CN112154322A - 放射线透过检查方法和装置、以及微多孔膜的制造方法 - Google Patents

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Abstract

在将在芯的外周面上卷绕有多圈的长条的膜的膜卷轴作为检查对象物进行X射线透过检查时，能够因异物的位置导致的检测灵敏度的差异的影响从而可靠地检测异物。一种放射线透过检查方法，设卷轴的一侧的侧面为侧端部A、另一侧的侧面为侧端部B，在该放射线透过检查方法中包含以下工序：第1异物检测工序，用第1检测器检测从第1放射线源照射、从所述膜卷轴的侧端部A入射、在卷轴中透过而从侧端部B射出的放射线，得到关于异物的信息；以及第2异物检测工序，用第2检测器检测从第2放射线源照射、从所述膜卷轴的侧端部B入射、在卷轴中透过而从侧端部A射出的放射线，得到关于异物的信息。

Description

放射线透过检查方法和装置、以及微多孔膜的制造方法
技术领域
本发明涉及对混入到卷绕了膜的膜卷轴中的异物进行检查的放射线透过检查方法和装置、以及包含这样的放射线透过检查方法在内的微多孔膜的制造方法。
背景技术
各种聚合物膜等膜一般是以卷筒膜的方式以卷绕在圆筒形状的芯上的状态被供给。在微小的金属片等异物混入到这样的膜卷轴中的情况下，异物有时成为使用膜来制造出的产品中的不合格品的原因。例如，在将从膜卷轴送出的膜作为向锂离子二次电池的正极与负极之间插入的电池分离膜使用的情况下，如果混入到膜卷轴中的异物是微小的金属片，则会引起锂离子二次电池中的正极与负极之间的短路，或者金属片会溶解在电解液中而使电池特性劣化。因此，需要检测膜卷轴中是否混入有微小的金属异物。从电池分离膜的制造中的质量保证的观点出发，与膜的制造中途相比，优选对作为最终产品的膜卷轴中是否存在异物的混入进行检查。
由于电池分离膜等膜是聚合物膜，想要检测的异物是金属，因此，作为检测膜卷轴中的金属异物的方法，以下的放射线透过检查方法是有效的方法：从膜卷轴的外侧照射X射线或γ射线等放射线，将因放射线难以透过的异物而产生的影像作为图像检测出来。在检测异物时，优选除了是否存在异物以外，还检测膜卷轴中的异物的存在位置。
专利文献1虽然不涉及膜卷轴中的异物的检测，但存在如下方法：在将通过金属制的连接部件将两个以上的长条标签基材连接而形成的标签连续体卷绕成卷筒状的状态下，检测接缝的数量。公开了如下内容：从卷筒的侧端部照射X射线，根据标签基材部分与连接部件部分处的X射线透过量之差来检测接缝的数量。
另一方面，作为利用X射线求出物体的空间配置的方法，已知有X射线CT(计算机断层拍摄)法。在X射线CT法中，从各个方向照射X射线来进行拍摄，通过图像合成技术得到了三维像。因此，测定需要较长时间。在专利文献2中，作为缩短X射线CT的测定时间的技术，公开了如下技术：在平移扫描方向上配置相同数量的多个射线源和检测器，通过在与相邻的放射线源之间进行平移扫描来缩短平移扫描的距离，缩短测定时间。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-44602号公报
专利文献2：日本特开昭63-21039号公报
发明内容
发明要解决的课题
在X射线透过检查中，在X射线源与成像板等检测器之间配置检查对象物，以从X射线源起以光轴(照射中心轴)为中心呈圆锥状或角锥状地扩展的方式发射X射线。在检查对象物比从X射线源照射的X射线的照射视野(照射范围)大的情况下，为了检查整个检查对象物，需要根据检查对象物使X射线源和检测器进行扫描。这里，在检查对象在X射线的透过方向上具有厚度的情况下，根据厚度方向上的位置，相同大小的异物在检测器上的像的大小是不同的，检测灵敏度根据异物的位置而产生不均。这是因为，距X射线源越近、距检测器越远，则投影到检测器上的异物的像的大小越被拉伸，像较大地被投影到检测器上。而且，关于检测器的检测灵敏度，当像的像素数超过规定值时才能够检测出来，因此检测灵敏度取决于投影到检测器上的像的大小。因此，在异物的位置距X射线源近的情况下，容易检测，检测灵敏度提高，在距X射线源远的情况下，难以检测，检测灵敏度下降。
虽然为了减小检测灵敏度根据厚度方向上的位置而产生的不均，只要增大从放射线源到检查对象物的距离相对于从放射线源到检测器的距离的比率即可，但如果考虑检查对象物的厚度，为了增大该比率，需要增大从放射线源到检测器的距离本身，其结果，X射线的衰减变大而无法得到所需的灵敏度。即，对于在X射线的透过方向上具有厚度的检查对象物的情况，不能通过较高的检测灵敏度抑制因厚度方向上的异物的位置产生的灵敏度不均。因此，存在如下问题：被检测的异物的大小因异物在厚度方向上的位置而不同(将此称为灵敏度不均)，无法确定检查对象物内的异物的位置和实际的异物的大小。
另一方面，利用X射线CT的检查能够容易地确定异物的形状或位置，但需要复杂的旋转机构或图像处理系统，并且，与X射线透过检查相比，存在测定时间或处理时间特别长的问题。
本发明的目的在于提供一种X射线透过检查方法和装置、以及使用该X射线透过检查方法来制造的微多孔膜的制造方法，在将膜卷轴作为检查对象物进行X射线透过检查时，能够降低因异物的位置导致的检测灵敏度不均的影响，从而能够可靠地检测出异物。
用于解决课题的手段
本发明是一种放射线透过检查方法，
将在芯的外周面上卷绕多圈长条的膜而得到的膜卷轴作为检查对象，其中，
设卷轴的一侧的侧面为侧端部A、另一侧的侧面为侧端部B，在该放射线透过检查方法中包含以下工序：
第1异物检测工序，用第1检测器检测从第1放射线源照射、从所述膜卷轴的侧端部A入射且在卷轴中透过、并从侧端部B射出的放射线，得到关于异物的信息；以及
第2异物检测工序，用第2检测器检测从第2放射线源照射、从所述膜卷轴的侧端部B入射且在卷轴中透过、并从侧端部A射出的放射线，得到关于异物的信息。
并且，一种放射线透过检查方法，其特征在于，所述第1放射线源与第1检测器之间的距离(FID)和所述第2放射线源与第2检测器之间的距离(FID)相等，并且，
第1放射线源与侧端部A之间的距离(FOD)和第2放射线源与侧端部B之间的距离(FOD)相等。
并且，一种放射线透过检查方法，其特征在于，满足下述式(1)：
0.2≤(T+2FOD)/2FID≤0.5……(1)
其中，T表示膜卷轴的厚度。
并且，根据第1方面和第2方面所述的放射线透过检查方法，其中，求出混入到膜卷轴中的异物的位置信息和异物的大小。
并且，一种放射线透过检查方法，其中，根据从第1异物检测工序所得到的异物信息和从第2异物检测工序所得到的异物信息来求出混入到膜卷轴中的异物的位置信息和异物的大小。
本发明提供一种放射线透过检查装置，其能够将在芯的外周面上卷绕多圈长条的膜而得到的膜卷轴作为检查对象，其中，设卷轴的一侧的侧面为侧端部A、另一侧的侧面为侧端部B，该放射线透过检查装置具有：保持部，其把持所述膜卷轴的芯；第1测定部，其由第1放射线源和第1检测器构成，所述第1放射线源照射被设置成从所述膜卷轴的侧端部A入射、在卷轴中透过且从侧端部B射出的放射线，所述第1检测器检测从侧端部B射出的放射线；以及第2测定部，其由第2放射线源和第2检测器构成，该第2放射线源设置于从所述第1检测器离开的位置，配置成从所述膜卷轴的侧端部B入射、在卷轴中透过且从侧端部A射出，该第2检测器检测从侧端部A射出的放射线。
并且，提供一种放射线透过检查装置，该放射线透过检查装置具有调整部，该调整部调整第1测定部的放射线源与检测器的位置、以及第2测定部的放射线源与检测器的位置，该放射线透过检查装置还具有控制部，该控制部对位置进行调整，使得所述第1放射线源与侧端部A之间的距离(FOD)和所述第2放射线源与侧端部B之间的距离(FOD)相等，并且使得所述第1放射线源与检测器之间的距离(FID)和所述第2放射线源与检测器之间的距离(FID)相等。
