CN112331564B - 一种柔性电子器件的制作方法 - Google Patents
一种柔性电子器件的制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112331564B CN112331564B CN202011088084.0A CN202011088084A CN112331564B CN 112331564 B CN112331564 B CN 112331564B CN 202011088084 A CN202011088084 A CN 202011088084A CN 112331564 B CN112331564 B CN 112331564B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- flexible substrate
- electronic device
- manufacturing
- area
- semi
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims abstract description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 15
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 6
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 claims description 4
- 230000001112 coagulating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 4
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 claims description 4
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000009941 weaving Methods 0.000 claims description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J2300/00—Characterised by the use of unspecified polymers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
本发明公开了一种柔性电子器件的制作方法，包括如下步骤：1)针对柔性衬底进行渗透处理，在温度为40～50℃条件下浸泡于50％的硝酸银溶液中，持续1h至1.5h；2)在步骤1)中，柔性衬底是半浸泡于硝酸银溶液中。3)取出柔性衬底，在进行常温下静置10至15分钟；4)柔性衬底形成原始区域和渗透区域，原始区域和渗透区域之间通过半渗透区域形成一个整体，在半渗透区域内设置有待安装元件处，待安装元件处设置有改性膜。本发明通过硝酸银溶液对电子器件的柔性衬底进半浸泡工艺，在原有柔性衬底的基础之上形成了原始区域和渗透区域，在两个区域之间还形成了半渗透区域，能够增加柔性衬底的韧性和耐久性，同时保持柔性衬底的柔性。
Description
技术领域
本发明涉及一种电子器件的制作方法，尤其涉及一种柔性电子器件的制作方法。
背景技术
在现有技术的电子印刷领域，电子器件的制备需要繁复的固定程序，在制作的过程中还会产生资源浪费和环境污染等诸多问题。在柔性电子领域还需要通过刻蚀制备模具才能制备特定形状的电子器件。目前的柔性器件衬底都是基于模具成型的，模具的制备过程复杂且无法重复使用，不具有可编辑性，柔性和韧性也较差，基于组装拼接和三明治结构的柔性电子器件制作工艺和方法已经不能满足人们的要求，亟需得到改进。
发明内容
本发明的目的在于提供一种柔性电子器件的制作方法，解决现有技术存在的缺憾。
本发明采用如下技术方案实现：
一种柔性电子器件的制作方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：
1)针对柔性衬底进行渗透处理，在温度为40～50℃条件下浸泡于50％的硝酸银溶液中，持续1h至1.5h；
2)在步骤1)中，柔性衬底是半浸泡于硝酸银溶液中。
3)取出柔性衬底，在进行常温下静置10至15分钟；
4)所述柔性衬底形成原始区域和渗透区域，所述原始区域和渗透区域之间通过半渗透区域形成一个整体，在所述半渗透区域内设置有待安装元件处，所述待安装元件处设置有改性膜。
进一步的，所述半浸泡指的是：柔性衬底一半暴露于外界，另一半浸泡于硝酸银溶液中。
进一步的，所述柔性衬底暴露于外界的部分置于纯氮气环境中。
进一步的，所述改性膜为还原性氧化石墨烯改性膜。
进一步的，所述还原性氧化石墨烯改性膜的制备方法为：将还原性氧化石墨烯溶解于二甲基乙酰胺溶液，得到原性氧化石墨烯-二甲基乙酰胺分散液；将所述原性氧化石墨烯-二甲基乙酰胺分散液混入无水氯化锂，制得混合液，再加入乙醇和去离子水混合的凝固液，充分混合并静置，最后通过相转化制备方法获得还原性氧化石墨烯改性膜。
进一步的，在步骤3)中，取出柔性衬底，在常温下静置11-13分钟。
进一步的，在柔性衬底的一面贴装改性膜，在所述凝固液中加入纤维物质。
进一步的，所述纤维物质是聚苯硫醚纤维，聚苯硫醚纤维利用二维编织技术编织成中空编织管，直径为1.2至1.5mm。
本发明具备的有益技术效果是：通过硝酸银溶液对电子器件的柔性衬底进半浸泡工艺，在原有柔性衬底的基础之上形成了原始区域和渗透区域，在两个区域之间还形成了半渗透区域，能够增加柔性衬底的韧性和耐久性，同时保持柔性衬底的柔性。对于柔性衬底的改性膜加以改进，使其具备了优异的吸附性能，防止在设置电子线路时出现裂纹，保证了功能层的可行性，避免制造和使用过程中产生应力的影响。
附图说明
图1是本发明的工艺流程图。
具体实施方式
通过下面对实施例的描述，将更加有助于公众理解本发明，但不能也不应当将申请人所给出的具体的实施例视为对本发明技术方案的限制，任何对部件或技术特征的定义进行改变和/或对整体结构作形式的而非实质的变换都应视为本发明的技术方案所限定的保护范围。
如图1所示的柔性电子器件的制作方法，该方法包括如下步骤：
1)针对柔性衬底进行渗透处理，在温度为40～50℃条件下浸泡于50％的硝酸银溶液中，持续1h至1.5h；
2)在步骤1)中，柔性衬底是半浸泡于硝酸银溶液中。
3)取出柔性衬底，在进行常温下静置10至15分钟；
