CN118284225A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

一种显示装置包括：第一基板；设置在第一基板上的无机层；设置在无机层上的平坦化层；第二基板，设置在平坦化层上并且具有相对于第一基板的端部靠内设置的端部，使得第一基板的端部延伸超过第二基板的端部；密封构件，覆盖第二基板的一部分；粘合层，在第二基板上并且与密封构件间隔开；以及后盖，在粘合层上，并且通过粘合层接合到第二基板。因此，由于密封部件和第二基板之间的台阶差而产生的气泡被阻挡，从而减少了在无机层中产生的裂纹。

Description

显示装置

相关申请的交叉引用

本申请要求享有于2022年12月30日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2022-0191135号的优先权，其公开内容通过引用的方式结合于此。

技术领域

本公开涉及一种显示装置，更具体而言，涉及一种不使用塑料基板来改善湿气渗透特性并减少无机层的裂纹以提高刚性的显示装置。

背景技术

作为用于计算机、电视或移动电话的监视器的显示装置，存在作为自发光装置的有机发光显示(OLED)装置和需要单独光源的液晶显示(LCD)装置。

显示装置的适用范围多样化到个人数字助理以及计算机和电视的监视器，并且正在研究具有大显示面积和减小的体积和重量的显示装置。

此外，最近，通过在作为柔性材料的柔性基板(如塑料)上形成显示元件和布线以便即使显示装置被折叠或卷曲也能够显示图像而制造的柔性显示装置作为下一代显示装置受到关注。

发明内容

本公开要实现的目的是提供一种显示装置，其使用透明导电氧化物和氧化物半导体中的一种代替塑料基板作为基板以改善湿气渗透特性。

本公开要实现的另一目的是提供一种显示装置，其减少在显示装置的外侧部分中产生的气泡。

本公开要实现的又一目的是提供一种显示装置，其中减少了在显示装置的外侧部分处产生的无机层的裂纹以提高刚性。

本公开要实现的又一目的是提供一种显示装置，其具有显示装置的外侧部分的提高的刚性。

本公开的目的不限于上述目的，本领域技术人员可以从以下描述中清楚地理解上面未提及的其他目的。

在一个实施例中，一种显示装置包括：第一基板，包括有效区域和非有效区域，在所述有效区域中具有多个子像素，所述非有效区域包围所述有效区域，所述第一基板包括透明导电氧化物和氧化物半导体中的一种；无机层，在所述第一基板上；平坦化层，在所述无机层上；第二基板，在所述平坦化层上，所述第二基板包括相对于所述第一基板的端部靠内设置的端部，使得所述第一基板的端部延伸超过所述第二基板的端部；密封构件，覆盖所述第二基板的一部分；粘合层，在所述第二基板上，与所述密封构件间隔开；以及后盖，在所述粘合层上，所述后盖通过所述粘合层接合到所述第二基板。因此，改善了显示装置的湿气渗透特性，并且可以在外部区域中减少无机层的裂纹产生。

在一个实施例中，一种显示装置包括：第一基板，包括透明导电氧化物和氧化物半导体中的一种，所述第一基板具有有效区域和围绕所述有效区域的非有效区域；无机层，在所述第一基板的所述有效区域和所述非有效区域上；多个子像素，在所述有效区域中的所述无机层的一部分上，所述多个子像素被配置为发射光；以及第二基板，在所述多个子像素上，所述第二基板包括在所述非有效区域中相对于所述第一基板的端部靠内设置的端部，使得所述第一基板的端部在所述非有效区域中延伸超过所述第二基板的端部。

在一个实施例中，一种显示装置包括：第一基板，包括有效区域和围绕所述有效区域的非有效区域；无机层，在所述第一基板的所述有效区域和所述非有效区域上；多个子像素，在所述有效区域中的所述无机层的一部分上，所述多个子像素被配置为发射光；第二基板，在所述多个子像素上，所述第二基板包括在所述非有效区域中相对于所述第一基板的端部靠内设置的端部，使得所述第一基板的端部在所述非有效区域中延伸超过所述第二基板的端部；密封构件，在所述非有效区域中，所述密封构件覆盖所述非有效区域中的所述第二基板的最上表面的边缘，使得所述密封构件的最上部分高于所述第二基板的所述最上表面；后盖，在所述第二基板上方；以及粘合层，在所述第二基板和所述后盖之间，所述粘合层的端部在所述非有效区域中与所述密封构件间隔开。

示例性实施例的其他详细内容包括在具体实施方式和附图中。

根据本公开，透明导电氧化物和氧化物半导体中的一种用作显示装置的基板以容易地控制湿气渗透性并改善柔性。

根据本公开，调整设置接合显示面板和后盖的粘合层的位置，以减少在外侧部分中产生的气泡。

根据本公开，使要产生的气泡减到最少，以减少可能在外部部分处无机层和布线中产生的裂纹，从而提高显示装置的可靠性。

根据本公开，将显示面板和后盖接合的粘合层被设置成与密封构件间隔开以完全覆盖显示装置的无机层，从而提高显示装置的刚性。

根据本公开的效果不限于上面例示的内容，并且更多的各种效果包括在本说明书中。

附图说明

根据以下结合附图的具体实施方式，将更清楚地理解本公开的上述和其他方面、特征和其他优点，其中：

图1是根据本公开的示例性实施例的显示装置的平面图；

图2是根据本公开的示例性实施例的显示装置的示意性截面图；

图3是根据本公开的示例性实施例的显示装置的子像素的电路图；

图4是根据本公开的示例性实施例的显示装置的一个像素的放大平面图；

图5是根据本公开的示例性实施例的沿着图4的线V-V’截取的截面图；

图6A是根据本公开的示例性实施例的沿着图1的线Via-Via’截取的截面图；

图6B是根据本公开的示例性实施例的沿着图1的线Vib-Vib’截取的截面图；

图6C是根据本公开的示例性实施例的沿着图1的线Vic-Vic’截取的截面图；

图7是根据本公开的另一示例性实施例的显示装置的平面图；

图8A是根据本公开的示例性实施例的沿着图7的线VIIIa-VIIIa’截取的截面图；

图8B是根据本公开的示例性实施例的沿着图7的线VIIIb-VIIIb’截取的截面图；

图8C是根据本公开的示例性实施例的沿着图7的线VIIIc-VIIIc’截取的截面图；

图9是根据本公开的又一示例性实施例的显示装置的平面图；

图10A是根据本公开的示例性实施例的沿着图9的线Xa-Xa’截取的截面图；

图10B是根据本公开的示例性实施例的沿着图9的线Xb-Xb’截取的截面图；以及

图10C是根据本公开的示例性实施例的沿着图9的线Xc-Xc’截取的截面图。

具体实施方式

通过参考下面结合附图详细描述的示例性实施例，本公开的优点和特性以及实现优点和特性的方法将变得显而易见。然而，本公开不限于本文公开的示例性实施例，而是可以以各种形式实现。提供示例性实施例仅作为示例，使得本领域技术人员可以完全理解本公开所公开的内容和本公开的范围。

用于描述本公开的示例性实施例的附图中示出的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅仅是示例，本公开不限于此。在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。此外，在本公开的以下描述中，可以省略对已知相关技术的详细说明，以避免不必要地使本公开的主题难以理解。本文使用的诸如“包括”、“具有”和“包含”之类的术语通常旨在允许添加其他部件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明，否则对单数的任何引用可以包括复数。

即使没有明确说明，部件也被解释为包括普通误差范围。

当使用诸如“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“在……旁边”的术语描述两个部分之间的位置关系时，一个或多个部分可以位于两个部分之间，除非这些术语与术语“紧接着”或“直接”一起使用。

当元件或层设置在另一元件或层“上”时，另一层或另一元件可以直接插入在另一元件上或其间。

虽然在说明各种部件时使用“第一”、“第二”等术语，但是这些部件不受这些术语局限。这些术语仅用于将一个部件与其他部件区分开。因此，下面要提到的第一部件可以是本公开的技术概念中的第二部件。

在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。

为了便于描述，示出了附图中所示的每个部件的尺寸和厚度，并且本公开不限于所示的部件的尺寸和厚度。

本公开的各种实施例的特征可以部分地或完全地彼此粘附或组合，并且可以以技术上各种方式互锁和操作，并且实施例可以彼此独立地或相关联地执行。

在下文中，将参考附图详细描述本公开的各种示例性实施例。

图1是根据本公开的示例性实施例的显示装置100的平面图。图2是根据本公开的示例性实施例的显示装置100的示意性截面图。为了便于描述，在图1中，示出了显示装置100的各种部件之中的显示面板120、多个柔性膜140、多个印刷电路板150和密封构件160。显示装置100可以具有除图中所示的部件之外的其他部件。

参考图1和2，后盖110设置在显示面板120的一个表面上以支撑显示面板120。后盖110可以形成为在平面中大于显示面板120，从而从外部保护显示装置100的其他配置。

