CN115312625A - 太阳电池及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种太阳电池及其制备方法，太阳电池的制备方法包括：提供具有透明导电薄膜的太阳电池基片；在透明导电薄膜上通过物理气相沉积依次形成多层铜种子层；在最外层的铜种子层上电镀形成铜电极；形成最内层的铜种子层的沉积功率为0.2KW～0.8KW，且形成最内层的铜种子层的沉积功率小于形成其他层的铜种子层的沉积功率。本发明通过依次在透明导电薄膜上沉积形成多层铜种子层，并且控制各铜种子层的沉积功率；通过最内层铜种子层的低功率溅射，可减小沉积过程对透明导电薄膜及非晶硅层的轰击损伤，起到保护作用；再配合后续铜种子层较高功率的沉积可快速沉积铜种子层，达到量产速度要求。
Description
技术领域
本发明涉及异质结太阳电池技术领域，特别是涉及一种太阳电池及其制备方法。
背景技术
目前，异质结太阳电池(Heterojunction with Intrinsic Thin Layer，HJT)的非硅成本仍然高于常规PERC电池(Passivated Emitter and Rear Cell)，量产化需要尽快解决此问题。
在非硅成本中，银浆的成本占其中的50％左右，通过降低银浆的用量或者用其他电极材料取代银栅线将会带来成本的巨大降低，从而达到异质结太阳电池成本与PERC电池成本持平的目标。
目前，替代银栅线电极的主要方法是通过电镀铜形成铜电极的方式。在电镀形成铜电极之前，需要在TCO(透明导电薄膜)的表面增加铜层，作为后续电镀Cu的种子层。目前通常采用PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相沉积)在TCO的表面形成电镀Cu的种子层。然而，在TCO的表面通过PVD镀铜种子层后，会使异质结太阳电池的效率出现较大的损失。
发明内容
基于此，有必要针对物理气相沉积镀铜种子层后导致太阳电池出现效率损失的问题，提供一种能够降低电池效率损失的太阳电池及其制备方法。
为了解决上述技术问题，本发明提出的技术方案如下：
根据本发明的一个方面，提供了一种太阳电池的制备方法，包括如下步骤：
提供具有透明导电薄膜后的太阳电池基片；
在所述透明导电薄膜上通过物理气相沉积依次形成多层铜种子层；以及
在最外层的铜种子层上电镀形成铜电极；
其中，形成最内层的铜种子层的沉积功率为0.2KW～0.8KW，且形成最内层的铜种子层的沉积功率小于形成其他层的铜种子层的沉积功率。
在其中一些实施例中，自最内层的铜种子层至最外层的铜种子层的方向上，形成各所述铜种子层的沉积功率逐渐增大。
在其中一些实施例中，自最内层的铜种子层至最外层的铜种子层的方向上，形成外层铜种子层的沉积功率为形成与其相邻的内层铜种子层的沉积功率的2倍～5倍。
在其中一些实施例中，在所述透明导电薄膜上通过物理气相沉积依次形成第一铜种子层、第二铜种子层及第三铜种子层。
在其中一些实施例中，形成所述第一铜种子层的沉积功率为0.2KW～0.8KW，形成所述第二铜种子层的沉积功率为1.0KW～3.5KW，形成所述第三铜种子层的沉积功率为3.6KW～7.5KW。
在其中一些实施例中，所述第一铜种子层的厚度大于5nm且小于150nm。
在其中一些实施例中，形成所述第二铜种子层的基体传输速率大于或等于形成所述第一铜种子层的基体传输速率，形成所述第三铜种子层的基体传输速率大于或等于形成所述第二铜种子层的基体传输速率。
在其中一些实施例中，各所述铜种子层的总厚度为100nm～200nm。
在其中一些实施例中，所述太阳电池基片的制备方法，包括如下步骤：
在单晶硅衬底上形成非晶硅层；以及
在所述非晶硅层上形成所述透明导电薄膜。
根据本发明的另一方面，提供了一种太阳电池，所述太阳电池通过本发明上述的太阳电池的制备方法制备得到。
