CN112346895A - 磁盘装置 - Google Patents

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CN112346895A CN202010000339.7A CN202010000339A CN112346895A CN 112346895 A CN112346895 A CN 112346895A CN 202010000339 A CN202010000339 A CN 202010000339A CN 112346895 A CN112346895 A CN 112346895A
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福田一夫
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corp
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Abstract

实施方式提供便利性高的磁盘装置。实施方式的磁盘装置具备磁盘、磁头、传感器、非易失性的半导体存储装置及控制器。执行相对于所述磁盘的写入及读出。所述传感器检测从外部受到的物理影响的程度。所述控制器在所述传感器的检测值满足了用于异常判定的条件的情况下,生成日志,与所述日志的生成相应地将所述日志向所述半导体存储装置保存。

Description

磁盘装置
关联申请
本申请享受以日本专利申请2019-147664号(申请日:2019年8月9日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。
技术领域
本实施方式涉及磁盘装置。
背景技术
以往,磁盘装置一般将异常时的信息向磁盘记录。由此,在磁头、磁盘、主轴马达、马达驱动器IC(Integrated Circuit:集成电路)或头IC(Integrated Circuit:集成电路)坏掉的情况下,无法向磁盘访问,因此不能取得异常时的信息。
例如在磁盘装置从市场退回到制造者时,制造者因上述的理由而无法取得异常时的信息,有时无法查明异常的发生原因。
发明内容
一个实施方式提供便利性高的磁盘装置。
根据一个实施方式,磁盘装置具备磁盘、磁头、传感器、非易失性的半导体存储装置及控制器。执行相对于所述磁盘的写入及读出。所述传感器检测从外部受到的物理影响的程度。所述控制器在所述传感器的检测值满足了用于异常判定的条件的情况下,生成日志,与所述日志的生成相应地,将所述日志向所述半导体存储装置保存。
附图说明
图1是示出第1实施方式的磁盘装置的构成的一例的示意性的图。
图2是示出第1实施方式的磁盘的构成的一例的图。
图3是示出第1实施方式的RV传感器的配置的一例的示意性的图。
图4是用于说明第1实施方式的传感器的检测值的取得和异常的判定的动作的一例的流程图。
图5是用于说明第1实施方式的异常日志的构成的一例的图。
图6是用于说明第1实施方式的将异常日志向磁盘写入的动作的一例的流程图。
图7是用于说明第1实施方式的磁盘装置发生了故障的情况下用于从发生了故障的磁盘装置取得异常日志的动作的一例的流程图。
图8是用于说明第2实施方式的传感器的检测值的取得和异常的判定的动作的一例的流程图。
图9是用于说明第3实施方式的传感器的检测值的取得和异常的判定的动作的一例的流程图。
图10是用于说明第4实施方式的传感器的检测值的取得和异常的判定的动作的一例的流程图。
具体实施方式
以下,参照附图来详细说明实施方式的磁盘装置。此外,本发明不受这些实施方式所限定。
(第1实施方式)
图1是示出第1实施方式的磁盘装置1的构成的一例的示意性的图。
磁盘装置1能够连接于主机2。主机2是发行用于使磁盘装置1进行期望的动作的命令的计算机装置。命令例如包括用于将数据向磁盘装置1写入的写命令和用于将数据从磁盘装置1读出的读命令。主机2例如是服务器或个人计算机等。
磁盘装置1具备磁盘100、SPM(Spindle Motor:主轴马达)101、VCM(Voice CoilMotor:音圈马达)102、头致动器103、磁头104、头IC105、R(Read:读)/W(Write:写)通道106、HDC(Hard Disk Controller:硬盘控制器)107、CPU(Central Processing Unit:中央处理单元)108、马达驱动器IC109、冲击传感器110、一对RV(Rotational Vibration:旋转振动)传感器111A、111B、电压传感器112、气压传感器113及温度传感器114。
R/W通道106、HDC107及CPU108安装于控制基板140上。安装于控制基板140上的R/W通道106、HDC107及CPU108构成实施方式的控制器。此外,控制器的构成要素不限定于此。控制器也可以由R/W通道106、HDC107及CPU108中的一部分构成。另外,控制器可包括R/W通道106、HDC107、CPU108以外的任意的构成要素。
磁盘100是在铝、玻璃基板等圆盘状的物体形成有磁性层的存储介质。
图2是示出第1实施方式的磁盘100的构成的一例的图。在形成于磁盘100的表面的磁性层中,例如在出厂前由伺服写入器等写入有伺服信息。此外,伺服信息也可以通过自伺服写入(SSW)而在出厂后向磁盘100写入。在图2中,作为被写入了伺服信息的伺服区的配置的一例,示出了呈放射状配置的伺服区100a。在磁盘100的径向上以预定的间距设置有同心圆的多个磁道100b。各磁道100b的圆周上连续地形成有许多扇区。对于各扇区,由后述的磁头104执行数据的写入及读出。
将说明返回图1。SPM101使磁盘100旋转。
在头致动器103的前端安装有磁头104。磁头104由头致动器103支承为与磁盘100的记录面相对。
VCM102使头致动器103驱动。由此,在头致动器103的前端安装的磁头104能够相对于磁盘100的记录面进行相对移动。
磁头104向磁盘100(更详细而言是磁盘100的磁性层)写入数据,从磁盘100读出数据。
头IC105是将由磁头104从磁盘100读出的信号及向磁盘100写入的信号放大的放大器。
R/W通道106将向磁盘100写入的数据编码,或者将从磁盘100读取的信号解码。
HDC107连接于主机2,对主机2执行数据及命令的收发。另外,HDC107执行数据相对于磁盘100的写入及读出。
马达驱动器IC109驱动SPM101及VCM102。另外,马达驱动器IC109取得冲击传感器110、RV传感器111A、111B、电压传感器112、气压传感器113及温度传感器114的检测值,将所取得的各检测值向CPU108发送。
冲击传感器110、RV传感器111A、111B、电压传感器112、气压传感器113及温度传感器114是用于检测磁盘装置1从外部受到的物理影响的程度的传感器。物理影响是冲击、振动、被供给的电力的电压、气压或温度等。此外,传感器的检测值将物理影响的程度利用数值信息来表示。数值信息只要是表示物理影响的程度的信息即可。例如,由传感器得到的数值信息可以是以现有的任意的单位系来表示的信息。或者,由传感器得到的数值信息也可以不是以现有的单位系来表示的信息,而是与物理影响的程度具有相关性的指标。例如,温度传感器112的检测值可以是由摄氏、华氏或K(开尔文)表示的数值信息,也可以单纯是温度越高则取越大的值的、与上述的单位系不同的数值信息。
RV传感器111A、111B检测磁盘100的大致圆周方向的振动的量。
图3是示出第1实施方式的RV传感器111A、111B的配置的一例的示意性的图。在本图中,将磁盘装置1的壳体130的短边方向设为X方向,将长边方向设为Y方向,将厚度方向(也就是SPM101的轴向)设为Z方向。
RV传感器111A、111B设置于磁盘装置1的壳体130内的在对角线方向上相对的2个角落部分。RV传感器111A、111B各自能够检测X方向及Y方向的振动的量。通过RV传感器111A的检测值与RV传感器111B的检测值的差由差动放大器(不图示)放大,从而直接检测磁盘100的大致圆周方向的振动的量。磁盘100的大致圆周方向的振动的量例如在壳体130移动到130′的位置时是箭头200的方向的振动的量。
此外,RV传感器111A、111B可将振动的量作为位移量、速度、加速度或它们以外的任意的物理量来检测。