并且，提供一种放射线透过检查装置，该放射线透过检查装置还具有移动部，该移动部使所述第1测定部和所述第2测定部在所述膜卷轴的径向上移动。
本发明是一种微多孔膜的制造方法，其包含以下工序：将聚烯烃树脂与增塑剂混合而制备聚烯烃溶液的工序；从模具喷出聚烯烃溶液并进行冷却而得到凝胶状片的工序；将凝胶状片拉伸而形成拉伸片的工序；从拉伸片去除增塑剂而得到微多孔膜的工序；将微多孔膜绕挂在芯上而得到膜卷轴的工序；以及通过本发明的放射线透过检查方法进行膜卷轴所包含的异物的检查的工序。即，一种膜卷轴的制造方法，其包含异物检测工序，在该异物检测工序中，将长条的膜绕挂在芯上而得到膜卷轴，然后，利用上述放射线透过检查方法进行上述膜卷轴所包含的异物的检查。
发明效果
在本发明中，针对膜制品卷轴分别朝向两个侧端部从另一侧的侧端部进行放射线的照射，因此，在各照射中，只要能够检测出从膜制品卷轴的厚度方向上的中间位置到照射侧的侧端部的区域中的异物即可。从放射线透过检查的观点出发，这相当于实质上使作为检查对象物的膜制品卷轴的厚度减半，因此灵敏度不均的程度下降，并且形成在检测器上的像的大小也扩大，因此能够可靠地检测出异物。
附图说明
图1是说明放射线透过检查的基本原理的图。
图2(a)是说明基于厚度方向上的异物的位置的灵敏度不均的图。
图2(b)是说明基于厚度方向上的异物的位置的灵敏度不均的图。
图2(c)是说明基于厚度方向上的异物的位置的灵敏度不均的图。
图3(a)是说明现有的放射线透过检查方法的原理的图。
图3(b)是说明基于本发明的放射线透过检查方法的原理的图。
图4是说明求出异物的厚度方向的位置和大小的处理的图。
图5是说明能够通过向两个侧端部各自进行的X射线照射来检测同一异物的条件的图。
图6(a)是说明将侧端部与厚度方向上的中间位置之间在厚度方向上分割为多个区域来检测异物的图。
图6(b)是说明将侧端部与厚度方向上的中间位置之间在厚度方向上分割为多个区域来检测异物的图。
图7(a)是示出放射线透过检查装置的第1实施方式的俯视图。
图7(b)是示出放射线透过检查装置的第1实施方式的主视图。
图8是示出放射线透过检查装置的第2实施方式的主视图。
图9是示出放射线透过检查装置的第3实施方式的侧视图。
图10是示出放射线透过检查装置的第4实施方式的主视图。
具体实施方式
首先，在以下示出与使用X射线的放射线透过检查相关的用语。
X射线源的光轴：X射线照射的中心轴。X射线以光轴为中心呈圆锥状或角锥状地扩散而射出。
视野：X射线能够照射的范围。用面积表示。离放射源越近，视野越窄。
照射范围：X射线照射的范围。是以光轴为中心呈圆锥状或角锥状地扩展的X射线所照射的范围。
扫描：使放射线源与检测器的组沿轴向等检查对象物移动。
FID：放射线源与检测器之间的间隔距离。
FOD：放射线源与膜卷轴的距放射线源最短的侧端部之间的间隔距离。
检测灵敏度：检查对象物的能够被检测出的大小。用最小的大小表示。
灵敏度不均：因检查对象物的厚度方向上的位置产生的检查对象物的能够检测出的大小的差异。
异物检测工序：表示从放射线源向对象物照射放射线并检测通过了对象物的放射线的异物检查工序的一个处理步骤。处理步骤有多个时，称为第1、第2、第3……。
(放射线透过检查方法)
接着，参照附图来说明本发明的优选实施方式。图1示出了以膜卷轴10为检查对象物的一般的放射线透过检查的基本原理，在该图中，膜卷轴10通过包含圆筒形状的芯11的长度方向上的中心轴13的平面的截面示出，省略了一部分剖面线。膜卷轴10是以芯11的中心轴13为旋转轴在芯11的外周面上多次卷绕长条的膜而构成的。标记12表示卷绕在芯11的外周面上的膜的层。将膜卷轴10的朝向芯11的中心轴13延伸的方向的面称为膜卷轴10的侧端部。侧端部位于处于圆筒状的膜卷轴的两端的圆状的面上，且位于膜卷轴的侧面上，因此将一侧的侧面称为侧端部A(在图1中为标记14)，将另一侧的侧面称为侧端部B(在图1中为标记15)。芯11的长度方向上的两侧端部之间的尺寸(即，侧端部A与侧端部B之间的距离)与卷绕在该芯11上的膜的宽度尺寸大致一致。膜卷轴10的侧端部还是卷绕在芯11上的膜的宽度方向上的侧端部露出的面。在图中，T表示膜卷轴10的厚度，与卷绕在芯11上的膜的宽度相等。将与芯11的中心轴13延伸的方向平行的方向称为膜卷轴10的厚度方向。
为了检测膜卷轴10中是否混入有微小的金属片等异物，X射线源等放射线源21配置于面对膜卷轴10的一侧的侧端部的位置。以下，设为从放射线源21放射X射线，但也可以替代X射线而使用γ射线等其他放射线。放射线源21一般可以认为是点光源，X射线以光轴31与膜卷轴10的一侧的侧端部垂直的方式，从放射线源21起沿着光轴31呈圆锥状或角锥状地扩展而发射。在图中，标记32表示X射线扩展的范围(照射范围)。而且，为了检测透过了膜卷轴10的X射线，由成像板等二维X射线检测器构成的检测器26以检测器26的中心位置位于光轴31的延长线上的方式配置于面向膜卷轴10的另一侧的侧端部的位置。
如果在膜卷轴10内存在金属等异物，则X射线被该异物遮蔽，因此检测器26中的、与异物对应的位置处的X射线强度下降。通过将X射线强度下降后的位置作为像而检测出来，能够检测出该膜卷轴10的异物和该异物在膜卷轴10内的位置。这里的位置是从侧端面观察膜卷轴时向该方向投影的圆状平面中的二维坐标。
根据放射线透过检查技术中的通用术语，将放射源21与检测器26之间的距离称为FID(Focus to Image Distance：焦点到像的距离)。此外，将放射线源21与作为检查对象物的膜卷轴10的靠放射线源21侧的侧端部之间的间隔距离称为FOD(Focus to ObjectDistance：焦点到目标的距离)。FOD原本是放射线源21与作为检测对象的异物之间的间隔距离，但在执行放射线透过检查之前的阶段中，异物的位置不明确，因此，在本发明中，设放射线源21与膜卷轴10的靠放射线源21侧的侧端部之间的间隔距离为FOD。
(关于检测灵敏度和灵敏度不均)
接着，使用图2对异物的检测灵敏度和灵敏度不均进行说明。这里，使用具体数值以使说明容易理解，但本发明并不限定于这样的具体尺寸。考虑FID为200mm、FOD为20mm、膜卷轴10的厚度T为60mm的情况。
在图2中，从位于图示上方的放射线源21朝向位于图示下方的检测器26沿着膜卷轴10的厚度方向照射X射线。为了可靠地检测出微小的异物41，需要尽量增大检测器26中的异物的像42，从而要使从放射线源21到异物41的距离比FID小，从而增大投影倍率。投影倍率相当于异物的像42的大小除以异物41的实际大小所得的值，投影倍率为FID除以FOD所得的值(FID/FOD)。
图2(a)示出了在膜卷轴10的靠放射线源21侧的侧端部A(图2的标记14)存在异物41的情况。此时，放射线源21与异物41之间的间隔距离为20mm，投影倍率为10(＝200÷20)。因此，如果异物41的大小为100μm，则检测器26中的异物的像42的大小(投影尺寸)为1000μm。相反，相当于检测灵敏度的下限的异物的大小根据能够检测出的像42的大小而以如下方式确定。如果检测器26中的能够检测出的像42的大小为400μm以上，则能够检测出的异物41的大小的下限、即检测灵敏度是异物的大小为40μm。同样，图2(b)示出了在膜卷轴10的厚度方向上的中央存在异物41的情况。此时，放射线源21与异物41之间的间隔距离为50mm。图2(c)示出了在膜卷轴10的靠检测器26侧的侧端部B(图2的标记15)存在异物41的情况。此时，放射线源21与异物41之间的间隔距离为80mm。关于(b)和(c)的情况，也能够与(a)的情况同样地求出投影倍率、异物41的大小为100μm时的检测器26中的投影尺寸和像42的大小为400μm时的异物41的大小即检测灵敏度(下限)。表1示出这些投影倍率、投影尺寸和检测灵敏度(下限)。
