响。为了克服这些缺点，通常使用花费高昂的添加剂系统，其可能对沉积的表面产生不利影响，并且此外导致成本增加。
已知的电解质不能合适地充分分散另外的颗粒，尤其是干润滑剂，从而获得其中同时引入其它物质如对所产生的分散层负面地影响的添加剂的表面。由此尤其引起了已知表面的不均匀性。
此外，不利的是，迄今为止通常必须使用固体成分的组合，例如碳纳米管和干润滑剂，以实现合适的表面性质并弥补添加剂系统的缺点。这同样导致另外物质负面地影响均匀性，此外还进一步提高了成本。此外，应该改善沉积的添加剂使得工艺控制和工艺监控更加花费高昂且复杂。
已知的电解质的另一缺点是，必须选择高的沉积温度，以确保足够的沉积。
发明内容
因此，本发明的目的是提供银电解质，其能够良好地分散固体成分，并且同时允许省去花费高昂的添加剂系统以实现均匀沉积。本发明的另一目在于，提供表面、尤其是接触表面，其具有提高的耐磨性和良好的导电性。本发明的目的还在于，提供一种用于制造具有改进的耐久性的经涂覆的表面、尤其是接触表面的沉积方法。
耐久性在此意味着随着可能的插接周期的升高所需的插接力降低、冷焊(也就是说软的银层由于微振动的焊接)的降低以及在尽可能长的时间区间上保持尽可能有利的接触电阻。
本发明的目的通过根据权利要求1的银电解质来实现。根据本发明的银电解质的优选实施方式在从属权利要求中给出，其可以选择性地彼此组合。
本发明还提供了一种根据权利要求8的用于在基材上沉积分散体银层的方法。根据本发明的方法的优选实施方式在从属权利要求中给出，所述优选实施方式能够可选地彼此组合。
本发明还包括根据下述权利要求12的接触表面。根据本发明的接触表面的优选实施方式在从属权利要求中给出，这些从属权利要求能够可选地彼此组合。
本发明还涉及本发明的接触表面用于插接连接中的电接触的用途和本发明的分散体银电解质用于借助于带应用来涂覆基材的用途。
用于将银层沉积在基材上的银电解质根据本发明包含，
a)银氰化钾，
b)含量至少为10g/L的氰化钾，
c)至少一种具有0.2至10g/L含量的晶粒细化剂；
d)至少一种具有1至10g/L含量的分散剂；
e)至少一种具有1至150g/L含量的固体成分，
其中所述固体成分的颗粒具有10nm至100μm的平均粒度(d50)。
令人惊奇地，已经发现，通过所示组成中的银电解质，各种固体成分可以均匀分散以获得具有分散体银层的表面，所述表面具有提高的耐久性和良好的导电性。本发明的电解质的特征在于，可以用其产生极其不同的分散体银层。这些层的特征在于，根据所引入的固体成分的类型和量，在改善的摩擦值或提高的硬度的情况下其良好的接触电阻。基于这些层的磨损或摩擦的耐久性超过简单的银层。此外，本发明的电解质特别好地适合于使用固体成分作为待分散的物质的用途。此外，通过本发明的电解质获得具有良好导电性的银层，从而可以省去另外物质例如碳纳米管的添加。此外，本发明的电解质既可以在低电流密度下使用也可以在高电流密度下使用。因此，电解质可用于各种用途，并且可用于例如带镀。
在根据本发明的电解质中，固体成分均匀地分散。通过特别均匀的分散确保了在沉积的银层中固体成分的均匀的引入。此外，通过使用根据本发明的电解质，减少了通常负面地影响同质性的添加剂的伴随引入(Miteinbau)。
此外，电解质适于与不同的固体成分一起使用，从而表面性质可以匹配于不同的用途。根据本发明电解质的另一优点是，层厚度可以变化并且可以与相应的用途相匹配。
“取代的”在本发明的意义上是指，一个烃上的一个氢原子由一个其它原子或原子基团取代。
在本发明的意义上，“固体成分”是指不存在于溶液中而是作为固体存在于电解质中的成分，并且结合本发明的分散体银层也称为细分散固体成分。
在本发明的意义上，平均粒度(d50)表示50％的固体成分颗粒具有比给定值小的直径。
在本发明的上下文中，“晶粒细化”是将银沉积的晶粒尺寸转变为较小晶粒尺寸的物质。
在本发明的意义上的“干润滑剂”是改善表面的滑动性质的物质。
在本发明的意义上，“硬质材料”是以其特别高的硬度为特征的物质。
银电解质是一种溶液，优选是一种水溶液。在电解质中也可以含有另外的溶剂。
除非另有说明，否则所有以g/L为单位的含量数据在下面基于电解质的总体积。
在一个有利的实施方式中，电解质中的银氰化钾的含量为至少10g/L，优选至少25g/L，更优选至少40g/L，还更优选至少50g/L。
电解质中银的含量有利地为至少15g/L，优选至少20g/L，更优选至少25g/L，并且还更优选至少27g/L。
