CN112144032A - 成膜方法及成膜装置 - Google Patents

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北见尚久
山本哲也
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Sumitomo Heavy Industries Ltd
Kochi Prefectural University Corp
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Abstract

本发明提供一种能够根据用途在适当的条件下进行氧化锌膜的成膜的成膜方法及成膜装置。成膜方法具备设定氧化锌膜的晶界散射贡献率与成膜时的中性氧的比率之间的相关性发生变化的拐点的工序(拐点设定工序S10)。此时，在中性氧的比率比拐点高的区域和中性氧的比率比拐点低的区域，相对于中性氧的比率的变化的规定特性的变化形态不同。成膜方法具备确定是采用中性氧的比率比拐点高的区域的条件还是采用中性氧的比率比拐点低的区域的条件的工序(条件设定工序S20)。由此，能够设定在中性氧的比率比拐点高的条件及中性氧的比率比拐点低的条件中更适合氧化锌膜的用途的条件。

Description

成膜方法及成膜装置
技术领域
本申请主张基于2019年06月27日申请的日本专利申请第2019-119435号的优先权。该日本申请的全部内容通过参考而援用于本说明书中。
本发明涉及一种成膜方法及成膜装置。
背景技术
作为使用等离子体来形成氧化锌膜的成膜装置，已知有专利文献1中记载的成膜装置。该成膜装置使用等离子枪在腔室内生成等离子体，并在腔室内使氧化锌的成膜材料蒸发。氧化锌附着于基板，从而在该基板上形成氧化锌膜。
专利文献1：日本特开2002-241926号公报
其中，形成有氧化锌膜的成膜对象物以各种用途使用。另一方面，氧化锌膜的特性根据成膜时的条件而变化。因此，要求根据用途在适当的条件下进行氧化锌膜的成膜。
发明内容
因此，本发明的课题在于提供一种能够根据用途在适当的条件下进行氧化锌膜的成膜的成膜方法及成膜装置。
本发明所涉及的成膜方法使氧离子化而在对象物上进行氧化锌膜的成膜，所述成膜方法具备：设定氧化锌膜的规定特性与成膜时的中性氧的比率之间的相关性发生变化的拐点的工序；确定是采用中性氧的比率比拐点高的区域的条件还是采用中性氧的比率比拐点低的区域的条件的工序；及在所确定的条件下进行成膜的工序。
本发明所涉及的成膜方法具备设定氧化锌膜的规定特性与成膜时的中性氧的比率之间的相关性发生变化的拐点的工序。此时，在中性氧的比率比拐点高的区域和中性氧的比率比拐点低的区域，相对于中性氧的比率的变化的规定特性的变化形态不同。成膜方法具备确定是采用中性氧的比率比拐点高的区域的条件还是采用中性氧的比率比拐点低的区域的条件的工序。由此，能够设定在中性氧的比率比拐点高的条件及中性氧的比率比拐点低的条件中更适合氧化锌膜的用途的条件。通过以上内容，能够根据用途在适当的条件下进行氧化锌膜的成膜。
本发明所涉及的成膜装置使氧离子化而在对象物上进行氧化锌膜的成膜，所述成膜装置具备：成膜部，进行氧化锌膜的成膜；获取部，获取氧化锌膜的规定特性与成膜时的中性氧的比率之间的相关性发生变化的拐点；检测部，检测成膜时的中性氧的比率；及流量控制部，以通过检测部检测的中性氧的比率不进入相对于拐点的规定范围内的方式控制对成膜部供给的氧流量。
本发明所涉及的成膜装置具备：获取部，获取氧化锌膜的规定特性与成膜时的中性氧的比率之间的相关性发生变化的拐点；及检测部，检测成膜时的中性氧的比率。由此，成膜装置能够根据氧化锌膜的用途在中性氧的比率比拐点高的区域和低的区域中任一条件下进行成膜，并且成膜过程中能够通过检测部监控是否在该条件下进行成膜。并且，成膜装置具备：流量控制部，以通过检测部检测的中性氧的比率不进入相对于拐点的规定范围内的方式控制对成膜部供给的氧流量。由此，流量控制部能够抑制偏离与氧化锌膜的用途相对应的条件。通过以上内容，能够根据用途在适当的条件下进行氧化锌膜的成膜。
发明效果
根据本发明，提供一种能够根据用途在适当的条件下进行氧化锌膜的成膜的成膜方法及成膜装置。
附图说明
图1为本发明的实施方式所涉及的成膜装置的框结构图。
图2为示出表示成膜装置的结构的概略剖视图。
图3为表示氧化锌膜的各种特性与中性氧的比率的关系的图。
图4为表示氧化锌膜的各种特性与中性氧的比率的关系的图。
图5为示意地表示氧化锌膜的结构的图。
图6为本发明的实施方式所涉及的成膜方法的流程图。
图中：1-成膜装置，11-基板(对象物)，52-检测部，53-流量控制部，56-条件设定部(获取部)，100-成膜部。
具体实施方式
以下，参考附图对本发明的一实施方式所涉及的成膜方法及成膜装置进行说明。另外，附图说明中对相同要件标注相同符号并省略重复说明。
首先，参考图1对本发明的实施方式所涉及的成膜装置的结构进行说明。图1为本实施方式所涉及的成膜装置的框结构图。成膜装置1为使氧离子化而在基板上进行氧化锌膜的成膜的装置。如图1所示，成膜装置1具备成膜部100、测定部101、气体供给部40、电流供给部80及控制部50。成膜部100对基板进行成膜。测定部101测定成膜部100内的分光数据。气体供给部40对成膜部100供给气体。电流供给部80对成膜部100供给用于进行氧的离子化的电流。控制部50进行成膜装置1整体的控制。
参考图2对成膜部100、测定部101、气体供给部40及电流供给部80进行说明。图2为表示成膜装置1的结构的概略剖视图。如图2所示，本实施方式的成膜装置1为所谓离子镀法中所使用的离子镀装置。另外，为了方便说明，图2中示出XYZ坐标系。Y轴方向为输送后述基板的方向。Z轴方向为基板与后述炉缸机构相对置的位置。X轴方向为与Y轴方向和Z轴方向正交的方向。
成膜装置1也可以是基板11以基板11的板厚方向成为大致铅垂方向的方式配置于真空腔室10内而被输送的所谓卧式成膜装置。此时，X轴及Y轴方向为水平方向，Z轴方向成为铅垂方向且板厚方向。另外，成膜装置1也可以是以基板11的板厚方向成为水平方向(图1及图2中Z轴方向)的方式在使基板11直立或从直立的状态倾斜的状态下，基板11配置于真空腔室10内而被输送的所谓立式成膜装置。此时，Z轴方向为水平方向且基板11的板厚方向，Y轴方向为水平方向，X轴方向成为铅垂方向。以下，以卧式成膜装置为例，对本发明的一实施方式所涉及的成膜装置进行说明。
成膜部100具备真空腔室10、输送机构3及成膜机构14。
真空腔室10为用于收纳基板11并进行成膜处理的部件。真空腔室10具有：输送室10a，用于输送形成成膜材料Ma的膜的基板11；成膜室10b，使成膜材料Ma扩散；及等离子体口10c，将从等离子枪7以束状照射的等离子体P接收到真空腔室10中。输送室10a、成膜室10b及等离子体口10c彼此连通。输送室10a被设定为沿着规定的输送方向(图中的箭头A)(Y轴)。并且，真空腔室10由导电性材料构成且连接于地电位。