【表1】
Figure BDA0002786841500000081
如表1所示，在膜卷轴10的厚度T为60mm的情况下，灵敏度不均的程度变大，成为40～160μm。此外，例如在(c)的情况下，由于检测灵敏度为160μm，因此无法检测出大小为100μm的异物。此外，混入到膜卷轴中的异物的投影尺寸是异物的大小与投影倍率的乘积。即，由于异物的位置不明确，因此无法根据投影尺寸确定异物的大小。
如上所述，能够检测的异物的大小根据异物在厚度方向上的位置、即根据异物在放射线源与检测器之间存在于何种比率的部位来确定。投影倍率为FID/FOD，因此，检测器中的像的大小与FID成正比，与FOD成反比。因此，相同大小的异物的检测灵敏度与FOD成反比。通过增大FOD而增大从放射线源到检查对象物的距离相对于从放射线源到检测器的距离的比率，由此，因厚度方向上的位置引起的能够检测的检查对象物的大小的差异、即灵敏度不均变小。
具体而言，在设FID的距离为1、放射线源的位置为0、检测器的位置为1、作为检查对象的膜卷轴的厚度的比例相对于FID的距离为0.3(测定范围为0.3的宽度)的情况下，灵敏度不均如下所述。
在从放射线源到侧端面A的距离(FOD)为0.2的情况下，
膜卷轴中的厚度范围为0.2～0.5
0.2时，1/0.2＝5
0.5时，1/0.5＝2
因此，灵敏度不均为5/2＝2.5(倍)
在从放射线源到侧端面A的距离(FOD)为0.5的情况下，
膜卷轴的厚度范围为0.5～0.8
0.5时，1/0.5＝2
0.8时，1/0.8＝1.25
因此，灵敏度不均为2/1.25＝1.6(倍)。
另一方面，关于检测灵敏度(检测微小的异物)，要增大FID或减小FOD。即，检测灵敏度和灵敏度不均是相反的特性，为了检测微小的异物，灵敏度不均会变大。当使放射线从任意一个侧端面透过来检测膜卷轴中的异物时，膜卷轴中的微小异物也有时会因位置的不同而无法检测到。此外，不知道存在于厚度方向上的哪个位置，根据检测结果是难以确定实际的异物的大小的。
(FOD较大的情况下的从膜卷轴正反面透过放射线的放射线透过检查方法)
在现有技术中，为了能够检测位于膜卷轴10的检测器26侧的侧端部的大小为100μm的异物41，在保持FOD不变的情况下，需要使FID比上述条件长。这会导致检测器26侧的X射线强度的下降，需要延长X射线的照射累计时间，测定时间会变长。
并且，当FID变长时，放射线的扩散范围会超过检测器26的面积，入射至检测器26的X射线的扩散范围变窄。通过一次的X射线照射进行异物检测所能够测定到的范围也变窄，因此，整个膜卷轴10的检查所需的X射线照射次数也增加，测定时间进一步变长。另一方面，为了能够检测到附着于检测器26侧的100μm的大小的异物41，在将FID设为上述条件的情况下，要减小FOD，但在该情况下，由于无法将FOD设定为零以下，因此无法测定厚度T较大的膜卷轴10。
图3是说明基于本发明的放射线透过检查方法的原理的图，图3(a)示出了基于现有方法的检查，图3(b)示出了基于本发明的检查。将与图2所示的膜卷轴厚度相同的厚度T为60mm的膜卷轴10作为检查对象物来检测大小为100μm以上的异物。从使用图2进行的说明可知，检测器26侧的异物的检测更困难，因此在图3(a)所示的现有方法中，为了能够检测位于检测器26侧的侧端部的大小为100μm的异物(即，设检测器26侧的侧端部处的检测灵敏度为100μm)，设FOD为15mm。此时，针对膜卷轴10的靠放射线源21侧的侧端部，能够以检测灵敏度20μm进行异物41的检测。即，在该例子中，检测灵敏度在20μm与100μm之间发生偏差，灵敏度不均较大。此外，当考虑X射线的扩散时，在一次照射的检查中，在放射线源21侧的侧端部例如能够对视野为3.5mm×2mm的区域进行异物41的检测，在检测器26侧的侧端部能够对视野为17.5mm×10mm的区域进行异物41的检测。为了遍及整个膜卷轴10进行异物41的检查，需要根据最小视野(放射线源21侧的侧端部处的X射线的视野)而如图示的虚线所示那样全面地针对膜卷轴10以扫描的方式照射X射线。
另一方面，在图3(b)所示的基于本发明的方法中，在一次X射线照射中，检测位于从膜卷轴10的靠放射线源21侧的侧端部A到膜卷轴10的厚度方向上的中间位置C(点划线)的区域中的大小为100μm以上的异物41。而且，虽然未图示，针对从中间位置C起的区域，通过从另一个面照射放射线来进行检测。设放射线源21、检测器26、FID等与图3(a)的情况相同，由于在膜卷轴10的厚度方向上的中间位置C处只要能够检测出大小为100μm的异物41即可，因此能够设FOD为45mm。
此时，放射线源21侧的侧端部A处的检测灵敏度为60μm，视野为10.5mm×6mm。厚度方向上的中间位置C处的检测灵敏度为100μm，视野为17.5×10mm。检测灵敏度在60μm与100μm之间，存在偏差，但与图3(a)的情况相比，偏差大幅减小。此时的最小视野为10.5×6mm，与图3(a)所示的以往的情况相比，面积比为9倍。因此，在本发明的方法中，与以往的方法相比，能够以9倍的速度进行检查。
但是，在图3(b)所示的方法中，在膜卷轴10的厚度方向上的中间位置C与检测器26侧的侧端部B之间的区域，检测灵敏度比100μm差。因此，为了可靠地检测大小为100μm以上的异物41，在本发明中，相对于由放射线源21和检测器26构成的测定部、即相对于第1检查工序，使膜卷轴10相对地翻转，使得没有被检查的区域朝向放射线源21侧，再次进行放射线透过检查(第2检查工序)。其结果，在本发明的方法中，对膜卷轴10实施从其一侧的侧端部A侧照射放射线的第1异物检测工序和从另一侧的侧端部B侧照射放射线的第2异物检测工序。
虽然测定花费时间，但在本发明中，与通过单个异物检测工序进行全部的异物41的检测的图3(a)的情况相比，最小视野的面积为9倍，因此，考虑即使进行两次的异物检测工序，也能够使X射线的照射次数为大约1/5(2/9)。即，在本发明中，与基于以往已知的技术的方法相比，能够以较短时间进行异物检测。如果以不相互干涉的方式准备两组由放射线源21和检测器26构成的测定部，通过一个测定部从膜卷轴10的一侧的侧端部A照射放射线，通过另一个测定部从另一侧的侧端部B照射放射线，则也能够同时进行第1异物检测工序和第2异物检测工序。由此，能够进一步缩短检查膜卷轴10的整个面所需的时间。此外，在图3(b)所示的方法中，与图3(a)的方法相比，降低了灵敏度不均的程度，因此还能够相应地检查厚度较大的膜卷轴10。此外，能够使膜卷轴10与放射线源21较远地隔开。因此，可供检查的膜卷轴10的种类也增加。
(从正反面进行放射线透过检查时的异物位置和大小)
另外，在使用图3(b)所说明的本发明的放射线透过检查方法的情况下，存在如下情况：在对膜卷轴10从一侧的侧端部A照射放射线时和从另一侧的侧端部B照射放射线时，检测到相同的异物41。在该情况下，能够求出异物41的厚度方向上的位置和大小。图4是说明在这种情况下求出异物41的厚度方向上的位置和大小的处理的图。
关于图4的(a)所示的膜卷轴10，设其一侧的侧面为侧端部A(标记14)、另一侧的侧面为侧端部B(标记15)。而且，用第1检测器26检测从第1放射线源21照射、从所述膜卷轴10的侧端部A入射、在卷轴中透过而从侧端部B射出的放射线，得到了关于异物41的信息。异物41将像42投影到检测器26上，将该像42的位置作为检测器26的特定的位置信息记录。例如，在XY坐标上使异物的位置图像化。然后，使第1放射线源21与第1检测器26或侧端部A之间的距离、即FID和FOD固定，在膜卷轴的侧面内进行扫描，得到整个膜卷轴的异物41的坐标信息。