即使后盖110由具有刚性的材料形成，后盖110的至少一部分可以具有柔性以与显示面板120一起卷起或展开。例如，后盖110可以由金属材料形成，诸如不锈钢(SUS)或因瓦合金(invar)或塑料。然而，如果后盖110的材料满足诸如热应变量、曲率半径和刚度的物理条件，则材料可以根据设计而不同地改变，并且不限于此。即使在本公开的示例性实施例中，整个后盖110一体地形成，但是不限于此，使得当显示装置100卷曲或折叠时，可以形成多个后盖以与其对应。

参考图2，后盖110包括多个开口111。当显示面板120卷起或展开时，后盖110的多个开口111可由于施加到显示面板120的应力而变形。具体地，当显示面板120卷起或展开时，后盖110可以随着多个开口111收缩或扩展而变形。此外，随着多个开口111收缩或扩展，可以减少设置在后盖110上的显示面板120的滑动现象，使得可以减小施加到显示面板120的应力。

在显示面板120中，设置有包括用于显示图像的发光二极管的多个子像素。这种显示面板可以是要围绕辊卷起或从辊展开的柔性显示面板120。

显示面板120包括有效区域AA和非有效区域NA。

有效区域AA是显示图像的区域。在有效区域AA中，可以设置由多个子像素构成的像素单元PP以显示图像。例如，像素单元PP由包括发光二极管和驱动电路的多个子像素构成以显示图像。

非有效区域NA是不显示图像的区域，并且设置有用于驱动设置在有效区域AA中的子像素的各种布线和驱动集成电路(IC)。例如，在非有效区域NA中，可以设置各种驱动IC，诸如栅极驱动器IC和数据驱动器IC。

参考图2，显示面板120包括第一基板121、无机层122、平坦化层123、堤部124、像素单元PP、第一粘合层125和第二基板126。

第一基板121是支撑显示面板120的各种部件的支撑构件。第一基板121可以包括透明导电氧化物和氧化物半导体中的任一种。例如，第一基板121可由透明导电氧化物(TCO)形成，如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铟锡锌(ITZO)。

此外，第一基板121可以由铟(In)和镓(Ga)形成的氧化物半导体材料形成，例如，诸如铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓氧化物(IGO)和铟锡锌氧化物(ITZO)的透明氧化物半导体。然而，透明导电氧化物和氧化物半导体的材料的类型是示例性的，因此第一基板121可以由未在说明书中描述的其他透明导电氧化物和氧化物半导体材料形成，但不限于此。

同时，第一基板121可以通过沉积与常规塑料基板相比具有非常薄厚度的透明导电氧化物或氧化物半导体来形成。因此，由于第一基板121形成为具有非常薄的厚度，所以基板可以具有柔性。包括具有柔性的第一基板121的显示装置100可以实现为即使在折叠或卷曲状态下也可以显示图像的柔性显示装置100。例如，当显示装置100是可折叠显示装置时，第一基板121可以相对于折叠轴折叠或展开。作为另一示例，当显示装置100是可卷曲的显示装置时，可以通过围绕辊卷曲来存放显示装置。因此，根据本公开的示例性实施例的显示装置100使用具有柔性的第一基板121，以实现为柔性显示装置100，如可折叠显示装置或可卷曲显示装置。

此外，根据本公开的示例性实施例的显示装置100使用由透明导电氧化物或氧化物半导体形成的第一基板121以执行激光剥离(LLO)工艺。LLO工艺是指在显示装置100的制造过程期间使用激光将第一基板121下方的临时基板与第一基板121分离的工艺。因此，第一基板121是用于更容易地执行LLO工艺的层，因此其可以称为功能薄膜、功能薄膜层或功能基板。

第一基板121包括有效区域AA和非有效区域NA。

有效区域AA是显示图像的区域。在有效区域AA中，可以设置由多个子像素构成的像素单元PP以显示图像。例如，像素单元PP由包括发光二极管和驱动电路的多个子像素构成以显示图像。

非有效区域NA是不显示图像的区域。非有效区域NA包围有效区域AA。在非有效区域NA，设置有用于驱动设置在有效区域AA中的子像素的各种布线和驱动IC。例如，在非有效区域NA中，可以设置各种驱动IC，诸如栅极驱动器IC和数据驱动器IC。

多个柔性膜140设置在第一基板121的一端。多个柔性膜140与第一基板121的一端电连接。多个柔性膜140是其中各种部件设置在具有柔性的基膜上以向有效区域AA的多个子像素提供信号的膜。多个柔性膜140的第一端设置在第一基板121的非有效区域NA中，以向有效区域AA的多个子像素提供数据电压。同时，尽管图1中示出了四个柔性膜140，但是柔性膜140的数量可以根据设计而变化，但不限于此。

同时，可以在多个柔性膜140上设置诸如栅极驱动器IC或数据驱动器IC的驱动IC。驱动IC是对用于显示图像的数据和用于处理该数据的驱动信号进行处理的部件。根据安装方法，可以通过玻璃覆晶(COG，chip on glass)、薄膜覆晶(COF，chip on film)或带载封装(TCP，tape carrier package)技术来设置驱动IC。在本说明书中，为了便于描述，描述了驱动IC通过薄膜覆晶的方式安装在多个柔性膜140上，但不限于此。

印刷电路板150连接到多个柔性膜140。印刷电路板150是向驱动IC提供信号的部件。各种部件可以设置在印刷电路板150中，以向驱动IC提供诸如驱动信号或数据电压的各种驱动信号。同时，即使在图1中示出了两个印刷电路板150，但印刷电路板150的数量也可以根据设计而变化，并且不限于此。

参考图2，无机层122设置在第一基板121上。无机层122可以包括多个无机层，所述多个无机层包括将在下面描述的下缓冲层122a、上缓冲层122b、栅极绝缘层122c和钝化层122d。在下文中，将参考图4至图6C更详细地描述无机层122。

平坦化层123和堤部124设置在无机层122上。具体地，平坦化层123可以被设置成包围第一基板121的非有效区域NA中的无机层122的顶表面和侧表面。第二基板126设置在平坦化层123上。在下文中，将参考图4至图6C更详细地描述平坦化层123和堤部124。

像素单元PP设置在无机层122上。像素单元PP可以被设置成对应于有效区域AA。像素单元PP是包括多个子像素以显示图像的部件。像素单元PP的多个子像素是构成有效区域AA的最小单元，并且发光二极管和驱动电路可以设置在多个子像素中的每一个子像素中。例如，多个子像素中的每一个子像素的发光二极管可以包括有机发光二极管或LED，所述有机发光二极管包括阳极、有机发射层和阴极，所述LED包括N型半导体层和P型半导体层以及发射层，但不限于此。用于驱动多个子像素的驱动电路可以包括诸如薄膜晶体管或存储电容器的驱动元件，但不限于此。在下文中，为了便于描述，假设多个子像素中的每一个子像素的发光二极管是有机发光二极管，但不限于此。

同时，根据从发光二极管发射的光的发射方向，显示装置100可以被配置为顶部发射型或底部发射型。

根据顶部发射型，从发光二极管发射的光被发射到其上设置有发光二极管的第一基板121的上部部分。在顶部发射型的情况下，可以在阳极下方形成反射层，以允许从有机发光二极管发射的光行进到第一基板121的上部部分，即朝向阴极。

根据底部发射型，从发光二极管发射的光被发射到其上设置有发光二极管的第一基板121的下部部分。在底部发射型的情况下，阳极可以仅由透明导电材料形成，并且阴极可以由具有高反射率的金属材料形成，以允许从发光二极管发射的光行进到第一基板121的下部部分。

在下文中，为了便于描述，将通过假设根据本公开的示例性实施例的显示装置100是底部发射型显示装置来进行描述，但不限于此。

第一粘合层125设置为覆盖像素单元PP。此外，第一粘合层125用于接合第一基板121和第二基板126，并包围像素单元PP以保护像素单元PP的发光二极管免受外部湿气、氧气和撞击的影响。第一粘合层125可以通过面密封方式构造。例如，可以通过在像素单元PP的整个表面上形成紫外线或热固性密封剂来形成第一粘合层125。然而，第一粘合层125的结构可以通过各种方法和材料形成，但不限于此。如图2所示，第二基板126的端部相对于第一基板121的端部靠内设置，使得第一基板121的端部延伸超过第二基板126的端部。

同时，将具有高模量并由具有强耐腐蚀性的金属材料形成的第二基板126设置在第一粘合层125上。例如，第二基板126可以由具有大约200MPa至900MPa的高模量的材料形成。第二基板可以由金属材料形成，该金属材料具有高耐腐蚀性并且容易以箔或薄膜的形式加工，如铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、铁(Fe)和镍合金材料。因此，由于第二基板126由金属材料形成，因此第二基板126可以实现为超薄膜，并且提供对外部撞击和刮擦的强抵抗力。