在其中一些实施例中，所述太阳电池包括：
单晶硅衬底；
非晶硅层，设于所述单晶硅衬底的至少一个表面上；
透明导电薄膜，设于所述非晶硅层背离所述单晶硅衬底一侧的表面上；
多层铜种子层，多层所述铜种子层依次层叠设于所述透明导电薄膜背离所述非晶硅层一侧的表面上；以及
铜电极，设于最外层的所述铜种子层背离所述透明导电薄膜一侧的表面上。
与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
通过对透明导电薄膜上的铜种子层进行叠层膜层设计，通过物理气相沉积法依次在透明导电薄膜上沉积形成多层铜种子层，并且将形成最内层的铜种子层的沉积功率设定为0.2KW～0.8KW，且使形成最内层的铜种子层的沉积功率小于形成其他铜种子层的沉积功率；通过最内层铜种子层的低功率溅射，可以减小对透明导电薄膜及非晶硅层的轰击损伤，起到保护作用；再配合后续高功率的沉积达到快速沉积铜种子层。采用本发明的方法可以解决物理气相沉积镀铜种子层时由于轰击损伤造成的异质结太阳电池效率损失的问题；同时可以保证铜种子层的沉积速度，满足量产的效率要求。
附图说明
图1为本发明形成铜种子层后的异质结太阳电池的结构示意图。
附图标记说明：
10、异质结太阳电池；11、单晶硅衬底；12、本征非晶硅层；13a、n型掺杂非晶硅层；13b、p型掺杂非晶硅层；14、透明导电薄膜；15a、第一铜种子层；15b、第二铜种子层；15c、第三铜种子层。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。除非另有特别说明，本发明中用到的各种原材料、试剂、仪器和设备等均可通过市场购买得到或者可通过现有方法制备得到。
传统的方法在透明导电薄膜(TCO)的表面通过物理气相沉积镀铜种子层后，会使异质结太阳电池10的效率出现较大的损失。通过发明人研究发现，导致上述问题的主要原因在于：在物理气相沉积镀铜种子层时需要采用较大的沉积功率(一般为3.5KW)，而较大的沉积功率会对异质结太阳电池10中的非晶硅层和透明导电薄膜14造成轰击损伤，进而导致异质结太阳电池10的效率出现较大的损失。
为了解决上述问题，本发明的一些实施方式提供了一种异质结太阳电池10的制备方法，该异质结太阳电池10的结构如图1所示(铜电极未示出)。
该异质结太阳电池10的制备方法包括如下步骤S100至步骤S300。
步骤S100：提供具有透明导电薄膜14的异质结太阳电池基片。
其中，该异质结太阳电池基片包括单晶硅衬底11，在单晶硅衬底11的正面和背面(即分别为图1中单晶硅衬底11的上表面和下表面)分别设置有一层本征非晶硅层12，在正面的本征非晶硅层12上设置有n型掺杂非晶硅层13a，在背面的本征非晶硅层12上设置有p型掺杂非晶硅层13b，在n型掺杂非晶硅层13a和p型掺杂非晶硅层13b上分别设置有透明导电薄膜14。
步骤S200：在该异质结太阳电池10的透明导电薄膜14上通过物理气相沉积依次形成多层铜种子层(如图1中的15a、15b、15c)。其中，形成最内层(即最靠近透明导电薄膜14)的铜种子层的沉积功率为0.2KW～0.8KW，并且形成最内层的铜种子层时的沉积功率小于形成其他层的铜种子层时的沉积功率。
步骤S300：在正面和/或背面的最外层的铜种子层上电镀形成铜电极。
本发明通过对透明导电薄膜14上的铜种子层进行叠层膜层设计，通过物理气相沉积法依次在透明导电薄膜14上沉积形成多层铜种子层，将形成最内层的铜种子层的沉积功率设定为0.2KW～0.8KW，并且使形成最内层的铜种子层的沉积功率小于形成其他铜种子层的沉积功率；这样，可以在低于常规的物理气相沉积镀铜种子层的沉积功率下沉积形成最内层的铜种子层。通过最内层铜种子层的低功率溅射，可以减小对透明导电薄膜14及非晶硅层的损伤，起到保护作用；再配合后续高功率的沉积达到快速沉积铜种子层，从而达到可以量产的目的。
