CN112331702B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置。该显示装置包括：基板，其包括显示区域和与显示区域相邻的非显示区域；第一平坦化层，其至少部分地设置在显示区域中；第二平坦化层，其设置在非显示区域中并且与第一平坦化层间隔开；接触单元，其设置在非显示区域中位于第一平坦化层与第二平坦化层之间；以及阴极，其从显示区域延伸至非显示区域以电连接至接触单元。因此，第一平坦化层和第二平坦化层彼此间隔开，使得可以阻止水分通过第二平坦化层渗透至显示区域中所通过的路径。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年8月5日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0094998号的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开内容涉及一种显示装置，并且更具体地，涉及一种使通过平坦化层和堤(bank)的水分渗透最小化以改善有机发光二极管的劣化的显示装置。
背景技术
作为用于计算机、电视或便携式电话的显示器的显示装置，存在作为自发光装置的有机发光显示装置(OLED)和需要单独的光源的液晶显示装置(LCD)。
显示装置的适用范围被多样化为个人数字助理以及计算机和电视的显示器，并且正在研究具有大的显示区域和减小的体积和重量的显示装置。
此外，近来，通过在柔性材料的柔性基板例如塑料上形成显示元件和布线线路来制造以即使在显示装置被弯曲或像纸一样卷曲时也能够显示图像的柔性显示装置作为下一代显示装置而受到关注。
发明内容
本公开内容要实现的目的是提供一种使渗透至显示装置中的水分(moisture)减少的显示装置。
本公开内容要实现的另一目的是提供一种改善由于水分/潮湿引起的有机发光二极管的劣化的显示装置。
本公开内容要实现的又一目的是提供一种改善向阴极供应低电位电力电压的接触单元与阴极之间的接触电阻的显示装置。
本公开内容的目的不限于上面提及的目的，并且本领域技术人员从以下描述中可以清楚地理解上面未提及的其他目的。
为了实现上述目的，根据本公开内容的一方面，一种显示装置包括：基板，其包括显示区域和与该显示区域相邻的非显示区域；第一平坦化层，其至少部分地设置在显示区域中；第二平坦化层，其设置在非显示区域中并且与第一平坦化层间隔开；接触单元，其设置在非显示区域中位于第一平坦化层与第二平坦化层之间；以及阴极，其从显示区域延伸至非显示区域以电连接至接触单元。因此，第一平坦化层和第二平坦化层彼此间隔开，使得可以阻止水分通过第二平坦化层渗透至显示区域中所通过的路径。
为了实现上述目的，根据本公开内容的另一方面，一种显示装置包括：基板，其包括显示区域、从显示区域延伸的多个布线区域以及设置在多个布线区域之间的多个接触区域；多个柔性膜，其在基板的一端处电连接至多个布线区域；第一平坦化层，其设置在显示区域、与显示区域相邻的多个布线区域中的一些布线区域以及与多个布线区域相邻的多个接触区域中的一些接触区域中；第二平坦化层，其设置在多个接触区域中并且与第一平坦化层间隔开；阴极，其设置在显示区域、与显示区域相邻的多个布线区域中的一些布线区域以及与显示区域相邻的多个接触区域中的一些接触区域中；以及接触单元，其设置在多个接触区域中的每一个中并且与阴极电连接。多个布线区域相对于多个柔性膜放射状地设置，并且多个接触区域相对于显示区域放射状地设置。因此，使通过第二平坦化层渗透至第一平坦化层中的水分最小化以改善显示装置的可靠性。
示例性实施方式的其他详细主题包括在具体实施方式和附图中。
根据本公开内容，改变具有水分吸收性质的平坦化层和堤的设计以使由于水分引起的有机发光二极管的劣化减小。
根据本公开内容，显示区域的平坦化层和非显示区域的平坦化层彼此间隔开以使通过平坦化层至显示区域的水分渗透减少。
根据本公开内容，平坦化层和堤被设置在非显示区域中，以改善接触单元的台阶覆盖以供应低电位电力电压并且降低阴极的电阻。
根据本公开内容的效果不限于上面例示的内容，并且在本说明书中包括更多不同的效果。
附图说明
从以下结合附图的详细描述中将更清楚地理解本公开内容的上述和其他方面、特征和其他优点，在附图中：
图1是根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置的平面图；
图2是沿图1的线II-II'截取的截面图；
图3是根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置的接触区域的放大的平面图；
图4A至图4E是图3的区域A的放大的平面图；
图5是沿图3的线V-V'截取的截面图；以及
图6是沿图3的线VI-VI'截取的截面图。
具体实施方式
通过参照下面结合附图详细描述的示例性实施方式，将清楚本公开内容的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法。然而，本公开内容不限于本文中公开的示例性实施方式，而是将以各种形式实现。示例性实施方式仅通过示例的方式提供，使得本领域技术人员可以完全理解本公开内容的公开内容和本公开内容的范围。因此，本公开内容将仅由所附权利要求书的范围限定。
附图中所示的用于描述本公开内容的示例性实施方式的形状、尺寸、比例、角度、数目等仅仅是示例，并且本公开内容不限于此。在整个说明书中，相同的附图标记一般表示相同的元件。此外，在本公开内容的以下描述中，可以省略已知相关技术的详细说明，以避免不必要地模糊本公开内容的主题。在本文中所使用的术语例如“包括”、“具有”和“由……组成”通常旨在允许添加其他部件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。对单数的任何引用可以包括复数，除非另外明确说明。
部件被解释为包括普通误差范围，即使未明确说明也是如此。
当使用术语例如“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“邻接”来描述两个部件之间的位置关系时，除非这些术语与术语“紧接”或“直接”一起使用，否则可以在两个部件之间定位有一个或更多个部件。
当元件或层设置在另一元件或层“上”时，另一层或另一元件可以直接插介到该另一元件上或直接置于它们之间。
尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种部件，但是这些部件不受这些术语限制。这些术语仅用于区分一个部件与其他部件。因此，下面要提及的第一部件可以是本公开内容的技术构思中的第二部件。
在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。
附图中所示的每个部件的尺寸和厚度是为了方便描述而示出的，并且本公开内容不限于所示出的部件的尺寸和厚度。
本公开内容的各种实施方式的特征可以部分地或全部地彼此附接或组合，并且可以以技术上的各种方式互锁和操作，并且实施方式可以彼此独立地或彼此相关联地实施。
在下文中，将参照附图详细描述根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置。
图1是根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置的平面图。为了便于描述，在图1中，在显示装置100的各个部件之中，仅示出了基板110、多个子像素SP、多个连接线(link line)LL、多个柔性膜140和印刷电路板150。
