CN112210179A - 含量子点材料、其制备方法以及包括其的光学构件和设备 - Google Patents
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Abstract
提供了一种含量子点材料、其制备方法以及包括其的光学构件和设备。所述含量子点材料包括：含量子点复合物，包括量子点和第一基质材料；以及第二基质材料，其中，量子点分散在第一基质材料中，含量子点复合物分散在第二基质材料中，并且第一基质材料的折射率大于第二基质材料的折射率。
Description
本申请要求于2019年7月12日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0084547号韩国专利申请以及于2020年7月6日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0082962号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开涉及含量子点材料、制备该含量子点材料的方法以及包括该含量子点材料的光学构件和设备。
背景技术
在光学构件之中，量子点可以用作能够执行各种光学功能(例如，光转换功能)的材料。作为纳米级半导体纳米晶体的量子点可以根据纳米晶体的尺寸和组成而具有不同的能隙，并且因此可以发射具有各种发射波长的光。
包括量子点的光学构件可以具有薄膜形式，例如，根据子像素而图案化的薄膜形式。这样的光学构件也可以用作具有各种光源的设备的颜色转换构件。
为了实现高质量设备，仍然需要开发能够提供优异的光转换效率的颜色转换构件。
发明内容
本公开的实施例的一个或更多个方面涉及能够提供优异的(或合适的)光转换效率的含量子点材料、制备含量子点材料的方法以及包括含量子点材料并因此具有优异的(或合适的)光转换效率的光学构件和设备。
另外的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过给出的实施例的实践而获知。
本公开的实施例提供了一种含量子点材料，所述含量子点材料包括：
含量子点复合物，包括量子点和第一基质材料；以及
第二基质材料，
其中，量子点分散在第一基质材料中，
含量子点复合物分散在第二基质材料中，并且
第一基质材料的折射率大于第二基质材料的折射率。
含量子点材料可以呈薄膜形式。即，含量子点材料可以是含量子点薄膜。
本公开的另一实施例提供了一种制备含量子点材料的方法，所述方法包括：
制备包含量子点、第一单体、聚合引发剂和溶剂的第一组合物；
通过将第一组合物中的第一单体转化为至少一部分的第一基质材料来制备第二组合物，第二组合物包括含量子点复合物和溶剂，含量子点复合物包括量子点和其中分散有量子点的第一基质材料；
通过从第二组合物去除溶剂来获得含量子点复合物；
制备包括含量子点复合物、第二单体、聚合引发剂和溶剂的第三组合物；以及
通过将第三组合物中的第二单体转化为至少一部分的第二基质材料来制备含量子点材料，含量子点材料包括含量子点复合物和其中分散有含量子点复合物的第二基质材料，
其中，第一基质材料的折射率大于第二基质材料的折射率。
本公开的另一实施例提供了一种包括含量子点材料的光学构件。
光学构件可以是颜色转换构件。
本公开的另一实施例提供了一种包括含量子点材料的设备。
设备还可以包括光源，并且含量子点材料可以布置在从光源发射的光的路径中。
光源可以是有机发光器件(OLED)或发光二极管(LED)。
光源可以发射蓝光。
附图说明
通过以下结合附图对实施例的描述，这些和/或其它方面将变得明显且更易于理解。图1是根据实施例的含量子点材料的示意图。
具体实施方式
现在将更详细地参照实施例，实施例的示例在附图中示出，其中，同样的附图标记始终指同样的元件。就这点而言，本实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于这里阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图来描述实施例，以解释本说明书的方面。如这里使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和全部组合。当诸如“……中的至少一个(种/者)”、“……中的一个(种/者)”以及“选自于……”的表述在一列元件(要素)之后(之前)时，修饰的是整列的元件(要素)，而不是修饰该列中的个别元件(要素)。此外，当描述本发明的实施例时，“可以”的使用指“本发明的一个或更多个实施例”。
在图1中，含量子点材料1可以包括含量子点复合物110和第二基质材料130。含量子点材料1可以包括多个含量子点复合物110。
第二基质材料130指含量子点材料1中的除了含量子点复合物110以外的材料，并且可以是两种或更多种不同材料的混合物。
含量子点复合物110可以分散在第二基质材料130中。
含量子点复合物110可以包括量子点111和第一基质材料113。含量子点复合物110可以包括多个量子点111。
第一基质材料113指含量子点复合物110中的除了量子点111以外的材料，并且可以是两种或更多种不同材料的混合物。
量子点111可以分散在第一基质材料113中。
量子点111可以是能够通过光刺激而发射光的量子点颗粒。例如，量子点111可以包括：II-VI族半导体化合物；III-VI族半导体化合物；III-V族半导体化合物；IV-VI族半导体化合物；IV族元素或包括其的化合物；I-III-VI族半导体化合物；或它们的任何组合。
II-VI族半导体化合物可以包括：二元化合物，诸如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgS和/或MgSe等；三元化合物，诸如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnS和/或MgZnSe等；四元化合物，诸如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe和/或HgZnSTe等；或它们的任何组合。
III-VI族半导体化合物可以包括：二元化合物，诸如In2S3和/或In2Se3等；三元化合物，诸如InGaS3和/或InGaSe3等；或它们的任何组合。
III-V族半导体化合物可以包括：二元化合物，诸如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs和/或InSb等；三元化合物，诸如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InAlP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs和/或InPSb等；四元化合物，诸如GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs和/或InAlPSb等；或它们的任何组合。III-V族半导体化合物还可以包括II族金属(例如，III-V族半导体化合物可以包括InZnP等)。
IV-VI族半导体化合物可以包括：二元化合物，诸如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe和/或PbTe等；三元化合物，诸如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe和/或SnPbTe等；以及四元化合物，诸如SnPbSSe、SnPbSeTe和/或SnPbSTe等；或它们的任何组合。
IV族元素或包括其的化合物可以包括：Si和/或Ge；二元化合物，诸如SiC和/或SiGe等；或它们的任何组合。
I-III-VI族半导体化合物可以包括：三元化合物，诸如AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、CuGaO2、AgGaO2和/或AgAlO2等；或它们的任何组合。
量子点111可以具有其中其组分和组成均匀的单一(例如，均匀)结构，或者诸如核-壳结构和/或梯度结构等的复合结构。在核-壳结构中，壳可以是其中其组分和组成均匀的单层，或者具有两个或更多个层的多层，所述两个或更多个层具有不同组分和/或组成。
例如，在核-壳结构中，用于形成核的材料和用于形成壳的材料中的每个可以选自于上述半导体化合物。
在一个或更多个实施例中，量子点111可以包括III-V族半导体化合物。
在一个或更多个实施例中，量子点111可以包括In。
在一个或更多个实施例中，量子点111可以包括In和P。
在一个或更多个实施例中，量子点111可以包括III-V族半导体化合物和II-VI族半导体化合物。
在一个或更多个实施例中，量子点111可以具有核-壳结构。核可以包括III-V族半导体化合物，壳可以包括II-VI族半导体化合物。
在一个或更多个实施例中，量子点111可以具有核-壳结构。核可以包括GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InAlP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb或它们的任何组合，壳可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgS、MgSe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnS、MgZnSe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe或它们的任何组合。