通过采用上述方法，可以降低物理气相沉积镀铜种子层时对非晶硅层和透明导电薄膜14所产生的轰击损伤，进而达到保护非晶硅层和透明导电薄膜14的目的，解决轰击带来的异质结太阳电池10效率损失的问题；同时，可以保证铜种子层的沉积速度，满足量产的效率要求。
可以理解，形成最内层的铜种子层的沉积功率可以为但不局限于0.2KW、0.3KW、0.4KW、0.5KW、0.6KW、0.7KW、0.8KW等具体值。
在其中一些实施例中，自最内层的铜种子层至最外层的铜种子层的方向上，形成各铜种子层的沉积功率逐渐增大。即自最内层的铜种子层向外，形成每一层铜种子层的沉积功率是逐渐增大的。如此设置，可使铜种子层形成叠层的渐变膜层设计，既可以很好地保护非晶硅层和透明导电薄膜14不会在物理气相沉积镀膜的过程中被轰击损伤，又可以更好地保证铜种子层的沉积速度。
进一步地，在其中一些实施例中，自最内层的铜种子层至最外层的铜种子层的方向上，形成外层铜种子层的沉积功率为形成与其相邻的内层铜种子层的沉积功率的2倍～5倍。
在最外层的铜种子层上电镀形成铜电极之后，可以通过刻蚀等方式将透明导电薄膜14上除形成铜电极以外的区域内的铜种子层进行去除。
在其中一个具体示例中，在异质结太阳电池10的透明导电薄膜14上依次形成多层铜种子层，包括如下步骤S201至步骤S203：
步骤S201：首先在透明导电薄膜14上通过物理气相沉积形成第一铜种子层15a。
具体地，采用物理气相沉积形成该第一铜种子层15a时的沉积功率为0.2KW～0.8KW，优选地为0.8KW。在此沉积功率条件下形成第一铜种子层15a，可以有效地降低物理气相沉积镀膜形成第一铜种子层15a时对非晶硅层和透明导电薄膜14所造成的轰击损伤。
进一步地，该第一铜种子层15a的厚度大于5nm且小于150nm。如此设置，可以确保对非晶硅层和透明导电薄膜14起到更好的保护作用，更好地避免后续的铜种子层镀膜过程对非晶硅层和透明导电薄膜14所造成的轰击损伤。若第一铜种子层15a的厚度太薄，则不能起到较好的保护效果；若第一铜种子层15a的厚度太厚，由于形成第一铜种子层15a的沉积功率较低，会使铜种子层的整体沉积速度明显降低，不能很好地满足量产要求。该第一铜种子层15a的厚度可以根据机台产能要求及产品厚度要求在上述范围内进行合理设置，且可以通过调节物理气相沉积镀膜时的基体传输速度和镀膜圈数来对厚度进行控制。
在其中一个具体示例中，沉积形成第一铜种子层15a时的带速(即基体传输速度)为0.9m/min，沉积过程中采用Ar气作为保护气体，Ar气的流量为1000sccm，沉积时镀膜设备的腔体不开启加热，沉积速率为5mg/圈。
步骤S202：在第一铜种子层15a上通过物理气相沉积形成第二铜种子层15b。
具体地，形成该第二铜种子层15b时的沉积功率为1.0KW～3.5KW，优选地为1.5KW。在此沉积功率条件下形成第二铜种子层15b，该沉积功率相比于形成第一铜种子层15a时的沉积速率大，但仍然比传统方法的沉积速率小。这样，既可以更好地降低镀膜过程对非晶硅层和透明导电薄膜14所造成的轰击损伤，又可以适当提高沉积速度。
在其中一个具体示例中，沉积形成第二铜种子层15b时的带速为0.9m/min，沉积过程中采用Ar气作为保护气体，Ar气的流量为1000sccm，沉积时镀膜设备的腔体不开启加热，沉积速率为15mg/圈。
步骤S203：在第二铜种子层15b上通过物理气相沉积形成第三铜种子层15c。
具体地，形成该第三铜种子层15c时的沉积功率为3.6KW～7.5KW，优选为3.6KW。在此沉积功率条件下形成第三铜种子层15c，该沉积功率相比于形成第二铜种子层15b时的沉积速率更大，与传统方法的沉积速率相当。这样，可以显著提高沉积速度，更好地使整个铜种子层的沉积速度能够满足量产要求。由于有第一铜种子层15a和第二铜种子层15b的保护作用，形成第三铜种子层15c时采用较大的沉积功率也不会对非晶硅层和透明导电薄膜14造成损伤。