基板110是用于支承显示装置100的其他部件的支承构件，并且可以由绝缘材料构造。例如，基板110可以由玻璃或树脂形成。此外，基板110可以被构造成包括塑料例如聚合物或聚酰亚胺PI，或者可以由具有柔性的材料形成。
此外，包括由具有柔性的材料形成的基板110的显示装置100可以被实现为可折叠显示装置或可卷绕显示装置，该可折叠显示装置或可卷绕显示装置被制造成使得即使显示装置100被折叠或卷绕，也可以显示图像。例如，当显示装置100形成为可折叠显示装置时，显示装置100可以相对于折叠轴线折叠基板110或展开基板110。作为另一示例，当显示装置100形成为可卷绕显示装置时，显示装置100可以包括：设置在具有柔性的基板110的一个表面上的后盖；以及将基板110和后盖缠绕至其或从其解绕的辊。当不使用可卷绕显示装置时，基板110和后盖围绕辊卷绕以减小的体积被存储。相反，当使用可卷绕显示装置时，已卷绕的可卷绕显示装置被再次展开以使用。根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100可以形成为柔性显示装置，例如可折叠显示装置或可卷绕显示装置，但不限于此。
基板110包括显示区域AA和非显示区域NA。
显示区域AA是显示图像的区域。在显示区域AA中，可以设置显示图像的多个子像素SP和用于驱动多个子像素SP的电路单元。电路单元可以包括用于驱动多个子像素SP的各种晶体管、电容器和布线线路。例如，电路单元可以包括各种部件，例如驱动薄膜晶体管、开关薄膜晶体管、存储电容器、栅极线和数据线，但不限于此。
非显示区域NA是不显示图像并且设置有用于驱动设置在显示区域AA中的多个子像素SP的各种布线线路和驱动IC的区域。例如，在非显示区域NA中，可以设置各种驱动IC例如栅极驱动器IC和数据驱动器IC。
同时，即使在图1中，非显示区域NA被限定为包围显示区域AA的区域，非显示区域NA也可以被限定为从显示区域AA的一侧延伸的区域，但不限于此。
非显示区域NA包括多个布线区域(routing area)RA和多个接触区域(contactregion)CA。
多个布线区域RA是从显示区域AA延伸至多个柔性膜140的区域。在多个布线区域RA中设置有多个连接线LL。
多个连接线LL可以将信号从印刷电路板150和多个柔性膜140传输至多个子像素SP。连接线LL可以将印刷电路板150的驱动IC和多个柔性膜140连接至显示区域AA的多个布线线路。因此，连接线LL可以将信号传输至显示区域AA的多个布线线路。
多个连接线LL可以由导电材料形成。例如，多个连接线LL可以由用于制造显示区域AA的有机发光二极管和晶体管的各种材料中之一形成，并且被构造为单层或多层。例如，连接线LL可以由钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)以及银(Ag)和镁(Mg)的合金形成。
可以相对于多个柔性膜140放射状地设置多个连接线LL。显示区域AA的多个布线线路可以以恒定的间隔设置在整个显示区域AA中。此外，为了将信号从多个柔性膜140中的每一个传输至显示区域AA的多个布线线路，多个连接线LL中的每一个可以设置成对应于多个布线线路。例如，连接至设置在多个柔性膜140的最左侧处的柔性膜140的多个连接线LL可以从显示区域AA的最左侧布线线路连接至显示区域AA中的布线线路。因此，多个连接线LL可以从多个柔性膜140朝向显示区域AA的多个布线线路放射状地延伸。
此外，也可以放射状地形成其中设置有多个连接线LL的多个布线区域RA。多个布线区域RA中的每一个可以相对于多个柔性膜140放射状地设置。例如，多个布线区域RA可以为三角形形状，但不限于此。
多个接触区域CA设置在多个布线区域RA之间，并且设置有多个接触单元160。
在多个接触区域CA中的每一个中，设置有多个接触单元。多个接触单元设置在多个布线区域RA之间的接触区域CA中，以向显示区域AA供应低电位电力电压VSS。多个接触单元中的每一个电连接至多个柔性膜140，以从多个柔性膜140被供应有低电位电力电压。将参照图3和图4A至图4E更详细地描述多个接触单元。
可以相对于显示区域AA放射状地设置多个接触区域CA。也可以放射状地形成由放射状地形成的布线区域RA包围的多个接触区域CA。例如，多个连接线LL和多个布线区域RA相对于多个柔性膜140放射状地设置，使得多个布线区域RA可以形成为三角形形状。由多个三角形布线区域RA包围的多个接触区域CA可以形成为倒三角形形状。然而，多个接触区域CA的形状可以根据多个布线区域RA和多个连接线LL的布置而变化，但不限于此。
多个柔性膜140设置在基板110的一端处。多个柔性膜140在基板110的一端处连接至多个布线区域RA。多个柔性膜140是其中在具有延展性(malleability)的基膜上设置有各种部件以向显示区域AA的多个子像素SP和驱动电路供应信号的膜。多个柔性膜140的一端设置在非显示区域NA的布线区域RA中，以通过多个连接线LL向显示区域AA的多个子像素SP和驱动电路供应电力电压或数据电压。同时，即使在图1中多个柔性膜140是四个，多个柔性膜140的数目也可以根据设计而变化，但不限于此。
同时，可以在多个柔性膜140上设置驱动IC例如栅极驱动器IC或数据驱动器IC。驱动IC是处理用于显示图像的数据和用于处理所述数据的驱动信号的部件。根据安装方法，驱动IC可以通过玻璃上芯片(COG)、膜上芯片(COF)或带载封装(TCP)技术来设置。然而，为了便于描述，描述了驱动IC通过膜上芯片技术安装在多个柔性膜140上，但不限于此。
印刷电路板150连接至多个柔性膜140。印刷电路板150是向驱动IC供应信号的部件。可以在印刷电路板150中设置各种部件，以向驱动IC供应各种驱动信号，例如驱动信号或数据信号。同时，即使在图1中示出了一个印刷电路板150，印刷电路板150的数目也可以根据设计而变化，但不限于此。
多个子像素SP设置在基板110的显示区域AA中。多个子像素SP中的每一个是发射光的单独单元，并且在多个子像素SP中的每一个中，形成有发光二极管和驱动电路。例如，多个子像素SP可以包括红光子像素、绿光子像素和蓝光子像素，但不限于此，并且多个子像素SP还可以包括白光子像素。
在下文中，将参照图2更详细地描述多个子像素SP。
图2是沿图1的线II-II'截取的截面图。参照图2，根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100包括基板110、缓冲层111、栅极绝缘层GI、层间绝缘层112、晶体管120、钝化层113、第一平坦化层114a、有机发光二极管130和第一堤115a。
缓冲层111设置在基板110上。缓冲层111抑制从基板110的外部渗透的水分和/或氧气扩散。缓冲层111可以由无机材料形成，例如可以由硅氧化物SiOx和硅氮化物SiNx的单层或双层构造而成，但不限于此。
晶体管120设置在缓冲层111上。晶体管120可以设置在显示区域AA的多个子像素SP中的每一个中。设置在多个子像素SP中的每一个中的晶体管120可以用作显示装置100的驱动元件。例如，晶体管120可以是薄膜晶体管(TFT)、N沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管、P沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管、互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管或场效应晶体管FET，但不限于此。在下文中，多个晶体管120被假定为薄膜晶体管，但不限于此。
