CN112289708B - 温度调节速率控制装置、方法及半导体设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种温度调节速率控制装置、方法及半导体设备。该装置包括：温度监测单元，用于实时获取位于工艺腔室内待处理件的温度；控制器，用于根据温度监测单元获取的温度计算待处理件的温度调节速率，若温度调节速率在设定的温度调节速率范围之外，则向充气机构发送第一控制信号和/或向抽气机构发送第二控制信号，直至温度调节速率位于温度调节速率范围内；充气机构，用于根据接收到的第一控制信号向工艺腔室内通入气体，以通过调整气压来控制待处理件的温度调节速率；抽气机构，用于根据接收到的第二控制信号进行抽气，以通过调整气压来控制待处理件的温度调节速率。本发明实现对硅片降温速率的精确控制，且可避免颗粒污染问题。

Description

温度调节速率控制装置、方法及半导体设备
技术领域
本发明涉及半导体集成电路制造技术领域，更具体地，涉及一种温度调节速率控制装置、方法及半导体设备。
背景技术
随着28nm以下技术代对颗粒尺寸和颗粒数量要求的不断提高，硅片加工过程中产生的颗粒对工艺结果的影响也越来越明显，减少工艺过程中颗粒数量成非常关键。由于集成电路中沟槽和线宽尺寸很小，微小的颗粒都能够对硅片工艺结果造成很大的损害，例如：不同导线的导通、同一导线的断连、形成空穴而造成更大能耗和发热等。出现这些问题的硅片上的芯片单元将不能使用而报废，从而降低了产品的良率。
颗粒污染问题已经严重制约集成电路领域向更低技术节点的延伸，特别是14-7nm及以下技术代的要求。对颗粒的要求体现在两个方面，一方面是测试的颗粒尺寸变小，甚至达到～10nm，另一方面是数量要求也更少，通常要求稳定在10颗以下。
除了严格控制在工艺过程中的产生的颗粒外，硅片在工艺腔室外传输过程中产生的颗粒也需要特别重视。以典型的物理气相沉积工艺过程为例，硅片在完成工艺后都需要在惰性气体环境中进行冷却后，才能传出到大气环境中。
目前通常的冷却流程为：
1.硅片传入冷却腔室；
2.硅片随托架下落到冷盘上；
3.充气阀打开设定时后关闭；
4.硅片在一定气压下冷却一定时间；
5.硅片传出冷却腔室。
经研究发现，由于完成工艺后的硅片在冷却腔室中的降温速率太快会导致颗粒超标问题。而现有技术中，在整个冷却过程中，硅片的实际温度和降温速率都无法掌握，这对于14-7nm及以下技术代设备存在颗粒风险。
发明内容
本发明的目的是提出一种硅片降温速率控制方法、装置及冷却腔室，实现控制冷却腔室内硅片的温度调节速率，避免由于硅片冷却过快产生的颗粒污染问题。
第一方面，本发明提出一种温度调节速率控制装置，应用于半导体设备的工艺腔室，包括：温度监测单元、与所述温度监测单元相连的控制器、与所述控制器均相连的充气机构和抽气机构，其中：
所述温度监测单元，用于实时获取位于所述工艺腔室内待处理件的温度；
所述控制器，用于根据所述温度监测单元获取的温度计算所述待处理件的温度调节速率，若所述温度调节速率在设定的温度调节速率范围之外，则向所述充气机构发送第一控制信号和/或向所述抽气机构发送第二控制信号，直至所述温度调节速率位于所述温度调节速率范围内；
所述充气机构，与所述工艺腔室连通，用于根据接收到的所述第一控制信号向工艺腔室内通入不与所述待处理件反应的气体，以通过调整工艺腔室的气压来控制所述待处理件的温度调节速率；
所述抽气机构，与所述工艺腔室连通，用于根据接收到的所述第二控制信号进行抽气，以通过调整工艺腔室的气压来控制所述待处理件的温度调节速率。
