CN112117354A - 光电组件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种光电组件(1700)，包括光电单元(14)、第一透明结构(16)、以及第一接触层(170)、其中，光电单元(14)具有第一上表面(141)及第一金属层(142)、该第一金属层(142)位于该第一上表面(141)上。第一透明结构(16)围绕该光电单元(14)并曝露该第一上表面(14)，第一接触层(170)位于第一透明结构(16)之上，具有连接部(170a)与第一金属层(142)电连接。

Description

光电组件及其制造方法
本申请是中国发明专利申请(申请号：201810154271.0，申请日：2012年08月09日，发明名称：光电组件及其制造方法)的分案申请。
技术领域
本发明关于一种光电组件，特别是关于一种具有导电结构的光电组件。
背景技术
光电组件目前已经广泛地使用在光学显示装置、交通标志、数据储存装置、通讯装置、照明装置与医疗器材上，例如发光二极管(Light-emitting Diode；LED)。与商业电子产品走向轻薄短小的趋势类似，光电组件的发展也进入微封装的时代，半导体与光电组件最佳的封装设计是晶粒级封装。
此外，上述的LED更可以进一步地进行微封装以形成晶粒级的LED封装，并与其它组件组合连接以形成一发光装置。第15图为习知的发光装置结构示意图，如图15所示，一发光装置150包含：一具有至少一电路154的次载体(sub-mount)152；至少一焊料156(solder)位于上述次载体152上，藉由此焊料156将上述LED 151黏结固定于次载体152上并使LED151的基板153与次载体152上的电路154形成电连接；以及一电性连接结构158，以电性连接LED 151的电极155与次载体152上的电路154；其中，上述的次载体152可以是导线架(leadframe)或大尺寸镶嵌基底(mounting substrate)，以便发光装置150的电路规划并提高其散热效果。
发明内容
一种光电组件，包括：一光电单元，具有一第一上表面；一第一金属层，位于该第一上表面；一第一透明结构，围绕该光电单元并曝露该第一上表面；以及一第一接触层，位于该第一透明结构之上，具有一连接部与该第一金属层电连接。
附图说明
图1A-1C绘示本发明一实施例的光电组件的制造流程图。
图2A绘示本发明一实施例的光电组件的剖面图
图2B为本发明的图2A所示的光电单元的剖面图。
图2C为本发明的图2A所示的光电组件的上视图。
图3A-3F为本发明一实施例的在光电组件上电镀电极的制造流程图。
图4为本发明另一实施例的光电组件的剖面图。
图5为本发明另一实施例的光电组件的剖面图。
图6为本发明另一实施例的光电组件的剖面图。
图7为本发明另一实施例的光电组件的剖面图。
图8为本发明另一实施例的光电组件的剖面图。
图9A-9C为本发明又一实施例的光电组件的制造流程图。
图10A-10B为本发明又一实施例的光电组件的制造流程图。
图11为本发明又一实施例的光电组件的剖面图。
图12为本发明又一实施例的光电组件的剖面图。
图13为本发明一实施例的光源产生装置的示意图。
图14为本发明一实施例的背光模块的示意图。
图15为习知的发光装置结构示意图。
图16A-16C为本发明又一实施例的光电组件的制造流程图。
图17A-17D为本发明又一实施例的光电组件的制造流程图。
图18A-18D为本发明又一实施例的光电组件的制造流程图。
图19为本发明又一实施例的光电组件的剖面图。
图20A-20F为本发明又一实施例的光电组件的制造流程图。
图21为本发明又一实施例的光电组件的剖面图。
图22为本发明又一实施例的光电组件的剖面图。
具体实施方式
本发明的实施例将被详细地描述，并且被绘制于附图中，相同或类似的部分会以相同的号码在各附图以及说明出现。
图1A-1C绘示本发明一实施例的一光电组件1的制造流程图。如图1A所示，一晶片包括：一暂时载体10；一黏结层12形成于暂时载体10之上；以及多个光电单元14，形成于黏结层12之上。如图1B所示，一第一透明结构16形成于黏结层12与多个光电单元14之上，可覆盖至少其中一光电单元14的至少两个表面；一第二透明结构18形成于第一透明结构16之上。如图1C所示，移除暂时载体10与黏结层12，多个导电结构2形成于第一透明结构16与多个光电单元14的表面上，分割晶片以形成多个光电组件1。
暂时载体10与第二透明结构18可承载光电单元14与第一透明结构16。暂时载体10的材料包含导电材料，例如为类钻碳薄膜(Diamond Like Carbon；DLC)、石墨、碳纤维、金属基复合材料(Metal Matrix Composite；MMC)、陶瓷基复合材料(Ceramic MatrixComposite；CMC)、高分子基复合材料(Polymer Matrix Composite，PMC)、镍(Ni)、铜(Cu)、铝(Al)、硅(Si)、硒化锌(ZnSe)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)、磷化镓(GaP)、磷砷化镓(GaAsP)、磷化铟(InP)、镓酸锂(LiGaO2)、铝酸锂(LiAlO2)或上述材料的组合，或者是绝缘材料，例如为钻石(Diamond)、玻璃(Glass)、环氧树酯(Epoxy)、石英(Quartz)、压克力(Acryl)、氧化铝(Al2O3)、氧化锌(ZnO)、氮化铝(AlN)或上述材料的组合。