晶体管120包括栅电极122、有源层121、源电极123和漏电极124。
晶体管120的有源层121设置在缓冲层111上。例如，有源层121可以由氧化物半导体、非晶硅或多晶硅形成，但不限于此。
栅电极122设置在有源层121上。栅电极122可以由导电材料例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)或其合金形成，但不限于此。
栅极绝缘层GI设置在栅电极122与有源层121之间。栅极绝缘层GI是用于使栅电极122与有源层121绝缘的层。栅极绝缘层GI可以由无机材料形成，例如可以由硅氧化物SiOx和硅氮化物SiNx的单层或双层构造而成，但不限于此。
层间绝缘层112设置在栅电极122和有源层121上。层间绝缘层112使栅电极122与源电极123和漏电极124绝缘。层间绝缘层112可以由无机材料形成，例如可以由硅氧化物SiOx和硅氮化物SiNx的单层或双层构造而成，但不限于此。
源电极123和漏电极124设置在层间绝缘层112上以彼此间隔开。源电极123和漏电极124通过形成在层间绝缘层112中的接触孔电连接至有源层121。源电极123和漏电极124可以由导电材料例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)或它们的合金形成，但不限于此。
钝化层113设置在晶体管120上。钝化层113是用于保护钝化层113下方的部件的绝缘层。钝化层113可以由无机材料形成，例如可以由硅氧化物SiOx和硅氮化物SiNx的单层或双层构造而成，但不限于此。此外，根据设计，可以省略钝化层113。
第一平坦化层114a设置在钝化层113上。第一平坦化层114a可以使包括晶体管120的基板110的上部平坦化。第一平坦化层114a可以设置在整个显示区域AA中和非显示区域NA的一部分中。第一平坦化层114a可以由有机材料形成，并且例如可以由丙烯酸基有机材料的单层或双层形成，但不限于此。将参照图3更详细地描述设置在非显示区域NA的一部分中的第一平坦化层114a。
在显示区域AA中的第一平坦化层114a上设置发光二极管130。有机发光二极管130是发射光的自发光元件并且设置在多个子像素SP中以由多个晶体管120驱动。有机发光二极管130包括阳极131、有机发光层132和阴极133。
同时，根据从有机发光二极管130发射的光的发射方向，显示装置100可以被构造为顶部发射类型或底部发射类型。
根据顶部发射类型，从有机发光二极管130发射的光发射至有机发光二极管130形成于其上的基板110的上部。在顶部发射类型的情况下，可以在阳极131下方形成反射层，以允许从有机发光二极管130发射的光行进至基板110的上部，即朝向阴极133。
根据底部发射类型，从有机发光二极管130发射的光发射至有机发光二极管130形成于其上的基板110的下部。在底部发射类型的情况下，阳极131可以仅由透明导电材料形成，以允许从有机发光二极管130发射的光行进至基板110的下部，并且阴极133可以由具有高反射率的金属材料形成。
在下文中，为了便于描述，将通过假定根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100是底部发射类型显示装置100来进行描述，但不限于此。
阳极131可以向有机发光层132供应空穴，并且可以由具有高功函数的导电材料形成。例如，阳极131可以由锡氧化物(TO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或铟锌锡氧化物(ITZO)形成，但不限于此。
第一堤115a设置在阳极131上。第一堤115a被设置成与显示区域AA交叠并且覆盖阳极131的边缘。第一堤115a设置在彼此相邻的子像素SP之间的边界处，以减少从多个子像素SP中的每一个的有机发光二极管130发射的光的颜色混合。例如，第一堤115a可以由绝缘材料例如聚酰亚胺、丙烯酸或苯并环丁烯(BCB)基树脂形成，但不限于此。
有机发光层132设置在从第一堤115a露出的阳极131上。有机发光层132被供应有来自阳极131的空穴和被供应有来自阴极133的电子，以发射光。根据从有机发光层132发射的光的颜色，有机发光层132可以由红光有机发光层、绿光有机发光层、蓝光有机发光层和白光有机发光层形成。在这种情况下，当有机发光层132为白光有机发光层时，可以另外设置具有各种颜色的滤色器。
阴极133设置在有机发光层132和第一堤115a上。阴极133可以至少设置在显示区域AA的整个表面上。阴极133可以向有机发光层132供应电子，并且可以由具有低功函数的导电材料形成。例如，阴极133可以由选自由金属例如镁(Mg)、银(Ag)和铝(Al)及其合金构成的组中的任意一个或更多个形成，但不限于此。此外，由于显示装置100是底部发射类型，因此阴极133可以将从有机发光层132发射的光朝向基板110反射。
同时，阴极133不仅可以设置在显示区域AA中，而且可以设置在非显示区域NA中，以电连接至多个接触单元并且从多个接触单元被供应有低电位电力电压。
在下文中，将参照图3和图4A至图4E更详细地描述多个接触单元。
图3是根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置的接触区域的放大的平面图。图4A至图4E是图3的区域A的放大的平面图。图4A至图4E是用于说明根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100的接触单元160的示意性平面图。图4A是用于说明金属层161和接触单元160的接触孔CH的示意性平面图。图4B是用于说明第一平坦化层114a和第二平坦化层114b的示意性平面图。图4C是用于说明接触单元160的透明导电层162的示意性平面图。图4D是用于说明第二堤115b的示意性平面图。图4E是用于说明阴极133的示意性平面图。
参照图3，多个接触单元160中的每一个包括一个或更多个金属层161和透明导电层162。
参照图3和图4A，一个或更多个金属层161设置在基板110上。金属层161可以由与显示区域AA的驱动元件的一部分相同的材料形成。金属层161可以由与形成作为显示区域AA的驱动元件的晶体管120的材料中的任意一种相同的材料形成。例如，金属层161可以包括第一金属层161a和设置在第一金属层161a上的第二金属层161b。此外，第一金属层161a由与晶体管120的栅电极122相同的材料形成，并且第二金属层161b由与晶体管120的源电极123和漏电极124相同的材料形成。然而，接触单元160中的一个或更多个金属层161可以由与形成设置在显示区域AA中的除了晶体管120之外的多个布线线路或存储电容器的材料中的任意一种相同的材料形成，但不限于此。
同时，金属层161延伸至多个柔性膜140以电连接至多个柔性膜140。例如，在金属层161之中，第一金属层161a延伸至多个柔性膜140，以从多个柔性膜140被供应有低电位电力电压。