在一个或更多个实施例中，量子点111可以具有核-壳结构。核可以包括CdSe、CdS、ZnS、ZnSe、CdTe、CdSeTe、CdZnS、PbSe、AgInZnS、ZnO、InN、InP、InAs、InSb、InGaP或它们的任何组合，壳可以包括CdSe、ZnSe、ZnS、ZnSeS、ZnTe、CdTe、PbS、TiO、SrSe、HgSe或它们的任何组合。
在一个或更多个实施例中，量子点111可以具有包括InP/ZnS或InP/ZnSeS的核-壳结构。
量子点111可以根据一种或更多种合适的方法(诸如湿化学工艺、金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺和/或分子束外延(MBE)工艺)合成。
量子点111的平均粒径可以为1nm至20nm，例如，1nm至15nm，并且例如，1nm至10nm。
当量子点111具有核-壳结构时，核的半径与壳的厚度的比可以为2:8至8:2，例如3:7至7:3，并且例如4:6至6:4。
含量子点复合物110中的量子点111的数量可以为50个至2,000个，例如，100个至1,000个。含量子点复合物110中的量子点111的数量可以使用扫描电子显微镜(SEM)或透射电子显微镜(TEM)来测量。
基于100重量份的含量子点复合物110，含量子点复合物110中的量子点111的含量(例如，量)可以为约0.01重量份至约10重量份，例如，约0.1重量份至约2重量份。当含量子点复合物110中的量子点111的含量在上述范围内时，含量子点材料1可以具有优异的(或合适的)光转换效率。
第一基质材料113的折射率可以大于第二基质材料130的折射率。因此，入射在含量子点材料1上的光可以在含量子点复合物110中实现多重反射。就这点而言，可以增加含量子点复合物110中的量子点111的光吸收，从而增加含量子点材料1的光转换效率。因此，可以不使用单独的散射剂(例如，氧化物基散射剂，诸如TiO2等)以诱导入射在含量子点材料1上的光的多重反射和/或散射。因此，可以基本防止由于由量子点111的平均粒径与传统散射剂的平均粒径之间的差异引起的不良颗粒分散而导致的含量子点材料1的不良质量的问题。
在说明书中，如这里使用的术语“折射率”指相对于钠(Na)(λ＝589nm，黄色)的D线的绝对折射率。例如，折射率可以是例如使用柯西方程(例如，柯西膜模型(Cauchy FilmModel))在25℃的温度和50％的相对湿度下利用折射率仪(例如，椭偏仪，M-2000，J.A.Woollam)基于589nm的波长测量的绝对折射率。
可以使用折射率仪(例如，椭偏仪，M-2000，J.A.Woollam)如下评价第一基质材料113和第二基质材料130中的每个的折射率：除了其中的量子点111之外，可以测量含量子点材料1中的第一基质材料113和第二基质材料130中的每个的折射率；或者可以测量仅由第一基质材料113组成而没有量子点111的薄膜或颗粒以及由第二基质材料130组成而没有量子点111的薄膜或颗粒中的每个的折射率。
第一基质材料113的折射率可以为1.55至2.00，例如，1.55至1.85，并且在一个或更多个实施例中，可以为1.580至1.802。第二基质材料130的折射率可以为1.30至1.55，例如，1.40至1.50，并且在一个或更多个实施例中，可以为1.490。在一个或更多个实施例中，第一基质材料113的折射率与第二基质材料130的折射率之间的差可以为0.05至0.60，例如，0.06至0.45，并且在一个或更多个实施例中，为0.090至0.312。通过满足上述范围，可以有效地诱导入射在含量子点材料1上的光的多重反射，从而提高含量子点复合物110的量子点111的光吸收率。因此，也可以提高含量子点材料1的光转换效率。
第一基质材料113和第二基质材料130中的每个可以包括能够提供上述折射率的材料。
第一基质材料113可以包括用作量子点111分散在其中的介质的第一聚合物。
第一聚合物可以是通过使如这里描述的第一单体聚合(例如，通过使如这里描述的第一单体溶液聚合)得到的聚合物。
例如，第一单体可以包括水溶性乙烯基类单体、水溶性丙烯酸类单体、水溶性丙烯酰胺类单体或它们的任何组合。第一单体可以通过参照下面提供的对其的描述来理解。
基于100重量份的第一基质材料113，第一聚合物的含量(例如，量)可以为约70重量份至约100重量份，例如，约80重量份至约100重量份。当第一聚合物的含量在上述范围内时，第一基质材料113可以具有优异的(或合适的)刚性，并且量子点111可以相对均匀地分散在第一基质材料113中。
除了第一聚合物之外，第一基质材料113还可以包括聚合引发剂。聚合引发剂可以是能够引发如这里描述的第一单体的聚合的任何材料。例如，聚合引发剂可以是在溶液聚合中使用的任何聚合引发剂。
在一个或更多个实施例中，聚合引发剂可以包括过硫酸钾(KPS)。
在一个或更多个实施例中，为了改善量子点111的分散程度，第一基质材料113还可以包括分散剂等。分散剂可以与这里描述的相同。
第二基质材料130可以包括用作含量子点复合物110分散在其中的介质的第二聚合物。
第二聚合物可以是通过使第二单体聚合(例如，通过使第二单体光聚合)得到的聚合物。
例如，第二单体可以包括丙烯酸类单体。第二单体可以通过参照下面提供的对其的描述来理解。
基于100重量份的第二基质材料130，第二聚合物的含量(例如，量)可以为约10重量份至约90重量份，例如，约20重量份至约80重量份。当第二聚合物的量在上述范围内时，第二基质材料130可以具有优异的(或合适的)刚性，并且含量子点复合物110可以相对均匀地分散在第二基质材料130中。
除了第二聚合物之外，第二基质材料130还可以包括聚合引发剂。聚合引发剂可以是能够引发第二单体聚合的任何材料。例如，聚合引发剂可以是在光聚合中使用的任何合适的光聚合引发剂。光聚合引发剂可以通过参照下面提供的对其的描述来理解。
除了第二聚合物和聚合引发剂之外，第二基质材料130还可以包括碱溶性树脂、分散剂、添加剂或它们的任何组合。碱溶性树脂、分散剂和添加剂可以通过参照下面提供的对其的描述来理解。
含量子点复合物110可以是球形颗粒。例如，含量子点复合物110可以是球形颗粒，并且其表面可以是光滑的。当含量子点复合物110是球形颗粒时，含量子点复合物110可以通过单独的工艺制备，然后，可以与用于形成作为球形形式(即，其中溶剂等被去除的珠或粉末形式)的第二基质材料130的混合物混合。因此，在含量子点材料1中，可以清楚地区分含量子点复合物110与第二基质材料130之间的边界。
如此，“含量子点复合物110”和“第二基质材料130”清楚地区别于可对比的“含量子点区域”和“不含量子点区域”，其中，通过将含量子点溶液和聚合物溶液混合，然后由于含量子点溶液与聚合物溶液之间的极性差异而使含量子点溶液和聚合物溶液部分地相分离来诱导“含量子点区域”和“不含量子点区域”。当通过相分离来诱导“含量子点区域”和“不含量子点区域”时，“含量子点区域”与“不含量子点区域”之间的边界可能是不清楚的。另外，“含量子点区域”在外观上可能是不规则的，具有不光滑的表面，并且具有非常高的均匀系数。因此，包括如上所述的通过相分离诱导的“含量子点区域”和“不含量子点区域”的可对比的含量子点材料会具有不良的光转换效率。
含量子点复合物110的平均粒径(D50)可以为约40nm至1,000nm，例如，约50nm至约1,000nm或者约100nm至约500nm，并且在一个或更多个实施例中，可以为约100nm至约200nm。当含量子点复合物110的平均粒径D50在上述范围内时，包括相对大量的量子点111的含量子点复合物110可以以优异的(或合适的)分散程度分散在第二基质材料130中。
含量子点复合物110的均匀系数(D60/D10)可以为约1.0至约2.0，例如，约1.4至约1.8。当含量子点复合物110的均匀系数在上述任何范围内时，含量子点复合物110的平均粒径D50可以引起高度的均匀性，因此，含量子点复合物110可以以优异的(或合适的)分散程度分散在第二基质材料130中。
可以通过如下来测量平均粒径D50：通过使用粒度分析仪测量含量子点复合物110的粒度分布曲线，然后通过测量以通过质量百分比(passage mass percentage)计对应于50％的粒径。
可以通过如下来测量均匀系数D60/D10：通过使用粒度分析仪评价含量子点复合物110的粒度分布曲线，然后通过评价D60(即，以通过质量百分比计对应于60％的粒径)与D10(即，以通过质量百分比计对应于10％的粒径)的比。
含量子点材料1可以具有填充设定或预定空间的不规则形状，或者可以具有薄膜形式。当含量子点材料1具有薄膜形式时，“含量子点材料1”可以被称为“含量子点薄膜1”。这里，薄膜的厚度可以为约0.1μm至约100μm，例如，约1μm至约10μm。
本公开的另一实施例提供了一种制备含量子点材料1的方法，所述方法包括：
制备包括量子点111、第一单体、聚合引发剂和溶剂的第一组合物；
通过将第一组合物中的第一单体转化为至少一部分第一基质材料113来制备第二组合物，第二组合物包括含量子点复合物110和溶剂，含量子点复合物110包括量子点111和其中分散有量子点111的第一基质材料113；