可选地，所述温度监测单元包括设置于工艺腔室外部的测温仪和测温探头，所述测温仪与所述控制器电连接，所述测温探头与所述测温仪电连接，所述测温探头用于透过位于所述工艺腔室的顶壁上的介质窗口获取位于工艺腔室内待处理件的温度，所述测温仪用于根据所述测温探头获取的所述温度计算所述待处理件的温度调节速率。
可选地，所述充气机构包括：与工艺腔室连通的充气管路，所述充气管路上设有充气阀，所述充气阀与所述控制器电连接，所述控制器用于向所述充气阀发送所述第一控制信号，所述充气阀用于根据所述第一控制信号开启或关闭。
可选地，所述排气机构包括：与工艺腔室连通的抽气管路，所述抽气管路上设有排气阀，所述排气阀与所述控制器电连接，所述控制器用于向所述排气阀发送所述第二控制信号，所述排气阀用于根据所述第二控制信号开启或关闭。
第二方面，本发明提出一种半导体设备，包括工艺腔室和如第一方面所述的温度调节速率控制装置。
可选地，所述工艺腔室内设有托架和冷盘，所述托架设置于所述工艺腔室的底部，用于支撑待处理件，所述冷盘位于所述待处理件的下方，且所述待处理件与所述冷盘之间具有间隙。
可选地，所述工艺腔室设有介质窗口，所述测温探头设置于与所述介质窗口相对应的位置，以透过所述介质窗口获取位于工艺腔室内待所述处理件的温度。
第三方面，本发明还提出一种温度调节速率控制方法，应用于第二方面所述的半导体设备，所述温度调节速率控制方法包括：
实时获取位于所述工艺腔室内待处理件的温度，并根据所述温度计算所述待处理件的温度调节速率；
判断所述待处理件的温度调节速率是否在设定的温度调节速率范围内，若在所述设定的温度调节速率范围之外，则控制所述充气机构向所述工艺腔室内通入不与所述待处理件反应的气体或控制所述排气机构进行排气，以通过调整所述工艺腔室的气压来控制所述待处理件的温度调节速率，直至所述温度调节速率位于所述温度调节速率范围内。
可选地，所述控制所述充气机构向所述工艺腔室内不与所述待处理件反应的气体或控制所述排气机构进行排气，以通过调整所述工艺腔室的气压来控制所述待处理件的温度调节速率，直至所述温度调节速率位于所述温度调节速率范围内，包括：
若所述待处理件的温度调节速率大于所述温度调节速率范围，则控制所述排气阀开启第一预设时长后关闭，以减小所述工艺腔室内的气压，并重新获取所述待处理件的温度调节速率；
重新判断所述待处理件的所述温度调节速率是否在所述设定的温度调节速率范围内，若在所述温度调节速率范围内，则继续执行所述实时获取位于所述工艺腔室内待处理件的温度，并根据所述温度计算所述待处理件的温度调节速率的操作；
若仍大于所述温度调节速率范围，则继续执行所述控制所述排气阀开启第一预设时长后关闭的操作，直到所述温度调节速率在所述温度调节速率范围内。
可选地，所述控制所述充气机构向所述工艺腔室内通入不与所述待处理件反应的其他或控制所述排气机构进行排气，以通过调整所述工艺腔室的气压来控制所述待处理件的温度调节速率，直至所述温度调节速率位于所述温度调节速率范围内，还包括：
若所述待处理件的温度调节速率小于所述温度调节速率范围，则控制开启所述充气阀充气第二预设时长后关闭，以增大所述工艺腔室内的气压，并重新获取所述待处理件的温度调节速率；
重新判断所述待处理件的温度调节速率是否在所述设定的温度调节速率范围内，若在所述温度调节速率范围内，则继续执行所述实时获取位于所述工艺腔室内待处理件的温度，并根据所述温度计算所述待处理件的温度调节速率的操作；
若仍小于所述温度调节速率范围，则继续执行所述控制开启所述充气阀充气第二预设时长后关闭的操作，直到所述温度调节速率在所述温度调节速率范围内。
本发明的有益效果在于：
通过温度监测单元实时获取位于工艺腔室内待处理件的温度，通过控制器计算待处理件的温度调节速率，若温度调节速率在设定的温度调节速率范围之外，则向充气机构发送第一控制信号向工艺腔室内通入不与待处理件反应的气体和/或向抽气机构发送第二控制信号进行抽气，实现对工艺腔室内的气压调整，从而间接调整待处理件与热源或冷源之间的热传导，直至温度调节速率位于温度调节速率范围内，从而实现对待处理件温度调节速率的精确控制，并有效提高工艺腔室的温度调节效率，同时还能够避免现有技术中由于待处理件冷却过快产生的颗粒污染问题。
本发明的装置具有其它的特性和优点，这些特性和优点从并入本文中的附图和随后的具体实施方式中将是显而易见的，或者将在并入本文中的附图和随后的具体实施方式中进行详细陈述，这些附图和具体实施方式共同用于解释本发明的特定原理。
附图说明
通过结合附图对本发明示例性实施例进行更详细的描述，本发明的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显，在本发明示例性实施例中，相同的参考标号通常代表相同部件。
图1示出了在不同气体下的硅片的降温曲线图。
图2示出了根据本发明的一个实施例的一种温度调节速率控制装置的结构示意图。
图3示出了根据本发明的一个实施例的一种半导体设备的结构示意图。
图4示出了根据本发明的一种温度调节速率控制方法的步骤图。
附图标记说明：
101-工艺腔室，102-冷盘，103-托架，104-待处理件，105-介质窗口，106-充气阀，107-排气阀，108-测温探头，109-测温仪，110-控制器。
具体实施方式
现有工艺腔室对完成工艺的硅片进行冷却的过程为：
1.将硅片放入腔室的托架上；
2.托架下降使硅片落在冷盘上；
3.通入Ar气特定时长(如10s)；
4.开充气阀直至到大气状态；
5.硅片传出冷却腔室。
目前的冷却过程无法监测硅片的实时温度，也就无法获得降温速率，降温速率也无法控制。
如图1所示，随着工艺腔室气压从真空增大到大气压，硅片的降温速率逐渐变快，降温速率可以从～1℃/s升高到～10℃/s，由于腔室内气压越高，硅片的热量就越容易传递给冷盘，使得硅片降温更快。在工艺过程中发现，当降温速率太快(～10℃/s)会导致颗粒测试严重超标(10nm直径的颗粒大于100颗，且呈现不规则随机分布)，当把工艺腔室内的气体压力控制在100Torr后，降温速率变慢，之后的颗粒测试合格(10nm直径的颗粒小于10颗)。
可以看出，降温速率太快容易使沉积薄膜的性质发生变化，比如发生颗粒问题。而降温速率又不能无限制的慢，太慢又会导致机台产能下降。因此实现对工艺腔室温度调节速率的控制非常关键，尤其在进入14至7nm及以下技术代后。
本发明提出的温度调节速率控制装置、方法及半导体设备，能够监测和控制待处理件的温度调节速率，进而有效减少由于硅片降温速率过快导致的颗粒污染问题，并提高机台的产能。
下面将参照附图更详细地描述本发明。虽然附图中显示了本发明的优选实施例，然而应该理解，可以以各种形式实现本发明而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了使本发明更加透彻和完整，并且能够将本发明的范围完整地传达给本领域的技术人员。
实施例1
图2示出了根据本发明的一个实施例的一种温度调节速率控制装置结构的示意图。
如图2至图3所示，一种温度调节速率控制装置，应用于冷却腔室，包括：温度监测单元、与温度监测单元相连的控制器110、与控制器110均相连的充气机构和抽气机构，其中：
温度监测单元，用于实时获取位于工艺腔室101内待处理件104的温度；
控制器110，用于根据温度监测单元获取的温度计算待处理件104的温度调节速率，若温度调节速率在设定的温度调节速率范围之外，则向充气机构发送第一控制信号和/或向抽气机构发送第二控制信号，直至温度调节速率位于温度调节速率范围内；