在这种情况下，如上所述，金属层161可以由与由铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)或其合金形成的栅电极122、源电极123和漏电极124相同的材料形成。铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)或其合金具有低的比电阻(specific resistance)，使得可以减小信号延迟。因此，由具有低的比电阻的材料形成的金属层161电连接至多个柔性膜140，以被供应有低电位电力电压。因此，可以使低电位电力电压的传输延迟减小，并且可以容易地将低电位电力电压供应至显示区域AA。
同时，可以在金属层161上设置一个或更多个绝缘层。此外，为了将金属层161电连接至稍后将描述的透明导电层162，可以在一个或更多个绝缘层中形成接触孔CH以使金属层161露出。例如，从显示区域AA到非显示区域NA设置的钝化层113或层间绝缘层112设置在金属层161与透明导电层162之间，并且使金属层161露出的接触孔CH设置在钝化层113或层间绝缘层112中。在下文中，为了便于描述，将钝化层113假定为设置在金属层161上的一个或更多个绝缘层。
此外，即使在图3中未示出，为了便于描述，在第一金属层161a与第二金属层161b之间还可以设置形成有接触孔的绝缘层。例如，层间绝缘层112设置在第一金属层161a与第二金属层161b之间，并且可以在层间绝缘层112中形成使第一金属层161a露出的接触孔以电连接第一金属层161a和第二金属层161b。然而，即使在图3和图4A中，描述了金属层161包括第一金属层161a和第二金属层161b，金属层161也可以形成为单层。当金属层161形成为单层时，可以不设置层间绝缘层112，并且不限于此。
接下来，参照图3和图4B，第一平坦化层114a和第二平坦化层114b设置在金属层161上。
第一平坦化层114a从显示区域AA设置在非显示区域NA的一部分中。第一平坦化层114a设置在显示区域AA、与显示区域AA相邻的多个布线区域RA中的一些布线区域RA、以及与多个布线区域RA相邻的多个接触区域CA中的一些接触区域CA中。具体地，可以将第一平坦化层114a的延伸至与显示区域AA相邻的多个布线区域RA中的一些布线区域RA的边缘设置成平行于显示区域AA的与多个布线区域RA相邻的边缘。此外，由于第一平坦化层114a设置在与多个布线区域RA相邻的接触区域CA的一部分中，因此第一平坦化层114a的边缘可以沿多个布线区域RA的边缘设置在多个接触区域CA中。例如，在与多个接触区域CA对应的部分中，第一平坦化层114a的边缘形成为具有凹形形状例如V形状。此外，在与多个布线区域RA对应的部分中，第一平坦化层114a的边缘被设置成平行于显示区域AA的与多个布线区域RA相邻的边缘。
第二平坦化层114b设置在多个接触区域CA中。第二平坦化层114b可以被设置成平行于显示区域AA的与多个布线区域RA和多个接触区域CA相邻的边缘。第二平坦化层114b可以由与第一平坦化层114a相同的材料通过相同的过程形成。在这种情况下，第二平坦化层114b形成为与使多个接触区域CA中的金属层161露出以将金属层161电连接至下面将描述的透明导电层162的接触孔CH间隔开。也就是说，第二平坦化层114b可以不被设置成填充接触孔CH。
第二平坦化层114b可以被设置成与第一平坦化层114a间隔开。第二平坦化层114b可以设置成与第一平坦化层114a间隔开以具有岛状。此外，由于第二平坦化层114b与第一平坦化层114a间隔开，因此即使水分渗透至第二平坦化层114b中，水分也不会影响第一平坦化层114a。因此，可以使至显示区域AA的有机发光二极管130中的水分渗透最小化。具体地，第一平坦化层114a和第二平坦化层114b具有吸收水分的性质。此外，当设置在显示区域AA中的有机发光二极管130与外部水分或氧气接触时，有机发光二极管130被劣化，这导致显示装置100的缺陷。因此，具有吸收水分的性质并且被设置成与显示装置100的最外侧相邻的第二平坦化层114b与设置于显示区域AA中的第一平坦化层114a间隔开。因此，可以阻止通过第二平坦化层114b向第一平坦化层114a的水分渗透路径，并且可以改善有机发光二极管130的可靠性。
参照图3和图4C，接触单元160的透明导电层162设置在接触区域CA中的金属层161上。透明导电层162设置在第一平坦化层114a和第二平坦化层114b上，以通过接触孔CH电连接至金属层161。透明导电层162可以由与显示区域AA的有机发光二极管130的一部分相同的材料形成。例如，透明导电层162可以由与有机发光二极管130的由透明导电材料形成的阳极131相同的材料形成。
透明导电层162被设置成覆盖设置在接触区域CA中的第一平坦化层114a的边缘。透明导电层162的与第一平坦化层114a相邻的边缘可以设置在第一平坦化层114a的顶表面上。透明导电层162的设置在接触区域CA的其中未设置有第一平坦化层114a的部分中的边缘可以设置在一个或更多个绝缘层上。
透明导电层162被设置成覆盖设置在接触区域CA中的整个第二平坦化层114b。透明导电层162与第二平坦化层114b的顶表面和侧表面接触。透明导电层162的边缘可以被设置成与第二平坦化层114b间隔开。
同时，由于透明导电层162的边缘被设置成与第二平坦化层114b间隔开，因此可以使在透明导电层162的边缘附近阴极133的断开和阴极133的电阻增加范围减少。这将在下面参照图5进行描述。
参照图3和图4D，第二堤115b设置在接触区域CA中的透明导电层162上。第二堤115b可以由与显示区域AA的第一堤115a相同的材料通过相同的过程形成。第二堤115b可以被设置成覆盖透明导电层162的覆盖设置在接触区域CA中的第一平坦化层114a的边缘的边缘。第二堤115b可以被设置成覆盖透明导电层162的边缘中的透明导电层162的设置在第一平坦化层114a的顶表面上的边缘。
同时，透明导电层162的边缘可以相对于第二堤115b弯曲。具体地，在透明导电层162的与布线区域RA相邻的边缘中，设置在第二堤115b的外部处的一些边缘可以突出以比与第二堤115b交叠的其他边缘更靠近布线区域RA。然而，透明导电层162的与第二堤115b交叠的边缘可以直线地形成，但是透明导电层162的形状不限于此。
参照图4E，阴极133设置在透明导电层162和第二堤115b上。阴极133可以被设置成从显示区域AA延伸至非显示区域NA。阴极133可以设置在显示区域AA、与显示区域AA相邻的多个布线区域RA中的一些布线区域RA、以及与显示区域AA相邻的多个接触区域CA中的一些接触区域CA中。此外，设置在多个接触区域CA中的阴极133被设置成覆盖透明导电层162以电连接至透明导电层162。阴极133与电连接至金属层161的透明导电层162接触以电连接至金属层161。因此，阴极133电连接至多个柔性膜140，以通过低电位电力电压被供应至的金属层161和通过接触孔CH与金属层161接触的透明导电层162被供应有低电位电力电压。
在下文中，将参照图5和图6更详细地描述多个接触单元160。
图5是沿图3的线V-V'截取的截面图，并且图6是沿图3的线VI-VI'截取的截面图。
参照图5和图6，缓冲层111、第一金属层161a、层间绝缘层112、第二金属层161b和钝化层113顺序地设置在基板110上。
如上所述，第一金属层161a和第二金属层161b可以由与显示区域AA的晶体管120的栅电极122、源电极123和漏电极124相同的材料通过相同的过程形成。层间绝缘层112和钝化层113可以被设置成从显示区域AA延伸至非显示区域NA。