通过从第二组合物去除溶剂来获得含量子点复合物110；
制备包括含量子点复合物110、第二单体、聚合引发剂和溶剂的第三组合物；以及
通过将第三组合物中的第二单体转化为至少一部分第二基质材料130来制备含量子点材料1，含量子点材料1包括含量子点复合物110和其中分散有含量子点复合物110的第二基质材料130。
这里，第一基质材料113的折射率可以如上所述大于第二基质材料130的折射率。
在下文中，可以在下面将更详细地描述制备含量子点材料1的方法。
首先，制备包括量子点111、第一单体、聚合引发剂和溶剂的第一组合物。
第一组合物中的量子点111与这里描述的相同。
基于100重量份的第一组合物，量子点111的含量(例如，量)可以为约0.1重量份至约10重量份，例如，约0.1重量份至约5重量份。当量子点111的含量在上述范围内时，可以制备具有优异的(或合适的)光转换效率的含量子点材料1。
第一组合物中的第一单体可以是可通过溶液聚合聚合的单体。
例如，第一组合物中的第一单体可以包括乙烯基类单体、丙烯酸类单体、丙烯酰胺类单体或它们的任何组合。
在一个或更多个实施例中，第一组合物中的第一单体可以包括水溶性乙烯基类单体、水溶性丙烯酸类单体、水溶性丙烯酰胺类单体或它们的任何组合。
在一个或更多个实施例中，第一单体可以是由式1-1至式1-3中的一个表示的基团：
在式1-1至式1-3中，
L1可以是单键、C(R5)(R6)、N(R5)、O或S，
a1可以是1至10的整数，并且当a1为2或更大时，两个或更多个L1可以彼此相同或不同，
R1至R6可以均独立地为氢、氘、C1-C20烷基、苯基或联苯基，并且
*表示与相邻原子的结合位。
在一个或更多个实施例中，第一单体可以包括环型(例如，含环)乙烯基类单体、环型(例如，含环)丙烯酸类单体、环型(例如，含环)丙烯酰胺类单体或它们的任何组合。环型乙烯基类单体、环型丙烯酸类单体和环型丙烯酰胺类单体可以均独立地为化合物，该化合物具有：1)至少一个取代或未取代的C5-C60碳环基、至少一个取代或未取代的C1-C60杂环基或者它们的任何组合；以及2)乙烯基类基团(例如，由式1-1表示的基团)、丙烯酸酯类基团(例如，由式1-2表示的基团)、丙烯酰胺类基团(例如，由式1-3表示的基团)或它们的任何组合。
例如，环型乙烯基类单体可以通过参照下面的化合物1和化合物11来理解，环型丙烯酸类单体可以通过参照下面的化合物2至化合物8、化合物10以及化合物101至化合物107来理解，环型丙烯酰胺类单体可以通过参照下面的化合物9来理解。
在一个或更多个实施例中，第一单体可以是由式1表示的化合物：
式1
(A1)n1-L-(A2)n2。
在式1中，
A1可以是由式2-1至式2-9中的一个表示的基团、从有机发光器件的有机层中的空穴传输材料衍生的基团、从有机发光器件的有机层中的发光材料衍生的基团或者从有机发光器件的有机层中的电子传输材料衍生的基团，
L可以是单键、双键、O或S，
A2可以是乙烯基类基团(例如，由式1-1表示的基团)、丙烯酸酯类基团(例如，由式1-2表示的基团)或丙烯酰胺类基团(例如，由式1-3表示的基团)，并且
n1和n2可以均独立地为1至10的整数，其中，当n1为2或更大时，两个或更多个A1可以彼此相同或不同，并且当n2为2或更大时，两个或更多个A2可以彼此相同或不同：
在式2-1至式2-9中，
R11至R14可以均独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基或者取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基，并且
*表示与式1中的L或A2的结合位。
在本说明书中，如这里使用的术语“从空穴传输材料衍生的基团”指空穴传输材料的任何原子被自由基化并且变成能够化学结合到式1中的L或A2的结合位的单价基团。在本说明书中，如这里使用的术语“从发光材料衍生的基团”和术语“从电子传输材料衍生的基团”也可以以相同的含义解释。
“从空穴传输材料衍生的基团”中的空穴传输材料、“从发光材料衍生的基团”中的发光材料以及“从电子传输材料衍生的基团”中的电子传输材料中的每个的示例如下：
空穴传输材料的示例
空穴传输材料可以是由式201表示的化合物或由式202表示的化合物：
式201
式202
在式201和式202中，
L201至L204可以均独立地为取代或未取代的C3-C10亚环烷基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代或未取代的C3-C10亚环烯基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代或未取代的C6-C60亚芳基、取代或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代或未取代的二价非芳香缩合多环基或者取代或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，
L205可以为*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q201)-*'、取代或未取代的C1-C20亚烷基、取代或未取代的C2-C20亚烯基、取代或未取代的C3-C10亚环烷基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代或未取代的C3-C10亚环烯基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代或未取代的C6-C60亚芳基、取代或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代或未取代的二价非芳香缩合多环基或者取代或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，
xa1至xa4可以均独立地为0、1、2或3(例如，0、1或2)，
xa5可以为1至10的整数(例如，1、2、3或4)，并且
R201至R204和Q201可以均独立地为取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基或者取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基。
例如，在式202中，R201和R202可以可选择地经由单键、二甲基-亚甲基或二苯基-亚甲基彼此连接，R203和R204可以可选择地经由单键、二甲基-亚甲基或二苯基-亚甲基彼此连接。
在一个或更多个实施例中，空穴传输材料可以是下面的化合物HT1至化合物HT44中的一种、m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、甲基化NPB、TAPC、HMTPD或4,4',4"-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)：
发光材料的示例
发光材料可以是由下面的式301表示的化合物：
式301
[Ar301]xb11-[(L301)xb1-R301]xb21。
在式301中，
Ar301可以为取代或未取代的C5-C60碳环基或者取代或未取代的C1-C60杂环基，
xb11可以为1、2或3，
L301可以为取代或未取代的C3-C10亚环烷基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代或未取代的C3-C10亚环烯基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代或未取代的C6-C60亚芳基、取代或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代或未取代的二价非芳香缩合多环基、取代或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，
xb1可以为0、1、2、3、4或5，
R301可以为氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q301)(Q302)(Q303)、-N(Q301)(Q302)、-B(Q301)(Q302)、-C(＝O)(Q301)、-S(＝O)2(Q301)或-P(＝O)(Q301)(Q302)，
xb21可以为1、2、3、4或5，并且
Q301至Q303可以均独立地限定为与结合Q1描述的相同。
例如，当式301中的xb11为2或更大时，两个或更多个Ar301可以经由单键彼此连接。
在一个或更多个实施例中，发光材料可以是下面的化合物H1至化合物H36中的一种、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)、1,3-二-9-咔唑基苯(mCP)或1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)：
电子传输材料的示例
电子传输材料可以是由式601-1表示的化合物：
式601-1
在式601-1中，
X614可以为N或C(R614)，X615可以为N或C(R615)，X616可以为N或C(R616)，并且X614至X616中的至少一个可以为N，
