JP2005276255A - 磁気ディスク装置及び情報処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 周囲環境の変化が起こった場合でも書込みを確実に行う。
【解決手段】 温度センサ18が検出した周囲温度Tnが、磁気ディスク装置1が駆動可能な低温の低限界温度Tminより所定温度高い基準温度T0まで低下した際、プロセッサ13は、まずI/F回路11が送受信していたデータ及びATAコマンドの送受信を中止させる。次に、書込みキャッシュ12が記憶しているデータの内、磁気ヘッド16が磁気ディスク17へ書き込んでいないデータをヘッド制御部15に読み込ませて磁気ディスク17へ記録させる。その後周囲温度Tnが基準温度T0まで回復した際にI/F回路11にデータ及びATAコマンドの送受信を再開させる。
【選択図】 図1
【解決手段】 温度センサ18が検出した周囲温度Tnが、磁気ディスク装置1が駆動可能な低温の低限界温度Tminより所定温度高い基準温度T0まで低下した際、プロセッサ13は、まずI/F回路11が送受信していたデータ及びATAコマンドの送受信を中止させる。次に、書込みキャッシュ12が記憶しているデータの内、磁気ヘッド16が磁気ディスク17へ書き込んでいないデータをヘッド制御部15に読み込ませて磁気ディスク17へ記録させる。その後周囲温度Tnが基準温度T0まで回復した際にI/F回路11にデータ及びATAコマンドの送受信を再開させる。
【選択図】 図1
Description
この発明は、磁気ディスク装置に係り、特に周囲温度が低温になったとき等の異常時のデータの書込み制御手段を有した磁気ディスク装置に関する。
近年、磁気ディスク装置を固定型の情報処理装置だけでなく、携帯型の情報処理装置等の携帯機器に内蔵して利用することも多くなっている。磁気ディスク装置は、誤ったデータの書き込みや書込み処理自体が全く行われないなどのいわゆる「データの書き込みミス」は絶対に避けなければならない。
しかし、周囲環境の変化、例えば周囲温度が限界値以下になるなどの状況によっては磁気ディスク装置そのものが駆動しなくなり、結果としてデータの書込みミスが発生してしまう場合も生ずる。
これに対し、周囲温度が限界値以下の温度になってしまった場合には書き込み動作が正常に行われたかどうかを原データと記録済みデータを比較して判定し、異常があった場合には形式的な書込み(ダミーの書込み)を連続して行うことで温度を上げてから再度記録を行う磁気ディスク装置が提案されている(例えば特許文献1参照)。
特開2003−141703号公報(第5頁、図6参照)
上述のように、周囲温度が限界値以下の温度になってしまった場合には、ダミーの書込みを連続して行うことで温度を上げてから再度記録を行う磁気ディスク装置が提案されている。
しかし、近年の磁気ディスク装置は、磁気ディスクに書き込むデータを一時的に記憶しておく、いわゆる書込みキャッシュを使うことが多くなっており、この書込みキャッシュを使う場合には、データの書き込み中に周囲環境の異常により命令が終了してしまう場合がある。例えば周囲温度が限界温度に達してしまうと、実際にはデータの書き込み中においてもその書込みを中断してしまい、書込みキャッシュに未だディスクに書かれていないデータが大量に残り、結果的に書き込みミスが発生してしまうことになる。
そこで、本発明は上記問題を解決するためになされたものであり、書込みキャッシュを使った場合でも、磁気ディスク装置において温度環境等の周囲環境の変化が起こった際に書込みを確実に行えるような磁気ディスク装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の第1の発明に係る磁気ディスク装置は、磁気ディスクと、外部装置との間でデータおよびコマンドの送受信を行うインターフェース部と、前記インターフェース部が受信した前記データを一時的に記憶する記憶部と、前記記憶部が記憶した前記データを読み出して前記磁気ディスクに記憶する磁気ヘッド部と、周囲温度を検出する温度検出部と、前記温度検出部が検出した前記周囲温度が、所定の温度より低下した際に、前記インターフェース部が送受信していた前記データ及び前記コマンドの送受信を中止させ、かつ前記記憶部が記憶している前記データの内、前記磁気ヘッドが前記磁気ディスクへ記憶していないデータを前記磁気ヘッドに読み込ませて前記磁気ディスクへ記憶させる受信中止手段と、前記受信中止手段の後、前記温度検出部が検出した前記周囲温度が、前記所定の温度より上昇した際に、前記インターフェース部にデータ及びコマンドの送受信を再開させる受信再開手段と、を備えたことを特徴としている。