在其中一个具体示例中，沉积形成第三铜种子层15c时的带速为0.9m/min，沉积过程中采用Ar气作为保护气体，Ar气的流量为1000sccm，沉积时镀膜设备的腔体不开启加热，沉积速率为30mg/圈。
为了避免镀膜过程中基体传输时出现卡板的情况，本发明中优选使形成第二铜种子层15b的基体传输速率大于或等于形成第一铜种子层15a的基体底传输速率；形成第三铜种子层15c的基体传输速率大于或等于形成第二铜种子层15b的基体传输速率。这样，可以有效地避免出现卡板的情况。
需要说明的是，铜种子层的层数并不局限于上述的三层结构，还可以采用上述类似的方式在第三铜种子层15c上形成更多叠层设置的铜种子层。当然，在一些情况下也可以只采用具有两层结构的铜种子层。可以根据实际PVD机台腔室状况以及PVD镀每层铜种子层的厚度要求，来进行具体层数的设计以及每层的沉积圈数。
在本发明中，为了确保对非晶硅层和透明导电薄膜14起到良好的保护作用，该第一铜种子层15a的厚度需要大于5nm，而其他铜种子层的厚度可以根据实际需要进行调整，但铜种子层的总厚度应该控制在100nm～200nm范围之内。
需要说明的是，形成第一铜种子层15a时的沉积功率可以为但不局限于0.2KW、0.3KW、0.4KW、0.5KW、0.6KW、0.7KW、0.8KW等具体值；形成第二铜种子层15b时的沉积功率可以为但不局限于1.0KW、1.2KW、1.5KW、1.8KW、2.0KW、2.2KW、2.5KW、2.8KW、3.0KW、3.2KW、3.5KW等具体值；形成第三铜种子层15c时的沉积功率可以为但不局限于3.6KW、4.0KW、4.5KW、5.0KW、5.5KW、6.0KW、6.5KW、7.0KW、7.5KW等具体值；第一铜种子层15a的厚度可以为但不局限于6nm、20nm、40nm、80nm、100nm、120nm、140nm等具体值；铜种子层的总厚度可以为但不局限于100nm、120nm、140nm、160nm、180nm、200nm等具体值。
本发明的一些实施方式还提供了一种异质结太阳电池10，该异质结太阳电池10的结构图如图1所示(其中铜电极未示出)。
由图1可见，该异质结太阳电池10包括n型的单晶硅衬底11，在单晶硅衬底11的正面(即图1中上表面)和背面(即图1中下表面)分别设置有一层本征非晶硅层12；在正面的本征非晶硅层12上设置有n型掺杂非晶硅层13a；在背面的本征非晶硅层12上设置有p型掺杂非晶硅层13b；在n型掺杂非晶硅层13a和p型掺杂非晶硅层13b上分别设置有一层透明导电薄膜14；在正面的透明导电薄膜14上依次设置有第一铜种子层15a、第二铜种子层15b和第三铜种子层15c；同样地，在背面的透明导电薄膜14上也依次设置有第一铜种子层15a、第二铜种子层15b和第三铜种子层15c。
其中，每一层透明导电薄膜14上的第一铜种子层15a、第二铜种子层15b和第三铜种子层15c一起组成铜种子层，形成具有叠层结构的铜种子层。第一铜种子层15a的厚度大于5nm且小于150nm，每一层透明导电薄膜14上各铜种子层的总厚度为100nm～200nm。
可以理解，该叠层结构的铜种子层中的铜种子层的数量并不局限于上述的三层结构，也可以是两层结构或者大于三层的结构。
该异质结太阳电池10的制备方法具体如下：首先在单晶硅衬底11上形成本征非晶硅层12；然后在本征非晶硅层12上形成掺杂非晶硅层(具体包括n型掺杂非晶硅层13a和p型掺杂非晶硅层13b)；在掺杂非晶硅层上形成透明导电薄膜14；然后在透明导电薄膜14上形成铜电极。
其中，在形成铜电极时首先在透明导电薄膜14上通过物理气相沉积依次形成多层铜种子层；然后在最外层的铜种子层上电镀形成铜电极。并且，将形成最内层的铜种子层的沉积功率控制为0.2KW～0.8KW，且形成最内层的铜种子层的沉积功率小于形成其他层的铜种子层的沉积功率。
