CN112331670B - 3d存储器件的制造方法及其3d存储器件 - Google Patents
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Abstract
公开了一种3D存储器件的制造方法，包括：在衬底上依次形成第一牺牲层，绝缘叠层结构和贯穿所述绝缘叠层结构的多个沟道柱，所述绝缘叠层结构包括交替堆叠的绝缘层和第二牺牲层；形成贯穿所述绝缘叠层结构的栅线缝隙；通过栅线缝隙去除第一牺牲层，形成与栅线缝隙连通的第一空腔；经过多次在栅线缝隙和第一空腔中填充金属层和对所述金属层进行蚀刻，从而形成栅极导体层。本发明的3D存储器件的制造方法，在将第一牺牲层置换为栅极导体的过程中，通过多次填充以及回蚀刻的步骤，避免了第一空腔未填满而栅线缝隙已经闭合的情况，从而提高了3D存储器件的良率和可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及存储器件技术领域，特别涉及一种3D存储器件的制造 方法及其3D存储器件。
背景技术
存储器件的存储密度的提高与半导体制造工艺的进步密切相关。随 着半导体制造工艺的特征尺寸(CD)越来越小，存储器件的存储密度越 来越高。为了进一步提高存储密度，已经开发出三维结构的存储器件(即， 3D存储器件)。3D存储器件包括沿着垂直方向堆叠的多个存储单元，在 单位面积的晶片上可以成倍地提高集成度，并且可以降低成本。
现有的3D存储器件主要用作非易失性的闪存。两种主要的非易失 性闪存技术分别采用NAND和NOR结构。与NOR存储器件相比，NAND 存储器件中的读取速度稍慢，但写入速度快，擦除操作简单，并且可以 实现更小的存储单元，从而达到更高的存储密度。因此，采用NAND结 构的3D存储器件获得了广泛的应用。
在3D NAND的产品结构中，在绝缘叠层中形成栅线缝隙，通过栅 线缝隙将绝缘叠层置换为栅叠层结构，但是在实际的制造过程中，存在 栅线缝隙的宽度CD小于去除牺牲层后的空腔space高度的情况，如图1 所示，这种情况下，在空腔中填充金属材料时容易出现空腔还未填充好， 而栅线缝隙已经闭合的情况，降低了3D存储器件的良率和可靠性。
发明内容
鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种3D存储器件的制造方 法，在将第一牺牲层置换为栅极导体的过程中，通过多次填充以及回蚀 刻的步骤，避免了第一空腔未填满而栅线缝隙已经闭合的情况，从而提 高了3D存储器件的良率和可靠性。
根据本发明的一方面，提供一种3D存储器件的制造方法，包括： 在衬底上依次形成第一牺牲层，绝缘叠层结构和贯穿所述绝缘叠层结构 的多个沟道柱，所述绝缘叠层结构包括交替堆叠的绝缘层和牺牲层；形 成贯穿所述绝缘叠层结构的栅线缝隙；通过栅线缝隙去除所述第一牺牲 层，形成与栅线缝隙连通的第一空腔；经过多次在栅线缝隙和第一空腔中填充金属层和对所述金属层进行蚀刻，从而形成栅极导体层。
优选地，经过多次在栅线缝隙和第一空腔中填充金属层和对所述金 属层进行蚀刻，从而形成栅极导体层的步骤包括：经由所述栅线缝隙在 所述第一空腔中填充金属层；对所述栅线缝隙中的金属层进行回蚀刻， 暴露所述金属层中的第一空腔；经由所述栅线缝隙再次填充金属层。
优选地，还包括：对所述栅线缝隙中的金属层进行回蚀刻以及再次 填充金属层，直到所述金属层中没有空腔。
优选地，对所述栅线缝隙中的金属层进行回蚀刻的步骤包括：经由 所述栅线缝隙在所述第一空腔中填充氧化物；对栅线缝隙中的氧化物进 行回蚀刻，保留所述第一空腔中的氧化物；对所述栅线缝隙中侧壁的金 属层进行回蚀刻，保留所述第一空腔中的金属层；去除所述第一空腔中 的氧化物。
优选地，经由所述栅线缝隙在所述第一空腔中填充金属层的步骤之 前，还包括：在所述栅线缝隙的侧壁形成蚀刻停止层。
优选地，在所述栅线缝隙的侧壁形成蚀刻停止层和经由所述栅线缝 隙在所述第一空腔中填充金属层的步骤之间，还包括：经由所述栅线缝 隙和所述第一空腔去除所述沟道柱的部分氧化物-氮化物-氧化物结构； 在所述第一空腔中沿所述沟道柱的侧壁与所述衬底表面形成外延层。