第二透明结构18相对于光电单元14所发的光为透明，其材料包含透明材料，例如钻石(Diamond)、玻璃(Glass)、环氧树酯(Epoxy)、石英(Quartz)、压克力(Acryl)、氧化硅(SiOx)、氧化铝(Al2O3)、氧化锌(ZnO)、硅胶或上述材料的组合。此外，于另一实施例中，第二透明结构18亦可相对于来自环境的光为透明，例如阳光。第二透明结构18的厚度约为300微米至500微米。
黏结层12可黏着地连接暂时载体10与光电单元14，并且在第二透明结构18形成于第一透明结构16之后易于去除。黏结层12的材料可为绝缘材料、UV胶带或热解胶带。绝缘材料包含但不限于苯并环丁烯(BCB)、Su8、环氧树酯(Epoxy)或旋涂玻璃(SOG)。
第一透明结构16包覆光电单元14，用以固定与承载光电单元14并增进光电组件1的机械强度。第一透明结构16相对于光电单元14所发的光为透明，其材料可与第二透明结构18相同或相异，热膨胀系数约为50ppm/℃～400ppm/℃。第一透明结构16的材料包含透明材料，例如环氧树脂(Epoxy)、聚亚酰胺(PI)、苯并环丁烯(BCB)、过氟环丁烷(PFCB)、Su8、丙烯酸树脂(Acrylic Resin)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亚胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、玻璃(Glass)、氧化铝(Al2O3)、SINR、旋涂玻璃(SOG)、铁氟龙或上述材料的组合。第一透明结构16的折射系数可与第二透明结构18相同或相异，其厚度约为200微米至300微米。此外，于第一透明结构16亦可相对于来自环境的光为透明，例如阳光。
光电单元14可提供光能、电能或两者兼具，例如发光二极管或太阳能电池，其厚度约为100微米。当光电单元14为发光的发光二极管，第一透明结构16的折射系数大于第二透明结构18的折射系数，以增加将光撷取出光电组件1的机率。当光电单元14为吸光的太阳能电池，第一透明结构16的折射系数小于第二透明结构18的折射系数，以增加光进入出光电组件1的机率。
图2A绘示本发明一实施例的光电组件1的剖面图，光电组件1包括：第二透明结构18；第一透明结构16，位于第二透明结构18之上；光电单元14，位于第一透明结构16之上；以及导电结构2，位于光电单元14与第一透明结构16之上。光电单元14包括：一第一金属层142和一第二金属层144，位于一第一上表面141之上；一第一下表面143，与第一上表面141相对且靠近第二透明结构18；以及至少二侧面140，介于第一上表面141与第一下表面143的间。导电结构2包括：一第一绝缘层22，位于光电单元14与第一透明结构16之上，并覆盖部分的第一金属层142与第二金属层144；一反射层24，位于第一绝缘层22之上；一第二绝缘层26，位于第一绝缘层22与反射层24之上，并覆盖反射层24；一第一开口212与一第二开口214，形成于第一绝缘层22与第二绝缘层26之中，并分别曝露第一金属层142与第二金属层144；以及一电极28，具有第一导电层282与一第二导电层284，位于第二绝缘层26之上，并分别形成于第一开口212与第二开口214之中，以电连结第一金属层142与第二金属层144。其中，位于第一金属层142与第二金属层144之间的部分第一绝缘层22与第二绝缘层26之间不具有反射层24。
第一绝缘层22可电绝缘光电单元14与反射层24，并保护光电单元14避免被自反射层24材料扩散的元素损害。第一透明结构16包括：一第二上表面162，位于第一绝缘层22的下；以及一第二下表面166，靠近第二透明结构18。第二上表面162实质上低于第一上表面141。然而，第二上表面162具有一斜面164邻近第一上表面141，斜面164较佳为位于第一金属层142和第二金属层144与侧面140之间的一区域之上。此外，于另一实施例中，部分第二上表面162与第二下表面166之间的距离可与第二下表面166与第一上表面141之间的距离相同。
第一绝缘层22对于第一透明结构16及/或反射层24具有黏着性，对于来自光电单元14及/或环境的光的透光率大于85％。第一绝缘层22的热膨胀系数小于第一透明结构16的热膨胀系数，较佳为介于第一透明结构16与反射层24之间，其热膨胀系数约为3ppm/℃至200ppm/℃，较佳为20ppm/℃至70ppm/℃。第一绝缘层22的材料可与第一透明结构16的材料相同或相异，亦可作为形成开口之用的光阻材料，所以第一绝缘层22在微影制程中需要被固化。第一绝缘层22的固化温度不超过350℃以避免在高温中损害第一透明结构16。光阻材料包含但不限于Al-polymer、苯并环丁烯(BCB)、SINR、Su8或旋涂玻璃(SOG)。第一绝缘层22可具有粗糙度大于第一上表面141的一粗糙表面，其厚度实质上是固定的，约为2微米至3微米。