成膜室10b中，作为壁部10W具有：一对侧壁，沿着输送方向(箭头A)；一对侧壁10h、10i，沿着与输送方向(箭头A)交叉的方向(Z轴方向)；及底面壁10j，与X轴方向交叉配置。
输送机构3沿输送方向(箭头A)输送在与成膜材料Ma对置的状态下保持基板11的基板保持部件16。例如，基板保持部件16为保持基板11的外周缘的框体。输送机构3由设置于输送室10a内的多个输送辊15构成。输送辊15沿输送方向(箭头A)等间隔配置，在支承基板保持部件16的同时沿输送方向(箭头A)进行输送。另外，基板11例如使用玻璃基板或塑料基板等板状部件。
接着，对成膜机构14的结构进行详细说明。成膜机构14通过离子镀法使成膜材料Ma的粒子附着于基板11。成膜机构14具有等离子枪7、转向线圈5、炉缸机构2及环炉缸6。
等离子枪7例如为压力梯度型等离子枪，其主体部分经由设置于成膜室10b的侧壁的等离子体口10c连接于成膜室10b。等离子枪7在真空腔室10内生成等离子体P。在等离子枪7生成的等离子体P以束状从等离子体口10c向成膜室10b内出射。由此，在成膜室10b内生成等离子体P。
等离子枪7的一端被阴极60封闭。在阴极60与等离子体口10c之间同心地配置有第1中间电极(栅极)61和第2中间电极(栅极)62。在第1中间电极61内内置有用于使等离子体P收敛的环状永久磁铁61a。在第2中间电极62内也为了使等离子体P收敛而内置有电磁线圈62a。
转向线圈5设置于安装有等离子枪的等离子体口10c的周围。转向线圈5将等离子体P引导至成膜室10b内。转向线圈5通过转向线圈用电源(未图示)被励磁。
炉缸机构2保持成膜材料Ma。炉缸机构2设置于真空腔室10的成膜室10b内，从输送机构3观察时配置于Z轴方向的负方向上。炉缸机构2具有作为将从等离子枪7出射的等离子体P引导至成膜材料Ma的主阳极或作为引导从等离子枪7出射的等离子体P的主阳极的主炉缸17。
主炉缸17具有：筒状的填充部17a，填充有成膜材料Ma，沿Z轴方向的正方向延伸；及凸缘部17b，从填充部17a突出。主炉缸17相对于真空腔室10所具有的地电位保持为正电位，因此主炉缸17放电时成为阳极并吸引等离子体P。在该等离子体P所入射的主炉缸17的填充部17a形成有用于填充成膜材料Ma的贯穿孔17c。而且，成膜材料Ma的前端部分在该贯穿孔17c的一端露出于成膜室10b。
作为成膜材料Ma，使用氧化锌(ZnO)的导电材料。该导电材料以氧化锌为主成分，作为添加物，可以添加Al2O3、B2O3、Ga2O3、lu2O3、其他成分B、Al、Si、Ga、In、Ti、Lu、Cu等。成膜材料Ma由导电性物质构成，因此若等离子体P照射到主炉缸17，则等离子体P直接入射到成膜材料Ma，成膜材料Ma的前端部分被加热而蒸发或升华，通过等离子体P被离子化的成膜材料粒子Mb向成膜室10b内扩散。向成膜室10b内扩散的成膜材料粒子Mb向成膜室10b的Z轴正方向移动，并在输送室10a内附着于基板11的表面。另外，成膜材料Ma为成型为规定长度的圆柱形状的固体物，且多个成膜材料Ma一次性填充到炉缸机构2中。而且，根据成膜材料Ma的消耗，从炉缸机构2的Z负方向侧依次挤出成膜材料Ma，以使最前端侧的成膜材料Ma的前端部分与主炉缸17的上端保持规定的位置关系。