优选地，在所述空腔中沿所述沟道柱的侧壁与衬底表面形成外延层 与经由所述栅线缝隙在所述第一空腔中填充金属层的步骤之间，还包括： 去除所述栅线缝隙侧壁的蚀刻停止层；去除所述绝缘叠层结构中的第二 牺牲层，形成第二空腔，在所述第二空腔中填充金属层。
优选地，去除所述绝缘叠层结构中的第二牺牲层的步骤之后，还包 括：对所述外延层进行氧化，形成第二绝缘层。
优选地，在衬底上形成第一牺牲层的步骤之前，还包括：对所述衬 底进行离子注入，形成掺杂层，所述第一牺牲层位于所述掺杂层的表面 上。
优选地，所述沟道柱依次包括：第三绝缘层，沟道层，隧穿介质层， 电荷存储层和阻挡介质层，所述阻挡介质层与所述绝缘叠层结构接触。
优选地，经由所述栅线缝隙和所述第一空腔去除所述沟道柱的隧穿 介质层，电荷存储层和阻挡介质层，暴露所述沟道层。
优选地，去除所述绝缘叠层结构中的第二牺牲层以及在所述第二空 腔中填充金属层的步骤之间，还包括：经由所述栅线缝隙在所述第一空 腔和所述第二空腔中形成核层，所述核层位于所述金属层与第一绝缘层 之间。
优选地，在经过多次在栅线缝隙和第一空腔中填充金属层和对所述 金属层进行蚀刻，从而形成栅极导体层的步骤之后，还包括：在所述栅 线缝隙中形成源极导电通道。
优选地，在所述栅线缝隙中形成源极导电通道的步骤包括：在所述 栅线缝隙的侧壁上形成隔离层，在所述栅线缝隙中沉积导电材料，形成 源极导电通道，所述隔离层隔离所述源极导电通道与所述栅极导体。
根据本发明的另一方面，提供一种3D存储器件，根据如前述所述 的3D存储器件的制造方法形成的3D存储器件。
本发明提供的3D存储器件的制造方法，在将第一牺牲层置换为栅 极导体的过程中，通过多次填充以及回蚀刻的步骤，避免了第一空腔未 填满而栅线缝隙已经闭合的情况，从而提高了3D存储器件的良率和可 靠性。。
附图说明
通过以下参照附图对本发明实施例的描述，本发明的上述以及其他 目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：
图1示出了现有技术中3D存储器件置换栅极导体的截面图；
图2a和图2b分别示出了3D存储器结构的存储单元串的电路图和 结构示意图；
图3a至图3l示出了根据本发明实施例的3D存储器件的的制造方法 的各阶段截面图。
具体实施方式
以下将参照附图更详细地描述本发明的各种实施例。在各个附图中， 相同的元件采用相同或类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中 的各个部分没有按比例绘制。
以下将参照附图更详细地描述本发明。在各个附图中，相同的元件 采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按 比例绘制。此外，可能未示出某些公知的部分。为了简明起见，可以在 一幅图中描述经过数个步骤后获得的半导体结构。
应当理解，在描述器件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另 一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另 一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或 区域。并且，如果将器件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一 区域“下面”或“下方”。
如果为了描述直接位于另一层、另一区域上面的情形，本文将采用 “直接在……上面”或“在……上面并与之邻接”的表述方式。
在3D NAND的产品结构中，需要在栅叠层中形成贯穿栅叠层的沟 道柱，但由于栅叠层中栅极导体采用导电性较高的材料例如钨，而刻蚀 金属的工艺较难，因此先形成绝缘叠层，在绝缘叠层中形成沟道柱后再 形成栅线缝隙(Gate Line Slit，GLS)，通过栅线缝隙将绝缘叠层置换为 栅叠层结构，但是在实际的制造过程中，存在栅线缝隙的宽度CD小于去除牺牲层后的空腔space高度的情况，如图1所示，这种情况下，在 空腔中填充金属材料时容易出现空腔还未填充好，而栅线缝隙已经闭合 的情况，降低了3D存储器件的良率和可靠性。