反射层24可反射来自光电单元14或环境的光，其厚度实质上是固定的，约为1微米至3微米。反射层24与部分第一金属层142和第二金属层144重叠，更可包含多个附属层(未显示)，其热膨胀系数约为3ppm/℃至200ppm/℃。反射层24对于来自光电单元14及/或环境的光的反射率为70％以上，其材料可包含但不限于铜(Cu)、铝(Al)、锡(Sn)、金(Au)、银(Ag)、钛(Ti)、镍(Ni)、银-钛(Ag-Ti)、镍-锡(Ni-Sn)、金合金(Au alloy)、镍-银(Ni-Ag)或钛-铝(Ti-Al)等。反射层24可具有粗糙度大于第一上表面141的一粗糙表面。
第二绝缘层26可电绝缘第一导电层282和第二导电层284与反射层24，并保护反射层24避免被第一导电层282及第二导电层284损害。第二绝缘层26可用以固定反射层24并增进导电结构2的机械强度。第二绝缘层26的材料可与第一绝缘层22的材料相同或相异，其材料包含但不限于Al-polymer、苯并环丁烯(BCB)、SINR、Su8、旋涂玻璃(SOG)、聚亚酰胺(PI)或类钻碳薄膜(DLC)。第二绝缘层26可具有粗糙度大于第一上表面141的一粗糙表面，其厚度实质上是固定的，约为4微米至5微米。
电极28可经由蒸镀或电镀一体成形，电极28的上表面面积相对于第二透明结构18的上表面面积不小于50％。第一导电层282与第二导电层284用以接受外部电压，其材料可为金属材料，包含但不限于铜(Cu)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、钛(Ti)、铅(Pb)、铜-锡(Cu-Sn)、铜-锌(Cu-Zn)、铜-镉(Cu-Cd)、锡-铅-锑(Sn-Pb-Sb)、锡-铅-锌(Sn-Pb-Zn)、镍-锡(Ni-Sn)、镍-钴(Ni-Co)、金合金(Au alloy)、金-铜-镍-金(Au-Cu-Ni-Au)或上述材料的组合等。第一导电层282及/或第二导电层284可包含多个附属层(未显示)，其对于来自光电单元14及/或环境的光的反射率为70％以上。第一导电层282的厚度实质上是固定的，例如约为12微米；第二导电层284的厚度实质上是固定的，例如约为12微米。第一导电层282及第二导电层284的上表面面积相对于第二下表面面积大于50％。
如第2B图所示，光电单元14可为一发光二极管，包括：一发光结构145；一第一介电层149a；一保护层147；一第一打线垫片146；一第二打线垫片148；第一金属层142；第二金属层144；以及一第二介电层149b。发光结构145包括：一基板145a；一第一电性层145b；一有源层145c；以及一第二电性层145d。有源层145c位于第一电性层145b之上，为一发光层；第二电性层145d位于有源层145c之上。第一打线垫片146位于发光结构145之上，并与第一电性层145b电连接；第二打线垫片148位于发光结构145之上，并与第二电性层145d电连接。保护层147位于发光结构145之上，电绝缘第一打线垫片146与有源层145c和第二电性层145d；第一介电层149a位于发光结构145之上。第一金属层142位于发光结构145之上，并与第一电性层145b电连接，部分第一金属层142位于第一介电层149a之上。第二金属层144位于发光结构145之上，并与第二电性层145d电连接，部分第二金属层144位于第一介电层149a之上。第二介电层149b位于第一介电层149a之上，第一介电层149a与第二介电层149b电绝缘第一金属层142与第二金属层144。部分第一介电层149a为一透明层，其与第一金属层142及/或第二金属层144接触的一表面可反射发光结构145所发的光。在另一实施例中，第一介电层149a可具有一反射结构，此反射结构包含布拉格反射层(DBR)及/或反射薄膜。反射薄膜包含金属材料，例如铜(Cu)、铝(Al)、锡(Sn)、金(Au)、银(Ag)、钛(Ti)、镍(Ni)、银-钛(Ag-Ti)、镍-锡(Ni-Sn)、金合金(Au alloy)、镍-银(Ni-Ag)或钛-铝(Ti-Al)等。
如图2B所示，第一打线垫片146与第二打线垫片148之间有一第一间距d1；第一金属层142与第二金属层144之间有一第二间距d2；第一导电层282与第二导电层284之间有一第三间距d3。第一间距d1大于第二间距d2及/或第三间距d3，第二间距d2与第三间距d3可相同或相异。在一实施例中，第二间距d2大于第三间距d3；另一实施例中，第二间距d2可小于第三间距d3。第三间距d3约为100微米至300微米。第二透明结构18具有一第一宽度w1，光电单元14具有一第二宽度w2，第一宽度w1对于第二宽度w2的比例约为1.5至3，更佳为2至2.5。