如此，可以有效地降低物理气相沉积形成铜种子层的过程中，对异质结太阳电池10的非晶硅层和透明导电薄膜14所造成的轰击损伤，进而有效地降低形成铜电极之后异质结太阳电池10的效率损失。
具体地，在单晶硅衬底11上形成本征非晶硅层12之前，需要在制绒清洗机台中对单晶硅衬底11进行制绒处理，以在单晶硅衬底11的表面上形成金字塔型的绒面陷光结构，降低单晶硅衬底11的反射率，提高光利用率；可以通过PECVD(Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积)来形成本征非晶硅层12、n型掺杂非晶硅层13a和p型掺杂非晶硅层13b；通过物理气相沉积法来形成透明导电薄膜14，透明导电薄膜14通常为ITO(氧化铟锡)薄膜。
下面将结合具体实施例和对比例对本发明作进一步说明，但不应将其理解为对本发明保护范围的限制。
实施例1：
一种异质结太阳电池10的制备方法，包括如下步骤：
在制绒清洗机台中对n型的单晶硅衬底11进行制绒处理；然后通过PECVD在制绒后的单晶硅衬底11的正面和背面分别沉积形成本征非晶硅层12；再通过PECVD在正面的本征非晶硅层12上沉积形成n型掺杂非晶硅层13a，在背面的本征非晶硅层12上沉积形成p型掺杂非晶硅层13b；然后通过物理气相沉积在n型掺杂非晶硅层13a和p型掺杂非晶硅层13b上分别沉积形成透明导电薄膜14；再在正面和背面的透明导电薄膜14上分别形成铜电极。
其中，铜电极的制备方法为：
采用物理气相沉积在透明导电薄膜14上沉积形成第一铜种子层15a。第一铜种子层15a的沉积功率为0.8KW；沉积过程中的基体传输速率为0.9m/min；沉积过程中采用Ar气氛，Ar气流量使用1000sccm；沉积过程中镀膜设备的腔体不开加热生产，沉积速率为5mg/圈，按照上述工艺条件沉积6圈；
采用物理气相沉积在第一铜种子层15a上沉积形成第二铜种子层15b。第二铜种子层15b的沉积功率为1.6KW；沉积过程中的基体传输速率为0.9m/min；沉积过程中采用Ar气氛，Ar气流量使用1000sccm；沉积过程中镀膜设备的腔体不开加热生产，沉积速率为15mg/圈，按照上述工艺条件沉积2圈；
采用物理气相沉积在第二铜种子层15b上沉积形成第三铜种子层15c。第三铜种子层15c的沉积功率为3.6KW；沉积过程中的基体传输速率为0.9m/min；沉积过程中采用Ar气氛，Ar气流量使用1000sccm；沉积过程中镀膜设备的腔体不开加热生产，沉积速率为30mg/圈，按照上述工艺条件沉积1圈。
在第三铜种子层15c上电镀铜，形成铜电极，从而制得异质结太阳电池10。
对所制备的异质结太阳电池10的效率(Eta)、开路电压(Voc)、短路电流(Isc)和填充因子(FF)进行测试。具体为利用halm测试机，进行IV测试，得到异质结太阳电池10的上述各项电性能数据。具体测试结果如表1所示。
对比例1：
一种异质结太阳电池10的制备方法，该制备方法的主要步骤与实施例1相同，区别仅在于铜电极的制备方法有所不同。
在该对比例中，通过物理气相沉积方法在透明导电薄膜14上在一种工艺条件下沉积形成铜种子层，然后在该铜种子层上电镀铜形成铜电极。其中，沉积铜种子层的工艺条件为：沉积功率为3.5KW；沉积过程中的基体传输速率为0.9m/min；沉积过程中采用Ar气氛，Ar气流量使用1000sccm；沉积过程中镀膜设备的腔体不开加热生产，沉积速率为30mg/圈。
对所制备的异质结太阳电池10的效率(Eta)、开路电压(Voc)、短路电流(Isc)和填充因子(FF)进行测试，其测试方法与实施例1相同，具体测试结果如表1所示。
表1各实施例和对比例的异质结太阳电池10的性能对比数据
| 类别 | Eta[％] | Voc[mV] | Isc[mA] | FF[％] |