关于扫描方法，可以使第1放射线源21和第1检测器26在XY的两个轴上移动，也可以在沿着膜卷轴的径向移动的同时旋转膜卷轴。扫描也可以阶段性地进行，在照射检查所需的规定的放射线量之后，以照射面积不重叠的方式移动固定距离。此外，也可以在以极低的速度连续移动的同时，记录膜卷轴的侧面的位置。如果每次的照射面积较小，则增加照射次数。通过以此方式进行扫描，能够得到膜卷轴的侧面上的异物的位置和像42的大小A1。另外，因放射线被金属异物等遮蔽而使放射线降低，因此对于像42的大小优选使用对其像素数进行计数的方法。
在图4的(b)中，从与图4的(a)相反的一侧的面(背面)实施膜卷轴10的检查。这里，用第2检测器27检测从第2放射线源22照射、从所述膜卷轴的侧端部B入射、在卷轴中透过而从侧端部A射出的放射线，得到了关于异物的信息。异物41的像42投影到检测器27上，该像42的位置作为在检测器27中的特定的位置信息被记录。例如，异物的位置显示在XY坐标的映射图上。而且，与第1放射线源21和第1检测器27同样地，将FID和FOD固定，在膜卷轴的侧面内进行扫描，能够得到整个膜卷轴中的异物41的坐标信息。此外，能够得到像42的大小A2。
图4的(a)和图4的(b)中的异物41相同，因此，该异物41在膜卷轴的侧面内的位置信息(例如XY坐标)相同。但是，根据与各放射线源21、22之间的距离的关系，第1检测器26和第2检测器27中的像42的大小A1与A2不同。
这里，针对FID与FOD之比以及检测灵敏度(能够检测出的最小的大小)，对第1异物检测工序和第2异物检测工序进行比较来进行说明。第1异物检测工序包含第1放射线源21和第1检测器26，使放射线从膜卷轴的侧端部A起向侧端部B透过来进行检查。第2异物检测工序包含第2放射线源22和第2检测器27，使放射线从膜卷轴的侧端部B起向侧端部A透过来进行检查。
将第1异物检测工序和第2异物检测工序的FID调整为距离相等。然后，将第1异物检测工序和第2异物检测工序的FOD调整为距离相等。其中，在第1异物检测工序中，FOD是放射线源21与侧端部A之间的距离，在第2异物检测工序中，FOD是放射线源22与侧端部B之间的距离。如上所述，在图4的(a)和图4的(b)的一例中，FID为200mm，FOD为45mm。
关于第1异物检测工序和第2异物检测工序各自的检测灵敏度和灵敏度不均，如上所述。
(检测灵敏度)在第1异物检测工序中的侧端部A与第2异物检测工序中的侧端部B处，沿着厚度方向的距离能够检测出大约90μm以上的异物，在膜卷轴(厚度T为60mm)的中央位置处能够检测出大约150μm以上的异物，并且，在第1异物检测工序中的侧端部B与第2异物检测工序中的侧端部B处、沿着厚度方向上的距离能够检测出大约为210μm以上的异物。
而且，关于投影到各检测器上的像42的大小，在100μm见方的异物位于第1异物检测工序中的侧端部A与第2异物检测工序中的侧端部B的厚度方向上的距离时，像42的大小为大约4.44倍即444μm见方，在位于膜卷轴(厚度T为60mm)的中央位置时，像42的大小为大约2.67倍即267μm见方，进而，在异物位于第1异物检测工序中的侧端部B和第2异物检测工序中的侧端部B的距离时，像42为大约2.11倍即211μm见方。
假设在膜卷轴10中存在实际尺寸为a的异物41，设从膜卷轴10的厚度方向上的中间位置C到异物41的距离为z。如上所述，膜卷轴10的厚度为T。设对膜卷轴10从一侧的侧端部侧照射X射线的情况和从另一侧的侧端部侧照射X射线的情况下的、因异物41在检测器26中产生的像42的大小分别为A1、A2。即使假设A1≧A2，也不会失去普遍性，因此设A1≧A2。于是，异物41存在于如下位置：从膜卷轴的厚度方向上的中间位置C观察时，在像的大小为A1时，沿着放射线源21的方向从中间位置C离开了z的位置。图4的(a)所示的像42的大小为A1时投影倍率A1/a和图4的(b)所示的像42的大小为A2时的投影倍率A2/a分别通过式(1)、(2)表示。
A1/a＝FID/(FOD+T/2-z)：(2)
A2/a＝FID/(FOD+T/2+z)：(3)
如式(4)、(5)所示，能够根据式(2)、(3)求出异物41的实际尺寸a和距中间位置C的距离z。
z＝(A1-A2)/(A1+A2)×(FOD+T/2) (4)
a＝2×A1×A2/(A1+A2)×(FOD+T/2)/FID (5)
如上所述，通过使用分别从膜卷轴的两侧面使放射线入射的第1异物检测工序和第2异物检测工序来得到异物信息，能够求出膜卷轴10的厚度方向上的距离和实际的异物的大小。这是因为，在判定混入到膜卷轴中的异物时，无论厚度方向上的距离、即膜卷轴中的膜宽度方向上的存在位置如何，都会知道异物的实际大小，因此，例如能够判定是否超过了引起问题的异物的大小，能够提高检查精度。
这样，在使放射线从膜卷轴的两侧面入射并进行包含第1异物检测工序和第2异物检测工序的检查的情况下，从膜卷轴的两侧面的放射线源到检查对象物的距离优选设为容易检测出至少存在于膜卷轴的厚度(T)的一半的厚度的异物的条件。即，从放射线源到异物的最大距离为FOD+1/2T(其中，T表示膜卷轴的厚度)。由于距放射线源的距离越小，检测灵敏度越高，因此，FOD+1/2T除以FID得到的值优选为0.5以下。另一方面，距放射线源的距离越小，灵敏度不均程度越大，因此，FOD优选为20mm以上。虽然取决于膜卷轴的厚度(T)，但是，FOD+1/2T除以FID的值在T＝60mm时优选为0.25以上，在T＝40mm时优选为0.2以上。即，满足上述式(1)条件是优选的方式。
0.2≤(T+2FOD)/2FID≤0.5……(1)
此外，关于检查时间，由于从膜卷轴的正反面进行两次测定，因此测定时间为2倍。当使每一次的测定面积增大到2倍以上时，可缩短检查所花费的合计时间。测定面积与距离的平方成比例。对应于FOD+1/2T的距离的测定面积与对应于FOD的距离的测定面积之比、即(FOD+1/2T)/FOD之比超过√2是优选方式。
在只能从膜卷轴10的任意一侧的侧端部检测出异物41的情况下，根据测定出的像42的大小来假定异物41的实际尺寸即可。基于本发明的放射线透过检查方法例如用于在规定大小以上的异物41混入到膜卷轴10中时将该膜卷轴10作为不合格品排除，因此，即使进行这样的实际尺寸的假定，也不会失去进行放射线透过检查的意义。
图5是示出相对于膜卷轴的厚度方向在第1异物检测工序和第2异物检测工序中可否检测出异物的特性图。示出了在使用如图2(b)所示的结构(FID＝200mm、FOD＝20mm)进行了厚度为60mm的膜卷轴10的检查时，根据异物41的厚度方向上的位置和实际尺寸，从两个侧端部中的哪一侧照射X射线都能够检测出该异物41(记作“能够从两个侧端部检测”)、仅可从某一个侧端部照射X射线来检测(记作“仅能够从单侧的侧端部检测”)或者从哪一侧的侧端部照射X射线都无法检测(“从哪一个侧端部都不能检测”)。
这样，在第1异物检测工序和第2异物检测工序的检测中，使放射线源和检测器在膜卷轴的侧面上进行扫描，将所得到的各个异物缺陷映射图重叠绘制，从而能够检测更微小的异物。此外，能够缩短异物的大小和位置的计算处理花费的时间。另外，在膜卷轴10中沿着X射线的光轴而存在多个异物41的情况下，这些异物41的像发生重叠，从而检测结果是好像仅存在一个异物。这样的像的重叠能够通过使X射线的照射位置稍微移动、例如以与上述最小视野的一半相比更窄的间隔进行移动来消除，从而能够将多个异物41分别检测出来。但是，在为了通过异物的检测而判定出不合格品而进行放射线透过检查的情况下，不需要进行这样的异物的像42的分解。另外，为了分离像，也可以使各放射线的光轴与膜卷轴侧面的入射角度不垂直，使光轴倾斜地斜射并入射到膜卷轴，从而对异物分别进行检测。