参照图5和图6，在钝化层113中形成使金属层161露出的接触孔CH。接触孔CH在钝化层113中形成为对应于第一平坦化层114a的边缘和第二平坦化层114b的边缘。具体地，钝化层113的接触孔CH形成为对应于第一平坦化层114a的面向第二平坦化层114b的边缘和第二平坦化层114b的面向第一平坦化层114a的边缘。钝化层113的接触孔CH可以在第一平坦化层114a与第二平坦化层114b之间使第二金属层161b露出。
接触孔CH还形成在层间绝缘层112中的与第一平坦化层114a的边缘和第二平坦化层114b的边缘相邻的区域中。具体地，使第一金属层161a露出的接触孔CH在层间绝缘层112中形成在第一平坦化层114a与第二平坦化层114b之间。此外，第一金属层161a和第二金属层161b通过形成在层间绝缘层112中的接触孔CH彼此接触，以彼此电连接。
同时，透明导电层162的边缘设置在第一平坦化层114a的顶表面上。透明导电层162的在第一平坦化层114a的顶表面上的边缘可以形成为具有倒锥形形状。具体地，可以通过在第一平坦化层114a和第二平坦化层114b上形成用于形成透明导电层162的材料并且然后蚀刻该材料来形成透明导电层162。当使用蚀刻剂蚀刻形成透明导电层162的材料时，由于由有机材料形成的第一平坦化层114a具有高吸湿性以吸收蚀刻剂，因此透明导电层162的与第一平坦化层114a接触的底表面可以被更多地蚀刻。因此，当将透明导电层162的边缘设置在第一平坦化层114a上时，透明导电层162的与第一平坦化层114a接触的底表面被过多地蚀刻。因此，透明导电层162的在第一平坦化层114a的顶表面上的边缘可以形成为具有倒锥形形状。
第二堤115b被设置成覆盖透明导电层162的在第一平坦化层114a上的具有倒锥形形状的边缘。由于第二堤115b被设置成覆盖透明导电层162的具有倒锥形形状的边缘，因此可以使在透明导电层162的边缘处阴极133的断开减少，并且可以减小阴极133的电阻增加范围。例如，当阴极133直接形成在透明导电层162的具有倒锥形形状的边缘上时，在透明导电层162的边缘处会减小阴极133的厚度。因此，当阴极133直接形成在透明导电层162的具有倒锥形形状的边缘上时，可能由于阴极133的减小的厚度而使电阻增加，或者可能发生断开。
因此，在透明导电层162的具有倒锥形形状的边缘上形成第二堤115b之后，可以在第二堤115b上形成阴极133。第二堤115b抑制透明导电层162的具有倒锥形形状的边缘与阴极133之间的接触，以降低阴极133的与透明导电层162的边缘相邻的部分的厚度的减小和电阻的增加。
透明导电层162被设置成覆盖第二平坦化层114b。透明导电层162的边缘被设置成与第二平坦化层114b间隔开。如果透明导电层162的边缘设置在第二平坦化层114b上，则由于由与第一平坦化层114a相同的材料形成的第二平坦化层114b具有高吸湿性以吸收蚀刻剂，因此透明导电层162的设置在第二平坦化层114b上的底表面可能被过多地蚀刻。因此，透明导电层162的边缘与第二平坦化层114b间隔开，使得透明导电层162的边缘不会由于第二平坦化层114b的吸收蚀刻剂的吸湿性而被过多地蚀刻并且透明导电层162的边缘会被形成为具有锥形形状。
此外，第二平坦化层114b改善了透明导电层162的台阶覆盖(step coverage)以降低阴极133与透明导电层162之间的接触电阻。具体地，第二平坦化层114b可以形成为平坦的并且平缓的。此外，由于覆盖第二平坦化层114b的透明导电层162也沿第二平坦化层114b的表面形成，因此透明导电层162可以具有较平坦的表面。因此，形成在具有平坦表面的第二平坦化层114b和透明导电层162上的阴极133的厚度可以更均匀。因此，设置第二平坦化层114b以改善透明导电层162的台阶覆盖，并且形成在透明导电层162上的阴极133也形成为具有均匀的厚度。因此，可以降低阴极133与透明导电层162之间的接触电阻。
一起参照图6和图3，第一平坦化层114a和第二平坦化层114b被设置成在接触区域CA中彼此间隔开，使得在接触区域CA中存在未设置第一平坦化层114a和第二平坦化层114b的区域。例如，第一平坦化层114a设置在接触区域CA的接触单元160下方，并且第二平坦化层114b设置在接触单元160上方。此外，在接触单元160的中间部中不设置单独的平坦化层。此外，接触单元160的其中不设置第一平坦化层114a和第二平坦化层114b的中间部可以阻止通过第一平坦化层114a和第二平坦化层114b的水分的渗透路径。因此，第一平坦化层114a和第二平坦化层114b以在其间的接触单元160的中间部彼此间隔开。因此，即使水分渗透至第二平坦化层114b中，水分也几乎不会从第二平坦化层114b传输至第一平坦化层114a。
透明导电层162的边缘在接触单元160的中间部的与布线区域RA相邻的侧部中设置在钝化层113上。此时，在一些情况下，透明导电层162的设置在钝化层113上的边缘可以形成为类似于倒锥形形状，而不是锥形形状。在这种情况下，阴极133的厚度在透明导电层162的边缘附近是不均匀的，使得会增加阴极133的电阻。然而，即使在接触单元160的侧部中电阻增加，在接触单元160的上部和下部中的电阻减小，使得可以减小接触单元160的总电阻。具体地，即使在接触单元160的侧部中阴极133的电阻增加，第一平坦化层114a和第二堤115b设置在接触单元160的下部中，使得由于透明导电层162的具有倒锥形形状的边缘而使阴极133的电阻增加降低。此外，在接触单元160的上部中通过第二平坦化层114b改善了透明导电层162的台阶覆盖，以使阴极133的电阻增加最小化，使得可以减小接触单元160的总接触电阻。
在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，第一平坦化层114a和第二平坦化层114b彼此间隔开，使得可以减小通过第二平坦化层114b和第一平坦化层114a至显示区域AA的水分渗透。设置在显示区域AA和非显示区域NA的一部分中的第一平坦化层114a被设置成与设置在接触区域CA中的第二平坦化层114b间隔开。第一平坦化层114a和第二平坦化层114b具有快速的水分吸收性质。当与显示装置100的最外侧相邻的第二平坦化层114b与第一平坦化层114a一体地形成时，渗透至第二平坦化层114b中的水分可以容易地传输至第一平坦化层114a。因此，第一平坦化层114a和第二平坦化层114b彼此间隔开，使得即使水分渗透至第二平坦化层114b中，水分也不会传输至第一平坦化层114a。因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，第二平坦化层114b与第一平坦化层114a间隔开。因此，可以使水分向显示区域AA的渗透减少，并且可以使由于水分引起的有机发光二极管130的劣化最小化。