L611至L613可以均独立地选自于取代或未取代的C3-C10亚环烷基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代或未取代的C3-C10亚环烯基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代或未取代的C6-C60亚芳基、取代或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代或未取代的二价非芳香缩合多环基以及取代或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，
xe611至xe613可以均独立地为0至5的整数，
R611至R613可以均独立地为取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基、取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q601)(Q602)(Q603)、-C(＝O)(Q601)、-S(＝O)2(Q601)或-P(＝O)(Q601)(Q602)，并且
R614至R616可以均独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基。
Q601至Q603可以均独立地限定为与结合Q1描述的相同。
例如，式601-1中的xe611至xe613可以均独立地为0、1或2。
在一个或更多个实施例中，电子传输材料可以是化合物ET1至化合物ET36中的一种：
取代基的一般定义
如这里使用的术语“C1-C60烷基”可以指具有1个至60个碳原子的直链或支链的饱和脂肪族烃单价基团，并且其非限制性示例包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和/或叔癸基等。如这里使用的术语“C1-C60亚烷基”可以指与C1-C60烷基具有相同结构的二价基团。
如这里使用的术语“C2-C60烯基”可以指在沿C2-C60烷基的烃链的一个或更多个位置中(例如，在C2-C60烷基的中间和/或末端处)具有至少一个碳-碳双键的单价烃基，并且其非限制性示例包括乙烯基、丙烯基和/或丁烯基等。如这里使用的术语“C2-C60亚烯基”可以指与C2-C60烯基具有相同结构的二价基团。
如这里使用的术语“C2-C60炔基”可以指在沿C2-C60烷基的烃链的一个或更多个位置中(例如，在C2-C60烷基的中间和/或末端处)具有至少一个碳-碳三键的单价烃基，并且其非限制性示例包括乙炔基和/或丙炔基等。如这里使用的术语“C2-C60亚炔基”可以指与C2-C60炔基具有相同结构的二价基团。
如这里使用的术语“C1-C60烷氧基”可以指由-OA101(其中，A101为C1-C60烷基)表示的单价基团，并且其非限制性示例包括甲氧基、乙氧基和/或异丙氧基等。
如这里使用的术语“C3-C10环烷基”可以指具有3个至10个碳原子的单价饱和烃单环基团，并且其非限制性示例包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、双环[1.1.1]戊基、双环[2.1.1]己基、双环[2.2.1]庚基和/或双环[2.2.2]辛基等。如这里使用的术语“C3-C10亚环烷基”可以指与C3-C10环烷基具有相同结构的二价基团。
如这里使用的术语“C1-C10杂环烷基”可以指具有至少一种杂原子(例如，N、O、Si、P、S或它们的任何组合)作为成环原子以及1个至10个碳原子的单价单环基团。C1-C10杂环烷基的非限制性示例包括1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和/或四氢噻吩基等。如这里使用的术语“C1-C10亚杂环烷基”可以指与C1-C10杂环烷基具有相同结构的二价基团。
如这里使用的术语“C3-C10环烯基”可以指在其环中具有3个至10个碳原子、至少一个碳-碳双键并且没有芳香性的单价单环基团。C3-C10环烯基的非限制性示例包括环戊烯基、环己烯基和/或环庚烯基等。如这里使用的术语“C3-C10亚环烯基”可以指与C3-C10环烯基具有相同结构的二价基团。
如这里使用的术语“C1-C10杂环烯基”可以指在其环中具有至少一种杂原子(例如，N、O、Si、P、S或它们的任何组合)作为成环原子、1个至10个碳原子以及至少一个双键的单价单环基团。C1-C10杂环烯基的非限制性示例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和/或2,3-二氢噻吩基等。如这里使用的术语“C1-C10亚杂环烯基”可以指与C1-C10杂环烯基具有相同结构的二价基团。
如这里使用的术语“C6-C60芳基”可以指具有包括6个至60个碳原子的单价碳环芳香体系的单价基团。C6-C60芳基的非限制性示例包括苯基、并环戊二烯基、萘基、甘菊环基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蒄基和/或卵苯基等。如这里使用的术语“C6-C60亚芳基”可以指与C6-C60芳基具有相同结构的二价基团。当C6-C60芳基和C6-C60亚芳基均独立地包括两个或更多个环时，各个环可以彼此缩合。
如这里使用的术语“C1-C60杂芳基”可以指具有杂环芳香体系的单价基团，该杂环芳香体系具有至少一种杂原子(例如，N、O、Si、P、S或它们的任何组合)作为成环原子以及1个至60个碳原子。C1-C60杂芳基的非限制性示例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基和/或萘啶基等。如这里使用的术语“C1-C60亚杂芳基”可以指与C1-C60杂芳基具有相同结构的二价基团。当C1-C60杂芳基和C1-C60亚杂芳基均独立地包括两个或更多个环时，各个环可以彼此缩合。
这里使用的术语“C6-C60芳氧基”可以指由-OA102(其中，A102为C6-C60芳基)表示的单价基团，如这里使用的术语“C6-C60芳硫基”可以指由-SA103(其中，A103为C6-C60芳基)表示的单价基团。
如这里使用的术语“单价非芳香缩合多环基”可以指具有彼此缩合的两个或更多个环、仅碳原子(例如，具有8个至60个碳原子)作为成环原子并且在其整个分子结构中没有芳香性的单价基团。单价非芳香缩合多环基的非限制性示例包括茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基和/或茚并蒽基等。如这里使用的术语“二价非芳香缩合多环基”可以指与单价非芳香缩合多环基具有相同结构的二价基团。
如这里使用的术语“单价非芳香缩合杂多环基”可以指具有彼此缩合的两个或更多个环、杂原子(例如，N、O、Si、P、S或它们的任何组合)作为成环原子、碳原子(例如，1个至60个碳原子)作为其余成环原子并且在其整个分子结构中没有芳香性的单价基团。单价非芳香缩合杂多环基的非限制性示例包括吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和/或苯并噻吩并二苯并噻吩基等。如这里使用的术语“二价非芳香缩合杂多环基”可以指与单价非芳香缩合杂多环基具有相同结构的二价基团。
如这里使用的术语“C5-C60碳环基”可以指仅具有5个至60个碳原子作为成环原子的单环基团或多环基团。C5-C60碳环基可以是芳香碳环基或非芳香碳环基。C5-C60碳环基可以是诸如苯的化合物、诸如苯基的单价基团或者诸如亚苯基的二价基团。在一个或更多个实施例中，根据连接到C5-C60碳环基的取代基的数量，C5-C60碳环基可以被不同地修改为三价基团或四价基团。
C5-C60碳环基的非限制性示例包括环戊二烯基、苯基、并环戊二烯基、萘基、甘菊环基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、
基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蒄基、卵苯基、茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基和/或茚并蒽基等。
如这里使用的术语“C1-C60杂环基”可以指具有1个至60个碳原子和杂原子(例如，N、O、Si、P、S或它们的任何组合)作为成环原子的单环基团或多环基团。C1-C60杂环基的非限制性示例包括芳香杂环基或非芳香杂环基。C1-C60杂环基可以是诸如吡啶的化合物、诸如吡啶基的单价基团或诸如亚吡啶基的二价基团。在一个或更多个实施例中，根据连接到C1-C60杂环基的取代基的数量，C1-C60杂环基可以被不同地修改为三价基团或四价基团。
C1-C60杂环基的非限制性示例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基、萘啶基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和/或苯并噻吩并二苯并噻吩基等。
