CN112144029A - 一种高透高迁移率ito薄膜的制备方法 - Google Patents
一种高透高迁移率ito薄膜的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112144029A CN112144029A CN202010951310.7A CN202010951310A CN112144029A CN 112144029 A CN112144029 A CN 112144029A CN 202010951310 A CN202010951310 A CN 202010951310A CN 112144029 A CN112144029 A CN 112144029A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ito
- film
- mobility
- crystal layer
- seed crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 76
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 25
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 12
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5806—Thermal treatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
本发明属于新能源新材料领域，尤其涉及一种ITO薄膜，具体为一种高透高迁移率ITO薄膜的制备方法。该方法包括以下步骤：S1、在衬底上生长In2O3籽晶层；S2、在S1生长的In2O3籽晶层上生长ITO薄膜；S3、将S2中的复合薄膜进行退火处理。本发明提供的ITO薄膜的制备方法，通过在两步法制备ITO薄膜引入In2O3籽晶层，提高了与P型半导体材料的接触特性，同时在制备过程中引入氢气，提高了ITO薄膜透过率、与载流子迁移率，薄膜材料的性能显著得到提高。
Description
技术领域
本发明属于新能源新材料领域，尤其涉及一种ITO薄膜，具体为一种高透高迁移率ITO薄膜的制备方法。
背景技术
透明导电薄膜是平板电视、触摸屏、光伏电池等器件制造必要的组成部件之一。近年来，随着触摸显示技术、能源等产业的发展，人们对透明导电薄膜的需求量急剧增大，而在透明导电薄膜中，应用最广的一类是锡掺杂氧化铟薄膜，俗称ITO薄膜。ITO薄膜在半导体器件中有着重要的作用，其作用基本体现在透光、导电、界面接触等几个方面。由于ITO薄膜是一种陶瓷薄膜，其抗弯折性差，多次形变之后薄膜易开裂，从而使电阻显著增大，导致器件效果变差。
所以目前也有低电阻特性的铜金属网栅透明导电薄膜出现，但是其透明沉底PET本身的可见光区透过率低于92％，因此难以获得高透过率和低电阻的透明导电薄膜。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术存在的问题，提供一种高透高迁移率ITO薄膜的制备方法。该方法具体是一种与P型半导体材料，特别是P型非晶硅材料具有优异接触性能的高透高迁移率ITO薄膜的磁控溅射制备方法。
为了实现以上发明目的，本发明的技术方案为：
一种高透高迁移率ITO薄膜的制备方法，其包括以下步骤：
S1、在衬底上生长In2O3籽晶层；
S2、在S1生长的In2O3籽晶层上生长ITO薄膜；
S3、将S2中的复合薄膜进行退火处理。
根据一个优选的实施方式，所述的在衬底上生长In2O3籽晶层的温度为室温(25℃)；衬底可为玻璃、硅等等。
根据一个优选的实施方式，所述的在衬底上生长In2O3籽晶层的靶材为In2O3靶材。
根据一个优选的实施方式，所述的In2O3籽晶层的磁控溅射的功率密度在30mW/cm2-500mW/cm2。
根据一个优选的实施方式，所述的In2O3籽晶层的磁控溅射的气氛为H2与Ar的混合气氛，且H2与Ar的流量比在1:50-1:100之间皆可。
根据一个优选的实施方式，所述的In2O3籽晶层的厚度为1-10nm。
根据一个优选的实施方式，所述的生长完In2O3籽晶层后，生长ITO薄膜之前，腔室不破空。
根据一个优选的实施方式，所述的生长ITO薄膜的温度为室温(25℃)。