また、本発明の第2の発明に係る磁気ディスク装置は、磁気ディスクと、外部装置との間でデータおよびコマンドの送受信を行うインターフェース部と、前記インターフェース部が受信した前記データを一時的に記憶する記憶部と、前記記憶部が記憶した前記データを読み出して前記磁気ディスクに記憶する磁気ヘッド部と、電源電圧を検出する電圧検出部と、前記電圧検出部が検出した前記電源電圧が、所定の電圧より低下した際に、前記インターフェース部が送受信していた前記データ及び前記コマンドの送受信を中止させ、かつ前記記憶部が記憶している前記データの内、前記磁気ヘッドが前記磁気ディスクへ記憶していないデータを前記磁気ヘッドに読み込ませて前記磁気ディスクへ記憶させる受信中止手段と、前記受信中止手段の後、前記電圧検出部が検出した前記電源電圧が、前記所定の電圧より上昇した際に、前記インターフェース部にデータ及びコマンドの送受信を再開させる受信再開手段とを備えたことを特徴としている。
また、本発明の第3の発明に係る磁気ディスク装置は、磁気ディスクと、外部装置との間でデータおよびコマンドの送受信を行うインターフェース部と、前記インターフェース部が受信した前記データを一時的に記憶する記憶部と、前記記憶部が記憶した前記データを読み出して前記磁気ディスクへ記憶する磁気ヘッド部と、加速度を検出する加速度検出部と、落下を検出する落下検出部と、前記落下検出部が落下を検出した際、前記インターフェース部における前記データ及び前記コマンドの送受信を中止させ、かつ前記磁気ヘッドの前記磁気ディスクへの記憶を中止させた上で前記磁気ヘッドを前記磁気ディスク上から退避させる受信中止手段と、前記受信中止手段の後、前記加速度検出部が検出した加速度が所定の加速度より低下した際、前記磁気ヘッドを前記磁気ディスク上に移動させ、前記記憶部が記憶している前記データの内、前記磁気ヘッドが前記磁気ディスクへ記憶していないデータを前記磁気ヘッドに読み込ませて前記磁気ディスクへ記憶させ、この記憶が完了した後に前記インターフェース部にデータ及びコマンドの送受信を再開させる受信再開手段とを備えたことを特徴としている。
更に、本発明の情報処理装置は、少なくとも、磁気ディスクと、受信したデータを一時的に記憶する記憶部と、前記記憶部が記憶した前記データを読み出して前記磁気ディスクへ記憶する磁気ヘッド部と、加速度を検出する加速度検出部とを備えた磁気ディスク部と、データおよびコマンドの送受信を行うインターフェース部と、落下を検出する落下検出部と、前記落下検出部が落下を検出した際、前記磁気ディスク装置に対してデータの記憶の中止命令を送出する中止命令手段と、前記中止命令手段により前記磁気ディスク部がデータの記憶の中止命令を受信した際に、前記磁気ディスク部が前記インターフェース部からの前記データ及び前記コマンドの送受信を中止し、かつ前記磁気ヘッドの前記磁気ディスクへの記憶を中止した上で前記磁気ヘッドを前記磁気ディスク上から退避する受信中止手段と、前記受信中止手段の実施後、前記加速度検出部が検出した前記加速度が所定の加速度より低下した際、前記磁気ディスク部が前記磁気ヘッドを前記磁気ディスク上に移動し、前記記憶部が記憶している前記データの内、前記磁気ヘッドが前記磁気ディスクへ記憶していないデータを前記磁気ヘッドに読み込ませて前記磁気ディスクへ記憶させ、この記憶が完了した後に前記インターフェース部からのデータ及びコマンドの送受信を再開する受信再開手段とを備えたことを特徴としている。
周囲環境の変化が起こった場合でも書込みを確実に行うことができる。
(第1の実施の形態)
以下に、本発明による磁気ディスク装置の第1の実施の形態を図1乃至図2を参照して説明する。図1は本発明による磁気ディスク装置の第1の実施の形態を示すブロック図である。この磁気ディスク装置1は、I/F(インターフェース)回路11と、書込みキャッシュ12と、プロセッサ13と、プログラムメモリ14と、ヘッド制御部15と、磁気ヘッド16と、磁気ディスク17と、温度センサ18と、電圧検出回路19と、無重力センサ20と、加速度センサ21とで構成されている。
以下に、本発明による磁気ディスク装置の第1の実施の形態を図1乃至図2を参照して説明する。図1は本発明による磁気ディスク装置の第1の実施の形態を示すブロック図である。この磁気ディスク装置1は、I/F(インターフェース)回路11と、書込みキャッシュ12と、プロセッサ13と、プログラムメモリ14と、ヘッド制御部15と、磁気ヘッド16と、磁気ディスク17と、温度センサ18と、電圧検出回路19と、無重力センサ20と、加速度センサ21とで構成されている。