另外,配置差动放大器的位置不限定于特定的位置。在一例中,差动放大器置于马达驱动器IC109内。
以后,将RV传感器111A、111B统称为RV传感器111。另外,由RV传感器111得到的检测值意味着根据RV传感器111A、111B的检测值得到的磁盘100的大致圆周方向的振动的量。
再次将说明返回图1。冲击传感器110能够检测X、Y、Z的各方向的振动的量。冲击传感器110检测的振动的量是位移量、速度、加速度或它们以外的任意的物理量。马达驱动器IC109或CPU108将由冲击传感器110检测到的各方向的振动的量合成来运算振动方向的振动的量。此外,运算振动方向的振动的量的构成要素不限定于马达驱动器IC109及CPU108。
以后,由冲击传感器110得到的检测值意味着振动方向的振动的量。
电压传感器112检测从外部向磁盘装置1供给的电力的电压。
气压传感器113检测气压。
温度传感器114检测温度。
此外,在直到各种传感器(关于马达驱动器IC109,冲击传感器110、RV传感器111A、111B、电压传感器112、气压传感器113及温度传感器114各自)输出的信号作为检测值而由马达驱动器IC109取得为止之间的导线上可介有AD(Analog Digital:模拟数字)变换器、放大器或滤波电路等任意的电路。另外,作为将各种传感器与马达驱动器IC109连接的总线的标准,可以采用任意的标准。例如,作为上述总线的标准,可以采用I2C。另外,各种传感器也可以连接于CPU108或HDC107等而非马达驱动器IC109。
CPU108统括地控制磁盘装置1内的各构成要素的动作。
另外,CPU108具备FROM(Flash Read Only Memory:快闪只读存储器)120及RAM(Random Access Memory:随机存取存储器)121。
FROM120是非易失性的半导体存储装置的一例。作为非易失性的半导体存储装置,可采用FROM以外的半导体存储装置,例如MRAM(Magnetoresistive Random AccessMemory:磁阻式随机存取存储器)或PCM(Phase-Change Memory:相变存储器)等。另外,在磁盘装置1构成为具备SSD(Solid State Drive:固态驱动器)、NAND型的快闪存储器的混合HDD(Hard Disk Drive:硬盘驱动器)的情况下,可以将SSD、NAND型的快闪存储器作为实施方式的非易失性的半导体存储装置而进行应用。
在FROM120中预先保存有固件程序。CPU108通过将保存于FROM120的固件程序向RAM121加载并执行加载到RAM121的固件程序来实现上述控制。CPU108在上述控制的执行时,能够将RAM121作为工作区来使用。
另外,CPU108作为控制的一环而执行是否正在从磁盘装置1的外部受到异常的物理影响的判定。
具体而言,CPU108判定传感器(关于马达驱动器IC109,冲击传感器110、RV传感器111A、111B、电压传感器112、气压传感器113或温度传感器114)的检测值是否满足了用于异常判定的条件。在传感器的检测值满足了该条件的情况下,CPU108生成异常时的信息即异常日志。CPU108与异常日志的生成相应地,将该异常日志向FROM120保存。
由此,即使在因磁盘装置1暴露于例如异常的冲击、异常的供给电压、异常的气压或异常的温度等异常的物理影响而导致磁头104、磁盘100、SPM101、马达驱动器IC109或头IC105等破损从而不能进行从磁盘100的读出的情况下,也能够从FROM120取得异常日志。
与异常日志的生成相应地将该异常日志向FROM120保存,是指以异常日志的生成为契机而执行该异常日志向FROM120的保存。由此,当异常日志生成后,不太空出时间而该异常日志保存于FROM120。在此,作为一例,设为CPU108生成异常日志后立即将该异常日志向FROM120保存来进行说明。此外,详情后述,异常日志不仅向FROM120保存,也向RAM121保存。保存到RAM121的异常日志例如在磁盘装置1成为了空闲状态的定时等生成后的经过了一段时间的定时下向磁盘100写入。CPU108只要至少在完成将异常日志经由RAM121向磁盘100的保存之前将该异常日志向FROM120保存即可。