环炉缸6为具有用于诱导等离子体P的电磁铁的辅助阳极。环炉缸6配置于保持成膜材料Ma的主炉缸17的填充部17a的周围。环炉缸6具有环状的线圈9、环状的永久磁铁部20及环状的容器12，线圈9及永久磁铁部20容纳于容器12。本实施方式中，从输送机构3观察时沿Z负方向依次设置有线圈9、永久磁铁部20，但也可以沿Z负方向依次设置有永久磁铁部20、线圈9。环炉缸6根据流经线圈9的电流的大小来控制入射于成膜材料Ma的等离子体P的方向或入射于主炉缸17的等离子体P的方向。
气体供给部40向真空腔室10内供给载体气体及氧气。作为载体气体中含有的物质，例如采用氩气、氦气等稀有气体。气体供给部40配置于真空腔室10的外部，通过设置于成膜室10b的侧壁(例如，侧壁10h)的气体供给口41向真空腔室10内供给原料气体。气体供给部40供给基于来自控制部50的控制信号的流量的载体气体及氧气。
电流供给部80向等离子枪7供给电流。由此，等离子枪7以规定值的放电电流进行放电。电流供给部80供给基于来自控制部50的控制信号的电流值的电流。
测定部101测定真空腔室10内的分光数据。测定部101以测定真空腔室10内的等离子体中的粒子的量为目的而具有测定真空腔室10内的等离子体的光的强度的功能。具体而言，测定部101通过包含分光仪等的结构来实现。测定部101经由与真空腔室10连通的光传递部而设置于真空腔室10。测定部101接收经由光传递部到达的等离子体的光。测定部101测定真空腔室10(成膜室10b)内尤其在基板11进行成膜的区域附近的光。光传递部可以是笔直的筒体，也可以是光纤。
真空腔室10内的粒子在特定波长下发出与量相对应的强度的光。因此，测定部101用分光仪分光并进行测定，由此提取等离子体光中的特定波长的光来测定其强度。包含与通过测定部101测定的光的强度相关的信息的分光数据被发送至控制部50。
如图1所示，控制部50为控制成膜装置1整体的装置，其由CPU、RAM、ROM及输入/输出接口等构成。控制部50配置于真空腔室10的外部。并且，控制部50具备信息存储部51、检测部52、流量控制部53、电流控制部54及条件设定部56(获取部)。
信息存储部51存储成膜装置1的控制中使用的各种信息。信息存储部51根据通过测定部101测定的分光数据，存储表示各粒子的量的数据。例如，信息存储部51存储中性氧的波长的信息及该波长下的光强度与中性氧的量的对应关系的信息。信息存储部51还存储与氧离子(O+、O2 +)相关的信息。
信息存储部51存储氧化锌膜的规定特性与成膜时的中性氧的比率之间的相关性发生变化的拐点。本实施方式中，中性氧的比率表示中性氧的量相对于中性氧及氧离子的总量的比率。中性氧的比率由“O/(O+O++2O2 +)”表示。
在此，本发明的发明人经过深入研究发现，通过控制氧化锌膜的成膜时的中性氧的比率，能够分别制作出具有与成膜对象物的应用/用途相对应的特性的柱状雏晶(参考图5。图中PT)间取向(平行程度)规整的膜和破坏柱状雏晶(参考图5。图中PT)间取向(平行程度)的膜。若在氧化锌膜的晶界GB(参考图5)发生柱状雏晶(参考图5。图中PT)间取向(平行程度)的紊乱，则晶界散射贡献率增加，晶界GB上的载流子迁移率下降。即，通过控制柱状雏晶(参考图5。图中PT)间取向(平行程度)，能够根据目的来控制晶界散射贡献率的大小，且能够获得实现应用所要求的电光学特性的氧化锌膜。本发明人发现设定表示晶界散射贡献率与中性氧的比率之间的关系的图表时，存在两者的关系(图表的斜率)大幅变化的拐点。具体而言，本发明人发现在中性氧的比率比拐点高的区域(图4(b)的区域EC2)，相对于中性氧的比率的增加，晶界散射贡献率的增加较大；在中性氧的比率比拐点低的区域(图4(b)的区域EC1)，相对于中性氧的比率的增加，晶界散射贡献率的增加较小。