充气机构，与工艺腔室101连通，用于根据接收到的第一控制信号向工艺腔室101内通入不与待处理件104反应的气体，以通过调整工艺腔室101的气压来控制待处理件104的温度调节速率；
抽气机构，与工艺腔室101连通，用于根据接收到的第二控制信号进行抽气，以通过调整工艺腔室101的气压来控制待处理件104的温度调节速率。
本实施例中，温度监测单元包括设置于工艺腔室101外部的测温仪109和测温探头108，测温仪109与控制器110电连接，测温探头108与测温仪109电连接，测温探头108用于透过位于工艺腔室101的顶壁上的介质窗口105(石英窗口)获取位于工艺腔室101内待处理件104的温度，测温仪109用于根据测温探头108获取的温度计算待处理件104的温度调节速率。
本实施例中，充气机构包括：与工艺腔室101连通的充气管路，充气管路上设有充气阀106，充气阀106与控制器110电连接，控制器110用于向充气阀106发送第一控制信号，充气阀106用于根据第一控制信号开启或关闭。充气机构向工艺腔室101内通入的不与待处理件104反应的气体可以选择惰性气体，例如氩气。
本实施例中，排气机构包括：与工艺腔室101连通的抽气管路，抽气管路上设有排气阀107，排气阀107与控制器110电连接，控制器110用于向排气阀107发送第二控制信号，排气阀107用于根据第二控制信号开启或关闭。
本实施例中的控制器110可以为PLC或PC等，温度调节速率的计算可以由测温仪109完成或者由控制器110完成。控制器110通过控制充气机构向工艺腔室101内通入不与待处理件104反应的气体和/或向抽气机构发送第二控制信号进行抽气，实现对工艺腔室101内的气压调整，从而间接调整待处理件104与热源或冷源之间的热传导，直至温度调节速率位于温度调节速率范围内，从而实现对待处理件104温度调节速率的精确控制，并有效提高工艺腔室101的温度调节效率，同时还能够避免由于待处理件104冷却过快产生的颗粒污染问题。
在其他实施例中，温度监测单元也可以采用其他类型的测温传感器实现，测温探头108也可以设置于冷却腔室内部。本领域技术人员可以根据实际情况进行选择。
实施例2
图3示出了根据本发明的一个实施例的一种半导体设备的结构示意图。
如图3所示，一种半导体设备，包括工艺腔室101和实施例1的温度调节速率控制装置。
本实施例中，工艺腔室101内设有托架103和冷盘102，托架103设置于工艺腔室101的底部，用于支撑待处理件104，冷盘102位于待处理件104的下方，且待处理件104与冷盘102之间具有间隙。工艺腔室101设有介质窗口105，测温探头108设置于与介质窗口105相对应的位置，以透过介质窗口105获取位于工艺腔室101内待处理件104的温度。
在具体实施过程中，当需要对待处理件104进行冷却处理时，冷盘102内可以通入冷却液，通过冷却液的循环间接带走待处理工件的热量。工艺腔室101内充入有不与待处理件104反应的气体，例如氩气等惰性气体，因此待处理件104(例如硅片)主要通过惰性气体与冷盘102之间热传导进行降温冷却，并且当工艺腔室101内惰性气体的压力越大时，惰性气体与冷盘102之间热传导越快，则硅片的降温速率越大，反之则越小。因此通过温度调节速率控制装置实现对工艺腔室101内的气压调整，能够间接调整待处理件104与冷盘102之间的热传导，从而能够控制待处理件104的降温速率位于预设的降温速率范围内，进而实现对待处理件104降温速率的精确控制，避免由于待处理件104冷却过快产生的颗粒污染问题。