此外,用于异常判定的条件只要是能够推定磁盘装置1是否正在从外部受到异常的物理影响的条件即可,可任意构成。另外,用于异常判定的条件可根据想要检测的异常的物理影响的种类而任意构成。
在推定为磁盘装置1正在从外部受到异常的物理影响的状况下,异常日志能够包括关于马达驱动器IC109从冲击传感器110、RV传感器111A、111B、电压传感器112、气压传感器113及温度传感器114中的1个以上的传感器收集到的检测值或将该检测值进行加工而得到的数值信息。异常日志用于故障的原因的解析等,可根据解析的方法而任意构成。
关于用于异常判定的条件及异常日志的第1实施方式的例子,将在后文叙述。
此外,如使用图2所说明那样,伺服信息大致等间隔地记录于磁道上。由此,伺服信息以大致一定的时间间隔被读取。在伺服信息被读取后产生相对于CPU108的中断,CPU108及HDC107与该中断相应地,执行基于伺服信息的位置的计算等。
在第1实施方式中,例如,CPU108在产生了该中断的情况下,执行基于伺服信息的位置的计算等,并且执行各种传感器的检测值的取得及异常的判定。也就是说,CPU108每当伺服信息被读取时,执行各种传感器的检测值的取得及异常的判定。以后,将通过伺服信息被读取而产生的中断记为伺服中断。
此外,各种传感器的检测值的取得及异常的判定的定时不限定于伺服中断的定时。CPU108能够在任意的定时取得各种传感器的检测值,并在任意的定时执行异常的判定。例如,CPU108或控制器的其他构成要素也可以始终取得各种传感器的检测值。另外,CPU108或控制器的其他构成要素也可以在与伺服中断不同的定时定期地取得各种传感器的检测值。
接着,对第1实施方式的磁盘装置1的动作进行说明。
图4是用于说明第1实施方式的传感器的检测值的取得和异常的判定的动作的一例的流程图。
当产生伺服中断后(S101),CPU108取得各种传感器的检测值(S102)。然后,CPU108判定是否满足了冲击传感器110的检测值超过了限制值S1或RV传感器111的检测值超过了限制值S2这一条件(S103)。此外,S1及S2预先设定。S1是与冲击传感器110的检测值进行比较的限制值,S2是与RV传感器111的检测值进行比较的限制值。
在满足了S103的判定条件的情况下(S103:是),CPU108判定是否在测定冲击的持续时间中(S104)。
将冲击的持续时间记为Duration。Duration针对每个传感器而测定。也就是说,冲击的持续时间包括冲击传感器110所涉及的Duration和RV传感器111所涉及的Duration。冲击传感器110所涉及的Duration是冲击传感器110的检测值持续超过了限制值S1的时间。RV传感器111所涉及的Duration是RV传感器111的检测值持续超过了限制值S2的时间。若任一Duration为测定中,则在S104的判定处理中判定为是。若所有Duration都不为测定中,则在S104的判定处理中判定为否。
在测定Duration中的情况下(S104:是),或者在S105之后,CPU108判定是否任一Duration超过了阈值D1(S106)。在任一Duration超过了阈值D1的情况下(S106:是),CPU108判定日志生成例程是否为执行中(S107)。在日志生成例程不为执行中的情况下(S107:否),CPU108起动日志生成例程(S108)。
日志生成例程是生成异常日志的处理。也就是说,在第1实施方式中,冲击传感器110及RV传感器111的任一者的检测值超过了对应的限制值且测定中的Duration超过了阈值D1这一条件相当于用于异常判定的条件。
日志生成例程例如维持执行中的状态,直到构成异常日志的全部信息的收集完成为止。
图5是用于说明第1实施方式的异常日志的构成的一例的图。在本图中,纵轴表示冲击传感器110的检测值,横轴表示时刻。