在以上所说明的基于本发明的放射线透过检查方法中，根据在膜卷轴10的放射线源21侧的侧端部规定的最小视角来确定所需的X射线照射次数，从而确定检查时间。如果使检查对象的厚度变薄，则能够增大最小视角，因此所需的X射线的照射次数与最小视角的面积成反比。因此，在要进一步缩短检查时间的情况下，考虑在膜卷轴10中将中间位置C与放射线源21侧的侧端部之间在厚度方向上划分为多个区域，对每个区域进行异物41的检查，即进行FOD不同的多次检测扫描。由于是来自同一方向的X射线的照射，因此有时异物41的检测会发生重复，但在该情况下，采用只要检测出一个异物41就判断为不合格品的方式即可。
(膜卷轴的厚度较大的情况)
膜卷轴的厚度越大，混在膜卷轴中的异物的检查越困难。图6是说明如下情况的图：以厚度T例如为120mm的膜卷轴10为对象，将从膜卷轴10的厚度方向上的中间位置C到放射线源21侧的侧端部D的区域在厚度方向上进一步划分为两个区域，对每个区域进行异物41的检查。即，是将膜卷轴在厚度方向上分割成四份来进行检查的方法。这是因为，通过增大从放射线源到检查对象物的距离相对于从放射线源到检测器的距离的比率，能够降低灵敏度不均的程度，并且能够得到所需的(在此为100μm的大小)检测异物的检测灵敏度。
作为膜卷轴的厚度方向上的分割份数，在此说明将从膜卷轴10的一侧的侧端部D(标记16)到中间位置C为止的区域分割为两部分的情况。能够将从膜卷轴10的另一侧的侧端部到中间位置C为止的区域也分割为两部分来同样地进行异物41的检测。实际上，优选在膜卷轴10的一侧的侧端部侧和另一侧的侧端部侧分别在厚度方向上分割为两个区域，从而总共将膜卷轴10在厚度方向上分割为四个区域来分别进行异物41的检查。如果应用此处所说明的方式，则也能够将从膜卷轴10的任意一侧的侧端部到中间位置C为止的区域分割为3个以上的区域来对每个区域进行异物41的检查。
在图6中，膜卷轴10的靠放射线源21侧的侧端部的位置用D表示，侧端部D(标记16)与膜卷轴10的厚度方向上的中间位置C之间的中点的位置用E表示。当假定膜卷轴10的厚度T为120mm时，侧端部D与位置E之间的间隔为30mm，位置E与中间位置C之间的间隔也为30mm。图6(a)示出了用于检测位置E与中间位置C之间的区域中的大小例如为160μm以上的异物41的放射线源21和检测器26的配置。放射线源21与检测器26之间的间隔距离FID为200mm，放射线源21与放射线源21侧的侧端部D之间的间隔距离FOD为20mm。于是，如图6(a)中以表形式所示，中间位置C处的检测灵敏度为160μm，位置E的视野尺寸为50mm。当X射线的照射范围为正方形时，检测位置E与中间位置C之间的异物41时的最小视野为50mm×50mm。在图6(a)中，带斜线的阴影的区域是在使用50mm×50mm这一最小范围来进行扫描时能够检测出大小为160μm的异物的区域(检测灵敏度小于160μm的区域)。如图6所示，在侧端部D与位置E之间的区域的一部分中也能够检测出大小为160μm的异物41。侧端部D与位置E之间的区域中的、用涂黑的方式表示的部分是未照射有X射线的未检查区域。
图6(b)示出了用于检测放射线源21侧的侧端部D与位置E之间的区域中的大小为160μm以上的异物41的配置。与图6(a)的情况同样，放射线源21与检测器26之间的间隔距离FID为200mm，放射线源21与放射线源21侧的侧端部D之间的间隔距离FOD为50mm。即，与图6(a)的情况相比，FID相同，但是，FOD增加了30mm。此时，位置E处的检测灵敏度为160μm，位置D处的视野尺寸为50mm，如果假定为正方形的照射视野，则检测侧端部D与位置E之间的异物41时的最小视野为50mm×50mm。在图6(b)中，带斜线的阴影的区域是在使用50mm×50mm的最小视野来进行扫描时能够检测出大小为160μm的异物的区域(检测灵敏度小于160μm的区域)。
在使用图6所说明的方法中，进行了两次使用50mm×50mm的视野的扫描。与此相对，当欲使用这里所示的设备结构通过一次检查来检测出侧端部D与中间位置C之间的、大小为160μm以上的异物41时，需要与图6(a)的情况同样地设FOD为20mm，此时，由于侧端部D处的视野尺寸为20mm，因此需要进行一次使用20mm×20mm的视野的扫描。50mm×50mm的视野的面积为2500mm2，比20mm×20mm的视野的面积即400mm2大6倍以上，因此，虽然使用图6所说明的方法要进行两次扫描，但与通过1次扫描检测侧端部D与中间位置C之间的异物的情况相比，更能够缩短整体的测定时间。
并且，在图6(a)和图6(b)中，对从侧端部D(标记16)到膜卷轴的中间位置C进行了说明，但优选对从另一侧的侧端部到膜卷轴的中间位置C也以同样方式进行检查。此时，优选除了第1异物检测工序和第2异物检测工序以外，还包含第3异物检测工序和第4异物检测工序。第3异物检测工序包含第3放射线源23和第3检测器28，第4异物检测工序包含第4放射线源24和第3检测器29。而且，对于第3异物检测工序和第4异物检测工序的FID和FOD，调整为与第1异物检测工序和第2异物检测工序不同的值且将FID、FOD调整为相同的值。提供了使用两组异物检测工序来从膜卷轴的两侧面覆盖膜卷轴的厚度方向整体的检查方法。
(异物)
虽然作为能够使用本发明检测的异物的材质，例如可以举出金属(Cu、SUS、Fe等)以及它们的氧化物、二氧化硅等，但是，只要与透过没有异物的部位的X射线强度(包含偏差)相比，透过有异物的部位的X射线强度存在显著差异(＝只要提高S/N比)，则不限于上述材质，都能够检测。另外，一般来说，异物的比重越大，透过后的X射线强度越小，存在S/N比升高而容易检测的倾向。此外，厚度T越大，透过膜后的X射线强度偏差越累计得较大，因此即使是同一异物，也存在S/N比减小而难以检测的倾向。
(放射线透过检查装置的第1实施方式)
接着，对用于实施上述放射线透过检查方法的放射线透过检查装置进行说明。图7是示出放射线透过检查装置的第1实施方式的图，(a)是俯视图，(b)是主视图。设置有保持部46，该保持部46可拆卸地保持在芯11的外周面上卷绕有多圈的长条的膜的膜卷轴10以作为检查对象物。保持部46经由芯11将膜卷轴10保持成使芯11的中心轴13为水平。在保持部46上还设置有旋转驱动部47，该旋转驱动部47用于使膜卷轴10绕中心轴13旋转。
将膜卷轴的一侧的侧面作为侧端部A、另一侧的侧面作为侧端部B，在面对膜卷轴10的一侧的侧端部的位置处设置向膜卷轴10照射X射线的放射线源21，在面对膜卷轴10的另一侧的侧端部的位置且在放射线源21的X射线的光轴31的延长线上设置检测透过了膜卷轴10的X射线的检测器26。由放射线源21和检测器26构成了第1测定部。即，第1测定部由第1放射线源和第1检测器构成，所述第1放射线源照射被设置成从所述膜卷轴的侧端部A入射、在卷轴中透过而从侧端部B射出的放射线，所述第1检测器检测从侧端部B射出的放射线。同样地，在面对膜卷轴10的另一侧的侧端部的位置且远离第1检测器21的位置处设置向膜卷轴10照射X射线的放射线源22，在面对膜卷轴10的一侧的侧端部的位置且放射线源22的X射线的光轴31的延长线上设置检测透过了膜卷轴的X射线的检测器27。由放射线源22和检测器27构成了第2测定部。即，第2测定部由第2放射线源和第2检测器构成，所述第2放射线源照射被设置成从所述膜卷轴的侧端部B入射、在卷轴中透过而从侧端部A射出的放射线，所述第2检测器检测从侧端部A射出的放射线。
检测器26、27均由成像板等二维检测装置构成。第1测定部中的X射线的光轴31和第2测定部中的X射线的光轴31均与芯11的中心轴13平行，并且，这些光轴31和芯11的中心轴13位于同一水平面内。
