CN112164706B - 磁性存储器及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种磁性存储器及其制作方法。所述磁性存储器包括至少一个存储单元，其包括：金属层，具有自旋霍尔效应材料；磁性隧道结器件，设置于所述金属层上并连接至位线，所述磁性隧道结器件的自由层连接所述金属层；电阻器件，设置于所述金属层上并连接至位线，与所述磁性隧道结器件形成并联；开关晶体管，电性连接于源极线与所述金属层之间，所述开关晶体管的控制端连接字线。此结构能减少过孔与位线的设置需求，缩小存储单元设置面积，通过调整电阻器件的阻值，得以让读/写操作衍生的负面效应变成可控。

Description

磁性存储器及其制作方法
技术领域
本发明涉及存储器技术领域，特别是关于磁性存储器及其制作方法。
背景技术
STT(Spin-Transfer-Torque MRAM)-MRAM的原理，是基于一个叫做MTJ(磁性隧道结)的结构。它是由两层铁磁性材料夹着一层非常薄的非铁磁绝缘材料组成的。STT-MRAM写的速度偏慢，很难短于5ns，写功耗也比较大。所以，近几年出现了SOT(Spin-Orbit-TorqueMRAM)-MRAM，能够达到小于1ns的速度。它是利用自旋霍尔效应进行写操作，具体方法是在Hall金属中施加不同的方向电流，利用霍尔效应，改变参考层磁性极化方向，从而改变MTJ的等效阻值，电流并没有直接穿透MTJ势垒层；而读操作可以采用原方法不变，读写路径分开。
SOT-MRAM读写采用不同的通路，每个存储单元一般需要两个MOS管，面积较大。一些厂商会对其进行优化设计，如美国专利号US.PAT.9830968B所示，每一存储单元为1T1M的基本结构形成，通过一个MOS管与一个二极管进行读/写信号控制，但仍需要二条字线与二条位线控制读/写操作。另一些优化设计，如中国专利授权公告号CN105229741B，每一存储单元仅需一个MOS控制读/写操作，但需通过读写两条不同的位线来解决读写问题，因此需要增设过孔，再加上读/写时另外一条位线是空置的，会显著降低读/写速度。
发明内容
为了解决上述技术问题，本申请的目的在于，提供一种维持磁性存储器的读写速度优势，同时提升更高存储单元密度的磁性存储器。
本申请的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。
依据本申请提出的一种磁性存储器，具有至少一个存储单元。所述存储单元包括：金属层，具有自旋霍尔效应材料；磁性隧道结器件，设置于所述金属层上并连接至位线，所述磁性隧道结器件的自由层连接所述金属层；电阻器件，设置于所述金属层上并连接至位线，与所述磁性隧道结器件形成并联；开关晶体管，电性连接于源极线与所述金属层之间，所述开关晶体管的控制端连接字线。
本申请解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
可选的，还包括与所述金属层相对设置的顶电极，所述磁性隧道结器件与所述电阻器件设置于所述顶电极与所述金属层之间，并通过述顶电极电性连接所述位线。
可选的，所述电阻器件与所述磁性隧道结器件的实体结构为相紧贴。
可选的，所述金属层经由过孔连接所述开关晶体管。
可选的，所述电阻器件与所述过孔位于所述磁性隧道结器件的四围。
可选的，在进行写操作时，所述位线与所述源极线之间的部分电流通过所述金属层流至所述磁性隧道结器件的底部，通过自旋效应完成写操作。
本申请另一目的在提供一种磁性存储器的制作方法，所述磁性存储器具有至少一个存储单元。所述方法包括：在电介质层设置过孔，并在所述过孔上设置金属层，所述金属层具有自旋霍尔效应材料；在所述金属层上形成磁性隧道结器件；在所述磁性隧道结器件的一侧形成电阻器件；填充电介质在所述磁性隧道结器件与所述电阻器件外侧；设置连接线路使所述磁性隧道结器件与所述电阻器件连接至同一位线。
本申请解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
可选的，在所述磁性隧道结器件的一侧形成电阻器件的步骤，包括：填充电阻材料于所述磁性隧道结器件的周围；通过对电阻材料的蚀刻形成所述电阻器件的结构。
