CN112133726A - 电致发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

根据本公开的示例性实施例的电致发光显示装置包括：具有发射区和边框区的基板；从发射区延伸以设置在边框区中的堤层；以及多条信号线，其设置在基板上的不同层上并具有台阶；第一金属层，其与多条信号线交叠并被设置为与基板相邻；第二金属层，其设置在第一金属层上以与堤层相邻；以及第一金属层和第二金属层之间的第一中间层。第一电极上方的台阶或曲率可以被双重形成在非显示区域中的第一中间层和第二中间层抵消，使得即使从外部入射的光从第二电极反射，该光也可以被向内反映。因此，可以解决用户在外部识别出反射光的故障。

Description

电致发光显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年6月25日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0075367的优先权，通过引用将该韩国专利申请的公开内容并入本文中。
技术领域
本公开涉及一种电致发光显示装置，并且更具体地，涉及一种电致发光显示装置，其抑制了非显示区域中的以特定视角可见地感测到的光反射以提高可靠性。
背景技术
在屏幕上实施各种信息的图像显示装置是信息通信时代的核心技术，并且正在发展为更薄、更轻、更便携并且具有更高的性能。因此，制造成更轻、更薄以减小重量和体积的电致发光显示装置正受到人们的关注，而重量和体积正是阴极射线管(CRT)的缺点。电致发光显示装置是自发光装置，并且以低电压驱动，从而不仅在功耗方面，而且在高响应速度、高发射效率、视角和对比度方面都是有利的。因此，电致发光显示装置正在被研究为下一代显示器。电致发光显示装置通过设置在矩阵中的多个子像素来实施图像。多个子像素中的每一个包括发光二极管和像素电路，像素电路由独立地驱动发光二极管的多个晶体管形成。
通过显示装置的布线施加操作像素电路的各种操作信号。在这种情况下，为了抑制不希望的寄生电容或信号干扰，需要布线之间的预定间隔。随着显示装置被开发为在大尺寸的情况下实施高分辨率，难以将所有增加数量的布线容纳在一层上。因此，引入了将布线设置在多层上的设计，以设置更多具有相同尺寸的数据线。然而，由于布线上方产生的台阶(高度差)是由分布在多层上的布线引起的，因此会引起问题。具体地，黑矩阵或边框形成在显示装置的非显示区域中，使得非显示区域不能被可见地感测到。然而，可能存在如下问题：由于布线的台阶而使光反射，从而以特定的视角可见地感测到反射的光。
发明内容
本公开的目的是提供一种电致发光显示装置，该电致发光显示装置抑制了非显示区域中的可以以特定视角可见地感测到的光反射，以提高可靠性。
根据本公开的一方面，一种电致发光显示装置包括：具有发射区和边框区的基板；从发射区延伸以设置在边框区中的堤层；多条信号线，其设置在所述基板上的不同层上并具有台阶；第一金属层，其与所述多条信号线交叠并且设置为与所述基板相邻；第二金属层，其设置在所述第一金属层上，与所述堤层相邻；以及所述第一金属层和所述第二金属层之间的第一中间层。
此外，根据本公开的另一方面，一种电致发光显示装置包括：基板，其包括显示区域和包围所述显示区域的非显示区域；设置在基板上的多条信号线；第一金属层，其被设置为弯曲以覆盖非显示区域中的多条信号线；以及第二金属层，其处于第一金属层上并且第一金属层与第二金属层之间的距离可以根据多条信号线之间的位置而变化。
本公开的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员根据以下描述可以清楚地理解以上未提及的其他目的。
根据本公开，金属层上方的台阶或曲率被在非显示区域中双重配置的有机材料层抵消，从而抑制了从外部入射的光被电致发光显示装置中的金属层反射，从而解决了用户以特定视角识别反射光的故障。
根据本公开，在电致发光显示装置中金属层的顶表面的高度均匀地形成，从而减小了曲率，从而提高了诸如弯曲或折叠的修改期间的耐久性。
此外，根据本公开，电连接的金属层中的上部金属层具有晶格结构，从而有利于对气体组分进行放气，并且形成在金属层上方和下方的有机材料层的粘附性得到改善，以减少松动故障。
根据本公开的效果不限于以上例示的内容，并且在本说明书中包括更多种效果。
附图说明
通过结合附图进行的以下详细描述，将更清楚地理解本公开的以上和其他方面、特征和其他优点，在附图中：
图1是根据本公开的实施例的电致发光显示装置的平面图；
图2是沿着图1的线I-I’截取的电致发光显示装置的截面图；
图3是电致发光显示装置的截面图，其示出了焊盘所位于的方向的非显示区域和显示区域；以及
图4是沿着图1的区域A的线II-II’截取的电致发光显示装置的截面图。
具体实施方式
通过参考以下详细描述的示例性实施例以及附图，本公开的优点和特征以及实现该优点和特征的方法将变得清楚。然而，本公开不限于本文公开的示例性实施例，而是将以各种形式实施。仅通过示例的方式提供示例性实施例，使得本领域技术人员可以完全理解本公开的公开内容和本公开的范围。因此，本公开将仅由所附权利要求的范围来限定。
在附图中示出的用于描述本公开的示例性实施例的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅是示例，并且本公开不限于此。在整个说明书中，类似的附图标记通常表示类似的元件。此外，在本公开的以下描述中，可以省略已知相关技术的详细说明，以避免不必要地使本公开的主题难以理解。这里使用的诸如“包括”、“具有”和“由……组成”之类的术语通常旨在允许添加其他部件，除非该术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明，否则对单数的任何引用均可以包括复数。
即使没有明确说明，部件也被解释为包括普通的误差范围。
当使用诸如“上”、“上方”、“下方”和“下一个”之类的术语描述两个部分之间的位置关系时，除非该术语与术语“立即”或“直接”一起使用，否则一个或多个部分可以位于两个部分之间。
当元件或层设置在另一元件或层“上”时，另一层或另一元件可以直接处于另一元件上或插入其间。
如果描述部件“连接”或“耦合”到另一部件，应理解该部件直接连接或耦合到另一部件，但是其他部件可以“连接”或“耦合”在所述部件之间。
当使用诸如“之后”、“连续于”、“接下来”和“之前”之类的术语描述时序顺序的关系时，该顺序可以不是连续的，除非该术语与术语“立即”或“直接”一起使用。
尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种部件，但是这些部件不受这些术语限制。这些术语仅用于将一个部件与其他部件区分开。因此，在本公开的技术概念中，下面要提到的第一部件可以是第二部件。