图2C绘示图2A所示的光电组件1的上视图，第一导电层282具有一斜角286，位于远离第二导电层284的一边，第一开口212与反射层24之间有一第四间距d4，约为25微米至75微米。
在另一实施例中，光电组件1可藉由黏结材料黏结至一基座。黏结材料可为金属材料、透明材料或非等向性导电薄膜，金属材料包含但不限于铜(Cu)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、钛(Ti)、铅(Pb)、铜-锡(Cu-Sn)、铜-锌(Cu-Zn)、铜-镉(Cu-Cd)、锡-铅-锑(Sn-Pb-Sb)、锡-铅-锌(Sn-Pb-Zn)、镍-锡(Ni-Sn)、镍-钴(Ni-Co)、金合金(Au alloy)、金-铜-镍-金(Au-Cu-Ni-Au)或上述材料的组合，透明材料包含但不限于苯并环丁烯(BCB)、Su8、环氧树酯(Epoxy)或旋涂玻璃(SOG)。
图3A-3F绘示于光电单元14的上电镀电极28的制造流程图。如图3A所示，一晶种层30形成于光电单元14与第一透明结构16之上。如图3B所示，一第一光阻32形成于晶种层30之上并曝露部分晶种层30。如图3C所示，一电镀层34电镀形成于晶种层30未被第一光阻32覆盖的部分。如图3D所示，移除第一光阻32以曝露晶种层30的其它部分。如图3E所示，一第二光阻36形成于电镀层34之上，然后移除晶种层30曝露的部分。如图3F所示，移除第二光阻36并曝露电镀层34以形成电极28。
图4绘示本发明另一实施例的一光电组件4的剖面图。光电组件4与光电组件1类似，但更包含一凹部40，形成于第二透明结构18之中，可处理来自光电单元14或环境的光，如同光学组件。凹部40更可形成于第一透明结构16之中。在此实施例中，凹部40由剖面图中观察时可为三角形。
如图5所示，在另一实施例中，一光电组件5的第二透明结构18可为倒梯形。第二透明结构18可具有一第三下表面182，其可为粗糙度大于第一上表面141的一粗糙表面或一平整表面。第二透明结构18的形状由剖面图中观察时包含但不限于三角形、半圆形、四分之一圆形、倒梯形、五角形或四边形，第一透明结构16的形状可与第二透明结构18相同或相异。在另一实施例中，第二下表面166可为粗糙度大于第一上表面141的一粗糙表面或一平整表面。
如图6所示，一光电组件6与光电组件1类似，但更包含一镜面60，位于第三下表面182之下，镜面60可反射来自光电单元14或环境的光。如图7所示，在另一实施例中，一光电组件7具有光电单元14、导电结构2、第一透明结构16与第二透明结构18。第二透明结构18具有与第一上表面141不平行的一第一边184，一镜面70形成于第一边184之下以反射来自光电单元14或环境的光。自剖面图观察，第一边184相对于第一上表面141可为抛物曲线、弧线或斜边。如图8所示，在另一实施例中，一光电组件8与光电组件7类似，但第一透明结构16更具有与第一上表面141不平行的一第二边168，一镜面80形成于第一边184与第二边168之下以反射来自光电单元14或环境的光。
图9A～9C绘示本发明又一实施例的一光电组件9的制造流程图。如图9A～9B所示，光电单元14与第一透明结构16位于第二透明结构18之上，光电单元14的保护层147形成于第一上表面141之上，曝露第一金属层142与第二金属层144，其中保护层147可覆盖部分第一金属层142与第二金属层144。在另一实施例中，保护层147可曝露全部第一金属层142与第二金属层144，更甚者曝露部分第一上表面141。一绝缘散射层90形成于光电单元14与第一透明结构16之上，绝缘散射层90至少覆盖部分光电单元14与第一透明结构16，并围绕第一金属层142与第二金属层144。如图9C所示，移除部分绝缘散射层90以形成第一开口212与第二开口214，裸露出第一金属层142与第二金属层144，接着形成第一导电层282及第二导电层284于绝缘散射层90之上及第一开口212与第二开口214之中，其中第一导电层282及第二导电层284分别电连接第一金属层142与第二金属层144，以形成光电组件9。绝缘散射层90可电绝缘第一导电层282与第二导电层284，对于来自光电单元14及/或环境的光的反射率为50％以上，可为单一层结构。绝缘散射层90具有远离第一导电层282的一漫射表面92，漫射表面92可具有多个颗粒，漫射来自光电单元14及/或环境的光。其中漫射是指光线照射在物体粗糙的表面会无序地向四周反射的现象。在另一实施例中，绝缘散射层90可具有多个绝缘层堆栈(未显示)以形成布拉格反射层。绝缘散射层90的厚度约为4微米至20微米，较佳为5微米至10微米。绝缘散射层90的材料可为环氧树酯(Epoxy)、氧化硅(SiOx)、氧化铝(Al2O3)、二氧化钛(TiO2)、硅胶(Silicone)、树酯(Resin)或上述材料的组合。形成绝缘散射层90的方法包含旋涂、钢版印刷或网版印刷，移除绝缘散射层90的方法包含蚀刻。绝缘散射层90同时可提供散射与反射光线，以及电绝缘的功能，减少散射材料、反射材料与绝缘材料的使用，也避免材料之间因为材料特性所造成的损耗，例如热膨胀系数或机械强度的差异，而可提高优良率并降低成本，另外更可防止水气进入光电单元14，增加可靠度。