可选的，设置连接线路使磁性隧道结器件与所述电阻器件连接至同一位线的步骤，还包括：设置顶电极在所述磁性隧道结器件与所述电阻器件上方；填充电介质于所述顶电极的周围；设置连接线路使所述顶电极连接至所述同一位线。
可选的，所述磁性隧道结器件形成时，所述过孔位于所述磁性隧道结器件的一侧；形成所述电阻器件在所述磁性隧道结器件的另一侧，使得所述电阻器件与所述过孔位于所述磁性隧道结器件的四围。
本申请通过与磁性隧道结的实体并联的电阻器件设计，较能有效的提供更高的密度并且不损失读/写操作速度。在进行写操作时，部分电流通过电阻产生SOT效应，部分电流通过MTJ产生STT效应。两种效应都能改变MTJ状态，此结构通过选择SOT电流方向使得两种效应的效果相同。在进行读操作时，仍然采用比写操作更低的电压或更小的电流，并联电阻(电阻器件)会降低两个MTJ状态造成的总电阻差，降低信号强度，若设定并联电阻(电阻器件)的阻值为Rs>150％(MTJ高阻态)Rap，且Rap(MTJ高阻态)>200％Rp(MTJ低阻态)，可把这种负面效应降低到可控范围内。
附图说明
为了能更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为范例性的存储器结构示意图；
图2为范例性的存储器结构示意图；
图3为本申请实施例的存储器的存储单元结构示意图；
图4A至4E为本申请实施例的磁性存储器的制作方法的示例图。
具体实施方式
请参照附图中的图式，其中相同的组件符号代表相同的组件。以下的说明是基于所例示的本申请具体实施例，其不应被视为限制本申请未在此详述的其它具体实施例。
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。
本申请的说明书和权利要求书以及上述附图中的述语“第一”、“第二”、“第三”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应当理解，这样描述的对象在适当情形下可以互换。此外，术语“包括”和“具有”以及他譬的变形，意图在于覆盖不排他的包含。
本申请说明书中使用的术语仅用来描述特定实施方式，而并不意图显示本申请的概念。除非上下文中有明确不同的意义，否则，以单数形式使用的表达涵盖复数形式的表达。在本申请说明书中，应理解，诸如“包括”、“具有”以及“含有”等术语意图说明存在本申请说明书中揭示的特征、数字、步骤、动作或其组合的可能性，而并不意图排除可存在或可添加一个或多个其他特征、数字、步骤、动作或其组合的可能性。附图中的相同参考标号指代相同部分。
附图和说明被认为在本质上是示出性的，而不是限制性的。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。另外，为了理解和便于描述，附图中示出的每个组件的尺寸和厚度是任意示出的，但是本申请不限于此。
在附图中，为了清晰、理解和便于描述，夸大设备、系统、组件、电路的配置范围。将理解的是，当组件被称作“在”另一组件“上”时，所述组件可以直接在所述另一组件上，或者也可以存在中间组件。
另外，在说明书中，除非明确地描述为相反的，否则词语“包括”将被理解为意指包括所述组件，但是不排除任何其它组件。此外，在说明书中，“在......上”意指位于目标组件上方或者下方，而不意指必须位于基于重力方向的顶部上。
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及具体实施例，对依据本发明提出的一种磁性存储器及其制作方法，其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。
图1为范例性的存储器结构示意图。如图1所示，其为美国专利号US.PAT.9830968B所公开的一种自旋轨道转矩(SOT)磁存储单元和阵列，每一存储单元为1T1M的基本结构形成，通过一个MOS管与一个二极管进行读/写信号控制，但仍需要二条字线与二条位线控制读/写操作。
图2为范例性的存储器结构示意图。如图2所示，其为中国专利授权公告号CN105229741B，其公开一种1T1M的自旋霍尔磁性随机存取存储器(MRAM)位单元和阵列。每一存储单元仅需一个MOS控制读/写操作，但需通过读写两条不同的位线来解决读写问题，因此需要增设过孔，过孔一般需要穿过MRAM阵列，给工艺造成困难。再加上读/写时，另外一条位线是空置的，会显著降低读/写速度，破坏SOT-MRAM的最大优势。