本申请的发明人注意到上述问题，提出了一种3D存储器件的制造 方法。
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描 述。
图2a和2b分别示出三维存储器结构的存储单元串的电路图和结构 示意图。在该实施例中示出的存储单元串包括4个存储单元的情形。可 以理解，本发明不限于此，存储单元串中的存储单元数量可以为任意多 个，例如，32个或64个。
如图2a所示，存储单元串100的第一端连接至位线BL，第二端连 接至源极线SL。存储单元串100包括在第一端和第二端之间串联连接的 多个晶体管，包括：第一选择晶体管Q1、存储单元M1至M4、以及第 二选择晶体管Q2。第一选择晶体管Q1的栅极连接至串选择线SSL，第 二选择晶体管Q2的栅极连接至地选择线GSL。存储单元M1至M4的 栅极分别连接至字线WL1至WL4的相应字线。
如图2b所示，存储单元串100的选择晶体管Q1和Q2分别包括第 二导体层122和第三导体层123，存储单元M1至M4分别包括第一导体 层121。第一导体层121、第二导体层122和第三导体层123与存储单元 串100中的晶体管的堆叠顺序一致，相邻的导体层之间彼此采用绝缘层 隔开，从而形成栅叠层结构。
进一步地，存储单元串100包括存储串110。存储串110与栅叠层 结构相邻或者贯穿栅叠层结构。在存储串110的中间部分，第一导体层 121与沟道层111之间夹有隧穿介质层112、电荷存储层113和阻挡介质 层114，从而形成存储单元M1至M4。在存储串110的两端，第二导体 层122和123与沟道层111之间夹有阻挡介质层114，从而形成第一选 择晶体管Q1和第二选择晶体管Q2。
沟道层111例如由掺杂多晶硅组成，隧穿介质层112和阻挡介质层 114分别由氧化物组成，例如氧化硅，电荷存储层113由包含量子点或 者纳米晶体的绝缘层组成，例如包含金属或者半导体的微粒的氮化硅， 第一导体层121、第二导体层122和第三导体层123由金属组成，例如 钨。沟道层111用于提供选择晶体管和控制晶体管的沟道区，沟道层111 的掺杂类型与选择晶体管和控制晶体管的类型相同。例如，对于N型的 选择晶体管和控制晶体管，沟道层111可以是N型掺杂的多晶硅。
在该实施例中，存储串110的芯部为沟道层111，隧穿介质层112、 电荷存储层113和阻挡介质层114形成围绕芯部侧壁的叠层结构。在替 代的实施例中，存储串110的芯部为附加的第三绝缘层，沟道层111、 隧穿介质层112、电荷存储层113和阻挡介质层114形成围绕半导体层 的叠层结构。
在该实施例中，第一选择晶体管Q1和第二选择晶体管Q2、存储单 元M1至M4使用公共的沟道层111和阻挡介质层114。在存储串110中， 沟道层111提供多个晶体管的源漏区和沟道层。在替代的实施例中，可 以采用彼此独立的步骤，分别形成第一选择晶体管Q1和第二选择晶体 管Q2的半导体层和阻挡介质层以及存储单元M1至M4的半导体层和阻 挡介质层。在存储串110中，第一选择晶体管Q1和第二选择晶体管Q2 的半导体层与存储单元M1至M4的半导体层彼此电连接。
在写入操作中，存储单元串100利用FN隧穿效率将数据写入存储 单元M1至M4中的选定存储单元。以存储单元M2为例，在源极线SL 接地的同时，地选择线GSL偏置到大约零伏电压，使得对应于地选择线 GSL的第二选择晶体管Q2断开，串选择线SSL偏置到高电压VDD，使 得对应于串选择线SSL的选择晶体管Q1导通。进一步地，位线BIT2 接地，字线WL2偏置于编程电压VPG，例如20V左右，其余字线偏置 于低电压VPS1。由于只有选定存储单元M2的字线电压高于隧穿电压， 因此，该存储单元M2的沟道区的电子，经由隧穿介质层112到达电荷存储层113，从而将数据转变成电荷存储于存储单元M2的电荷存储层 113中。