优选地，电解质中银的含量在1至100g/L之间，优选在5至50g/L之间，其还更优选在10至30g/L之间。
优选地，电解质中的银氰化钾的含量最高为150g/L，优选最高125g/L，更优选最高100g/L，且还更优选最高75g/L。
氰化钾的含量优选至少20g/L，优选至少50g/L，更优选至少80g/L，还更优选至少100g/L，进一步还更优选至少120g/L和最优选至少140g/L。
在一个有利的实施方式中，所述至少一种晶粒细化剂选自萘磺酸、萘磺酸衍生物或其混合物。
晶粒细化剂的含量有利地在0.2和8g/L之间，优选在0.3和6g/L之间，更优选在0.4和5g/L之间，并且还更优选在0.5和3g/L之间。
分散剂优选含有具有C1-C25烷基的烷基硫酸盐，并且优选含有具有C1-C20烷基的烷基硫酸盐，其可以是未取代的或选择性取代的。优选地，分散剂包含具有可以是未取代的或选择性取代的C1-C20烷基的烷基硫酸盐，并且更优选地，具有可以是未取代的或选择性取代的C1-C20烷基的烷基硫酸钠。烷基可以是直链和/或支链的。
优选地，至少一种分散剂的含量在0.2和9g/L之间，优选在0.3和8g/L之间，更优选在0.4和7g/L之间且更优选在0.5和6g/L之间。
优选地，至少一种固体成分的含量在5和125g/L之间，优选10和100g/L之间，更优选15和90g/L之间，并且还更优选20和80g/L之间。
优选地，至少一种固体成分的含量为至少5g/L，优选至少10g/L，更优选至少15g/L，还更优选至少20g/L，进一步还更优选至少30g/L，且最优选至少40g/L。
在一个有利的实施方式中，所述至少一种固体成分的颗粒具有50nm至75μm，优选100nm至50μm，更优选500nm至35μm，和更优选1μm至20μm的平均粒度(d50)。固体成分的直径以及因此的平均粒度(d50)借助激光衍射来确定。
作为固体成分可以考虑所有类型的有机或无机颗粒。
优选地，至少一种固体成分是干润滑剂、硬质材料或其混合物，优选干润滑剂。
在一个有利的实施方式中，至少一种固体成分选自硅酸盐、硫化物、碳化物、氮化物、氧化物、硒化物、碲化物、有机和无机聚合物和碳改性物。在本发明的意义中，除了金刚石、六方碳、富勒烯和石墨外，碳改性物也被理解为石墨烯、碳纳米管、炭黑、活性炭、氟化石墨、氧化石墨、Al2O3包覆的石墨、碳的非石墨形式和另外的形式。
根据一个有利的实施方式，所述至少一种固体成分选自MoS2、WS2、SnS2、NbS2、TaS2、石墨、氟化石墨、氧化石墨、六方氮化硼、银硒化铌、TiN、Si3N4、TiB2、WC、TaC、B4C、Al2O3、ZrO2、立方BN、金刚石、MoSe2、WSe2、TaSe2、NbSe2、SiC、Al2O3包覆的石墨、Al2O3包覆的MoS2和Al2O3包覆的WS2或其混合物，优选由MoS2、WS2、石墨、氧化石墨、六方氮化硼或其混合物，更优选由石墨、氧化石墨、MoS2、WS2或其混合物，且还更优选由石墨组成。
借助于根据Huang&Xiong(2008)(Huang,Z.；Xiong,D.(2008):通过脉冲电极沉积将MoS2用Al2O3包覆用于Ni-MoS2/Al2O3复合涂料.表面&涂料&技术202(2008)3208-3214)的受控的Al(NO3)3·9H2O的水解通过包覆固体颗粒来制造Al2O3包覆的固体颗粒。
根据一个有利的实施方式，至少一种固体成分选自硅酸盐、硫化物、碳化物、氮化物、氧化物、硒化物、碲化物、有机和无机聚合物。优选地，所述至少一种固体成分选自MoS2、WS2、SnS2、NbS2、TaS2、六方氮化硼、银硒化铌、TiN、Si3N4、TiB2、WC、TaC、B4C、Al2O3、ZrO2、立方BN、MoSe2、WSe2、TaSe2、NbSe2、SiC、Al2O3包覆的MoS2和Al2O3包覆的WS2或其混合物，优选由MoS2、WS2、六方氮化硼或其混合物，更优选由MoS2、WS2或其混合物组成。
根据另一个有利的实施方式，所述至少一种固体成分选自碳改性物。优选地，所述至少一种固体成分选自石墨、氟化石墨、氧化石墨、金刚石、Al2O3包覆的石墨或其混合物，优选石墨、氟化石墨、氧化石墨、Al2O3包覆的石墨或其混合物，更优选石墨、氧化石墨或其混合物，并且还更优选石墨。
优选地，电解质还包含至少一种另外的固体成分。所述至少一种另外的固体成分可以选自上述固体成分。