在其他实施例中，本发明的温度调节速率控制装置还可以应用在其他类型的工艺腔室101的加热工艺中，例如通过加热基座或腔室壁对工艺腔室101内的待处理件104进行加热，通过温度调节速率控制装置实现对工艺腔室101内的气压调整，从而间接调整待处理件104与热源之间的热传导，直至待处理件104的升温速率位于预设的升温速率范围内，从而实现对待处理件104升温速率的精确控制。
实施例3
图4示出了根据本发明的一种硅片降温速率控制方法的步骤图。
如图4所示，一种温度调节速率控制方法，应用于实施例2的半导体设备，温度调节速率控制方法包括：
步骤S101：实时获取位于工艺腔室101内待处理件104的温度，并根据温度计算待处理件104的温度调节速率；
在一个具体应用场景中，待处理件104为待进行降温处理的硅片，硅片设置于工艺腔室101内底部的托架103上，硅片下方设有冷盘102，硅片与冷盘102之间设有间隙。
本步骤中，通过测温探头108和测温仪109采集单位时间内硅片上预设位置的温度，控制器110根据测温仪109获取的温度计算硅片温度的每秒变化值，以确定硅片的降温速率。其中，预设位置可以为硅片上的至少一个预设测温点或预设测温区域；当预设测温点只有一个测温点时，只需监测一个测温点的温度变化即可确定硅片的降温速率，当预设位置为多个预设测温点或预设测温区域时，降温速率为多个预设测温点或预设测温区域内平均温度的每秒变化值。为保证获取准确的降温速率，优选同时监测多个测温点的平均温度变化值作为整个硅片的降温速率。
步骤S2：判断待处理件104的温度调节速率是否在设定的温度调节速率范围内，若在设定的温度调节速率范围之外，则控制充气机构向工艺腔室101内通入不与待处理件104反应的气体或控制排气机构进行排气，以通过调整工艺腔室101的气压来控制待处理件104的温度调节速率，直至温度调节速率位于温度调节速率范围内；若在温度调节速率范围内，则继续执行实时获取位于半导体腔室内待处理件的温度，并根据所述温度计算待处理件的温度调节速率的操作。
参考图4，本步骤具体包括：
S201：若待处理件104的温度调节速率大于温度调节速率范围，则控制排气阀107开启第一预设时长后关闭，以减小工艺腔室101内的气压，并重新获取待处理件104的温度调节速率；
在上述具体应用场景中，若判断硅片的降温速率大于设定降温速率，则：开启排气阀107排气第一预设时长后关闭，以减小工艺腔室101内惰性气体的气压，并重新获取硅片的降温速率；其中，预设降温速率的范围为：4℃/s至6℃/s，优选5℃/s，第一预设时长为0.2s至1s，优选0.5s。
S202：重新判断待处理件104的温度调节速率是否在设定的温度调节速率范围内，若在温度调节速率范围内，则继续执行实时获取位于工艺腔室101内待处理件104的温度，并根据温度计算待处理件104的温度调节速率的操作；
若仍大于温度调节速率范围，则继续执行控制排气阀107开启第一预设时长后关闭的操作，直到温度调节速率在温度调节速率范围内。
在上述具体应用场景中，重新判断硅片的降温速率是否在设定的降温速率范围内，若在设定的降温速率范围内，则继续执行实时获取位于工艺腔室101内硅片的温度，并根据温度计算硅片的降温速率的操作；若仍大于设定降温速率，则重复执行控制开启排气阀107排气第一预设时长(0.5s)后关闭的操作，直到硅片的降温速率等于预设降温速率。
S203：若待处理件104的温度调节速率小于温度调节速率范围，则控制开启充气阀106充气第二预设时长后关闭，以增大工艺腔室101内的气压，并重新获取待处理件104的温度调节速率；
在上述具体应用场景中，若硅片的降温速率小于设定降温速率，则：开启充气阀106充气第二预设时长后关闭，以增大工艺腔室101内的惰性气体的气压，并重新获取硅片的降温速率；其中，第二预设时长为0.2s至1s，优选0.5s；