第一导电层282的上表面包括：一第一下陷区281，位于第一金属层142的正上方，与部分第一金属层142重叠；以及一第一平整区283，与部分绝缘散射层90重叠，其中第一下陷区281与第一上表面141之间的距离小于第一平整区283与第一上表面141之间的距离。在另一实施例中，第一下陷区281与第一上表面141之间的距离小于绝缘散射层90的上表面与第一上表面141之间的距离。第二导电层284的上表面包括：一第二下陷区285，位于第二金属层144的正上方，与部分第二金属层144重叠；以及一第二平整区287，与部分绝缘散射层90重叠，其中第二下陷区285与第一上表面141之间的距离小于第二平整区287与第一上表面141之间的距离。在另一实施例中，第二下陷区285与第一上表面141之间的距离小于绝缘散射层90的上表面与第一上表面141之间的距离。第一导电层282更具有一第一填充部288，形成于绝缘散射层90与光电单元14之间的凹陷处，较佳为形成于第一金属层142与绝缘散射层90之间。第二导电层284更具有一第二填充部289，形成于绝缘散射层90与光电单元14之间的凹陷处，较佳为形成于第二金属层144与绝缘散射层90之间。
图10A～10B绘示本发明又一实施例的一光电组件100的制造流程图。如图10A所示，光电单元14与第一透明结构16位于第二透明结构18之上，第一绝缘层22形成于光电单元14与第一透明结构16之上，第一绝缘层22至少覆盖部分光电单元14与第一透明结构16，并围绕第一金属层142与第二金属层144。反射层24形成于第一绝缘层22之上，第二绝缘层26形成于反射层24之上。如图10B所示，移除部分第一绝缘层22、第二绝缘层26以及反射层24以形成第一开口212与第二开口214，裸露出第一金属层142与第二金属层144，接着形成电极28于第二绝缘层26之上及第一开口212与第二开口214之中，其中电极28电连接第一金属层142与第二金属层144，以形成光电组件100。其中，位于第一金属层142与第二金属层144之间的部分第一绝缘层22与第二绝缘层26之间具有反射层24，增加来自光电单元14及/或环境的光被反射的机率，提升发光效率，以及防止水气进入光电单元14，增加可靠度。反射层24可与电极28及/或第一金属层142与第二金属层144电连接。另一实施例中，第二绝缘层26可包覆反射层24以电绝缘反射层24与电极28及/或第一金属层142与第二金属层144。
图11绘示本发明又一实施例的一光电组件110的剖面图。光电组件110具有导电结构2、光电单元14与第一透明结构16，位于第二透明结构18之上，其中第一透明结构16包括：一第一透明层161，围绕且位于光电单元14之下；一第二透明层163，围绕且位于第一透明层161之下；一第三透明层165，围绕且位于第二透明层163之下；一第一波长转换层112，位于第一透明层161与第二透明层163之间；以及一第二波长转换层114，位于第二透明层163与第三透明层165之间。第一波长转换层112被光电单元14所发的光激发后所发的光具有一第一波长，第二波长转换层114被光电单元14所发的光激发后所发的光具有一第二波长，光电单元14所发的光具有一第三波长，其中第三波长小于第一波长与第二波长，第一波长大于第二波长。第一波长的能阶小于可被第二波长转换层114吸收的光的能阶，降低具有第一波长的光被第二波长转换层114的吸收，减少具有第一波长的光因波长转换所造成的损耗，提升光电组件110的发光效率。第一波长转换层112及/或第二波长转换层114可在吸收光电单元14所发的光后产生激发光，亦可散射光电单元14所发的光与第一波长转换层112及/或第二波长转换层114产生的激发光。第一波长转换层112及/或第二波长转换层114的结构可具有单异质结构、双异质结构、双侧双异质结构、多层量子井或量子点，其材料可为荧光粉或半导体材料。荧光粉包含但不限于镱铝石榴石(YAG)、硅酸盐、钒酸盐、碱土金属硅酸盐、碱土金属硫化物、碱土金属硒化物、碱土金属镓硫化物、金属氮化物、金属氮氧化物、钨钼酸盐族混合物、氧化物混合物、玻璃荧光粉混合物或上述材料的组合。半导体材料具有选自镓(Ga)、铝(Al)、铟(In)、磷(P)、氮(N)、锌(Zn)、镉(Cd)与硒(Se)所构成的群组的一种以上的元素。
图12绘示本发明又一实施例的一光电组件120的剖面图。光电组件120具有导电结构2、光电单元14与第一透明结构16，位于第二透明结构18之上，以及一窗户层122位于第二透明结构18之下。来自光电单元14及/或环境的光可穿透窗户层122，窗户层122的折射系数介于第二透明结构18与环境的折射系数之间，可降低在第二透明结构18与环境的接口发生的全反射的机率。窗户层122的折射系数约大于1及/或小于2，较佳为介于1.1与1.4之间。窗户层122可经过回流焊(reflow)作为光学组件，例如透镜，处理来自光电单元14或环境的光，其形状由剖面图中观察包含但不限于三角形、半圆形、四分之一圆形、倒梯形、五角形或四边形。窗户层122的材料可为环氧树脂(Epoxy)、旋涂玻璃(SOG)、氧化硅(SiOx)、硅胶(Silicone)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或上述材料的组合。