同时，根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100将第二平坦化层114b设置在非显示区域NA中，使得可以容易地形成从其中去除了第二平坦化层114b和钝化层113两者的接触孔CH。具体地，可以使用一个半色调掩模(one halftone mask)来形成第二平坦化层114b和钝化层113。当使用半色调掩模时，可以将区域分类成其中蚀刻第二平坦化层114b和钝化层113两者的全开口区域、其中仅蚀刻第二平坦化层114b并且保留钝化层113的半色调区域以及其中保留第二平坦化层114b和钝化层113两者的全色调区域。在这种情况下，为了在接触单元160中形成金属层161通过其与透明导电层162接触的接触孔CH，可以蚀刻钝化层113。然而，钝化层113可以与第二平坦化层114b一起在接触孔CH中被蚀刻，并且接触孔CH可以是其中蚀刻第二平坦化层114b和钝化层113两者的全开口区域。在这种情况下，为了形成全开口区域，在全开口区域与半色调区域之间需要全色调区域。如果在没有全色调区域的情况下形成半色调区域和全开口区域，则当形成全开口区域时，半色调区域的钝化层113的一部分可能被撕裂。因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，其中保留第二平坦化层114b和钝化层113的全色调区域设置在接触区域CA中，以容易地形成接触单元160的钝化层113的接触孔CH。因此，由于其中保留第二平坦化层114b和钝化层113的全色调区域设置在接触区域CA中，因此可以容易地形成金属层161与透明导电层162通过其连接的接触孔CH。
另外，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，设置第二平坦化层114b以改善透明导电层162的台阶覆盖并且减小阴极133的电阻。第二平坦化层114b形成为具有平坦的表面，并且覆盖第二平坦化层114b的透明导电层162也形成为沿第二平坦化层114b的表面是平坦的。因此，透明导电层162可以具有较平稳的表面。此外，形成在这种透明导电层162上的阴极133具有均匀的厚度，使得可以使由于阴极133的减小的厚度而引起的电阻增加降低。因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，设置第二平坦化层114b以改善透明导电层162的台阶覆盖并且使阴极133的厚度变化降低。通过这样做，可以减小阴极133与接触单元160之间的接触电阻。
在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，透明导电层162形成为完全覆盖第二平坦化层114b，以抑制透明导电层162的边缘附近的过度蚀刻。此外，确保覆盖透明导电层162的边缘的阴极133的厚度以使电阻增加范围最小化。透明导电层162的边缘与第二平坦化层114b间隔开以类似于锥形形状。如果透明导电层162的边缘设置在第二平坦化层114b上，则第二平坦化层114b的吸收蚀刻剂的吸湿性高，使得透明导电层162的边缘附近与第二平坦化层114b接触的底表面可能被过多地蚀刻。此外，透明导电层162的边缘可以具有倒锥形形状。因此，当第二平坦化层114b和透明导电层162的边缘彼此间隔开时，透明导电层162的边缘可以形成为类似于锥形形状。因此，当透明导电层162形成为覆盖整个第二平坦化层114b时，确保在透明导电层162的边缘附近阴极133的厚度，并且可以降低在透明导电层162的边缘附近阴极133的电阻。因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，透明导电层162的边缘与第二平坦化层114b间隔开，使得透明导电层162的边缘形成为具有锥形形状。此外，可以减小在透明导电层162的边缘附近阴极133与接触单元160之间的接触电阻。
在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，设置覆盖透明导电层162的具有倒锥形形状的边缘的第二堤115b，以使在透明导电层162的边缘处阴极133的断开减少并且降低电阻。透明导电层162的边缘设置在第一平坦化层114a的顶表面上。透明导电层162的在第一平坦化层114a的顶表面上的边缘可以形成为具有倒锥形形状。具体地，第一平坦化层114a的吸收蚀刻剂的吸湿性高，使得透明导电层162的与第一平坦化层114a接触的底表面可能被过多地蚀刻。此外，由于设置在第一平坦化层114a上的透明导电层162的过度蚀刻，因此透明导电层162的边缘可以形成为具有倒锥形形状。在这种情况下，第二堤115b被设置成覆盖透明导电层162的在第一平坦化层114a上具有倒锥形形状的边缘。由于第二堤115b被设置成覆盖透明导电层162的具有倒锥形形状的边缘，因此可以抑制阴极133与透明导电层162的边缘的直接接触，并且可以抑制阴极133的厚度的减小。因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，即使透明导电层162的边缘具有倒锥形形状，在透明导电层162的边缘上还设置有第二堤115b。因此，可以抑制透明导电层162的边缘与阴极133的接触，并且可以使由于阴极133的减小的厚度而引起的电阻增加降低。
最后，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，即使在接触单元160的部分区域中阴极133的电阻高，也可以采用用于在接触单元160的上部和下部处降低阴极133的电阻的设计。因此，可以充分降低接触单元160与阴极133之间的总接触电阻。具体地，为了使第一平坦化层114a和第二平坦化层114b彼此分离，在接触单元160的中间部中不设置第一平坦化层114a和第二平坦化层114b。透明导电层162的边缘可以在接触单元160的与布线区域RA相邻的侧部中直接设置在钝化层113上。在这种情况下，由于各种因素例如制造过程或材料类型，透明导电层162的设置在钝化层113上的边缘可以形成为类似于锥形形状或倒锥形形状中的任一个。如果透明导电层162的在钝化层113上的边缘类似于倒锥形形状，则在透明导电层162的边缘处阴极133的厚度是不均匀的。因此，作为接触单元160的侧部的接触单元160的中间部中的电阻会增加一点。然而，在接触单元160的上部中，设置第二平坦化层114b以增加透明导电层162的台阶覆盖并且减小阴极133的电阻。在接触单元160的下部中，设置第一平坦化层114a和第二堤115b以抑制透明导电层162的具有倒锥形形状的边缘与阴极133之间的直接接触，并且减小阴极133的电阻增加范围。因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，即使接触单元160的部分区域中的电阻增加，也可以采用用于在接触单元160的上部和下部中减小阴极133的电阻的设计。因此，可以降低接触单元160和阴极133的总接触电阻，并且可以向显示区域AA平稳地供应低电位电力电压。
本公开内容的示例性实施方式还可以被描述如下：
根据本公开内容的一方面，提供了一种显示装置。该显示装置包括：基板，其包括显示区域和与显示区域相邻的非显示区域；第一平坦化层，其至少部分地设置在显示区域中；第二平坦化层，其设置在非显示区域中并且与第一平坦化层间隔开；接触单元，其设置在非显示区域中位于第一平坦化层与第二平坦化层之间；以及阴极，其从显示区域延伸至非显示区域以电连接至接触单元。
接触单元可以包括：一个或更多个金属层，其设置在第一平坦化层和第二平坦化层之下；以及透明导电层，其设置在第一平坦化层和第二平坦化层上并且可以电连接至金属层。
透明导电层可以被设置成覆盖整个第二平坦化层。
透明导电层的边缘可以与第二平坦化层间隔开。
透明导电层的边缘可以设置在第一平坦化层上。
显示装置还可以包括堤，堤被设置成覆盖透明导电层的在第一平坦化层上的边缘。
透明导电层的延伸至堤的外部的部分的边缘可以比透明导电层的与堤交叠的另一部分的边缘更向外突出。
显示装置还可以包括：多个柔性膜，其在非显示区域中连接至基板。金属层可以延伸至第二平坦化层的外部以电连接至多个柔性膜。