取代的C5-C60碳环基、取代的C1-C60杂环基、取代的C1-C20亚烷基、取代的C2-C20亚烯基、取代的C1-C60亚烷基、取代的C2-C60亚烯基、取代的C3-C10亚环烷基、取代的C1-C10亚杂环烷基、取代的C3-C10亚环烯基、取代的C1-C10亚杂环烯基、取代的C6-C60亚芳基、取代的C1-C60亚杂芳基、取代的二价非芳香缩合多环基、取代的二价非芳香缩合杂多环基、取代的C1-C60烷基、取代的C2-C60烯基、取代的C2-C60炔基、取代的C1-C60烷氧基、取代的C3-C10环烷基、取代的C1-C10杂环烷基、取代的C3-C10环烯基、取代的C1-C10杂环烯基、取代的C6-C60芳基、取代的C6-C60芳氧基、取代的C6-C60芳硫基、取代的C1-C60杂芳基、取代的单价非芳香缩合多环基和取代的单价非芳香缩合杂多环基的取代基可以为：
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；
均未被取代或取代有氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)、-P(＝O)(Q11)(Q12)或它们的任何组合的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基或C1-C60烷氧基；
均未被取代或取代有氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)或它们的任何组合的C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基或单价非芳香缩合杂多环基；
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)或-P(＝O)(Q31)(Q32)；或者
它们的任何组合。
在本说明书中，Q1、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33可以均独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩合杂多环基、联苯基或三联苯基。
在一个或更多个实施例中，第一组合物中的第一单体可以是下面的化合物1至化合物11和化合物101至化合物107中的一种或它们的任何组合：
基于100体积份的第一组合物，第一单体的含量(例如，量)可以为约5体积份至约20体积份。当第一单体的含量在上述范围内时，可以制备其中均匀地(或基本均匀地)分散有量子点111的含量子点复合物110。
在第一组合物中，聚合引发剂可以是能够引发第一单体的聚合的任何聚合引发剂。例如，聚合引发剂可以是适用于溶液聚合的水溶性聚合引发剂。
在一个或更多个实施例中，第一组合物中的聚合引发剂可以是KPS。
在第一组合物中，溶剂可以是可以与第一单体等适当地混合的任何溶剂。例如，第一组合物中的溶剂可以是水。
基于100体积份的第一组合物，溶剂的含量(例如，量)可以为约70体积份至约99体积份。当溶剂的含量在上述范围内时，可以制备其中量子点111以均匀的(或基本均匀的)分散程度分散在第一基质材料113中的含量子点复合物110。
接下来，可以将第一组合物中的第一单体转化为至少一部分第一基质材料113，使得可以制备包括溶剂和含量子点复合物110的第二组合物，在含量子点复合物110中量子点111分散在第一基质材料113中。“将第一单体转化为至少一部分第一基质材料113”的步骤可以被理解为“通过第一单体的聚合来形成第一聚合物”的步骤。
在一个或更多个实施例中，第一组合物中的溶剂可以是水，第一组合物中的第一单体可以包括水溶性乙烯基类单体、水溶性丙烯酸类单体、水溶性丙烯酰胺类单体或它们的任何组合。第一组合物还可以包括水溶性聚合引发剂，并且可以通过使用溶液聚合来执行第二组合物的制备。
例如，第二组合物的制备可以包括在约50℃至约150℃的温度和约300rpm至约800rpm的速度的条件下搅拌第一组合物。当满足如上所述的条件时，可以将第一单体有效地转化为至少一部分第一基质材料113，并且含量子点复合物110可以具有球形颗粒形式。
此后，通过从第二组合物去除溶剂，可以获得含量子点复合物110。可以通过使用冻干(或冷冻干燥)来执行含量子点复合物110的获得。
然后，可以制备包括含量子点复合物110、第二单体、聚合引发剂和溶剂的第三组合物。
基于100重量份的第三组合物，含量子点复合物110的含量(例如，量)可以为约5重量份至约25重量份，例如，约10重量份至约20重量份。当含量子点复合物110的含量在上述任何范围内时，可以制备具有优异的(或合适的)光转换效率的含量子点材料1，同时保持含量子点复合物110在第三组合物中的优异的(或合适的)分散程度。
第三组合物中的第二单体可以是可光聚合单体。例如，第二单体可以是丙烯酸类单体。
丙烯酸类单体的非限制性示例包括：单官能(甲基)丙烯酸酯单体，诸如(甲基)丙烯酸2-乙基苯氧酯、(甲基)丙烯酸2-乙基噻吩酯、(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸联苯甲酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸2-苯基乙酯、(甲基)丙烯酸3-苯基丙酯、(甲基)丙烯酸4-苯基丁酯、(甲基)丙烯酸2-(2-甲基苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(3-甲基苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-甲基苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-丙基苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-(1-甲基乙基)苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-甲氧基苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-环己基苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(2-氯苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(3-氯苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-氯苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-溴苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(3-苯基苯基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-苄基苯基)乙酯和/或丙烯酸邻苯基苯氧基乙酯等；二官能(甲基)丙烯酸酯单体，诸如二(甲基)丙烯酸二环戊烯基酯、己内酯改性的二(甲基)丙烯酸二环戊烯基酯、烯丙基化的二(甲基)丙烯酸环己酯、二(甲基)丙烯酸三环癸二甲醇酯、二羟甲基二环戊烷二(甲基)丙烯酸酯、9,9-双[4-(2-丙烯酰氧基乙氧基)苯基]芴、双芴二(甲基)丙烯酸酯、双酚改性的芴二(甲基)丙烯酸酯、苯基改性的聚氨酯二(甲基)丙烯酸酯和/或双芴改性的聚氨酯二(甲基)丙烯酸酯等；三官能(甲基)丙烯酸酯单体，诸如三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三(2-羟乙基)异氰脲酸酯三(甲基)丙烯酸酯、三(甲基)丙烯酸甘油酯、三(甲基)丙烯酸季戊四醇酯、三(甲基)丙烯酸二季戊四醇酯和/或二三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯等；四官能(甲基)丙烯酸酯单体，诸如四(甲基)丙烯酸季戊四醇酯、二三羟甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯和/或四(甲基)丙烯酸二季戊四醇酯等；五官能(甲基)丙烯酸酯单体，诸如五(甲基)丙烯酸二季戊四醇酯和/或二三羟甲基丙烷五(甲基)丙烯酸酯等；六官能(甲基)丙烯酸酯单体，诸如六(甲基)丙烯酸二季戊四醇酯和/或二三羟甲基丙烷六(甲基)丙烯酸酯等；或它们的任何组合。
第二单体可以不包括环氧类单体。
基于100重量份的第三组合物，第二单体的含量(例如，量)可以为约10重量份至约50重量份。当第二单体的含量在上述范围内时，由于在曝光期间曝光部分的有效形成，第二基质材料130可以具有高刚性。
第三组合物中的聚合引发剂可以是任何合适的聚合引发剂，诸如能够引发第二单体聚合的任何合适的光聚合引发剂。
就聚合特性、引发效率、吸收波长、可用性和/或成本等而言，光聚合引发剂可以是丙酮类化合物、二苯甲酮类化合物、三嗪类化合物、联咪唑类化合物、肟化合物、噻吨酮类化合物或它们的任何组合。
丙酮类化合物的非限制性示例包括二乙氧基苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、苄基二甲基缩酮、2-羟基-1-[4-(2-羟基乙氧基)苯基]-2-甲基丙烷-1-酮、1-羟基环己基苯基酮、2-甲基-1-(4-甲基噻吩基)-2-吗啉代丙烷-1-酮、2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉代苯基)丁烷-1-酮、2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙烷-1-酮和/或2-(4-甲基苄基)-2-(二甲基氨基)-1-(4-吗啉代苯基)丁烷-1-酮等。