在读取操作中，存储单元串100根据存储单元M1至M4中的选定 存储单元的导通状态判断电荷存储层中的电荷量，从而获得该电荷量表 征的数据。以存储单元M2为例，字线WL2偏置于读取电压VRD，其 余字线偏置于高电压VPS2。存储单元M2的导通状态与其阈值电压相关， 即与电荷存储层中的电荷量相关，从而根据存储单元M2的导通状态可 以判断数据值。存储单元M1、M3和M4始终处于导通状态，因此，存 储单元串100的导通状态取决于存储单元M2的导通状态。控制电路根 据位线BL和源极线SL上检测的电信号判断存储单元M2的导通状态， 从而获得存储单元M2中存储的数据。
图3a至图3l示出了根据本发明实施例的3D存储器件的的制造方法 的各阶段截面图。
参考图3a，对衬底101进行离子注入，以及在衬底101离子注入的 表面上方形成第一牺牲层1041和绝缘叠层结构。
在该实施例中，衬底101的材料可以包括硅(例如单晶硅)、硅锗 (SiGe)、砷化镓(GaAs)、锗(Ge)、绝缘体上硅(SOI)、绝缘体上锗 (GOI)或者任何其他适当材料。
对衬底101进行离子注入，形成掺杂层102，提高导电性。在该实 施例中，掺杂层102例如为N型(使用N型掺杂剂，例如P、AS等) 或P型(使用P型掺杂剂，例如B等)。掺杂层102作为后续形成的源 极导电通道的接触区，用于降低源极导电通道与衬底101之间的接触电阻，提高源极导电通道与沟道柱之间的导电性。
进一步地，在掺杂层102的表面形成第一牺牲层1041和绝缘叠层结 构。在该实施例中，绝缘叠层结构包括堆叠的多个第二牺牲层104，相 邻第二牺牲层104之间由第一绝缘层103彼此隔开，第一牺牲层1041 与第二牺牲层104之间由第一绝缘层103彼此隔开。其中，第一绝缘层 103例如由氧化硅组成，第一牺牲层1041与第二牺牲层104例如由氮化 硅组成。参考图3a，靠近掺杂层102的第一牺牲层1041在后续步骤中 将被置换为底部选择栅极(BSG)，且第一牺牲层1041的厚度高于其他 的第二牺牲层104。
如下文所述，第一牺牲层1041与第二牺牲层104将置换成栅极导体 121至123(参考图2b)，栅极导体121一步连接至串选择线，栅极导体 123一步连接至地选择线，栅极导体122一步连接至字线。为了形成从 栅极导体121至123到达字线的导电通道，多个第二牺牲层104例如图 案化为台阶状，即，每个第二牺牲层104的边缘部分相对于上方的第二 牺牲层104暴露以提供电连接区。在多个第二牺牲层104的图案化步骤 之后，可以采用绝缘层覆盖绝缘叠层结构。
在其他实施例中，第一牺牲层1041例如由三层组成，从而使得第一 牺牲层1041的高度较高。
进一步地，在绝缘叠层结构中形成沟道柱110，如图3b所示。
在该步骤中，需要先在绝缘叠层结构中形成沟道孔(图中未示出)。 在该实施例中，例如在半导体结构的表面上形成光致抗蚀剂掩模，然后 进行各向异性蚀刻，在绝缘叠层结构中形成沟道孔。各向异性蚀刻可以 采用干法蚀刻，如离子铣蚀刻、等离子蚀刻、反应离子蚀刻、激光烧蚀。 例如，通过控制蚀刻时间，使得蚀刻在衬底101的下方附近停止，或者蚀刻在掺杂层102的下方附近停止。在蚀刻之后通过在溶剂中溶解或灰 化去除光致抗蚀剂掩模。
进一步地，在沟道孔中形成沟道柱110。沟道柱110包括从其上部 延伸至下部的沟道层111。参见图3b，在沟道柱110的中间部分，沟道 柱110包括依次堆叠在沟道层111上的隧穿介质层112、电荷存储层113 和阻挡介质层114，在沟道柱110的两端，沟道柱110包括堆叠在沟道 层111或半导体层上的阻挡介质层114。沟道柱110的下端与衬底101 中的公共源区相接触。在最终的3D存储器结构中，沟道柱110的上端 将与布线层相连接，从而形成有效的存储单元。所述沟道柱110的结构 例如为ONOP(氧化物-氮化物-氧化物-多晶硅)，其中，沟道层111的材 料为多晶硅。
在该实施例中，还包括在沟道层111内侧壁填充的第三绝缘层115， 第三绝缘层115填充沟道层111内侧壁的剩余空间，以提高沟道柱110 的支撑作用。
进一步地，在绝缘叠层结构中形成栅线缝隙161，在栅线缝隙161 的侧壁形成蚀刻停止层106，以及通过栅线缝隙161去除第一牺牲层1041， 如图3c所示。