显示装置还可以包括：多个布线区域，其从多个柔性膜朝向显示区域放射状地延伸。接触单元可以设置在多个布线区域之间。
显示装置还可以包括：多个发光二极管，其包括阴极并且设置在显示区域中；以及用于驱动多个发光二极管的多个驱动元件。金属层可以由与多个驱动元件的一部分相同的材料形成，并且透明导电层可以由与多个发光二极管的阳极相同的材料形成。
显示装置还可以包括：一个或更多个绝缘层，其设置在金属层与透明导电层之间并且具有形成为使金属层露出的接触孔。在第一平坦化层与第二平坦化层之间的非显示区域中通过接触孔露出的金属层可以与透明导电层接触。
显示装置还可以包括：在基板的一个表面上的支承基板的后盖；以及辊，基板和后盖被缠绕至所述辊或从所述辊解绕。
根据本公开内容的另一方面，提供了一种显示装置。该显示装置包括：基板，其包括显示区域、从显示区域延伸的多个布线区域以及设置在多个布线区域之间的多个接触区域；多个柔性膜，其在基板的一端处电连接至多个布线区域；第一平坦化层，其设置在显示区域、与显示区域相邻的多个布线区域中的一些布线区域、以及与多个布线区域相邻的多个接触区域中的一些接触区域中；第二平坦化层，其设置在多个接触区域中并且与第一平坦化层间隔开；阴极，其设置在显示区域、与显示区域相邻的多个布线区域中的一些布线区域以及与显示区域相邻的多个接触区域中的一些接触区域中；以及接触单元，其设置在多个接触区域中的每一个中并且与阴极电连接。多个布线区域相对于多个柔性膜放射状地设置，并且多个接触区域相对于显示区域放射状地设置。
接触单元可以包括：一个或更多个金属层，其设置在第一平坦化层和第二平坦化层之下；以及透明导电层，其设置在第一平坦化层和第二平坦化层上并且电连接至金属层；并且透明导电层的边缘的一部分可以设置在设置在多个接触区域中的第一平坦化层的顶表面上。
金属层可以朝向多个柔性膜延伸至透明导电层的外部，以电连接至多个柔性膜。
在多个接触区域中，第一平坦化层的边缘可以沿多个布线区域的边缘设置以具有凹形形状，并且在多个布线区域中，第一平坦化层的边缘可以被设置成平行于显示区域的边缘。
显示装置还可以包括在多个接触区域中同时覆盖透明导电层的边缘的一部分和第一平坦化层的边缘的一部分的堤。堤可以具有V形状。
第二平坦化层可以被设置成平行于显示区域的边缘，并且第二平坦化层的侧表面和顶表面可以与透明导电层接触。
尽管已经参照附图详细描述了本公开内容的示例性实施方式，但是本公开内容不限于此，并且可以在不脱离本公开内容的技术构思的情况下以许多不同的形式实施。因此，提供本公开内容的示例性实施方式仅是为了说明的目的，而不是旨在限制本公开内容的技术构思。本公开内容的技术构思的范围不限于此。因此，应当理解，上述示例性实施方式在所有方面都是说明性的，并且不限制本公开内容。本公开内容的保护范围应当基于所附权利要求书来解释，并且在其等同物范围内的所有技术构思应当被解释为落入本公开内容的范围内。

Claims (16)

1.一种显示装置，包括：
基板，其包括显示区域和与所述显示区域相邻的非显示区域；
多个发光二极管，其设置在所述显示区域中并且包括阳极和阴极；以及
用于驱动所述多个发光二极管的多个驱动元件；
第一平坦化层，其至少部分地设置在所述显示区域中；
第二平坦化层，其设置在所述非显示区域中并且与所述第一平坦化层间隔开；以及
接触单元，其设置在所述非显示区域中位于所述第一平坦化层与所述第二平坦化层之间；
其中，所述阴极从所述显示区域延伸至所述非显示区域以电连接至所述接触单元；
其中，所述接触单元包括：
一个或更多个金属层，其设置在所述非显示区域中的所述第一平坦化层和所述第二平坦化层之下；以及
透明导电层，其设置在所述非显示区域中的所述第一平坦化层和所述第二平坦化层上并且电连接至所述一个或更多个金属层；
其中，所述一个或更多个金属层中的金属层由与所述多个驱动元件的一部分相同的材料形成，并且
其中，所述透明导电层由与所述多个发光二极管的阳极相同的材料形成。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述透明导电层被设置成覆盖整个第二平坦化层。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述透明导电层的边缘与所述第二平坦化层间隔开。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述透明导电层的边缘设置在所述第一平坦化层上。
5.根据权利要求4所述的显示装置，还包括：
堤，其被设置成覆盖所述透明导电层的在所述第一平坦化层上的边缘。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述透明导电层的延伸至所述堤的外部的部分的边缘比所述透明导电层的与所述堤交叠的另外的部分的边缘更向外突出。
7.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
多个柔性膜，其在所述非显示区域中连接至所述基板，
其中，所述一个或更多个金属层延伸至所述第二平坦化层的外部以电连接至所述多个柔性膜。
8.根据权利要求7所述的显示装置，还包括：
多个布线区域，其从所述多个柔性膜朝向所述显示区域放射状地延伸，
其中，所述接触单元设置在所述多个布线区域之间。
9.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
一个或更多个绝缘层，其设置在所述一个或更多个金属层中的金属层与所述透明导电层之间并且具有形成为使所述金属层露出的接触孔，
其中，在所述第一平坦化层与所述第二平坦化层之间的所述非显示区域中通过所述接触孔露出的所述金属层与所述透明导电层接触。
10.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
在所述基板的一个表面上的支承所述基板的后盖；以及
辊，所述基板和所述后盖被缠绕至所述辊或从所述辊解绕。
11.一种显示装置，包括：
基板，其包括显示区域、从所述显示区域延伸的多个布线区域以及设置在所述多个布线区域之间的多个接触区域；
多个柔性膜，其在所述基板的一端处电连接至所述多个布线区域；
第一平坦化层，其设置在所述显示区域、与所述显示区域相邻的所述多个布线区域中的一些布线区域以及与所述多个布线区域相邻的所述多个接触区域中的一些接触区域中；
第二平坦化层，其设置在所述多个接触区域中并且与所述第一平坦化层间隔开；
阴极，其设置在所述显示区域、与所述显示区域相邻的所述多个布线区域中的一些布线区域以及与所述显示区域相邻的所述多个接触区域中的一些接触区域中；以及
接触单元，其设置在所述多个接触区域中的每一个中并且与所述阴极电连接；
其中，所述多个布线区域相对于所述多个柔性膜放射状地设置，并且所述多个接触区域相对于所述显示区域放射状地设置。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述接触单元包括：
一个或更多个金属层，其设置在所述第一平坦化层和所述第二平坦化层之下；以及
透明导电层，其设置在所述第一平坦化层和所述第二平坦化层上并且电连接至所述一个或更多个金属层；并且
其中，所述透明导电层的边缘的一部分设置在所述多个接触区域中设置的所述第一平坦化层的顶表面上。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述一个或更多个金属层朝向所述多个柔性膜延伸至所述透明导电层的外部，以电连接至所述多个柔性膜。