术语“至少一个”应理解为包括可以从一个或多个相关项目提出的所有组合。例如，第一项目、第二项目和第三项目中的至少一个不仅指第一项目、第二项目和第三项目中的每一个，而且还指从第一项目、第二项目和第三项目中的两个或更多项目提出的所有项目的组合。
本公开的各个实施例的特征可以部分或全部粘附或结合在一起，并且可以在技术上以各种方式互锁和操作，并且各实施例可以独立或彼此关联地执行。
在下文中，将参考附图详细描述根据本公开的示例性实施例的电致发光显示装置。
当附图标记指代每个附图的部件时，尽管在不同的附图中示出了相同的部件，但是相同的部件尽可能由相同的附图标记指代。此外，为了便于描述，附图中示出的部件的比例不同于实际比例，因此比例不限于附图中所示的比例。
图1是根据本公开的实施例的电致发光显示装置1000的平面图。参考图1A，电致发光显示装置1000可以包括基板110、栅极驱动器GIP、电源线VSS和焊盘PAD。
基板110支撑电致发光显示装置1000的各种部件。基板110可以由具有柔性的塑料材料形成。例如，基板110可以由聚酰亚胺(PI)形成，但是不限于此。
在基板110中，可以限定显示区域AA和包围显示区域AA的非显示区域NA。显示区域AA是其中在电致发光显示装置1000中实际显示图像的区域，并且发光二极管和用于驱动发光二极管的各种驱动元件设置在显示区域AA中。非显示区域NA是不显示图像的区域，并且非显示区域NA可以是包围显示区域AA的区域。用于驱动设置在显示区域AA中的多个像素PX的各种部件可以设置在非显示区域NA中。例如，如图1所示，参考图1，诸如栅极线GL或数据线DL的各种信号线、栅极驱动器GIP、电源线VSS可以设置在基板110的非显示区域NA中。
在显示区域AA中，构成多个像素PX的多个子像素设置成矩阵，以显示图像。每个子像素包括用作像素驱动电路的薄膜晶体管和连接至该薄膜晶体管的发光二极管。
在与显示区域AA相邻的非显示区域NA的至少一个方向上，可以设置从显示面板的外部的时序控制器和电源单元向显示面板施加电力和信号的焊盘PAD。
栅极驱动器GIP在时序控制器的控制下输出栅极信号和发射控制信号，以选择其中通过诸如栅极线GL或发射控制信号线的布线对数据电压进行充电的像素PX，并调整发射时序。栅极驱动器GIP使用移位寄存器来移位扫描信号和发射控制信号，以顺序地提供栅极信号和发射控制信号。如图1A所示，栅极驱动器GIP可以直接以面板中栅极驱动器(GIP)的方式形成在基板110上，但不限于此。
电源线VSS是电连接到下面将描述的发光二极管的第一驱动电极以供电的布线。作为此时提供的电力，可以施加公共电压。如图1A所示，电源线VSS形成在显示区域AA和栅极驱动器GIP的外部以包围显示区域AA和栅极驱动器GIP。电源线VSS可以由与薄膜晶体管的源电极和漏电极相同的材料形成，但是不限于此，并且可以由与薄膜晶体管的栅电极相同的材料形成。
焊盘PAD所位于的方向上的非显示区域NA是可弯曲的。由于在焊盘PAD所位于的方向上的非显示区域NA被弯曲，因此被接合以连接至焊盘PAD的外部模块(例如，印刷电路板)朝着基板110的后表面移动，并且从基板110的上部看时，不能可见地识别出外部模块。此外，由于在焊盘PAD所位于的方向上的非显示区域NA被弯曲，因此从基板110的上部可见地识别出的非显示区域NA的尺寸被减少，从而可以实施窄边框。
将参考图1B和图1C提供详细描述，图1B和图1C放大了作为在焊盘PAD所位于的方向上的非显示区域NA的一部分的区域A。为了更理解本公开，在放大了区域A的图1B和图1C中，仅示出了一些部件而不是所有部件，并且下面将描述其细节。
图2是示出沿着图1的线I-I’截取的电致发光显示装置1000的截面图。
参考图2，驱动发光二极管230的薄膜晶体管TFT可以设置在基板110上的显示区域AA中。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层140A、栅电极160G、源电极180S以及漏电极180D。薄膜晶体管TFT是驱动薄膜晶体管。为了方便描述，尽管在电致发光显示装置1000中可以包括的各种薄膜晶体管中仅示出了驱动薄膜晶体管，但是在电致发光显示装置1000中也可以包括诸如开关薄膜晶体管的另一种薄膜晶体管。此外，在本公开中，尽管描述了薄膜晶体管TFT具有共面结构，但是薄膜晶体管可以被实施为具有诸如交错结构的另一种结构，并且不限于此。
薄膜晶体管TFT响应于提供给薄膜晶体管TFT的栅电极160G的数据信号，控制从高电位VDD供应线提供给发光二极管230的电流。因此，薄膜晶体管可以调整发光二极管230的发射量，并通过在存储电容器(未示出)中充电的电压来提供恒定电流，直到提供下一帧的数据信号以允许发光二极管230维持发射为止。高电位供应线可以形成为与数据线DL平行。
如图2所示，薄膜晶体管TFT可以包括：半导体层140A，其设置在第一绝缘层130上；栅电极160G，其与半导体层140A交叠，并且在它们之间具有第二绝缘层150；以及源电极180S和漏电极180D，它们形成在第三绝缘层170上以与半导体层140A接触。
当驱动薄膜晶体管TFT时，在半导体层140A中形成沟道。半导体层140A可以由氧化物半导体或诸如非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)或并五苯的各种有机半导体形成，但是不限于此。半导体层140A可以形成在第一绝缘层130上。半导体层140A可以包括沟道区、源极区和漏极区。沟道区与栅电极160G交叠，并且在它们之间具有第一绝缘层130以在源电极180S和漏电极180D之间形成沟道区。源极区通过穿过第二绝缘层150和第三绝缘层170的接触孔电连接到源电极180S。漏极区通过穿过第二绝缘层150和第三绝缘层170的接触孔电连接到漏电极180D。缓冲层120和第一绝缘层130可以设置在半导体层140A和基板110之间。缓冲层120延迟渗透到基板110中的水分和/或氧气的扩散。第一绝缘层130保护半导体层140A并阻挡从基板110引入的各种类型的缺陷。
与第一绝缘层130接触的缓冲层120的顶层可以由具有与缓冲层120、第一绝缘层130、第二绝缘层150和第三绝缘层170的其余层不同的蚀刻特性的材料形成。与第一绝缘层130接触的缓冲层120的顶层可以由氮化硅SiNx和氧化硅SiOx中的任何一个形成。缓冲层120、第一绝缘层130、第二绝缘层150和第三绝缘层170的其余层可以由氮化硅SiNx和氧化硅SiOx中的另一个形成。例如，与第一绝缘层130接触的缓冲层120的顶层由氮化硅SiNx形成，并且缓冲层120、第一绝缘层130、第二绝缘层150和第三绝缘层170的其余层由氧化硅SiOx形成，但是不限于此。
栅电极160G形成在第二绝缘层150上并与半导体层140A的沟道区交叠，并且第二绝缘层150处于栅电极160G与半导体层140A的沟道区之间。栅电极160G可以由单层或多层的第一导电材料形成，所述第一导电材料由镁(Mg)、钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种或其合金形成，但不限于此。
源电极180S可以连接到半导体层140A的源极区，该半导体层140A的源极区通过穿过第二绝缘层150和第三绝缘层170的接触孔暴露。漏电极180D与源电极180S相反，并可以连接至半导体层140A的漏极区，该半导体层140A的漏极区通过穿过第二绝缘层150和第三绝缘层170的接触孔暴露。源电极180S和漏电极180D可以由单层或多层的第二导电材料形成，所述第二导电材料由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种、或其中的一种、两种或更多种的合金形成，但不限于此。
连接电极210C可以设置在第一中间层200和第二中间层220之间。连接电极210C通过穿过保护层190和第一中间层200以连接到漏电极180D的连接电极接触孔211C暴露。连接电极210C可以由具有低电阻率的材料形成，该材料与漏电极180D相同或相似，但不限于此。
参考图2，包括发光层232的发光二极管230可以设置在第二中间层220和堤层240上。发光二极管230可以包括第一驱动电极231、形成在第一驱动电极231上的至少一个发光层232和形成在发光层232上的第二驱动电极233。
第一驱动电极231可以电连接到连接电极210C，该连接电极210C通过穿过设置在第一中间层200上的第二中间层220的接触孔暴露。
每个子像素的第一驱动电极231形成为由堤层240暴露。堤层240可以由不透明材料(例如，黑色)形成，以抑制相邻子像素之间的光干涉。在这种情况下，堤层240可以包括由彩色颜料、有机黑和碳中的至少任何一种形成的遮光材料，但是不限于此。
参考图2，在由堤层240提供的发射区中，可以在第一驱动电极231上形成至少一个发光层232。至少一个发光层232在第一驱动电极231上包括空穴传输层、空穴注入层、空穴阻挡层、有机发光层、电子注入层、电子阻挡层和电子传输层，并且这些层可以根据发射方向以该顺序或相反的顺序层合。此外，发光层232可以包括彼此相对的第一发射堆叠体和第二发射堆叠体，在它们之间具有电荷产生层。在这种情况下，第一和第二发射堆叠体中的任何一个的有机发光层产生蓝光，并且第一和第二发射堆叠体中的另一个的有机发光层产生黄绿光，从而可以由第一和第二发射堆叠体产生白光。在发射堆叠体中产生的白光入射到位于发光层232上方或下方的滤色器上以实施彩色图像。作为另一示例，发光层232产生与各个子像素相对应的彩色光，而没有单独的滤色器来实施彩色图像。例如，红色子像素的发光层232可以产生红光，绿色子像素的发光层232可以产生绿光，并且蓝色子像素的发光层232可以产生蓝光。
参考图2，第二驱动电极233形成为与第一驱动电极231相对，并且在它们之间具有发光层232，并且第二驱动电极233连接至高电位(VDD)供应线。
封装层260阻挡湿气或氧气渗透到容易受到来自外部的湿气或氧气影响的发光二极管230中。为此，封装层260可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层，但不限于此。在本公开中，将以其中依次层合了第一封装层261、第二封装层262和第三封装层263的封装层260的结构为例进行描述。
第一封装层261形成在其上形成了第二驱动电极233的基板110上。第三封装层263形成在其上形成了第二封装层262的基板110上，并且第三封装层263与第一封装层261一起包围第二封装层262的顶表面、底表面和侧表面。第一封装层261和第三封装层263可以最小化或抑制外部湿气或氧气渗透到发光二极管230中。第一封装层261和第三封装层263由在其上允许低温沉积的无机绝缘材料形成，所述材料例如氮化硅SiNx、氧化硅SiOx、氮氧化硅SiON或氧化铝Al2O3。在低温气氛下沉积第一封装层261和第三封装层263，从而可以在第一封装层261和第三封装层263的沉积工艺期间抑制易受高温气氛影响的发光二极管230的损坏。
第二封装层262用作缓冲层，该缓冲层减轻了由于电致发光显示装置1000的弯曲而导致的层之间的应力并使层之间的台阶平坦化。第二封装层262可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂和聚乙烯或非光敏有机绝缘材料(例如，硅氧化碳(SiOC))或光敏有机绝缘材料(例如，光丙烯酸)形成在其上形成了第一封装层261的基板110上，但不限于此。当使用喷墨方法形成第二封装层262时，可以设置坝DAM以抑制液化的第二封装层262扩散到基板110的边缘。可以将坝DAM设置为更靠近基板110的边缘而不是第二封装层262。坝DAM可以抑制第二封装层262扩散到焊盘区中，在该焊盘区中设置了设置在基板110的最外周界处的导电焊盘。
坝DAM被设计为抑制第二封装层262的扩散。然而，当第二封装层262形成为在处理期间超过坝DAM的高度时，作为有机层的第二封装层262可以暴露于外部，以使得湿气可以容易地渗透到发光二极管中。因此，为了避免上述问题，可以重复形成至少两个坝DAM。
参考图2，坝DAM可以设置在非显示区域NA的保护层190上。
此外，坝DAM可以与第一中间层200和第二中间层220同时形成。当形成第一中间层200时，坝DAM的下层一起形成，并且当形成第二中间层220，坝DAM的上层一起形成，以使得坝DAM可以被层合以具有双层结构。
因此，坝DAM可以由与第一中间层200和第二中间层220相同的材料构成，但不限于此。
参考图2，坝DAM可以形成为与电源线VSS交叠。例如，在坝DAM所位于的非显示区域NA的区域的下层上，可以形成电源线VSS。
电源线VSS和栅极驱动器GIP形成为包围显示面板的外周界，并且电源线VSS可以比栅极驱动器GIP位于更外的周界。此外，电源线VSS连接到第一驱动电极231以施加公共电压。即使在平面图和截面图中简单地示出了栅极驱动器GIP，也可以使用具有与显示区域AA的薄膜晶体管TFT相同结构的薄膜晶体管TFT来构造栅极驱动器GIP。
参考图2，电源线VSS设置在比栅极驱动器GIP更外的外部。电源线VSS设置在比栅极驱动器GIP更外的外部，并且包围显示区域AA。电源线VSS可以由与薄膜晶体管TFT的源电极180S和漏电极180D相同的材料形成，但是不限于此。例如，电源线VSS可以由与栅电极160G相同的材料形成。
此外，电源线VSS可以电连接到第一驱动电极231。电源线VSS可以将低电位电压提供给显示区域AA的多个像素PX。
图3是电致发光显示装置1000的截面图，其示出了焊盘所位于的方向的非显示区域和显示区域。参考图3，根据本公开的示例性实施例的电致发光显示装置1000可以包括薄膜晶体管TFT、发光二极管230、基板110、缓冲层120、第一绝缘层130、第二绝缘层150、第三绝缘层170、保护层190、第一中间层200、第二中间层220、连接电极210C、堤层240、间隔体250和封装层260。基板110可以支撑电致发光显示装置1000的各种部件。
在非显示区域NA中，未设置像素驱动电路和发光二极管，但是可以提供基板110和有机/无机层120、130、150、170、190、200和220。此外，在非显示区域NA中，可以出于不同的目的而设置用于显示区域AA的构造的材料。例如，由与显示区域AA中的薄膜晶体管TFT的栅电极160G相同的金属形成的第二布线160、或者由与源电极180S和漏电极180D相同的金属形成的第一电极180可以设置在用于布线或电极的非显示区域NA中。此外，与连接电极210C相同的金属210可以设置在用于布线或电极的非显示区域NA中。金属可以设置在不同的层上并且可以通过多个层120、130、150、170、190、200和220彼此绝缘。例如，源电极180S和漏电极180D可以用作电源线VSS。电源线VSS连接到连接电极210C，并且发光二极管230的第一驱动电极231可以连接到源电极180S、漏电极180D和连接电极210C以被供电。连接电极210C与电源线VSS接触，并且沿着第二中间层220的最外侧壁延伸，以在第二中间层220上方与第一驱动电极231接触。
基板110可以由具有柔性的塑料材料形成。当基板110由塑料材料形成时，例如，基板可以由聚酰亚胺(PI)形成，但是不限于此。当基板110由聚酰亚胺(PI)形成时，在由玻璃形成的支撑基板设置在基板110下方并且在完成电致发光显示装置1000的制造工艺之后可以释放支撑基板的情况下执行电致发光显示装置1000的制造工艺。此外，在释放支撑基板之后，支撑基板110的背板可以设置在基板110下方。然而，不限于此，并且在某些情况下，由玻璃形成的支撑基板110可以原样使用。
参考图3，具有单层或多层结构的缓冲层120可以设置在基板110上。设置在基板110上的缓冲层111可以由氮化硅SiNx或氧化硅SiOx的单层形成，或由其中交替形成氮化硅和氧化硅的多层形成。
缓冲层120增强了在缓冲层120上形成的层与基板110之间的粘附性，并且保护薄膜晶体管TFT免受诸如从基板110或其下层泄漏的碱离子之类的杂质的影响。此外，缓冲层120可以由氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或其多层构成，但是不限于此。缓冲层120可以包括多缓冲层和/或有源缓冲层。此外，缓冲层120不是必不可少的部件，并且可以基于基板110的类型和材料以及薄膜晶体管TFT的结构和类型而省略。
参考图3，在基板110的显示区域AA中，用于驱动发光二极管230的薄膜晶体管TFT可以设置在缓冲层120上。第一绝缘层130还设置在薄膜晶体管TFT与缓冲层120之间，以更稳定地形成薄膜晶体管TFT。
薄膜晶体管TFT包括半导体层140A、栅电极160G、源电极180S和漏电极180D。这里，根据像素电路的设计，源电极180S可以用作漏电极，并且漏电极180D可以用作源电极。在基板110的显示区域AA中，薄膜晶体管TFT的半导体层140A可以设置在第一绝缘层130上。
半导体层140A可以包括低温多晶硅(LTPS)。多晶硅材料具有高迁移率(100cm2/Vs或更高)，因此能量消耗低并且可靠性优异。因此，多晶硅材料可以应用于用于驱动元件的栅极驱动器，所述驱动元件驱动用于显示元件和/或多路复用器(MUX)的薄膜晶体管，并且多晶硅材料还可以用作根据本公开的示例性实施例的电致发光显示装置1000的驱动薄膜晶体管的半导体层140A，但是不限于此。例如，取决于电致发光显示装置1000的特性，可以将多晶硅材料用作开关薄膜晶体管的半导体层。非晶硅(a-Si)材料沉积在第一绝缘层130上并且执行脱氢工艺和结晶工艺以形成多晶硅，并且对多晶硅进行图案化以形成半导体层140A。
半导体层140A可以包括在驱动薄膜晶体管TFT时在其中形成沟道的沟道区140C以及在沟道区140C的两侧上的源极区140S和漏极区140D。源极区140S可以是半导体层140A的连接到源电极180S的一部分，并且漏极区140D可以是半导体层140A的连接到漏电极180D的一部分。源极区140S和漏极区140D可以通过离子掺杂(例如，半导体层140A的杂质掺杂)来构造。可以通过将离子掺杂到多晶硅材料中来产生源极区140S和漏极区140D，并且沟道区140C可以是不掺杂有离子并且保留有多晶硅材料的部分。
半导体层140A可以由氧化物半导体形成。氧化物半导体材料与硅材料相比具有大的带隙，使得电子在截止状态下不能越过带隙。因此，氧化物半导体材料具有低的截止电流。因此，包括由氧化物半导体形成的半导体层的薄膜晶体管适合于维持短导通时间和长截止时间的开关薄膜晶体管，但是不限于此。取决于电致发光显示装置1000的特性，可以将半导体层用作驱动薄膜晶体管。此外，由于低截止电流，可以减小辅助电容的大小，从而可以使薄膜晶体管适用于高分辨率显示元件。例如，半导体层140A可以由金属氧化物形成，并且例如可以由诸如铟镓锌氧化物(IGZO)的各种金属氧化物形成。假设在各种金属氧化物中基于IGZO层形成薄膜晶体管TFT的半导体层140A，已经描述了基于IGZO层形成有源层，但是不限于此。因此，半导体层可以由除IGZO之外的另一种金属氧化物形成，例如铟锌氧化物(IZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)或铟镓氧化物(IGO)。可以通过在第一绝缘层130上沉积金属氧化物，执行用于稳定化的热处理，并且然后图案化金属氧化物来形成半导体层140A。
参考图3，半导体层140A可以形成为非显示区域NA中的第一布线140。第一布线140可以是设置在第一绝缘层130上并且设置在与薄膜晶体管TFT的半导体层140A相同的层上并且由与半导体层140A相同的材料形成的栅极驱动器GIP的部件的一部分，但是不限于此。
第二绝缘层150可以设置在第一绝缘层130上以覆盖薄膜晶体管TFT的半导体层140A的顶表面。第二绝缘层150可以被配置为氮化硅SiNx或氧化硅SiOx的单层或它们的多层。在第二绝缘层150中，可以形成接触孔，薄膜晶体管TFT的源电极180S和漏电极180D分别通过接触孔连接到薄膜晶体管TFT的半导体层140A的源极区140S和漏极区140D。
参考图3，在显示区域AA中，第二绝缘层150可以设置在半导体层140A上。此外，在非显示区域NA中，第二绝缘层150可以设置在第一绝缘层130上。如图3中所示，第二绝缘层150可以形成在整个基板上，但是不限于此。例如，第二绝缘层150可以被图案化为具有与栅电极160G相同的宽度。
在基板110的显示区域AA中，薄膜晶体管TFT的栅极电极160G、连接至该栅电极160G的栅极线GL、以及存储电容器的第一电容器电极可以设置在第二绝缘层150上。栅电极160G、栅极线GL和第一电容器电极可以形成为由钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、镍(Ni)和钕(Nd)中的任何一种或其合金形成的单层或多层，但不限于此。栅电极160G可以形成在第二绝缘层150上，以便与薄膜晶体管TFT的半导体层140A的沟道区140C交叠。
参考图3，栅电极160G可以在非显示区域NA中形成为第二布线160。第二布线160可以是设置在第二绝缘层150上并且设置在与薄膜晶体管TFT的栅电极160G相同的层上并且由与栅电极160G相同的材料形成的栅极驱动器GIP的部件的一部分。
参考图3，第三绝缘层170可以设置在第二绝缘层150上，以便覆盖显示区域AA的栅电极160G和栅极线GL以及非显示区域NA的第二布线160。第三绝缘层170可以被配置为氮化硅SiNx或氧化硅SiOx的单层或它们的多层。可以在第三绝缘层170中形成接触孔，薄膜晶体管TFT的半导体层140A的源极区140S和漏极区140D通过该接触孔暴露。此外，如图3中所示，第三绝缘层170可以形成在整个基板上，但是不限于此。例如，第三绝缘层170可以被图案化为具有与半导体层140A相同的宽度。
在基板110的显示区域AA中，薄膜晶体管TFT的源电极180S和漏电极180D可以设置在第三绝缘层170上。薄膜晶体管TFT的源电极180S和漏电极180D可以通过形成在第二绝缘层150和第三绝缘层170中的接触孔连接到薄膜晶体管TFT的半导体层140A。因此，薄膜晶体管TFT的源电极180S可以通过形成在第二绝缘层150和第三绝缘层170中的接触孔连接到半导体层140A的源极区140S。此外，薄膜晶体管TFT的漏电极180D可以通过形成在第二绝缘层150和第三绝缘层170中的接触孔连接到半导体层140A的漏极区140D。源电极180S和漏电极180D可以是钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、镍(Ni)和钕(Nd)中的任何一种或它们的合金并且形成为单层或多层。例如，源电极180S和漏电极180D可以由导电金属材料形成的钛(Ti)/铝(Al)/钛(Ti)的三重结构形成。源电极180S和漏电极180D的材料不限于上述内容。在图3中，尽管为了便于描述，在电致发光显示装置1000中可以包括的各种薄膜晶体管中仅示出了驱动薄膜晶体管，但是在电致发光显示装置1000中也可以包括诸如开关薄膜晶体管的另一薄膜晶体管。此外，在本公开中，即使描述了薄膜晶体管120具有共面结构，也可以将薄膜晶体管实施为具有诸如交错结构的另一结构。
参考图3，在基板110的非显示区域NA中，可以将用作栅极驱动器GIP的一部分的第一电极180设置在第三绝缘层170上。第一电极180可以设置在与薄膜晶体管TFT的源电极180S和漏电极180D相同的层上，并且可以由相同的材料形成。如图3所示，栅极驱动器GIP可以由诸如第一布线140、第二布线160和第一电极180之类的各种部件构造。第一电极180电连接至电源线VSS和第一驱动电极231，以向第一驱动电极231供电，这将在下面描述。
参考图3，在显示区域AA和非显示区域NA中，保护层190可以设置在薄膜晶体管TFT、第一电极180和栅极驱动器GIP上。保护层190可以被设置为覆盖薄膜晶体管TFT、第一电极180和栅极驱动器GIP。保护层190可以形成为氮化硅SiNx或氧化硅SiOx的单层或它们的多层。在显示区域AA中，可以在保护层190中形成接触孔，薄膜晶体管TFT的漏电极180D通过该接触孔暴露。此外，在非显示区域NA中，可以在保护层190中形成接触孔，第一电极180通过该接触孔暴露。
第一中间层200是绝缘层，其保护薄膜晶体管TFT、栅极驱动器GIP和各种布线或电极，并减轻了基板110上的台阶以允许基板110上部的表面具有均匀的高度。
参考图3，第一中间层200可以设置在显示区域AA和非显示区域NA两者中。在显示区域AA和非显示区域NA中，第一中间层200可以设置在保护层190上，以便与显示区域AA的薄膜晶体管120和非显示区域NA的栅极驱动器GIP交叠。例如，如图3所示，第一中间层200可以设置在显示区域AA和非显示区域NA的其中栅极驱动器GIP所位于的区域中。此外，在第一电极180所位于的区域中，第一中间层200的一部分被去除以形成接触孔，第一电极180通过该接触孔暴露。
第一中间层200可以由丙烯酸基树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺基树脂、聚酰亚胺基树脂、不饱和聚酯基树脂、聚苯基树脂、聚苯硫醚基树脂、苯并环丁烯和光致抗蚀剂中的一种形成，但不限于此。
第一中间层200越薄，对于该工艺越有利。然而，第一中间层200的厚度可以具有在至少1μm至5μm的范围内的值，以维持第一电极180和第二电极210之间的适当间隔并填充第一电极180的曲率。
参考图2和图3，可以设置第一中间层200以覆盖薄膜晶体管TFT和栅极驱动器GIP。在显示区域AA中，可以在第一中间层200中形成暴露漏电极180的接触孔。此外，在非显示区域NA中，将设置在第一电极180上的保护层190暴露于第二电极210的接触孔可以形成在第一中间层200中。第一中间层200是有机材料层，其保护薄膜晶体管TFT和栅极驱动器GIP并减轻基板110上的台阶以允许基板110的上部的表面具有均匀的高度。例如，第一中间层200可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机材料形成，但是不限于此。
参考图3，连接电极210C可以设置在基板110的显示区域AA中的第一中间层200上。此外，连接电极210C可以通过第一中间层200和保护层190的暴露漏电极180D的接触孔连接至薄膜晶体管TFT的漏电极180D。连接电极210C可以用于将薄膜晶体管TFT和发光二极管230电连接。例如，连接电极210C可以用于将薄膜晶体管TFT的漏电极180D与发光二极管230的第一驱动电极231电连接。连接电极210C可以由钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、镍(Ni)和钕(Nd)中的任一种或它们的合金形成的单层或多层形成，但不限于此。连接电极210C可以由与薄膜晶体管TFT的源电极180S和漏电极180D相同的材料形成。
在基板110的非显示区域NA中，第二电极210可以设置在第一中间层200上。此外，第二电极210可以通过第一中间层200和保护层190的暴露第一电极180的第二电极接触孔211连接到第一电极180。第二电极210可以由钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、镍(Ni)和钕(Nd)中的任一种或它们的合金形成的单层或多层形成，但不限于此。第二电极210可以形成在与薄膜晶体管TFT的连接电极210C或源电极180S和漏电极180D相同的层上，并且可以由相同的材料形成，但是不限于此。
参考图1和图3，在基板110的非显示区域NA中，第二电极210可以被配置为具有至少一个开口212的斜格形式。
在图1中放大的区域“A”可以是根据本公开的示例性实施例的第二电极210的部件。与形成在整个非显示区域NA上的第一电极180不同，第二电极210可以被配置为具有带有至少一个暴露第一中间层200的开口212的斜格形式。
因为第二电极210形成为具有斜格形式，所以第一中间层200和第二中间层220可以通过开口212彼此接触。由于第一中间层200和第二中间层220彼此接触，与开口212没有形成在第二电极中而是形成在整个非显示区域NA(如第一电极180)上的情况相比，改善了粘附性。因此，可以大大减少诸如第二电极210的撕裂或松动的缺陷。
此外，在形成第二电极期间，第二电极210的斜格结构形成开口212而没有完全阻挡由有机材料形成的第一中间层200上的由无机材料形成的第二电极210。因此，改善了电致发光显示装置1000的放气。
参考图3，在设置在第二电极210下方的第一中间层200和保护层190中，形成了穿过第二电极210的多个电极接触孔211。第二电极210可以通过第二电极接触孔211电连接到第一电极180。
由于在非显示区域NA中用作信号线的第一电极180和第二电极210彼此电连接，与第一电极180或第二电极210形成为个体布线的情况相比，可以降低电阻。因此，可以改善图像质量。
此外，在第二电极210中，至少一个开口212可以与第二电极接触孔211交替且重复地形成。
参考图3，第二中间层220可以设置在基板110的显示区域AA中的连接电极210C和第一中间层200上。例如，第二中间层220可以设置为覆盖第一中间层200上的连接电极210C。此外，如图3所示，可以在第二中间层220中形成接触孔以暴露连接电极210C。第二中间层220可以是有机材料层，由于第一中间层200上的连接电极210C，该有机材料层进一步减轻了下部结构的台阶并且另外保护了下部结构。例如，第二中间层220可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机材料形成，但是不限于此。第二中间层220可以由与第一中间层200相同的材料形成，但是不限于此。
此外，在基板110的非显示区域NA中，第二中间层220可以设置为覆盖第二电极210。如图3所示，第二中间层220可以形成为沿着第二电极210的开口212与第一中间层200接触。由于第一中间层200和第二中间层220在第二电极210的开口212中彼此接触，因而提高了粘附性，从而可以减少由于第二电极210的松动引起的缺陷。
在根据本公开的示例性实施例的电致发光显示装置1000中，由于绝缘层减轻了在显示区域AA中的薄膜晶体管TFT上方的层中产生的台阶，从而允许基板110上方的表面具有均匀的高度，第一中间层200和第二中间层220可以被配置在显示区域AA中。因此，可以提供用于设置用于电致发光显示装置1000的显示区域AA的各种布线的额外空间。
例如，与在显示区域AA中使用一个中间层的情况相比，可以提供第一中间层200和第二中间层220之间的空间，即用于在第一中间层200的顶表面上设置布线的额外空间。因此，在根据本公开的示例性实施例的电致发光显示装置1000中，可以增加用于布线布置的设计自由度。结果，可以提供具有较高分辨率的电致发光显示装置1000，并且可以解决由设置在电致发光显示装置1000的显示区域AA中的布线的高电阻引起的亮度不规则性问题。
此外，在根据本公开的示例性实施例的电致发光显示装置1000中，由于绝缘层减轻了在非显示区域NA中的第一电极180上方的层中产生的台阶，从而允许基板110上部的表面具有均匀的高度，第一中间层200和第二中间层220可以被配置在非显示区域NA中。因此，在电致发光显示装置1000的非显示区域NA中，可以避免由于特定视角引起的光反射。
换句话说，与在非显示区域NA中仅使用一个中间层的情况相比，第一电极180上方的台阶或曲率可以被形成为具有双层结构的第一中间层200和第二中间层220抵消。因此，即使从外部入射的光从第二电极210反射，该光也向内反射，从而可以解决用户在外部识别出反射光的故障。
参考图3，发光二极管230的第一驱动电极231可以设置在第二中间层220上。第一驱动电极231可以通过形成在第二中间层220中的接触孔电连接到连接电极210C。因此，第一驱动电极231通过形成在第二中间层220中的接触孔连接到连接电极210C，以电连接到薄膜晶体管TFT。
第一驱动电极231可以形成为具有多层结构，该多层结构包括具有高反射效率的透明导电层和不透明导电层。透明导电层可以由具有高功函数的材料形成，例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。此外，不透明导电层可以形成为具有包括Al、Ag、Cu、Pb、Mo和Ti或其合金的单层或多层结构。例如，第一驱动电极231可以形成为具有其中依次层合透明导电层、不透明导电层和透明导电层的结构。但是，第一电极141不限于此，而是也可以形成为具有其中依次层合透明导电层和不透明导电层的结构。
根据本公开的示例性实施例的电致发光显示装置1000可以是顶部发射型电致发光显示装置1000或底部发射型电致发光显示装置1000。因此，设置在第二中间层220上的第一驱动电极231可以是阴极电极，而第一驱动电极231可以是阳极电极。
参考图3，堤层240是区分显示区域AA中的相邻像素PX并限定多个像素PX的结构。堤层240可以由有机材料形成。堤层240可以设置在第一驱动电极231和第二中间层220上。
在显示区域AA中，可以在堤层240中形成暴露第一驱动电极231的开口。由于堤层240限定了电致发光显示装置1000的发射区域，所以堤层240也可以被称为像素限定层。堤层240可以设置为覆盖第一驱动电极231的两端。
间隔体250可以进一步设置在堤层240上。此外，在非显示区域NA中，可以在堤层240中形成暴露连接电极210C的接触孔。
堤层240和间隔体250可以由相同的材料形成。此外，堤层240和间隔体250可以由有机材料形成。例如，堤层240和间隔体250可以由聚酰亚胺、丙烯酸或苯并环丁烯(BCB)基树脂形成，但是不限于此。
此外，可以在第二中间层220和堤层240上进一步设置包括发光层232的发光二极管230。甚至在图3中，示出了为每个像素PX图案化发光层232，本公开不限于此，并且发光层232可以是对于多个像素PX共同形成的公共层。发光层232在第一驱动电极231上包括空穴传输层、空穴阻挡层、空穴注入层、有机发光层、电子注入层、电子阻挡层和电子传输层，并且这些层可以根据发射方向以该顺序或相反的顺序层合。此外，发光层232可以包括彼此相对的第一发射堆叠体和第二发射堆叠体，在它们之间具有电荷产生层。在这种情况下，第一和第二发射堆叠体的任何一个发光层产生蓝光，而第一和第二发射堆叠体的另一个发光层产生黄绿光，使得第一和第二发射堆叠体可以产生白光。在发光层232中产生的白光入射到设置在发光层232上方的滤色器上以实施彩色图像。另外，发光层232在不具有单独的滤色器的情况下产生与各个子像素相对应的彩色光以实施彩色图像。例如，红色R子像素的发光层232可以产生红光，绿色G子像素的发光层232可以产生绿光，并且蓝色B子像素的发光层232可以产生蓝光。
第二驱动电极233可以进一步设置在发光层232上。第二驱动电极233可以设置在发光层232上，以便与第一驱动电极231相对，在它们之间具有发光层232。
根据本公开的示例性实施例的电致发光显示装置1000可以是顶部发射型电致发光显示装置1000或底部发射型电致发光显示装置1000。因此，设置在第二中间层220上的第二驱动电极233可以是阴极电极，而第一驱动电极231可以是阳极电极。
参考图3，封装层260可以设置在基板110的显示区域AA中的发光二极管230上。例如，封装层260可以进一步设置在第二驱动电极233上以抑制水分渗透。
封装层260抑制了氧气和水分从外部的渗透，从而抑制了发光材料和电极材料的氧化。当有机发光元件暴露于湿气或氧气时，引起其中减小发光面积的像素收缩现象或在发光区域中产生暗点。封装层260可以由无机膜形成，所述无机膜由玻璃、金属、氧化铝AlOx或基于硅(Si)的材料形成，或者具有其中有机膜和无机膜交替层合的结构。无机膜用于阻挡水分或氧气的渗透，并且有机膜用于使无机膜的表面平坦化以具有均匀的高度。当封装层由多个薄膜层形成时，湿气或氧气的移动路径比单层的移动路径更长且更复杂，使得湿气/氧气难以渗透到有机发光元件中。。
参考图3，在根据本公开的示例性实施例的电致发光显示装置1000中，封装层260可以包括第一封装层261、第二封装层262和第三封装层263。封装层260的第一封装层261可以设置在第二驱动电极233上。此外，第二封装层262可以设置在第一封装层261上。此外，第三封装层263可以设置在第二封装层262上。封装层260的第一封装层261和第三封装层263可以由诸如氮化硅SiNx或氧化硅SiOx的无机材料形成。封装单元的第二封装层262可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机材料形成，但是不限于此。
图4是示出沿着图1的区域A的线II-II’截取的电致发光显示装置1000的截面图。
图4是将图1所示的部分A放大的视图，使得仅示出底部区域的边框区的一些层，而省略了其他线(例如，电源线)和层。然而，图3中所示的显示区域和非显示区域的结构可以应用于图4。
在图4中，可以提供与图3所示的焊盘所位于的方向上的非显示区域相同的部件。因此，将省略对显示区域上相同部件的详细描述。
参考图4，在根据本公开示例性实施例的电致发光显示装置1000中，在非显示区域NA中，第一布线140的宽度W1可以等于或不同于第二布线160的宽度W2。第一布线140可以是显示区域AA中的薄膜晶体管TFT的半导体层140A，并且第二布线160可以是栅电极160G。因此，第一布线140的宽度W1可以形成为大于第二布线160的宽度W2。然而，在非显示区域NA中，第一布线140和第二布线160为信号传输路径，并且与薄膜晶体管TFT的半导体层140A或栅电极160G的操作无关。因此，第一布线的宽度W1和第二布线的宽度W2可以形成为相同。
参考图4，在根据本公开的示例性实施例的电致发光显示装置1000中，在非显示区域NA中，第一布线140和第二布线160之间的间隔W3可以形成为与第一布线140的宽度W1或第二布线的宽度W2相等或不同。通常，第一布线140和第二布线160之间的距离越长，信号干扰越有利。此外，为了抑制不期望的寄生电容的产生，在布线之间可能需要预定或更大的间隔。然而，在具有高分辨率的电致发光显示装置1000中，需要设置多条信号线，使得即使信号线被分开设置在两层上，信号线也可以被设置为在它们之间具有尽可能小的间隔。此外，第一布线140和第二布线160的面积越大，信号传输越有利。因此，第一布线140和第二布线160之间的间隔W3可以形成为等于或小于第一布线140的宽度W1或第二布线160的宽度W2。
参考图4，在根据本公开的示例性实施例的电致发光显示装置1000中，在其中第一布线140或第二布线160设置在与未形成开口212的非显示区域NA或显示区域AA的第二电极接触孔211相邻的区段中的区域上的第一电极180与第二电极210之间的距离可以小于在其中没有设置第一布线140或第二布线160的区域上的第一电极180和第二电极210之间的距离。换句话说，沿着形成为覆盖第一布线140和第二布线160的第三绝缘层170形成第一电极180，使得第一电极180可以形成为在第一布线140和第二布线160之间的区域中具有台阶或曲率。
相反，形成在第一中间层200上的第二电极210在第一中间层200上方的表面上具有均匀的高度，使得第二电极210的顶表面可以形成为具有均匀的高度而不必具有台阶或曲率，与第一电极180不同。
因此，在第一布线140和第二布线160之间的区域上的第一电极180和第二电极210之间的距离可以大于在设置有第一布线140或第二布线160的区域上的第一电极180和第二电极210之间的距离。
参考图4，在根据本公开的示例性实施例的电致发光显示装置1000中，第一电极180可以沿着交替地设置在非显示区域NA中的不同层上的第一布线140和第二布线160形成。
由于第一电极180沿着被设置为彼此间隔开的第一布线140和第二布线160设置，因此第一电极180可以形成为具有台阶或曲率。因此，第一电极180可以在第一布线140和第二布线160之间的空间中沿着台阶在顶表面上具有凹槽。第一电极180的上部凹槽的深度可以等于或小于第二布线160的高度，并且第一电极180的上部凹槽的宽度可以小于第一布线140和第二布线160之间的间隔W3。
因此，第一电极180可以在第一布线140和第二布线160之间的空间中沿着台阶在底表面上具有突起。第一电极180的下部突起的高度可以小于或等于第二布线160的高度，并且第一电极180的下部突起的宽度可以小于第一布线140和第二布线160之间的间隔W3。
本公开的示例性实施例还可以被描述如下：
根据本公开的一方面，提供了一种电致发光显示装置。该电致发光显示装置包括：基板，其具有发射区和边框区；以及从发射区延伸以设置在边框区中的堤层；多条信号线，其设置在基板上的不同层上并具有台阶；第一金属层，其与多条信号线交叠并且被设置为与基板相邻；第二金属层，其设置在第一金属层上以与堤层相邻；以及在第一金属层和第二金属层之间的第一中间层。
第二金属层可以被设置为抑制外部光的反射。
第二金属层可以电连接至第一金属层。
第二金属层可以具有网格形状。
多条信号线可以包括第一信号线和第二信号线。
电致发光显示装置还可以包括：绝缘层，其设置在第一信号线和第二信号线之间，其中，第一信号线和第二信号线被设置为彼此间隔开。
第一金属层可以沿着台阶设置在第一信号线和第二信号线彼此间隔开的位置，并且第一金属层的顶表面具有凹槽。
第一金属层的凹槽的深度可以等于或小于第二信号线的高度。
第一金属层的凹槽的宽度可以小于第一信号线和第二信号线之间的间隔。
第一金属层可以在第一信号线和第二信号线彼此间隔开的位置中包括从第一金属层的底表面的突起。
第一金属层的突起的高度可以等于或小于第二信号线的高度。
第一金属层的突起的宽度可以小于第一信号线和第二信号线之间的间隔。
电致发光显示装置还可以包括：在堤层下方的第二中间层。
第二中间层可以与第一中间层接触。
根据本公开的另一方面，提供了一种电致发光显示设备。该电致发光显示装置包括：基板，其包括显示区域和包围所述显示区域的非显示区域；设置在基板上的多条信号线；第一金属层，其被设置为弯曲以覆盖非显示区域中的多条信号线；以及第一金属层上的第二金属层，其中在多条信号线之间的第一金属层与第二金属层之间的距离是不同的。
多条信号线可以包括第一信号线和第二信号线，并且第一信号线和第二信号线交替设置。
第一信号线和第二信号线可以被设置为彼此间隔开，并且在第一信号线和第二信号线之间的第一金属层和第二金属层之间的距离大于在第一信号线和第二信号线彼此间隔开的位置处的第一金属层和第二金属层之间的距离。
第一中间层可以设置在第一金属层和第二金属层之间，并且第一中间层减轻第一金属层上的曲率。
多条信号线中的每条的宽度可以小于多条信号线之间的宽度。
电致发光显示装置还可以包括：第二中间层，其设置在第二金属层上并与第一中间层接触。
尽管已经参考附图详细描述了本公开的示例性实施例，但是本公开不限于此，并且在不脱离本公开的技术概念的情况下，可以以许多不同的形式实施本公开。因此，提供本公开的示例性实施例仅出于说明性目的，而无意于限制本公开的技术概念。本公开的技术概念的范围不限于此。因此，应当理解，上述示例性实施例在所有方面都是示例性的，并且不限制本公开。本公开的保护范围应基于所附权利要求来解释，并且在其等同范围内的所有技术构思应被解释为落入本公开的范围内。

Claims (20)

1.一种电致发光显示装置，包括：
基板，其具有发射区和边框区；
堤层，其从所述发射区延伸以设置在所述边框区中；
多条信号线，其设置在所述基板上的不同层上并具有台阶；
第一金属层，其与所述多条信号线交叠并且被设置为与所述基板相邻；
第二金属层，其设置在所述第一金属层上以与所述堤层相邻；以及
第一中间层，其在所述第一金属层与所述第二金属层之间。
2.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，所述第二金属层被设置为抑制外部光的反射。
3.根据权利要求2所述的电致发光显示装置，其中，所述第二金属层与所述第一金属层电连接。
4.根据权利要求3所述的电致发光显示装置，其中，所述第二金属层具有网格形状。
5.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，所述多条信号线包括第一信号线和第二信号线。
6.根据权利要求5所述的电致发光显示装置，还包括：
绝缘层，其设置在所述第一信号线和所述第二信号线之间，
其中，所述第一信号线和所述第二信号线被设置为彼此间隔开。
7.根据权利要求6所述的电致发光显示装置，其中，所述第一金属层在所述第一信号线和所述第二信号线彼此间隔开的位置中沿着台阶设置，并且所述第一金属层的上表面具有凹槽。
8.根据权利要求7所述的电致发光显示装置，其中，所述第一金属层的所述凹槽的深度等于或小于所述第二信号线的高度。
9.根据权利要求7所述的电致发光显示装置，其中，所述第一金属层的所述凹槽的宽度小于所述第一信号线和所述第二信号线之间的间隔。
10.根据权利要求6所述的电致发光显示装置，其中，所述第一金属层在所述第一信号线和所述第二信号线彼此间隔开的位置中包括从所述第一金属层的底表面的突起。
11.根据权利要求10所述的电致发光显示装置，其中，所述第一金属层的所述突起的高度等于或小于所述第二信号线的高度。
12.根据权利要求10所述的电致发光显示装置，其中，所述第一金属层的所述突起的宽度小于所述第一信号线与所述第二信号线之间的间隔。
13.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，还包括：
在所述堤层下面的第二中间层。
14.根据权利要求13所述的电致发光显示装置，其中，所述第二中间层与所述第一中间层接触。
15.一种电致发光显示装置，包括：
基板，其包括显示区域和包围所述显示区域的非显示区域；
设置在所述基板上的多条信号线；
第一金属层，其被设置为弯曲以覆盖所述非显示区域中的所述多条信号线；以及
所述第一金属层上的第二金属层，
其中，在所述多条信号线之间的所述第一金属层和所述第二金属层之间的距离是不同的。
16.根据权利要求15所述的电致发光显示装置，其中，所述多条信号线包括第一信号线和第二信号线，并且所述第一信号线和所述第二信号线交替设置。
17.根据权利要求16所述的电致发光显示装置，其中，所述第一信号线和所述第二信号线设置为彼此间隔开；并且
在所述第一信号线和所述第二信号线之间的所述第一金属层和所述第二金属层之间的距离大于在所述第一信号线和所述第二信号线彼此间隔开的位置中的所述第一金属层和所述第二金属层之间的距离。
18.根据权利要求15所述的电致发光显示装置，其中，第一中间层设置在所述第一金属层和所述第二金属层之间，并且
所述第一中间层减轻了所述第一金属层上的曲率。
19.根据权利要求15所述的电致发光显示装置，其中，所述多条信号线中的每条信号线的宽度小于所述多条信号线之间的宽度。
20.根据权利要求18所述的电致发光显示装置，还包括：
第二中间层，其设置在所述第二金属层上并与所述第一中间层接触。
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