异常日志可包括从冲击传感器110的检测值超过限制值S1起到冲击传感器110的检测值不再超过限制值S1为止的期间,也就是图5所示的Duration。另外,异常日志可包括在上述期间观测到的最大值,也就是图5所示的冲击最大值。另外,异常日志可包括从冲击传感器110的检测值超过限制值S1起到观测到冲击最大值的定时为止的时间。另外,异常日志可包括从在上述期间中观测到的检测值偏置(offset)了限制值S1的值的累计值,也就是图5所示的斜线的部分的面积(冲击累计值)。另外,异常日志可包括从冲击传感器110的检测值超过限制值S1起到任意的定时为止的检测值的原始波形。
例如,CPU108从开始了Duration的测定的定时起,将传感器的检测值(尤其是超过了限制值的检测值)向RAM121按照时序顺序保存。CPU108能够基于在RAM121中按照时序顺序保存的检测值群来运算异常传感器的信息、冲击最大值、观测到冲击最大值的时间、冲击累计值及原始波形。异常传感器的信息是指表示输出了异常的检测值的传感器的信息。在RAM121中保存的检测值群可在异常日志的生成完成了的情况下(后述的S112的定时)或日志生成例程不被起动而Duration的测定结束的情况下(后述的S114的定时)删除。
此外,图5示出了基于冲击传感器110的检测值而生成的异常日志的例。CPU108能够利用与基于冲击传感器110的检测值而生成的异常日志同样的方法,来生成基于RV传感器111的检测值的异常日志。
另外,异常日志除了从冲击传感器110得到的信息或从RV传感器111得到的信息之外,还能够包括任意的信息。例如,异常日志能够包括任意的传感器的检测值或通过将任意的传感器的检测值进行加工而得到的数值信息。
将说明返回图4。在日志生成例程为执行中的情况下(S107:是),或者在S108之后,控制返回S101。然后,直到构成异常日志的全部信息的收集完成为止,反复执行S101~S108的闭环处理。在第1实施方式中,由于设为异常日志包括Duration,所以直到在S103的判定处理中判定为否为止,反复执行S101~S108的闭环处理。
另外,在所有Duration都未超过阈值D1的情况下(S106:否),控制返回S101。
在不满足S103的判定条件的情况下(S103:否),CPU108判定日志生成例程是否为执行中(S109)。在日志生成例程为执行中的情况下(S109:是),CPU108结束Duration的测定(S110)。然后,CPU108生成异常日志,并将生成的异常日志立即向FROM120及RAM121保存(S111)。异常日志例如包括异常传感器的信息、冲击最大值、Duration、观测到冲击最大值的时间、冲击累计值及原始波形。异常传感器的信息在此是表示冲击传感器110及RV传感器111中的测定到的Duration超过了阈值D1的传感器的信息。
通过S111,CPU108结束日志生成例程(S112),控制返回S101。
在日志生成例程不为执行中的情况下(S109:否),CPU108判定是否在测定Duration中(S113)。在测定Duration中的情况下(S113:是),CPU108结束Duration的测定(S114)。在不是在测定Duration中的情况下(S113:否),或者在S114之后,控制返回S101。
这样,在冲击传感器的检测值及RV传感器的检测值的任一者超过了对应的限制值的定时,检测值超过了对应的限制值的传感器所涉及的Duration的测定开始(S103:是,S104:否,S105)。然后,在Duration超过了阈值D1的定时,日志生成例程起动,异常日志的生成确定(S106:是,S107:否,S108)。当日志生成例程起动后,直到构成异常日志的全部信息的收集完成为止,继续检测值的取得。在此,作为一例,直到不再满足S113的判定条件为止继续检测值的取得,但用于停止检测值的取得的条件不限定于此。例如,在想要将原始波形的取得继续预定时间的情况下,也可以直到经过该预定时间为止继续检测值的取得。当构成异常日志的全部信息的收集完成后,生成异常日志并将异常日志立即向FROM120及RAM121保存(S112)。
此外,CPU108在满足了S103的判定条件的情况下,也可以除了图4的处理之外,还执行用于防止磁盘装置1故障的各种处理。例如,CPU108可以使磁头104向难以发生磁头104的故障的位置暂时退避。难以发生磁头104的故障的位置例如可以是磁盘100的内周侧的区域,也可以是未图示的斜坡加载机构的位置。或者,CPU108也可以使磁盘100的转速比通常的速度低。
在RAM121中保存的异常日志在预定的定时也向磁盘100写入。
图6是用于说明第1实施方式的将异常日志向磁盘100写入的动作的一例的流程图。
CPU108判定磁盘装置1是否是空闲状态(S201)。空闲状态例如是从主机2接收到的命令中不存在未处理的命令的状态。空闲状态不限定于此。
在磁盘装置1是空闲状态时(S201:是),CPU108判定在RAM121中是否保存有异常日志(S202)。在RAM121中保存有异常日志的情况下(S202:是),CPU108使HDC107将在RAM121中保存的异常日志向磁盘100保存(S203)。
在磁盘装置1不是空闲状态的情况下(S201:否),或者在RAM121中未保存异常日志的情况下(S202:否),或者在S203之后,控制返回S201。
此外,在上述的例子中,RAM121内的异常日志在磁盘装置1是空闲状态的情况下向磁盘100写入。RAM121内的异常日志由磁盘装置1向磁盘100写入的定时不限定于此。
这样,在RAM121中保存的异常日志在生成后经过一段时间后向磁盘100写入。在第1实施方式中,异常日志在生成后立即也向FROM120写入。由此,即使在RAM121中保存的异常日志向磁盘100写入之前磁盘装置1发生故障或者磁盘装置1被断电从而在RAM121中保存的异常日志消失的情况下,也能够从FROM120取得同样的内容的异常日志。
图7是用于说明第1实施方式的磁盘装置1发生了故障的情况下用于从发生了故障的磁盘装置1取得异常日志的动作的一例的流程图。
操作者首先将磁盘装置1与计算机连接(S301)。操作者例如可以是磁盘装置1的使用者。另外,也可以是接收了从使用者退回的磁盘装置1的制造者。
接着,操作者利用计算机来读出在FROM120中保存的异常日志(S302)。操作者能够基于读出的异常日志来解析故障的原因(S303)。
此外,以上,设为CPU108进行异常判定及异常日志的生成而进行了说明。异常判定及异常日志的生成也可以由HDC107执行。也就是说,作为控制器的控制基板140进行异常判定及异常日志的生成。
另外,设为各种传感器连接于马达驱动器IC109而进行了说明。传感器中的一部分或全部也可以连接于CPU108、HDC107等。
另外,设为日志生成例程直到构成异常日志的全部信息的收集完成为止维持执行中的状态而进行了说明。日志生成例程即使在直到构成异常日志的全部信息的收集完成为止的期间,也可以将每当执行S101~S108的闭环处理时得到的检测值在取得后立即向FROM120保存。在直到构成异常日志的全部信息的收集完成为止的期间保存到FROM120的检测值也能够设为异常日志。
如以上所述,根据第1实施方式,磁盘装置1具备作为检测从外部受到的物理影响的程度的传感器的冲击传感器110及RV传感器111。CPU108在冲击传感器110及RV传感器111的任一者的检测值满足了用于异常判定的条件的情况下生成异常日志。并且,作为控制器的控制基板140与所述异常日志的生成相应地,将所述异常日志向作为非易失性的半导体存储装置的FROM120保存。
由此,即使在因磁盘装置1受到异常的物理影响而导致磁头104、磁盘100、SPM101、马达驱动器IC109或头IC105等破损从而不能读出保存于磁盘100的异常日志的情况下,也能够从FROM120取得异常日志。
另外,即使在保存于RAM121的异常日志向磁盘100写入之前上述的构成要素中的任一者破损而RAM121内的异常日志消失了的情况下,也能够从FROM120取得相同内容的异常日志。
由此,磁盘装置1的便利性提高。
此外,在以上所述的说明中,CPU108基于冲击传感器110的检测值和RV传感器111的检测值的双方来判断异常日志的生成的契机。异常日志的生成的契机也可以仅基于冲击传感器110的检测值及RV传感器111的检测值中的任一方来判断。
另外,以冲击传感器110的检测值或RV传感器111的检测值连续超过了限制值的期间(Duration)超过了D1设为了异常日志的生成的契机。异常日志的生成的契机不限定于此。