参考图3及图4，对拐点进行说明。另外，图3及图4表示使用图2所示的成膜装置1，在氧流量“0、5、10、15、20(sccm)”、等离子枪7的放电电流“100、120、140(A)”的条件下进行成膜时的结果。各图表中，放电电流为相同条件时，中性氧的比率随着氧流量的增加而增加。氧流量为相同条件时，中性氧的比率随着放电电流的增加而减少。
图3(a)表示氧化锌膜的载流子浓度与中性氧的比率的关系。另外，图3(a)中，关于放电电流为相同条件的情况，数据的点的形状相同。如图3(a)所示，在中性氧的比率低的区域EA1，相对于中性氧的比率的增加，载流子浓度的减少率较小。在中性氧的比率高的区域EA2，相对于中性氧的比率的增加，载流子浓度的减少率较大。
图3(b)表示氧化锌膜的霍尔迁移率与中性氧的比率的关系。霍尔迁移率为表示电子在整个氧化锌膜200上移动时的移动简易度的指标，其受到柱状雏晶PT内的载流子迁移率和晶界GB内的载流子迁移率这两个因素的影响(参考图5)。霍尔迁移率能够通过对氧化锌膜使用Hall效果测定装置来测定。另外，图3(b)中，关于氧流量为相同条件的情况，数据的点的形状相同。如图3(b)所示，在中性氧的比率低的区域EB1，相对于中性氧的比率的增加，霍尔迁移率的增加率较大。在中性氧的比率高的区域EB2，相对于中性氧的比率的增加，霍尔迁移率的增加率较小。
图4(a)表示氧化锌膜的柱状雏晶载流子迁移率(图4(a)中纵轴：晶内迁移率)与中性氧的比率的关系。晶内迁移率为表示电子在氧化锌膜200的柱状雏晶PT内移动时的移动简易度的指标(参考图5)。晶内迁移率能够通过对氧化锌膜进行光学测定来测定。另外，图4(a)中，关于氧流量为相同条件的情况，数据的点的形状相同。如图4(a)所示，不论中性氧的比率的大小如何，晶内迁移率都随着中性氧的比率的增加而增加。
图4(b)表示氧化锌膜的晶界散射贡献率与中性氧的比率的关系。晶界散射贡献率为表示氧化锌膜200中晶界GB内的电子的散射简易度的指标(参考图5)。若将晶内迁移率设为“μopt”，将晶界迁移率设为“μGB”，则晶界散射贡献率由“μopt/μGB”表示。晶界散射贡献率能够从霍尔迁移率(μH)、晶内迁移率(μopt)及晶界迁移率(μGB)的关系导出。例如，能够根据以下式1导出式2的关系。另外，图4(b)中，关于氧流量为相同条件的情况，数据的点的形状相同。
1/μH＝1/μopt+1/μGB……(1)
μopt/μGB＝(μopt-μH)/μH……(2)
如图4(b)所示，在中性氧的比率低的区域EC1，相对于中性氧的比率的增加，晶界散射贡献率的增加率较小。在中性氧的比率高的区域EC2，相对于中性氧的比率的增加，晶界散射贡献率的增加率较大。即，在区域EC1与区域EC2之间设定有拐点时，中性氧的比率比拐点低的区域EC1的条件成为能够抑制晶界散射贡献率的增加的条件即能够形成取向性高的氧化锌膜的条件。该条件在将氧化锌膜以透明导电膜的用途使用时成为合适的条件。中性氧的比率比拐点高的区域EC2的条件成为能够提高晶界散射贡献率的条件即能够形成破坏取向的氧化锌膜的条件。该条件在将氧化锌膜用作功能性薄膜，例如氢气传感器等时成为合适的条件。