ここで、I/F回路11と、書込みキャッシュ12と、プログラムメモリ14と、ヘッド制御部15と、温度センサ18と、電圧検出回路19と無重力センサ20と、加速度センサ21は、プロセッサ13に接続している。また、ヘッド制御部15は磁気ヘッド16と接続している。また、磁気ディスク装置1は、図示せぬ上位装置とATアタッチメントインタフェース(以下、「ATA I/F」と称する)100で接続されている。
以下、各部の詳細な構成を説明する。
I/F回路11は、ATA I/F100を介して接続された、図示せぬ上位装置との間でコマンド(ATAコマンド)およびデータの送受信を行う回路である。
書込みキャッシュ12は、磁気ディスク17に書き込むデータを一時的に格納しておく記憶部である。即ち、書込みキャッシュ12は、磁気ディスク装置1がATA I/F100を介して受信した磁気ディスク17に書き込むためのデータを磁気ヘッド16が磁気ディスク17へ書き込む前に一時的に格納しておく記憶領域である。この書込みキャッシュ12を設けることにより、磁気ディスク17へ書き込むためのデータが書込みキャッシュ12に記憶されれば、I/F回路11は、I/F回路11を介して上位装置と他のデータやコマンドの送受信が可能となり、結果として磁気ディスク装置1や上位装置の処理を効率的に行うことが出来る。
プロセッサ13は、I/F回路11から渡されたコマンドに基づいて、プログラムメモリ14に格納されたプログラムを実行する。
プログラムメモリ14は、プロセッサ13が実行するプログラムを格納しており、プロセッサ13はこのプログラムに従い、読み込みや後述する書込み制御の処理行う。
ヘッド制御部15は、磁気ヘッド16のデータの読み込み及び書込みの制御を行う。即ち、ヘッド制御部15はプロセッサ13からの命令に従い、磁気ヘッド16を制御することにより、書込みキャッシュ12が記憶しているデータを磁気ディスク17に記憶させたり、磁気ディスク17が記憶しているデータを読み込ませる制御を行う。
磁気ヘッド16は、上述したヘッド制御部15の制御により磁気ディスク17へデータを書き込んだり、磁気ディスク17が記憶しているデータの読み込みを行う部分である。
磁気ディスク17は、磁気ディスク装置1が読み込んだデータを格納する部分である。
温度センサ18は、磁気ディスク装置1の周囲温度Tnを検出する部分であり、この温度センサ18が検出した周囲温度Tnはプロセッサ13により常に監視されている。また、プログラムメモリ14には基準温度T0が設定されており、後述するようにプロセッサ13により周囲温度Tnと基準温度T0との大小が判断される。
電圧検出回路19は、磁気ディスク装置1に供給される電源電圧Vnを検出する部分であり、この電圧検出回路19が検出した電源電圧Vnはプロセッサ13により常に監視されている。また、プログラムメモリ14には電源電圧V0が設定されており、後述するようにプロセッサ13により電源電圧Vnと電源電圧V0との大小が判断される。
無重力センサ20は、磁気ディスク装置1の落下を感知するセンサであり、落下感知の開始から終了までの間、落下検知信号をプロセッサ13に出力し続ける。この無重力センサ20からの落下検知信号はプロセッサ13により常に監視されており、例えばプロセッサ13により、落下検知信号が継続していた時間Dnが、所定の落下基準時間Dより長ければ「落下」と判断される。
加速度センサ21は、磁気ディスク装置1に加わった加速度を検出するセンサであり、この加速度センサ21が検出した加速度Gnはプロセッサ13により常に監視されている。また、プログラムメモリ14には基準加速度G0が設定されており、後述するようにプロセッサ13により加速度Gnと基準加速度G0との大小が判断される。
次に、磁気ディスク装置1の周囲温度が低下し、温度センサ18が検出した周囲温度Tnが磁気ディスク装置1が駆動できる最低の温度(以下、「低限界温度Tmin」ともいう。)近くまで周囲温度が下回った場合のデータの書き込み制御を図1乃至図2を参照して説明する。図2は、周囲温度Tnが低限界温度Tmin近くまで低下した場合の磁気ディスク装置1の書込み制御の流れを示した図である。