另外,异常日志包括Duration、检测值的大小的最大值、Duration中的检测值的累计值、Duration中的检测到所述最大值的时间或检测值的波形。构成异常日志的这些信息是一例。异常日志能够取代这些信息中的一部分或全部而包括其他传感器的检测值、通过将其他传感器的检测值进行加工而得到的数值信息。
(第2实施方式)
在第1实施方式中,在基于冲击传感器110及RV传感器111的检测值的定时生成异常日志并将异常日志保存于FROM120。作为异常日志的生成的条件,能够进行各种变形。在第2实施方式中,对基于电压传感器112的检测值来执行异常日志的生成的例子进行说明。此外,在以后的实施方式中,仅说明与第1实施方式不同的事项,关于与第1实施方式相同的事项省略说明。
图8是用于说明第2实施方式的传感器的检测值的取得和异常的判定的动作的一例的流程图。
当产生伺服中断后(S401),CPU108取得各种传感器的检测值(S402)。然后,CPU108判定电压传感器112的检测值是否超过了限制值S3(S403)。S3是与电压传感器112的检测值进行比较的限制值,预先设定。
在电压传感器112的检测值超过了限制值S3的情况下(S403:是),CPU108生成异常日志,并将生成的异常日志立即向FROM120及RAM121保存(S404)。异常日志包括电压传感器112的检测值。异常日志也可以除了电压传感器112的检测值之外,还包括通过将电压传感器112的检测值进行加工而得到的数值信息、其他传感器的检测值或通过将其他传感器的检测值进行加工而得到的数值信息。
在电压传感器112的检测值未超过限制值S3的情况下(S403:否),或者在S404的处理之后,控制返回S401。
在RAM121中保存的异常日志通过图6所示的动作而向磁盘100写入。另外,在FROM120中保存的异常日志通过图7所示的动作而读出。
这样,控制基板140可构成为,基于检测向磁盘装置1供给的电力的电压的电压传感器112的检测值来执行异常日志的生成。
(第3实施方式)
在第3实施方式中,对基于气压传感器113的检测值来执行异常日志的生成的例子进行说明。
图9是用于说明第3实施方式的传感器的检测值的取得和异常的判定的动作的一例的流程图。
当产生伺服中断后(S501),CPU108取得各种传感器的检测值(S502)。然后,CPU108判定气压传感器113的检测值是否超过了限制值S4(S503)。S4是与气压传感器113的检测值进行比较的限制值,预先设定。
在气压传感器113的检测值超过了限制值S4的情况下(S503:是),CPU108生成异常日志,并将生成的异常日志立即向FROM120及RAM121保存(S504)。异常日志包括气压传感器113的检测值。异常日志也可以除了气压传感器113的检测值之外,还包括通过将气压传感器113的检测值进行加工而得到的数值信息、其他传感器的检测值或通过将其他传感器的检测值进行加工而得到的数值信息。
在气压传感器113的检测值未超过限制值S4的情况下(S503:否),或者在S504的处理之后,控制返回S501。
与第2实施方式同样,在RAM121中保存的异常日志通过图6所示的动作而向磁盘100写入。另外,在FROM120中保存的异常日志通过图7所示的动作而读出。
这样,控制基板140可构成为,基于检测气压的气压传感器113的检测值来执行异常日志的生成。
(第4实施方式)
在第4实施方式中,对基于温度传感器114的检测值来执行异常日志的生成的例子进行说明。
图10是用于说明第4实施方式的传感器的检测值的取得和异常的判定的动作的一例的流程图。
当产生伺服中断后(S601),CPU108取得各种传感器的检测值(S602)。然后,CPU108判定温度传感器114的检测值是否超过了限制值S5(S603)。S5是与温度传感器114的检测值进行比较的限制值,预先设定。
在温度传感器114的检测值超过了限制值S5的情况下(S603:是),CPU108生成异常日志,并将生成的异常日志立即向FROM120及RAM121保存(S604)。异常日志包括温度传感器114的检测值。异常日志也可以除了温度传感器114的检测值之外,还包括通过将温度传感器114的检测值进行加工而得到的数值信息、其他传感器的检测值或通过将其他传感器的检测值进行加工而得到的数值信息。