拐点的设定方法并无特别限定。例如，取出表示放电电流为100A时的结果的点，设定对于晶界散射贡献率低的点的近似线AL1，并设定对于晶界散射贡献率高的点的近似线AL2。此时，能够将近似线AL1与近似线AL2的交点设为拐点CP。相同地，能够设定放电电流为120A时的拐点及放电电流为140A时的拐点。此时，信息存储部51至少存储拐点处的中性氧的比率及与该拐点相对应的放电电流。
另外，不论放电电流如何，都可以对晶界散射贡献率低的所有点设定近似线，且对晶界散射贡献率高的所有点设定近似线，并将两者的近似线的交点设定为拐点。也可以通过其他方法设定拐点。
回到图1，检测部52检测成膜时的中性氧的比率。检测部52根据测定部101的测定结果及信息存储部51的数据来检测中性氧的比率。检测部52在信息存储部51的数据中查询中性氧的分光数据，由此获取中性氧的量。相同地，检测部52获取“O+”的量及“O2 +”的量。由此，检测部52检测中性氧的比率(O/(O+O++2O2 +))。
条件设定部56设定成膜条件。条件设定部56能够根据用户的输入来设定条件。条件设定部56从信息存储部51读取拐点的信息，由此获取该拐点。例如，用户选择氧化锌的用途时，条件设定部56根据该选择来设定中性氧的比率比拐点高的区域的条件及中性氧的比率比拐点低的区域的条件中的任一条件。
流量控制部53控制气体供给部40供给至成膜部100的气体的流量。流量控制部53根据条件设定部56所设定的条件来控制对成膜部100供给的氧流量。并且，流量控制部53也可以以通过检测部52检测的中性氧的比率不进入相对于拐点的规定范围内的方式控制对成膜部100供给的氧流量。
电流控制部54控制电流供给部80供给至成膜部100的放电电流。电流控制部54根据条件设定部56所设定的条件来控制对成膜部100供给的放电电流。并且，电流控制部54也可以以通过检测部52检测的中性氧的比率不进入相对于拐点的规定范围内的方式控制对成膜部100供给的放电电流。
接着，参考图6对本实施方式所涉及的成膜方法进行说明。图6所示的成膜方法具备拐点设定工序S10、条件设定工序S20及成膜工序S30。
拐点设定工序S10为设定氧化锌膜的规定特性与成膜时的中性氧的比率之间的相关性发生变化的拐点的工序。该工序中，条件设定部56从信息存储部51读取晶界散射贡献率与中性氧的比率之间的相关性发生变化的拐点的数据而获取该拐点，由此进行设定。另外，图4(b)所示的实验结果为在成膜装置1的制造前的阶段获取的结果。根据该实验结果获得的拐点，可以在制造前的阶段获得，也可以由条件设定部56每次根据实验结果运算拐点。
条件设定工序S20为确定是采用中性氧的比率比拐点高的区域的条件还是采用中性氧的比率比拐点低的区域的条件的工序。条件设定部56参考由用户选择的氧化锌膜的用途来设定与该用途相符的条件。氧化锌膜用作透明导电膜时，条件设定部56为了提高取向性而设定中性氧的比率比拐点低的区域的条件。氧化锌膜用作功能性薄膜时，条件设定部56为了破坏取向而设定中性氧的比率比拐点高的区域的条件。
成膜工序S30为在条件设定工序S20中确定的条件下进行成膜的工序。流量控制部53将预定流量的氧气体供给至成膜部100，电流控制部54将预定流量的电流供给至成膜部100的等离子枪7。
另外，成膜工序S30中，检测部52也可以检测成膜时的中性氧的比率。并且，流量控制部53也可以以通过检测部52检测的中性氧的比率不进入相对于拐点的规定范围内的方式控制对成膜部100供给的氧流量。例如，在区域EC1的条件下进行成膜时，在过于接近拐点的条件下进行成膜的情况下，有可能因中性氧的量的变动等而导致进入区域EC2的条件。由此，也可以在中性氧的比率比拐点低规定量的位置设定极限值。此时，检测部52检测到中性氧的比率变得比极限值高时，流量控制部53可以减少氧流量来使中性氧的比率比极限值低。
