JP2021107568A

JP2021107568A - 成膜装置

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Publication number: JP2021107568A
Application number: JP2019238940A
Authority: JP
Inventors: 尚久北見; Naohisa Kitami; 酒見　俊之; Toshiyuki Sakami; 俊之酒見; 山本　哲也; Tetsuya Yamamoto; 哲也山本
Original assignee: Sumitomo Heavy Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Heavy Industries Ltd
Priority date: 2019-12-27
Filing date: 2019-12-27
Publication date: 2021-07-29

Abstract

【課題】用途に応じて適切な条件で成膜を行うことができる成膜装置を提供する。【解決手段】成膜装置１は、酸素を正イオン化させた正イオン化酸素と中性酸素との比率に対する正イオン化酸素のエネルギーの積に基づくパラメータを設定する設定部５３と、パラメータに基づいて、成膜部１００を制御する成膜制御部５４と、を備える。ここで、上記パラメータと酸化亜鉛膜の配向度との間には、所定の関係が成り立つ。従って、酸化亜鉛膜の用途に応じて設定部５３がパラメータを設定し、成膜制御部５４が設定されたパラメータに基づいて成膜部１００を制御することで、用途に合わせた特性の膜を得ることができる。【選択図】図１

Description

本発明は、成膜装置に関する。

プラズマを用いて酸化亜鉛膜を成膜する成膜装置として、特許文献１に記載されたものが知られている。この成膜装置は、プラズマガンを用いてチャンバー内でプラズマを生成し、チャンバー内で酸化亜鉛の成膜材料を蒸発させている。基板に酸化亜鉛が付着することにより、当該基板上に酸化亜鉛膜が形成される。

特開２００２−２４１９２６号公報

ここで、酸化亜鉛膜のように、陽イオン（カチオン）側の物質、及び陰イオン（アニオン）側の物質を含んで構成される膜が形成された成膜対象物は、様々な用途で用いられる。その一方、このような膜の特性は、成膜時の条件によって変化するものである。従って、用途に応じて適切な条件で成膜を行う事が要求されている。

そこで本発明は、用途に応じて適切な条件で陽イオン側の物質、及び陰イオン側の物質を含んで構成される膜の成膜を行うことができる成膜装置を提供することを課題とする。

本発明に係る成膜装置は、陽イオン側の第１の物質、及び陰イオン側の第２の物質を含んで構成される膜を対象物上に成膜する成膜装置であって、第１の物質を正イオン化させた第１の正イオン化物質、第２の物質を正イオン化させた第２の正イオン化物質、第１の物質の第１の中性物質、及び第２の物質の第２の中性物質を対象物へ供給することで膜を成膜する成膜部と、第２の正イオン化物質と第２の中性物質との比率に対する第２の正イオン化物質のエネルギーの積に基づくパラメータを設定する設定部と、パラメータに基づいて、成膜部を制御する成膜制御部と、を備える。

本発明に係る成膜装置は、陰イオン側の第２の物質を正イオン化させた第２の正イオン化物質と第２の物質の第２の中性物質との比率に対する第２の正イオン化物質のエネルギーの積に基づくパラメータを設定する設定部と、パラメータに基づいて、成膜部を制御する成膜制御部と、を備える。ここで、上記パラメータと膜の配向度との間には、所定の関係が成り立つ。従って、膜の用途に応じて設定部がパラメータを設定し、成膜制御部が設定されたパラメータに基づいて成膜部を制御することで、用途に合わせた特性の膜を得ることができる。以上により、用途に応じて適切な条件で膜の成膜を行うことができる。

成膜装置は、成膜時における、第２の物質のイオン化の状態、及びエネルギーの状態を監視する監視部を更に備えてよい。この場合、監視部は、成膜中に成膜条件が変わったことを把握することができる。

本発明によれば、用途に応じて適切な条件で陽イオン側の物質、及び陰イオン側の物質を含んで構成される膜の成膜を行うことができる成膜装置を提供できる。

本発明の実施形態に係る成膜装置のブロック構成図である。成膜装置を示す構成を示す概略断面図である。膜の配向度とパラメータとの関係を示す図である。膜の配向度を模式的に示す図である。本発明の実施形態に係る成膜方法のフロー図である。

以下、添付図面を参照しながら本発明の一実施形態に係る成膜装置について説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