S204：重新判断待处理件104的温度调节速率是否在设定的温度调节速率范围内，若在温度调节速率范围内，则继续执行实时获取位于工艺腔室101内待处理件104的温度，并根据温度计算待处理件104的温度调节速率的操作；
若仍小于温度调节速率范围，则继续执行控制开启充气阀106充气第二预设时长后关闭的操作，直到温度调节速率在温度调节速率范围内。
在上述具体应用场景中，重新判断硅片的降温速率是否在预设降温速率范围之内，若在预设降温速率范围之内，则继续执行实时获取位于工艺腔室101内硅片的温度，并根据温度计算硅片的降温速率的操作；若仍小于设定降温速率，则重复执行开启充气阀106充气第二预设时长(0.5s)后关闭的操作，直到硅片的降温速率等于预设降温速率。
在具体实施过程中，可以根据硅片的实际温度实时调整腔室内惰性气体的气压从而获得所需要的降温速率，既能保证工艺结果合格，如颗粒表现等，又可以尽量降低对机台产能的影响，减少硅片对工艺腔室101的占用，提高效率。
在其他实施例中，当本发明的温度调节速率控制装置应用在其他类型的工艺腔室的加热工艺中时，采用本发明的温度调节速率控制方法，通过温度调节速率控制装置实现对工艺腔室的气压调整，从而间接调整待处理件与热源之间的热传导，直至待处理件的升温速率位于预设的升温速率范围内，从而能够实现对待处理件升温速率的精确控制。
综上，本发明通过温度监测单元实时获取位于工艺腔室内待处理件的温度，通过控制器计算待处理件的温度调节速率，若温度调节速率在设定的温度调节速率范围之外，则向充气机构发送第一控制信号向工艺腔室内通入不与待处理件反应的气体和/或向抽气机构发送第二控制信号进行抽气，实现对工艺腔室内的气压调整，从而间接调整待处理件与热源或冷源之间的热传导，直至温度调节速率位于温度调节速率范围内，从而实现对待处理件温度调节速率的精确控制，并有效提高工艺腔室的温度调节效率，同时还能够避免现有技术中由于待处理件冷却过快产生的颗粒污染问题。
以上已经描述了本发明的各实施例，上述说明是示例性的，并非穷尽性的，并且也不限于所披露的各实施例。在不偏离所说明的各实施例的范围和精神的情况下，对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。

Claims (10)

1.一种温度调节速率控制装置，应用于半导体设备的工艺腔室，其特征在于，包括：温度监测单元、与所述温度监测单元相连的控制器、与所述控制器均相连的充气机构和抽气机构，其中：
所述温度监测单元，用于实时获取位于所述工艺腔室内待处理件的温度；
所述控制器，用于根据所述温度监测单元获取的温度计算所述待处理件的温度调节速率，若所述温度调节速率在设定的温度调节速率范围之外，则向所述充气机构发送第一控制信号和/或向所述抽气机构发送第二控制信号，直至所述温度调节速率位于所述温度调节速率范围内；
所述充气机构，与所述工艺腔室连通，用于根据接收到的所述第一控制信号向工艺腔室内通入不与所述待处理件反应的气体，以通过调整工艺腔室的气压来控制所述待处理件的温度调节速率；
所述抽气机构，与所述工艺腔室连通，用于根据接收到的所述第二控制信号进行抽气，以通过调整工艺腔室的气压来控制所述待处理件的温度调节速率。
2.根据权利要求1所述的温度调节速率控制装置，其特征在于，所述温度监测单元包括设置于工艺腔室外部的测温仪和测温探头，所述测温仪与所述控制器电连接，所述测温探头与所述测温仪电连接，所述测温探头用于透过位于所述工艺腔室的顶壁上的介质窗口获取位于工艺腔室内待处理件的温度，所述测温仪用于根据所述测温探头获取的所述温度计算所述待处理件的温度调节速率。
3.根据权利要求1所述的温度调节速率控制装置，其特征在于，所述充气机构包括：与工艺腔室连通的充气管路，所述充气管路上设有充气阀，所述充气阀与所述控制器电连接，所述控制器用于向所述充气阀发送所述第一控制信号，所述充气阀用于根据所述第一控制信号开启或关闭。
4.根据权利要求1所述的温度调节速率控制装置，其特征在于，所述抽气机构包括：与工艺腔室连通的抽气管路，所述抽气管路上设有排气阀，所述排气阀与所述控制器电连接，所述控制器用于向所述排气阀发送所述第二控制信号，所述排气阀用于根据所述第二控制信号开启或关闭。
5.一种半导体设备，其特征在于，包括工艺腔室和如权利要求1-4任一项所述的温度调节速率控制装置。
6.根据权利要求5所述的半导体设备，其特征在于，所述工艺腔室内设有托架和冷盘，所述托架设置于所述工艺腔室的底部，用于支撑待处理件，所述冷盘位于所述待处理件的下方，且所述待处理件与所述冷盘之间具有间隙。
7.根据权利要求5所述的半导体设备，其特征在于，所述工艺腔室设有介质窗口，测温探头设置于与所述介质窗口相对应的位置，以透过所述介质窗口获取位于工艺腔室内待所述处理件的温度。
8.一种温度调节速率控制方法，应用于如权利要求5-7任一项所述的半导体设备，其特征在于，所述温度调节速率控制方法包括：
实时获取位于所述工艺腔室内待处理件的温度，并根据所述温度计算所述待处理件的温度调节速率；
判断所述待处理件的温度调节速率是否在设定的温度调节速率范围内，若在所述设定的温度调节速率范围之外，则控制所述充气机构向所述工艺腔室内通入不与所述待处理件反应的气体或控制所述抽气机构进行排气，以通过调整所述工艺腔室的气压来控制所述待处理件的温度调节速率，直至所述温度调节速率位于所述温度调节速率范围内。
9.根据权利要求8所述的温度调节速率控制方法，其特征在于，所述控制所述充气机构向所述工艺腔室内不与所述待处理件反应的气体或控制所述抽气机构进行排气，以通过调整所述工艺腔室的气压来控制所述待处理件的温度调节速率，直至所述温度调节速率位于所述温度调节速率范围内，包括：
若所述待处理件的温度调节速率大于所述温度调节速率范围，则控制排气阀开启第一预设时长后关闭，以减小所述工艺腔室内的气压，并重新获取所述待处理件的温度调节速率；
重新判断所述待处理件的所述温度调节速率是否在所述设定的温度调节速率范围内，若在所述温度调节速率范围内，则继续执行所述实时获取位于所述工艺腔室内待处理件的温度，并根据所述温度计算所述待处理件的温度调节速率的操作；
若仍大于所述温度调节速率范围，则继续执行所述控制所述排气阀开启第一预设时长后关闭的操作，直到所述温度调节速率在所述温度调节速率范围内。
10.根据权利要求9所述的温度调节速率控制方法，其特征在于，所述控制所述充气机构向所述工艺腔室内通入不与所述待处理件反应的气体或控制所述抽气机构进行排气，以通过调整所述工艺腔室的气压来控制所述待处理件的温度调节速率，直至所述温度调节速率位于所述温度调节速率范围内，还包括：
若所述待处理件的温度调节速率小于所述温度调节速率范围，则控制开启充气阀充气第二预设时长后关闭，以增大所述工艺腔室内的气压，并重新获取所述待处理件的温度调节速率；
重新判断所述待处理件的温度调节速率是否在所述设定的温度调节速率范围内，若在所述温度调节速率范围内，则继续执行所述实时获取位于所述工艺腔室内待处理件的温度，并根据所述温度计算所述待处理件的温度调节速率的操作；
若仍小于所述温度调节速率范围，则继续执行所述控制开启所述充气阀充气第二预设时长后关闭的操作，直到所述温度调节速率在所述温度调节速率范围内。
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