有利地，电解质可另外包含光泽剂。为此，通常使用1至1000mg/L，优选小于50mg/L的量。光泽剂的实例是苯丙酸、苯丙酸酰胺、三氨基三苯甲烷、1-(对-氨基苯基)-3-甲基吡唑、硬脂酰胺基丙基二甲基-(β-羟乙基)二氢铵磷酸盐，1,5-二苯基卡巴脲和氯水合物。
本发明的银电解质可以任选地包含另外的添加剂，例如稳定剂、分散剂和/或晶粒细化剂，以进一步改进电解质的性质并改进沉积的分散体银层的性质。
上述实施方式也可以组合。
本发明的另外的主题是一种用于在基材上沉积分散体银层的方法，其根据本发明包括以下步骤，
a)提供本发明的银电解质，
b)将基材引入到所述银电解质中，和
c)实施沉积。
本发明的方法包括根据上述任一个实施方式，在根据本发明的银电解质的基材上沉积分散体银层。上述关于根据本发明的电解质的说明也相应地适用于本方法。
在根据本发明的方法中，可以使用所有常用于沉积银层和分散体银层的基材。在根据本发明的方法中，基材优选包含金属或金属合金。然后，分散体银层沉积在金属或金属合金上。金属或金属合金例如可以包含铜和/或铁或者由其构成。同样，能够存在由其他金属、例如镍或银构成的另外的中间层。这些层具有各种功能，例如增加分散体银层在基材上的粘附性、防腐、防扩散、或改善其它物理性质。
作为沉积方法可以使用电镀的或无外电流的方法。电镀方法的示例是滚镀、架镀或带镀。
基材优选在涂覆之前被清洁，优选脱脂。可以对基材进行各种预处理步骤。在此，可以沉积铜层、镍层和/或另外的银层。
优选地，在步骤a)之前对基材进行预先镀银。优选地，在预先镀银之前对基材进行镀镍。
根据一个有利的实施方式，在步骤c)中进行沉积时的温度为1℃至50℃，优选5℃至40℃，更优选5℃至35℃，还更优选10℃至30℃，进一步还更优选15℃至25℃，还更优选17℃至22℃，且最优选20℃。
在一个有利的实施方式中，步骤c)中的电流密度为1.2A/dm2至35.0A/dm2，优选1.5A/dm2至30.0A/dm2，更优选2.0A/dm2至25.0A/dm2，更优选2.5A/dm2至25.0A/dm2且更优选2.5A/dm2至20.0A/dm2。
根据一个有利的实施方式，该方法是带镀。
沉积的持续时间可根据所期望的、要获得的层厚度以及用途、带镀来选择。原则上，沉积的持续时间不受限制。
优选地，步骤c)中沉积的持续时间为0.1分钟至20分钟，优选地0.15分钟至15分钟，且更优选地0.3分钟至10分钟。
优选地，步骤a)在步骤b)之前实施，进一步优选地，步骤b)在步骤c)之后实施。
本发明的另一主题涉及一种接触表面，其中根据本发明在基材上布置电化学沉积的分散体银层，和
其中所述分散体银层含有至少一种细分散固体成分的颗粒，所述细分散固体成分具有10nm-100μm的平均粒度(d50)。
上述关于根据本发明的电解质和根据本发明的方法的说明相应地也适用于接触表面。因此，细分散的固体成分可以选自上述固体成分。作为用于根据本发明的接触表面的基材，可以使用所有前述基材。
当干润滑剂用作固体成分时，根据本发明的接触表面允许仅一个接触配对件配备有分散体银表面。另一个接触配对件可以由没有固体成分、尤其是干润滑剂成分的常规金属表面组成。由此能够降低成本。但是，也可使两个接触配对件都配备有分散体银表面。
根据本发明的接触表面的特征在于其有利的耐磨性。尤其在插接过程中在由于微运动、所谓的微动造成的磨损方面的耐受性明显改善。这种微运动例如在汽车的插头中由于汽车运行时的振动而出现。由于温度波动也可能出现由于微运动引起的磨损。
优选地，接触表面还包含至少一种另外的固体成分。优选地，所述至少一种另外的固体成分是干润滑剂或硬质材料。优选地，所述至少一种另外的固体成分选自以上对于根据本发明的电解质所述的固体成分，其也相应地适用于接触表面。
在一个有利的实施方式中，所述至少一种细分散的固体成分的颗粒具有50nm至75μm、优选100nm至50μm、更优选500nm至35μm、且还更优选1μm至20μm的平均粒度(d50)。这同样适用于另外的固体成分的颗粒。
分散体银层中的至少一种细分散固体成分的含量可以通过改变沉积条件而改变。由此，能够调节表面在接触电阻和耐磨性方面的性质。
优选地，分散体银层包含基于分散体银层的总重量计，在0.5重量％至30.0重量％，优选1.0重量％至25重量％，更优选1.3重量％至20重量％，还更优选1.5重量％至15重量％，还进一步更优选2.0重量％至10重量％，并且还更优选3.1重量％至10重量％的量范围的至少一种细分散固体成分。
优选地，分散体银层包含基于分散体银层的总重量计，在至少3.0重量％，优选至少3.1重量％，更优选至少3.2重量％，还更优选至少3.2重量％，还进一步更优选至少3.3重量％，并且还更优选至少3.5重量％的量范围的至少一种细分散固体成分。
优选地，所述至少一种细分散的固体成分选自硅酸盐、硫化物、碳化物、氮化物、氧化物、硒化物、碲化物、有机和无机聚合物以及碳改性物。
根据接触表面的有利实施方式，所述至少一种细分散的固体成分选自硅酸盐、硫化物、碳化物、氮化物、氧化物、硒化物、碲化物、有机和无机聚合物。优选地，所述至少一种细分散的固体成分选自MoS2、WS2、SnS2、NbS2、TaS2、六方氮化硼、银铌-硒化物、TiN、Si3N4、TiB2、WC、TaC、B4C、Al2O3、ZrO2、立方BN、MoSe2、WSe2、TaSe2、NbSe2、SiC、Al2O3包覆的MoS2和Al2O3包覆的WS2或其混合物，优选由MoS2、WS2、六方氮化硼或其混合物，更优选由MoS2、WS2或其混合物组成。
根据接触表面的另一有利实施方式，所述至少一种细分散的固体成分选自碳改性物。优选地，所述至少一种细分散固体成分选自石墨、氟化石墨、氧化石墨、金刚石、Al2O3包覆的石墨或其混合物，优选石墨、氟化石墨、氧化石墨、Al2O3包覆的石墨或其混合物，更优选石墨、氧化石墨或其混合物，并且还更优选石墨。
根据另一有利的实施方式，所述至少一种细分散的固体成分选自MoS2、WS2、SnS2、石墨、氧化石墨、氟化石墨、六方氮化硼、银铌-硒化物、SiC、Al2O3包覆的石墨、Al2O3包覆的MoS2和Al2O3包覆的WS2或其混合物，优选由MoS2、WS2、石墨和六方氮化硼或其混合物组成。
在接触表面的另一有利实施方式中，至少一种细分散的固体成分选自石墨、MoS2、WS2或其混合物，优选由石墨组成，并且分散体银层包含基于分散体银层的总重量计至少3.0重量％、优选至少3.1重量％、更优选至少3.2重量％，且还更优选至少3.3重量％且还进一步更优选至少3.5重量％的量的至少一种细分散的固体成分。
优选地，分散体银层在0.3N下在100次循环之后具有小于1.4，优选小于1.2，更优选小于1.0，还更优选小于0.8，还进一步更优选小于0.6且还更优选0.4的摩擦系数μ。
优选地，接触电阻在1.0N下在100次循环之后小于1.0mΩ，优选小于0.8mΩ，更优选小于0.75mΩ，还更优选小于0.7mΩ，还进一步更优选小于0.65mΩ。
优选地，分散体银层在1.0N下在100次循环之后具有小于1.0，优选小于0.8，更优选小于0.6，还更优选小于0.5和还进一步更优选小于0.45的摩擦系数μ。
优选地，沉积的分散体银层的层厚度在0.5μm至200μm之间，优选1μm至100μm之间，特别优选1.1μm至25μm之间。
有利地，接触表面是微粗糙的表面。微结构对摩擦学性质和电性质有利地作用。
优选地，接触表面具有如下面通过平均粗糙值Ra所描述的至少为0.05μm，优选至少为0.1μm，更优选至少0.2μm且还更优选至少为0.3μm的微粗糙度。
优选地，触表面具有如下面通过平均粗糙值Ra所描述的0.05μm至20μm，优选0.1μm至10μm，更优选0.2μm至6μm且还更优选至少为0.3μm至5μm范围内的微粗糙度。
优选地，接触表面在1.0N下根据Song具有大于7500个周期，优选大于10000个周期，更优选大于15000个周期，还更优选大于20000个周期，并且还更优选大于25000个周期的微动寿命。
上述接触表面可以借助于上述根据本发明的方法制造。因此，本发明还包括通过根据本发明的方法可获得的接触表面，其中电化学沉积的分散体银层布置在基材上，并且其中所述分散体银层包含至少一种具有10nm-100μm的平均粒度(d50)的细分散固体成分的颗粒。
上述关于根据本发明电解质、根据本发明方法和根据本发明接触表面的说明相应地也适用于可借助根据本发明方法获得的接触表面。因此，细分散的固体成分可以选自上述固体成分。作为用于根据本发明的接触表面的基材，可以使用所有前述基材。
本发明的另一主题涉及根据本发明的接触表面在插接连接中用于电接触的用途。
本发明的另一主题涉及根据本发明的分散体银电解质用于借助于带应用来涂覆基材的用途。
本发明的其它优点由下面对优选实施例的描述得出，但这些实施例不应以任何方式理解为限制性的。本发明的所有实施方式可以在本发明的范围内彼此组合。
具体实施方式
材料
为了试验，使用了Wieland-Werke AG公司的铜板(材料：CuFe2P)。未涂覆的板材具有0.47μm的平均粗糙度Ra。
KCN从Bücherl公司购得，并且K[Ag(CN)2]从Umicore公司购得。
SLOTOSIL SG 1911和SLOTOSIL SG 1912是Dr.Ing.Max
Figure BDA0002871812070000131
GmbH&Co.KG公司的用于分散沉积的基于KCN/银氰化钾的银电解质的添加剂。SLOTOSIL SG 1911包含萘磺酸衍生物作为晶粒细化剂添加剂。SLOTOSIL SG 1912包含烷基硫酸盐作为分散稳定剂添加剂。
CUPRUM 11，增白剂，CUPRUM 12，润湿剂，和抗氧化浓缩剂AG 111由
Figure BDA0002871812070000132
&Co KG购买。
所使用的石墨来自Kropfmühl AG的石墨。所使用的UF2型石墨颗粒具有在d50＝4.5μm的平均颗粒尺寸。
测量方法
确定固体成分含量
固体成分含量(以重量％计)通过能量色散X射线光谱法(EDX)测定。为此，用X-Flash Detector 410-M(Bruker AXS Microanalysis GmbH)在沉积的薄膜上进行测量，该探测器安装在电子显微镜JSM-6610LV(制造商：JEOL)中，激发电压为25kV。使用Esprit(Bruker)程序评估测量结果。
确定固体成分的直径(d50)
借助激光衍射，用Sympatec公司的Helos仪器以平均粒度d50的形式测定固体成分的颗粒直径。
微观粗糙度的测量(作为平均粗糙度值Ra)
借助光学测量方法，使用共焦3D激光扫描显微镜VK-X100(制造商：KeyenceCorporation)测定微观粗糙度(作为平均粗糙度Ra)，随后使用Multi fite分析仪程序(Keyence Corporation)进行评估。
涂覆铜板
电镀
用分散体银层涂覆样品体以获得接触表面。首先将铜板镀铜，然后预镀银，然后涂上分散体银层。
在各步骤之间用水彻底冲洗。
铜板的电镀包括以下步骤：
步骤1和2：根据已知方法对基材脱脂；第一碱性脱脂步骤，在60℃下用超声波辅助1分钟。第二碱性电解脱脂步骤，在室温(25℃)下的处理时间为2至3分钟。
步骤3：用硫酸性无络合剂铜活化浴蚀刻铜。活化作用的进行在室温(25℃)下为0.5分钟。
步骤4：用光泽铜浴来处理以沉积光泽表面，所述光泽铜浴为氰化物电解质。所述电解质，其由10g/l KOH、115g/l KCN、64g/lCuCN以及1.5ml/l的光泽添加剂CUPRUM 11组成；在60℃下操作2.5ml/l的基础添加剂CUPRUM 12。所述电解质具有2A/dm2。
步骤5：预镀银在具有低银含量的氰化电解质的预镀银浴(120g/l KCN、3.7g/l K[Ag(CN)2])中进行。在室温(25℃)下操作预镀银。选择2A/dm2作为阴极电流密度。
步骤6：沉积分散体银层。
根据上述做法预处理的片材为了涂覆而安装在旋转单元上。
电解质具有以下组成：
Figure BDA0002871812070000141
片材在不同的旋转速度下被涂覆，以模拟30m/min、60m/min和100m/min的带速度。在2.5A/dm2、5A/dm2、10A/dm2、15A/dm2或20A/dm2的电流密度下发生沉积。各个试验的详细说明在表1中列出。
步骤7：防氧化后处理；防氧化保护物160mL/L的防氧化保护浓缩物AG 111在50℃和pH5.3下使用。将涂覆的样品体浸没在防氧化保护物中2分钟。然后用去离子水冲洗并干燥。
在表1中示出了沉积的分散体银层的表征的结果。含石墨的分散体银层的石墨含量借助于EDX来确定。
表1：带镀结果
Figure BDA0002871812070000151
在表1中展示的结果示出，根据本发明的电解质适用于分散体银层的沉积。与现有技术中已知的用于制造分散体银层的电解质相比，所实现的颗粒含量明显更高，这展示了明显的改善。
与已知的用于制造分散体银层的电解质大有不同的是，根据本发明的电解质特别适用于借助于带方法(卷对卷-方法)进行分散体银层的沉积。
通过将固体成分尤其是干润滑剂引入分散体银层，特别对于高浓度的固体成分，获得了与纯银层相比显著更好的滑动性质。在层中的高的固体颗粒浓度对于由微振(微动)引起的磨损是特别有利的。对于小的接触点，在高固体颗粒浓度的情况下，在接触区域中存在对于避免磨损来说足够的固体颗粒量的概率更高。此性质对于插接连接的接触表面有特殊意义，且如在实施例中示出的，通过根据本发明的方法获得此性质。

Claims (14)

1.用于将银层沉积在基材上的银电解质，包含
a)银氰化钾，
b)含量至少为10g/L的氰化钾，
c)至少一种具有0.2至10g/L含量的晶粒细化剂；
d)至少一种具有1至10g/L含量的分散剂；
e)至少一种具有1至150g/L含量的固体成分，
其中所述固体成分的颗粒具有10nm至100μm的平均粒度(d50)。
2.根据权利要求1所述的银电解质，其中所述至少一种晶粒细化剂选自萘磺酸、萘磺酸衍生物或其混合物。
3.根据前述权利要求中任一项所述的银电解质，其中所述至少一种分散剂包含具有可以是未取代的或选择性取代C1-C20烷基的烷基硫酸盐。
4.根据前述权利要求中任一项所述的银电解质，其中所述至少一种固体成分的颗粒具有1μm至20μm的平均粒度(d50)。
5.根据前述权利要求中任一项所述的银电解质，其中至少一种固体成分选自
a.石墨、氟化石墨、氧化石墨、金刚石、Al2O3包覆的石墨或其混合物，优选石墨、氟化石墨、氧化石墨、Al2O3包覆的石墨或其混合物，更优选石墨、氧化石墨或其混合物，并且还更优选石墨；
或者
b.MoS2、WS2、SnS2、NbS2、TaS2、六方氮化硼、银硒化铌、TiN、Si3N4、TiB2、WC、TaC、B4C、Al2O3、ZrO2、立方BN、MoSe2、WSe2、TaSe2、NbSe2、SiC、Al2O3包覆的MoS2和Al2O3包覆的WS2或其混合物，优选由MoS2、WS2、六方氮化硼或其混合物，更优选由MoS2、WS2或其混合物组成；
或者
c.MoS2、WS2、SnS2、NbS2、TaS2、六方氮化硼、银硒化铌、TiN、Si3N4、TiB2、WC、TaC、B4C、Al2O3、ZrO2、立方BN、MoSe2、WSe2、TaSe2、NbSe2、SiC、Al2O3包覆的MoS2和Al2O3包覆的WS2或其混合物，优选由MoS2、WS2、六方氮化硼或其混合物，更优选由MoS2、WS2或其混合物组成。
6.用于在基材上沉积分散体银层的方法，包括以下步骤，
a)提供权利要求1至5中任一项所述的银电解质，
b)将基材引入到所述银电解质中，和
c)实施沉积。
7.根据权利要求6所述的方法，其中步骤c)中的温度为15℃至30℃。
8.根据权利要求6或7所述的方法，其中步骤c)中的电流密度为2.0A/dm2至25.0A/dm2且优选2.5A/dm2至20.0A/dm2。
9.根据权利要求6至8中任一项所述的方法，其中所述方法为带镀。
10.接触表面，其中在基材上布置电化学沉积的分散体银层，和
其中所述分散体银层包括至少一种细分散固体成分的颗粒，所述细分散固体成分具有10nm-100μm的平均粒度(d50)。
11.根据权利要求10所述的接触表面，其中选择至少一种细分散的固体成分选自
a.MoS2、WS2、SnS2、NbS2、TaS2、六方氮化硼、银铌-硒化物、TiN、Si3N4、TiB2、WC、TaC、B4C、Al2O3、ZrO2、立方BN、MoSe2、WSe2、TaSe2、NbSe2、SiC、Al2O3包覆的MoS2和Al2O3包覆的WS2或其混合物，优选MoS2、WS2、六方氮化硼或其混合物，更优选由MoS2、WS2或其混合物；
或者
b.石墨、氟化石墨、氧化石墨、金刚石、Al2O3包覆的石墨或其混合物，优选石墨、氟化石墨、氧化石墨、Al2O3包覆的石墨或其混合物，更优选石墨、氧化石墨或其混合物，并且还更优选石墨；
或者
c.MoS2、WS2、SnS2、石墨、氧化石墨、氟化石墨、六方氮化硼、银铌-硒化物、SiC、Al2O3包覆的石墨、Al2O3包覆的MoS2和Al2O3包覆的WS2或其混合物，优选MoS2、WS2、石墨和六方氮化硼或其混合物。
12.根据权利要求10至11中任一项所述的接触表面，其中所述分散体银层包含基于所述分散体银层的总重量计0.5至30重量％，优选为1.0至25重量％，并且更优选为3.1至10重量％的量的所述至少一种细分散固体成分。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的接触表面用于插接连接中的电接触的用途。
14.根据权利要求1至7中任一项的分散体银电解质用于借助于带应用来涂覆基材的用途。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022206923A1 (zh) * 2021-04-01 2022-10-06 浙江正泰电器股份有限公司 复配型分散剂及制备方法、混合电镀液及制备方法