まず、図2において磁気ディスク装置1のプロセッサ13は、温度センサ18が検出した周囲温度Tnが基準温度T0より低い温度になったか否かを判断する(ステップS101)。ここで、基準温度T0は既述のようにプログラムメモリ14に予め設定されている温度であり、かつ低限界温度Tminより所定の温度だけ高い温度に設定された温度である。尚、所定の温度とは書込みキャッシュ12中に残っているデータを確実に磁気ディスク17へ書き込むことが出来るような温度である必要がある。従って、書込みキャッシュ12の容量が大きいほどこの所定の温度も高くなる。
ステップS101の確認により、プロセッサ13は周囲温度Tnが基準温度T0より低くなっていないと判断した場合は(ステップS101のNo)、プロセッサ13は周囲温度Tnが基準温度T0より低くなるまでこの判断を続けることとなる。
一方、プロセッサ13は周囲温度Tnが基準温度T0より低くなったと判断した場合には(ステップS101のYes)、プロセッサ13は、I/F回路11にATAコマンドにおける全命令の受信を中止させる(ステップS102)。
次に、プロセッサ13はステップS102のときまでにATA I/F100を介して受信しているATAコマンド命令を各要素に実行させ、この実行を完了させる(ステップS103)。これにより書込みキャッシュ12に残っていたデータが全て磁気ディスク17に書き込まれることとなる。
次に、プロセッサ13は、温度センサ18が検出した周囲温度Tnが基準温度T0より高い温度になったか否かを判断する(ステップS104)。即ち、ステップS101において一旦周囲温度が基準温度T0より下回った周囲温度Tnが、更にその後上昇し基準温度T0を上回ったか否かを判断する。その結果、プロセッサ13は周囲温度Tnが基準温度T0より高くなっていないと判断した場合は(ステップS104のNo)、プロセッサ13は周囲温度Tnが基準温度T0より高くなるまでこの判断を続けることとなる。
一方、プロセッサ13は周囲温度Tnが基準温度T0より高くなったと判断した場合には(ステップS104のYes)、プロセッサ13は、I/F回路11にATAコマンドにおける全命令の受信を再開させ、(ステップS105)本処理が終了する。
磁気ディスク装置は、磁気ヘッド16が磁気ディスク17にデータを書き込む際、以前に磁気ディスク17上に書かれたデータの中で不要になった部分を上から重ね書きをすることで、以前のデータを消去する役目を果たし、かつ新たなデータを記憶する。
従来の磁気ディスク装置1では、周囲温度Tnが低くなるとこの書込み能力が低下し、低限界温度Tminを下回ると、以前書いたデータを十分に消せなくなってしまうことがあった。この為、磁気ディスク17上には新しく書き込んだデータの他に以前書いたデータの消し残りが存在してしまい、正しくデータが書き込めないという問題が生じていた。
しかし、上述した処理を行うことで、書き込み能力が低下する前に書込みキャッシュ12中に残っていたデータを全て書き込むことが出来る。
従って、周囲環境の変化が起こった場合でも書込みを確実に行うことができる。
(第2の実施の形態)
以下に、本発明による磁気ディスク装置の第2の実施の形態を図1、図3乃至図4を参照して説明する。尚、本実施の形態の磁気ディスク装置のブロック図は図1を用いて説明できるため、その要素の説明は省略する。
以下に、本発明による磁気ディスク装置の第2の実施の形態を図1、図3乃至図4を参照して説明する。尚、本実施の形態の磁気ディスク装置のブロック図は図1を用いて説明できるため、その要素の説明は省略する。
本実施の形態は、磁気ディスク装置1の電源電圧が低下し、電圧検出回路19が検出した電源電圧Vnが磁気ディスク装置1が駆動できる最低の電圧(以下、「低限界電圧Tmin」ともいう。)近くまで電源電圧Vnが下回った場合のデータの書き込み制御を示したものであり、この制御を図3乃至図4を参照して説明する。図3は、電源電圧Vnが低限界電圧Vmin近くまで低下した場合の磁気ディスク装置1の書込み制御の流れを示した図である。
まず、図3において磁気ディスク装置1のプロセッサ13は、電圧検出回路19が検出した電源電圧Vnが基準電圧V0より低い電圧になったか否かを判断する(ステップS201)。ここで、基準電圧V0は既述のようにプログラムメモリ14に予め設定されている電圧であり、かつ低限界電圧Vminより所定の電圧だけ高い電圧に設定された電圧である。尚、所定の電圧とは書込みキャッシュ12中に残っているデータを確実に磁気ディスク17へ書き込むことが出来るような電圧である必要がある。従って、書込みキャッシュ12の容量が大きいほどこの所定の電圧も高くなる。
