CN116437780A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

提供了一种显示装置。该显示装置具有非有源区域和包括多个子像素的有源区域。该显示装置包括：由透明导电氧化物或氧化物半导体制成的下基板；在下基板上设置在多个子像素中的多个晶体管；设置在多个晶体管上的平坦化层；多个发光元件，所述多个发光元件在多个子像素中设置在平坦化层上，并且包括阳极、发光层和阴极；以及设置在平坦化层与阳极之间的多个发光层保护图案。

Description

显示装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年12月30日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2021-0192836号的优先权，其公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开内容涉及显示装置。

背景技术

用于计算机显示器、TV、手机和其他应用的显示装置包括自身发光的有机发光显示器(OLED)和需要单独光源的液晶显示器(LCD)。

随着显示装置越来越多地应用于诸如计算机监视器、TV和个人移动装置的各种领域，已经研究了具有大的显示面积和减小的体积和重量的显示装置。

近年来，柔性显示装置作为下一代显示装置已经引起了关注，在柔性显示装置中显示元件和布线线路形成在由柔性塑料制成的柔性基板上，并且柔性显示装置即使在折叠或卷起时也可以显示图像。

发明内容

本公开内容要实现的一个目的是提供一种显示装置，其包括通过使用透明导电氧化物层和氧化物半导体层中的一种制成的非常薄的基板，以代替塑料基板。

本公开内容要实现的另一个目的是提供一种显示装置，其使水分和氧气的渗透被最小化。

本公开内容要实现的又一目的在于提供一种塑料基板被去除的显示装置，其可以简化制造过程并降低制造成本。

本公开内容要实现的另一个目的是提供一种显示装置，其中可以抑制在激光剥离(laser lift off，LLO)过程期间由激光束引起的对发光层的损坏。

本公开内容要实现的另一个目的是提供一种显示装置，其中即使在LLO过程中阳极破裂或损坏，也能顺利地提供空穴。

本公开内容的目的不限于上述目的，本领域技术人员可以通过以下描述清楚地理解上述未提及的其他目的。

根据本发明的方面，显示装置具有非有源区域和包括多个子像素的有源区域，该显示装置包括：由透明导电氧化物或氧化物半导体制成的基板；在基板上设置在多个子像素中的多个晶体管；设置在多个晶体管上的平坦化层；在多个子像素中设置在平坦化层上的多个发光元件；以及设置在平坦化层与发光元件中的至少一个的阳极之间的多个发光层保护图案，该发光层保护图案包括光敏材料。

根据本公开内容的方面，提供了一种显示装置，其具有非有源区域和包括多个子像素的有源区域。该显示装置包括：由透明导电氧化物或氧化物半导体制成的下基板；在下基板上设置在多个子像素中的多个晶体管；设置在多个晶体管上的平坦化层；多个发光元件，该多个发光元件在多个子像素中设置在平坦化层上，并且包括阳极、发光层和阴极；以及设置在平坦化层与阳极之间的多个发光层保护图案。

示例性实施方式的其他详细内容包括在具体实施方式和附图中。

根据本公开内容，使用透明导电氧化物层和氧化物半导体层作为显示装置的基板。因此，可以容易地控制水分的渗透。

根据本公开内容，使用薄膜形式的透明导电氧化物层和氧化物半导体层作为显示装置的基板。因此，可以提高显示装置的柔性。

根据本公开内容，使用薄膜形式的透明导电氧化物层和氧化物半导体层作为显示装置的基板。因此，可以减少显示装置弯曲或卷曲时生成的应力，并且还可以减少显示装置的裂纹。

根据本公开内容，使用透明导电氧化物层和氧化物半导体层作为显示装置的基板。因此，可以简化显示装置的结构并降低制造成本。

根据本公开内容，使用透明导电氧化物层和氧化物半导体层作为显示装置的基板。因此，可以减少基板中静电的产生并提高显示质量。

根据本公开内容，可以通过在真空环境中的沉积过程来制造显示装置的基板。因此，可以减少用于制造基板所需的时间。另外，可以使基板上异物以及异物所造成的缺陷的形成最小化。

根据本公开内容，可以抑制在LLO过程中照射的激光束所引起的对发光层的损坏，从而可以抑制由该损坏引起的驱动误差的发生。

根据本公开内容，可以使当阳极因LLO过程中照射的激光束而破裂或损坏时由阳极电阻的增大引起的空穴供应问题最小化。

根据本公开内容的效果不限于以上例示的内容，并且本说明书中包括更多的各种效果。

附图说明

本公开内容的上述和其他方面、特征和其他优点将从以下结合附图的具体实施方式中得到更清楚的理解，其中：

图1是根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置的平面图；

图2是根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置的子像素的电路图；

图3是根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置的放大平面图；

图4是沿图3的线IV-IV'截取的图3的截面图；

图5是图3中所示的红色子像素中的阳极和发光层保护图案的放大平面图；

图6是根据本公开内容的另一示例性实施方式的显示装置的放大平面图；

图7是沿图6的线VII-VII'截取的图6的截面图；

图8是图6中所示的红色子像素中的阳极和发光层保护图案的放大平面图；

图9是根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示装置的放大平面图；

图10是沿图9的线X-X'截取的图9的截面图；以及

图11是图9中所示的红色子像素中的阳极和发光层保护图案的放大平面图。

具体实施方式

本公开内容的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法将通过参考下面结合附图详细描述的示例性实施方式而变得清楚。然而，本公开内容不限于本文公开的示例性实施方式，而是将以各种形式实施。这些示例性实施方式仅以举例的方式提供，以便本领域技术人员能够充分理解本公开内容的公开内容和本公开内容的范围。

附图中示出的用于描述本公开内容的示例性实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数目等仅仅是示例，并且本公开内容不限于此。在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。此外，在本公开内容的以下描述中，可能省略对已知相关技术的详细解释以避免不必要地混淆本公开内容的主题。本文中使用的诸如“包括”、“具有”和“由……组成”之类的术语通常旨在允许添加其他部件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明，否则对单数的任何引用都可以包括复数。

即使没有明确说明，部件也被解释为包括普通误差范围。

当使用诸如“上”、“上方”、“下方”和“下一个”等术语来描述两个部件之间的位置关系时，一个或更多个部件可以位于两个部件之间，除非这些术语与术语“紧接”或“直接”一起使用。

当一个元件或层设置在另一个元件或层“上”时，另一个层或另一个元件可以直接插入在另一个元件上或它们之间。

尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种部件，但这些部件不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个部件与其他部件区分开来。因此，以下提及的第一部件可以是本公开内容的技术构思中的第二部件。

在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。

为了便于描述，图示了附图中示出的每个部件的尺寸和厚度，并且本公开内容不限于图示的部件的尺寸和厚度。

本公开内容的各个实施方式的特征可以部分地或全部地彼此结合或组合，并且可以在技术上以各种方式互锁和操作，并且实施方式可以彼此独立地或关联地执行。

在下文中，将参照附图详细描述根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置。

图1是根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置的平面图。为了描述方便，图1仅示出了显示装置100的各个部件中的下基板110、多个柔性膜160和多个印刷电路板170。

参照图1，下基板110是被配置成支承显示装置100的其他部件的支承构件。下基板110可以由透明导电氧化物和氧化物半导体中的任何一种制成。例如，下基板110可以由诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(ITZO)等透明导电氧化物(TCO)制成。

替选地，下基板110可以由包括铟(In)和镓(Ga)的氧化物半导体材料制成。例如，下基板110可以由透明氧化物半导体例如铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓氧化物(IGO)、铟锡锌氧化物(ITZO)等制成。然而，透明导电氧化物和氧化物半导体的类型仅是示例。下基板110可以由本公开内容中未描述的其他透明导电氧化物和氧化物半导体制成，但不限于此。

同时，可以通过将透明导电氧化物或氧化物半导体沉积到非常小的厚度来形成下基板110。由于下基板110形成为非常薄的厚度，它可以具有柔性。此外，包括具有柔性的下基板110的显示装置100可以被实现为即使在被折叠或卷起时也可以显示图像的柔性显示装置100。例如，如果显示装置100是可折叠的显示装置，则下基板110可以围绕折叠轴折叠或展开。再例如，如果显示装置100是可卷曲显示装置，则显示装置100可以围绕辊子卷起以进行存放。因此，根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100可以通过使用具有柔性的下基板110实现为柔性显示装置100，例如可折叠显示装置或可卷曲显示装置。

此外，通过使用由透明导电氧化物或氧化物半导体制成的下基板110，可以对根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100进行LLO过程。LLO过程是指在制造显示装置100时通过使用激光束将下基板110与下基板110下方的临时基板分离的过程。由于下基板110是为更容易的LLO过程而设置的层，因此其也可称为功能薄膜、功能薄膜层、功能基板等。稍后将更详细地描述LLO过程。

显示装置100包括有源区域AA和非有源区域NA。

有源区域AA是指显示图像的区域。在有源区域AA中，可以设置由多个子像素构成的像素单元以显示图像。例如，像素单元由各自包括发光元件和驱动电路的多个子像素构成以显示图像。

非有源区域NA是指不显示图像的区域，并且设置有用于驱动设置在有源区域AA中的子像素的各种线路和驱动器IC。例如，在非有源区域NA中，可以设置诸如栅极驱动器IC和数据驱动器IC的各种驱动器IC。

多个柔性膜160设置在下基板110的一端上。多个柔性膜160电连接至下基板110的一端。多个柔性膜160包括设置在具有延展性的基膜上的各种部件，并且用于向设置在有源区域AA中的多个子像素提供信号。多个柔性膜160的一端可以设置在非有源区域NA中，以向设置在有源区域AA中的多个子像素提供数据电压等。图1中示出了四个柔性膜160。然而，柔性膜160的数目不限于此，并且可以根据设计而变化。

同时，诸如栅极驱动器IC和数据驱动器IC的驱动器IC可以设置在多个柔性膜160上。驱动器IC可以被配置成对用于显示图像的数据和用于处理数据的驱动信号进行处理。驱动器IC可以通过玻璃上芯片(COG)方法、膜上芯片(COF)方法或带载封装(TCP)等来安装。为了描述的方便，驱动器IC被描述为通过COF方法安装在多个柔性膜160上，但本公开内容不限于此。

印刷电路板170连接至多个柔性膜160。印刷电路板170被配置成向驱动器IC提供信号。用于向驱动器IC提供各种信号(例如驱动信号和数据电压)的各种部件可以设置在印刷电路板170中。图1示出了两个印刷电路板170。然而，印刷电路板170的数目不限于此并且可以根据设计而变化。

像素单元可以设置在如上所述的有源区域AA中。像素单元是包括多个子像素并且被配置成显示图像的部件。像素单元的多个子像素可以代表有源区域AA的最小单元，并且发光元件和驱动电路可以设置在多个子像素的每一个中。例如，多个子像素中的每一个中的发光元件可以包括由阳极、有机发光层和阴极构成的有机发光元件。另外，多个子像素中的每一个中的发光元件可以包括由N型半导体层和P型半导体层以及发光层构成的LED，但不限于此。用于驱动多个子像素的驱动电路可以包括诸如薄膜晶体管、存储电容器等的驱动元件，但不限于此。在下文中，为了描述方便，将假设多个子像素中的每一个中的发光元件为有机发光元件，但不限于此。

同时，根据从发光元件发射的光的发射方向，显示装置100可以是顶部发光型或底部发光型。

在顶部发光型中，从发光元件发射的光可以向其上设置有发光元件的下基板110的上部发光。如果显示装置100是顶部发光型，可以在阳极下方形成反射层。这允许从发光元件发射的光朝向下基板110的上部，即朝向阴极行进。

在底部发光型中，从发光元件发射的光向其上设置有发光元件的下基板110的下部发射。如果显示装置100是底部发光型，阳极可以仅由透明导电材料制成，并且阴极可以由具有高反射率的金属材料制成。这允许从发光元件发出的光朝向下基板110的下部行进。

下文中，为了便于描述，根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100将被描述为底部发光型显示装置，但不限于此。

封装层可以被设置成覆盖像素单元。封装层可以对像素单元进行密封，以保护像素单元的发光元件免受外部水分、氧气和冲击的影响。封装层可以配置为通过交替地层叠多个无机层和多个有机层而形成的薄膜封装(TFE)。例如，无机层可以由诸如硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)和铝氧化物(AlOx)的无机材料制成，并且有机层可以由环氧聚合物或丙烯酸聚合物制成，但不限于此。替选地，封装层可以被配置为面密封件。例如，可以通过在像素单元的整个表面上形成UV或可热固密封剂来形成封装层。然而，封装层可以具有各种结构并且可以由各种材料制成，并且不限于此。

同时，由具有高模量和高耐腐蚀性的金属材料制成的封装基板可以进一步设置在封装层上。例如，封装基板可以由具有从大约200MPa到大约900MPa的范围内的高模量的材料制成。封装基板可以由具有高耐腐蚀性并且可以容易地加工成箔或薄膜的金属材料制成，金属材料的示例可以包括铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)以及铁(Fe)和镍的合金。由于封装基板由金属材料制成，因此封装基板可以以超薄膜的形式实现，并且可以提供对外部冲击和划痕的高抵抗力。

密封构件被设置成围绕像素单元的侧表面和封装层的侧表面。密封构件设置在非有源区域NA中以围绕设置在有源区域AA中的像素单元。密封构件被设置成围绕像素单元的侧表面和封装层的侧表面。因此，密封构件可以使水分向像素单元中的渗透最小化。

密封构件可以由具有弹性的非导电材料制成，以对像素单元的侧表面进行密封并增强显示装置100的侧表面的刚性。此外，密封构件可以由具有粘合性的材料制成。此外，密封构件可以包括吸湿剂，该吸湿剂用以吸收来自外部的水分和氧气，以使水分通过显示装置100的侧部的渗透最小化。例如，密封构件可以由聚酰亚胺(PI)、聚氨酯、环氧树脂或丙烯酸材料制成，但不限于此。

在下文中，将一起参照图2更详细地描述像素单元的多个子像素。

图2是根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置的子像素的电路图。

参照图2，用于驱动多个子像素SP中的每一个中的发光元件OLED的驱动电路包括第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3和存储电容器SC。此外，包括栅极线GL、数据线DL、高电位电力线VDD、感测线SL和参考线RL的多个线可以被设置在下基板110上，以对驱动电路进行驱动。

包括在每个子像素SP中的驱动电路中的第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和第三晶体管TR3中的每一个包括栅电极、源电极和漏电极。

第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和第三晶体管TR3可以是P型薄膜晶体管或N型薄膜晶体管。例如，在P型薄膜晶体管中，空穴从源电极流向漏电极，因此，电流可以从源电极流向漏电极。在N型薄膜晶体管中，电子从源电极流向漏电极，因此，电流可以从漏电极流向源电极。在下文中，第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和第三晶体管TR3将被描述为电流从漏电极流向源电极的N型薄膜晶体管，但不限于此。

第一晶体管TR1包括第一有源层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极。第一栅电极连接至第一节点N1，第一源电极连接至发光元件OLED的阳极，以及第一漏电极连接至高电位电力线VDD。当第一节点N1的电压高于阈值电压时，第一晶体管TR1可以导通。当第一节点N1的电压低于阈值电压时，第一晶体管TR1可以截止。当第一晶体管TR1导通时，通过第一晶体管TR1可以向发光元件OLED传输驱动电流。因此，对传输至发光元件OLED的驱动电流进行控制的第一晶体管TR1也可以被称为驱动晶体管。

第二晶体管TR2包括第二有源层、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极。第二栅电极连接至栅极线GL，第二源电极连接至第一节点N1，以及第二漏电极连接至数据线DL。第二晶体管TR2可以基于来自栅极线GL的栅极电压而导通或截止。当第二晶体管TR2导通时，第一节点N1可以被充入来自数据线DL的数据电压。因此，通过栅极线GL导通或截止的第二晶体管TR2也可以被称为开关晶体管。

第三晶体管TR3包括第三有源层、第三栅电极、第三源电极和第三漏电极。第三栅电极连接至感测线SL，第三源电极连接至第二节点N2，以及第三漏电极连接至参考线RL。第三晶体管TR3可以基于来自感测线SL的感测电压而导通或截止。当第三晶体管TR3导通时，第三晶体管TR3可以将来自参考线RL的参考电压传输至第二节点N2和存储电容器SC。因此，第三晶体管TR3也可以被称为感测晶体管。