在该实施例中，在形成栅线缝隙161时，可以采用各向异性蚀刻， 例如采用干法蚀刻，如离子铣蚀刻、等离子蚀刻、反应离子蚀刻、激光 烧蚀。例如，通过控制蚀刻时间，使得蚀刻在第一牺牲层1041的表面附 近停止。在该实施例中，栅线缝隙161将栅极导体分割成多条栅线。
进一步地，在栅线缝隙161的侧壁上形成蚀刻停止层106，蚀刻停 止层106例如包括两层，用于保护绝缘叠层结构在后续蚀刻步骤中不被 蚀刻。在该实施例中，例如采用原子层沉积(ALD)形成蚀刻停止层106， 以及蚀刻去除栅线缝隙161底部的蚀刻停止层106，从而暴露第一牺牲 层1041。蚀刻停止层106例如由氧化硅和氮化硅组成，其中，氧化硅材 料暴露在栅线缝隙161的通道中。
进一步地，经由栅线缝隙161去除第一牺牲层1041，形成第一空腔105。在该实施例中，利用栅线缝隙161作为蚀刻剂通道，采用各向同性 蚀刻去除绝缘叠层结构中的第一牺牲层1041从而形成第一空腔105。由 于栅线缝隙161的侧壁形成有蚀刻停止层106，因此蚀刻过程中只能去 除栅线缝隙161底部暴露的第一牺牲层1041。各向同性蚀刻可以采用选择性的湿法蚀刻或气相蚀刻。在湿法蚀刻中使用蚀刻溶液作为蚀刻剂， 其中，将半导体结构浸没在蚀刻溶液中。在气相蚀刻中使用蚀刻气体作 为蚀刻剂，其中，将半导体结构暴露于蚀刻气体中。
在该实施例中，去除第一牺牲层1041后暴露沟道柱110的下部。
进一步地，经由第一空腔105去除沟道柱110暴露部分的ONO结 构，如图3d所示。
在该实施例中，ONO结构由阻挡介质层114，电荷存储层113以及 隧穿介质层112组成，它们的材料依次为氧化物，氮化物，氧化物，在 经由第一空腔105去除时，可以采用湿法蚀刻去除。湿法蚀刻的蚀刻溶 液例如为氢氟酸、磷酸等酸性腐蚀液。
在该实施例中，经由第一空腔105去除沟道柱110暴露部分的ONO 结构时，由于栅线缝隙161的侧壁具有蚀刻停止层106，因此不会对绝 缘叠层结构中的第二牺牲层104造成影响。
进一步地，经由栅线缝隙161在第一空腔105中形成外延层131， 如图3e所示。
在该步骤中，采用外延生长工艺形成“L”结构的选择性外延生长 (SelectiveEpitaxy Growth，SEG)的外延层131。在该实施例中，外延 层131的材料为单晶硅，外延层131沿空腔中掺杂层102的表面以及沟 道柱110暴露的沟道层111的表面外延生长。
在该实施例中，外延生长工艺是指在单晶基底上生长一层跟单晶基 底具有相同晶格排列的单晶材料。外延层可以是同质外延层(Si/Si)，也 可以是异质外延层(SiGe/Si或SiC/Si等)。实现外延生长包括分子束外 延(MBE)、超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)、常压及减压外延 (ATM&RP Epi)等。
进一步地，去除栅线缝隙161侧壁的蚀刻停止层106以及绝缘叠层 结构中的第二牺牲层104，形成第一空腔105，以及在外延层131的表面 形成第二绝缘层132，如图3f所示。
在该步骤中，利用栅线缝隙作为蚀刻剂通道，采用各向同性蚀刻去 除绝缘叠层结构中的第二牺牲层104从而形成第二空腔107。各向同性 蚀刻可以采用选择性的湿法蚀刻或气相蚀刻。在湿法蚀刻中使用蚀刻溶 液作为蚀刻剂，其中，将半导体结构浸没在蚀刻溶液中。在气相蚀刻中 使用蚀刻气体作为蚀刻剂，其中，将半导体结构暴露于蚀刻气体中。进一步地，将外延层131暴露的表面进行氧化，形成第二绝缘层132。
在该步骤中，第一空腔105的高度space大于栅线缝隙161的宽度 CD。
进一步地，经由栅线缝隙161在第一空腔105和空腔106中填充金 属层，形成底部选择栅极133和栅极导体120，如图3g所示。
在该步骤中，利用栅线缝隙161作为沉积物通道，采用原子层沉积 (ALD)，在栅线缝隙161和第一空腔105，第二空腔107中填充金属层。 在该实施例中，金属层例如由钨组成。
在该实施例中，由于待填充的第一空腔105的高度space大于栅线 缝隙161的宽度CD，因此，容易出现栅线缝隙161已填充满，但第一 空腔105未填充满的情况，因此，在该步骤中，当绝缘叠层结构中的第 二空腔107填充满，而栅线缝隙未填充满时，停止填充步骤。