ステップS201の確認により、プロセッサ13は電源電圧Vnが基準電圧V0より低くなっていないと判断した場合は(ステップS201のNo)、プロセッサ13は電源電圧Vnが基準電圧V0より低くなるまでこの判断を続けることとなる。
一方、プロセッサ13は電源電圧Vnが基準電圧V0より低くなったと判断した場合には(ステップS201のYes)、プロセッサ13は、I/F回路11にATAコマンドにおける全命令の受信を中止させる(ステップS202)。
次に、プロセッサ13はステップS202の段階までにATA I/F100を介して受信しているATAコマンド命令を各要素に実行させ、この実行を完了させる(ステップS203)。これにより書込みキャッシュ12に残っていたデータが全て磁気ディスク17に書き込まれることとなる。
次に、プロセッサ13は、電圧検出回路19が検出した電源電圧Vnが基準電圧V0より高い電圧になったか否かを判断する(ステップS204)。即ち、ステップS201において一旦電源電圧Vnが基準電圧V0より下回った電源電圧Vnが、電池が充電されるなどして基準電圧V0を上回ったか否かを判断する。その結果、プロセッサ13は電源電圧Vnが基準電圧V0より高くなっていないと判断した場合は(ステップS204のNo)、プロセッサ13は電源電圧Vnが基準電圧V0より高くなるまでこの判断を続けることとなる。
一方、プロセッサ13は電源電圧Vnが基準電圧V0より高くなったと判断した場合には(ステップS204のYes)、プロセッサ13は、I/F回路11にATAコマンドにおける全命令の受信を再開させ、(ステップS205)本処理が終了する。
以上のような処理を行うことで、従来書込みキャッシュを利用した磁気ディスク装置に起こっていた、低限界電圧Vminに達してしまうと、実際にはデータの書き込み中においてもその書込みを中断してしまい、書込みキャッシュに未だディスクに書かれていないデータが大量に残り、結果的に結果的に書き込みミスが発生していたという問題を回避できる。
従って、周囲環境の変化が起こった場合でも書込みを確実に行うことができる。
(第1及び第2の実施の形態の変形例)
既述のように、磁気ディスク装置1を備えた情報処理装置は、商用電源を利用して駆動させることも可能であるが、バッテリパックなどの電池から出力される電圧を利用することで携帯型としても利用可能となる。
既述のように、磁気ディスク装置1を備えた情報処理装置は、商用電源を利用して駆動させることも可能であるが、バッテリパックなどの電池から出力される電圧を利用することで携帯型としても利用可能となる。
図4は、磁気ディスク装置1における電池を使用した際に電源電圧の時間毎の変化を示した図である。図4において、横軸は時間であり、縦軸は電圧検出回路19が測定した電源電圧Vnであるとする。図4に示すように、電池の容量が低下すると電源電圧Vnが徐々に低下してくる。即ち、時刻の経過と共に電源電圧Vnが徐々に減少し、時刻T1では基準電圧V0まで低下し、更に時刻T2まで経過すると低限界電圧Vminまで低下し、その後も電源電圧Vnは低下していく。この様子は、例えば磁気ディスク装置1を備えた上位装置がその駆動電圧としてバッテリーを用いた際に起こりうる現象の1つであり、図4におけるT1〜T2の時間は例えば1秒などの比較的短い時間などではなく、数10秒もしくはそれ以上の比較的長い時間で起こりうる減少と考えられる。
上述してきた第1及び第2の実施の形態は、図4で示した現象のように比較的長い時間での周囲環境の変化に対応する制御方法である。即ち、これは書込みキャッシュ12に残っているデータを磁気ディスク17に書き込むために十分な時間であることを要する。
以上を考慮すると、本第1及び第2の実施の形態は、周囲温度や電源電圧の変化が生じたときにのみに行う制御に留まらず、例えば湿度の変化などのように磁気ディスク装置1の周囲環境が時刻と供に徐々に変化していく現象に対する障害対策であればどのようなものでも良い。尚、湿度の場合を例にとれば、湿度を検出できる要素を磁気ディスク装置1内に新たに設ければ良いこととなる。
(第3の実施の形態)
以下に、本発明による磁気ディスク装置の第3の実施の形態を図1と図5を参照して説明する。尚、本実施の形態の磁気ディスク装置のブロック図は図1を用いて説明できるため、各要素の説明は省略する。
以下に、本発明による磁気ディスク装置の第3の実施の形態を図1と図5を参照して説明する。尚、本実施の形態の磁気ディスク装置のブロック図は図1を用いて説明できるため、各要素の説明は省略する。