同时，图2示出了栅极线GL和感测线SL为单独的线，但栅极线GL和感测线SL可以实现为单个线。然而，本公开内容不限于此。

存储电容器SC被连接在第一晶体管TR1的第一栅电极与第一源电极之间。也就是说，存储电容器SC可以连接在第一节点N1与第二节点N2之间。当发光元件OLED发射光时，存储电容器SC保持第一晶体管TR1的第一栅电极与第一源电极之间的电势差。因此，可以向发光元件OLED供应恒定的驱动电流。存储电容器SC包括多个电容器电极。例如，多个电容器电极中的一个电容器电极可以连接至第一节点N1，以及多个电容器电极中的另一个电容器电极可以连接至第二节点N2。

发光元件OLED包括阳极、发光层和阴极。发光元件OLED的阳极被连接至第二节点N2，阴极被连接至低电位电力线VSS。发光元件OLED可以被供应有来自第一晶体管TR1的驱动电流以发光。

同时，图2示出了根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100的子像素SP的驱动电路具有包括三个晶体管和一个存储电容器SC的3T1C结构。然而，晶体管和存储电容器SC的数量和连接关系不限于此，并且可以根据设计而变化。

图3是根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置的放大平面视图。图4是沿着图3的线V-V’截取的图3的截面视图。图5是图3中所示的阳极和发光层保护图案的放大视图。图3是每个像素中包括的红色子像素SPR、白色子像素SPW、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的放大平面视图。为了便于描述，图3未示出堤部115，而是示出了由粗实线表示的多个滤色器CF和阳极AN。参照图3和图4，根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100包括下基板110、绝缘层IN、缓冲层111、栅极绝缘层112、钝化层113以及平坦化层114。此外，显示装置100包括堤部115、第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3、存储电容器SC以及发光元件OLED。此外，显示装置100包括栅极线GL、感测线SL、数据线DL、参考线RL、高电位电力线VDD和多个滤色器CF。

参照图3，多个子像素SP包括红色子像素SPR、绿色子像素SPG、蓝色子像素SPB和白色子像素SPW。例如，红色子像素SPR、白色子像素SPW、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG可以在行方向上顺序设置。然而，多个子像素SP的布置顺序不限于此。

多个子像素SP中的每一个包括发光区域EA和电路区域CA。发光区域EA是独立地发射一种颜色的光的区域。发光元件OLED可以设置在发光区域EA中。具体地，在多个滤色器CF与阳极AN交叠的区域中，以下部分可以被定义为发光区域EA：该部分被堤部115暴露，并且从发光元件OLED发射的光通过该部分行进到外部。例如，一起参照图3和图4，红色子像素SPR的发光区域EA可以指的是在红色滤色器CFR与阳极AN交叠的区域中被堤部115暴露的部分。此外，绿色子像素SPG的发光区域EA可以指的是在绿色滤色器CFG与阳极AN交叠的区域中被堤部115暴露的部分。此外，蓝色子像素SPB的发光区域EA可以指的是在蓝色滤色器CFB与阳极AN交叠的区域中被堤部115暴露的部分。没有设置滤色器CF的白色子像素SPW的发光区域EA可以指的是与阳极AN的被堤部115暴露的一部分交叠的部分。

电路区域CA是指除发光区域EA之外的区域。在电路区域CA中，可以设置用于驱动多个发光元件OLED的驱动电路DP，以及用于将各种信号传输至驱动电路DP的多个线。另外，其中设置了驱动电路DP、多个线和堤部115的电路区域CA可以是非发光区域。例如，包括第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3和存储电容器SC的驱动电路DP、多个高电位电力线VDD、多个数据线DL、多个参考线RL、多个栅极线GL、感测线SL和堤部115可以设置在电路区域CA中。

一起参照图3和图4，绝缘层IN被设置在下基板110上。绝缘层IN可以用于抑制从下基板110的外部渗透的水分和/或氧气的扩散。可以通过控制绝缘层IN的厚度或层叠结构来控制水分渗透到显示装置100中。另外，绝缘层IN可以用于抑制由透明导电氧化物或氧化物半导体制成的下基板110与其他部件之间的接触所引起的短路。绝缘层IN可以由无机材料制成。例如，绝缘层IN可以形成为硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的单层或硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的多层，但不限于此。

多个高电位电力线VDD、多个数据线DL、多个参考线RL和遮光层LS被设置在绝缘层IN上。多个高电位电力线VDD、多个数据线DL、多个参考线RL和遮光层LS可以被设置在下基板110上的同一层上，并且可以由相同的导电材料制成。例如，多个高电位电力线VDD、多个数据线DL、多个参考线RL和遮光层LS可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金的金属材料制成，但不限于此。

多个高电位电力线VDD用于分别向多个子像素SP传输高电位电力电压。多个高电位电力线VDD可以在多个子像素SP之间沿行方向延伸，在列方向上彼此相邻的两个子像素SP可以共享多个高电位电力线VDD中的一个。例如，高电位电力线VDD可以设置在红色子像素SPR的左侧，以向红色子像素SPR和白色子像素SPW的每一者中的第一晶体管TR1供应高电位电力电压。另一高电位电力线VDD可以设置在绿色子像素SPG的右侧，以向蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的每一者中的第一晶体管TR1供应高电位电力电压。

多个数据线DL在多个子像素SP之间沿列方向延伸，并用于分别向多个子像素SP传输数据电压。多个数据线DL包括第一数据线DL1、第二数据线DL2、第三数据线DL3和第四数据线DL4。第一数据线DL1可以设置在红色子像素SPR与白色子像素SPW之间，并且可以用于将数据电压传输至红色子像素SPR的第二晶体管TR2。第二数据线DL2可以设置在第一数据线DL1与白色子像素SPW之间，并且可以用于将数据电压传输至白色子像素SPW的第二晶体管TR2。第三数据线DL3可以设置在蓝色子像素SPB与绿色子像素SPG之间，并且可以用于将数据电压传输至蓝色子像素SPB的第二晶体管TR2。第四数据线DL4可以设置在第三数据线DL3与绿色子像素SPG之间，并且可以用于将数据电压传输至绿色子像素SPG的第二晶体管TR2。

多个参考线RL在多个子像素SP之间沿列方向延伸，并用于分别向多个子像素SP传输参考电压。每个像素中包括的多个子像素SP可以共享单个参考线RL。例如，单个参考线RL可以设置在白色子像素SPW与蓝色子像素SPB之间，并且可以用于将参考电压传输至红色子像素SPR、白色子像素SPW、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的每一者中的第三晶体管TR3。

参照图3和图4，遮光层LS被设置在下基板110上。遮光层LS可以设置为与多个晶体管TR1、TR2和TR3中的第一晶体管TR1的至少第一有源层ACT1交叠，并且可以阻挡入射到第一有源层ACT1上的光。如果光照射到第一有源层ACT1上，则生成漏电流。因此，用作驱动晶体管的第一晶体管TR1的可靠性可能降低。在这种情况下，由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金的不透明导电材料制成的遮光层LS可以被设置为与第一有源层ACT1交叠。因此，可以阻挡从下基板110下部入射到第一有源层ACT1上的光。因此，可以提高第一晶体管TR1的可靠性。然而，本公开内容不限于此。遮光层LS也可以被设置为与第二晶体管TR2的第二有源层ACT2和第三晶体管TR3的第三有源层ACT3交叠。

同时，尽管遮光层LS被示出为单个层，但遮光层LS可以形成为多个层。例如，遮光层LS可以形成为多个层，所述多个层被设置成与位于所述多个层之间的下基板110、缓冲层111、栅极绝缘层112和钝化层113中的至少一个交叠。

缓冲层111被设置在多个高电位电力线VDD、多个数据线DL、多个参考线RL和遮光层LS上。缓冲层111可以用于减少水分或杂质通过下基板110的渗透。例如，缓冲层111可以形成为硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的单层或者硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的多层，但不限于此。此外，取决于下基板110的类型或晶体管的类型，可以省略缓冲层111，但不限于此。

第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3和存储电容器SC被设置在多个子像素SP的每一个中的缓冲层111上。

首先，第一晶体管TR1包括第一有源层ACT1、第一栅电极GE1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1。

第一有源层ACT1被设置在缓冲层111上。第一有源层ACT1可以由诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅的半导体材料制成，但不限于此。例如，如果第一有源层ACT1由氧化物半导体制成，则第一有源层ACT1由沟道区、源极区和漏极区形成。源极区和漏极区可以是导电区，但不限于此。