图16A～16C绘示本发明又一实施例的一光电组件1600的制造流程图。图16A是本实施例的上视图，图16B与图16C是本实施例的剖面图。如图16A所示，移除一光电单元14的部分保护层147以曝露出一第一金属层142与其一第一延伸部142a及/或一第二金属层144与其一第二延伸部144a。接着形成一绝缘散射层90于光电单元14与一第一透明结构16之上，如图16B所示。移除部分绝缘散射层90以曝露出第一金属层142与第一延伸部142a及/或第二金属层144与第二延伸部144a，形成第一导电层282与第二导电层284于绝缘散射层90与光电单元14之上以形成光电组件1600，其中第一导电层282和第二导电层284分别与第一金属层142和第二金属层144电连接，例如第一导电层282和第二导电层284分别与第一金属层142和第二金属层144直接接触，如图16C所示。光电组件1600的第一金属层142具有第一延伸部142a及第二金属层144具有第二延伸部144a，以增加光电单元14的电流扩散能力，提升光电单元14的发光效率。第一导电层282藉由与第一延伸部142a的接触及/或第二导电层284藉由与第二延伸部144a的接触，增加与第一金属层142和第二金属层144的接触面积，因此增加光电组件1600散热与电流传导的路径，提升其散热效率。
图17A～17D绘示本发明又一实施例的一光电组件1700的制造流程图。图17A、图17B与图17C是本实施例的上视图，图17D是本实施例的剖面图。如图17A所示，移除一光电单元14的部分保护层147以曝露出第一金属层142及一第二金属层144与一第二延伸部144a。一第一接触层170形成于第一透明结构16之上，具有一连接部170a向光电单元14延伸并与第一金属层142形成电连接。于本实施例中，连接部170a与第一金属层142直接接触。一绝缘散射层172形成于第一透明结构16与第一接触层170之上，曝露部分第一接触层170，如图17B所示。如图17C与图17D所示，第一导电层282形成于绝缘散射层172与第一接触层170之上，与第一接触层170形成电连接；第二导电层284形成于绝缘散射层172、第二金属层144与第二延伸部144a之上，与第二金属层144和第二延伸部144a形成电连接以形成光电组件1700，其中第二导电层284与第一接触层170电绝缘。光电组件1700的第二金属层144具有第二延伸部144a，以增加光电单元14的电流扩散能力，提升光电单元14的发光效率。第二导电层284藉由与第二延伸部144a的接触，增加与第二金属层144的接触面积，因此增加光电组件1700散热与电流传导的路径，提升其散热效率。因为覆盖于第一接触层170之上的绝缘散射层172电绝缘第二导电层284与第一金属层142，所以第二导电层284可延伸至第一金属层142之上，扩大第二金属层284的上表面面积，增加光电组件1700散热与电流传导的路径，提升其效率。当第一导电层282与第二导电层284的上表面面积不同，例如第二导电层284的上表面面积大于第一导电层282的上表面面积，可便于后续制程的对位辨识，提升优良率。第一接触层170可反射来自光电单元14及/或环境的光，提升光电组件1700的出光效率，其材料可为上述第一金属层或反射层的材料。
图18A～18D绘示本发明又一实施例的一光电组件1800的制造流程图。图18A、图18B与图18C是本实施例的上视图，图18D是本实施例的剖面图。如图18A所示，移除一光电单元14的部分保护层147以曝露出一第一金属层142及一第二金属层144与一第二延伸部144a。一第一接触层170形成于第一透明结构16之上，包括：一连接部170a，向光电单元14延伸并与第一金属层142形成电连接；一第二接触层1802，形成于第一透明结构16之上与保护层147之上，并与第二金属层144及/或第二延伸部144a电连接，其中第一接触层170与第二接触层1802相隔离，如图18B所示。一第一隔离层1804形成于第一接触层170与第二接触层1802之上以形成光电组件1800，如图18C所示。如图18A与图18D所示，光电组件1800的第二金属层144具有第二延伸部144a，以增加光电单元14的电流扩散能力，提升光电单元14的发光效率。第二接触层1802藉由与第二延伸部144a的接触，增加与第二金属层144的接触面积，因此增加光电组件1800散热与电流传导的路径，提升其散热效率。覆盖于第一接触层170与第二接触层1802之上的第一隔离层1804可调整其长宽尺寸，改变第一接触层170与第二接触层1802曝露的上表面面积，使其相同或不同。当第一接触层170与第二接触层1802曝露的上表面面积不同时，于本实施例中第二接触层1802曝露的上表面面积大于第一接触层170曝露的上表面面积，可便于后续制程的对位辨识，提升优良率。如图18D所示，第一隔离层1804更可形成于第一接触层170与第二接触层1802之间以电绝缘第一接触层170与第二接触层1802，降低短路的机率，提升优良率。第二接触层1802的材料可为上述第一金属层的材料，第一隔离层1804的材料可为上述第一绝缘层或绝缘散射层的材料等。