偏振器180设置在第一基板121下方。偏振器180选择性地透射光以减少入射到第一基板121上的外部光的反射。具体而言，在显示装置100中，在第一基板121上形成应用于半导体器件、布线和发光二极管的各种金属材料。因此，入射到第一基板121上的外部光可从金属材料反射，使得显示装置100的可见度可能因外部光的反射而降低。此时，在第一基板121的下方设置抑制外部光的反射的偏振器180，以提高显示装置100的室外可见度。然而，取决于显示装置100的实施方式示例，可以省略偏振器180。

尽管未在附图中示出，但是阻挡膜可以与偏振器180一起设置在第一基板121下方。阻挡膜减少第一基板121外部的湿气和氧气渗透到第一基板121中，以保护包括发光二极管的像素单元PP。然而，取决于显示装置100的实施方式示例，可以省略阻挡膜，但不限于此。

用于将后盖110接合到第二基板126的第二粘合层130设置在如上所述配置的显示面板120上方。即，设置在显示面板120的第二基板126和后盖110之间。即，第二粘合层130设置第二基板126上，后盖110设置在第二粘合层130上，从而后盖110通过第二粘合层130接合到第二基板126。第二粘合层130可以设置在有效区域AA的整个表面上，并且设置在非有效区域NA中的第二粘合层130的端部被设置成比显示面板120中的除了与多个柔性膜140连接的区域之外的区域中的无机层122的端部更靠近有效区域AA。因此，由于第二基板126和密封构件160之间的台阶差而在第二粘合层130中产生的气泡被阻挡，从而也阻挡由气泡引起的裂纹。所述台阶差是由于密封构件160的最上表面的高度大于第二基板126的最上表面的高度而发生的。第二粘合层130由具有粘合性的材料形成，并且例如可以是双面(DS)胶带。在下文中，将参考图6A至图6C更详细地描述第二粘合层130。

密封构件160被设置成包围显示面板120的侧表面。密封构件160位于堤部124的顶表面上并延伸到非有效区域NA的端部，使得密封构件160位于第二基板126的上侧表面的一部分上，同时包围像素单元PP的侧表面。因此，密封构件160可以减少湿气经由显示面板120的侧部渗透到像素单元PP。

密封构件160可以由具有弹性的非导电材料形成，以便密封显示面板120的侧表面并增强显示面板120的横向刚性。此外，密封构件160可以由具有粘合性的材料形成。此外，密封构件160还可以包括吸收来自外部的湿气和氧气的吸收剂，以减少经由显示面板120的侧部的湿气渗透。例如，密封构件160可以由聚酰亚胺(PI)、聚氨酯、环氧树脂或丙烯基板料形成，但不限于此。

在下文中，将参考图3至图6C更详细地描述像素单元PP的多个子像素。

图3是根据本公开的示例性实施例的显示装置的子像素的电路图。

参考图3，用于驱动多个子像素SP的发光二极管OLED的驱动电路包括第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3和存储电容器SC。为了驱动驱动电路，在第一基板121上设置包括栅极线GL、数据线DL、高电位电源线VDD、感测线SL和参考线RL的多条布线。

包括在一个子像素SP的驱动电路中的第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和第三晶体管TR3中的每一个包括栅极电极、源极电极和漏极电极。

第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和第三晶体管TR3可以是P型薄膜晶体管或N型薄膜晶体管。例如，由于在P型薄膜晶体管中，空穴从源极电极流到漏极电极，因此电流可以从源极电极流到漏极电极。由于在N型薄膜晶体管中，电子从源极电极流到漏极电极，因此电流可以从漏极电极流到源极电极。在下文中，将在假设第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和第三晶体管TR3是电流从漏极电极流到源极电极的N型薄膜晶体管的情况下进行描述，但是本公开不限于此。

第一晶体管TR1包括第一有源层、第一栅极电极、第一源极电极和第一漏极电极。第一栅极电极连接到第一节点N1，第一源极电极连接到发光二极管OLED的阳极，并且第一漏极电极连接到高电位电源线VDD。当第一节点N1的电压高于阈值电压时，第一晶体管TR1导通，并且当第一节点N1的电压低于阈值电压时，第一晶体管TR1可以截止。当第一晶体管TR1导通时，驱动电流可以通过第一晶体管TR1传送到发光二极管OLED。因此，控制传送到发光二极管OLED的驱动电流的第一晶体管TR1可以称为驱动晶体管。

第二晶体管TR2包括第二有源层、第二栅极电极、第二源极电极和第二漏极电极。第二栅极电极连接到栅极线GL，第二源极电极连接到第一节点N1，并且第二漏极电极连接到数据线DL。第二晶体管TR2可基于来自栅极线GL的栅极电压导通或截止。当第二晶体管TR2导通时，来自数据线DL的数据电压可以在第一节点N1中充电。因此，通过栅极线GL导通或截止的第二晶体管TR2也可以称为开关晶体管。

第三晶体管TR3包括第三有源层、第三栅极电极、第三源极电极和第三漏极电极。第三栅极电极连接到感测线SL，第三源极电极连接到第二节点N2，并且第三漏极电极连接到参考线RL。第三晶体管TR3可以基于来自感测线SL的感测电压导通或截止。当第三晶体管TR3导通时，来自参考线RL的参考电压可以被传送到第二节点N2和存储电容器SC。因此，第三晶体管TR3也可以称为感测晶体管。

同时，即使在图3中示出了栅极线GL和感测线SL是单独的布线，栅极线GL和感测线SL也可以实现为一条布线，但不限于此。

存储电容器SC连接在第一晶体管TR1的第一栅极电极和第一源极电极之间。即，存储电容器SC可以连接在第一节点N1和第二节点N2之间。在发光二极管OLED发光时，存储电容器SC保持第一晶体管TR1的第一栅极电极和第一源极电极之间的电位差，使得可以向发光二极管OLED提供恒定的驱动电流。存储电容器SC包括多个电容器电极，并且例如，多个电容器电极中的一个电容器电极连接到第一节点N1，并且另一个电容器电极可以连接到第二节点N2。

发光二极管OLED包括阳极、发射层和阴极。发光二极管OLED的阳极连接到第二节点N2，阴极连接到低电位电源线VSS。从第一晶体管TR1向发光二极管OLED提供驱动电流以发光。

同时，在图3中，描述了根据本公开的示例性实施例的显示装置100的子像素SP的驱动电路具有包括三个晶体管和一个存储电容器SC的3T1C结构。然而，晶体管和存储电容器的数量和连接关系可以根据设计以各种方式变化，并且不限于此。

图4是根据本公开的示例性实施例的显示装置的一个像素的放大平面图。图5是根据本公开的示例性实施例的沿着图4的线V-V’截取的截面图。图6A是根据本公开的示例性实施例的沿着图1的线Via-Via’截取的截面图。图6B是根据本公开的示例性实施例的沿着图1的线Vib-Vib’截取的截面图。图6C是根据本公开的示例性实施例的沿着图1的线Vic-Vic’截取的截面图。图4是构成设置在显示面板120的有效区域AA中的一个像素的红色子像素SPR、白色子像素SPW、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的放大平面图。在图4中，仅示出了显示面板120，并且为了便于描述，省略了堤部124，并且用粗实线示出了多个滤色器CF的边缘。参考图4至图6C，根据本公开的示例性实施例的显示装置100包括显示面板120、后盖110、第二粘合层130、密封构件160和偏振器180。显示面板120包括第一基板121、无机层122、平坦化层123、堤部124、第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3、存储电容器SC、发光二极管OLED、栅极线GL、感测线SL、数据线DL、参考线RL、高电位电源线VDD、多个滤色器CF、第一粘合层125和第二基板126。

参考图4，多个子像素SP包括红色子像素SPR、绿色子像素SPG、蓝色子像素SPB和白色子像素SPW。例如，红色子像素SPR、白色子像素SPW、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG可以沿着行方向依次设置。然而，多个子像素SP的放置顺序不限于此。

多个子像素SP中的每一个包括发射区域和电路区域。发射区域是可以独立地发射一种颜色光并且发光二极管OLED可以设置在其中的区域。具体地，在多个滤色器CF和阳极AN重叠的区域中，从堤部124暴露以允许从发光二极管OLED发射的光行进到外部的区域可以被定义为发射区域。例如，一起参考图4和5，红色子像素SPR的发射区域可以是在红色滤色器CFR和阳极AN重叠的区域中从堤部124暴露的区域。绿色子像素SPG的发射区域可以是在绿色滤色器CFG和阳极AN重叠的区域中从堤部124暴露的区域。蓝色子像素SPB的发射区域可以是在蓝色滤色器CFB和阳极AN重叠的区域中从堤部124暴露的区域。此时，在未设置单独的滤色器CF的白色子像素SPW的发射区域中，与从堤部124暴露的阳极AN的一部分重叠的区域可以是发射白色光的白色发射区域。