栅极绝缘层112被设置在第一有源层ACT1上。栅极绝缘层112用于将第一栅电极GE1与第一有源层ACT1进行绝缘，并且可以由绝缘材料制成。例如，栅极绝缘层112可以形成为硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的单层或者硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的多层，但不限于此。

第一栅电极GE1被设置在栅极绝缘层112上，以与第一有源层ACT1交叠。第一栅电极GE1可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金的导电材料制成，但不限于此。

第一源电极SE1和第一漏电极DE1可以设置在栅极绝缘层112上以彼此间隔开。第一源电极SE1和第一漏电极DE1可以通过形成在栅极绝缘层112中的接触孔而电连接至第一有源层ACT1。第一源电极SE1和第一漏电极DE1可以设置在与第一栅电极GE1相同的层上，以由相同的导电材料制成，但不限于此。例如，第一源电极SE1和第一漏电极DE1可以由铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金制成，但不限于此。

第一漏电极DE1被电连接至高电位电力线VDD。例如，红色子像素SPR和白色子像素SPW的第一漏电极DE1可以电连接至红色子像素SPR左侧的高电位电力线VDD。另外，蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的第一漏电极DE1可以电连接至绿色子像素SPG右侧的高电位电力线VDD。

在这种情况下，为了将第一漏电极DE1电连接至高电位电力线VDD，还可以设置辅助高电位电力线VDDa。辅助高电位电力线VDDa的一端可以电连接至高电位电力线VDD，另一端可以电连接至多个子像素SP的相应第一漏电极DE1。例如，如果辅助高电位电力线VDDa设置在与第一漏电极DE1相同的层上以由相同的材料制成，则辅助高电位电力线VDDa的一端可以通过形成在栅极绝缘层112和缓冲层111中的接触孔而电连接至高电位电力线VDD。此外，辅助高电位电力线VDDa的另一端可以朝向第一漏电极DE1延伸，并且可以与第一漏电极DE1一体形成。

电连接至同一高电位电力线VDD的红色子像素SPR的第一漏电极DE1和白色子像素SPW的第一漏电极DE1可以连接至同一辅助高电位电力线VDDa。此外，蓝色子像素SPB的第一漏电极DE1和绿色子像素SPG的第一漏电极DE1可以连接至同一辅助高电位电力线VDDa。然而，第一漏电极DE1可以以其他方式电连接至高电位电力线VDD，并且本公开内容不限于此。

第一源电极SE1可以通过形成在栅极绝缘层112和缓冲层111中的接触孔而电连接至遮光层LS。此外，第一有源层ACT1的连接至第一源电极SE1的部分可以通过形成在缓冲层111中的接触孔而电连接至遮光层LS。如果遮光层LS浮置，第一晶体管TR1的阈值电压可以改变，这可能影响显示装置100的驱动。因此，遮光层LS可以电连接至第一源电极SE1，以向遮光层LS施加电压，并且不影响第一晶体管TR1的驱动。在本公开内容中，第一有源层ACT1和第一源电极SE1两者被描述为与遮光层LS接触。然而，第一源电极SE1和第一有源层ACT1中的仅一者可以与遮光层LS直接接触，但本公开内容不限于此。

同时，图4示出了栅极绝缘层112被图案化为与第一栅电极GE1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1交叠。然而，栅极绝缘层112可以形成在下基板110的整个表面上，但不限于此。

第二晶体管TR2包括第二有源层ACT2、第二栅电极GE2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2。

第二有源层ACT2被设置在缓冲层111上。第二有源层ACT2可以由诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅的半导体材料制成，但不限于此。例如，如果第二有源层ACT2由氧化物半导体制成，则第二有源层ACT2由沟道区、源极区和漏极区形成。源极区和漏极区可以是导电区，但不限于此。

第二源电极SE2被设置在缓冲层111上。第二源电极SE2可以与第二有源层ACT2一体形成，并且因此可以彼此电连接。例如，可以在缓冲层111上形成半导体材料并且可以使半导体材料的一部分导电，以形成第二源电极SE2。因此，半导体材料的非导电部分可以变成第二有源层ACT2，半导体材料的导电部分可以变成第二源电极SE2。然而，第二有源层ACT2和第二源电极SE2可以被分开形成，但本公开内容不限于此。

第二源电极SE2电连接至第一晶体管TR1的第一栅电极GE1。第一栅电极GE1可以通过形成在栅极绝缘层112中的接触孔而电连接至第二源电极SE2。因此，第一晶体管TR1可以基于来自第二晶体管TR2的信号而导通或截止。

栅极绝缘层112被设置在第二有源层ACT2和第二源电极SE2上，第二漏电极DE2和第二栅电极GE2被设置在栅极绝缘层112上。

第二栅电极GE2被设置在栅极绝缘层112上以与第二有源层ACT2交叠。第二栅电极GE2可以电连接至栅极线GL，并且第二晶体管TR2可以基于传输至第二栅电极GE2的栅极电压而导通或截止。第二栅电极GE2可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金的导电材料制成，但不限于此。

同时，第二栅电极GE2可以从栅极线GL延伸。也就是说，第二栅电极GE2可以与栅极线GL一体形成，并且第二栅电极GE2和栅极线GL可以由相同的导电材料制成。例如，栅极线GL可以由铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金制成，但不限于此。

栅极线GL用于向多个子像素SP中的每一个传输栅极电压，并可以沿行方向延伸，以横越多个子像素SP的各个电路区域CA。栅极线GL在行方向上延伸，以与在列方向上延伸的多个高电位电力线VDD、多个数据线DL和多个参考线RL相交。

第二漏电极DE2被设置在栅极绝缘层112上。第二漏电极DE2可以通过形成在栅极绝缘层112中的接触孔而电连接至第二有源层ACT2。同时，第二漏电极DE2可以通过形成在栅极绝缘层112和缓冲层111中的接触孔而电连接至多个数据线DL之一。例如，红色子像素SPR的第二漏电极DE2可以电连接至第一数据线DL1，白色子像素SPW的第二漏电极DE2可以电连接至第二数据线DL2。例如，蓝色子像素SPB的第二漏电极DE2可以电连接至第三数据线DL3，绿色子像素SPG的第二漏电极DE2可以电连接至第四数据线DL4。第二漏电极DE2可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金的导电材料制成，但不限于此。

第三晶体管TR3包括第三有源层ACT3、第三栅电极GE3、第三源电极SE3和第三漏电极DE3。

第三有源层ACT3被设置在缓冲层111上。第三有源层ACT3可以由诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅的半导体材料制成，但不限于此。例如，如果第三有源层ACT3由氧化物半导体制成，则第三有源层ACT3由沟道区、源极区和漏极区形成。源极区和漏极区可以是导电区，但不限于此。

栅极绝缘层112被设置在第三有源层ACT3上，第三栅电极GE3、第三源电极SE3和第三漏电极DE3被设置在栅极绝缘层112上。

第三栅电极GE3被设置在栅极绝缘层112上以与第三有源层ACT3交叠。第三栅电极GE3可以电连接至感测线SL，并且第三晶体管TR3可以基于传输至第三晶体管TR3的感测电压而导通或截止。第三栅电极GE3可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金的导电材料制成，但不限于此。

同时，第三栅电极GE3可以从感测线SL延伸。也就是说，第三栅电极GE3可以与感测线SL一体形成，并且第三栅电极GE3和感测线SL可以由相同的导电材料制成。例如，感测线SL可以由铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金制成，但不限于此。

感测线SL用于向多个子像素SP中的每一个传输感测电压，并可以在多个子像素SP之间沿行方向延伸。例如，感测线SL在多个子像素SP之间的边界上沿行方向延伸，以与在列方向上延伸的多个高电位电力线VDD、多个数据线DL和多个参考线RL相交。

第三源电极SE3可以通过形成在栅极绝缘层112中的接触孔而电连接至第三有源层ACT3。第三源电极SE3可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金的导电材料制成，但不限于此。

同时，第三有源层ACT3的与第三源电极SE3接触的部分可以通过形成在缓冲层111中的接触孔而电连接至遮光层LS。也就是说，第三源电极SE3可以电连接至遮光层LS，第三有源层ACT3插入在第三源电极SE3与遮光层LS之间。因此，第三源电极SE3和第一源电极SE1可以通过遮光层LS彼此电连接。