在温度传感器114的检测值未超过限制值S5的情况下(S603:否),或者在S604的处理之后,控制返回S601。
与第2实施方式同样,在RAM121中保存的异常日志通过图6所示的动作而向磁盘100写入。另外,在FROM120中保存的异常日志通过图7所示的动作而读出。
这样,控制基板140可构成为,基于检测温度的温度传感器114的检测值来执行异常日志的生成。
此外,能够将第1~第4实施方式中的任意2个以上的实施方式组合。例如,能够通过第1~第4实施方式中的2个以上的实施方式所记载的契机的逻辑或或逻辑与而设为生成异常日志的契机。也就是说,控制器能够根据传感器的检测值来生成异常日志。
如以上所述,根据第1~第4实施方式,磁盘装置具备传感器、非易失性的半导体存储装置及控制器。传感器检测从外部受到的物理影响的程度。控制器在所述传感器的检测值满足了用于异常判定的条件的情况下生成日志,与所述日志的生成相应地将所述日志向所述半导体存储装置保存。
由此,即使在无法访问在磁盘中保存的异常日志的情况或在生成的异常日志向磁盘保存之前磁盘装置发生了故障的情况下,也能够将异常日志从非易失性的半导体存储装置读出,因此磁盘装置的便利性提高。
此外,控制器也可以构成为,根据传感器的检测值而将与该检测值对应的信息向非易失性的半导体存储装置保存。与该检测值对应的信息可以是该检测值,也可以是作为异常日志的例子而举出的全部或一部分信息。也就是说,在第1~第4实施方式中,说明了控制器当生成异常日志等与检测值对应的信息后在时间上不空出间隔而将该信息向非易失性的半导体存储装置保存的例子。上述信息也可以在生成后在任意的定时向非易失性的半导体存储装置保存。
在这样的情况下,若在从异常日志生成起到该异常日志向非易失性的半导体存储装置保存为止的期间磁盘装置1发生故障,则该异常日志不能取得。然而,在异常日志向非易失性的半导体存储装置保存后,即使在发生了不能访问磁盘100的故障的情况下,也能够从非易失性的半导体存储装置取得异常日志。
虽然说明了本发明的几个实施方式,但这些实施方式作为例子而展示,并非意在限定发明的范围。这些新颖的实施方式能够以其他各种各样的方式来实施,能够在不脱离发明的主旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含于发明的范围、主旨,并且包含于权利要求书所记载的发明及其均等的范围。

Claims (9)

1.一种磁盘装置,具备:
磁盘;
磁头,执行相对于所述磁盘的写入及读出;
传感器,检测从外部受到的物理影响的程度;
非易失性的半导体存储装置;及
控制器,在所述传感器的检测值满足了用于异常判定的条件的情况下,生成日志,与所述日志的生成相应地,将所述日志向所述半导体存储装置保存。
2.根据权利要求1所述的磁盘装置,
所述传感器是冲击传感器。
3.根据权利要求1所述的磁盘装置,
所述传感器是旋转振动传感器。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的磁盘装置,
所述条件是所述传感器的检测值的大小连续超过了第1值的期间超过第2值。
5.根据权利要求4所述的磁盘装置,
所述日志包括所述期间、所述期间中的所述传感器的检测值的大小的最大值、所述期间中的所述传感器的检测值的累计值、所述期间中的检测到所述最大值的时间及所述传感器的检测值的波形中的至少一个。
6.根据权利要求1所述的磁盘装置,
所述传感器是检测向所述磁盘装置供给的电力的电压的传感器。
7.根据权利要求1所述的磁盘装置,
所述传感器是检测气压的传感器。
8.根据权利要求1所述的磁盘装置,
所述传感器是检测温度的传感器。
9.一种磁盘装置,具备:
传感器,检测从外部受到的物理影响的程度;
非易失性的半导体存储装置;及
控制器,根据所述传感器的检测值而将与该检测值对应的信息向所述半导体存储装置保存。
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