电路区域是不包括发射区域并且可以设置用于驱动多个发光二极管OLED的驱动电路DP和将各种信号传送到驱动电路DP的多条布线的区域。其中设置有驱动电路DP、多条布线和堤部124的电路区域可以是非发射区域。例如，在电路区域中，可以设置包括第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3和存储电容器SC的驱动电路DP，多条高电位电源线VDD，多条数据线DL，多条参考线RL，多条栅极线GL，感测线SL，和堤部124。

一起参考图3至图6C，无机层122设置在第一基板121上。无机层122可以包括由设置在第一基板121上的无机材料构成的多个层。例如，无机层122可以包括下缓冲层122a、上缓冲层122b、栅极绝缘层122c和钝化层122d，但不限于此。

无机层122可以被设置成暴露非有效区域NA中的第一基板121的最外区域。即，无机层122的端部可以设置在第一基板121的端部的内侧。即，无机层122的端部相对于第一基板121的端部靠内设置，使得第一基板121的端部延伸超过无机层122的端部。

同时，当如上所述使用由透明导电氧化物和氧化物半导体中的任一种构成的第一基板121时，第一基板121可以设置在显示装置100的整个区域中以用于LLO工艺。即，第一基板121可以设置在显示装置100的整个有效区域AA和非有效区域NA中。

参考图6A至图6C，根据本公开的示例性实施例的显示装置100的无机层122可以被设置直到非有效区域NA的基准线R，以便暴露第一基板121的最外区域。此处，基准线R限定无机层122的端点，并且可以位于第二非有效区域NA2和第三非有效区域NA3之间。因此，可以减少无机层122由于暴露于最外区域而出现的裂纹或者经由无机层122的湿气渗透。

作为参考，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，非有效区域NA可以包括第一非有效区域NA1、第二非有效区域NA2、第三非有效区域NA3和第四非有效区域NA4。第一非有效区域NA1是从有效区域AA的端部延伸到在非有效区域NA中形成布线的导电材料的端部的区域。第二非有效区域NA2是从第一非有效区域NA1的端部延伸到基准线R的区域。第三非有效区域NA3是从基准线R延伸到设置在第二基板126的上表面上的密封构件160的内端部的区域。第四非有效区域NA4是从第三非有效区域NA3的端部延伸到第一基板121的端部的区域，即，第四非有效区域NA4是第一基板121的最外区域。第一非有效区域NA1可以(至少部分地)被第二非有效区域NA2围绕，第二非有效区域NA2可以(至少部分地)被第三非有效区域NA3围绕。第四非有效区域NA4可以(至少部分地)围绕第一非有效区域NA1、第二非有效区域NA2和第三非有效区域NA3。

下缓冲层122a设置在第一基板121上。下缓冲层122a可以抑制从第一基板121的外部渗透的湿气和/或氧气扩散。可以通过控制下缓冲层122a的厚度或层叠结构来控制显示装置100的湿气渗透特性。此外，下缓冲层122a可以抑制当由透明导电氧化物或氧化物半导体形成的第一基板121与诸如像素单元PP的其他构造接触时引起的短路缺陷。下缓冲层122a可以由无机材料形成，例如，可以由单层或多层氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)构成，但不限于此。

多条高电位电源线VDD、多条数据线DL、多条参考线RL和遮光层LS设置在下缓冲层122a上。

多条高电位电源线VDD、多条数据线DL、多条参考线RL和遮光层LS设置在第一基板121上的同一层上，并且可以由相同的导电材料形成。例如，多条高电位电源线VDD、多条数据线DL、多条参考线RL和遮光层LS可以由导电材料配置，如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金，但不限于此。

多条高电位电源线VDD是将高电位电源信号传送到多个子像素SP中的每个子像素的布线。多条高电位电源线VDD可以在列方向上在多个子像素SP之间延伸，并且在行方向上彼此相邻的两个子像素SP可以共享多条高电位电源线VDD之中的一条高电位电源线VDD。例如，一条高电位电源线VDD设置在红色子像素SPR的左侧，以向红色子像素SPR和白色子像素SPW中的每一个的第一晶体管TR1提供高电位电源电压。另一条高电位电源线VDD设置在绿色子像素SPG的右侧，以向蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG中的每一个的第一晶体管TR1提供高电位电源电压。参考图6C，多条高电位电源线VDD的端部可以位于第一非有效区域NA1的端部和第二非有效区域NA2的起始点处。

多条数据线DL是在列方向上在多个子像素SP之间延伸以将数据电压传送到多个子像素SP中的每个子像素的线，并且包括第一数据线DL1、第二数据线DL2、第三数据线DL3和第四数据线DL4。第一数据线DL1设置在红色子像素SPR和白色子像素SPW之间，以将数据电压传送到红色子像素SPR的第二晶体管TR2。第二数据线DL2设置在第一数据线DL1和白色子像素SPW之间，以将数据电压传送到白色子像素SPW的第二晶体管TR2。第三数据线DL3设置在蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG之间，以将数据电压传送到蓝色子像素SPB的第二晶体管TR2。第四数据线DL4设置在第三数据线DL3和绿色子像素SPG之间，以将数据电压传送到绿色子像素SPG的第二晶体管TR2。

多条参考线RL在列方向上在多个子像素SP之间延伸，以将参考电压传送到多个子像素SP中的每一个。形成一个像素的多个子像素SP可以共享一条参考线RL。例如，一条参考线RL设置在白色子像素SPW和蓝色子像素SPB之间，以将参考电压传送到红色子像素SPR、白色子像素SPW、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG中的每一个的第三晶体管TR3。

一起参考图4和5，遮光层LS设置在下缓冲层122a上。遮光层LS被设置成与多个晶体管TR1、TR2和TR3中的至少第一晶体管TR1的第一有源层ACT1重叠，以阻挡入射到第一有源层ACT1上的光。如果光照射到第一有源层ACT1上，则产生漏电流，使得作为驱动晶体管的第一晶体管TR1的可靠性可能降低。此时，如果由不透明导电材料(诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金)构成的遮光层LS被设置成与第一有源层ACT1重叠，则可以阻挡从第一基板121的下部部分入射到第一有源层ACT上的光。因此，可以提高第一晶体管TR1的可靠性。然而，不限于此，并且遮光层LS可以被设置成与第二晶体管TR2的第二有源层ACT2和第三晶体管TR3的第三有源层ACT3重叠。

同时，即使在附图中示出了遮光层LS是单层，但遮光层LS也可以形成为多层。例如，遮光层LS可以形成在无机层122之间，即，由被设置成彼此重叠的多层形成，其间具有下缓冲层122a、上缓冲层122b、栅极绝缘层122c和钝化层122d中的至少一个。

上缓冲层122b设置在多条高电位电源线VDD、多条数据线DL、多条参考线RL和遮光层LS上。上缓冲层122b可以减少湿气或杂质经由第一基板121的渗透。例如，上缓冲层122b可以由单层或多层氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)构成，但不限于此。此外，取决于第一基板121的类型或晶体管的类型，可以省略上缓冲层122b，但不限于此。

在多个子像素SP中的每一个子像素中，第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3和存储电容器SC设置在上缓冲层122b上。

首先，第一晶体管TR1包括第一有源层ACT1、第一栅极电极GE1、第一源极电极SE1和第一漏极电极DE1。

第一有源层ACT1设置在上缓冲层122b上。第一有源层ACT1可以由诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅的半导体材料形成，但不限于此。例如，当第一有源层ACT1由氧化物半导体形成时，第一有源层ACT1由沟道区域、源极区域和漏极区域形成，并且源极区域和漏极区域可以是导电区域，但不限于此。

栅极绝缘层122c设置在第一有源层ACT1上。栅极绝缘层122c是用于使第一栅极电极GE1与第一有源层ACT1电隔离的层，并且可以由绝缘材料形成。例如，栅极绝缘层122c可以由单层或多层氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)构成，但不限于此。

第一栅极电极GE1设置在栅极绝缘层122c上，以便与第一有源层ACT1重叠。第一栅极电极GE1可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金的导电材料构成，但不限于此。

彼此间隔开的第一源极电极SE1和第一漏极电极DE1设置在栅极绝缘层122c上。第一源极电极SE1和第一漏极电极DE1可以经由形成在栅极绝缘层122c上的接触孔电连接到第一有源层ACT1。第一源极电极SE1和第一漏极电极DE1可以设置在与第一栅极电极GE1相同的层上，以由相同的导电材料形成，但不限于此。例如，第一源极电极SE1和第一漏极电极DE1可以由铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金构成，但不限于此。

第一漏极电极DE1电连接到高电位电源线VDD。例如，红色子像素SPR和白色子像素SPW的第一漏极电极DE1可以电连接到红色子像素SPR左侧的高电位电源线VDD。蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的第一漏极电极DE1可以电连接到绿色子像素SPG右侧的高电位电源线VDD。

