CN112345923A - 一种精确修调芯片电参数的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种精确修调芯片电参数的方法，该精确修调芯片电参数的方法包括以下步骤：可修调存储器模块根据应用需求，最终的N bit修调数据D*需要写入该存储器模块写为固件；数据存储及处理模块先处理主机发送的2n个N bit的D0～Dn‑1数据，D0～Dn‑1的数据通过参数选择模块与待修调的电参数P*产生2n个P0～Pn‑1的数值，该数值以P*为中心数值分布；本发明测试平台配合形成自动测试系统，对成品芯片进行内部电参数的修调，这样可以客服制程，测试及封装等生产过程中产生的诸多因素的影响。
Description
技术领域
本发明涉及精确修调芯片技术领域，具体为一种精确修调芯片电参数的方法。
背景技术
电子设备与人类的交互信号均为模拟信号，为了衡量该模拟信号的强弱，幅度，频率等参数，通常需要电子设备芯片内部产生一个精确的电参数参考值，比如基准电压，基准电流，精确的时钟频率等等。由于芯片在整个生产中受制程，测试，封装等诸多因素的影响，即使电路设计非常完美，生产完成后，内部电参数大概率会随机漂移。
因此迫切的需要一种精确修调芯片电参数的方法来解决上述不足之处。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明提供如下技术方案：一种精确修调芯片电参数的方法，该精确修调芯片电参数的方法包括以下步骤：
步骤一、可修调存储器模块根据应用需求，最终的N bit修调数据D*需要写入该存储器模块写为固件；
步骤二、数据存储及处理模块先处理主机发送的2n个N bit的D0～Dn-1数据，D0～Dn-1的数据通过参数选择模块与待修调的电参数P*产生2n个P0～Pn-1的数值，该数值以P*为中心数值分布；
步骤三、P0～Pn-1通过参数查表和判决模块与目标参数表格中设定的P**数值进行比较，找出当中最接近P**的一个数值，该数值对应D0～Dn-1数据中唯一的一个数据，记为D*，D*既为P*精确修调的目标数值对应的唯一一个数据，数据D*反馈给主机后，主机把D*发送给芯片，此时数据存储及处理模块会删除D0～Dn-1，并把D*发送给可修调存储器模块，进行修调；
步骤四、修调完成D*被写入存储器，并送给参数选择模块，此时参数选择模块的输出数值为一个固定值记为P***，通过参数查找和判决模块比较P***和P**的差值是否符合设定值，如果符合则精确修调完成。
优选的，所述可修调存储器模块为单次写入型存储器，优选为ROM，或可擦写型存储器优选为Flash。
优选的，所述P0～Pn-1的数值以P*为中心数值分布。
该方法适用于修调成品芯片电参数，该方法包括以下步骤：
步骤一、主机通过通讯接口把2n个N bit数据D0～Dn-1发送给芯片数据存储及处理模块，数据存储及处理模块把D0～Dn-1送给参数选择模块，参数选择模块根据P*及D0～Dn-1会产生2n个数据P0～Pn-1，输出给参数查找和判决模块；
步骤二、参数查找和判决模块从P0～Pn-1中找出最接近P**的唯一数值，并返回该数值对应的D0～Dn-1中唯一的一个数据，记为D*，把D*回发主机，主机把D*发送给芯片，数据存储及处理模块删除D0～Dn-1，并把D*发送给可修调存储器模块，进行修调；
步骤三、修调完成D*被写入存储器，并送给参数选择模块，参数选择模块输出数值P***，通过参数查找和判决模块比较P***和P**的精度差是否符合设定值，如果符合则精确修调成功，否则判定修调失败。
与现有技术对比，本发明具备以下有益效果：本发明测试平台配合形成自动测试系统，对成品芯片进行内部电参数的修调，这样可以客服制程，测试及封装等生产过程中产生的诸多因素的影响。
附图说明
图1为本发明的实现方法示意图；
图2为本发明修调成品芯片电参数流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-2，一种精确修调芯片电参数的方法，该精确修调芯片电参数的方法包括以下步骤：
步骤一、可修调存储器模块根据应用需求，最终的N bit修调数据D*需要写入该存储器模块写为固件；
步骤二、数据存储及处理模块先处理主机发送的2n个N bit的D0～Dn-1数据，D0～Dn-1的数据通过参数选择模块与待修调的电参数P*产生2n个P0～Pn-1的数值，该数值以P*为中心数值分布；
步骤三、P0～Pn-1通过参数查表和判决模块与目标参数表格中设定的P**数值进行比较，找出当中最接近P**的一个数值，该数值对应D0～Dn-1数据中唯一的一个数据，记为D*，D*既为P*精确修调的目标数值对应的唯一一个数据，数据D*反馈给主机后，主机把D*发送给芯片，此时数据存储及处理模块会删除D0～Dn-1，并把D*发送给可修调存储器模块，进行修调；
步骤四、修调完成D*被写入存储器，并送给参数选择模块，此时参数选择模块的输出数值为一个固定值记为P***，通过参数查找和判决模块比较P***和P**的差值是否符合设定值，如果符合则精确修调完成。
可修调存储器模块为单次写入型存储器，优选为ROM，或可擦写型存储器优选为Flash。
P0～Pn-1的数值以P*为中心数值分布。
该方法适用于修调成品芯片电参数，该方法包括以下步骤：
步骤一、主机通过通讯接口把2n个N bit数据D0～Dn-1发送给芯片数据存储及处理模块，数据存储及处理模块把D0～Dn-1送给参数选择模块，参数选择模块根据P*及D0～Dn-1会产生2n个数据P0～Pn-1，输出给参数查找和判决模块；