14.根据权利要求12所述的显示装置，其中，在所述多个接触区域中，所述第一平坦化层的边缘沿所述多个布线区域的边缘设置以具有凹形形状，并且
在所述多个布线区域中，所述第一平坦化层的边缘被设置成平行于所述显示区域的边缘。
15.根据权利要求12所述的显示装置，还包括：
在所述多个接触区域中同时覆盖所述透明导电层的边缘的所述一部分和所述第一平坦化层的边缘的一部分的堤，
其中，所述堤具有V形状。
16.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第二平坦化层被设置成平行于所述显示区域的边缘，并且所述第二平坦化层的侧表面和顶表面与所述透明导电层接触。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230110404A (ko) 2022-01-14 2023-07-24 삼성디스플레이 주식회사 표시장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101221974A (zh) * 2006-12-15 2008-07-16 三星电子株式会社 有机电致发光显示装置
CN103811519A (zh) * 2012-11-01 2014-05-21 乐金显示有限公司 有机发光显示设备
JP2019078847A (ja) * 2017-10-23 2019-05-23 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140353622A1 (en) * 2013-05-30 2014-12-04 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
KR102591636B1 (ko) * 2016-03-24 2023-10-20 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
KR102571085B1 (ko) 2016-04-04 2023-08-28 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102663900B1 (ko) * 2016-05-26 2024-05-08 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 유기발광표시장치의 제조 방법
KR102620576B1 (ko) * 2016-06-30 2024-01-02 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그의 제조방법
US10439165B2 (en) * 2016-07-29 2019-10-08 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
US9991462B2 (en) * 2016-08-31 2018-06-05 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
JP6762845B2 (ja) * 2016-10-28 2020-09-30 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び配線基板
KR102622267B1 (ko) * 2016-11-16 2024-01-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102397900B1 (ko) * 2016-12-08 2022-05-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP6827332B2 (ja) * 2017-02-01 2021-02-10 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102370406B1 (ko) * 2017-07-10 2022-03-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102427667B1 (ko) * 2017-09-26 2022-08-02 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102408164B1 (ko) * 2017-10-31 2022-06-10 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조방법
KR102470042B1 (ko) * 2017-11-16 2022-11-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102436659B1 (ko) * 2017-12-06 2022-08-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102460555B1 (ko) * 2018-01-03 2022-10-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111886643A (zh) * 2018-03-29 2020-11-03 夏普株式会社 显示装置
WO2019187076A1 (ja) * 2018-03-30 2019-10-03 シャープ株式会社 表示デバイス
KR102640726B1 (ko) * 2018-04-18 2024-02-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102617812B1 (ko) * 2018-05-10 2023-12-27 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시 장치
KR102548987B1 (ko) * 2018-08-09 2023-06-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US10541380B1 (en) * 2018-08-30 2020-01-21 Samsung Display Co., Ltd. Display device with substrate comprising an opening and adjacent grooves

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101221974A (zh) * 2006-12-15 2008-07-16 三星电子株式会社 有机电致发光显示装置
CN103811519A (zh) * 2012-11-01 2014-05-21 乐金显示有限公司 有机发光显示设备
JP2019078847A (ja) * 2017-10-23 2019-05-23 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法

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