此时，可以进一步设置辅助高电位电源线VDDa以将第一漏极电极DE1与高电位电源线VDD电连接。辅助高电位电源线VDDa的一端电连接到高电位电源线VDD，并且另一端可以电连接到多个子像素SP中的每个子像素的第一漏极电极DE1。例如，当辅助高电位电源线VDDa在与第一漏极电极DE1相同的层上由相同材料形成时，辅助高电位电源线VDDa的一端经由形成在栅极绝缘层122c和上缓冲层122b中的接触孔电连接到高电位电源线VDD。辅助高电位电源线VDDa的另一端延伸到第一漏极电极DE1以与第一漏极电极DE1一体地形成。

此时，电连接到相同的高电位电源线VDD的红色子像素SPR的第一漏极电极DE1和白色子像素SPW的第一漏极电极DE1可以连接到相同的辅助高电位电源线VDDa。蓝色子像素SPB的第一漏极电极DE1和绿色子像素SPG的第一漏极电极DE1也可以连接到相同的辅助高电位电源线VDDa。然而，第一漏极电极DE1和高电位电源线VDD可以通过其他方法电连接，但不限于此。

第一源极电极SE1可以经由形成在栅极绝缘层122c和上缓冲层122b上的接触孔电连接到遮光层LS。此外，连接到第一源极电极SE1的第一有源层ACT1的一部分可以经由形成在上缓冲层122b上的接触孔电连接到遮光层LS。如果遮光层LS浮置，则第一晶体管TR1的阈值电压发生波动以影响显示面板120的驱动。因此，遮光层LS电连接到第一源极电极SE1以向遮光层LS施加电压，并且可以不影响第一晶体管TR1的驱动。然而，在本说明书中，即使已经描述了第一有源层ACT1和第一源极电极SE1两者都与遮光层LS接触，但是可以仅第一源极电极SE1和第一有源层ACT1中的任何一个与遮光层直接接触。其不限于此。

同时，即使在图5中示出了栅极绝缘层122c形成在第一基板121的整个表面上，栅极绝缘层122c也可以被图案化以仅与第一栅极电极GE1、第一源极电极SE1和第一漏极电极DE1重叠，但不限于此。

第二晶体管TR2包括第二有源层ACT2、第二栅极电极GE2、第二源极电极SE2和第二漏极电极DE2。

第二有源层ACT2设置在上缓冲层122b上。第二有源层ACT2可以由诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅的半导体材料形成，但不限于此。例如，当第二有源层ACT2由氧化物半导体形成时，第二有源层ACT2可以由沟道区域、源极区域和漏极区域形成，并且源极区域和漏极区域可以是导电区域，但不限于此。

第二源极电极SE2设置在上缓冲层122b上。第二源极电极SE2可以与第二有源层ACT2一体地形成以彼此电连接。例如，半导体材料形成在上缓冲层122b上，并且半导体材料的一部分被导体化以形成第二源极电极SE2。因此，半导体材料的未被导体化的部分可以成为第二有源层ACT2，并且导体化的部分可以用作第二源极电极SE2。然而，第二有源层ACT2和第二源极电极SE2可以分开形成，但不限于此。

第二源极电极SE2电连接到第一晶体管TR1的第一栅极电极GE1。第一栅极电极GE1可以经由形成在栅极绝缘层122c上的接触孔电连接到第二源极电极SE2。因此，第一晶体管TR1可以通过来自第二晶体管TR2的信号导通或截止。

栅极绝缘层122c设置在第二有源层ACT2上，并且第二源极电极SE2和第二漏极电极DE2以及第二栅极电极GE2设置在栅极绝缘层122c上。

第二栅极电极GE2设置在栅极绝缘层122c上，以便与第二有源层ACT2重叠。第二栅极电极GE2可以电连接到栅极线GL，并且第二晶体管TR2可以基于传送到第二栅极电极GE2的栅极电压而导通或截止。第二栅极电极GE2可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金的导电材料构成，但不限于此。

同时，第二栅极电极GE2可以从栅极线GL延伸。即，第二栅极电极GE2可以与栅极线GL一体地形成，并且第二栅极电极GE2和栅极线GL可以由相同的导电材料形成。例如，栅极线GL可以由铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金构成，但不限于此。

栅极线GL是将栅极电压传送到多个子像素SP中的每个子像素的布线，并且与多个子像素SP的电路区域相交以在行方向上延伸。栅极线GL在行方向上延伸以与在列方向上延伸的多条高电位电源线VDD、多条数据线DL和多条参考线RL相交。

第二漏极电极DE2设置在栅极绝缘层122c上。第二漏极电极DE2经由形成在栅极绝缘层122c中的接触孔电连接到第二有源层ACT2，并且可以经由同时地形成在栅极绝缘层122c和上缓冲层122b中的接触孔电连接到多条数据线DL中的一条。例如，红色子像素SPR的第二漏极电极DE2电连接到第一数据线DL1，并且白色子像素SPW的第二漏极电极DE2可以电连接到第二数据线DL2。例如，蓝色子像素SPB的第二漏极电极DE2电连接到第三数据线DL3，并且绿色子像素SPG的第二漏极电极DE2可以电连接到第四数据线DL4。第二漏极电极DE2可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金的导电材料构成，但不限于此。

第三晶体管TR3包括第三有源层ACT3、第三栅极电极GE3、第三源极电极SE3和第三漏极电极DE3。

第三有源层ACT3设置在上缓冲层122b上。第三有源层ACT3可以由半导体材料形成，如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅，但不限于此。例如，当第三有源层ACT3由氧化物半导体形成时，第三有源层ACT3由沟道区域、源极区域和漏极区域形成，并且源极区域和漏极区域可以是导电区域，但不限于此。

栅极绝缘层122c设置在第三有源层ACT3上，并且第三栅极电极GE3、第三源极电极SE3和第三漏极电极DE3设置在栅极绝缘层122c上。

第三栅极电极GE3设置在栅极绝缘层122c上，以便与第三有源层ACT3重叠。第三栅极电极GE3可以电连接到感测线SL，并且第三晶体管TR3可以基于传送到第三晶体管TR3的感测电压而导通或截止。第三栅极电极GE3可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金的导电材料构成，但不限于此。

同时，第三栅极电极GE3可以从感测线SL延伸。即，第三栅极电极GE3可以与感测线SL一体地形成，并且第三栅极电极GE3和感测线SL可以由相同的导电材料形成。例如，感测线SL可以由铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金构成，但不限于此。

感测线SL将感测电压传送到多个子像素SP中的每一个，并且在行方向上在多个子像素SP之间延伸。例如，感测线SL在行方向上在多个子像素SP之间的边界处延伸，以与在列方向上延伸的多条高电位电源线VDD、多条数据线DL和多条参考线RL相交。

第三源极电极SE3可以经由形成在栅极绝缘层122c上的接触孔电连接到第三有源层ACT3。第三源极电极SE3可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金的导电材料构成，但不限于此。

此外，与第三源极电极SE3接触的第三有源层ACT3的一部分可以经由形成在上缓冲层122b中的接触孔电连接到遮光层LS。即，第三源极电极SE3可以电连接到遮光层LS，并且两者之间具有第三有源层ACT3。因此，第三源极电极SE3和第一源极电极SE1可以通过遮光层LS彼此电连接。

第三漏极电极DE3可以经由形成在栅极绝缘层122c上的接触孔电连接到第三有源层ACT3。第三漏极电极DE3可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金的导电材料构成，但不限于此。

第三漏极电极DE3可以电连接到参考线RL。例如，红色子像素SPR、白色子像素SPW、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的第三漏极电极DE3可以电连接到相同的参考线RL。即，形成一个像素的多个子像素SP可以共享一条参考线RL。

此时，可以设置辅助参考线RLa，以将在列方向上延伸的参考线RL传递到沿着行方向平行设置的多个子像素SP。辅助参考线RLa在行方向上延伸以将参考线RL与多个子像素SP中的每一个子像素的第三漏极电极DE3电连接。辅助参考线RLa的一端可以经由形成在上缓冲层122b和栅极绝缘层122c中的接触孔电连接到参考线RL。辅助参考线RLa的另一端可以电连接到多个子像素SP中的每个子像素的第三漏极电极DE3。在这种情况下，辅助参考线RLa可以与多个子像素SP中的每个子像素的第三漏极电极DE3一体地形成，并且来自参考线RL的参考电压可以通过辅助参考线RLa传送到第三漏极电极DE3。然而，辅助参考线RLa可以与第三漏极电极DE3分开形成，但不限于此。

存储电容器SC设置在多个子像素SP的电路区域中。存储电容器SC可以存储第一晶体管TR1的第一栅极电极GE1和第一源极电极SE1之间的电压，以允许发光二极管OLED在一帧内连续保持恒定状态。存储电容器SC包括第一电容器电极SC1和第二电容器电极SC2。