图19绘示本发明又一实施例的一光电组件1900的剖面图。光电组件1900具有一导电结构2、一光电单元14与一第一透明结构16，位于第二透明结构18之上，其中第二透明结构18具有倒角186，处理来自光电单元14的光，例如折射或反射。另外，光电组件1900更包括：一第一包覆层1902，围绕且位于第二透明结构18之下；一第二包覆层1906，围绕且位于第一包覆层1902之下；以及一第三波长转换层1904，位于第一包覆层1902与第二包覆层1906之间。因为来自光电单元14的光在第三波长转换层1904会被散射，且被第三波长转换层1904散射返回光电单元14的光会在第二透明结构18与第一包覆层1902的接口遭受全反射，因而减少被散射回光电单元14后被吸收的光，提升光电组件1900的出光效率。第三波长转换层1904具有波长转换粒子、波长转换粒子的结构可具有量子点，其材料可为荧光粉或半导体材料。荧光粉包含但不限于YAG、硅酸盐、钒酸盐、碱土金属硅酸盐、碱土金属硫化物、碱土金属硒化物、碱土金属镓硫化物、金属氮化物、金属氮氧化物、钨钼酸盐族混合物、氧化物混合物、玻璃荧光粉混合物或上述材料的组合。半导体材料具有选自镓(Ga)、铝(Al)、铟(In)、磷(P)、氮(N)、锌(Zn)、镉(Cd)与硒(Se)所构成的群组的一种以上的元素。
图20A-20F绘示本发明另一实施例的一光电组件2000的制造流程图。如图20A所示，一黏结层12形成于一暂时载体10之上；一光电单元14形成于黏结层12之上，其中光电单元14具有一第一金属层142与一第二金属层144；以及二第一导线结构2002形成于黏结层12之上且与光电单元14分离，其中两个第一导线结构2002可同位于光电单元14的相同侧或各自位于光电单元14的相异侧。如图20B所示，一第一包覆结构2004形成于黏结层12与光电单元14之上，可覆盖光电单元14与第一导线结构2002，并位于光电单元14与第一导线结构2002之间。如图20C所示，移除部分第一包覆结构2004以曝露第一金属层142、第二金属层144与第一导线结构2002，接着形成一第一隔离层2006于第一包覆结构2004之上，曝露第一金属层142、第二金属层144与第一导线结构2002。第二导线结构2008形成于第一隔离层2006之上，分别电连接第一金属层142和第二金属层144与第一导线结构2002，如图20D所示。一第一透明结构16形成于第一隔离层2006与第二导线结构2008之上，其中第一透明结构16具有一第一波长转换层2010，位于光电单元14所发的光的行进路径；一第二透明结构18位于第一透明结构16之上，如图20E所示。如图20F所示，移除暂时载体10与黏结层12，一第二隔离层2012形成于第一包覆结构2004与光电单元14之下，曝露第一导线结构2002与一第一下表面143，一第一导电层2014与一第二导电层2016形成于第二隔离层2012之下以形成光电组件2000，其中第一导电层2014和第二导电层2016分别与第一导线结构2002电连接。第二导电层2016可与第一下表面143直接接触，帮助光电单元14的散热，提升光电组件2000的散热效率。
第一导线结构2002用以传导电流，电连接第一金属层142和第一导电层2014与第二金属层144和第二导电层2016，对于来自光电单元14及/或环境的光的反射率为70％以上，其材料可与上述第一导电层与反射层等材料相同。第一包覆结构2004包覆光电单元14，用以固定与承载光电单元14并增进光电组件2000的机械强度，以及电绝缘第一导线结构2002与光电单元14。第一包覆结构2004相对于光电单元14所发的光可为透明，其材料可与第二透明结构18相同或相异。第一隔离层2006用以电绝缘第一导线结构2002与光电单元14，其材料可为上述第一绝缘层的材料。第二隔离层2012用以电绝缘第一导电层2014和第二导电层2016，亦可用以反射或散射光电单元14所发的光，其材料可为上述第一绝缘层或绝缘散射层的材料等。第二导线结构2008用以传导电流，电连接第一金属层142和第一导电层2014与第二金属层144和第二导电层2016，其材料可与上述第一导电层的材料相同。
图21所示，在另一实施例中，一光电组件2100的第二透明结构18由剖面图观察可具有弧形。在又一实施例中，一光电组件2200的第二透明结构18由剖面图观察可为梯形，如图22所示。第二透明结构18可依应用调整其形状来改变光电组件所发的光所形成的光形，其形状由剖面图观察包含但不限于三角形、四分之一圆形、倒梯形、五角形或四边形，第一透明结构16的形状可与第二透明结构18相同或相异。