| 对比例1 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 实施例1 | 0.15 | 0.5 | 40 | 0.05 |
表1中，以对比例1的异质结太阳电池10的性能数据为基准，定为0，其他实施例的性能数据为与对比例1的相对数据。由表1中的数据可知，本发明实施例1的异质结太阳电池10的效率和短路电流等性能数据，相比于采用传统方法的对比例1有明显提升。效率提升了0.15％，短路电流提升了40mA。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (11)
1.一种太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供具有透明导电薄膜的太阳电池基片；
在所述透明导电薄膜上通过物理气相沉积依次形成多层铜种子层；以及
在最外层的铜种子层上电镀形成铜电极；
其中，形成最内层的铜种子层的沉积功率为0.2KW～0.8KW，且形成最内层的铜种子层的沉积功率小于形成其他层的铜种子层的沉积功率。
2.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，自最内层的铜种子层至最外层的铜种子层的方向上，形成各所述铜种子层的沉积功率逐渐增大。
3.根据权利要求2所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，自最内层的铜种子层至最外层的铜种子层的方向上，形成外层铜种子层的沉积功率为形成与其相邻的内层铜种子层的沉积功率的2倍～5倍。
4.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，在所述透明导电薄膜上通过物理气相沉积依次形成第一铜种子层、第二铜种子层及第三铜种子层。
5.根据权利要求4所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，形成所述第一铜种子层的沉积功率为0.2KW～0.8KW，形成所述第二铜种子层的沉积功率为1.0KW～3.5KW，形成所述第三铜种子层的沉积功率为3.6KW～7.5KW。
6.根据权利要求4所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述第一铜种子层的厚度大于5nm且小于150nm。
7.根据权利要求4所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，形成所述第二铜种子层的基体传输速率大于或等于形成所述第一铜种子层的基体传输速率，形成所述第三铜种子层的基体传输速率大于或等于形成所述第二铜种子层的基体传输速率。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，各所述铜种子层的总厚度为100nm～200nm。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述太阳电池基片的制备方法，包括如下步骤：
在单晶硅衬底上形成非晶硅层；以及
在所述非晶硅层上形成所述透明导电薄膜。
10.一种太阳电池，其特征在于，所述太阳电池通过权利要求1至9中任一项所述的太阳电池的制备方法制备得到。
11.根据权利要求10所述的太阳电池，其特征在于，包括：
单晶硅衬底；
非晶硅层，设于所述单晶硅衬底的至少一个表面上；
透明导电薄膜，设于所述非晶硅层背离所述单晶硅衬底一侧的表面上；
多层铜种子层，多层所述铜种子层依次层叠设于所述透明导电薄膜背离所述非晶硅层一侧的表面上；以及
铜电极，设于最外层的所述铜种子层背离所述透明导电薄膜一侧的表面上。
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