本実施の形態は、磁気ディスク装置1を備えた上位装置が落下した場合の書き込み制御を示したものであり、この制御を図5を参照して説明する。図5は、磁気ディスク装置1を備えた上位装置が落下した場合の磁気ディスク装置1の書込み制御の流れを示した図である。
まず、図5において磁気ディスク装置1のプロセッサ13は、無重力センサ20が落下を検出したか否かを判断する(ステップS301)。ここで落下の検出とは、プロセッサ13が無重力センサ20より落下である旨の信号を検出した際に「落下」であると判断するようにしても良いし、この落下の検出信号を所定の時間以上継続して受信した際に初めて「落下」であると判断するように構成してもよい。
その結果、プロセッサ13は落下を検出していないと判断した場合には(ステップS301のNo)、プロセッサ13は無重力センサ20が落下を検出するまでこの判断を継続することとなる。
一方、プロセッサ13は無重力センサ20が落下を検出したと判断した場合には(ステップS301のYes)、プロセッサ13は、各要素が行っているATAコマンドの実行を直ちに中止させ、かつ、I/F回路11にATAコマンドにおける全ての命令の受信を中止させる(ステップS302)。
次に、プロセッサ13はヘッド制御部15に磁気ヘッド16を磁気ディスク17上から退避させる(ステップS303)。これにより、これ以降磁気ディスク装置1に衝撃が加わっても磁気ヘッド16が磁気ディスク17を傷つけることが防止される。
次に、プロセッサ13は、加速度センサ21が検出している加速度Gnが基準加速度G0より小さくなったか否かを判断する(ステップS304)。即ち、上述した上位装置の落下により、いずれはこの上位装置が床や机上などの面に衝突する。この際、上位装置に大きな衝撃(加速度)が加わるが、その後、床面等の跳ね返り係数などにより現象は異なるものの、跳ね返りを繰り返しながら最終的には磁気ディスク装置1に加わる加速度は0(ゼロ)に収束していくと考えられる。
ここで磁気ディスク装置1には磁気ヘッド16が読み込みや書込みの駆動が行える限界の加速度(限界加速度Gmax)があり、この限界加速度Gmaxより所定の値だけ低い加速度を基準加速度G0として定義しておく。
この結果、プロセッサ13は、加速度Gnが基準加速度G0よりも小さくなっていないと判断した場合には(ステップS304のNo)、加速度Gnが基準加速度G0より小さくなったと判断するまでこの判断を継続することとなる。
一方、プロセッサ13は、加速度Gnが基準加速度G0よりも小さくなったと判断した場合には(ステップS304のYes)、落下による衝撃も収束したと判断し、ヘッド制御部15に命令し、磁気ヘッド16を磁気ディスク17上へ移動させる(ステップS305)。
次に、プロセッサ13は、ヘッド制御部15に命令し、書込みキャッシュ12に残っている未だ磁気ディスク17に記憶されていないデータを磁気ヘッド16を用いて磁気ディスク17に記憶させる。
次に、中止していたI/F回路11を介したデータとATAコマンドの受信を再開させ(ステップS307)、本発明の第3の実施の形態の処理が終了する。
以上のような処理を行うことで、落下に伴う書込みの中断に起因した、残存していた書込みキャッシュ内のデータの書き込みミスの発生を回避することが出来る。
従って、周囲環境の変化が起こった場合でも書込みを確実に行うことができる。
尚、本第3の実施の形態は、落下が生じたときに行う制御に留まらず、例えば静電気などの周囲環境が急激に変化した場合の磁気ディスク装置1への障害対策であればどのような周囲環境の変化でも良い。尚、静電気の場合を例に取れば、静電気を検出できる要素を磁気ディスク装置1内に新たに設ければ良いこととなる。
(第3の実施の形態の変形例)
以下に、上述した第3の実施の形態の変形例を図6及び図7を用いて説明する。図6は第3の実施の形態の変形例を示す情報処理装置のブロック図である。
以下に、上述した第3の実施の形態の変形例を図6及び図7を用いて説明する。図6は第3の実施の形態の変形例を示す情報処理装置のブロック図である。
図6において、上述した第1の実施の形態に係る磁気ディスク装置1のブロック図と同一部分は同一記号で示し、その説明を省略する。
図6において、情報処理装置200は、無重力センサ20と、プロセッサ110と、プログラムメモリ120とI/F回路11と、磁気ディスク装置1bとを備えており、無重力センサ20と、プログラムメモリ120と、I/F回路11はプロセッサ110に接続されている。また、I/F回路11はATA I/F100を介して磁気ディスク装置1bと接続されている。