まず、図１を参照して、本発明の実施形態に係る成膜装置の構成について説明する。図１は、本実施形態に係る成膜装置のブロック構成図である。成膜装置１は、陽イオン側の第１の物質、及び陰イオン側の第２の物質を含んで構成される膜を対象物上に成膜する装置である。なお、本実施形態では、陽イオン側の第１の物質として亜鉛、及び陰イオン側の物質として酸素を採用して酸化亜鉛膜を成膜する場合の例について説明する。図１に示すように、成膜装置１は、成膜部１００と、第１の測定部１０１と、第２の測定部１０２と、制御部５０と、を備える。成膜部１００は、基板に対して成膜を行う。第１の測定部１０１及び第２の測定部１０２は、成膜時において、中性酸素の状態、正イオン化酸素のエネルギーの状態、及びそれぞれの量の状態を監視するための測定を行う。制御部５０は、成膜装置１全体の制御を行う。

図２を参照して、成膜部１００と、第１の測定部１０１と、第２の測定部１０２と、について説明する。図２は、成膜装置１の構成を示す概略断面図である。図２に示すように、本実施形態の成膜装置１は、いわゆるイオンプレーティング法に用いられるイオンプレーティング装置である。なお、説明の便宜上、図２には、ＸＹＺ座標系を示す。Ｙ軸方向は、後述する基板が搬送される方向である。Ｚ軸方向は、基板と後述するハース機構とが対向する位置である。Ｘ軸方向は、Ｙ軸方向とＺ軸方向とに直交する方向である。

成膜装置１は、基板１１の板厚方向が略鉛直方向となるように基板１１が真空チャンバー１０内に配置されて搬送されるいわゆる横型の成膜装置であってもよい。この場合には、Ｘ軸及びＹ軸方向は水平方向であり、Ｚ軸方向は鉛直方向且つ板厚方向となる。なお、成膜装置１は、基板１１の板厚方向が水平方向（図１及び図２ではＺ軸方向）となるように、基板１１を直立又は直立させた状態から傾斜した状態で、基板１１が真空チャンバー１０内に配置されて搬送される、いわゆる縦型の成膜装置であってもよい。この場合には、Ｚ軸方向は水平方向且つ基板１１の板厚方向であり、Ｙ軸方向は水平方向であり、Ｘ軸方向は鉛直方向となる。本発明の一実施形態に係る成膜装置は、以下、横型の成膜装置を例として説明する。

成膜部１００は、正イオン化亜鉛（第１の正イオン化物質）、中性亜鉛（第１の中性物質）、正イオン化酸素（第２の正イオン化物質）、及び中性酸素（第２の中性物質）を基板１１へ供給することで酸化亜鉛膜を成膜する部分である。成膜部１００は、真空チャンバー１０、搬送機構３、成膜機構１４、ガス供給部４０、及び電流供給部８０を備えている。

真空チャンバー１０は、基板１１を収納し成膜処理を行うための部材である。真空チャンバー１０は、成膜材料Ｍａの膜が形成される基板１１を搬送するための搬送室１０ａと、成膜材料Ｍａを拡散させる成膜室１０ｂと、プラズマガン７からビーム状に照射されるプラズマＰを真空チャンバー１０に受け入れるプラズマ口１０ｃとを有している。搬送室１０ａ、成膜室１０ｂ、及びプラズマ口１０ｃは互いに連通している。搬送室１０ａは、所定の搬送方向（図中の矢印Ａ）に（Ｙ軸に）沿って設定されている。また、真空チャンバー１０は、導電性の材料からなり接地電位に接続されている。

成膜室１０ｂは、壁部１０Ｗとして、搬送方向（矢印Ａ）に沿った一対の側壁と、搬送方向（矢印Ａ）と交差する方向（Ｚ軸方向）に沿った一対の側壁１０ｈ，１０ｉと、Ｘ軸方向と交差して配置された底面壁１０ｊと、を有する。

搬送機構３は、成膜材料Ｍａと対向した状態で基板１１を保持する基板保持部材１６を搬送方向（矢印Ａ）に搬送する。例えば基板保持部材１６は、基板１１の外周縁を保持する枠体である。搬送機構３は、搬送室１０ａ内に設置された複数の搬送ローラ１５によって構成されている。搬送ローラ１５は、搬送方向（矢印Ａ）に沿って等間隔に配置され、基板保持部材１６を支持しつつ搬送方向（矢印Ａ）に搬送する。なお、基板１１は、例えばガラス基板やプラスチック基板などの板状部材が用いられる。

続いて、成膜機構１４の構成について詳細に説明する。成膜機構１４は、イオンプレーティング法により成膜材料Ｍａの粒子を基板１１に付着させる。成膜機構１４は、プラズマガン７と、ステアリングコイル５と、ハース機構２と、輪ハース６とを有している。

プラズマガン７は、例えば圧力勾配型のプラズマガンであり、その本体部分が成膜室１０ｂの側壁に設けられたプラズマ口１０ｃを介して成膜室１０ｂに接続されている。プラズマガン７は、真空チャンバー１０内でプラズマＰを生成する。プラズマガン７において生成されたプラズマＰは、プラズマ口１０ｃから成膜室１０ｂ内へビーム状に出射される。これにより、成膜室１０ｂ内にプラズマＰが生成される。

プラズマガン７は、陰極６０により一端が閉塞されている。陰極６０とプラズマ口１０ｃとの間には、第１の中間電極（グリッド）６１と、第２の中間電極（グリッド）６２とが同心的に配置されている。第１の中間電極６１内にはプラズマＰを収束するための環状永久磁石６１ａが内蔵されている。第２の中間電極６２内にもプラズマＰを収束するため電磁石コイル６２ａが内蔵されている。

ステアリングコイル５は、プラズマガンが装着されたプラズマ口１０ｃの周囲に設けられている。ステアリングコイル５は、プラズマＰを成膜室１０ｂ内に導く。ステアリングコイル５は、ステアリングコイル用の電源（不図示）により励磁される。

ハース機構２は、成膜材料Ｍａを保持する。ハース機構２は、真空チャンバー１０の成膜室１０ｂ内に設けられ、搬送機構３から見てＺ軸方向の負方向に配置されている。ハース機構２は、プラズマガン７から出射されたプラズマＰを成膜材料Ｍａに導く主陽極又はプラズマガン７から出射されたプラズマＰが導かれる主陽極である主ハース１７を有している。

主ハース１７は、成膜材料Ｍａが充填されたＺ軸方向の正方向に延びた筒状の充填部１７ａと、充填部１７ａから突出したフランジ部１７ｂとを有している。主ハース１７は、真空チャンバー１０が有する接地電位に対して正電位に保たれているため、主ハース１７は放電における陽極となりプラズマＰを吸引する。このプラズマＰが入射する主ハース１７の充填部１７ａには、成膜材料Ｍａを充填するための貫通孔１７ｃが形成されている。そして、成膜材料Ｍａの先端部分が、この貫通孔１７ｃの一端において成膜室１０ｂに露出している。

成膜材料Ｍａとして、酸化亜鉛（ＺｎＯ）の導電材料が用いられる。この導電材料は、酸化亜鉛を主成分とし、添加物としてＡｌ_２Ｏ_３、Ｂ_２Ｏ_３、Ｇａ_２Ｏ_３、ｌｕ_２Ｏ_３、その他Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｌｕ、Ｃｕ等が添加されていてもよい。成膜材料Ｍａが導電性物質からなるため、主ハース１７にプラズマＰが照射されると、プラズマＰが成膜材料Ｍａに直接入射し、成膜材料Ｍａの先端部分が加熱されて蒸発又は昇華し、プラズマＰによりイオン化された成膜材料粒子Ｍｂが成膜室１０ｂ内に拡散する。成膜室１０ｂ内に拡散した成膜材料粒子Ｍｂは、成膜室１０ｂのＺ軸正方向へ移動し、搬送室１０ａ内において基板１１の表面に付着する。なお、成膜材料Ｍａは、所定長さの円柱形状に成形された固体物であり、一度に複数の成膜材料Ｍａがハース機構２に充填される。そして、最先端側の成膜材料Ｍａの先端部分が主ハース１７の上端との所定の位置関係を保つように、成膜材料Ｍａの消費に応じて、成膜材料Ｍａがハース機構２のＺ負方向側から順次押し出される。

輪ハース６は、プラズマＰを誘導するための電磁石を有する補助陽極である。輪ハース６は、成膜材料Ｍａを保持する主ハース１７の充填部１７ａの周囲に配置されている。輪ハース６は、環状のコイル９と環状の永久磁石部２０と環状の容器１２とを有し、コイル９及び永久磁石部２０は容器１２に収容されている。本実施形態では、搬送機構３から見てＺ負方向にコイル９、永久磁石部２０の順に設置されているが、Ｚ負方向に永久磁石部２０、コイル９の順に設置されていてもよい。輪ハース６は、コイル９に流れる電流の大きさに応じて、成膜材料Ｍａに入射するプラズマＰの向き、または、主ハース１７に入射するプラズマＰの向きを制御する。