在该实施例中，在填充金属层的步骤之前，还包括，经由栅线缝隙 161，采用原子层沉积(ALD)，在半导体结构的表面形成核层(图中未 示出)。核层作为栅极导体与第一绝缘层103之间的缓冲层，材料例如为 钨的硅化物或氮化物。
进一步地，经由栅线缝隙161继续往第一空腔105中填充氧化物108， 如图3h所示。
在该步骤中，利用栅线缝隙161作为沉积物通道，采用原子层沉积 (ALD)，在栅线缝隙161和第一空腔105中填充氧化物108，当栅线缝 隙161出现被氧化物108填充满的情况时，停止填充。
在该实施例中，由于填充氧化物前栅线缝隙161的宽度不大于第一 空腔105的高度，因此任会出现栅线缝隙161已填充满，但第一空腔105 还存在的情况。
进一步地，去除栅线缝隙161中的金属材料，恢复栅线缝隙161的 宽度，如图3i所示。
在该步骤中，首先需要去除栅线缝隙161中的一部分氧化物108， 只保留第一空腔105中的部分氧化物108。然后对栅线缝隙161中的金 属材料进行回蚀刻，恢复栅线缝隙161的宽度。
在该实施例中，回蚀刻例如使用氟化硫、氮化氯作为蚀刻剂，以移 除栅线缝隙161中的钨材料。
进一步地，去除第一空腔105中的氧化物108，以及继续向第一空 腔105中填充金属材料，如图3j和3k所示。
在该实施例中，去除第一空腔105中的氧化物108后，由于栅线缝 隙161的宽度恢复而第一空腔105的高度小于之前的高度，因此再次填 充钨材料时第一空腔105被填充满，不再留有空隙。
若该步骤仍不能消除空腔，则可以重复图3h至图3k所示的步骤， 直至第一空腔105消失。
该实施例中，通过多次填充和回蚀刻，使底部选择栅极生长更均匀， 从而提高了3D存储器件的电性能测试(wafer accept test，WAT)性能。
进一步地，去除栅线缝隙161中的金属材料，在栅线缝隙161中形 成源极导电通道140，如图3l所示。
在该步骤中，对栅线缝隙161中的金属材料进行回蚀刻，以暴露栅 叠层结构中的第一绝缘层103，以及在栅线缝隙161中形成源极导电通 道140。
在该实施例中，源极导电通道140与栅叠层结构之间还包括隔离层 (图3l中未示出)，用于隔离源极导电通道140与栅极导体120和底部 选择栅极133。隔离层的材料例如与第一绝缘层103的材料相同，由氧 化硅组成。在其他实施例中，隔离层的材料也可以与第一绝缘层103的 材料不相同。
在该实施例中，源极导电通道140贯穿栅叠层结构，第一端经由第 二绝缘层132，外延层131与掺杂层102与衬底101接触，第二端延伸 至栅叠层结构的上方从而方便后续布线层的形成。
在该实施例中，源极导电通道140的第一端经由第二绝缘层132和 外延层131实现与沟道柱110中的沟道层111之间的电连接，从而构成 NAND存储器件的切换选择器件。
本申请的3D存储器件的制造方法中，通过多次填充以及回蚀刻的 步骤形成底部选择栅极，由于经过回蚀刻以及再次的填充，极大地降低 了底部选择栅极中的空腔问题，使得底部选择栅极生长更均匀，从而提 高了3D存储器件的良率和可靠性。
依照本发明的实施例如上文所述，这些实施例并没有详尽叙述所有 的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述， 可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了 更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能 很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要 求书及其全部范围和等效物的限制。
Claims (14)
1.一种3D存储器件的制造方法，包括：
在衬底上依次形成第一牺牲层，绝缘叠层结构和贯穿所述绝缘叠层结构的多个沟道柱，所述绝缘叠层结构包括交替堆叠的绝缘层和第二牺牲层；
形成贯穿所述绝缘叠层结构的栅线缝隙；
通过栅线缝隙去除所述第一牺牲层，形成与栅线缝隙连通的第一空腔；
在所述栅线缝隙的侧壁形成蚀刻停止层；
经过多次在栅线缝隙和第一空腔中填充金属层和对所述金属层进行蚀刻，从而形成栅极导体层。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，经过多次在栅线缝隙和第一空腔中填充金属层和对所述金属层进行蚀刻，从而形成栅极导体层的步骤包括：
经由所述栅线缝隙在所述第一空腔中填充金属层；
对所述栅线缝隙中的金属层进行回蚀刻，暴露所述金属层中的第一空腔；
经由所述栅线缝隙再次填充金属层。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其中，还包括：对所述栅线缝隙中的金属层进行回蚀刻以及再次填充金属层，直到所述金属层中没有空腔。
4.根据权利要求2所述的制造方法，其中，对所述栅线缝隙中的金属层进行回蚀刻的步骤包括：
经由所述栅线缝隙在所述第一空腔中填充氧化物；
对栅线缝隙中的氧化物进行回蚀刻，保留所述第一空腔中的氧化物；
对所述栅线缝隙中侧壁的金属层进行回蚀刻，保留所述第一空腔中的金属层；
去除所述第一空腔中的氧化物。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在所述栅线缝隙的侧壁形成蚀刻停止层和经由所述栅线缝隙在所述第一空腔中填充金属层的步骤之间，还包括：
经由所述栅线缝隙和所述第一空腔去除所述沟道柱的部分氧化物-氮化物-氧化物结构；
在所述第一空腔中沿所述沟道柱的侧壁与所述衬底表面形成外延层。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其中，在所述空腔中沿所述沟道柱的侧壁与衬底表面形成外延层与经由所述栅线缝隙在所述第一空腔中填充金属层的步骤之间，还包括：
去除所述栅线缝隙侧壁的蚀刻停止层；
去除所述绝缘叠层结构中的第二牺牲层，形成第二空腔，
在所述第二空腔中填充金属层。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其中，去除所述绝缘叠层结构中的第二牺牲层的步骤之后，还包括：
对所述外延层进行氧化，形成第二绝缘层。
8.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在衬底上形成第一牺牲层的步骤之前，还包括：
对所述衬底进行离子注入，形成掺杂层，所述第一牺牲层位于所述掺杂层的表面上。
9.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述沟道柱依次包括：第三绝缘层，沟道层，隧穿介质层，电荷存储层和阻挡介质层，所述阻挡介质层与所述绝缘叠层结构接触。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其中，在所述栅线缝隙的侧壁形成蚀刻停止层和经过多次在栅线缝隙和第一空腔中填充金属层和对所述金属层进行蚀刻，从而形成栅极导体层的步骤之间，还包括：
经由所述栅线缝隙和所述第一空腔去除所述沟道柱的隧穿介质层，电荷存储层和阻挡介质层，暴露所述沟道层。
11.根据权利要求6所述的制造方法，其中，去除所述绝缘叠层结构中的第二牺牲层以及在所述第二空腔中填充金属层的步骤之间，还包括：
经由所述栅线缝隙在所述第一空腔和所述第二空腔中形成缓冲层，所述缓冲层位于所述金属层与第一绝缘层之间。
12.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在经过多次在栅线缝隙和第一空腔中填充金属层和对所述金属层进行蚀刻，从而形成栅极导体层的步骤之后，还包括：
在所述栅线缝隙中形成源极导电通道。
13.根据权利要求12所述的制造方法，其中，在所述栅线缝隙中形成源极导电通道的步骤包括：
在所述栅线缝隙的侧壁上形成隔离层，在所述栅线缝隙中沉积导电材料，形成源极导电通道，所述隔离层隔离所述源极导电通道与所述栅极导体。
14.一种3D存储器件，根据如权利要求1-13中任一项所述的制造方法形成。
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