次に各要素の構成を説明する。
プロセッサ110は、プログラムメモリ120に格納されたプログラムを実行することで、情報処理装置200の全体を制御する。
プログラムメモリ120は、プロセッサ110が実行するプログラムを格納している。
また、磁気ディスク装置1bは、磁気ディスク装置1において、無重力センサ20を設けていない点が異なる。即ち、磁気ディスク装置1が小型化するに伴い、必ずしても無重力センサ20を磁気ディスク装置1内に設けることが出来ない場合も生じる。従って、この無重力センサ20を上位装置である情報処理装置200に設けることで上述した第3の実施の形態と同様の効果を得ることを狙っている。尚、磁気ディスク装置1内の各要素と磁気ディスク装置1b内の各要素は同一部分は同一記号で示し、その重複している部分の説明は省略する。
次に、情報処理装置200が落下した場合の書き込み制御を図7を参照して説明する。
図7は、情報処理装置200が落下した場合の書込み制御の流れを示した図である。この図7において、図5の流れ図と同一部分は同一記号で示しその説明を省略する。
まず、図7において情報処理装置200のプロセッサ110は、無重力センサ20が落下を検出したか否かを判断する(ステップS400)。ここで落下の検出とは、プロセッサ13が無重力センサ20より落下である旨の信号を検出した際に「落下」であると判断するようにしても良いし、この落下の検出信号を所定の時間以上継続して受信した際に始めて落下であると判断するように構成してもよい。
その結果、プロセッサ110は落下を検出していないと判断した場合には(ステップS400のNo)、プロセッサ110は無重力センサ20が落下を検出するまでこの判断を継続することとなる。
一方、プロセッサ110は無重力センサ20が落下を検出したと判断した場合には(ステップS400のYes)、プロセッサ110は、I/F回路11を介して磁気ディスク装置1bに対してデータ記録の停止命令を送出する(ステップS401)。このステップS400〜ステップS401は上位装置としての情報処理装置200のプロセッサ110が行う処理である。
次に、上述のステップS401の命令を受けた磁気ディスク装置1bは、各要素が行っているATAコマンドの実行を直ちに中止させ、かつ、I/F回路11にATAコマンドにおける全ての命令の受信を中止させる等、ステップS302〜ステップS307の処理を行う。このステップS302〜ステップS307の処理は磁気ディスク装置1bのプロセッサ13が行う処理である。尚、この部分のステップは上述した第3の実施の形態における図5と同様の処理であるため、その説明は省略する。
以上のような処理を行うことで、落下に伴う書込みの中断に起因した、残存していた書込みキャッシュ内のデータの書き込みミスの発生を回避することが出来る。
従って、周囲環境の変化が起こった場合でも書込みを確実に行うことができる。
尚、本第3の実施の形態は、落下が生じたときに行う制御に留まらず、例えば静電気などの周囲環境が急激に変化した場合の磁気ディスク装置1への障害対策であればどのような周囲環境の変化でも良い。尚、静電気の場合を例に取れば、静電気を検出できる要素を磁気ディスク装置1内に新たに設ければ良いこととなる。
また、本変形例では、無重力センサ20を上位装置側に設けたが、本変形例はこれに限定されず、図6には説明簡略のために図示しなかった温度センサ18、電圧検出回路19、加速度センサ21なども上位装置側である情報処理装置200側に設ける構成としても良い。
1 磁気ディスク装置
1b 磁気ディスク装置
11 I/F回路
12 書込みキャッシュ
13 プロセッサ
14 プログラムメモリ
15 ヘッド制御部
16 磁気ヘッド
17 磁気ディスク
18 温度センサ
19 電圧検出回路
20 無重力センサ
21 加速度センサ
100 ATA I/F
110 プロセッサ
120 プログラムメモリ
200 情報処理装置
1b 磁気ディスク装置
11 I/F回路
12 書込みキャッシュ
13 プロセッサ
14 プログラムメモリ
15 ヘッド制御部
16 磁気ヘッド
17 磁気ディスク
18 温度センサ
19 電圧検出回路
20 無重力センサ
21 加速度センサ
100 ATA I/F
110 プロセッサ
120 プログラムメモリ
200 情報処理装置
Claims (4)