ガス供給部４０は、成膜部１００に対してガスを供給する。ガス供給部４０は、真空チャンバー１０内にキャリアガス及び酸素ガスを供給する。キャリアガスに含まれる物質として、例えば、アルゴン、ヘリウムなどの希ガスが採用される。ガス供給部４０は、真空チャンバー１０の外部に配置されており、成膜室１０ｂの側壁（例えば、側壁１０ｈ）に設けられたガス供給口４１を通し、真空チャンバー１０内へ原料ガスを供給する。ガス供給部４０は、制御部５０からの制御信号に基づいた流量のキャリアガス及び酸素ガスを供給する。

電流供給部８０は、成膜材料である亜鉛や酸素のイオン化を行うための電流を成膜部１００に供給する。電流供給部８０は、プラズマガン７に電流を供給する。これにより、プラズマガン７は、所定の値の放電電流にて放電を行う。電流供給部８０は、制御部５０からの制御信号に基づいた電流値の電流を供給する。

第１の測定部１０１は、真空チャンバー１０内の分光データを測定する。第１の測定部１０１は、真空チャンバー１０内のプラズマ中の粒子の量を測定することを目的として、真空チャンバー１０内のプラズマの光の強度を測定する機能を有する。具体的には、第１の測定部１０１は、分光器等を含んだ構成で実現される。第１の測定部１０１は、真空チャンバー１０に連通した光伝達部を介して、真空チャンバー１０に設けられる。第１の測定部１０１は、光伝達部を介して到達したプラズマの光を受光する。第１の測定部１０１は、真空チャンバー１０（成膜室１０ｂ）内でも特に基板１１に成膜を行っている領域付近の光を測定する。光伝達部は、真っ直ぐな筒体であっても、光ファイバであってもよい。

真空チャンバー１０内の粒子は、特定の波長にて、量に応じた強度の光を発する。従って、第１の測定部１０１は、分光器で分光して測定を行うことで、プラズマ光のうち、特定の波長の光を取り出して、その強度を測定する。第１の測定部１０１によって測定された光の強度に係る情報を含む分光データは、制御部５０へ送られる。

第２の測定部１０２は、正イオン化酸素のエネルギーを把握するための情報を測定する。ここでは、第２の測定部１０２は、正イオン化酸素のエネルギーを間接的に把握するための情報として、プラズマガン７と主ハース１７との間の電位を測定する。第２の測定部１０２は、プラズマガン７の第２の中間電極６２と、主ハース１７とに接続されており、両者の間の電位差を測定する。第２の測定部１０２は、測定結果を制御部５０へ送る。

図１に示すように、制御部５０は、成膜装置１全体を制御する装置であり、ＣＰＵ、ＲＡＭ、ＲＯＭ及び入出力インターフェース等から構成されている。制御部５０は、真空チャンバー１０の外部に配置されている。また、制御部５０は、情報記憶部５１と、監視部５２と、設定部５３と、成膜制御部５４と、を備えている。

情報記憶部５１は、成膜装置１の制御に用いられる各種情報を記憶している。情報記憶部５１は、測定部１０１で測定した分光データに基づいて、各粒子の量を示すデータを記憶している。例えば、情報記憶部５１は、中性亜鉛や中性酸素の波長の情報と、当該波長での光強度と中性亜鉛や中性酸素の量との対応関係の情報と、を記憶している。情報記憶部５１は、酸素イオン（Ｏ^＋、Ｏ_２ ^＋）に関する情報も記憶している。情報記憶部５１は、プラズマガン７と主ハース１７との間の電位と、正イオン化酸素や正イオン化亜鉛などのエネルギーとの関係を示すデータを記憶している。

情報記憶部５１は、酸化亜鉛膜の所定の特性と、後述のパラメータとの間の関係を示す情報を記憶している。具体的には、情報記憶部５１は、図３に示すように、酸化亜鉛膜の配向度と、対象へ入射する正イオン化酸素と中性酸素との比率（以下、単に比率と称する場合がある）に対する正イオン化酸素のエネルギー（以下、単にエネルギーを称する場合がある）の積に基づくパラメータと、の関係を示す情報を記憶している。もしくは、正イオン化酸素の量とエネルギーの積を中性酸素の量とエネルギーの積で割った比率に基づくパラメータでも良い。図３においては前者のパラメータでまとめており、後者のパラメータを採用した場合も横軸の値が変わるが同様の結果が得られる。本実施形態において、比率とは、中性酸素の量に対する、正イオン化酸素の量の比率を示している。比率は、「Ｏ^＋／Ｏ」で示される。また変形例として、「（Ｏ^＋＋Ｏ_２ ^＋）／（Ｏ＋Ｏ_２）」でも良い。分母の中性酸素のエネルギーはほぼ同じであり，分子の正イオン酸素（Ｏ^＋＋Ｏ_２ ^＋）はそれぞれのエネルギーを用いる。

すなわち、本発明の発明者らは、鋭意研究の結果、酸化亜鉛膜の成膜時における比率に対するエネルギーの積によって求まるパラメータを制御することによって、成膜対象物の応用・用途に応じ、図４（ｂ）に示す柱状結晶子間配向（並行度合い）が整った膜と、図４（ａ）に示す柱状結晶子間配向（並行度合い）配向を崩した膜を作り分けることができることを見出した。図３のグラフは、横軸が比率に対するエネルギーの積によって求まるパラメータを示す。また、図３のグラフは、縦軸が膜の柱状結晶間配向の配向度を示す。グラフにおける配向度は、ＸＲＤ測定において、０００２配向度の半値幅を意味している。当該値が小さいほど、配向が整っていることを意味する。すなわち、グラフの右下の領域は、図４（ｂ）のような配向が整った膜が得られる領域であり、グラフの左上の領域は、図４（ａ）のような配向を崩した膜が得られる領域であり、グラフの中間の領域は、中間の配向度の膜が得られる領域である。

図１に戻り、監視部５２は、成膜時における酸素のイオン化の状態、及び正イオン化酸素のエネルギーの状態を監視する。監視部５２は、成膜時における正イオン化酸素と中性酸素との比率を監視できる。監視部５２は、第１の測定部１０１の測定結果及び情報記憶部５１のデータに基づいて、比率を検知する。監視部５２は、中性酸素の分光データを情報記憶部５１のデータに照会させることで、中性酸素の量を取得する。同様に、監視部５２は、「Ｏ^＋」の量を取得する。これにより、監視部５２は、比率（Ｏ^＋／Ｏ）を検知する。監視部５２は、第２の測定部１０２の測定結果及び情報記憶部５１のデータに基づいて、成膜時における正イオン化酸素のエネルギーを検知する。監視部５２は、プラズマガン７と主ハース１７との間の電位を情報記憶部５１のデータに照会させることで、エネルギーの情報を取得する。

設定部５３は、パラメータを設定する。また、設定部５３は、設定したパラメータを実現するための条件を設定する。設定部５３は、ユーザーの入力に基づいて完成した酸化亜鉛膜の用途に基づいた配向度を取得する。設定部５３は、この配向度に対応するパラメータを設定する。また、設定部５３は、当該パラメータとするための条件を設定する。設定部５３は、ガス供給部４０による酸素の流量、及び電流供給部８０による電流の条件を設定する。なお、例えば配向度の良い（図３のグラフの右下側）酸化亜鉛膜を得ようとする場合は、設定部５３は、電流供給部８０の電流を上げて、それに合わせてガス供給部４０による酸素の流量を調整した条件を設定する。

成膜制御部５４は、設定部５３が設定したパラメータに基づいて、成膜部１００を制御する。成膜制御部５４は、設定部５３がパラメータに応じて設定した条件に基づいて成膜部１００を制御する。成膜制御部５４は、ガス供給部４０によるガスの流量を制御する。成膜制御部５４は、設定部５３が設定した条件に基づいて、酸素流量を制御する。また、成膜制御部５４は、監視部５２によって検知された比率が、設定されたパラメータからずれないように、酸素流量を制御してよい。

成膜制御部５４は、電流供給部８０による放電電流を制御する。成膜制御部５４は、設定部５３が設定した条件に基づいて、放電電流を制御する。また、成膜制御部５４は、監視部５２によって検知されたエネルギーが、設定されたパラメータからずれないように、放電電流を制御してよい。

次に、図５を参照して、本実施形態に係る成膜方法について説明する。図５に示す成膜方法は、パラメータ設定工程Ｓ１０と、条件設定工程Ｓ２０と、成膜工程Ｓ３０と、を備える。

パラメータ設定工程Ｓ１０は、酸化亜鉛膜の配向度に応じて、パラメータを設定する工程である。当該工程では、ユーザの入力によって取得された配向度を図３のグラフに照会させて、パラメータを設定する。

条件設定工程Ｓ２０は、設定されたパラメータとするための条件を設定する。工程である。条件設定工程Ｓ２０では、ガス供給部４０による酸素流量、及び電流供給部８０による放電電流が設定される。

成膜工程Ｓ３０は、条件設定工程Ｓ２０で決定した条件で成膜を行う工程である。成膜制御部５４は、定められた流量の酸素ガスを供給し、定められた流量の電流をプラズマガン７に供給する。なお、成膜工程Ｓ３０では、監視部５２が成膜時における比率及びエネルギーを検知してよい。

なお、成膜装置１の運転が終了した後、二回目以降の運転においても同じ用途の酸化亜鉛膜の成膜が行われる場合、二回目以降の運転では、パラメータ設定工程Ｓ１０及び条件設定工程Ｓ２０が省略されてよい。異なる用途の酸化亜鉛膜を成膜する際に、パラメータ設定工程Ｓ１０及び条件設定工程Ｓ２０が再度実行される。

次に、本実施形態に係る成膜装置１の作用・効果について説明する。

本実施形態に係る成膜装置１は、酸素を正イオン化させた正イオン化酸素と中性酸素との比率に対する正イオン化酸素のエネルギーの積に基づくパラメータを設定する設定部５３と、パラメータに基づいて、成膜部１００を制御する成膜制御部５４と、を備える。ここで、上記パラメータと酸化亜鉛膜の配向度との間には、所定の関係が成り立つ。従って、酸化亜鉛膜の用途に応じて設定部５３がパラメータを設定し、成膜制御部５４が設定されたパラメータに基づいて成膜部１００を制御することで、用途に合わせた特性の膜を得ることができる。以上により、用途に応じて適切な条件で酸化亜鉛膜の成膜を行うことができる。

成膜装置１は、成膜時における、酸素のイオン化の状態、及びエネルギーの状態を監視する監視部５２を更に備えてよい。この場合、監視部５２は、成膜中に成膜条件が変わったことを把握することができる。

本発明は、上述の実施形態に限定されるものではない。

上記実施形態では、成膜部としてイオンプレーティング装置が用いられたが、成膜部の成膜方式は特に限定されるものではない。例えば、成膜部として、スパッタ装置、プラズマＣＶＤなどの成膜方式が採用されてもよい。

上記実施形態では、成膜工程Ｓ３０において、監視部５２で比率を監視し、監視結果に基づいて酸素流量を制御していた。ただし、一度条件を設定したら、成膜中の比率の変動が少ない場合、監視部５２による監視、及び酸素流量の制御を省略してもよい。この場合、成膜装置から監視部５２を省略してもよい。

また、成膜装置によって成膜される膜は、陽イオン側の第１の物質、及び陰イオン側の第２の物質を含んで構成されていればよい。陽イオン側の第１の物質としてＩｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｗなどが採用され、陰イオン側の第２の物質としてＯ、Ｎなどが採用されることで、In_２Ｏ_３、ＺｎＯ、Ｇａ_２Ｏ_３、ＧａＮ、ＴｉＯ_２、ＣｕＯ、Ｃｕ_２Ｏ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮ、ＭｏＯ_３、ＳｎＯ_２、ＷＯ_３などの膜が成膜されてもよい。また、第１の物質に対して第２の物質の電気陰性度が大きい元素でも良い。

１…成膜装置、１１…基板（対象物）、５２…監視部、５３…設定部、５４…成膜制御部、１００…成膜部。

Claims

陽イオン側の第１の物質、及び陰イオン側の第２の物質を含んで構成される膜を対象物上に成膜する成膜装置であって、
前記第１の物質を正イオン化させた第１の正イオン化物質、前記第２の物質を正イオン化させた第２の正イオン化物質、前記第１の物質の第１の中性物質、及び前記第２の物質の第２の中性物質を前記対象物へ供給することで前記膜を成膜する成膜部と、
前記第２の正イオン化物質と前記第２の中性物質との比率に対する前記第２の正イオン化物質のエネルギーの積に基づくパラメータを設定する設定部と、
前記パラメータに基づいて、前記成膜部を制御する成膜制御部と、を備える、成膜装置。
成膜時における、前記第２の物質のイオン化の状態、及び前記エネルギーの状態を監視する監視部を更に備える、請求項１に記載の成膜装置。