在多个子像素SP中的每一个中，第一电容器电极SC1设置在下缓冲层122a和上缓冲层122b之间。第一电容器电极SC1可被设置成在设置在第一基板121上的导电部件之中最靠近第一基板121。第一电容器电极SC1可以与遮光层LS一体地形成，并且可以通过遮光层LS电连接到第一源极电极SE1。

上缓冲层122b设置在第一电容器电极SC1上，第二电容器电极SC2设置在上缓冲层122b上。第二电容器电极SC2可以被设置成与第一电容器电极SC1重叠。第二电容器电极SC2与第二源极电极SE2一体地形成，以电连接到第二源极电极SE2和第一栅极电极GE1。例如，半导体材料形成在上缓冲层122b上，并且半导体材料的一部分被导体化以形成第二源极电极SE2和第二电容器电极SC2。因此，半导体材料的未被导体化的部分用作第二有源层ACT2，并且导体化的部分可以用作第二源极电极SE2和第二电容器电极SC2。如上所述，第一栅极电极GE1经由形成在栅极绝缘层122c中的接触孔电连接到第二源极电极SE2。因此，第二电容器电极SC2与第二源极电极SE2一体地形成，以电连接到第二源极电极SE2和第一栅极电极GE1。

总之，存储电容器SC的第一电容器电极SC1与遮光层LS一体地形成，以电连接到遮光层LS、第一源极电极SE1和第三源极电极SE3。相应地，第二电容器电极SC2与第二源极电极SE2和有源层ACT2一体地形成，以电连接到第二源极电极SE2和第一栅极电极GE1。相应地，彼此重叠且两者之间具有上缓冲层122b的第一电容器电极SC1和第二电容器电极SC2恒定地保持第一晶体管TR1的第一栅极电极GE1和第一源极电极SE1之间的电压，以保持发光二极管OLED的恒定状态。

参考图6A和6B，在非有效区域NA中，导电元件(例如，高电位电源线VDD、低电位电源线VSS和栅极驱动器GD中的任何一个)可以设置在无机层122中包括的至少一个无机层(例如，栅极绝缘层122c)上。

参考图6A，低电位电源线VSS电连接到阴极CA，以向阴极CA提供低电位电压。即，低电位电源线VSS经由在形成阳极AN时一起形成的连接电极CE而电连接到阴极CA。低电位电源线VSS的端部可以是第一非有效区域NA1和第二非有效区域NA2之间的边界。

参考图6B，栅极驱动器GD设置在非有效区域NA中，并且栅极驱动器GD包括时钟线CLK和级ST。

时钟线CLK可以将时钟信号传送到级ST。如图6B中所示，四条时钟线CLK可将具有不同相位的至少一个时钟信号传送到级ST。此时，四条时钟线CLK之中的被设置成与第一基板121的端部最邻近的时钟线可以是第一非有效区域NA1和第二非有效区域NA2之间的边界。即使在图6B中示出了使用四条时钟线CLK，但是时钟线CLK的数量不限于此。

级ST设置在有效区域AA和时钟线CLK之间，以输出对应于驱动信号的扫描信号。即使在图6B中示出了级ST是单层，但这是为了便于描述，因此级ST可以由各种晶体管和/或电容器构成。

参考图6C，高电位电源线VDD设置在非有效区域NA中。多条高电位电源线VDD的端部可以是第一非有效区域NA1和第二非有效区域NA2之间的边界。

钝化层122d设置在有效区域AA中的第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3和存储电容器SC、以及非有效区域NA中的低电位电源线VSS、高电位电源线VDD和栅极驱动器GD上。钝化层122d是用于保护钝化层122d下方的部件的绝缘层。例如，钝化层122d可以由单层或多层氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)构成，但不限于此。此外，取决于示例性实施例，可以省略钝化层122d。

多个滤色器CF设置在钝化层122d上的多个子像素SP中的每个子像素的发射区域中。如上所述，根据本公开的示例性实施例的显示装置100是底部发射型，其中从发光二极管OLED发射的光被引导到发光二极管OLED的下部部分和第一基板110。因此，多个滤色器CF可以设置在发光二极管OLED下方。从发光二极管OLED发射的光穿过多个滤色器CF并且被实现为各种颜色的光。

多个滤色器CF包括红色滤色器CFR、蓝色滤色器CFB和绿色滤色器CFG。红色滤色器CFR可以设置在多个子像素SP的红色子像素SPR的发射区域中，蓝色滤色器CFB可以设置在蓝色子像素SPB的发射区域中，并且绿色滤色器CFG可以设置在绿色子像素SPG的发射区域中。

平坦化层123设置在钝化层122d和多个滤色器CF上。

平坦化层123是使其上设置有第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3、存储电容器SC、多条高电位电源线VDD、多条数据线DL、多条参考线RL、多条栅极线GL和多条感测线SL的第一基板121的上部部分平坦化的绝缘层。平坦化层123可以设置在第一基板121的整个表面上。即，平坦化层123不仅可以设置在有效区域AA中，而且可以设置到第一基板121的端部，同时包围无机层122的位于非有效区域NA中的端部。因此，在根据本公开的一个示例性实施例的显示装置100中，平坦化层123被设置成覆盖无机层122的端部，以减少无机层122的损坏。即，平坦化层123与无机层122的端部重叠。

发光二极管OLED设置在多个子像素SP中的每个子像素的发射区域中。发光二极管OLED设置在多个子像素SP中的每一个中的平坦化层123上。发光二极管OLED包括阳极AN、发射层EL和阴极CA。

阳极AN设置在发射区域中的平坦化层123上。阳极AN向发射层EL提供空穴，因此阳极AN可以由具有高功函数的导电材料形成。例如，阳极AN可以由诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的透明导电材料形成，但不限于此。

同时，阳极AN可以朝向电路区域延伸。阳极AN的一部分可以从发射区域朝向电路区域的第一源极电极SE1延伸，并且可以经由形成在平坦化层123和钝化层122d中的接触孔电连接到第一源极电极SE1。因此，发光二极管OLED的阳极AN延伸到电路区域以电连接到第一晶体管TR1的第一源极电极SE1和存储电容器SC的第二电容器电极SC2。

在发射区域和电路区域中，发射层EL设置在阳极AN上。发射层EL可以形成为多个子像素SP上方的一层。即，多个子像素SP的发射层EL彼此连接以一体地形成。发射层EL可以由一个发射层构成，或者可以具有其中层叠发射不同颜色光的多个发射层的结构。发射层EL还可以包括有机层，如空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层。

阴极CA设置在发射区域和电路区域中的发射层EL上。阴极CA向发射层EL提供电子，使得阴极可以由具有低功函数的导电材料形成。阴极CA可以形成为多个子像素SP上方的一层。即，多个子像素SP的阴极CA中的每一个被连接以一体地形成。例如，阴极CA可以由诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)或镱(Yb)合金的透明导电材料形成，并且还可以包括金属掺杂层，但不限于此。

堤部124设置在平坦化层123和阳极AN上。即，堤部124设置在有效区域AA和非有效区域NA中的第一基板121的整个表面上。在有效区域AA中，堤部124设置在阳极AN和发射层EL之间以覆盖阳极AN的边缘。堤部124设置在彼此相邻的子像素SP之间的边界处，以减少从多个子像素SP中的每个子像素的发光二极管OLED发射的光的混合。在非有效区域NA中，堤部124从有效区域AA延伸以设置在平坦化层123上。堤部124可以由绝缘材料形成，例如由聚酰亚胺形成，但不限于此。

阴极CA设置在堤部124上，第一粘合层125可以设置在阴极CA上。

第二基板126设置在第一粘合层125上。第二基板126可以与第一粘合层125一起用于保护发光二极管OLED免受外部湿气、氧气或撞击的影响。例如，第二基板126可以由具有大约200MPa至900MPa的高模量的材料形成。第二基板126可以由金属材料形成，该金属材料具有高耐腐蚀性并且容易以箔或薄膜的形式加工，诸如铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、铁(Fe)和镍合金材料。因此，由于第二基板126由金属材料形成，因此第二基板126可以实现为超薄膜，并且提供对外部撞击和刮擦的强抵抗力。

第二基板126被设置成不与第一基板121的整个表面重叠，而是被设置直到非有效区域NA的部分区域。此时，第二基板126可以被设置成从第一粘合层125向外突出。

用于与后盖110接合的第二粘合层130设置在第二基板126上。

通常，用于接合显示面板120和后盖110的第二粘合层130设置在显示装置的整个表面上。即，第二粘合层130不仅设置在第二基板126的整个表面上，而且设置在密封构件160的上表面的整个表面上。后盖110被设置在如上所述的设置以接合显示面板120和后盖110的第二粘合层130上，然后偏振器180被设置在显示面板120下方以制造显示装置。此处，如上所述，密封构件160被设置成覆盖第二基板126的一部分，例如覆盖第二基板126的上表面的一部分，使得在密封构件160和第二基板126之间引起台阶差。

如上所述，当第二粘合层130形成在密封构件160的整个上表面和第二基板126的整个表面上时，由于密封构件160和第二基板126之间的台阶差而产生气泡，并且所产生的气泡导致裂纹。更具体地，在通过第二粘合层130接合显示面板120的上表面和后盖110之后，通过层压方法使用辊将偏振器180接合到显示面板120的下表面上。由于密封构件160和第二基板126之间的台阶差而产生的气泡会影响显示面板120的无机层122中包括的多个无机层，即下缓冲层122a、上缓冲层122b、栅极绝缘层122c和钝化层122d，使得在这些无机层中产生裂纹。然而，在显示面板120与多个柔性膜140连接的区域中，设置用于与多个柔性膜140电连接的导电粘合层ACF，以固定导电粘合层ACF的无机层。因此，在显示面板120和多个柔性膜140连接的区域中，即使在整个表面上设置粘合层，也不会产生裂纹。

因此，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，如图6A至图6C所示，除了多个柔性膜140连接到显示面板120的区域之外，将显示面板120与后盖110接合的第二粘合层130被设置成与密封构件160间隔开。即，在除了包括多个柔性膜140的区域之外的区域中，第二粘合层130不与密封构件160重叠，而在包括多个柔性膜140的区域中，第二粘合层130在密封构件160上。第二粘合层130的端部可以设置在第二非有效区域NA2和非有效区域NA中的基准线R之间。更具体地，第二粘合层130的端部可以设置在低电位电源线VSS、栅极驱动器GD和高电位电源线VDD的端部与非有效区域NA中的无机层122的端部之间。即，第二粘合层130可以被设置成覆盖设置在无机层122中的导电材料。即，第二粘合层130的端部延伸超过高电位电源线VDD、低电位电源线VSS和栅极驱动器GD中的任何一个的端部，并且相对于无机层122的端部靠内设置。第二粘合层130的端部不延伸到密封构件160。

如上所述，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，将显示面板120与后盖110接合的第二粘合层130被设置成与密封构件160间隔开预定距离。因此，由于密封构件160和第二基板126之间的台阶差而产生的气泡被阻挡，以减少由于气泡而产生的裂纹。

此外，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，第二粘合层130被设置成与密封构件160间隔开。在这种情况下，第二粘合层130覆盖(例如，与之重叠)设置在无机层122中的导电材料，即，低电位电源线VSS、栅极驱动器GD和高电位电源线VDD的端部，使得第二粘合层130的端部位于导电材料的端部上方。因此，减少了由导电材料形成的布线中产生的裂纹。

此外，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，第一基板121由透明导电氧化物和氧化物半导体中的任何一种形成，以减小显示装置100的厚度。在现有技术中，塑料基板主要用作显示装置的基板。然而，塑料基板通过在高温下涂覆和固化基板材料来形成，因此存在花费时间长并且难以形成低于预定级别的厚度的问题。相反，透明导电氧化物和氧化物半导体可以通过诸如溅射的沉积工艺形成为具有非常薄的厚度。因此，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，支撑显示面板120的各种部件的第一基板121由透明导电氧化物和氧化物半导体构成，以减小显示装置100的厚度并实现纤薄设计。

此外，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，第一基板121由透明导电氧化物或氧化物半导体形成，以改善显示装置100的柔性并减小当显示装置100变形时产生的应力。具体地，当第一基板121由透明导电氧化物或氧化物半导体构成时，第一基板121可以形成为非常薄的膜。在这种情况下，第一基板121也可以称为第一透明薄膜层。因此，包括第一基板121的显示装置100可以具有高柔性，并且显示装置100可以易于弯折或卷曲。因此，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，第一基板121由透明导电氧化物和氧化物半导体中的任何一种形成，以改善显示装置100的柔性。因此，也可以减轻显示装置100变形时产生的应力，从而可以减少显示装置100中引起的裂纹。

此外，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，第一基板121由透明导电氧化物和氧化物半导体中的任何一种形成，以降低在第一基板121中产生静电的可能性。如果第一基板121由塑料形成以致于产生静电，则会由于静电而损坏第一基板121上的各种布线和驱动元件或者影响驱动，从而可能降低显示质量。相反，当第一基板121由透明导电氧化物和氧化物半导体形成时，可以减少在第一基板121中产生的静电，并且可以简化用于阻挡和释放静电的构造。因此，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，第一基板121由具有产生静电的低可能性的透明导电氧化物或氧化物半导体中的任何一种形成。通过这样做，可以减少由于静电引起的损坏或显示质量降低。

此外，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，第一基板121由透明导电氧化物和氧化物半导体中的一种形成，以减少外部的湿气或氧气通过第一基板121渗透到显示装置100中。当第一基板121由透明导电氧化物或氧化物半导体形成时，第一基板121在真空环境中形成，使得异物产生的可能性相当低。此外，即使产生异物，异物的尺寸也非常小，从而可以减少湿气和氧气渗透到显示装置100中。因此，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，第一基板121由具有产生异物的可能性低和优异的防湿气渗透性能的透明导电氧化物或氧化物半导体形成。通过这样做，可以提高包括有机层的发光二极管OLED和显示装置100的可靠性。

在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，第一基板121由透明导电氧化物和氧化物半导体中的任何一种形成，并且可以在第一基板121下方贴附薄且便宜的阻挡膜之后使用。当第一基板121由具有较差的防湿气渗透性能的材料(例如塑料)形成时，可以通过贴附高性能的阻挡膜来补充防湿气渗透性能。然而，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，第一基板121由具有优异的防湿气渗透性能的透明导电氧化物或氧化物半导体形成，使得可以在第一基板121下方贴附薄且便宜的阻挡膜。因此，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，第一基板121由具有优异的防湿气渗透性能的透明导电氧化物或氧化物半导体中的任何一种构成，以降低显示装置的制造成本。

此外，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，第一基板121由透明导电氧化物和氧化物半导体中的任何一种形成，以执行激光剥离(LLO)工艺。当制造显示装置100时，在第一基板121下方贴附其中形成有牺牲层的临时基板，然后可以在第一基板121上形成像素单元PP。牺牲层可以使用氢化非晶硅或氢化并掺杂有杂质的非晶硅。在完成显示装置100的制造之后，当从临时基板的下部部分照射激光时，牺牲层的氢被脱氢，并且牺牲层和临时基板可以与第一基板121分离。此时，透明导电氧化物和氧化物半导体是可以与牺牲层和临时基板一起执行LLO工艺的材料。因此，即使第一基板121由透明导电氧化物或氧化物半导体中的任何一种形成，第一基板121也可以容易地与临时基板分离。因此，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，第一基板121由可以执行LLO工艺的透明导电氧化物或氧化物半导体中的任何一种构成。因此，可以利用现有的工艺和设备容易地制造显示装置100。

图7是根据本公开的另一示例性实施例的显示装置的平面图。图8A是根据本公开的示例性实施例的沿着图7的线VIIIa-VIIIa’截取的截面图。图8B是根据本公开的示例性实施例的沿着图7的线VIIIb-VIIIb’截取的截面图。图8C是根据本公开的示例性实施例的沿着图7的线VIIIc-VIIIc’截取的截面图。图7至图8C的显示装置700与图1至图6C的显示装置100之间的唯一区别是第三粘合层730，但是其他配置基本上相同，因此将省略多余的描述。

参考图7至图8C，在根据本公开的另一示例性实施例的显示装置700中，用于接合显示面板120和后盖110的第三粘合层730的端部被设置成在非有效区域NN中与密封构件160间隔开。第三粘合层730与图1至图6C的显示装置100中的第二粘合层130对应，但区别之处在于第三粘合层730的端部可以被设置成与无机层122的端部对齐。即，第三粘合层730的端部可以根据非有效区域NA的基准线R定位，并且第三粘合层730的端部可以与无机层122的端部重叠。因此，根据本公开的另一示例性实施例的显示装置700的第三粘合层730完全覆盖无机层122以完全重叠。

在根据本公开的另一示例性实施例的显示装置700中，在除了连接到显示面板120和多个柔性膜140的区域之外的区域中将显示面板120和后盖110接合的第三粘合层730被设置成与密封构件160间隔开。第三粘合层730的端部可以被设置成对应地与无机层122的端部重叠。因此，在根据本公开的另一示例性实施例的显示装置700中，将显示面板120和后盖120接合的第三粘合层730被设置成与密封构件160间隔开预定距离。因此，由于密封构件160和第二基板126之间的台阶差而产生的气泡被阻挡，以减少由于气泡而产生的裂纹。

此外，在根据本公开的示例性实施例的显示装置700中，第三粘合层730被设置成与密封构件160间隔开。在这种情况下，第三粘合层730覆盖设置在无机层122中的导电材料，即，低电位电源线VSS、栅极驱动器GD和高电位电源线VDD的端部，使得第三粘合层730的端部位于导电材料的端部上方。因此，可以减少由导电材料形成的布线中产生的裂纹。