CN115182020A (zh) * 2021-04-01 2022-10-14 浙江正泰电器股份有限公司 复配型分散剂及其制备方法、混合电镀液及其制备方法
CN115182022A (zh) * 2021-04-01 2022-10-14 浙江正泰电器股份有限公司 复配型分散剂及制备方法、混合电镀液及制备方法
CN115182021A (zh) * 2021-04-01 2022-10-14 浙江正泰电器股份有限公司 复配型分散剂及混合电镀液
CN115182019A (zh) * 2021-04-01 2022-10-14 浙江正泰电器股份有限公司 复配型分散剂及制备方法、混合电镀液及制备方法
WO2024104283A1 (zh) * 2022-11-18 2024-05-23 温州泰钰新材料科技有限公司 复合镀液、复合镀层的制备方法及电接触材料

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4060093A1 (de) 2021-03-17 2022-09-21 Rosenberger Hochfrequenztechnik GmbH & Co. KG Tribologisch verbesserte oberflächen für elektrische kontakte
US11578418B2 (en) * 2021-03-29 2023-02-14 Rohm And Haas Electronic Materials Llc (Rhem) Silver electroplating compositions and methods for electroplating silver with low coefficients of friction
JP7459202B1 (ja) * 2022-09-22 2024-04-01 株式会社神戸製鋼所 端子材料および端子

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1521025A1 (de) * 1966-01-05 1969-09-04 Max Schloetter Fabrik F Galvan Galvanisches Glanzsilberbad
DE2543082A1 (de) * 1975-09-26 1977-03-31 Siemens Ag Cyanidischer silberelektrolyt zur galvanischen abscheidung von silber-graphit-dispersionsueberzuegen
DE3328067A1 (de) * 1983-08-03 1985-02-21 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Bad und verfahren zum galvanischen abscheiden von edelmetall- und edelmetallhaltigen dispersionsueberzuegen
CN105297095A (zh) * 2015-12-14 2016-02-03 南昌航空大学 一种纯银层/银石墨复合层的功能性镀层及制备方法
US20160032479A1 (en) * 2013-03-15 2016-02-04 Enthone Inc. Electrodeposition of silver with fluoropolymer nanoparticles

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3945956B2 (ja) * 2000-03-06 2007-07-18 独立行政法人科学技術振興機構 複合めっき方法
DE10346206A1 (de) * 2003-10-06 2005-04-28 Bosch Gmbh Robert Kontaktoberflächen für elektrische Kontakte
JP4783954B2 (ja) * 2004-06-21 2011-09-28 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 複合めっき材およびその製造方法