图13是绘示出一光源产生装置示意图，一光源产生装置130包含一晶粒产生自具有前述任一实施例中的光电组件。光源产生装置130可以是一照明装置，例如路灯、车灯或室内照明光源，也可以是交通标志或一平面显示器中背光模块的一背光光源。光源产生装置130具有前述发光组件组成的一光源131、一电源供应系统132以供应光源131一电流、以及一控制组件133，用以控制电源供应系统132。
图14是绘示出一背光模块剖面示意图，一背光模块1400包含前述实施例中的光源产生装置130以及一光学组件1401。光学组件1401可将由光源产生装置130发出的光加以处理，以应用于平面显示器，例如散射光源产生装置130发出的光。
上述实施例仅为例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何本发明所属技术领域中具有通常知识者均可在不违背本发明的技术原理及精神的情况下，对上述实施例进行修改及变化。因此本发明的权利保护范围如后述的权利要求所列。
【主要组件符号说明】
1、4、5、6、7、8、9、100、110、120、1600、1700、1800、1900、2000、2100、2200：光电组件
10：暂时载体
12：黏结层
14：光电单元
140：侧面
141：第一上表面
142：第一金属层
142a:第一延伸部
143：第一下表面
144：第二金属层
144a:第二延伸部
145：发光结构
145a：基板
145b：第一电性层
145c：有源层
145d：第二电性层
146：第一打线垫片
147：保护层
148：第二打线垫片
149a：第一介电层
149b：第二介电层
16：第一透明结构
161：第一透明层
162：第二上表面
163：第二透明层
164：斜面
165：第三透明层
166：第二下表面
168：第二边
170：第一接触层
170a:连接部
18：第二透明结构
182：第三下表面
184：第一边
186：倒角
1802：第二接触层
1804、2006：第一隔离层
1902：第一包覆层
1904:第三波长转换层
1906：第二包覆层
2：导电结构
212：第一开口
214：第二开口
22：第一绝缘层
24：反射层
26：第二绝缘层
28：电极
281：第一下陷区
282、2014：第一导电层
283：第一平整区
284、2016：第二导电层
285：第二下陷区
286：斜角
287：第二平整区
288：第一填充部
289：第二填充部
2002:第一导线结构
2004：第一包覆结构
2008：第二导线结构
2012：第二隔离层30：晶种层
32：第一光阻
24：电镀层
36：第二光阻
40：凹部
60、70、80：镜面
90、172：绝缘散射层
92：漫射表面
112、2010：第一波长转换层
114：第二波长转换层
122：窗户层
130：光源产生装置
131：光源
132：电源供应系统
133：控制组件
1400：背光模块
1401：光学组件
150：发光装置
151：LED
152：次载体
153：基板
154：电路
156：焊料
158：电性连接结构
155：电极
d1：第一间距
d2：第二间距
d3：第三间距
d4：第四间距
W1：第一宽度
W2：第二宽度

Claims (10)

1.一种光电组件，其特征在于，包括：
光电单元，包含上表面；
第一金属层，位于该上表面的一处，该第一金属层与该光电单元电性连接；
第二金属层，位于该上表面相异于该处的另一处，该第二金属层与该第一金属层分隔，该第二金属层与该光电单元电性连接；
透明结构，围绕该光电单元并曝露该上表面；
绝缘散射层，覆盖该透明结构；
第一接触层与该第一金属层电性连接，且该第一接触层位于该透明结构以及该第一金属层之上；
第一导电层，该第一导电层覆盖该第一接触层与该绝缘散射层，该第一导电层与该第一金属层电性连接，该第一导电层与该第一接触层电性连接；以及
第二导电层，该第二导电层覆盖该第二金属层与该绝缘散射层且与该第一金属层部分重叠，该第二导电层与该第二金属层电性连接，该第二导电层与该第一接触层与该第一金属层电性绝缘。
2.如权利要求1所述的光电组件，其中，该绝缘散射层位于该第一接触层与该第一导电层之间。
3.如权利要求1所述的光电组件，进一步包括保护层，位于该第二导电层与该第一金属层之间。
4.如权利要求1所述的光电组件，其中，该光电单元于上视图具有虚拟中线，该第一金属层包含第一延伸部，该第一延伸部跨越该虚拟中线往该第二金属层延伸。
5.如权利要求3所述的光电组件，其中，该第二导电层覆盖该保护层。
6.如权利要求4所述的光电组件，其中，该第二金属层包含第二延伸部跨越该虚拟中线往该第一金属层延伸。
7.如权利要求1所述的光电组件，其中，该第一接触层未覆盖该透明结构的侧表面。
8.如权利要求1所述的光电组件，其中，该透明结构包含荧光粉。
9.如权利要求1所述的光电组件，其中，该绝缘散射层包含反射材料。
10.如权利要求1所述的光电组件，其中，该光电单元包含侧表面以及下表面，该透明结构覆盖该侧表面以及该下表面。
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