第三漏电极DE3可以通过形成在栅极绝缘层112中的接触孔而电连接至第三有源层ACT3。第三漏电极DE3可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金的导电材料制成，但不限于此。

第三漏电极DE3可以电连接至参考线RL。例如，包括在每个像素中的红色子像素SPR、白色子像素SPW、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的第三漏电极DE3可以电连接至同一参考线RL。也就是说，每个像素中包括的多个子像素SP可以共享单个参考线RL。

在这种情况下，为了将在列方向上延伸的参考线RL连接至在行方向上并排设置的多个子像素SP，可以设置辅助参考线RLa。辅助参考线RLa可以在行方向上延伸，并且用于将参考线RL电连接至多个子像素SP的各个第三漏电极DE3。辅助参考线RLa的一端可以通过形成在缓冲层111和栅极绝缘层112中的接触孔而电连接至参考线RL。此外，辅助参考线RLa的另一端可以电连接至多个子像素SP的各个第三漏电极DE3。在这种情况下，辅助参考线RLa可以与多个子像素SP的各个第三漏电极DE3一体形成。此外，来自参考线RL的参考电压可以通过辅助参考线RLa传输至第三漏电极DE3。然而，辅助参考线RLa可以与第三漏电极DE3分开形成，但本公开内容不限于此。

存储电容器SC被设置在多个子像素SP中的每一个的电路区域CA中。存储电容器SC可以存储第一晶体管TR1的第一栅电极GE1与第一源电极SE1之间的电压，以允许发光元件OLED在一帧内连续保持恒定状态。存储电容器SC包括第一电容器电极SC1、第二电容器电极SC2以及第三电容器电极SC3。

第一电容器电极SC1被设置在多个子像素SP的每一个中的缓冲层111下方。第一电容器电极SC1可以设置成在下基板110上所设置的导电部件之中最靠近下基板110。第一电容器电极SC1可以与遮光层LS一体形成，并且可以通过遮光层LS电连接至第一源电极SE1。

缓冲层111被设置在第一电容器电极SC1上，第二电容器电极SC2被设置在缓冲层111上。第二电容器电极SC2可以被设置成与第一电容器电极SC1交叠。第二电容器电极SC2可以与第二源电极SE2一体形成，并且可以电连接至第二源电极SE2和第一栅电极GE1。例如，可以在缓冲层111上形成半导体材料并使半导体材料的一部分导电，以形成第二源电极SE2和第二电容器电极SC2。因此，半导体材料的非导电部分可以用作第二有源层ACT2，半导体材料的导电部分可以用作第二源电极SE2和第二电容器电极SC2。另外，如上所述，第一栅电极GE1通过形成在栅极绝缘层112中的接触孔而电连接至第二源电极SE2。因此，第二电容器电极SC2可以与第二源电极SE2一体形成，并且可以电连接至第二源电极SE2和第一栅电极GE1。

钝化层113设置在第二电容器电极SC2上，第三电容器电极SC3设置在钝化层113上。第三电容器电极SC3可以被设置成与第一电容器电极SC1和第二电容器电极SC2交叠。第三电容电极SC3可以与阳极AN和发光层保护图案EPP一体形成，并可以电连接至第一源电极SE1。

简而言之，存储电容器SC的第一电容器电极SC1可以与遮光层LS一体形成，并且可以电连接至遮光层LS、第一源电极SE1和第三源电极SE3。此外，第二电容器电极SC2可以与第二源电极SE2和第二有源层ACT2一体形成，并且可以电连接至第二源电极SE2和第一栅电极GE1。此外，第三电容器电极SC3可以与阳极AN和发光层保护图案EPP一体形成，并可以电连接至第一源电极SE1和第三源电极SE3。因此，与第二电容器电极SC2交叠且其间插入有缓冲层111的第一电容器电极SC1、与第三电容器电极SC3交叠且其间插入有钝化层113的第二电容器电极SC2、以及第三电容器电极SC3在发光元件OLED发射光的同时保持第一晶体管TR1的第一栅电极GE1和第一源电极SE1的恒定电压。因此，发光元件OLED可以保持在相同状态。

参照图3和图4，钝化层113设置在第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3和存储电容器SC上。钝化层113是用于保护钝化层113下方的部件的绝缘层。例如，钝化层113可以形成为硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的单层或多层，但是不限于此。根据本公开内容的示例性实施方式，可以省略钝化层113。

多个滤色器CF设置在多个子像素SP的各个发光区域EA中的钝化层113上。如上所述，根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100是底部发光型，其中从发光元件OLED发射的光朝向发光元件OLED的下部和下基板110发射。因此，多个滤色器CF可以设置在发光元件OLED下方。例如，多个滤色器CF可以设置在要稍后描述的多个发光层保护图案EPP与下基板110之间。从发光元件OLED发射的光可以通过多个滤色器CF被转换成各种颜色。

多个滤色器CF包括红色滤色器CFR、蓝色滤色器CFB和绿色滤色器CFG。红色滤色器CFR可以设置在多个子像素SP中的红色子像素SPR的发光区域EA中。蓝色滤色器CFB可以设置在蓝色子像素SPB的发光区域EA中。此外，绿色滤色器CFG可以设置在绿色子像素SPG的发光区域EA中。

平坦化层114设置在钝化层113和多个滤色器CF上。平坦化层114是使其上设置有第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3、存储电容器SC、多个高电位电力线VDD、多个数据线DL、多个参考线RL、多个栅极线GL和多个感测线SL的下基板110的上部平坦化的绝缘层。平坦化层114可以由有机材料制成。例如，平坦化层114可以形成为聚酰亚胺或光丙烯酸的单层或多层，但是不限于此。

发光元件OLED设置在多个子像素SP中的每一个中的发光区域EA中。发光元件OLED设置在多个子像素SP中的每一个中的平坦化层114上。发光元件OLED包括阳极AN、发光层EL和阴极CA。

阳极AN设置在发光区域EA中的平坦化层114上。阳极AN向发光层EL供应空穴，因此可以由具有高功函数的导电材料制成。例如，阳极AN可以由诸如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料制成，但是不限于此。

同时，阳极AN可以朝向电路区域CA延伸。阳极AN的一部分可以从发光区域EA朝向电路区域CA的第一源电极SE1延伸。另外，其可以通过形成在平坦化层114和钝化层113中的接触孔CNT而电连接至第一源电极SE1。因此，发光元件OLED的阳极AN可以朝向电路区域CA延伸，并且可以电连接至第一晶体管TR1的第一源电极SE1和存储电容器SC的第三电容器电极SC3。

发光层EL设置在发光区域EA和电路区域CA中的阳极AN上。发光层EL可以形成为遍及多个子像素SP的单层。也就是说，多个子像素SP的各个发光层EL可以彼此连接并且可以彼此一体形成。发光层EL可以被配置为单个发光层，或者可以具有以下结构：发射不同颜色的光的多个发光层被堆叠。发光层EL还可以包括有机层，例如空穴注入层、空穴传输层、电子传输层以及电子注入层。

阴极CA设置在发光区域EA和电路区域CA中的发光层EL上。阴极CA向发光层EL供应电子，因此可以由具有低功函数的导电材料制成。阴极CA可以形成为遍及多个子像素SP的单层。也就是说，多个子像素SP的各个阴极CA可以彼此连接并且可以彼此一体形成。阴极CA可以由诸如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)或镱(Yb)的合金的透明导电材料制成，并且还可以包括金属掺杂层。然而，本公开内容不限于此。同时，尽管在图4和图5中未示出，但是发光元件OLED的阴极CA可以电连接至低电位电力线VSS，并且因此可以被供应有低电位电力电压。

堤部115设置在阳极AN与发光层EL之间。堤部115被设置成与有源区域AA交叠并且覆盖阳极AN的边缘。堤部115设置在彼此相邻的子像素SP之间的边界上，并且可以用于减少从多个子像素SP的各个发光元件OLED发射的光的颜色混合。堤部115可以由绝缘材料制成。例如，堤部115可由聚酰亚胺、丙烯酸或苯并环丁烯(BCB)基树脂制成，但是不限于此。