在以下的说明中，将与芯11的中心轴13平行的方向称为x方向、将在水平面内与x方向垂直的方向称为y方向。放射线源21、22分别安装在调整台51、52上，该调整台51、52在保持放射线源21、22的高度的状态下使放射线源21、22在水平面内沿x方向移动。同样，检测器26、27分别安装在调整台56、57上，该调整台56、57在保持检测器26、27的高度的状态下使检测器26、27在水平面内沿x方向移动。在第1测定部中，能够通过利用调整台51使放射线源21沿x方向移动，使FOD(放射线源与膜卷轴10的朝向放射线源的侧端部之间的间隔距离)发生变化，通过利用调整台51使放射线源21沿x方向进行的移动以及利用调整台56使检测器26沿x方向进行的移动中的至少一方，能够使FID(放射线源与检测器之间的间隔距离)发生变化。同样，对于第2测定部也能够调整其FID和FOD。设置有控制调整台51、52、56、57的移动量的控制部50(在图7(a)中未图示)，控制部50优选控制成使第1测定部中的FID及FOD与第2测定部中的FID及FOD相等。
为了使膜卷轴10中的径向上的X射线的照射位置发生变化，设置有移动台61、62(在图7(b)中未图示)。调整台51、56安装在移动台61上，移动台61使调整台51、56一体地沿y方向移动，在该调整台51、56上分别安装有第1测定部的放射线源21和检测器26。同样地，调整台52、57安装在移动台62上，移动台62使调整台52、57一体地沿y方向移动，在该调整台52、57上分别安装有第2测定部的放射线源22和检测器27。此时，移动台61、62优选以如下方式相互移动：使从膜卷轴10的中心(即、芯11的中心轴13的位置)到第1测定部中的放射线的光轴31的距离与到所述第2测定部中的放射线的光轴31的距离31始终相同。
并且，在该放射线透过检查装置中设置有处理部65，该处理部65基于检测器26、27的检测结果，根据使用图4和图5所说明的原理来计算在膜卷轴10中检测到的异物的大小。
在图7所示的放射线透过检查装置中，在通过调整台51、52、56、57调整了第1测定部和第2测定部的FID和FID之后，通过旋转驱动部47使膜卷轴10旋转，并且，通过移动台61、62使膜卷轴10的径向上的X射线的照射位置发生变化，由此能够遍及卷绕在膜卷轴10上的膜的全部执行基于本发明的放射线透过检查方法。在该装置中，通过使用X射线的照射方向彼此相反的第1测定部和第2测定部来同时进行放射线透过检查，能够在不使膜卷轴10的一侧的侧端部与另一侧的侧端部、即不使正面与背面翻转的情况下，以较短时间遍及卷绕在膜卷轴10上的膜的全部进行异物的检查。此外，由于在放射线源21(22)与检测器26(27)之间未设置有膜卷轴10以外的阻碍X射线的透过或使X射线衰减的部件，因此能够抑制噪声的影响并得到清晰的图像。
(放射线透过检查装置的第2实施方式)
在使用图7所说明的放射线透过检查装置中，膜卷轴10被保持成芯11的中心轴13为水平，但也可以构成为将膜卷轴10保持成中心轴13成为铅垂方向。在图8中被示出主视图的放射线透过检查装置中，通过保持部46以可拆卸的方式保持膜卷轴10使得芯11的中心轴13成为铅垂方向。此时，由于X射线的光轴也处于铅垂方向，因此无法使用调整台来调整放射线源21、22或检测器26、27的位置。因此，在图8所示的放射线透过检查装置中，关于第1测定部，在形成为C字状或コ字状的安装部件66的两端，分别经由调整部件71、76以彼此相对的方式安装有放射线源21和检测器26。同样地，关于第2测定部，在C字状或コ字状的安装部件67的两端，分别经由调整部件72、77安装有放射线源22和检测器27。调整部件71、72、76、77用于调整FID和FOD，与图7的装置同样，通过控制部50(在图8中未图示)被控制。而且，移动台61、62分别使安装部件66、67在膜卷轴10的径向上移动。在图8所示的放射线透过检查装置中，也能够与图7所示的放射线透过检查装置同样地检测膜卷轴10中的异物。此外，也可以设置根据检测器26、27中的检测结果来计算异物的大小的处理部。在该例子中，在放射线源21(22)与检测器26(27)之间也没设置膜卷轴10以外的阻碍X射线的透过或使X射线衰减的部件，因此能够抑制噪声的影响并得到清晰的图像。因此，在第2实施方式中，作为保持部46，虽然也可以使用以包含在膜卷轴10中X射线透过的部分的方式而载置的工作台状的部件，但在该情况下，工作台的透过图像被检测器26(27)作为背景信号而检测出来，会导致S/N比的下降，因此优选如上所述那样保持膜卷轴10的中心轴13的结构。
(放射线透过检查装置的第3实施方式)
图7所示的放射线透过检查装置具有第1测定部和第2测定部这两个测定部，该第1测定部由放射线源21和检测器27构成，该第2测定部由放射线源22和检测器27构成。但是，在基于本发明的放射线透过检查装置中，通过进一步增加测定部的数量并同时执行异物检测工序，能够进一步缩短检查时间。图9示出了相对于图7所示的装置追加2个测定部而共计具有4个测定部的放射线透过检查装置。在图9中，为了明确放射线源和检测器的配置，作为从膜卷轴10的一侧的侧端部侧观察到的侧视图，仅示出了包含芯11的膜卷轴10、放射线源21～24和检测器26～29。图中用虚线表示的要素位于膜卷轴10的另一侧的侧端部侧，是在从一侧的侧端部侧观察的情况下被膜卷轴10挡住而看不见的要素。
在图9所示的放射线透过检查装置中，设如图7所示那样已经设置有第1测定部和第2测定部，然后在面向膜卷轴10的一侧的侧端部的位置、且与放射线源21和第2检测器27分离的位置处设置向膜卷轴10照射X射线的放射线源23。在面对膜卷轴10的另一侧的侧端部的位置、即放射线源23的X射线的光轴的延长线上设置检测透过了膜卷轴10的X射线的检测器28。由放射线源23和检测器28构成第3测定部。然后，在面向膜卷轴10的另一侧的侧端部的位置且与放射线源22和检测器26、28分离的位置处设置向膜卷轴10照射放射线的放射线源24，在面向膜卷轴10的一侧的侧端部的位置处且放射线源24的X射线的光轴的延长线上设置检测透过了膜卷轴10的X射线的检测器29。由放射线源24和检测器29构成第3测定部。第1测定部、第2测定部、第3测定部和第4测定部构成为具有相同的FID。
特别是在图9所示的放射线检查装置中，各测定部具有相同的FOD，可以缩小每个测定部的扫描范围从而缩短作为整体的检查时间。但是，在该装置中，构成为第1测定部和第2测定部具有相同的FOD，第3测定部具有比第1测定部大的FOD，第4测定部具有比第2测定部大的FOD，由此能够实施使用图6所说明的、将侧端部与厚度方向上的中间位置之间在厚度方向上分割为多个区域来检测异物的方法。
(放射线透过检查装置的第4实施方式)
图7、图8和图9所示的放射线透过检查装置具有多个由放射线源和检测器构成的测定部。但是，也存在无法使用多个测定部的情况。在只能使用一个测定部的情况下，需要在从膜卷轴10的一侧的侧端部照射X射线的情况和从另一侧端部照射X射线的情况之间进行切换的某种切换机构。图10示出了具有一个测定部和切换机构的放射线透过检查装置。
设置有保持部46，该保持部46经由芯11以可拆卸的方式将膜卷轴10保持成使芯11的中心轴13为水平。在保持部46上还设置有旋转驱动部47，该旋转驱动部47用于使膜卷轴10绕中心轴13旋转。在面对膜卷轴10的一侧的侧端部的位置处设置向膜卷轴10照射X射线的放射线源21，在面对膜卷轴10的另一侧端部的位置且放射线源21的X射线的光轴31的延长线上设置检测透过了膜卷轴10的X射线的检测器26。光轴31被设定为与芯11的中心轴13平行。由放射线源21和检测器26构成测定部。在此，在形成为C字状或コ字状的安装部件66的两端，分别经由调整部件71、76以彼此相对的方式安装有放射线源21和检测器26。调整部件71、76用于调整FID和FOD。为了使光轴31的位置在膜卷轴10的径向上移动，设置有使安装部件66在图示的上下方向上移动的上下移动部81，安装部件66以悬吊的方式与上下移动部81连接。并且，为了使放射源21绕与芯11的中心轴13垂直的轴相对于膜卷轴10相对地旋转180°，设置有切换部82。例如，切换部82安装在设置有放射线透过检查装置的空间的天花板上，上下移动部81的上端与切换部82连接。