根据一个优选的实施方式，所述的在In2O3籽晶层上生长ITO薄膜的靶材为ITO靶材，其中In、Sn的重量比为5:95-10:90。
根据一个优选的实施方式，所述的ITO薄膜层的磁控溅射的功率密度在30mW/cm2-500mW/cm2。
根据一个优选的实施方式，所述的ITO薄膜层的磁控溅射的气氛为H2、O2与Ar的混合气氛，且H2与Ar的流量比在1:50-1:100之间，且H2与O2的流量比在1:1-1:10之间。
根据一个优选的实施方式，所述的ITO薄膜层的厚度依器件要求而定。
根据一个优选的实施方式，所述的将上述复合薄膜进行退火的气氛为空气。
根据一个优选的实施方式，所述的将上述复合薄膜进行退火的气压为0.8-1.2atm。
根据一个优选的实施方式，所述的将上述复合薄膜进行退火的温度为180-220℃。
根据一个优选的实施方式，所述的将上述复合薄膜进行退火的时间为为10-60min。
采用以上方法制备得到的ITO薄膜层透过率与载流子迁移率提高，薄膜材料的性能也得到显著提高。如薄膜的厚度为80nm时，在400-1100nm的平均透过率为75.7％，载流子迁移率为63cm2/Vs，接触电阻为1.1×10-4Ωcm2。
前述本发明主方案及其各进一步选择方案可以自由组合以形成多个方案，均为本发明可采用并要求保护的方案；且本发明，(各非冲突选择)选择之间以及和其他选择之间也可以自由组合。本领域技术人员在了解本发明方案后根据现有技术和公知常识可明了有多种组合，均为本发明所要保护的技术方案，在此不做穷举。
本发明的有益效果：本发明提供的ITO薄膜的制备方法，通过在两步法制备ITO薄膜，引入In2O3籽晶层提高了与P型半导体材料的接触特性，同时在制备过程中引入氢气，提高了ITO薄膜透过率与载流子迁移率，使薄膜材料的性能显著得到提高。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合具体实施方式对本发明作进一步的详细描述，但不应将此理解为本发明上述主题的范围仅限于下述实施例。在不脱离本发明上述技术思想情况下，根据本领域普通技术知识和惯用手段，做出各种替换和变更，均应包括在本发明的范围内。
以下各实施例中ITO薄膜的透过率使用PerkinElmer Lambda 950进行测试；载流子迁移率根据范德堡测试方法测试得到；接触电阻根据线性接触线测试方法测试得到。
实施例1：
一种高透高迁移率ITO薄膜的制备方法，包括以下步骤：
S1、在衬底上生长In2O3籽晶层；
S2、在S1生长的In2O3籽晶层上生长ITO薄膜；
S3、将S2中的复合薄膜进行退火处理，即得。
S1步骤中，以玻璃为衬底，先清洗衬底，然后在衬底上生长In2O3籽晶层。生长In2O3籽晶层时，先装好In2O3靶材，并按In2O3籽晶层的生长参数进行控制：
In2O3籽晶层的生长参数
| 温度 | H<sub>2</sub>流量 | Ar流量 | 溅射功率 | 厚度 |
| 常温 | 3sccm | 250sccm | 100mW/cm<sup>2</sup> | 5nm |
生长完In2O3籽晶层后，生长ITO薄膜之前，腔室不破空。
S2步骤，生长ITO薄膜，以ITO靶材为生长ITO薄膜的靶材，控制In与Sn的重量比为5:95，ITO薄膜层的磁控溅射的气氛为H2、O2与Ar的混合气氛，具体生长参数如下：
ITO薄膜层的生长参数
| 温度 | H<sub>2</sub>流量 | O<sub>2</sub>流量 | Ar流量 | 溅射功率 | 厚度 |
| 常温 | 3sccm | 5sccm | 250sccm | 100mW/cm<sup>2</sup> | 75nm |
S3步骤，复合薄膜进行退火的气氛为空气。
退火参数：
| 温度 | 气压 | 时间 |
| 200℃ | 1atm | 25min |
实施例2：
一种高透高迁移率ITO薄膜的制备方法，包括以下步骤：
S1、在衬底上生长In2O3籽晶层；
S2、在S1生长的In2O3籽晶层上生长ITO薄膜；
S3、将S2中的复合薄膜进行退火处理，即得。
S1步骤中，以玻璃为衬底，先清洗衬底，然后在衬底上生长In2O3籽晶层。生长In2O3籽晶层时，先装好In2O3靶材，并按In2O3籽晶层的生长参数进行控制：
In2O3籽晶层的生长参数
| 温度 | H<sub>2</sub>流量 | Ar流量 | 溅射功率 | 厚度 |
| 常温 | 5sccm | 500sccm | 300mW/cm<sup>2</sup> | 5nm |
生长完In2O3籽晶层后，生长ITO薄膜之前，腔室不破空。
S2步骤，生长ITO薄膜，以ITO靶材为生长ITO薄膜的靶材，控制In与Sn的重量比为5:95，ITO薄膜层的磁控溅射的气氛为H2、O2与Ar的混合气氛，具体生长参数如下：
ITO薄膜层的生长参数
| 温度 | H<sub>2</sub>流量 | O<sub>2</sub>流量 | Ar流量 | 溅射功率 | 厚度 |
| 常温 | 5sccm | 5sccm | 500sccm | 300mW/cm2 | 75nm |
S3步骤，复合薄膜进行退火的气氛为空气。
退火参数：
| 温度 | 气压 | 时间 |
| 200℃ | 1atm | 25min |
实施例3：
一种高透高迁移率ITO薄膜的制备方法，包括以下步骤：
S1、在衬底上生长In2O3籽晶层；
S2、在S1生长的In2O3籽晶层上生长ITO薄膜；
S3、将S2中的复合薄膜进行退火处理，即得。
S1步骤中，以玻璃为衬底，先清洗衬底，然后在衬底上生长In2O3籽晶层。生长In2O3籽晶层时，先装好In2O3靶材，并按In2O3籽晶层的生长参数进行控制：
In2O3籽晶层的生长参数
| 温度 | H<sub>2</sub>流量 | Ar流量 | 溅射功率 | 厚度 |
| 常温 | 2sccm | 150sccm | 60mW/cm<sup>2</sup> | 5nm |
生长完In2O3籽晶层后，生长ITO薄膜之前，腔室不破空。
S2步骤，生长ITO薄膜，以ITO靶材为生长ITO薄膜的靶材，控制In与Sn的重量比为5:95，ITO薄膜层的磁控溅射的气氛为H2、O2与Ar的混合气氛，具体生长参数如下：
ITO薄膜层的生长参数
| 温度 | H<sub>2</sub>流量 | O<sub>2</sub>流量 | Ar流量 | 溅射功率 | 厚度 |
| 常温 | 2sccm | 2sccm | 150sccm | 60mW/cm2 | 75nm |
S3，复合薄膜进行退火的气氛为空气。
退火参数
对比例1：
与实施例1制备方法一致，仅在S1、S2步骤中不通氢气。将实施例1中制备得到的ITO薄膜与对比例1中薄膜进行性能对比，具体对比数据如下：
对比例2：
与实施例1制备方法一致，仅在S2步骤中不通氢气。将实施例1至实施例3中制备得到的ITO薄膜与对比例1和对比例2中得到的薄膜进行性能对比，具体对比数据如下：
表1ITO薄膜材料性能对比(80nm)
从以上数据可以看出，如果不通氢气，会导致ITO薄膜材料载流子迁移率明显降低，这是因为氢可以钝化薄膜中的部分缺陷，降低缺陷对载流子的散射。
对比例3：
与实施例1制备方法一致，仅取消S1步骤，即取消In2O3籽晶层。
表2ITO薄膜于P型非晶硅薄膜接触性能对比
注：对比组无In2O3籽晶层。
前述本发明基本例及其各进一步选择例可以自由组合以形成多个实施例，均为本发明可采用并要求保护的实施例。本发明方案中，各选择例，与其他任何基本例和选择例都可以进行任意组合。本领域技术人员可知有众多组合。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种高透高迁移率ITO薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
S1、在衬底上生长In2O3籽晶层；
S2、在S1生长的In2O3籽晶层上生长ITO薄膜；
S3、将S2中的复合薄膜进行退火处理。
2.如权利要求1所述高透高迁移率ITO薄膜的制备方法，其特征在于：在衬底上生长In2O3籽晶层的温度为室温；在衬底上生长In2O3籽晶层的靶材为In2O3靶材。
3.如权利要求1所述高透高迁移率ITO薄膜的制备方法，其特征在于：In2O3籽晶层的磁控溅射的功率密度在30mW/cm2-500 mW/cm2。
4.如权利要求1所述高透高迁移率ITO薄膜的制备方法，其特征在于：In2O3籽晶层的磁控溅射的气氛为H2与Ar的混合气氛，且H2与Ar的流量比为1:50-1:100。
5.如权利要求1所述高透高迁移率ITO薄膜的制备方法，其特征在于：In2O3籽晶层的厚度为1-10nm；所述的生长完In2O3籽晶层后，生长ITO薄膜之前，腔室不破空。
6.如权利要求1所述高透高迁移率ITO薄膜的制备方法，其特征在于：所述的在In2O3籽晶层上生长ITO薄膜的靶材为ITO靶材，其中In、Sn的重量比为5:95-10:90。
7.如权利要求1所述高透高迁移率ITO薄膜的制备方法，其特征在于：所述的ITO薄膜层的磁控溅射的功率密度在30mW/cm2-500 mW/cm2。
8.如权利要求1所述高透高迁移率ITO薄膜的制备方法，其特征在于：所述的ITO薄膜层的磁控溅射的气氛为H2、O2与Ar的混合气氛，且H2与Ar的流量比在1:50-1:100之间，H2与O2的流量比在1:1-1:10之间。
9.如权利要求1所述高透高迁移率ITO薄膜的制备方法，其特征在于：所述的ITO薄膜层的厚度依器件要求而定，复合薄膜进行退火的气氛为空气；复合薄膜进行退火的气压为0.8-1.2atm；复合薄膜进行退火的温度为180-220℃；复合薄膜进行退火的时间为为10-60min。
10.一种如权利要求1-9中任一项方法制备得到的所述高透高迁移率ITO薄膜，其特征在于：该ITO薄膜透过率与载流子迁移率高，薄膜材料的性能得到显著提高。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010951310.7A CN112144029A (zh) | 2020-09-11 | 2020-09-11 | 一种高透高迁移率ito薄膜的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010951310.7A CN112144029A (zh) | 2020-09-11 | 2020-09-11 | 一种高透高迁移率ito薄膜的制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112144029A true CN112144029A (zh) | 2020-12-29 |
Family
ID=73889611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010951310.7A Pending CN112144029A (zh) | 2020-09-11 | 2020-09-11 | 一种高透高迁移率ito薄膜的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112144029A (zh) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06188455A (ja) * | 1992-12-18 | 1994-07-08 | Daido Steel Co Ltd | 半導体光電素子に対するｉｔｏ膜形成方法 |
| CN1089756A (zh) * | 1992-07-21 | 1994-07-20 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法和透明导电薄膜的制造方法 |
| CN102610670A (zh) * | 2012-03-30 | 2012-07-25 | 鲁东大学 | 一种近红外透明导电薄膜及其制备方法 |
| KR20170016658A (ko) * | 2015-08-04 | 2017-02-14 | 인제대학교 산학협력단 | 고분자 기판 상의 금속 산화물 박막에 대한 분동추를 이용한 어닐링 방법 |
| CN106968015A (zh) * | 2016-08-17 | 2017-07-21 | 佛山市中山大学研究院 | 一种紫外透明导电薄膜及其制造方法 |
| CN109267009A (zh) * | 2018-08-31 | 2019-01-25 | 株洲火炬安泰新材料有限公司 | 一种抗低温高电阻率ito导电膜制备方法 |
-
2020
- 2020-09-11 CN CN202010951310.7A patent/CN112144029A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1089756A (zh) * | 1992-07-21 | 1994-07-20 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法和透明导电薄膜的制造方法 |