4)柔性衬底形成原始区域和渗透区域，原始区域和渗透区域之间通过半渗透区域形成一个整体，在半渗透区域内设置有待安装元件处，待安装元件处设置有改性膜，半浸泡指的是：柔性衬底一半暴露于外界，另一半浸泡于硝酸银溶液中。在本实施例中，柔性衬底暴露于外界的部分置于纯氮气环境中，改性膜为还原性氧化石墨烯改性膜。最后，设置有改性膜的待安装元件处通过切割装置进行切割并分离出来形成最终产品。
在上述实施例的基础之上，还原性氧化石墨烯改性膜的制备方法是：将还原性氧化石墨烯溶解于二甲基乙酰胺溶液，得到原性氧化石墨烯-二甲基乙酰胺分散液；将原性氧化石墨烯-二甲基乙酰胺分散液混入无水氯化锂，制得混合液，再加入乙醇和去离子水混合的凝固液，充分混合并静置，最后通过相转化制备方法获得还原性氧化石墨烯改性膜。
进一步的，在步骤3)中，取出柔性衬底，在进行常温下静置11-13分钟。
进一步的，在柔性衬底的一面贴装改性膜，在凝固液中加入纤维物质。
进一步的，纤维物质是聚苯硫醚纤维，聚苯硫醚纤维利用二维编织技术编织成中空编织管，直径为1.2至1.5mm。
本实施例通过硝酸银溶液对电子器件的柔性衬底进半浸泡工艺，在原有柔性衬底的基础之上形成了原始区域和渗透区域，在两个区域之间还形成了半渗透区域，能够增加柔性衬底的韧性和耐久性，同时保持柔性衬底的柔性。对于柔性衬底的改性膜加以改进，使其具备了优异的吸附性能，防止在设置电子线路时出现裂纹，保证了功能层的可行性，避免制造和使用过程中产生应力的影响。
当然，本发明还可以有其他多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可以根据本发明做出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (7)
1.一种柔性电子器件的制作方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：
1)针对柔性衬底进行渗透处理，在温度为40～50℃条件下浸泡于50％的硝酸银溶液中，持续1h至1.5h；
2)在步骤1)中，柔性衬底是半浸泡于硝酸银溶液中；
所述半浸泡指的是：柔性衬底一半暴露于外界，另一半浸泡于硝酸银溶液中；
3)取出柔性衬底，在进行常温下静置10至15分钟；
4)所述柔性衬底形成原始区域和渗透区域，所述原始区域和渗透区域之间通过半渗透区域形成一个整体，在所述半渗透区域内设置有待安装元件处，所述待安装元件处设置有改性膜。
2.根据权利要求1所述的柔性电子器件的制作方法，其特征在于，所述柔性衬底暴露于外界的部分置于纯氮气环境中。
3.根据权利要求1所述的柔性电子器件的制作方法，其特征在于，所述改性膜为还原性氧化石墨烯改性膜。
4.根据权利要求3所述的柔性电子器件的制作方法，其特征在于，所述还原性氧化石墨烯改性膜的制备方法为：将还原性氧化石墨烯溶解于二甲基乙酰胺溶液，得到原性氧化石墨烯-二甲基乙酰胺分散液；将所述原性氧化石墨烯-二甲基乙酰胺分散液混入无水氯化锂，制得混合液，再加入乙醇和去离子水混合的凝固液，充分混合并静置，最后通过相转化制备方法获得还原性氧化石墨烯改性膜。
5.根据权利要求1所述的柔性电子器件的制作方法，其特征在于，在步骤3)中，取出柔性衬底，在常温下静置11-13分钟。
6.根据权利要求4所述的柔性电子器件的制作方法，其特征在于，在柔性衬底的一面贴装改性膜，在所述凝固液中加入纤维物质。
7.根据权利要求6所述的柔性电子器件的制作方法，其特征在于，所述纤维物质是聚苯硫醚纤维，聚苯硫醚纤维利用二维编织技术编织成中空编织管，直径为1.2至1.5mm。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011088084.0A CN112331564B (zh) | 2020-10-13 | 2020-10-13 | 一种柔性电子器件的制作方法 |
| PCT/CN2020/121724 WO2022077525A1 (zh) | 2020-10-13 | 2020-10-18 | 一种柔性电子器件的制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011088084.0A CN112331564B (zh) | 2020-10-13 | 2020-10-13 | 一种柔性电子器件的制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112331564A CN112331564A (zh) | 2021-02-05 |
| CN112331564B true CN112331564B (zh) | 2024-01-23 |
Family
ID=74313724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011088084.0A Active CN112331564B (zh) | 2020-10-13 | 2020-10-13 | 一种柔性电子器件的制作方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112331564B (zh) |
| WO (1) | WO2022077525A1 (zh) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4838904A (en) * | 1987-12-07 | 1989-06-13 | The Dow Chemical Company | Semi-permeable membranes with an internal discriminating region |
| GB9101655D0 (en) * | 1991-01-25 | 1991-03-06 | Ici Plc | Compositions |
| CN104191804A (zh) * | 2014-09-05 | 2014-12-10 | 电子科技大学 | 一种无胶型挠性双面覆铜板的制备方法 |
| CN105979711A (zh) * | 2016-06-03 | 2016-09-28 | 大连理工大学 | 一种制备塑料基覆铜柔性电路板的方法 |
| CN110473963A (zh) * | 2019-08-27 | 2019-11-19 | 华东师范大学 | 一种平面型柔性阻变存储器及制备方法 |