在图10所示的放射线透过检查装置中，在利用调整部件71、76调整了FOD和FID之后，利用旋转驱动部47使膜卷轴10旋转，并且，利用上下移动部81使膜卷轴10的径向上的X射线的照射位置发生变化，由此能够用X射线针对卷绕在膜卷轴10上的膜的全部进行操作。虽然为了实施基于本发明的放射线透过检查方法，必须使膜卷轴10中供X射线入射的一侧翻转，为此，通过上下移动部81将安装部件66向上方提升至放射线源21或检测器26不会与膜卷轴10机械地干涉的位置，然后，通过切换部82使安装部件66的朝向在水平面内旋转180°，在旋转之后，再次使安装部件66下降来进行如下的照射即可。
图10所示的放射线透过检查装置由于只需要一个放射线源和一个检测器，因此在放射线源或检测器的成本成为问题时是有效的装置。
(微多孔膜的制造方法)
接着，对通过上述的放射线透过检查方法判定是否合格的微多孔膜的制造方法进行说明。在制造聚烯烃微多孔膜作为微多孔膜的情况下，首先，在聚烯烃树脂中添加液体石蜡等增塑剂，利用双轴挤出机等将它们熔融捏合，得到聚烯烃溶液。然后，使用T型模具等接口喷出聚烯烃溶液，通过铸件冷却装置等进行冷却，从而得到凝胶状片。将凝胶状片沿机械方向(MD)和宽度方向(TD)拉伸而制成拉伸片，然后，使用清洗溶剂等从拉伸片中将增塑剂溶解去除，由此得到微多孔膜。通过执行从聚烯烃溶液的喷出到增塑剂的溶解去除的连续工序，得到作为长条的膜的微多孔膜薄膜，因此通过将该微多孔膜薄膜卷绕在芯11的外周面上，能够得到膜卷轴10。然后，实施上述的放射线透过检查方法中的任意一个，对膜卷轴10所包含的异物进行检查。将检查的结果为判定为合格品的产品发货。
产业上的可利用性
应用本发明的检查方法的制造工序不限于聚烯烃制电池分离膜，也适用于涂敷分离膜、无纺布制电池分离膜、电容器用膜、MLCC脱模用膜、用于高精度过滤用途的聚烯烃微多孔膜等的制造工序。
标号说明
10：膜卷轴；
11：芯；
12：膜；
13：芯的轴；
14：膜卷轴的侧端部A；
15：膜卷轴的侧端部B；
16：膜卷轴的侧端部D；
21：第1放射线源；
22：第2放射线源；
23：第3放射线源；
24：第4放射线源；
26：第1检测器；
27：第2检测器；
28：第3检测器；
29：第4检测器；
31：光轴；
32：X射线的照射范围；
41：异物；
42：像；
46：保持部；
47：旋转驱动部；
50：控制部；
51、52、56、57：调整台；
61、62：移动台；
65：处理部；
66、67：安装部件；
71、72、76、77：调整部件；
81：上下移动部；
82：切换部；
C：膜卷轴的厚度方向上的中心位置；
T：膜卷轴的厚度。

Claims (18)

1.一种放射线透过检查方法，将在芯的外周面上卷绕多圈长条的膜而得到的膜卷轴作为检查对象，其中，
设卷轴的一侧的侧面为侧端部A、另一侧的侧面为侧端部B，在该放射线透过检查方法中包含以下工序：
第1异物检测工序，用第1检测器检测从第1放射线源照射、从所述膜卷轴的侧端部A入射且在卷轴中透过、并从侧端部B射出的放射线，得到关于异物的信息；以及
第2异物检测工序，用第2检测器检测从第2放射线源照射、从所述膜卷轴的侧端部B入射且在卷轴中透过、并从侧端部A射出的放射线，得到关于异物的信息。
2.根据权利要求1所述的放射线透过检查方法，其中，
所述第1放射线源与第1检测器之间的距离(FID)和所述第2放射线源与第2检测器之间的距离(FID)相等，并且，
第1放射线源与侧端部A之间的距离(FOD)和第2放射线源与侧端部B之间的距离(FOD)相等。
3.根据权利要求2所述的放射线透过检查方法，其特征在于，
所述FID和FOD满足式(1)：
0.2≤(T+2FOD)/2FID≤0.5……(1)
其中，T表示膜卷轴的厚度。
4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的放射线透过检查方法，其中，
根据从第1异物检测工序得到的异物信息和从第2异物检测工序得到的异物信息来求出混入到膜卷轴中的异物的位置信息和异物的大小。
5.根据权利要求1～4中的任意一项所述的异物的放射线透过检查方法，其中，
同时执行所述第1异物检测工序和所述第2异物检测工序。
6.根据权利要求1～4中的任意一项所述的放射线透过检查方法，其中，
使用第1放射线源作为第2放射线源。
7.根据权利要求2或3所述的放射线透过检查方法，其中，
还具有：第3异物检测工序，用第3检测器检测从第3放射线源照射、从所述膜卷轴的侧端部A入射且在卷轴中透过、并从侧端部B射出的放射线，得到关于异物的信息；以及第4异物检测工序，用第4检测器检测从第4放射线源照射、从所述膜卷轴的侧端部A入射且在卷轴中透过、并从侧端部B射出的放射线，得到关于异物的信息，
所述第3放射线源与侧端部A之间的距离(FOD)以及所述第4放射线源与侧端部B之间的距离(FOD)是与所述第1放射线源与侧端部A之间的距离(FOD)以及所述第2放射线源与侧端部B之间的距离(FOD)不同的距离。
8.根据权利要求1～6中的任意一项所述的放射线透过检查方法，其中，
还具有根据从所述第1异物检测工序得到的信息和从所述第2异物检测工序得到的信息来计算异物的大小的工序。
9.一种放射线透过检查装置，其能够将在芯的外周面上卷绕多圈长条的膜而得到的膜卷轴作为检查对象，其中，
设卷轴的一侧的侧面为侧端部A、另一侧的侧面为侧端部B，
该放射线透过检查装置具有：
保持部，其把持所述膜卷轴的芯；
第1测定部，其由第1放射线源和第1检测器构成，所述第1放射线源照射被设置成从所述膜卷轴的侧端部A入射、在卷轴中透过且从侧端部B射出的放射线，所述第1检测器检测从侧端部B射出的放射线；以及
第2测定部，其由第2放射线源和第2检测器构成，该第2放射线源设置于从所述第1检测器离开的位置，配置成从所述膜卷轴的侧端部B入射、在卷轴中透过且从侧端部A射出，该第2检测器检测从侧端部A射出的放射线。
10.根据权利要求9所述的放射线透过检查装置，其中，
该放射线透过检查装置具有调整部，该调整部调整第1测定部的放射线源与检测器的位置、以及第2测定部的放射线源与检测器的位置，该放射线透过检查装置还具有控制部，该控制部对位置进行调整，使得所述第1放射线源与侧端部A之间的距离(FOD)和所述第2放射线源与侧端部B之间的距离(FOD)相等，并且使得所述第1放射线源与检测器之间的距离(FID)和所述第2放射线源与检测器之间的距离(FID)相等。
11.根据权利要求9或10所述的放射线透过检查装置，其中，
还具有移动部，该移动部使所述第1测定部和所述第2测定部在所述膜卷轴的径向上移动。
12.根据权利要求11所述的放射线透过检查装置，其中，
所述移动部是使所述第1测定部和所述第2测定部以从所述膜卷轴的厚度方向上的中心到第1测定部的距离与到所述第2测定部的距离始终相等的方式移动的机构。
13.根据权利要求9～12中的任意一项所述的放射线透过检查装置，其中，
具有旋转机构，该旋转机构使所述第1测定部和所述第2测定部绕所述膜卷轴的轴相对地进行旋转，以使得能够沿着所述膜卷轴的周向通过放射线对所述膜卷轴进行扫描。
14.根据权利要求9～13中的任意一项所述的放射线透过检查装置，其中，
还具有处理部，该处理部根据由所述第1测定部检测出的检测结果和由所述第2测定部检测出的检测结果，来计算所检测出的异物的大小。
15.根据权利要求9所述的放射线透过检查装置，其中，还具有：
第3测定部，其由第3放射线源和第3检测器构成，所述第3放射线源照射被设置成从所述膜卷轴的侧端部A入射、在卷轴中透过且从侧端部B射出的放射线，所述第3检测器检测从侧端部B射出的放射线；以及
第4测定部，其由第4放射线源和第4检测器构成，该第4放射线源设置于从所述第3检测器离开的位置，配置成从所述膜卷轴的侧端部B入射、在卷轴中透过且从侧端部A射出，该第4检测器检测从侧端部A射出的放射线，
设放射线源与检测器之间的间隔距离为FID、放射线源与所述膜卷轴的侧端部A之间的间隔距离为FOD，
第3测定部的FID与所述第1测定部的FID相等，第3测定部的FOD比所述第1测定部的FOD大，并且第4测定部的FID与所述第2测定部的FID相等，第4测定部的FOD比所述第2测定部的FOD大，并且第3测定部的FOD与第4测定部的FOD相等。
16.根据权利要求9～15中的任意一项所述的放射线透过检查装置，该放射线透过检查装置能够将在芯的外周面上卷绕多圈长条的膜而得到的膜卷轴作为检查对象，其中，该放射线透过检查装置具有：
保持部，其把持所述膜卷轴的芯；
测定部，其由放射线源和检测器构成，该放射线源照射被设置成从所述膜卷轴的一个侧端部入射、在卷轴中透过且从另一个侧端部射出的放射线，该检测器检测从另一个侧端部射出的放射线；以及
切换部，使所述测定部和所述膜卷轴中的至少一方移动，以使所述膜卷轴绕与所述芯的轴垂直的轴相对于放射线源相对旋转180°。
17.一种膜卷轴的制造方法，其包含以下工序：
将长条的膜卷绕在芯上而得到膜卷轴的工序；以及
通过权利要求1～8中的任意一项所述的放射线透过检查方法对所述膜卷轴所包含的异物进行检查的异物检测工序。
18.根据权利要求17所述的膜卷轴的制造方法，其中，
所述膜是聚烯烃微多孔膜。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116930218A (zh) * 2022-09-01 2023-10-24 埃尔西斯株式会社 用于检测被摄体缺陷的x射线拍摄位置确定方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7192760B2 (ja) * 2019-12-24 2022-12-20 トヨタ自動車株式会社 異物検査方法および異物検査装置
WO2022044418A1 (ja) * 2020-08-26 2022-03-03 東レ株式会社 フィルム製品リールの放射線透過検査装置およびこれを用いたフィルム製品リールの製造方法、ならびにフィルム製品リールの放射線透過方法
EP3964823A1 (en) * 2020-09-02 2022-03-09 FORCE Technology A device for testing a flat plate-shaped material
US20230366836A1 (en) * 2020-09-10 2023-11-16 Beamsense Co., Ltd. X-ray radioscope
WO2023189135A1 (ja) * 2022-03-31 2023-10-05 東レ株式会社 検査装置及び検査方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2912608B1 (ja) * 1998-03-27 1999-06-28 近畿コンクリート工業株式会社 コンクリート製品の非破壊検査方法
CN101400992A (zh) * 2005-12-16 2009-04-01 Cxr有限公司 X射线断层摄影检查系统
CN101918820A (zh) * 2007-12-25 2010-12-15 拉皮斯坎系统股份有限公司 用于对人安检的改进的安全系统
US20120314836A1 (en) * 2011-06-08 2012-12-13 Steven Winn Smith X-ray Shoe Inspection
CN108132262A (zh) * 2016-11-30 2018-06-08 住友化学株式会社 缺陷检查装置、缺陷检查方法及隔膜卷绕体的制造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6321039A (ja) 1986-07-15 1988-01-28 株式会社日立製作所 多線源ｃｔスキヤナ
US5886772A (en) * 1996-02-17 1999-03-23 Sony Corporation Film processing apparatus
JP2004354215A (ja) * 2003-05-29 2004-12-16 Ihi Aerospace Co Ltd 放射線透過非破壊検査装置
JP2010127702A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Kyocera Chemical Corp 絶縁性樹脂組成物中の金属粉異物の自動検知方法
JP6265658B2 (ja) 2013-08-27 2018-01-24 株式会社フジシールインターナショナル ラベル連続体の継ぎ目検知方法、及びラベル連続体
WO2016067190A1 (en) * 2014-10-29 2016-05-06 Pirelli Tyre S.P.A. Method and apparatus for controlling production and feeding of semifinished products in a tyre building process
WO2016203330A1 (en) * 2015-06-16 2016-12-22 Dylog Italia S.P.A. A non-destructive x-ray inspection machine, devices provided for such machine and method for operating the same
KR101917640B1 (ko) * 2016-03-05 2018-11-12 미쯔비시 케미컬 주식회사 점착 필름 및 그의 제조방법
JP6865646B2 (ja) * 2016-11-30 2021-04-28 住友化学株式会社 欠陥検査装置、欠陥検査方法、及びセパレータ捲回体の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2912608B1 (ja) * 1998-03-27 1999-06-28 近畿コンクリート工業株式会社 コンクリート製品の非破壊検査方法
CN101400992A (zh) * 2005-12-16 2009-04-01 Cxr有限公司 X射线断层摄影检查系统
CN101918820A (zh) * 2007-12-25 2010-12-15 拉皮斯坎系统股份有限公司 用于对人安检的改进的安全系统
US20120314836A1 (en) * 2011-06-08 2012-12-13 Steven Winn Smith X-ray Shoe Inspection
CN108132262A (zh) * 2016-11-30 2018-06-08 住友化学株式会社 缺陷检查装置、缺陷检查方法及隔膜卷绕体的制造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116930218A (zh) * 2022-09-01 2023-10-24 埃尔西斯株式会社 用于检测被摄体缺陷的x射线拍摄位置确定方法
CN116930218B (zh) * 2022-09-01 2024-04-30 埃尔西斯株式会社 用于检测被摄体缺陷的x射线拍摄位置确定方法

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