参照图3和图4，多个发光层保护图案EPP被设置在平坦化层114与阳极AN之间。多个发光层保护图案EPP分别设置在多个子像素SP中。多个发光层保护图案EPP被设置在平坦化层114与阳极AN之间。因此，多个发光层保护图案EPP可以用于使在LLO过程中从下基板110侧照射的激光束对发光层EL造成的损坏最小化。在这种情况下，多个发光层保护图案EPP可以与平坦化层114和阳极AN接触。也就是说，多个发光层保护图案EPP的下表面可以与平坦化层114接触，并且其上表面可以与阳极AN接触。

多个发光层保护图案EPP可以包括透明导电图案和光敏材料。在本文中，多个发光层保护图案EPP的光敏材料可以被掺入到多个发光层保护图案EPP的透明导电图案中。多个发光层保护图案EPP的透明导电图案可包括五氧化二铌(NbO₅)、银(Ag)、锑(Sb)、铂(Pt)、铬(Cr)、钒(V)和镍(Ni)中的至少一种。多个发光层保护图案EPP的光敏材料可以包括锌氧化物基材料、钛(Ti)基材料和钛酸钡(BaTiO₃)基材料中的至少一种。

多个发光层保护图案EPP包括如上所述的透明导电图案和光敏材料。因此，多个发光层保护图案EPP可以保护发光层EL免受在LLO过程中照射的激光束所产生的光和热的影响。具体地，多个发光层保护图案EPP的光敏材料吸收或散射紫外光区域中的紫外光。因此，可以使从激光束产生的光和热到发光层EL的接近最小化。

多个发光层保护图案EPP可以是基本透明的。从发光层EL发射的光通过多个发光层保护图案EPP被发射到下部。因此，多个发光层保护图案EPP需要有高的透光率。例如，多个发光层保护图案EPP可以在可见光区域的约550纳米处具有85％或更高的透射率，但不限于此。

多个发光层保护图案EPP可以与阳极AN在平面上具有相同的形状。也就是说，多个发光层保护图案EPP和阳极AN可以在平面上以相同的形状和相同的面积彼此完全交叠。因此，多个发光层保护图案EPP和阳极AN可以使用单一掩模在同一过程中形成。

多个发光层保护图案EPP与阳极AN在平面上完全交叠。因此，多个发光层保护图案EPP可以通过在平坦化层114中形成的接触孔CNT而与第一晶体管TR1的第一源电极SE1接触。也就是说，第一晶体管TR1的第一源电极SE1通过形成在平坦化层114中的接触孔CNT而开放。另外，发光层保护图案EPP可以通过开放的部分与第一源电极SE1接触。此外，阳极AN被设置在发光层保护图案EPP上，以便与发光层保护图案EPP接触。因此，阳极AN可以在接触孔CNT处与多个发光层保护图案EPP接触。因此，第一源电极SE1可以通过发光层保护图案EPP电连接至阳极AN。

参照图4，偏振板150被设置在下基板110的下方。偏振板150可以用于选择性地传输光，并减少入射到下基板110上的外部光的反射。具体地，在显示装置100中，应用于半导体元件、线路、发光元件等的各种金属材料形成在下基板110上。因此，入射到下基板110上的外部光可以从这样的金属材料上反射，因此，由于外部光的反射，显示装置100的可视性可能会下降。在这种情况下，可以通过将抑制外部光反射的偏振板150置于下基板110下方，来提高显示装置100的户外可视性。然而，根据显示装置100的示例性实施方式，可以省略偏振板150。

虽然在附图中没有示出，但阻挡膜可以与偏振板150一起设置在下基板110下方。阻挡膜可以用于使下基板110外部的水分和氧气到下基板110中的渗透最小化，并保护包括发光元件的像素单元。然而，根据显示装置100的示例性实施方式，可以省略阻挡膜，但不限于此。

在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，下基板110由透明导电氧化物和氧化物半导体中的任一个制成。因此，可以减小显示装置100的厚度。常规地，塑料基板已被用于显示装置的基板。然而，塑料基板是通过在高温下涂覆和固化塑料基板材料而形成的。因此，形成塑料基板需要花费很长时间，并且难以将塑料基板形成为预定厚度或更小厚度。然而，透明导电氧化物和氧化物半导体可以通过诸如溅射的沉积工艺形成为非常小的厚度。因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，通过使用透明导电氧化物层或氧化物半导体层来制造支承显示装置100的各种部件的下基板110。因此，可以减小显示装置100的厚度并且实现纤薄的设计。

另外，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，下基板110由透明导电氧化物或氧化物半导体制成。因此，可以改进显示装置100的柔性，并减少显示装置100变形时产生的应力。具体地，如果下基板110由透明导电氧化物或氧化物半导体制成，则下基板110可以被形成为超薄的膜。在这种情况下，下基板110也可以被称为第一透明薄膜层。因此，包括下基板110的显示装置100可以具有柔性，并且显示装置100可以容易地被弯曲或卷曲。因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，下基板110是通过使用透明导电氧化物层和氧化物半导体层中的任何一个制成的。因此，可以改进显示装置100的柔性，并缓解显示装置100变形时产生的应力。因此，可以使显示装置100中的裂纹等的发生最小化。

此外，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，下基板110通过使用透明导电氧化物层和氧化物半导体层中的任一个制成。因此，可以降低下基板110中静电的生成。如果下基板110由塑料制成并且在下基板110中生成静电，则静电可能损坏下基板110上的各种线和驱动元件或者影响下基板110的驱动。因此，显示质量可能劣化。然而，如果下基板110通过使用透明导电氧化物层或氧化物半导体层制成，则可以使下基板110中静电的生成最小化。此外，可以简化用于阻挡或释放静电的部件。因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，下基板110通过使用不太可能生成静电的透明导电氧化物层或氧化物半导体层制成。因此，可以使由静电引起的损坏或显示质量劣化最小化。

此外，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，下基板110由透明导电氧化物和氧化物半导体中的一个制成。因此，可以使外部的水分或氧气通过下基板110到显示装置100中的渗透最小化。如果下基板110通过使用透明导电氧化物层或氧化物半导体层制成，则下基板110在真空环境中形成。因此，异物生成的可能性非常低。此外，即使生成异物，异物的尺寸也非常小。因此，可以使水分和氧气到显示装置100中的渗透最小化。因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，下基板110由透明导电氧化物或氧化物制成，该透明导电氧化物或氧化物不太可能生成异物，并且具有优异的抗水分渗透性。因此，可以提高包括有机层的发光元件OLED和显示装置100的可靠性。

此外，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，下基板110由透明导电氧化物或氧化物半导体中的任一个制成。因此，薄且便宜的阻挡膜可以附接在下基板110下部。如果下基板110由具有低的抗水分渗透性的材料(例如塑料)制成，则可能要将厚且昂贵的高性能阻挡膜附接至下基板110，以增强抗水分渗透性。然而，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，下基板110由具有优异的抗水分渗透性的透明导电氧化物或氧化物半导体制成。因此，薄且便宜的阻挡膜可以附接至下基板110。因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，下基板110由具有优异的抗水分渗透性的透明导电氧化物或氧化物半导体中的任一个制成。因此，可以降低显示装置的制造成本。

在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，下基板110由透明导电氧化物或氧化物半导体中的任一个制成。因此，可以使下基板110执行LLO过程。当制造显示装置100时，包括牺牲层的临时基板附接至下基板110下方。然后，像素单元可以形成在下基板110上。牺牲层可以由氢化非晶硅或掺杂杂质的氢化非晶硅制成。在完全制造显示装置100之后，从临时基板下方照射激光，因此可以使牺牲层脱氢。另外，牺牲层和临时基板可以与下基板110分离。在这种情况下，透明导电氧化物和氧化物半导体适用于牺牲层和临时基板的LLO过程。因此，即使下基板110由透明导电氧化物或氧化物半导体中的任一个制成，下基板110也可以容易地与临时基板分离。因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，下基板110通过使用适用于LLO的透明导电氧化物层和氧化物半导体层中的一个制成。因此，通过使用常规设备的常规过程可以容易地制造显示装置。

同时，在上述的LLO过程中，激光束从临时基板下方照射。在这种情况下，发光层可能被激光束损坏。在LLO过程中，牺牲层可能会被结晶化。在这种情况下，结晶的牺牲层可能会膨胀，从而形成空的空间。因此，激光束通过牺牲层的透射率会增加。在LLO过程中，激光辐照是必不可少的。因此，由照射的激光引起的热能被向上传递，并传递到发光层。也就是说，如果激光束通过设置在发光层下方的部件到达发光层，由激光束引起的光和热可能会损坏发光层。如果发光层被激光束损坏，则相应的发光元件不能正常发光，并且在显示装置中可能发生驱动误差。

因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，多个发光层保护图案EPP被设置在平坦化层114与阳极AN之间。因此，可以使在LLO过程中对发光层EL的损坏最小化。也就是说，包括透明导电图案和掺杂在透明导电图案中的光敏材料的发光层保护图案EPP被设置在平坦化层114与阳极AN之间。因此，可以抑制由激光束产生的光和热对发光层EL造成的损坏。因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，多个发光层保护图案EPP可以抑制对发光层EL的损坏，并且抑制由发光层EL的损坏引起的驱动误差的发生。

同时，阳极可能因LLO过程中照射的激光束而破裂或短路。如果阳极破裂或短路，则阳极可能与第一晶体管断开，因此，发光元件不能正常发光。

另外，阳极可能因在LLO过程中照射的激光束而损坏。例如，如果阳极由诸如铟锡氧化物(ITO)的透明导电氧化物制成，则由于组成材料的非晶态特性，阳极可能被激光束的光学和热效应熔融然后冷却。此外，组成材料可能被剥离，并且可能排放诸如氧气的气体。在这个过程中，阳极可能不会完全破裂或短路，但它可能被损坏，这可能导致阳极的电阻增大。如果阳极的电阻增大，阳极与发光层之间的带隙就会减小。因此，阳极在生成空穴或注入空穴方面可能会劣化。

因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，多个发光层保护图案EPP可以与阳极AN接触。也就是说，多个发光层保护图案EPP的下表面可以与平坦化层114接触，其上表面可以与阳极AN接触。由于发光层保护图案EPP与阳极AN接触，发光层保护图案EPP可以用作为阳极AN的辅助电极。因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，即使阳极AN在LLO过程中破裂或短路，发光层保护图案EPP也可以与发光区域EA中的第一晶体管TR1的第一源电极SE1保持电连接。另外，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，即使在LLO过程中阳极AN被损坏并且阳极AN的电阻增大，与阳极AN接触的发光层保护图案EPP可以使电阻的增大最小化。

另外，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，多个发光层保护图案EPP和阳极AN可以以相同的形状彼此完全交叠。也就是说，发光层保护图案EPP和阳极AN可以交叠成在平面上彼此完全对应。因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100的制造过程中，发光层保护图案EPP可以使用与用于图案化阳极AN的相同的掩模进行图案化。因此，发光层保护图案EPP可以在不添加单独掩模的情况下形成。

图6是根据本公开内容的另一示例性实施方式的显示装置的放大平面图。图7是沿图6的线VII-VII'截取的图6的截面图。图8是图6中所示的红色子像素中的阳极和发光层保护图案的放大平面图。除了存储电容器SC和发光层保护图案EPP之外，图6至图8所示的显示装置200与图1至图5所示的显示装置100基本上相同。因此，将省略对其的冗余描述。在图6中，发光层保护图案EPP由粗虚线指示。

参照图6至图8，多个发光层保护图案EPP被设置在平坦化层114与阳极AN之间。多个发光层保护图案EPP分别设置在多个子像素SP中。多个发光层保护图案EPP被设置在平坦化层114与阳极AN之间。因此，多个发光层保护图案EPP可以用于使在LLO过程期间从下基板110侧照射的激光束对发光层EL造成的损坏最小化。在这种情况下，多个发光层保护图案EPP可以与平坦化层114和阳极AN接触。也就是说，多个发光层保护图案EPP的下表面可以与平坦化层114接触，其上表面可以与阳极AN接触。

多个发光层保护图案EPP可以包括透明导电图案和光敏材料。在本文中，多个发光层保护图案EPP的光敏材料可以被掺入到多个发光层保护图案EPP的透明导电图案中。

多个发光层保护图案EPP可以与发光区域EA和电路区域CA中的发光区域EA交叠。也就是说，多个发光层保护图案EPP可以被设置在阳极AN所设置的区域中被堤部115暴露的部分处。由于多个发光层保护图案EPP被设置在发光区域EA中，阳极AN可以通过形成在平坦化层114中的接触孔CNT而与第一晶体管TR1的第一源电极SE1接触。

存储电容器SC被设置在多个子像素SP中的每一个的电路区域CA中。存储电容器SC包括第一电容器电极SC1、第二电容器电极SC2和第三电容器电极SC3。在这种情况下，如上所述，多个发光层保护图案EPP被设置在发光区域EA和电路区域CA中的发光区域EA中。因此，第三电容电极SC3可以与阳极AN一体地形成。

在根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置200中，多个发光层保护图案EPP被设置在平坦化层114与阳极AN之间。因此，可以使在LLO过程中对发光层EL的损坏最小化。特别地，发光层保护图案EPP被设置在发光区域EA中阳极AN的下方，其中在发光区域EA中发光层EL发射光。因此，发光层保护图案EPP可以抑制由激光束产生的光和热对发光层EL造成的损坏。因此，在根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置200中，多个发光层保护图案EPP可以抑制对发光层EL的损坏，并且抑制由发光层EL的损坏引起的驱动误差的发生。

另外，在根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置200中，多个发光层保护图案EPP可以在发光区域EA中与阳极AN接触。因此，发光层保护图案EPP可以用作为阳极AN的辅助电极。因此，在根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置200中，即使在LLO过程中阳极AN在发光区域EA中破裂或短路，发光层保护图案EPP可以保持阳极AN在发光区域EA中的电连接。另外，在根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置200中，即使在LLO过程中阳极AN被损坏并且阳极AN的电阻增大，与阳极AN接触的发光层保护图案EPP可以使电阻的增大最小化。

另外，在根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置200中，多个发光层保护图案EPP被设置在发光区域EA和电路区域CA中的发光区域EA中。因此，发光层保护图案EPP可以不与设置在电路区域CA中的各种导电部件交叠。因此，在根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置200中，可以使发光层保护图案EPP与电路区域CA的其他导电部件之间的寄生电容最小化。其在保持存储电容器SC的设计特性方面可能更有利。

图9是根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置的放大平面图。图10是沿图9的线X-X'截取的图9的截面图。图11是图9中示出的红色子像素中的阳极和发光层保护图案的放大平面图。除了发光层保护图案EPP外，图9至图11所示的显示装置300与图6至图8所示的显示装置200基本上相同。因此，将省略其冗余描述。在图9中，发光层保护图案EPP由粗虚线指示。

参照图9至图11，多个发光层保护图案EPP被设置在平坦化层114与阳极AN之间。多个发光层保护图案EPP分别设置在多个子像素SP中。多个发光层保护图案EPP被设置在平坦化层114与阳极AN之间。因此，多个发光层保护图案EPP可以用于使在LLO过程中从下基板110侧照射的激光束对发光层EL造成的损坏最小化。在这种情况下，多个发光层保护图案EPP可以与平坦化层114和阳极AN接触。也就是说，多个发光层保护图案EPP的下表面可以与平坦化层114接触，其上表面可以与阳极AN接触。

多个发光层保护图案EPP可以包括透明导电图案和光敏材料。在本文中，多个发光层保护图案EPP的光敏材料可以被掺入到多个发光层保护图案EPP的透明导电图案中。

多个发光层保护图案EPP可以被设置成与发光区域EA以及邻近于发光区域EA的电路区域CA的一部分交叠。在这种情况下，发光层保护图案EPP可以从发光区域EA延伸到形成在平坦化层114中的接触孔CNT。因此，发光层保护图案EPP可以通过形成在平坦化层114中的接触孔CNT而与第一晶体管TR1的第一源电极SE1接触。也就是说，第一晶体管TR1的第一源电极SE1通过形成在平坦化层114中的接触孔CNT而开放。另外，发光层保护图案EPP可以通过开放的部分与第一源电极SE1接触。此外，阳极AN被设置在发光层保护图案EPP上，以便与发光层保护图案EPP接触。因此，阳极AN可以在接触孔CNT处与多个发光层保护图案EPP接触。因此，第一源电极SE1可以通过发光层保护图案EPP电连接至阳极AN。

在根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置300中，多个发光层保护图案EPP被设置在平坦化层114与阳极AN之间。因此，可以使在LLO过程中对发光层EL的损坏最小化。特别地，发光层保护图案EPP被设置在发光区域EA中阳极AN的下方，其中在发光区域EA中发光层EL发射光。因此，发光层保护图案EPP可以抑制由激光束产生的光和热对发光层EL造成的损坏。因此，在根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置300中，多个发光层保护图案EPP可以抑制对发光层EL的损坏，并且抑制由发光层EL的损坏引起的驱动误差的发生。

同时，如果在LLO过程中照射的激光束到达接触孔，则在接触孔处设置的部件之间可能发生剥离或接触误差。另外，即使激光束没有直接到达接触孔，当与接触孔相邻的阳极被损坏时，该损坏可能被传播到接触孔。

因此，在根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置300中，发光层保护图案EPP可以从发光区域EA延伸到形成在平坦化层114中的接触孔CNT。因此，第一晶体管TR1的第一源电极SE1可以通过形成在平坦化层114中的接触孔CNT而开放。另外，发光层保护图案EPP可以通过开放的部分与第一源电极SE1接触。此外，阳极AN被设置在发光层保护图案EPP上，以便与发光层保护图案EPP接触。因此，阳极AN可以在接触孔CNT处与多个发光层保护图案EPP接触。因此，在根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示装置300中，可以抑制在接触孔处设置的部件之间可能发生的剥离或接触误差。

本公开内容的示例性实施方式还可以描述如下：

根据本发明的一个方面，提供了一种具有非有源区域和包括多个子像素的有源区域的显示装置，该显示装置包括：由透明导电氧化物或氧化物半导体制成的基板；在基板上设置在多个子像素中的多个晶体管；设置在多个晶体管上的平坦化层；在多个子像素中设置在平坦化层上的多个发光元件；以及设置在平坦化层与发光元件中的至少一个的阳极之间的多个发光层保护图案，所述发光层保护图案包括光敏材料。

根据本公开内容的一个方面，一种具有非有源区域和包括多个子像素的有源区域的显示装置，包括：由透明导电氧化物或氧化物半导体制成的下基板；在下基板上设置在多个子像素中的多个晶体管；设置在多个晶体管上的平坦化层；多个发光元件，所述多个发光元件在多个子像素中设置在平坦化层上，并且包括阳极、发光层和阴极；以及设置在平坦化层与阳极之间的多个发光层保护图案。

多个发光层保护图案和阳极可以以相同的形状彼此完全交叠。

多个发光元件可以包括发光区域和其中设置多个晶体管和存储电容器的电路区域，并且多个发光层保护图案被设置成不与存储电容器交叠。

平坦化层可以包括接触孔，多个晶体管的源电极通过该接触孔被开放，多个发光层保护图案通过接触孔与源电极接触，阳极在接触孔处与多个发光层保护图案接触。

多个发光元件可以包括发光区域和其中设置多个晶体管和存储电容器的电路区域，并且多个发光层保护图案被设置成不与存储电容器交叠。

多个发光层保护图案的下表面可以与平坦化层接触，并且其上表面与阳极接触。

多个发光层保护图案可以包括透明导电图案和掺杂在透明导电图案中的光敏材料。

多个发光层保护图案的光敏材料可以吸收或散射紫外光区域中的紫外光，并且在可见光区域具有85％或更高的透射率。

光敏材料可以包括锌氧化物基材料、钛(Ti)基材料和钛酸钡(BaTiO₃)基材料中的至少一种。

透明导电图案可以包括五氧化二铌(NbO₅)、银(Ag)、锑(Sb)、铂(Pt)、铬(Cr)、钒(V)和镍(Ni)中的至少一种。

尽管已经参照附图详细描述了本公开内容的示例性实施方式，但是本公开内容不限于此并且可以在不背离本公开内容的技术构思的情况下以许多不同的形式实施。因此，提供本公开内容的示例性实施方式仅用于说明的目的，而不旨在限制本公开内容的技术构思。本公开内容的技术构思的范围不限于此。因此，应当理解，上述示例性实施方式在所有方面都是示例性的，并不限制本公开内容。本公开内容的保护范围应基于所附权利要求理解，其等同范围内的所有技术构思均应理解为落入本公开内容的范围之内。

Claims (20)

1.一种具有非有源区域和包括多个子像素的有源区域的显示装置，所述显示装置包括：

由透明导电氧化物或氧化物半导体制成的基板；

在所述基板上设置在所述多个子像素中的多个晶体管；

设置在所述多个晶体管上的平坦化层；

在所述多个子像素中设置在所述平坦化层上的多个发光元件；以及

设置在所述平坦化层和至少一个所述发光元件的阳极之间的多个发光层保护图案，所述发光层保护图案包括光敏材料。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述发光层保护图案包括透明导电材料，并且所述光敏材料掺杂在所述透明导电材料中。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个发光元件中的每一个包括所述阳极、发光层和阴极，并且所述多个发光层保护图案中的相应一个与所述发光元件中的相应一个的阳极以相同形状交叠。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个子像素中的每一个包括发光区域和电路区域，所述多个晶体管设置在所述电路区域中，以及

所述多个发光层保护图案中的至少一个与所述发光区域交叠，但不与所述电路区域交叠。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述平坦化层包括接触孔，所述多个晶体管中的至少一个的源电极通过所述接触孔而开放；

所述多个发光层保护图案中的至少一个通过所述接触孔与所述源电极接触，并且

所述多个发光元件之一的阳极在所述接触孔处与所述多个发光层保护图案中的相应一个接触。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述多个子像素中的每一个包括发光区域和电路区域，所述多个晶体管和存储电容器设置在所述电路区域中，以及

所述多个发光层保护图案中的至少一个被设置成与所述电路区域的一部分和所述发光区域交叠，但不与所述电路区域中的所述存储电容器交叠。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个发光元件中的每一个包括所述阳极、发光层和阴极，并且所述发光层保护图案中的相应一个的下表面与所述平坦化层接触，所述多个发光层保护图案中的相应一个的上表面与所述阳极接触。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个发光层保护图案的光敏材料吸收或散射紫外光区域中的紫外光，并且在可见光区域具有85％或更高的透射率。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述光敏材料包括锌氧化物基材料、钛(Ti)基材料和钛酸钡(BaTiO₃)基材料中的至少一种。

10.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述透明导电材料包括五氧化二铌(NbO₅)、银(Ag)、锑(Sb)、铂(Pt)、铬(Cr)、钒(V)和镍(Ni)中的至少一种。

11.一种具有非有源区域和包括多个子像素的有源区域的显示装置，所述显示装置包括：

由透明导电氧化物或氧化物半导体制成的下基板；

在所述下基板上设置在所述多个子像素中的多个晶体管；

设置在所述多个晶体管上的平坦化层；

多个发光元件，所述多个发光元件在所述多个子像素中设置在所述平坦化层上，并且包括阳极、发光层和阴极；以及

设置在所述平坦化层与所述阳极之间的多个发光层保护图案。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述多个发光层保护图案和所述阳极以相同的形状完全彼此交叠。

13.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述多个子像素中的每一个包括发光区域和电路区域，所述多个晶体管设置在电路区域中，以及

所述多个发光层保护图案中的至少一个与所述发光区域交叠，但不与所述电路区域交叠。

14.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述平坦化层包括接触孔，所述多个晶体管中的至少一个的源电极通过所述接触孔而开放；

所述多个发光层保护图案中的至少一个通过所述接触孔与所述源电极接触，并且

所述阳极在所述接触孔处与所述多个发光层保护图案接触。

15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述多个子像素中的每一个包括发光区域和电路区域，所述多个晶体管和存储电容器设置在所述电路区域中，并且

所述多个发光层保护图案中的至少一个被设置成与所述电路区域的一部分和所述发光区域交叠，但不与所述电路区域中的存储电容器交叠。

16.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述多个发光层保护图案的下表面与所述平坦化层接触，所述多个发光层保护图案的上表面与所述阳极接触。

17.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述多个发光层保护图案包括透明导电图案以及掺杂在所述透明导电图案中的光敏材料。

18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述多个发光层保护图案的光敏材料吸收或散射紫外光区域中的紫外光，并且在可见光区域具有85％或更高的透射率。

19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述光敏材料包括锌氧化物基材料、钛(Ti)基材料和钛酸钡(BaTiO₃)基材料中的至少一种。

20.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述透明导电图案包括五氧化二铌(NbO₅)、银(Ag)、锑(Sb)、铂(Pt)、铬(Cr)、钒(V)和镍(Ni)的至少一种。

Images