步骤二、参数查找和判决模块从P0～Pn-1中找出最接近P**的唯一数值，并返回该数值对应的D0～Dn-1中唯一的一个数据，记为D*，把D*回发主机，主机把D*发送给芯片，数据存储及处理模块删除D0～Dn-1，并把D*发送给可修调存储器模块，进行修调；
步骤三、修调完成D*被写入存储器，并送给参数选择模块，参数选择模块输出数值P***，通过参数查找和判决模块比较P***和P**的精度差是否符合设定值，如果符合则精确修调成功，否则判定修调失败。
需要说明的是，如图1所示，虚线框中为芯片内三个辅助测试模块：可修调存储器模块、数据存储及处理模块、参数选择模块。可修调存储器模块根据应用需求，可以是单次写入型存储器比如ROM，或者可擦写型存储器比如Flash等，最终的N bit修调数据D*需要写入该存储器模块写为固件。数据存储及处理模块是暂存及处理主机发送数据的模块，该模块会先处理主机发送的2n个N bit的D0～Dn-1数据，D0～Dn-1的数据通过参数选择模块与待修调的电参数P*产生2n个P0～Pn-1的数值，该数值以P*为中心数值分布。P0～Pn-1通过参数查表和判决模块与目标参数表格中设定的P**数值进行比较，找出当中最接近P**的一个数值，该数值对应D0～Dn-1数据中唯一的一个数据，记为D*，D*既为P*精确修调的目标数值对应的唯一一个数据，数据D*反馈给主机后，主机把D*发送给芯片，此时数据存储及处理模块会删除D0～Dn-1，并把D*发送给可修调存储器模块，进行修调，修调完成D*被写入存储器，并送给参数选择模块，此时参数选择模块的输出数值为一个固定值记为P***，通过参数查找和判决模块比较P***和P**的差值是否符合设定值，如果符合则精确修调完成。
如图2为修调成品芯片电参数流程图，主机通过通讯接口把2n个N bit数据D0～Dn-1发送给芯片数据存储及处理模块，数据存储及处理模块把D0～Dn-1送给参数选择模块，参数选择模块根据P*及D0～Dn-1会产生2n个数据P0～Pn-1，输出给参数查找和判决模块，参数查找和判决模块从P0～Pn-1中找出最接近P**的唯一数值，并返回该数值对应的D0～Dn-1中唯一的一个数据，记为D*，把D*回发主机，主机把D*发送给芯片，数据存储及处理模块删除D0～Dn-1，并把D*发送给可修调存储器模块，进行修调，修调完成D*被写入存储器，并送给参数选择模块，参数选择模块输出数值P***，通过参数查找和判决模块比较P***和P**的精度差是否符合设定值，如果符合则精确修调成功，否则判定修调失败。
所需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (4)
1.一种精确修调芯片电参数的方法，其特征在于：该精确修调芯片电参数的方法包括以下步骤：
步骤一、可修调存储器模块根据应用需求，最终的N bit修调数据D*需要写入该存储器模块写为固件；
步骤二、数据存储及处理模块先处理主机发送的2n个N bit的D0～Dn-1数据，D0～Dn-1的数据通过参数选择模块与待修调的电参数P*产生2n个P0～Pn-1的数值，该数值以P*为中心数值分布；
步骤三、P0～Pn-1通过参数查表和判决模块与目标参数表格中设定的P**数值进行比较，找出当中最接近P**的一个数值，该数值对应D0～Dn-1数据中唯一的一个数据，记为D*，D*既为P*精确修调的目标数值对应的唯一一个数据，数据D*反馈给主机后，主机把D*发送给芯片，此时数据存储及处理模块会删除D0～Dn-1，并把D*发送给可修调存储器模块，进行修调；
步骤四、修调完成D*被写入存储器，并送给参数选择模块，此时参数选择模块的输出数值为一个固定值记为P***，通过参数查找和判决模块比较P***和P**的差值是否符合设定值，如果符合则精确修调完成。
2.根据权利要求1所述的一种精确修调芯片电参数的方法，其特征在于：所述可修调存储器模块为单次写入型存储器，优选为ROM，或可擦写型存储器优选为Flash。
3.根据权利要求1所述的一种精确修调芯片电参数的方法，其特征在于：所述P0～Pn-1的数值以P*为中心数值分布。
4.根据权利要求1所述的一种精确修调芯片电参数的方法，其特征在于：该方法适用于修调成品芯片电参数，该方法包括以下步骤：
步骤一、主机通过通讯接口把2n个N bit数据D0～Dn-1发送给芯片数据存储及处理模块，数据存储及处理模块把D0～Dn-1送给参数选择模块，参数选择模块根据P*及D0～Dn-1会产生2n个数据P0～Pn-1，输出给参数查找和判决模块；
步骤二、参数查找和判决模块从P0～Pn-1中找出最接近P**的唯一数值，并返回该数值对应的D0～Dn-1中唯一的一个数据，记为D*，把D*回发主机，主机把D*发送给芯片，数据存储及处理模块删除D0～Dn-1，并把D*发送给可修调存储器模块，进行修调；
步骤三、修调完成D*被写入存储器，并送给参数选择模块，参数选择模块输出数值P***，通过参数查找和判决模块比较P***和P**的精度差是否符合设定值，如果符合则精确修调成功，否则判定修调失败。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202011153465.2A CN112345923B (zh) | 2020-10-26 | 2020-10-26 | 一种精确修调芯片电参数的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN112345923B (zh) |
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