- 磁気ディスクと、
外部装置との間でデータおよびコマンドの送受信を行うインターフェース部と、
前記インターフェース部が受信した前記データを一時的に記憶する記憶部と、
前記記憶部が記憶した前記データを読み出して前記磁気ディスクに記憶する磁気ヘッド部と、
周囲温度を検出する温度検出部と、
前記温度検出部が検出した前記周囲温度が、所定の温度より低下した際に、前記インターフェース部が送受信していた前記データ及び前記コマンドの送受信を中止させ、かつ前記記憶部が記憶している前記データの内、前記磁気ヘッドが前記磁気ディスクへ記憶していないデータを前記磁気ヘッドに読み込ませて前記磁気ディスクへ記憶させる受信中止手段と、
前記受信中止手段の後、前記温度検出部が検出した前記周囲温度が、前記所定の温度より上昇した際に、前記インターフェース部にデータ及びコマンドの送受信を再開させる受信再開手段と、
を備えたことを特徴とする磁気ディスク装置。 - 磁気ディスクと、
外部装置との間でデータおよびコマンドの送受信を行うインターフェース部と、
前記インターフェース部が受信した前記データを一時的に記憶する記憶部と、
前記記憶部が記憶した前記データを読み出して前記磁気ディスクに記憶する磁気ヘッド部と、
電源電圧を検出する電圧検出部と、
前記電圧検出部が検出した前記電源電圧が、所定の電圧より低下した際に、前記インターフェース部が送受信していた前記データ及び前記コマンドの送受信を中止させ、かつ前記記憶部が記憶している前記データの内、前記磁気ヘッドが前記磁気ディスクへ記憶していないデータを前記磁気ヘッドに読み込ませて前記磁気ディスクへ記憶させる受信中止手段と、
前記受信中止手段の後、前記電圧検出部が検出した前記電源電圧が、前記所定の電圧より上昇した際に、前記インターフェース部にデータ及びコマンドの送受信を再開させる受信再開手段と、
を備えたことを特徴とする磁気ディスク装置。 - 磁気ディスクと、
外部装置との間でデータおよびコマンドの送受信を行うインターフェース部と、
前記インターフェース部が受信した前記データを一時的に記憶する記憶部と、
前記記憶部が記憶した前記データを読み出して前記磁気ディスクへ記憶する磁気ヘッド部と、
加速度を検出する加速度検出部と、
落下を検出する落下検出部と、
前記落下検出部が落下を検出した際、前記インターフェース部における前記データ及び前記コマンドの送受信を中止させ、かつ前記磁気ヘッドの前記磁気ディスクへの記憶を中止させた上で前記磁気ヘッドを前記磁気ディスク上から退避させる受信中止手段と、
前記受信中止手段の後、前記加速度検出部が検出した加速度が所定の加速度より低下した際、前記磁気ヘッドを前記磁気ディスク上に移動させ、前記記憶部が記憶している前記データの内、前記磁気ヘッドが前記磁気ディスクへ記憶していないデータを前記磁気ヘッドに読み込ませて前記磁気ディスクへ記憶させ、この記憶が完了した後に前記インターフェース部にデータ及びコマンドの送受信を再開させる受信再開手段と、
を備えたことを特徴とする磁気ディスク装置。 - 少なくとも、磁気ディスクと、受信したデータを一時的に記憶する記憶部と、前記記憶部が記憶した前記データを読み出して前記磁気ディスクへ記憶する磁気ヘッド部と、加速度を検出する加速度検出部とを備えた磁気ディスク部と、
データおよびコマンドの送受信を行うインターフェース部と、
落下を検出する落下検出部と、
前記落下検出部が落下を検出した際、前記磁気ディスク装置に対してデータの記憶の中止命令を送出する中止命令手段と、
前記中止命令手段により前記磁気ディスク部がデータの記憶の中止命令を受信した際に、前記磁気ディスク部が前記インターフェース部からの前記データ及び前記コマンドの送受信を中止し、かつ前記磁気ヘッドの前記磁気ディスクへの記憶を中止した上で前記磁気ヘッドを前記磁気ディスク上から退避する受信中止手段と、
前記受信中止手段の実施後、前記加速度検出部が検出した前記加速度が所定の加速度より低下した際、前記磁気ディスク部が前記磁気ヘッドを前記磁気ディスク上に移動し、前記記憶部が記憶している前記データの内、前記磁気ヘッドが前記磁気ディスクへ記憶していないデータを前記磁気ヘッドに読み込ませて前記磁気ディスクへ記憶させ、この記憶が完了した後に前記インターフェース部からのデータ及びコマンドの送受信を再開する受信再開手段と、
を備えたことを特徴とする情報処理装置。
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