二苯甲酮类化合物的非限制性示例包括二苯甲酮、邻苯甲酰基苯甲酸甲酯、4-苯基二苯甲酮、4-苯甲酰基-4'-甲基二苯基硫醚、3,3',4,4'-四(叔丁基过氧羰基)二苯甲酮和/或2,4,6-三甲基二苯甲酮等。
三嗪类化合物的非限制性示例包括2,4-双(三氯甲基)-6-(4-甲氧基苯基)-1,3,5-三嗪、2,4-双(三氯甲基)-6-(4-甲氧基萘基)-1,3,5-三嗪、2,4-双(三氯甲基)-6-胡椒基-1,3,5-三嗪、2,4-双(三氯甲基)-6-(4-甲氧基苯乙烯基)-1,3,5-三嗪、2,4-双(三氯甲基)-6-[2-(5-甲基呋喃-2-基)乙烯基]-1,3,5-三嗪、2,4-双(三氯甲基)-6-[2-(呋喃-2-基)乙烯基]-1,3,5-三嗪、2,4-双(三氯甲基)-6-[2-(4-二乙基氨基-2-甲基苯基)乙烯基]-1,3,5-三嗪和/或2,4-双(三氯甲基)-6-[2-(3,4-二甲氧基苯基)乙烯基]-1,3,5-三嗪等。
联咪唑类化合物的非限制性示例包括2,2'-双(2-氯苯基)-4,4',5,5'-四苯基联咪唑、2,2'-双(2,3-二氯苯基)-4,4',5,5'-四苯基联咪唑、2,2'-双(2-氯苯基)-4,4',5,5'-四(烷氧基苯基)联咪唑、2,2'-双(2-氯苯基)-4,4',5,5'-四(三烷氧基苯基)联咪唑、2,2-双(2,6-二氯苯基)-4,4',5,5'-四苯基-1,2'-联咪唑和/或其中在4,4',5,5'位处的苯基被烷氧羰基取代的联咪唑化合物等。
肟化合物的非限制性示例包括邻乙氧羰基-α-氧亚氨基-1-苯基丙烷-1-酮等。
噻吨酮类化合物的非限制性示例包括2-异丙基噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、2,4-二氯噻吨酮和/或1-氯-4-丙氧基噻吨酮等。
可商购的光聚合引发剂的非限制性示例包括：Irgacure-907、Irgacure 184、Irgacure 819、Irgacure 250、Darocur 1173、Irgacure OXE 01和Irgacure OXE 02(由BASF制造)；WPI-113、WPI-116、WPI-169、WPI-170、WPI-124、WPAG-638、WPAG-469、WPAG-370、WPAG-367和WPAG-336(由Wako Pure Chemical Industries,Ltd.制造)；B2380、B2381、C1390、D2238、D2248、D2253、I0591、T1608、T1609、T2041和T2042(由TOKYO CHEMICALINDUSTRY CO.,LTD.制造)；AT-6992、AT-6976(由ACETO制造)；CPI-100、CPI-100P、CPI-101A、CPI-200K和CPI-210S(由San-Apro Ltd.制造)；SP-056、SP-066、SP-130、SP-140、SP-150、SP-170、SP-171和SP-172(由ADEKA CORPORATION制造)；CD-1010、CD-1011和CD-1012(由Satomer Co.,Ltd.制造)；San Aid SI-60、SI-80、SI-100、SI-60L、SI-80L、SI-100L、SI-L145、SI-L150、SI-L160、SI-L110和SI-L147(由SANSHIN CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.制造)；以及PI2074(由Rhodia Japan,Ltd.制造)。
基于100重量份的第三组合物，光聚合引发剂的含量(例如，量)可以为约0.1重量份至约10重量份，例如，约2重量份至约8重量份。当光聚合引发剂的含量在上述任何范围内时，由于在曝光期间曝光部分的有效形成，第二基质材料130可以具有高刚性。
第三组合物中的溶剂可以选自于可与含量子点复合物110、第二单体和/或聚合引发剂等混合的合适溶剂。
第三组合物中的溶剂的非限制性示例包括：烷撑二醇烷基醚类溶剂，诸如乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丙醚、乙二醇单丁醚、丙二醇单甲醚和/或丙二醇甲基乙醚等；二乙二醇二烷基醚类溶剂，诸如二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇二丙醚和/或二乙二醇二丁醚等；烷撑二醇烷基醚乙酸酯类溶剂，诸如乙酸甲基溶纤剂、乙酸乙基溶纤剂、丙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇单乙醚乙酸酯和/或丙二醇单丙醚乙酸酯等；烷氧基乙酸烷基酯类溶剂，诸如甲氧基乙酸丁酯和/或甲氧基乙酸戊酯等；芳香烃类溶剂，诸如苯、甲苯、二甲苯和/或均三甲苯等；酮类溶剂，诸如甲基乙酮、丙酮、甲基戊酮、甲基异丁酮和/或环己酮等；醇类溶剂，诸如乙醇、丙醇、丁醇、己醇、环己醇、乙二醇和/或甘油等；酯类溶剂，诸如3-乙氧基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯和/或3-苯基丙酸乙酯等；环状酯类溶剂，诸如γ-丁内酯等；或它们的任何组合。
基于100重量份的第三组合物，溶剂的含量(例如，量)可以为约20重量份至约70重量份，例如，约30重量份至约60重量份。当溶剂的含量在上述任何范围内时，第三组合物可以具有优异的(或合适的)粘度并且可以保持固体在第三组合物中的高分散性。
除了含量子点复合物110、第二单体、聚合引发剂和溶剂之外，第三组合物还可以包括碱溶性树脂、分散剂或它们的任何组合。
碱溶性树脂可以用于：通过对非曝光部分赋予碱溶性而在针对第三组合物曝光之后去除非曝光部分，从而留下曝光部分；使第三组合物的含量子点复合物110均匀地分散在第三组合物中；以及/或者在含量子点材料1的制备期间保护含量子点复合物110。
碱溶性树脂可以具有50至200(KOH mg/g)的酸值。如这里使用的术语“酸值”可以指以中和1g的聚合物所需的氢氧化钾的量(mg)测量的值，并且与溶解度有关。当碱溶性树脂的酸值在上述范围内时，可以实现第三组合物的优异的(或合适的)显影速度、优异的(或合适的)对基底的粘附性和储存稳定性。
碱溶性树脂可以是从含羧基的不饱和单体衍生的聚合物、与单体(该单体可与含羧基的不饱和单体共聚并具有不饱和键)的共聚物或它们的任何组合。
含羧基的不饱和单体的非限制性示例包括不饱和一元羧酸、不饱和二元羧酸、不饱和三元羧酸或它们的任何组合。不饱和一元羧酸的非限制性示例包括丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、α-氯丙烯酸和/或肉桂酸等。不饱和二元羧酸的非限制性示例包括马来酸、富马酸、衣康酸、柠康酸和/或中康酸等。不饱和二元羧酸的非限制性示例包括酸酐(例如，马来酸酐、衣康酸酐和/或柠康酸酐等)。另外，不饱和二元羧酸的非限制性示例包括不饱和二元羧酸的单(2-(甲基)丙烯酰氧基烷基)酯，诸如琥珀酸单(2-丙烯酰氧基乙基)酯、琥珀酸单(2-甲基丙烯酰氧基乙基)酯、邻苯二甲酸单(2-丙烯酰氧基乙基)酯和/或邻苯二甲酸单(2-甲基丙烯酰氧基乙基)酯等。不饱和二元羧酸可以在两端处包括二元羧酸聚合物的单(甲基)丙烯酸酯，并且其非限制性示例包括ω-羧基-聚己内酯单丙烯酸酯和/或ω-羧基-聚己内酯单甲基丙烯酸酯等。含羧基的单体可以单独使用或以两种或更多种的混合物使用。
在一个或更多个实施例中，可与含羧基的不饱和单体共聚的单体可以包括芳香族乙烯基化合物、不饱和羧酸酯化合物、不饱和羧酸氨基烷基酯化合物、不饱和羧酸缩水甘油酯化合物、羧酸乙烯基酯化合物、不饱和醚化合物、氰化乙烯基化合物、不饱和酰胺化合物、不饱和酰亚胺化合物、脂肪族共轭二烯化合物、在分子链末端处具有单丙烯酰基或单甲基丙烯酰基的大分子单体、体积大的单体(bulky monomer)或者它们的任何组合。
基于100重量份的第三组合物，碱溶性树脂的含量(例如，量)可以为约5重量份至约80重量份，例如，约10重量份至约70重量份。当碱溶性树脂的含量在上述范围内时，可以防止或减少显影时曝光部分的像素部分的膜减少，使得可以保护非像素部分的遗漏(或非像素部分的遗漏可以被保护)。
分散剂可以用来改善第三组合物中的含量子点复合物110的去成团效果(deagglomeration effect或“去结团效果”)。为了用作分散剂，可以使用树脂型(例如，含树脂)分散剂，诸如磷酸酯类分散剂、聚氨酯类分散剂和/或丙烯酸类分散剂等。在一个或更多个实施例中，作为分散剂，可以使用由BYK-Chemie公司(BYK-Chemie company)制造的可商购的产品，诸如DISPER BYK-103、DISPER BYK-110、DISPER BYK-111、DISPER BYK-2000、DISPER BYK-2001、DISPER BYK-2011、DISPER BYK-2070、DISPER BYK-2150、DISPER BYK-160、DISPER BYK-161、DISPER BYK-162、DISPER BYK-163、DISPER BYK-164和/或DISPERBYK-166。