图3为本申请实施例的存储器的存储单元结构示意图。
如图3所示，所述磁性存储器，具有至少一个存储单元100。所述存储单元100包括：金属层110，具有自旋霍尔效应材料；磁性隧道结器件(MTJ)120，设置于所述金属层110上并连接至位线，所述磁性隧道结器件120的自由层连接所述金属层110；电阻器件130，设置于所述金属层110上并连接至位线，与所述磁性隧道结器件120形成并联；开关晶体管140，电性连接于源极线与所述金属层110之间，所述开关晶体管140的控制端连接字线。。
可选的，还包括与所述金属层110相对设置的顶电极150，所述磁性隧道结器件120与所述电阻器件130设置于所述顶电极150与所述金属层110之间，并通过述顶电极150电性连接所述位线。
可选的，所述电阻器件130与所述磁性隧道结器件120的实体结构可选择性的相紧贴或通过电介质区隔设置。
可选的，所述金属层110经由过孔160连接所述开关晶体管140。
可选的，所述电阻器件130与所述过孔160位于所述磁性隧道结器件120的四围。
可选的，在进行写操作时，所述位线与所述源极线之间的部分电流通过所述金属层110流至所述磁性隧道结器件120的底部，通过自旋(SOT)效应完成写操作。
图4A至4E为本申请实施例的磁性存储器的制作方法的示例图，所述磁性存储器具有至少一个存储单元。所述方法包括：
如图4A，在电介质层170设置过孔160，并在所述过孔160上设置金属层110，所述金属层110具有自旋霍尔效应材料。其中，在通过蚀刻方法形成过孔160与金属层110后，填充电介质并将表面磨平。
如图4B，在所述金属层110上形成磁性隧道结器件120，所述磁性兹道结器件120为通过沉积和蚀刻方法制成。
如图4C，在所述磁性隧道结器件120的一侧形成电阻器件130。其中，先填充电阻材料于所述磁性隧道结器件120的周围；再通过对电阻材料的蚀刻形成所述电阻器件130的结构。
如图4D，填充电介质在所述磁性隧道结器件120与所述电阻器件130外侧；设置连接线路使所述磁性隧道结器件120与所述电阻器件130连接至同一位线。
可选的，如图4E，设置连接线路使磁性隧道结器件120与所述电阻器件130连接至同一位线的步骤，还包括：设置顶电极150在所述磁性隧道结器件120与所述电阻器件130上方；填充电介质于所述顶电极150的周围；设置连接线路使所述顶电极150连接至所述同一位线。
可选的，所述磁性隧道结器件120形成时，所述过孔160位于所述磁性隧道结器件120的一侧；形成所述电阻器件130在所述磁性隧道结器件120的另一侧，使得所述电阻器件130与所述过孔160位于所述磁性隧道结器件120的四围。
本申请通过与磁性隧道结的实体并联的电阻器件设计，较能有效的提供更高的密度并且不损失读/写操作速度。在进行写操作时，部分电流通过电阻产生SOT效应，部分电流通过MTJ产生STT效应。两种效应都能改变MTJ状态，此结构通过选择SOT电流方向使得两种效应的效果相同。在进行读操作时，仍然采用比写操作更低的电压或更小的电流，并联电阻(电阻器件130)会降低两个MTJ状态造成的总电阻差，降低信号强度，若设定并联电阻(电阻器件130)的阻值为Rs>150％(MTJ高阻态)Rap，且Rap(MTJ高阻态)>200％Rp(MTJ低阻态)，可把这种负面效应降低到可控范围内。
“在本申请的一实施例中”及“在各种实施例中”等用语被重复地使用。此用语通常不是指相同的实施例；但它也可以是指相同的实施例。“包含”、“具有”及“包括”等用词是同义词，除非其前后文意显示出其它意思。
以上所述，仅是本申请的具体实施例而已，并非对本申请作任何形式上的限制，虽然本申请已以具体实施例揭露如上，然而并非用以限定本申请，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本申请技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本申请技术方案的内容，依据本申请的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本申请技术方案的范围内。

Claims (10)

1.一种磁性存储器，具有至少一个存储单元，其特征在于，所述存储单元包括：
开关晶体管；
过孔，具有导电材料，设置于所述开关晶体管上；
金属层，具有自旋霍尔效应材料，设置于所述过孔上，所述金属层经由过孔连接所述开关晶体管；
磁性隧道结器件，设置于所述金属层上并连接至位线，所述磁性隧道结器件的自由层连接所述金属层；
电阻器件，设置于所述金属层上并连接至位线，与所述磁性隧道结器件形成并联，所述电阻器件与所述过孔分别位于所述磁性隧道结器件的对立两侧，并由所述金属层相连接；
顶电极，设置于所述磁性隧道结器件和所 述电阻器件上；
位线，设置于所述顶电极上；
所述开关晶体管电性连接于源极线与所述金属层之间，所述开关晶体管的控制端连接字线。
2.如权利要求1所述磁性存储器，其特征在于，所述磁性隧道结器件与所述电阻器件设置于所述顶电极与所述金属层之间，并通过所 述顶电极电性连接所述位线。
3.如权利要求1所述磁性存储器，其特征在于，所述电阻器件与所述磁性隧道结器件的实体结构为相紧贴。
4.如权利要求1所述磁性存储器，其特征在于，在进行写操作时，所述位线与所述源极线之间的电流完成写操作。
5.如权利要求4所述磁性存储器，其特征在于，在进行写操作时，所述位线与所述源极线之间的部分电流通过所述电阻器件和所述金属层流至所述磁性隧道结器件的底部，通过自旋霍尔效应辅助完成写操作。
6.如权利要求4所述磁性存储器，其特征在于，在进行写操作时，所述位线与所述源极线之间的部分电流通过所述磁性隧道结器件至所述磁性隧道结器件的底部，通过自旋效应辅助完成写操作。
7.一种磁性存储器的制作方法，所述磁性存储器具有至少一个存储单元，其特征在于，所述方法包括：
在电介质层设置过孔，并在所述过孔上设置金属层，所述金属层具有自旋霍尔效应材料；
在所述金属层上形成磁性隧道结器件；
在所述磁性隧道结器件的一侧形成电阻器件；
填充电介质在所述磁性隧道结器件与所述电阻器件外侧；
设置连接线路使所述磁性隧道结器件与所述电阻器件连接至同一位线。
8.如权利要求7所述磁性存储器的制作方法，其特征在于，在所述磁性隧道结器件的一侧形成电阻器件的步骤，包括：
填充电阻材料于所述磁性隧道结器件的周围；
通过对电阻材料的蚀刻形成所述电阻器件的结构。
9.如权利要求7所述磁性存储器的制作方法，其特征在于，设置连接线路使磁性隧道结器件与所述电阻器件连接至同一位线的步骤，还包括：
设置顶电极在所述磁性隧道结器件与所述电阻器件上方；
填充电介质于所述顶电极的周围；
设置连接线路使所述顶电极连接至所述同一位线。
10.如权利要求7所述磁性存储器的制作方法，其特征在于，所述磁性隧道结器件形成时，所述过孔位于所述磁性隧道结器件的一侧；形成所述电阻器件在所述磁性隧道结器件的另一侧，使得所述电阻器件与所述过孔位于所述磁性隧道结器件的四围。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112910466A (zh) * 2021-01-27 2021-06-04 东南大学 一种磁性隧道结与电阻结合替代纯电阻的调制器电路
CN113744776B (zh) * 2021-07-29 2023-09-19 中国科学院微电子研究所 存储器电路及其数据写入和读取方法、存储器、电子设备

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105229741A (zh) * 2013-06-21 2016-01-06 英特尔公司 Mtj自旋霍尔mram位单元以及阵列
CN107481749A (zh) * 2016-06-13 2017-12-15 中电海康集团有限公司 一种自旋霍尔效应辅助写入的多态磁性随机存取存储器位元及自旋霍尔效应辅助写入方法
CN108320768A (zh) * 2018-01-19 2018-07-24 上海磁宇信息科技有限公司 一种使用加强自旋霍尔效应的磁性随机存储器
CN108336223A (zh) * 2017-12-08 2018-07-27 北京航空航天大学青岛研究院 存储器件、存储器件的制备方法及电子设备
CN110945588A (zh) * 2017-08-01 2020-03-31 国际商业机器公司 三端自旋霍尔mram
CN110956988A (zh) * 2018-09-27 2020-04-03 台湾积体电路制造股份有限公司 存储装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010212661A (ja) * 2009-02-13 2010-09-24 Fujitsu Ltd 磁気ランダムアクセスメモリ

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105229741A (zh) * 2013-06-21 2016-01-06 英特尔公司 Mtj自旋霍尔mram位单元以及阵列
CN107481749A (zh) * 2016-06-13 2017-12-15 中电海康集团有限公司 一种自旋霍尔效应辅助写入的多态磁性随机存取存储器位元及自旋霍尔效应辅助写入方法
CN110945588A (zh) * 2017-08-01 2020-03-31 国际商业机器公司 三端自旋霍尔mram
CN108336223A (zh) * 2017-12-08 2018-07-27 北京航空航天大学青岛研究院 存储器件、存储器件的制备方法及电子设备
CN108320768A (zh) * 2018-01-19 2018-07-24 上海磁宇信息科技有限公司 一种使用加强自旋霍尔效应的磁性随机存储器
CN110956988A (zh) * 2018-09-27 2020-04-03 台湾积体电路制造股份有限公司 存储装置

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