DE102008030988B4 (de) * 2008-06-27 2010-04-01 Siemens Aktiengesellschaft Bauteil mit einer Schicht, in die CNT (Carbon Nanotubes) eingebaut sind und Verfahren zu dessen Herstellung
JP6076138B2 (ja) * 2012-03-02 2017-02-08 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ カーボンブラックと金属との複合体
DE102014110651B3 (de) * 2014-07-29 2015-07-09 Harting Kgaa Galvanisches Bad zur Abscheidung einer Silberschicht mit Nanopartikeln und Kontaktelement für einen Steckverbinder
DE102015102453A1 (de) * 2015-02-20 2016-08-25 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Bandförmiges Substrat zur Herstellung von Chipkartenmodulen, Chipkartenmodul, elektronische Einrichtung mit einem derartigen Chipkartenmodul und Verfahren zur Herstellung eines Substrates

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1521025A1 (de) * 1966-01-05 1969-09-04 Max Schloetter Fabrik F Galvan Galvanisches Glanzsilberbad
DE2543082A1 (de) * 1975-09-26 1977-03-31 Siemens Ag Cyanidischer silberelektrolyt zur galvanischen abscheidung von silber-graphit-dispersionsueberzuegen
DE3328067A1 (de) * 1983-08-03 1985-02-21 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Bad und verfahren zum galvanischen abscheiden von edelmetall- und edelmetallhaltigen dispersionsueberzuegen
US20160032479A1 (en) * 2013-03-15 2016-02-04 Enthone Inc. Electrodeposition of silver with fluoropolymer nanoparticles
CN105297095A (zh) * 2015-12-14 2016-02-03 南昌航空大学 一种纯银层/银石墨复合层的功能性镀层及制备方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022206923A1 (zh) * 2021-04-01 2022-10-06 浙江正泰电器股份有限公司 复配型分散剂及制备方法、混合电镀液及制备方法
CN115182020A (zh) * 2021-04-01 2022-10-14 浙江正泰电器股份有限公司 复配型分散剂及其制备方法、混合电镀液及其制备方法
CN115182022A (zh) * 2021-04-01 2022-10-14 浙江正泰电器股份有限公司 复配型分散剂及制备方法、混合电镀液及制备方法
CN115182021A (zh) * 2021-04-01 2022-10-14 浙江正泰电器股份有限公司 复配型分散剂及混合电镀液
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