基于100重量份的第三组合物，分散剂的含量(例如，量)可以为约0.1重量份至约15重量份，例如，约1重量份至约10重量份。当分散剂的含量在上述任何范围内时，可以基本防止含量子点复合物110在第三组合物中的成团。
在一个或更多个实施例中，第三组合物根据需要还可以包括用于增加对基底的粘附性的粘附促进剂、用于改善涂覆特性的表面活性剂、抗氧化剂、紫外线吸收剂或它们的任何组合。
接下来，可以将第三组合物中的第二单体转化为至少一部分第二基质材料130，使得可以制备其中含量子点复合物110分散在第二基质材料130中的含量子点材料1。
“将第二单体转化为至少一部分第二基质材料130”的步骤(或动作)可以被理解为“通过第二单体的聚合来形成第二聚合物”的步骤(或动作)。
可以通过使用光聚合来执行含量子点材料1的制备。这里，为了制备呈薄膜形式的含量子点材料1，可以在任何合适的基底上提供第三组合物，然后，可以对其执行曝光以执行光聚合。含量子点材料1的制备还可以包括在曝光之前和/或在曝光之后烘烤第三组合物以从第三组合物去除至少一部分溶剂。
在一个或更多个实施例中，第一单体的折射率可以大于第二单体的折射率。
在一个或更多个实施例中，第一单体的折射率可以大于第二单体的折射率，其中，第一单体的折射率可以为约1.55至约2.00，例如，约1.55至约1.85，并且第二单体的折射率可以为约1.30至约1.55，例如，约1.40至约1.50。在一个或更多个实施例中，第一单体的折射率与第二单体的折射率之间的差可以为约0.05至约0.60，例如，约0.06至约0.45。当使用均具有在上述任何范围内的折射率的第一单体和第二单体时，可以更容易地制备满足这里描述的折射率关系的第一基质材料和第二基质材料。
例如，作为第一单体的示例的化合物1至化合物11和化合物101至化合物107的折射率以及作为第二单体的示例的六丙烯酸二季戊四醇酯(DPHA)的折射率总结在下面的表1中。这里，确认的是，第一单体的折射率大于第二单体的折射率。
表1
| 化合物 | 折射率 |
| 化合物1 | 1.620 |
| 化合物2 | 1.565 |
| 化合物3 | 1.577 |
| 化合物4 | 1.600 |
| 化合物5 | 1.663 |
| 化合物6 | 1.628 |
| 化合物7 | 1.692 |
| 化合物8 | 1.731 |
| 化合物9 | 1.597 |
| 化合物10 | 1.600 |
| 化合物11 | 1.683 |
| 化合物101 | 1.750 |
| 化合物102 | 1.710 |
| 化合物103 | 1.700 |
| 化合物104 | 1.720 |
| 化合物105 | 1.720 |
| 化合物106 | 1.780 |
| 化合物107 | 1.800 |
| DPHA | 1.488 |
图1中示出并根据上述方法制备的含量子点材料1可以用于各种光学构件。
因此，本公开的另一实施例提供了一种包括含量子点材料1的光学构件。例如，含量子点材料1和包括该含量子点材料1的光学构件两者可以具有薄膜。
光学构件可以是颜色转换构件。当颜色转换构件包括如上所述的具有优异的光转换效率的含量子点材料1时，颜色转换构件也可以具有优异的光转换效率。
颜色转换构件可以包括基底和形成在基底上的图案层。
基底可以是颜色转换构件的自基底或者可以指其中颜色转换构件布置在各种设备(例如，显示设备)之中的区域。基底可以由玻璃、硅(Si)、氧化硅(SiOx)或聚合物形成。形成基底的聚合物可以是聚醚砜(PES)和/或聚碳酸酯(PC)。
图案层可以包括呈薄膜形式的含量子点材料1。例如，图案层可以是呈薄膜形式的含量子点材料1。图案层可以是通过以下形成的层：在基底上提供第三组合物，然后通过以设定或预定图案对基底进行曝光(例如，通过对第三组合物中的第二单体执行光聚合)、显影和/或热处理。
包括基底和图案层的颜色转换构件还可以包括形成在每个图案层之间的分隔壁或黑矩阵。在一个或更多个实施例中，颜色转换构件还可以包括用于另外改善光转换效率的滤色器。
颜色转换构件可以包括发射红光的红色图案层、发射绿光的绿色图案层、发射蓝光的蓝色图案层或它们的任何组合。红色图案层、绿色图案层和/或蓝色图案层可以通过控制含量子点材料1中的量子点111的组分、组成和/或结构来实现。
本公开的另一实施例提供了一种包括含量子点材料1(或包括含量子点材料1的光学构件)的设备。
设备还可以包括光源，并且含量子点材料1(或包括含量子点材料1的光学构件)可以布置在从光源发射的光的路径中。
光源可以发射蓝光、红光、绿光或白光。例如，光源可以发射蓝光。
光源可以是有机发光器件(OLED)或发光二极管(LED)。
因为如上所述从光源发射的光可以在穿过含量子点材料1的同时被含量子点材料1中的量子点111光转换，所以具有与从光源发射的光的波长不同的波长的光可以被含量子点材料1发射。
设备可以选自于各种合适的显示设备和/或照明设备等。
在下文中，将通过示例和/或对比示例更详细地描述含量子点材料1和制备含量子点材料1的方法。
示例
1.1、含量子点复合物1的制备
将0.035g的聚合引发剂和350mL的蒸馏水在500mL的三颈烧瓶中混合，然后向其加入35mL的第一单体和量子点(基于100重量份的第一单体，含量为约0.3重量份)。在氮气氛下在80℃的温度下以500rpm的速度剧烈搅拌所得混合物，然后使反应进行4小时。在反应完成之后，通过使用蒸馏水和甲醇(MeOH)对其执行多次洗涤过程，并将所得产物冻干，由此制备具有单分散性的含量子点复合物1(球形颗粒)。这里使用的聚合引发剂、第一单体和量子点如下：
·聚合引发剂：KPS(过硫酸钾)
·第一单体：化合物1
·量子点：InP/ZnS核-壳量子点(平均粒径：3nm至8nm)
1.2、含量子点复合物2至含量子点复合物6的制备
除了分别使用化合物3、化合物4、化合物9、化合物101和化合物107来代替化合物1作为第一单体之外，以与含量子点复合物1的制备中的方式相同(或基本相同)的方式来各自制备含量子点复合物2至含量子点复合物6：
1.3、含量子点复合物A的制备
除了使用以8.25:1的体积比混合的甲基丙烯酸月桂酯和三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯的混合物来代替化合物1作为第一单体之外，以与含量子点复合物1的制备中的方式相同(或基本相同)的方式来制备含量子点复合物A。
评价示例1(平均粒径和均匀系数的评价)
在使用粒度分析仪(由Otsuka Electronics制造的ELSZ-2000ZS)评价含量子点复合物1至含量子点复合物6和含量子点复合物A中的每个的粒度分布曲线之后，评价含量子点复合物1至含量子点复合物6和含量子点复合物A中的每个的平均粒径(D50)和均匀系数(D60/D10)，其结果示出在表2中。
表2
| 含量子点复合物编号 | 平均粒径(D50)(nm) | 均匀系数(D60/D10) |
| 1 | 138 | 1.5 |
| 2 | 147 | 1.8 |
| 3 | 145 | 1.7 |
| 4 | 138 | 1.5 |
| 5 | 144 | 1.4 |
| 6 | 139 | 1.5 |
| A | 135 | 1.8 |
参照表2，确认的是，含量子点复合物1至含量子点复合物6和含量子点复合物A均具有相对均匀的粒度分布。
2.1、含量子点组合物1的制备
将以下示出的含量子点复合物(15重量％)、第二单体(30重量％)、光聚合引发剂(5重量％)、分散剂(5重量％)、第一溶剂(30重量％)和第二溶剂(15重量％)混合以制备含量子点组合物1。
·含量子点复合物：含量子点复合物1
·第二单体：六丙烯酸二季戊四醇酯(DPHA)(Aldrich 407283)
·光聚合引发剂：Irgacure-907(BASF公司)
·分散剂：DISPER BYK-2011(BYK-Chemie公司)
·第一溶剂：3-苯基-丙酸乙酯
·第二溶剂：丙二醇单甲醚乙酸酯
2.2、含量子点组合物2至含量子点组合物6的制备
除了分别使用含量子点复合物2至含量子点复合物6来代替含量子点复合物1作为含量子点复合物之外，以与含量子点组合物1的制备中的方式相同(或基本相同)的方式来各自制备含量子点组合物2至含量子点组合物6。
2.3、含量子点组合物A的制备
除了使用含量子点复合物A来代替含量子点复合物1作为含量子点复合物并且使用聚氨酯丙烯酸酯(Dymax OP-4-20639)来代替DPHA作为第二单体之外，以与含量子点组合物1的制备中的方式相同(或基本相同)的方式来制备含量子点组合物A。
2.4、含量子点组合物B的制备
除了使用含量子点复合物A来代替含量子点复合物1作为含量子点复合物并且使用聚氨酯丙烯酸酯(Dymax OP-4-26032)来代替DPHA作为第二单体之外，以与含量子点组合物1的制备中的方式相同(或基本相同)的方式来制备含量子点组合物B。
2.5、含量子点组合物C的制备
除了使用在含量子点复合物1的制备中使用的InP/ZnS核-壳量子点(10重量％)和TiO2颗粒(Degussa，平均粒径D50：5重量％)的混合物作为含量子点复合物之外，以与含量子点组合物1的制备中的方式相同(或基本相同)的方式来制备含量子点组合物C。
评价示例2(分散稳定性的评价)
对含量子点组合物1至含量子点组合物6和含量子点组合物C中的每个进行采样，并使用粒度分析仪(由Otsuka制造的ELSZ-2000ZS)对其分散粒度进行评价。接下来，将采样的含量子点组合物1至含量子点组合物6和含量子点组合物C中的每个在25℃的温度下以20％的相对湿度保存30天，然后，使用与上述相同的方法对其执行分散粒度的评价。其结果示出在表3中。
表3
| 含量子点组合物编号 | 初始分散粒度(nm) | 30天后的分散粒度(nm) |
| 1 | 142 | 153 |
| 2 | 153 | 151 |
| 3 | 150 | 149 |
| 4 | 146 | 156 |
| 5 | 152 | 154 |
| 6 | 147 | 161 |
| C | 846 | 2727 |
参照表3，确认的是，含量子点组合物1至含量子点组合物6具有优异的分散稳定性。
评价示例3(放电稳定性的评价)
在对含量子点组合物1至含量子点组合物6和含量子点组合物C中的每个进行采样之后，通过使用喷墨打印机在放电30天期间对其执行冲击精度的评价来评价喷墨头的放电稳定性，其结果示出在表4中。当放电30天时的冲击精度在x轴方向和y轴方向上为±5μm时，放电稳定性评价为“优异”。当放电30天时的冲击精度在x轴方向和y轴方向上不为±5μm时，放电稳定性评价为“不良”。
表4
3.1、含量子点薄膜1的制备
使用旋涂仪将含量子点组合物1涂覆在玻璃基底上，并使用热板在100℃的温度下对其执行预烘烤工艺1分钟。在使用曝光装置以200mJ/cm2的曝光含量照射UV光(波长为365nm)之后，在热烘箱中在氮气氛下以180℃的温度执行后烘烤工艺30分钟，由此制备具有3μm的厚度的含量子点薄膜1。
3.2、含量子点薄膜2至含量子点薄膜6和含量子点薄膜A至含量子点薄膜C的制备
除了分别使用含量子点组合物2至含量子点组合物6和含量子点组合物A至含量子点组合物C来代替含量子点组合物1之外，以与含量子点薄膜1的制备中的方式相同(或基本相同)的方式来各自制备含量子点薄膜2至含量子点薄膜6和含量子点薄膜A至含量子点薄膜C。
评价示例4(折射率的评价)
对于含量子点薄膜1至含量子点薄膜6、含量子点薄膜A和含量子点薄膜B中的每个，根据柯西膜模型(Cauchy Film Model)，使用椭偏仪M-2000(J.A.Woollam)基于589nm的波长，在50％的相对湿度下以25℃的温度评价含量子点复合物中的第一基质材料(即，图1中的第一基质材料113)和含量子点薄膜中的第二基质材料(即，图1中的第二基质材料130)的折射率。其结果总结在表5中。
表5
参照表5，确认的是，含量子点薄膜1至含量子点薄膜6中的第一基质材料的折射率大于第二基质材料的折射率，含量子点薄膜A和含量子点薄膜B中的第一基质材料的折射率不大于第二基质材料的折射率。
评价示例5(光转换率的评价)
制备配备有漫射膜的蓝色背光单元(蓝色BLU)(发射具有455nm的最大发射波长的蓝光)。接下来，将裸玻璃设置在蓝色BLU上，并使用分光计(由Instrument Systems制造的CAS 140CT)测量蓝光的发射量以设定参考点。然后，用其上形成有含量子点薄膜1至含量子点薄膜6和含量子点薄膜A至含量子点薄膜C中的每个的玻璃基底来代替裸玻璃基底。使用分光计测量相对于蓝光的吸收峰的减少量，转换为绿光的峰的增加量，以评价含量子点薄膜1至含量子点薄膜6和含量子点薄膜A至含量子点薄膜C的光转换率，其结果示出在表6中。
表6
| 含量子点薄膜编号 | 光转换率(％) |
| 1 | 37 |
| 2 | 35 |
| 3 | 38 |
| 4 | 32 |
| 5 | 39 |
| 6 | 40 |
| A | 21 |
| B | 22 |
| C | 23 |
参照表6，确认的是，相比于含量子点薄膜A至含量子点薄膜C，含量子点薄膜1至含量子点薄膜6具有优异的光转换率。
根据本公开的一个或更多个实施例，包括含量子点材料的光学构件具有优异的光转换效率，因此，含量子点材料的使用可以使得实现各种高质量设备。
如这里使用的，术语“使用”及其变型可以被认为分别与术语“利用”及其变型同义。
另外，术语“基本(基本上)”、“约(大约)”和类似术语用作近似术语而不用作程度术语，并且意图解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。
此外，这里陈述的任意数值范围意图包括包含在陈述的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围意图包括所陈述的最小值1.0与所陈述的最大值10.0之间(包括所陈述的最小值1.0和所陈述的最大值10.0)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如以2.4至7.6为例。这里陈述的任意最大数值界限意图包括其中包含的所有较小数值界限，本说明书中陈述的任意最小数值界限意图包括其中包含的所有较大数值界限。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确地陈述包含在这里明确陈述的范围内的任意子范围。
应该理解的是，应该仅以描述性的意义而不是出于限制的目的来考虑这里描述的实施例。每个实施例内的特征或方面的描述通常应该被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。
尽管已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求及其等同物限定的本公开的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式上和细节上的各种改变。
Claims (20)
1.一种含量子点材料，所述含量子点材料包括：
含量子点复合物，包括量子点和第一基质材料；以及
第二基质材料，
其中，所述量子点分散在所述第一基质材料中，
所述含量子点复合物分散在所述第二基质材料中，并且
所述第一基质材料的折射率大于所述第二基质材料的折射率。
2.根据权利要求1所述的含量子点材料，
其中，所述量子点包括III-V族半导体化合物和II-VI族半导体化合物。
3.根据权利要求1所述的含量子点材料，
其中，所述第一基质材料的所述折射率为1.55至2.00，并且所述第二基质材料的所述折射率为1.30至1.55。
4.根据权利要求1所述的含量子点材料，
其中，所述第一基质材料的所述折射率与所述第二基质材料的所述折射率之间的差为0.05至0.60。
5.根据权利要求1所述的含量子点材料，
其中，所述第一基质材料包括通过溶液聚合而使第一单体聚合来得到的第一聚合物，并且
所述第一单体为水溶性乙烯基类单体、水溶性丙烯酸类单体、水溶性丙烯酰胺类单体或它们的任何组合。
6.根据权利要求1所述的含量子点材料，
所述第二基质材料包括通过光聚合而使第二单体聚合来得到的第二聚合物，并且
所述第二单体包括丙烯酸类单体。
7.根据权利要求1所述的含量子点材料，
其中，所述含量子点复合物是球形颗粒。
8.根据权利要求1所述的含量子点材料，
其中，所述含量子点复合物的平均粒径D50为40nm至1,000nm。
9.根据权利要求1所述的含量子点材料，
其中，所述含量子点材料是薄膜。
10.一种制备含量子点材料的方法，所述方法包括以下步骤：
制备包括量子点、第一单体、聚合引发剂和溶剂的第一组合物；
通过将所述第一组合物中的所述第一单体转化为至少一部分的第一基质材料来制备第二组合物，所述第二组合物包括含量子点复合物和所述溶剂，所述含量子点复合物包括所述量子点和其中分散有所述量子点的所述第一基质材料；
通过从所述第二组合物去除所述溶剂来获得所述含量子点复合物；
制备包括所述含量子点复合物、第二单体、聚合引发剂和溶剂的第三组合物；以及
通过将所述第三组合物中的所述第二单体转化为至少一部分的第二基质材料来制备所述含量子点材料，所述含量子点材料包括所述含量子点复合物和其中分散有所述含量子点复合物的所述第二基质材料，
其中，所述第一基质材料的折射率大于所述第二基质材料的折射率。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，
所述第一组合物中的所述溶剂是水，
所述第一单体包括水溶性乙烯基类单体、水溶性丙烯酸类单体、水溶性丙烯酰胺类单体或它们的任何组合，
所述第一组合物中的所述聚合引发剂是水溶性聚合引发剂，并且
使用溶液聚合来执行制备所述第二组合物的步骤。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，
所述含量子点复合物是球形颗粒。
13.根据权利要求11所述的方法，其中，
利用冻干来执行获得所述含量子点复合物的步骤。
14.根据权利要求11所述的方法，其中，
利用光聚合来执行制备所述含量子点材料的步骤。
15.根据权利要求11所述的方法，其中，
所述第一单体的折射率大于所述第二单体的折射率。
16.一种光学构件，所述光学构件包括根据权利要求1所述的含量子点材料。
17.根据权利要求16所述的光学构件，其中，所述光学构件是颜色转换构件。
18.一种设备，所述设备包括根据权利要求1所述的含量子点材料。
19.根据权利要求18所述的设备，其中，所述设备还包括光源，并且
所述含量子点材料布置在从所述光源发射的光的路径中。
20.根据权利要求19所述的设备，其中，所述光源是有机发光器件或发光二极管。
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