此外，在根据本公开的另一示例性实施例的显示装置700中，第三粘合层730的端部可以被设置成对应地与无机层122的端部重叠。因此，第三粘合层730被设置成完全覆盖无机层122，使得施加到无机层122的应力被第三粘合层730吸收，从而可以减少无机层122的裂纹。

图9是根据本公开的又一示例性实施例的显示装置的平面图。图10A是根据本公开的示例性实施例的沿着图9的线Xa-Xa’截取的截面图。图10B是根据本公开的示例性实施例的沿着图9的线Xb-Xb’截取的显示装置的截面图。图10C是根据本公开的示例性实施例的沿着图9的线Xc-Xc’截取的截面图。图9至图10C的显示装置900与图1至图6C的显示装置100之间的唯一区别是第四粘合层930，但是其他配置基本上相同，因此将省略多余的描述。

参考图9至图10C，在根据本公开的又一示例性实施例的显示装置900中，用于接合显示面板120和后盖110的第四粘合层930被设置成在非有效区域NN中与密封构件160间隔开。第四粘合层930与图1至图6C的显示装置100中的第二粘合层130对应，但区别之处在于第四粘合层930的端部可以设置在第三非有效区域NA3中。第四粘合层930的端部与密封构件160间隔开，并且无机层122的端部可以位于基准线R的外侧。

在根据本公开的又一示例性实施例的显示装置900中，除了连接到显示面板120和多个柔性膜140的区域之外将显示面板120和后盖110接合的第四粘合层930被设置成与密封构件160间隔开。第四粘合层930的端部可以设置在第三非有效区域NA3中。因此，在根据本公开的又一示例性实施例的显示装置900中，将显示面板120和后盖110接合的第四粘合层930被设置成与密封构件160间隔开预定距离。因此，由于密封构件160和第二基板126之间的台阶差而产生的气泡被阻挡，以减少由于气泡而产生的裂纹。

此外，在根据本公开的又一示例性实施例的显示装置900中，第四粘合层930被设置成与密封构件160间隔开。在这种情况下，第四粘合层930覆盖设置在无机层122中的导电材料，即，低电位电源线VSS、栅极驱动器GD和高电位电源线VDD的端部，使得第四粘合层930的端部位于导电材料的端部上方。因此，可以使由导电材料形成的布线中产生的裂纹减到最少。

此外，在根据本公开的又一示例性实施例的显示装置900中，第四粘合层930的端部可以被设置成覆盖无机层122的端部并突出超过无机层122的端部。因此，第四粘合层930被设置成完全覆盖无机层122，使得施加到无机层122的应力被第四粘合层930吸收，从而可以减少无机层122的裂纹。

本公开的示例性实施例也可以描述如下：

根据本公开的一方面，一种显示装置，包括：第一基板，所述第一基板包括有效区域和非有效区域，所述有效区域包括多个子像素，所述非有效区域包围所述有效区域，并且由透明导电氧化物和氧化物半导体中的一种形成；无机层，所述无机层设置在所述第一基板上；平坦化层，所述平坦化层设置在所述无机层上；第二基板，所述第二基板设置在所述平坦化层上并且其端部位于所述第一基板的内部；密封构件，所述密封构件被设置成覆盖所述第二基板的上部部分的一部分；粘合层，所述粘合层与所述密封构件间隔开以设置在所述第二基板上；以及后盖，所述后盖设置在所述粘合层上并通过所述粘合层接合到所述第二基板。

所述无机层的端部可以位于所述非有效区域中的所述第一基板的端部的内部。

所述无机层由无机材料形成的多层构成，并且高电位电源线、低电位电源线和栅极驱动器中的至少一个可以设置在所述非有效区域中的多层中的至少一层上。

所述粘合层的端部可以位于所述无机层的端部与所述高电位电源线、所述低电位电源线和所述栅极驱动器中的任何一个的端部之间。

所述粘合层的端部可以定位成与所述无机层的端部重叠。

所述粘合层的端部可以位于所述密封构件和所述无机层的端部之间。

所述平坦化层覆盖所述无机层的端部，并且可以设置在所述第一基板的整个表面上。

所述粘合层可以是双面胶带。

所述显示装置还可以包括：多个柔性膜，设置在第一基板的一端处，所述粘合层在除了设置有所述多个柔性膜的区域之外的区域中与所述密封构件间隔开。

所述粘合层可以在设置有所述多个柔性膜的区域中设置在所述密封构件上。

尽管已经参考附图详细描述了本公开的示例性实施例，但是本公开不限于此，并且可以在不脱离本公开的技术构思的情况下以许多不同的形式体现。因此，提供本公开的示例性实施例仅用于说明目的，而不是旨在限制本公开的技术构思。本公开的技术构思的范围不限于此。因此，应该理解，上述示例性实施例在所有方面都是说明性的，并不限制本公开。本公开的保护范围应基于以下权利要求来解释，并且在其等同范围内的所有技术构思应被解释为属于本公开的范围内。

Claims (15)

1.一种显示装置，包括：

第一基板，所述第一基板包括有效区域和非有效区域，在所述有效区域中具有多个子像素，所述非有效区域包围所述有效区域，所述第一基板包括透明导电氧化物和氧化物半导体中的一种；

无机层，所述无机层在所述第一基板上；

平坦化层，所述平坦化层在所述无机层上；

第二基板，所述第二基板在所述平坦化层上，所述第二基板包括相对于所述第一基板的端部靠内设置的端部，使得所述第一基板的端部延伸超过所述第二基板的端部；

密封构件，所述密封构件覆盖所述第二基板的一部分；

粘合层，所述粘合层在所述第二基板上，所述粘合层被设置成与所述密封构件间隔开；以及

后盖，所述后盖在所述粘合层上，所述后盖通过所述粘合层接合到所述第二基板。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在所述非有效区域中，所述无机层的端部相对于所述第一基板的端部靠内设置，使得所述第一基板的端部延伸超过所述无机层的端部。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述无机层包括多个无机层，并且在所述非有效区域中，高电位电源线、低电位电源线和栅极驱动器中的至少一个在所述多个无机层之中的至少一个无机层上。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述粘合层的端部延伸超过所述高电位电源线、所述低电位电源线和所述栅极驱动器中的任何一个的端部，并且位于所述高电位电源线、所述低电位电源线和所述栅极驱动器中的任何一个的端部与所述无机层的端部之间。

5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述粘合层的端部延伸超过所述高电位电源线、所述低电位电源线和所述栅极驱动器中的任何一个的端部，并且与所述无机层的端部对齐。

6.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述粘合层的端部延伸超过所述高电位电源线、所述低电位电源线和所述栅极驱动器中的任何一个的端部和所述无机层的端部，并且不延伸到所述密封构件。

7.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述平坦化层与所述无机层的端部重叠，并且在所述第一基板的整个表面上。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述粘合层包括双面胶带。

9.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：

多个柔性膜，所述多个柔性膜在所述第一基板的一端，

其中，在除了包括所述多个柔性膜的区域之外的区域中，所述粘合层与所述密封构件间隔开。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，在包括所述多个柔性膜的区域中，所述粘合层在所述密封构件上。

11.一种显示装置，包括：

第一基板，所述第一基板包括有效区域和包围所述有效区域的非有效区域；

无机层，所述无机层在所述第一基板的所述有效区域和所述非有效区域上；

多个子像素，所述多个子像素在所述有效区域中的所述无机层的一部分上，所述多个子像素被配置为发射光；

第二基板，所述第二基板在所述多个子像素上，所述第二基板包括在所述非有效区域中相对于所述第一基板的端部靠内设置的端部，使得所述第一基板的端部在所述非有效区域中延伸超过所述第二基板的端部；

密封构件，所述密封构件在所述非有效区域中，所述密封构件覆盖所述非有效区域中的所述第二基板的最上表面的边缘，使得所述密封构件的最上部分高于所述第二基板的所述最上表面；

后盖，所述后盖在所述第二基板上；以及

粘合层，所述粘合层在所述第二基板和所述后盖之间，所述粘合层的端部在非有效区域中与所述密封构件间隔开。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一基板包括透明导电氧化物或氧化物半导体中的一种。

13.根据权利要求11所述的显示装置，还包括：

在所述非有效区域中的所述无机层上的导电元件，

其中，所述粘合层的端部延伸超过所述导电元件的端部，并且位于所述导电元件的端部与所述无机层的端部之间。

14.根据权利要求11所述的显示装置，还包括：

在所述非有效区域中的所述无机层上的导电元件，

其中，所述粘合层的端部延伸超过所述导电元件的端部，并且与所述无机层的端部对齐。

15.根据权利要求11所述的显示装置，还包括：

在所述非有效区域中的所述无机层上的导电元件，

其中，所述粘合层的端部延伸超过所述无机层的端部和所述导电元件的端部，并且不延伸到所述密封构件。