另外，成膜装置1结束运行之后，在第二次以后的运行中也进行相同用途的氧化锌膜的成膜时，在第二次以后的运行中，可以省略拐点设定工序S10及条件设定工序S20。形成不同用途的氧化锌膜时，再次执行拐点设定工序S10及条件设定工序S20。
接着，对本实施方式所涉及的成膜方法及成膜装置1的作用/效果进行说明。
本实施方式所涉及的成膜方法具备设定氧化锌膜的晶界散射贡献率与成膜时的中性氧的比率之间的相关性发生变化的拐点的工序(拐点设定工序S10)。此时，在中性氧的比率比拐点高的区域和中性氧的比率比拐点低的区域，相对于中性氧的比率的变化的规定特性的变化形态不同。成膜方法具备确定是采用中性氧的比率比拐点高的区域的条件还是采用中性氧的比率比拐点低的区域的条件的工序(条件设定工序S20)。由此，能够设定在中性氧的比率比拐点高的条件及中性氧的比率比拐点低的条件中更适合氧化锌膜的用途的条件。通过以上内容，能够根据用途在适当的条件下进行氧化锌膜的成膜。
本实施方式所涉及的成膜装置1具备：条件设定部56，获取氧化锌膜的规定特性与成膜时的中性氧的比率之间的相关性发生变化的拐点；及检测部52，检测成膜时的中性氧的比率。由此，成膜装置1能够根据氧化锌膜的用途在中性氧的比率比拐点高的区域及低的区域中的任一条件下进行成膜，并且成膜过程中能够通过检测部52监控是否在该条件下进行成膜。并且，成膜装置1具备以通过检测部52检测的中性氧的比率不进入相对于拐点的规定范围内的方式控制对成膜部100供给的氧流量的流量控制部53。由此，流量控制部53能够抑制偏离与氧化锌膜的用途相对应的条件。通过以上内容，能够根据用途在适当的条件下进行氧化锌膜的成膜。
本发明并不限定于上述实施方式。
例如，上述实施方式中，对图4(b)的晶界散射贡献率设定拐点，并根据该拐点设定了条件。但是，根据氧化锌膜的用途等，可以对图3(a)的载流子浓度设定拐点，也可以对图3(b)的霍尔迁移率设定拐点，且也可以采用利用这些拐点设定的条件。
上述实施方式中，作为成膜部使用了离子镀装置，但成膜部的成膜方式并无特别限定。例如，作为成膜部也可以采用溅射装置、等离子体CVD等成膜方式。
上述实施方式中，成膜工序S30中通过检测部52监控中性氧的比率，并根据检测结果来控制了氧流量。但是，一旦设定条件之后，成膜过程中的中性氧的比率的变动小时，也可以省略基于检测部52的检测及氧流量的控制。此时，也可以从成膜装置省略检测部52。

Claims (2)

1.一种成膜方法，使氧离子化而在对象物上进行氧化锌膜的成膜，所述成膜方法具备：
设定所述氧化锌膜的规定特性与成膜时的中性氧的比率之间的相关性发生变化的拐点的工序；
确定是采用所述中性氧的比率比所述拐点高的区域的条件还是采用所述中性氧的比率比所述拐点低的区域的条件的工序；及
在所确定的条件下进行成膜的工序。
2.一种成膜装置，使氧离子化而在对象物上进行氧化锌膜的成膜，所述成膜装置具备：
成膜部，进行所述氧化锌膜的成膜；
获取部，获取所述氧化锌膜的规定特性与成膜时的中性氧的比率之间的相关性发生变化的拐点；
检测部，检测成膜时的所述中性氧的比率；及
流量控制部，以通过所述检测部检测的所述中性氧的比率不进入相对于所述拐点的规定范围内的方式控制对所述成膜部供给的氧流量。
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