| JPH06188455A (ja) * | 1992-12-18 | 1994-07-08 | Daido Steel Co Ltd | 半導体光電素子に対するｉｔｏ膜形成方法 |
| CN102610670A (zh) * | 2012-03-30 | 2012-07-25 | 鲁东大学 | 一种近红外透明导电薄膜及其制备方法 |
| KR20170016658A (ko) * | 2015-08-04 | 2017-02-14 | 인제대학교 산학협력단 | 고분자 기판 상의 금속 산화물 박막에 대한 분동추를 이용한 어닐링 방법 |
| CN106968015A (zh) * | 2016-08-17 | 2017-07-21 | 佛山市中山大学研究院 | 一种紫外透明导电薄膜及其制造方法 |
| CN109267009A (zh) * | 2018-08-31 | 2019-01-25 | 株洲火炬安泰新材料有限公司 | 一种抗低温高电阻率ito导电膜制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| BOEN HOUNG ET AL.: "Influence of an In2O3 buffer layer on the properties of ITO thin films", 《CERAMICS INTERNATIONAL》 * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101985740A (zh) | 一种铝掺氧化锌透明导电薄膜的退火方法 | |
| CN113005412A (zh) | 用于硅异质结电池的ito薄膜的制备方法 | |
| JP5580972B2 (ja) | スパッタリング複合ターゲット | |
| CN109778129B (zh) | 一种基于超薄金属的透明导电薄膜 | |
| CN115312625A (zh) | 太阳电池及其制备方法 | |
| CN103031556B (zh) | 一种ZnO/Al/ZnO光电透明导电薄膜的沉积制备方法 | |
| KR101449258B1 (ko) | 산화물 기반의 고 유연성 투명전극 | |
| JP2012219301A (ja) | 結晶性ｉｔｏ膜およびその製造方法ならびに太陽電池 | |
| CN106229392A (zh) | 一种提高led抗esd能力的ito薄膜的制作方法 | |
| JP5647130B2 (ja) | 透明導電性亜鉛酸化物ディスプレイフィルム及びその製造方法 | |
| CN113035995B (zh) | 用于硅异质结太阳电池的ito薄膜的制备方法 | |
| CN101159178A (zh) | 透明导电薄膜及其制备方法 | |
| CN112144029A (zh) | 一种高透高迁移率ito薄膜的制备方法 | |
| CN102650044B (zh) | 一种SGZO-Au-SGZO透明导电膜的制备方法 | |
| CN103403213A (zh) | 多元素掺杂氧化锌薄膜及其制备方法和应用 | |
| CN110835740A (zh) | 一种高透射的复合Ag薄膜的制备方法 | |
| CN106637204A (zh) | Ag/ZnO/Mg光电透明导电薄膜的沉积方法 | |
| CN103014705A (zh) | Cu/ZnO/Al光电透明导电薄膜的沉积方法 | |
| WO2019119870A1 (zh) | 透明导电氧化物薄膜及其制备方法 | |
| CN110634990A (zh) | 硅异质结太阳电池的ito薄膜的制备方法 | |
| KR20100062269A (ko) | 박막형 태양전지의 제조방법 | |
| CN111647853B (zh) | 一种高透明高导电超薄氢掺杂氧化铟薄膜的制备方法 | |
| CN114188446B (zh) | 一种导电玻璃及其制备方法和应用 | |
| CN110970523A (zh) | 一种硅基异质结太阳能电池及制造方法 | |
| KR20150062797A (ko) | 투명 전도성 박막 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20201229 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |