CN114695484A - 发光二极管显示设备 - Google Patents

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Abstract

一种发光二极管显示设备，包括：基板；驱动元件区域，形成于基板上，并且多个驱动元件以矩阵形式布置在驱动元件区域中；以及发射元件区域，多个发射元件以矩阵形式布置在发射元件区域中，其中，发射元件包括对应于每个驱动元件并电连接到每个驱动元件的第一电极、对应于第一电极的第二电极、以及位于第一电极和第二电极之间的发射层，其中，发射元件区域的面积大于驱动元件区域的面积。

Description

发光二极管显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求分别于2020年12月30日和2021年10月7日提交的韩国专利申请10-2020-0187273号和10-2021-0133055号的优先权益，于此通过引用将其整体并入以用于所有目的，如同于此完全阐述。
技术领域
本发明涉及发光二极管显示设备，并且特别地，涉及发光元件位于边缘区域以实现窄边框的发光二极管显示设备。
背景技术
在显示设备中，电致发光显示设备是自发光型显示设备并且由于不需要背光并且以低功率操作而具有重量轻和外形薄的优点。特别地，在电致发光显示设备中，有机发光二极管显示设备具有以DC低电压操作、响应速度快和生产成本低的优点。
电致发光显示设备包括多个电致发光元件。每个电致发光元件被配置有二极管型发光元件。发光元件包括阳极、阴极和它们之间的发光层。当阳极被施加高电位电压而阴极被施加低电位电压时，来自阳极的空穴和来自阴极的电子移动到发光层。电子和空穴在发光层结合并形成激子，并且从激子产生光能。
电致发光显示设备包括显示图像的显示区域和围绕显示区域的非显示区域。特别地，向位于显示区域的发光元件供应信号的信号线位于非显示区域处并占据某一面积。
然而，如今对于显示区域占显示设备的压倒性大比例的全屏显示设备的需求增加。然而，为了实现全屏，需要从非显示区域中减小信号线所在的边框区域。此外，对于其中在非显示区域处形成产生栅极驱动信号的栅极驱动电路部分的GIP(面板内栅极)结构的显示设备，减小边框的尝试在继续。
发明内容
因此，本公开涉及一种发光二极管显示设备，其基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题。
本公开的优点是提供可以将发光元件设置在相关技术的非显示区域中，从而降低非显示区域的比例并从而实现窄边框的发光二极管显示设备。
本公开的附加特征和优点将在以下描述中阐述，并且部分将从描述中变得明显，或者可以通过本公开的实践获悉。本公开的这些和其他优点将通过在书面描述及其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
为了实现这些和其它优点，并且根据本公开的目的，如于此体现和广泛描述的，发光二极管显示设备包括：基板；驱动元件区域，形成于基板上，并且多个驱动元件以矩阵形式布置在驱动元件区域中；以及发射元件区域，多个发射元件以矩阵形式布置在发射元件区域中，其中，发射元件包括对应于每个驱动元件并电连接到每个驱动元件的第一电极、对应于第一电极的第二电极、以及位于第一电极和第二电极之间的发射层，其中，发射元件区域的面积大于驱动元件区域的面积。
在另一方面，发光二极管显示设备包括：基板，包括驱动元件区域，多个驱动元件以矩阵形式布置在驱动元件区域中；以及围绕驱动元件区域的外围区域，其中，多个发射元件以矩阵形式布置于发射元件区域中，其中，发射元件包括对应于每个驱动元件并电连接到每个驱动元件的第一电极、对应于第一电极的第二电极、以及位于第一电极和第二电极之间的发射层，并且其中，发射元件区域与驱动元件区域和外围区域重叠。
应当理解，前述一般描述和以下详细描述都是示例性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的公开的进一步解释。
附图说明
被包括以提供对本公开的进一步理解并且被并入并构成本说明书的部分的附图示出了本公开的实施例并且与描述一起用于解释本公开的原理。
图中：
图1是示出根据本公开的实施例的电致发光显示设备的框图；
图2是根据本公开的实施例的电致发光显示设备中包括的像素的电路图；
图3是根据本公开的实施例的电致发光显示设备的平面图；
图4是示出根据本公开的实施例的电致发光显示设备的驱动元件区域和发射元件区域的重叠区域的透视图；
图5是示出根据本公开的实施例的驱动元件区域和在外围区域中的GIP区域的位置和范围的截面图；
图6A是示出根据本公开的实施例的发射元件区域的平面图；
图6B是示出根据本公开的实施例的驱动元件区域的平面图；
图6C是示出根据本公开的实施例的发射元件区域和驱动元件区域的重叠的概念的平面图；
图7是示出根据本公开的实施例的电致发光显示设备的驱动元件区域和重叠元件区域的重叠图像的截面图；
图8是示出根据本公开的另一实施例的位于电致发光显示设备的驱动元件区域和外围区域之间的边界处的发射元件区域的平面图；
图9是示出根据本公开的另一实施例的位于电致发光显示设备的驱动元件区域和外围区域之间的边界处的发射元件区域的平面图；以及
图10是示出根据本公开的另一实施例的电致发光显示设备的驱动元件区域和重叠元件区域的重叠图像的截面图。
具体实施方式
现在将详细参考示例性实施例，示例性实施例的示例在附图中示出。在整个附图中可以使用相同的附图标记来指代相同或相似的部分。
用于解释本公开的示例的附图中所示的形状、尺寸、比例、角度、数量是示例性的，并且本公开不限于附图中所示的内容。在描述中，如果相关现有技术的详细解释可能使本公开的要点变得模糊，则省略该相关现有技术的详细解释。
在本公开中使用“包括”、“具有”、“由……组成”等的情况下，除非使用“仅”，否则可以添加其他部分。如果组件以单数形式表示，则复数组件也涵盖在内，除非另有明确说明。
在解释组件时，解释为即使单独作出明确的陈述，也涵盖误差范围。
在解释位置关系时，例如在以“在……上”、“在……之上”、“在……下方”、“在……旁变”等解释两个部分的位置关系时，至少一个其他部分可以位于该两个部分之间，除非使用了“正好”或“直接”。
在时间关系的解释中，例如在用“在……之后”、“接着”、“下一个”、“在……之前”等解释时间顺序时，可以涵盖不连续的情况，除非使用了“正好”或“直接”。
第一、第二等用于描述各种组件，但组件不受该术语限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件区分开来。因此，下面提到的第一组件可以是本公开的技术构思内的第二组件。
术语“至少一个”应理解为包括从一个或多个相关项目建议的所有可能组合。例如，“第一项、第二项和第三项中的至少一个”可以指第一项、第二项和第三项中的每一个以及从第一项、第二项和第三项中的两个或更多个建议的所有组合。
本公开的各种示例的各个特征可以部分地或完全地彼此耦合或组合并且可以在技术上具有多种互操作和驱动，并且示例可以单独地实施或相互关联地一起实施。
图1是示出根据本公开的实施例的发光二极管显示设备，并且特别是电致发光显示设备，的框图。
参考图1，电致发光显示设备100可以包括图像处理部分110、时序控制器120、数据驱动器130、栅极驱动器140和显示区域150。
图像处理部分110可以输出从外部供应的数据信号DATA和数据使能信号DE。图像处理部分110可以输出数据使能信号DE，并且此外，还可以输出垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号中的至少一者。
可以从图像处理部分110给时序控制器120供应驱动信号(或时序信号)和数据信号DATA，驱动信号(或时序信号)包括数据使能信号DE，或垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号。时序控制器120可以基于时序信号输出用以控制栅极驱动器140的驱动时序的栅极时序控制信号GDC以及用以控制数据驱动器130的驱动时序的数据时序控制信号DDC。
响应于来自时序控制器120的数据时序控制信号DDC，数据驱动器130可以对来自时序控制器120的数据信号DATA进行采样和锁存，然后将数据信号DATA转换为对应的伽马参考电压，并且然后输出数据信号DATA。数据驱动器130可以通过对应的数据线DL1至DLn输出数据信号DATA。
响应于来自时序控制器120的栅极时序控制信号GDC，栅极驱动器140可以改变栅极电压的电平，并且然后输出栅极信号。栅极驱动器140可以通过对应的栅极线GL1至GLm输出栅极信号。
显示区域150可以显示图像，其中像素160根据从数据驱动器130供应的数据信号DATA和从栅极驱动器140供应的栅极信号发射光。
在显示区域150上沿行方向且彼此平行布置的多条栅极线GLl至GLm可与在显示区域上沿列方向且彼此平行布置的多条数据线DLl至DLn交叉以限定多个子像素区域(或多个子像素)，并且子像素组可以限定像素160。
子像素组可以指构成一组以定义一个像素的至少三个，例如红色、绿色和蓝色子像素。
为便于解释，子像素区域可以被分为子驱动元件区域和子发射元件区域，子驱动元件区域设置有电容器和多个晶体管来驱动像素，子发射元件区域包括两个电极和它们之间的发射层以发射光。每个子驱动元件区域和每个子发射元件区域可以通过绝缘层彼此分开并且通过形成在绝缘层中的接触孔彼此电连接。
多个子驱动元件区域可以以矩阵形式布置以形成驱动元件区域。此外，多个子发射元件区域可以以矩阵形式布置以形成发射元件区域。
多条栅极线GLl至GLm可以连接到栅极驱动器140并且被供应有来自栅极驱动器140的栅极信号，并且多条数据线DLl至DLn可以连接到数据驱动器130并且被供应有来自数据驱动器130的数据信号。
图2是根据本公开的实施例的电致发光显示设备中包括的一个子像素的电路图。
参考图2，电致发光显示设备200的子像素可以包括开关晶体管240、驱动晶体管250、补偿电路260和发射元件270。
发射元件270可以通过由驱动晶体管250形成的驱动电流来发射光。
开关晶体管240可以进行对应于通过栅极线220供应的栅极信号的开关操作，使得通过数据线230供应的数据信号作为数据电压存储在电容器中。
驱动晶体管250可以对应于存储在电容器中的数据电压进行操作，使得恒定的驱动电流在高电位电源线VDD和低电位电源线GND之间流动。
补偿电路260可以是用于补偿驱动晶体管250的阈值电压等的电路。补偿电路260可以包括电容器和至少一个薄膜晶体管。补偿电路260的配置可以根据补偿方法而变化。
换句话说，通常可以以包括开关晶体管240、驱动晶体管250、电容器和发射元件270的2T(晶体管)1C(电容器)结构来配置电致发光显示设备200的子像素。然而，在进一步增加补偿电路260的情况下，可以以3T1C、4T2C、5T2C、6T1C、6T2C、7T1C、7T2C等各种结构来配置电致发光显示设备200的子像素。
图3是根据本公开的实施例的电致发光显示设备的平面图。
在图3中，示出了电致发光显示设备300的基板310未处于折叠或弯曲状态。
参考图3，电致发光显示设备300可以包括：基板310上的显示区(或有源区)A/A，其中布置了通过薄膜晶体管和发射元件实际发射光的像素；以及基板310上的围绕显示区A/A的边界的非显示区(或非有源区)N/A。
在非显示区N/A中，可以设置：用于驱动电致发光显示设备300的驱动电路部分，诸如栅极驱动部分390等；以及各种信号线，诸如扫描线S/L等。此外，用于驱动电致发光显示设备300的驱动电路部分可以以GIP(面板内栅极)类型形成在基板310上，或者可以以TCP(带载封装(Tape Carrier Package))类型或COF(膜上芯片)类型配置以连接到基板310。
焊盘395可以位于基板310的非显示区N/A的侧边处。焊盘395可以是接合到外部模块的金属图案。
现有技术的电致发光显示设备包括显示区，驱动元件区域和发射元件区域在显示区中彼此匹配，在驱动元件区域，可以是驱动晶体管的驱动元件以矩阵形式布置，在发射元件区域，均包括第一电极、与第一电极对应的第二电极和它们之间的发射层的子发射元件以矩阵形式布置。
然而，在电致发光显示设备300中，驱动元件区域和发射元件区域在平面图中可以彼此不匹配，并且发射元件区域可以延伸超出驱动元件区域进入非显示区N/A并且可以具有比驱动元件区域更大的面积。
下面参考图4、图5、图6A至图6C和图7进一步解释根据本公开的实施例的电致发光显示设备。
出于解释的目的，图3的显示区A/A被分为：驱动元件区域D/A，其中以驱动晶体管等配置的多个驱动元件以矩阵形式布置；以及发射元件区域E/A，其中均包括第一电极、第二电极和它们之间的发射层的发射元件以矩阵形式布置，第一电极可以是阳极，第二电极可以是阴极。
一个子像素可以被配置为包括驱动元件和发射元件，并且红色、绿色和蓝色子像素以及进一步的白色子像素可以形成一个单位像素。
参考图6B，驱动元件区域D/A可以是由多条栅极线610和多条数据线611限定的子驱动元件区域sub-D/A以矩阵形式布置所在的区域。
多条栅极线610可以在基板SUB上在行方向上彼此平行地延伸。多条数据线611可以在基板SUB上在列方向上彼此平行地延伸。子驱动元件区域sub-D/A可以由栅极线610和数据线611的交叉限定。因此，子驱动元件区域sub-D/A可以是由两条相邻的栅极线610和与该两条相邻的栅极线610交叉的两条相邻的数据线611限定的四边形形状的区域。然而，子驱动元件区域sub-D/A的形状不限于四边形形状。
子驱动元件区域sub-D/A可以以矩阵形式布置以构成驱动元件区域D/A。
在子驱动元件区域sub-D/A中，可以设置驱动元件T，诸如驱动晶体管。在子驱动元件区域sub-D/A中，除了驱动晶体管之外，还可以增加开关晶体管、电容器和补偿晶体管。
子驱动元件sub-D/A通常可以以2T1C结构配置。然而，在进一步增加补偿电路的情况下，子驱动元件sub-D/A可以以3T1C、4T2C、5T2C、6T1C、6T2C、7T1C、7T2C等各种结构配置。
参考图6A解释发射元件区域E/A。在图6A中，通过示例方式描述以波形瓦(pentile)矩阵形式布置的发射元件的结构，但不限于此。
发射元件区域E/A可以是红色、绿色和蓝色子发射元件区域sub-E1、sub-E2和sub-E3以矩阵形式布置的区域。红色、绿色和蓝色子发射元件区域sub-E1、sub-E2和sub-E3中的每一个可以与子驱动元件sub-D/A一一对应并电连接到子驱动元件sub-D/A，并且可以被供应有驱动信号并发射光。
红色、绿色和蓝色子发射元件区域sub-E1、sub-E2和sub-E3中的每一个可以包括两个电极和它们之间的发射层。
换句话说，子发射元件区域sub-E/A可以包括可以是阳极的第一电极709、可以是阴极的第二电极711以及它们之间的发射层EL。
第一电极709可以用作像素驱动电极并且形成在每个子发射元件区域sub-E/A中。第二电极711可以用作公共电极并且以单个物体(body)形成在整个发射元件区域E/A上。
发射层EL可以形成在对应于第一电极709的每个子发射元件区域sub-E/A中。发射层EL可以包括诸如空穴传输层和电子传输层的功能层。
参考图4和图5解释根据本公开的实施例的电致发光显示设备的整个配置。
图4和图5是分别示出基板SUB、形成在基板SUB上的驱动元件区域D/A和形成在基板SUB上的对应于驱动元件D/A的发射元件区域E/A的透视图和截面图。
基板SUB可以包括塑料材料或玻璃材料。基板SUB可以包括透明的、不透明的或有色聚酰亚胺材料。例如，聚酰亚胺材料的基板SUB可以通过硬化聚酰亚胺树脂而形成，该聚酰亚胺树脂涂覆在相对厚的载体基板上并且在其间插入有释放层。在这种情况下，可以通过激光释放工艺从基板SUB去除载体基板。因为与载体基板分开的聚酰亚胺材料的基板SUB可以非常薄，所以可以将背板耦合到基板SUB的背面上。背板可以将基板SUB保持在平坦状态。根据本公开的实施例的背板可以包括塑料材料，例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate)材料。
替代地，基板SUB可以是柔性玻璃基板。例如，玻璃材料的基板SUB可以是具有100μm或更小的厚度的薄玻璃基板，或者是经基板蚀刻工艺的具有100μm或更小的厚度的经蚀刻的载体玻璃基板。
在基板SUB上，可以限定驱动元件区域D/A和围绕驱动元件区域D/A的外围区域。在外围区域中，可以设置：栅极驱动电路部分GIP，其中设置分别连接到栅极线的栅极驱动元件；以及链接线部分L/A，其中设置分别将栅极线连接到栅极驱动元件的链接线。此外，向公共电极供应公共电源电压的公共电源线VSS可以位于外围区域中。
在驱动元件区域D/A上，可以设置发射元件区域E/A，在发射元件区域E/A，多个子发射元件区域以矩阵形式布置。
发射元件区域E/A可以位于驱动元件区域D/A上，其间具有平坦化层708。发射元件区域E/A可以表示当在电致发光显示设备的平面图上看电致发光显示设备时发射元件所位于的区域，并且当从参考图7的截面看时可以表示发射元件层EP。换句话说，可以形成驱动元件区域D/A，然后，为了平坦化驱动元件区域D/A，基板SUB可以涂覆有为由有机材料形成的绝缘层的平坦化层708以覆盖驱动元件区域D/A，然后涂覆有发射元件层EP。
发射元件区域E/A可以完全覆盖驱动元件区域D/A并进一步延伸到外围区域的部分中，并且具体地，延伸到栅极驱动电路部分GIP中。
因此，发射元件区域E/A可以具有大于驱动元件区域D/A的面积的面积，并且因此发射元件区域E/A可完全覆盖驱动元件区域D/A并进一步覆盖形成在外围区域中的栅极驱动电路部分GIP。
在图4和图5中，示出了覆盖驱动元件区域D/A并且在至栅极驱动电路部分GIP的方向上延伸的发射元件区域E/A的示例。然而，发射元件区域E/A可以延伸到其他外围区域中。
参考图6A至图6C，构成发射元件区域E/A的子发射元件区域sub-E/A中的每一个可以对应于构成驱动元件区域D/A的子驱动元件区域sub-D/A中的每一个。然而，构成发射元件区域E/A的子发射元件区域sub-E/A之间的间隔可以大于构成驱动元件区域D/A的子驱动元件区域sub-D/A之间的间隔。因此，如图6C所示，当发射元件区域E/A可以与驱动元件区域D/A重叠时，发射元件区域E/A可以超出驱动元件区域D/A并到达栅极驱动电路部分GIP。因此，当实际用户识别电致发光显示设备时，可以看到更宽的显示区。
参考图7解释根据本公开的实施例的电致发光显示设备的截面的配置。
缓冲层702可以形成在衬底SUB的顶表面上。缓冲层702可以防止外部湿气等渗透到驱动元件层DP中。
缓冲层702可以沉积在衬底SUB的表面上。缓冲层702可以由交替堆叠的多个无机层形成。例如，缓冲层702可以由以交替堆叠的无机层配置的多层形成，无机层选自氧化硅(SiOx)层、氮化硅(SiNx)层、氮氧化硅(SiON)层。可以根据需要省略缓冲层702。
驱动元件层DP可以是其中形成有形成像素的驱动元件的层。驱动元件层DP可以包括形成薄膜晶体管的栅极电极、源极和漏极电极、有源层和在它们之间绝缘的绝缘层。
驱动元件区域D/A可以表示，当在电致发光显示设备的平面图上观察电致发光显示设备时，子驱动元件区域sub-D/A以矩阵形式布置的区域。
薄膜晶体管可以设置在基板SUB的驱动元件区域D/A的多个子驱动元件区域sub-D/A中以及形成在基板SUB的外围区域中的栅极驱动电路部分GIP中。
根据本公开的实施例的薄膜晶体管TFT-A和TFT-B均可以包括有源层703、栅极绝缘层704、栅极绝缘层704上的栅极电极705、栅极电极705上的层间绝缘层706、和层间绝缘层706上的源极和漏极电极707S和707D。图7中所示的薄膜晶体管可以电连接至发射元件的驱动薄膜晶体管。
图7中示出了薄膜晶体管具有栅极705位于有源层703上的顶栅结构，但不限于此。作为另一示例，薄膜晶体管可以具有栅极电极705位于有源层703下方的底栅结构，或者栅极电极705位于有源层703上和下方的双栅结构。
有源层703可以形成在衬底SUB或缓冲层702上。有源层703可以由半导体材料形成，半导体材料是例如硅半导体材料、氧化物半导体材料或有机半导体材料。有源层703可以具有单层或多层结构。有源层703可以包括：源极和漏极区域703a和703b，其具有掺杂有杂质离子的半导体材料并且导电性得到提高；以及沟道层703c，其是形成在源极和漏极区域703a和703b之间的本征半导体层。
可以在基板SUB和有源层703之间增加用于阻挡入射到有源层703上的光的光阻挡层(未示出)。
栅极绝缘层704可以完全形成在衬底SUB之上以覆盖有源层703。例如，栅极绝缘层704可以由使用氧化硅(SiOx)和/或氮化硅(SiNx)的单层或多层无机层形成。
栅极电极705可以形成在栅极绝缘层704上以与有源层703重叠。栅极电极705可以与栅极线610一起形成。可以使用钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中的至少一种将本公开的实施例的栅极电极705形成为具有单层或多层结构。
层间绝缘层706可以在衬底SUB上的栅极绝缘层704上提供平坦表面以覆盖栅极电极705和栅极绝缘层704。
源极电极707S和漏极电极707D可以形成在层间绝缘层706上以与有源层703重叠，栅极电极705位于有源层703与源极和漏极电极707S和707D之间。源极和漏极电极707S和707D可以与数据线611一起形成。此外，向像素供应驱动电压的像素驱动电源线(VDD)(未示出)和向每个像素供应公共电压的公共电源线(VSS)(未示出)可以与源极和漏极电极707S和707D一起形成。当源极和漏极电极材料被图案化时，可以同时形成源极和漏极电极707S和707D、数据线611、像素驱动电源线(VDD)和公共电源线(VSS)。
然而，像素驱动电源线(VDD)和公共电源线(VSS)可以形成在与源极和漏极电极707S和707D不同的层处并且由与源极和漏极电极707S和707D不同的材料形成。
源极和漏极电极707S和707D中的每一个可以通过贯穿层间绝缘层706和栅极绝缘层704的接触孔连接到有源层703。
可以使用钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中的至少一种将源极和漏极电极707S和707D形成为具有单层或多层结构。
形成在基板SUB上的晶体管可以形成驱动子像素的驱动电路。驱动电路设置所在的区域可以是驱动元件区域。此外，位于基板SUB的外围区域处的栅极驱动电路部分GIP可以包括与设置在子像素处的薄膜晶体管等同或类似的薄膜晶体管。
平坦化层708可以是有机层，该有机层覆盖驱动元件层DP并且平坦化驱动元件层DP的表面，驱动元件层DP包括形成在基板SUB上的薄膜晶体管。当在平面图上看时，平坦化层708可以完全覆盖驱动元件区域D/A。本公开的实施例的平坦化层708可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的有机层形成。
平坦化层708可以形成为比形成驱动元件层DP的多个无机薄膜厚得多。因此，平坦化层708可以用于平坦化驱动元件层DP并且抑制可能在驱动元件层DP和形成在驱动元件层DP上的发射元件层EP之间产生的寄生电容器。
平坦化层708可以包括暴露设置在驱动元件层DP处的薄膜晶体管的漏极电极707D的接触孔。
发射元件层EP可以位于平坦化层708上。发射元件层EP可以指从平面图上看时图4的发射元件区域E/A。发射元件层EP可以包括发射元件、限定发射元件形成所在的区域的堤层、以及位于堤层上的多个间隔物。
参考图7，平坦化层708可以覆盖驱动元件区域D/A、栅极驱动电路部分GIP以及栅极驱动电路部分GIP之外的部分。
被称为像素限定层的堤层BK可以位于平坦化层708上并且限定显示区A/A中的子像素的发射区域。
发射元件可以包括为像素驱动电极的第一电极709、为面对第一电极的公共电极的第二电极711、以及插入在第一电极709和第二电极711之间的发射层EL。
发射元件可以形成在子发射元件区域中并且一一对应地连接到子驱动元件区域的驱动元件。
第一电极709可以形成在平坦化层708上并且通过平坦化层708中设置的接触孔电连接到驱动薄膜晶体管的漏极电极707D。在这种情况下，堤层BK可以覆盖第一电极709的边缘，并且第一电极709的中心部分可以由于去除堤层BK所在的开口区域而开放，并且从而暴露第一电极709。换句话说，由有机层形成的堤层BK可以包括开口区域，其中去除了直接位于第一电极709之上的堤材料，并且发射层EL可以沉积在开口区域处并电连接到第一电极709。发射层EL可以被施加有来自第一电极709的电荷以发射光。
在发射方向指向基板的顶表面的顶部发射型电致发光显示设备中，第一电极709可以包括高反射率的金属材料。例如，第一电极709可以具有多层结构，诸如铝(Al)和钛(Ti)的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝(Al)和ITO的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC(Ag/Pd/Cu)合金堆叠结构、以及APC合金和ITO的堆叠结构(ITO/APC/ITO)，或具有由以下之一形成的单层结构：银(Ag)；铝(Al)；钼(Mo)；金(Au)；镁(Mg)；钙(Ca)；和钡(Ba)；或它们中至少两种材料的合金。
发射层EL可以沉积在由堤层BK限定的开口区域处。换句话说，发射层EL可以覆盖由开口区域暴露的第一电极709和位于开口区域的侧表面处的堤。视情况而定，发射层EL可以沉积在第一电极709、堤层BK的靠近开口区域的侧表面、和堤层BK的顶表面的部分上。
为了在堤层BK的开口区域处沉积发射层EL，可以使用精细金属掩模(FMM)。换句话说，有机材料的发射层EL可以通过沉积方法沉积在堤的开口区域处，并且为了精确地限定发射层EL的沉积位置，精细金属掩模(其中对应于堤层BK的开口区域的部分是开放的)可以与堤层BK对准并且可以沉积发射有机材料。
由于将精细金属掩模(FMM)与堤层BK对准并沉积发射层EL的工艺可能是非常精确的工艺，因此可以在堤层BK上形成间隔物420以精密且均匀地将精细金属掩模(FMM)与堤层BK分开。当在堤层BK上对准精细金属掩模(FMM)时，间隔物420可以用于支撑精细金属掩模(FMM)。
本公开的实施例的发射层EL可以是红色发射部分、绿色发射部分和蓝色发射部分之一，以发射与在子像素处设定的颜色相对应的颜色光。发射层EL可以包括有机发射层、无机发射层和量子点发射层之一，或者包括有机发射层(或无机发射层)和量子点发射层的堆叠或混合结构。
另外，发射层EL还可以包括功能层以提高发射效率和/或堤层BK的寿命。
可以是公共电极的第二电极711可以形成为电连接到发射层EL。第二电极711可以覆盖基板SUB上的整个发射元件区域E/A，以共同连接到设置在每个子像素中的发射层EL。
本公开的实施例的第二电极711可以包括能够透射光的透明导电材料或半透明导电材料。在第二电极711可以由半透明导电材料形成的情况下，由于微腔结构，可以提高从发射元件发射的光的输出效率。本公开的实施例的半透明导电材料可以包括镁(Mg)、银(Ag)、镁(Mg)和银(Ag)的合金等。另外，盖层可以形成在第二电极711上并且可以用于调节从发射元件发射的光的折射率并提高光输出效率。
参考图6A至图6C的本公开的实施例可以解释子驱动元件区域sub-D/A等距分布且子发射元件区域sub-E/A等距分布。(然而，其不受限制，而是本公开的技术构思可以通过各种实施例来实现。)
假设形成在驱动元件区域D/A中的驱动元件的最外面的列为第n列，第n列的下一列为第(n-1)列，且第(n-1)列的下一列为第(n-2)列，并且形成在发射元件区域E/A中的子发射元件区域的最外面的列为第n列，第n列的下一列是第(n-1)列，且第(n-1)列的下一列是第(n-2)列，则驱动元件区域D/A的每一列可以对应于发射元件区域E/A中的每一列。然而，在本公开的实施例中，由于发射元件区域E/A的总面积大于驱动元件区域D/A的总面积，因此发射元件区域E/A的子发射元件区域sub-E/A可以不与驱动元件区域D/A的子驱动元件区域sub-D/A完全重叠。相应地，本公开的实施例的电致发光显示设备还可以包括将子驱动元件区域sub-D/A电连接到子发射元件区域sub-E/A的第一连接电极710。具体地，第一连接电极710可以将形成在子驱动元件区域sub-D/A中的驱动薄膜晶体管的漏极电极连接到形成在子发射元件区域sub-E/A中的发射元件的像素驱动电极。
当子驱动元件区域sub-D/A可以与子发射元件区域sub-E/A完全重叠时，可以不需要第一连接电极710。换句话说，当形成在子驱动元件区域sub-D/A中的驱动晶体管或补偿晶体管的一个电极与发射元件的第一电极重叠时，这两个电极可以通过形成穿过平坦化层和层间绝缘层的接触孔连接。然而，当子驱动元件区域sub-D/A和子发射元件区域sub-E/A在平面图上不重叠时，可能需要第一连接电极710。换句话说，由于在子驱动元件区域sub-D/A中形成的驱动晶体管或补偿晶体管的一个电极在平面图上与发射元件的第一电极可能不重叠，因此这两个电极可以通过第一连接电极710连接。
参考图7，发射元件区域E/A的最外面的列(即，第n列)的发射元件可以位于栅极驱动电路部分GIP上。因此，驱动元件区域D/A的最外面的列(即，第n列)的驱动晶体管TFT-B与发射元件区域E/A的最外面的列(即，第n列)的发射元件可以不重叠，并且驱动晶体管TFT-B可以连接到发射元件。结果，当用户识别显示设备时，用户可以识别出边框区域更窄且显示区更宽。
将位于驱动元件区域D/A和发射元件区域E/A的最外面的像素列处的驱动元件和发射元件作为示例进行解释，但本公开不限于此。换句话说，属于位于驱动元件区域的边缘处的多个像素列的多个发射元件可以布置在外围区域处，并通过第一连接电极710连接到驱动元件区域D/A中的驱动元件，并且因此可以获得加宽显示区的效果。
为了解释用于移动设备的显示设备的示例，当显示设备的宽度为600mm～650mm且位于外围区域处的栅极驱动电路部分GIP的宽度为约500μm～900μm时，一个子像素的宽度可以为20μm～50μm。因此，在栅极驱动电路部分GIP上可以布置子发射元件区域的约10～45个列。由于在栅极驱动电路部分GIP处布置了更多的发射元件，所述显示区可以是宽的并且边框可以是窄的。
第一连接电极710可以由与第一电极709相同的材料形成。此外，在相同的一个工艺中与第一电极709同时形成第一连接电极710是可能的。因此，第一电极710可以形成在平坦化层708上。
第一连接电极710可以形成在驱动元件区域D/A和栅极驱动电路部分GIP之上。换句话说，因为第一连接电极710将形成在驱动元件区域D/A的最外面的部分处的驱动元件的一个电极连接到在位于栅极驱动电路部分GIP上的子发射元件区域sub-E/A处形成的第一电极，所以第一连接电极710可以设置为横穿驱动元件区域D/A和栅极驱动电路部分GIP。
在另一实施例中，第一连接电极710可以由形成在平坦化层708和层间绝缘层706之间的单独的线形成。换句话说，在第二层间绝缘层(未示出)形成在层间绝缘层706上之后，第一连接电极710可以形成在第二层间绝缘层上。形成在第二层间绝缘层上的第一连接电极710可以通过接触孔将发射元件的第一电极连接到驱动元件的一个电极。
参考图6A至图6C，在本公开的实施例中，解释其中子驱动元件区域sub-D/A和子发射元件区域sub-E/A均匀且彼此一一对应地布置的电致发光显示设备的情况，但不限于此。
例如，当驱动元件区域D/A的子驱动元件区域sub-D/A中的在驱动元件区域D/A的边缘部分处的子驱动元件区域sub-D/A的宽度形成为比显示区的其他区域的宽度窄，并且位于发射元件区域E/A中的子发射元件区域之间的间隔保持恒定时，子发射元件区域的部分可以位于栅极驱动电路部分GIP中。
参考图7，发射元件层EP可以被封装层Encap密封。
封装层Encap可以通过顺序地堆叠第一无机封装层PAS1、第一有机封装层PCL和第二无机封装层PAS2形成。
由于封装层Encap沉积在发射元件层EP上，所以第一无机封装层PAS1可沉积为接触第二电极711。
通常，第一无机封装层PASl可以通过化学气相沉积方法沉积。然而，第一无机封装层PAS1可以通过原子层沉积方法沉积。
第一无机封装层PAS1和第二无机封装层PAS2可以形成为延伸到基板的端部。
可以在基板SUB的边缘处形成用于防止有机封装层PCL的扩展的坝DAM。坝DAM可以与平坦化层、堤层和间隔物层中的至少一者重叠并且在基板的边缘处围绕显示区。
进一步地，参考图7，可以与源极和漏极电极同时形成的公共电源线(VSS)720可以形成在非显示区中的层间绝缘层706上。公共电源线(VSS)720可以是向第二电极711施加公共电压的线并且可以通过公共电极连接线730连接到第二电极711，公共电极连接线730可以与第一电极709同时形成并且由与第一电极709相同的材料形成。
盖玻璃可以位于封装层Encap上并且通过粘合剂等耦合到封装层Encap，并且从而可以完成显示面板。
参考图8解释根据本公开的另一实施例的电致发光显示设备。在图8中，作为示例示出了其中相同颜色的子像素布置在相同列中的电致发光显示设备。
在参考图8的本公开的另一实施例中，驱动元件区域D/A可以具有与上述第一实施例中相同的配置。然而，对应于驱动元件区域D/A的最外面的子驱动元件区域(即第n列上的子驱动元件区域)的一个像素列的发射元件区域E/A中的子发射元件区域可以按像素(bypixel)交替设置于驱动元件区域D/A和栅极驱动电路部分GIP处。因此，显示区可能会超出驱动元件区域D/A并延伸到栅极驱动电路部分GIP中，该栅极驱动电路部分GIP是现有技术中的非显示区。
位于栅极驱动电路部分GIP上的子发射元件区域sub-E/A可以通过第一连接电极710连接到子驱动元件区域sub-D/A。连接的方式可以与上述第一实施例相同。
在参考图8的本公开的另一实施例中，还可以在驱动元件区域D/A与栅极驱动电路部分GIP之间设置虚设像素区域，但不限于此。
在参考图8的本公开的另一实施例中，显示设备可以具有多种分辨率，这意味着显示设备中每定位单位面积的像素密度是不同的。换句话说，参考图8，第n像素列的分辨率可以是第(n-1)像素列的分辨率的一半。
在参考图8的本公开的另一实施例中，示出了属于位于驱动元件区域D/A的最外面的部分处的一个像素列的像素在驱动元件区域D/A和栅极驱动电路部分GIP处按像素交替布置的情况，但其不限于此。换句话说，位于驱动元件区域D/A的边缘部分处的多个像素列可以按每个像素列以相同的形式布置。
参考图9解释根据本公开的另一实施例的电致发光显示设备。
在参考图9的本公开的另一实施例中，除了与驱动元件区域D/A的子驱动元件区域sub-D/A一一对应的子发射元件区域sub-E/A之外，还可以提供附加子发射元件。换句话说，虽然在上述实施例中，构成显示区的子驱动元件和子发射元件具有相同的数量，但在该另一实施例中，构成发射元件区域E/A的发射元件的数量可以更多。附加发射元件可以构成一个像素列并且位于栅极驱动电路部分GIP上。
参考图9，形成附加发射元件所在的区域可以被称为附加发射元件区域α-sub-E/A。
附加发射元件区域α-sub-E/A可以通过第一连接电极710连接到驱动元件区域D/A的子驱动元件区域sub-D/A。在图9中描述的本公开的实施例中，附加发射元件区域α-sub-E/A可以连接到位于驱动元件区域D/A的最外面的部分处的子驱动元件区域sub-D/A。因此，位于驱动元件区域D/A的最外面的部分处的第n列像素的子驱动元件区域sub-D/A可以对应于并连接到第n列和第(n+α)列上的两个子发射元件区域。
关于附加发射元件区域α-sub-E/A，为了可以通过附加发射元件区域完全形成一个像素，可以增加多个子发射元件区域。例如，当需要红色、绿色和蓝色子像素以构成一个像素，并且每个子像素可以包括子发射元件区域时，可以增加至少3个子发射元件区域，使得红色、绿色和蓝色子发射元件区域可以构成一个像素。
参考图10解释根据本公开的另一实施例的电致发光显示设备。参考图10的另一实施例与参考图7的实施例非常类似，但是可以具有形成单独的绝缘层以形成第一连接电极710的构思。可以省略对与参考图7的实施例相同或相似的部分的解释。
在参考图10的另一实施例中，可以在平坦化层708上形成第一连接电极710，然后可以在第一电极710和平坦化层708上形成第二平坦化层1040，然后可以形成发射元件层EP。
参考图10，作为薄膜晶体管的部分的源极电极707S和漏极电极707D可以形成在驱动元件区域D/A和栅极驱动电路部分GIP的层间绝缘层706上，并且公共电源线720可以形成在非显示区域N/A的层间绝缘层706上。源极电极707S、漏极电极707D和公共电源线720可以使用一个掩模工艺由相同的材料形成。
无机层的第二层间绝缘层1010可以形成在层间绝缘层706上。第二层间绝缘层1010可以用于使源极电极707S和漏极电极707D绝缘并且用作保护层。
作为有机层的平坦化层708可以形成在第二层间绝缘层1010上。平坦化层708可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等的有机层形成。
第一连接电极710可以形成在平坦化层708上。与第一连接电极710一起，第二连接电极1020和第二公共电源线1050可以进一步形成在平坦化层708上。第一连接电极710可以将位于驱动元件区域D/A的边缘处的驱动晶体管TFT-B连接到作为位于栅极驱动电路部分GIP的顶部部分处的阳极的第一电极709。第二连接电极1020可以将位于驱动元件区域D/A的与驱动元件区域D/A的边缘不同的部分处的驱动晶体管TFT-A连接到作为位于驱动元件区域D/A的顶部部分处的阳极的第一电极709。
第二公共电源线1050可以连接到位于非显示区域N/A的层间绝缘层706上的公共电源线720。因此，可以去除沉积在位于非显示区域N/A处的公共电源线720上的第二层间绝缘层1010和平坦化层708以形成开口部分。
第二平坦化层1040可以进一步形成在平坦化层708上。第二平坦化层1040可以由与平坦化层708相同的材料形成以完全覆盖衬底。
参考图7的实施例解释的发射元件层EP可以形成在第二平坦化层1040上。为位于栅极驱动电路部分GIP处的子发射元件的部分的第一电极709和第一连接电极710可以通过接触孔彼此连接。形成在第二平坦化层1040上的发射元件层EP的配置可以与参考图7的实施例的配置等同，并且因此可以省略对其的解释。
在参考图10的另一实施例中，驱动元件层DP和发射元件层EP可以通过两个平坦化层彼此绝缘。当形成平坦化层708，然后在平坦化层708上形成第一连接线710并且在第二平坦化层1040上形成第一电极709时，由第一电极709的材料制成的各种线(例如，将公共电源线(VSS)连接到作为阴极的第二电极711的公共电极连接线730)和第一连接线710可以形成在不同的层处，并且从而可以从根本上解决短路问题。
此外，从栅极驱动电路部分GIP向驱动元件区域D/A施加信号的各种线可以被设计成分散在平坦化层708和第二平坦化层1040上，并且因此设计的自由度可以增加。
根据本公开的上述实施例，利用驱动元件区域与发射元件区域分开的显示设备的特征，发射元件区域可以延伸到围绕驱动元件的外围区域，并且特别是延伸到栅极驱动电路部分设置所在的GIP区域，并且因此具有可以进一步减小电致发光显示设备的边框的宽度的优点。
对本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以对本公开做出各种修改和变化。因此，本公开旨在涵盖对本公开的修改和变化，只要它们落入所附权利要求及其等同物的范围内。

Claims (36)

1.一种发光二极管显示设备，包括：
基板；
驱动元件区域，形成在所述基板上，并且多个驱动元件以矩阵形式布置在所述驱动元件区域中；以及
发射元件区域，多个发射元件以矩阵形式布置在所述发射元件区域中，其中，所述发射元件包括对应于每个驱动元件并电连接到每个驱动元件的第一电极、对应于所述第一电极的第二电极、以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的发射层，
其中，所述发射元件区域的面积大于所述驱动元件区域的面积。
2.如权利要求1所述的发光二极管显示设备，其中，所述驱动元件区域与所述发射元件区域完全重叠。
3.如权利要求1所述的发光二极管显示设备，其中，所述驱动元件区域包括多个子驱动元件区域，所述多个子驱动元件区域由彼此交叉的多条栅极线和多条数据线限定，并且
其中，每个驱动元件位于每个子驱动元件区域处。
4.如权利要求2所述的发光二极管显示设备，其中，围绕所述驱动元件区域的外围区域包括向所述驱动元件供应驱动信号的驱动电路部分，并且
其中，所述发射元件区域与所述驱动电路部分重叠。
5.如权利要求1所述的发光二极管显示设备，其中，不与所述驱动元件区域重叠的所述发射元件通过第一连接电极连接到所述驱动元件区域的所述驱动元件。
6.如权利要求5所述的发光二极管显示设备，其中，所述第一连接电极由与所述第一电极相同的材料形成，并且形成于与所述第一电极相同的层处。
7.如权利要求1所述的发光二极管显示设备，其中，位于所述驱动元件区域的最外面的部分处的所述驱动元件与位于所述发射元件区域的最外面的部分处的所述发射元件不重叠。
8.如权利要求7所述的发光二极管显示设备，其中，位于所述发射元件区域的所述最外面的部分处的像素列和所述驱动元件区域之间的重叠和不重叠按一个像素交替。
9.如权利要求5所述的发光二极管显示设备，其中，绝缘层插入在所述驱动元件区域和所述发射元件区域之间，并且
其中，所述第一连接电极位于所述绝缘层上或下方，并且将所述驱动元件电连接到所述发射元件。
10.如权利要求9所述的发光二极管显示设备，其中，所述第一连接电极的一侧连接到所述第一电极，并且所述第一连接电极的另一侧连接到所述驱动元件的一个电极。
11.如权利要求1所述的发光二极管显示设备，其中，包括在所述发射元件区域中的所述多个发射元件的数量大于包括在所述驱动元件区域中的所述多个驱动元件的数量。
12.如权利要求1所述的发光二极管显示设备，其中，包括在所述发射元件区域中的所述多个发射元件的数量等于包括在所述驱动元件区域中的所述多个驱动元件的数量，并且
其中，所述多个发射元件分别对应于所述多个驱动元件。
13.如权利要求11所述的发光二极管显示设备，其中，包括在所述发射元件区域中的所述多个发射元件的所述数量为m+n，并且包括在所述驱动元件区域中的所述多个驱动元件的所述数量为m，
其中，n个发射元件形成附加发射元件列并且不与所述驱动元件区域重叠，并且
其中，形成所述附加发射元件列的所述发射元件中的每个发射元件电连接到所述驱动元件区域的所述驱动元件。
14.如权利要求13所述的发光二极管显示设备，其中，连接到包括在所述附加发射元件区域中的每个发射元件的所述驱动元件还连接到其对应的发射元件。
15.如权利要求1所述的发光二极管显示设备，其中，所述发光二极管显示设备为有机电致发光显示设备或无机电致发光显示设备。
16.如权利要求3所述的发光二极管显示设备，其中，所述子驱动元件区域的宽度在所述驱动元件区域的中心部分处比在所述驱动元件区域的边缘部分处窄。
17.如权利要求9所述的发光二极管显示设备，其中，绝缘层包括均由有机层形成的多个平坦化层，并且所述第一连接电极和所述第一电极位于所述多个平坦化层中的不同的平坦化层上。
18.一种发光二极管显示设备，包括：
基板，包括驱动元件区域和围绕所述驱动元件区域的外围区域，多个驱动元件以矩阵形式布置在所述驱动元件区域中，
其中，多个发射元件以矩阵形式布置在发射元件区域中，
其中，所述发射元件包括对应每个驱动元件并电连接到每个驱动元件的第一电极、对应于所述第一电极的第二电极、以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的发射层，并且
其中，所述发射元件区域与所述驱动元件区域和所述外围区域重叠。
19.如权利要求18所述的发光二极管显示设备，其中，所述驱动元件区域与所述发射元件区域完全重叠。
20.如权利要求18所述的发光二极管显示设备，其中，所述驱动元件区域包括多个子驱动元件区域，所述多个子驱动元件区域由彼此交叉的多条栅极线和多条数据线限定，并且
其中，每个驱动元件位于每个子驱动元件区域处。
21.如权利要求19所述的发光二极管显示设备，其中，所述外围区域包括向所述驱动元件供应驱动信号的驱动电路部分，并且
其中，所述发射元件区域与所述驱动电路部分重叠。
22.如权利要求18所述的发光二极管显示设备，其中，与所述驱动元件区域不重叠的所述发射元件通过第一连接电极连接到所述驱动元件区域的所述驱动元件。
23.如权利要求18所述的发光二极管显示设备，其中，与所述外围区域重叠的所述发射元件通过第一连接电极连接到所述驱动元件区域的所述驱动元件。
24.如权利要求22所述的发光二极管显示设备，其中，所述第一连接电极由与所述第一电极相同的材料形成，并且形成于与所述第一电极相同的层处。
25.如权利要求18所述的发光二极管显示设备，其中，位于所述驱动元件区域的最外面的部分处的所述驱动元件与位于所述发射元件区域的最外面的部分处的所述发射元件不重叠。
26.如权利要求25所述的发光二极管显示设备，其中，位于所述发射元件区域的所述最外面的部分处的像素列和所述驱动元件区域之间的重叠和不重叠按一个像素交替。
27.如权利要求23所述的发光二极管显示设备，其中，所述第一连接电极被设置为横穿所述发射元件区域和所述外围区域。
28.如权利要求22所述的发光二极管显示设备，其中，绝缘层插入于所述驱动元件区域和所述发射元件区域之间，并且
其中，所述第一连接电极位于所述绝缘层上或下方，并且将所述驱动元件电连接到所述发射元件。
29.如权利要求28所述的发光二极管显示设备，其中，所述第一连接电极的一侧连接到所述第一电极，并且所述第一连接电极的另一侧连接到所述驱动元件的一个电极。
30.如权利要求18所述的发光二极管显示设备，其中，包括在所述发射元件区域中的所述多个发射元件的数量大于包括在所述驱动元件区域中的所述多个驱动元件的数量。
31.如权利要求18所述的发光二极管显示设备，其中，包括在所述发射元件区域中的所述多个发射元件的数量等于包括在所述驱动元件区域中的所述多个驱动元件的数量，并且
其中，所述多个发射元件分别对应所述多个驱动元件。
32.如权利要求30所述的发光二极管显示设备，其中，所述发射元件区域中包括的所述多个发射元件的所述数量为m+n，并且所述驱动元件区域中包括的所述多个驱动元件的所述数量为m，
其中，n个发射元件形成附加发射元件列并且不与所述驱动元件区域重叠，并且
其中，形成所述附加发射元件列的所述发射元件中的每个发射元件电连接到所述驱动元件区域的所述驱动元件。
33.如权利要求32所述的发光二极管显示设备，其中，连接到包括在所述附加发射元件区域中的每个发射元件的所述驱动元件还连接到其对应的发射元件。
34.如权利要求18所述的发光二极管显示设备，其中，所述发光二极管显示设备为有机电致发光显示设备或无机电致发光显示设备。
35.如权利要求20所述的发光二极管显示设备，其中，所述子驱动元件区域的宽度在所述驱动元件区域的中心部分处比在所述驱动元件区域的边缘部分处窄。
36.如权利要求28所述的发光二极管显示设备，其中，绝缘层包括均由有机层形成的多个平坦化层，并且所述第一连接电极和所述第一电极位于所述多个平坦化层中的不同的平坦化层上。
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