| CN110797140A (zh) * | 2019-11-13 | 2020-02-14 | 东南大学 | 一种银纳米线和石墨烯复合柔性透明导电薄膜及制备方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106448804B (zh) * | 2016-09-28 | 2017-10-31 | 顺德职业技术学院 | 具有自清洁功能的柔性透明导电薄膜的制备方法 |
| CN107086083A (zh) * | 2017-04-24 | 2017-08-22 | 苏州思创源博电子科技有限公司 | 一种具有柔性衬底的金属导电薄膜的制备方法 |
| CN110923677B (zh) * | 2019-11-06 | 2021-07-16 | 中山大学 | 一种金属图案化的透明光敏聚酰亚胺薄膜及其制备方法和应用 |
-
2020
- 2020-10-13 CN CN202011088084.0A patent/CN112331564B/zh active Active
- 2020-10-18 WO PCT/CN2020/121724 patent/WO2022077525A1/zh active Application Filing
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4838904A (en) * | 1987-12-07 | 1989-06-13 | The Dow Chemical Company | Semi-permeable membranes with an internal discriminating region |
| GB9101655D0 (en) * | 1991-01-25 | 1991-03-06 | Ici Plc | Compositions |
| EP0496365A1 (en) * | 1991-01-25 | 1992-07-29 | Amp-Akzo Corporation | Compositions for the production of seed layers |
| CN104191804A (zh) * | 2014-09-05 | 2014-12-10 | 电子科技大学 | 一种无胶型挠性双面覆铜板的制备方法 |
| CN105979711A (zh) * | 2016-06-03 | 2016-09-28 | 大连理工大学 | 一种制备塑料基覆铜柔性电路板的方法 |
| CN110473963A (zh) * | 2019-08-27 | 2019-11-19 | 华东师范大学 | 一种平面型柔性阻变存储器及制备方法 |
| CN110797140A (zh) * | 2019-11-13 | 2020-02-14 | 东南大学 | 一种银纳米线和石墨烯复合柔性透明导电薄膜及制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2022077525A1 (zh) | 2022-04-21 |
| CN112331564A (zh) | 2021-02-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109186817B (zh) | 一种电容式柔性压力传感器及其制造方法 | |
| Siegel et al. | Microsolidics: fabrication of three‐dimensional metallic microstructures in poly (dimethylsiloxane) | |
| CN110729072B (zh) | 一种可拉伸导线及其制备方法 | |
| CN110137337B (zh) | 一种柔性压力传感器及其制备方法 | |
| WO2018036248A1 (zh) | 柔性导电薄膜及其制备方法、柔性触摸屏及显示面板 | |
| CN103367247B (zh) | 一种在pdms弹性体表面选区沉积银纳米颗粒的方法 | |
| CN112331564B (zh) | 一种柔性电子器件的制作方法 | |
| CN112216419B (zh) | 一种柔性导电薄膜常温低压转印方法 | |
| US9803275B2 (en) | Method for manufacturing graphene composite electrode material | |
| WO2018032863A1 (zh) | 一种显示面板、其制备方法及可穿戴设备 | |
| TWI342054B (en) | Anisotropic conductive film and manufacturing method thereof | |
| CN111743529B (zh) | 表皮电极及其制作方法 | |
| Yang et al. | Direct printing and assembly of FM radio at the user end via liquid metal printer | |
| Chen et al. | Interfacial liquid film transfer printing of versatile flexible electronic devices with high yield ratio | |
| CN112023716B (zh) | 纳米孔石墨烯分离膜及其制备方法 | |
| CN111136841A (zh) | 一种水凝胶微针模具的制备方法及水凝胶微针模具 | |
| Wang et al. | Nanoarchitectonics of hyperbolic paraboloid 2D graphene oxide membranes | |
| CN108680190A (zh) | 利用溶菌酶焊接的自支撑银薄膜制备的柔性电子传感器及制备方法 | |
| KR20160048546A (ko) | 전도성 부재 및 이의 제조 방법 | |
| JP2018076549A (ja) | 膜付き基板の製造方法及び金属膜用エッチング液 | |
| CN109289533B (zh) | 一种微图案化的水处理膜制备方法及其应用 | |
| CN112023719A (zh) | 支撑层及其制备方法、复合膜及其应用 | |
| CN113548638B (zh) | 一种微凸起结构的制备方法 | |
| CN109493734B (zh) | 像素电极的制作方法、显示面板 | |
| KR101061739B1 (ko) | 구리 전극을 갖는 고분자 구동기 및 그의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |