CN112103174A - 一种基于12寸合框的8寸晶圆撕胶方法 - Google Patents
一种基于12寸合框的8寸晶圆撕胶方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112103174A CN112103174A CN202010823461.4A CN202010823461A CN112103174A CN 112103174 A CN112103174 A CN 112103174A CN 202010823461 A CN202010823461 A CN 202010823461A CN 112103174 A CN112103174 A CN 112103174A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer
- frame
- unit
- module
- inch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02013—Grinding, lapping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02016—Backside treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本发明提供一种基于12寸合框的8寸晶圆撕胶方法,包括以下步骤:S1、通过第一晶圆传送模块将晶圆抓取至研磨机中,并且传送至研磨区域,通过研磨区域对晶圆的背面进行研磨加工,再将研磨后的晶圆传送至抛光区域,通过抛光区域对研磨加工后晶圆的背面进行抛光处理,抛光至客户需要的厚度即可;S2、再通过第一晶圆传送模块将研磨抛光后的晶圆传送至清洗盘上,通过清洗盘上的清洗模块对研磨抛光后的晶圆进行清洗和定位。本发明提供的基于12寸合框的8寸晶圆撕胶方法,不仅大大的节约公司成本,而且操作方便,极大的降低了工作人员的劳动强度,不仅保护设备正常运行,而且提升机台使用率,有效的避免原工艺手动作业造成的一系列弊端。
Description
技术领域
本发明涉及晶圆领域,尤其涉及一种基于12寸合框的8寸晶圆撕胶方法。
背景技术
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅,而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼,盐酸氯化,并经蒸馏后,制成了高纯度的多晶硅。
传统工艺8寸晶圆对应8寸铁框进行合框、撕胶,12寸晶圆对应12寸铁框进行合框和撕胶,产品合框、撕胶后需要进行镭射切割机进行激光开槽、传统切割机切割,而ASM镭射切割机Laser 1205只能支持12寸铁框的产品进行激光开槽,某些8寸晶圆如需进行激光开槽的话则需要手动进行12寸铁框合框、手动撕胶,然而手动作业操作麻烦;并且手动作业效率低,对人员劳动强度大,而且手动作业品质差,作业风险高。
因此,有必要提供一种基于12寸合框的8寸晶圆撕胶方法解决上述技术问题。
发明内容
本发明提供一种基于12寸合框的8寸晶圆撕胶方法,解决了需要手动进行12寸铁框合框、手动撕胶的问题。
为解决上述技术问题,本发明提供的基于12寸合框的8寸晶圆撕胶方法,包括以下步骤:
S1、通过第一晶圆传送模块将晶圆抓取至研磨机中,并且传送至研磨区域,通过研磨区域对晶圆的背面进行研磨加工,再将研磨后的晶圆传送至抛光区域,通过抛光区域对研磨加工后晶圆的背面进行抛光处理,抛光至客户需要的厚度即可;
S2、再通过第一晶圆传送模块将研磨抛光后的晶圆传送至清洗盘上,通过清洗盘上的清洗模块对研磨抛光后的晶圆进行清洗和定位;
S3、清洗且定位后的晶圆后,通过合框撕胶机通过第二晶圆传送模块将晶圆取出,并放置到合框模块上,再通过铁框入料模块将铁框抓取,并且移至合框模块内部,随后通过合框模块对晶圆进行合框加工;
S4、晶圆与铁框合框后,再通过物件传送模块将合框后的晶圆取出,并且放置到撕胶模块,通过撕胶模块对晶圆进行撕胶,撕胶完成后,再进行出料,最后再将出料的产品置入镭射机上,通过镭射机对产品进行激光开槽。
优选的,所述S1中的研磨区域包括粗磨区域和细磨区域。
优选的,所述S3中通过胶膜将铁框与晶圆贴附在一起;
新工艺设定方式为软体部分将研磨机内的尺寸设定为8inch,将合框撕胶机中的Wafer size设定为8inch,铁框尺寸设定为12inch,硬件部分将合框工作盘换成8寸的工作盘,框架换成12寸框架,合框胶膜换成12寸胶膜,将撕胶工作盘换成12寸工作盘C;
不仅大大的节约公司成本,而且操作方便,极大的降低了工作人员的劳动强度,不仅保护设备正常运行,而且提升机台使用率,有效的避免原工艺手动作业造成的一系列弊端。
优选的,所述第一晶圆传送模块包括第一夹紧单元、第一防护单元和第一晶圆移动单元,所述第一夹紧单元用于对需要研磨加工的晶圆进行吸附固定,所述第一防护单元用于对吸附固定的晶圆进行夹紧力度防护和移动防护,所述第一晶圆移动单元用于将吸附固定后的晶圆分别移动至研磨区域、抛光区域和清洗盘进行加工。
优选的,所述第二晶圆传送模块包括第二夹紧单元、第二防护单元和第二晶圆移动单元,所述第二夹紧单元用于对研磨加工后的晶圆进行吸附固定,所述第二防护单元用于对吸附固定的晶圆进行夹紧力度防护和移动防护,所述第二晶圆移动单元用于将研磨机中吸附固定后的晶圆,移至合框模块处,进行合框加工。
优选的,所述铁框入料模块包括抓取单元、紧固单元、传输单元,所述抓取单元用于将合框加工的铁框进行抓取,所述紧固单元用于将抓取的铁框进行夹紧,所述传送单元用于将抓取的铁框传送至合框模块处,与晶圆进行合框加工。
优选的,所述合框模块包括气缸单元和防护单元,所述气缸单元用于对晶圆和铁框进行挤压,通过胶膜将晶圆与铁框贴附,所述防护单元用于晶圆和铁框挤压贴合时,进行防护。
优选的,所述清洗模块包括干洗单元、冲洗模块和干燥模块,所述干洗模块用于对研磨抛光后的晶圆进行干洗,所述冲洗模块用于对研磨抛光后的晶圆进行冲洗,所述干燥模块用于对干洗或冲洗后的晶圆进行干燥。
优选的,所述物件传送模块包括锁紧单元、提取单元和移动单元,所述锁紧单元用于将传送的物件进行锁紧,所述提取单元用于将锁紧后的物件从合框模块中进行取出,所述移动单元用于将取出后的物件输送至撕胶模块中。
优选的,所述撕胶模块包括翻转单元、驱动单元和撕胶单元,所述翻转单元用于将合框后的物件进行翻转,所述驱动单元用于带动翻转后的物件上下运动,所述撕胶单元用于将晶圆上的胶膜进行撕除。
与相关技术相比较,本发明提供的基于12寸合框的8寸晶圆撕胶方法具有如下有益效果:
本发明提供一种基于12寸合框的8寸晶圆撕胶方法,通过第一晶圆传送模块将晶圆抓取至研磨机中,并且传送至粗磨区域和细磨区域,进行粗磨加工和细磨加工,再传送至抛光区域进行抛光,抛光至客户需要的厚度即可;再将抛光后的晶圆传送至清洗盘上,通过清洗盘上的清洗模块对研磨抛光后的晶圆进行清洗和定位,再将晶圆取出,并放置到合框模块上,并且将铁框移至合框模块内部,随后通过合框模块对晶圆进行合框加工,晶圆与铁框合框后,再将合框后的晶圆取出,并且放置到撕胶模块,通过撕胶模块对晶圆进行撕胶,最后通过镭射机对产品进行激光开槽,不仅大大的节约公司成本,而且操作方便,极大的降低了工作人员的劳动强度,不仅保护设备正常运行,而且提升机台使用率,有效的避免原工艺手动作业造成的一系列弊端。
附图说明
图1为本发明提供的基于12寸合框的8寸晶圆撕胶方法的步骤示意图;
图2为本发明提供的第一晶圆传送模块的系统框图;
图3为本发明提供的第二晶圆传送模块的系统框图;
图4为本发明提供的铁框入料模块的系统框图;
图5为本发明提供的合框模块的系统框图;
图6为本发明提供的物料传送模块的系统框图;
图7为本发明提供的撕胶模块的系统框图。
具体实施方式
下面结合附图和实施方式对本发明作进一步说明。
请结合参阅图1、图2、图3、图4、图5、图6和图7,其中,图1为本发明提供的基于12寸合框的8寸晶圆撕胶方法的步骤示意图;图2为本发明提供的第一晶圆传送模块的系统框图;图3为本发明提供的第二晶圆传送模块的系统框图;图4为本发明提供的铁框入料模块的系统框图;图5为本发明提供的合框模块的系统框图;图6为本发明提供的物料传送模块的系统框图;图7为本发明提供的撕胶模块的系统框图。基于12寸合框的8寸晶圆撕胶方法包括以下步骤:
S1、通过第一晶圆传送模块将晶圆抓取至研磨机中,并且传送至研磨区域,通过研磨区域对晶圆的背面进行研磨加工,再将研磨后的晶圆传送至抛光区域,通过抛光区域对研磨加工后晶圆的背面进行抛光处理,抛光至客户需要的厚度即可;
S2、再通过第一晶圆传送模块将研磨抛光后的晶圆传送至清洗盘上,通过清洗盘上的清洗模块对研磨抛光后的晶圆进行清洗和定位;
S3、清洗且定位后的晶圆后,通过合框撕胶机通过第二晶圆传送模块将晶圆取出,并放置到合框模块上,再通过铁框入料模块将铁框抓取,并且移至合框模块内部,随后通过合框模块对晶圆进行合框加工;
S4、晶圆与铁框合框后,再通过物件传送模块将合框后的晶圆取出,并且放置到撕胶模块,通过撕胶模块对晶圆进行撕胶,撕胶完成后,再进行出料,最后再将出料的产品置入镭射机上,通过镭射机对产品进行激光开槽。
优选的,所述S1中的研磨区域包括粗磨区域和细磨区域。
优选的,所述S3中通过胶膜将铁框与晶圆贴附在一起;
新工艺设定方式为软体部分将研磨机内的尺寸设定为8inch,将合框撕胶机中的Wafer size设定为8inch,铁框尺寸设定为12inch,硬件部分将合框工作盘换成8寸的工作盘,框架换成12寸框架,合框胶膜换成12寸胶膜,将撕胶工作盘换成12寸工作盘;
不仅大大的节约公司成本,而且操作方便,极大的降低了工作人员的劳动强度,不仅保护设备正常运行,而且提升机台使用率,有效的避免原工艺手动作业造成的一系列弊端。
所述第一晶圆传送模块包括第一夹紧单元、第一防护单元和第一晶圆移动单元,所述第一夹紧单元用于对需要研磨加工的晶圆进行吸附固定,所述第一防护单元用于对吸附固定的晶圆进行夹紧力度防护和移动防护,所述第一晶圆移动单元用于将吸附固定后的晶圆分别移动至研磨区域、抛光区域和清洗盘进行加工。
所述第二晶圆传送模块包括第二夹紧单元、第二防护单元和第二晶圆移动单元,所述第二夹紧单元用于对研磨加工后的晶圆进行吸附固定,所述第二防护单元用于对吸附固定的晶圆进行夹紧力度防护和移动防护,所述第二晶圆移动单元用于将研磨机中吸附固定后的晶圆,移至合框模块处,进行合框加工。
所述铁框入料模块包括抓取单元、紧固单元、传输单元,所述抓取单元用于将合框加工的铁框进行抓取,所述紧固单元用于将抓取的铁框进行夹紧,所述传送单元用于将抓取的铁框传送至合框模块处,与晶圆进行合框加工。
所述合框模块包括气缸单元和防护单元,所述气缸单元用于对晶圆和铁框进行挤压,通过胶膜将晶圆与铁框贴附,所述防护单元用于晶圆和铁框挤压贴合时,进行防护。
所述清洗模块包括干洗单元、冲洗模块和干燥模块,所述干洗模块用于对研磨抛光后的晶圆进行干洗,所述冲洗模块用于对研磨抛光后的晶圆进行冲洗,所述干燥模块用于对干洗或冲洗后的晶圆进行干燥。
所述物件传送模块包括锁紧单元、提取单元和移动单元,所述锁紧单元用于将传送的物件进行锁紧,所述提取单元用于将锁紧后的物件从合框模块中进行取出,所述移动单元用于将取出后的物件输送至撕胶模块中。
所述撕胶模块包括翻转单元、驱动单元和撕胶单元,所述翻转单元用于将合框后的物件进行翻转,所述驱动单元用于带动翻转后的物件上下运动,所述撕胶单元用于将晶圆上的胶膜进行撕除;
通过撕胶模块的设置,可以快速的对物件上的胶膜进行撕除,而且在撕除的过程中,不需要工作人员手动操作,极大的提高了工作效率。
本发明提供的基于12寸合框的8寸晶圆撕胶方法的工作原理如下:
通过第一晶圆传送模块将晶圆抓取至研磨机中,并且传送至粗磨区域和细磨区域,进行粗磨加工和细磨加工,再通过研磨区域对晶圆的背面进行研磨加工,再将研磨后的晶圆传送至抛光区域,通过抛光区域对研磨加工后晶圆的背面进行抛光处理,抛光至客户需要的厚度即可;再通过第一晶圆传送模块将研磨抛光后的晶圆传送至清洗盘上,通过清洗盘上的清洗模块对研磨抛光后的晶圆进行清洗和定位;
清洗且定位后的晶圆后,通过合框撕胶机通过第二晶圆传送模块将晶圆取出,并放置到合框模块上,再通过铁框入料模块将铁框抓取,并且移至合框模块内部,随后通过合框模块对晶圆进行合框加工;晶圆与铁框合框后,再通过物件传送模块将合框后的晶圆取出,并且放置到撕胶模块,通过撕胶模块对晶圆进行撕胶,撕胶完成后,再进行出料,最后再将出料的产品置入镭射机上,通过镭射机对产品进行激光开槽。
与相关技术相比较,本发明提供的基于12寸合框的8寸晶圆撕胶方法具有如下有益效果:
通过第一晶圆传送模块将晶圆抓取至研磨机中,并且传送至粗磨区域和细磨区域,进行粗磨加工和细磨加工,再传送至抛光区域进行抛光,抛光至客户需要的厚度即可;再将抛光后的晶圆传送至清洗盘上,通过清洗盘上的清洗模块对研磨抛光后的晶圆进行清洗和定位,再将晶圆取出,并放置到合框模块上,并且将铁框移至合框模块内部,随后通过合框模块对晶圆进行合框加工,晶圆与铁框合框后,再将合框后的晶圆取出,并且放置到撕胶模块,通过撕胶模块对晶圆进行撕胶,最后通过镭射机对产品进行激光开槽,不仅大大的节约公司成本,而且操作方便,极大的降低了工作人员的劳动强度,不仅保护设备正常运行,而且提升机台使用率,有效的避免原工艺手动作业造成的一系列弊端。
以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其它相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种基于12寸合框的8寸晶圆撕胶方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、通过第一晶圆传送模块将晶圆抓取至研磨机中,并且传送至研磨区域,通过研磨区域对晶圆的背面进行研磨加工,再将研磨后的晶圆传送至抛光区域,通过抛光区域对研磨加工后晶圆的背面进行抛光处理,抛光至客户需要的厚度即可;
S2、再通过第一晶圆传送模块将研磨抛光后的晶圆传送至清洗盘上,通过清洗盘上的清洗模块对研磨抛光后的晶圆进行清洗和定位;
S3、清洗且定位后的晶圆后,通过合框撕胶机通过第二晶圆传送模块将晶圆取出,并放置到合框模块上,再通过铁框入料模块将铁框抓取,并且移至合框模块内部,随后通过合框模块对晶圆进行合框加工;
S4、晶圆与铁框合框后,再通过物件传送模块将合框后的晶圆取出,并且放置到撕胶模块,通过撕胶模块对晶圆进行撕胶,撕胶完成后,再进行出料,最后再将出料的产品置入镭射机上,通过镭射机对产品进行激光开槽。
2.根据权利要求1所述的基于12寸合框的8寸晶圆撕胶方法,其特征在于,所述S1中的研磨区域包括粗磨区域和细磨区域。
3.根据权利要求1所述的基于12寸合框的8寸晶圆撕胶方法,其特征在于,所述S3中通过胶膜将铁框与晶圆贴附在一起。
4.根据权利要求1所述的基于12寸合框的8寸晶圆撕胶方法,其特征在于,所述第一晶圆传送模块包括第一夹紧单元、第一防护单元和第一晶圆移动单元,所述第一夹紧单元用于对需要研磨加工的晶圆进行吸附固定,所述第一防护单元用于对吸附固定的晶圆进行夹紧力度防护和移动防护,所述第一晶圆移动单元用于将吸附固定后的晶圆分别移动至研磨区域、抛光区域和清洗盘进行加工。
5.根据权利要求1所述的基于12寸合框的8寸晶圆撕胶方法,其特征在于,所述第二晶圆传送模块包括第二夹紧单元、第二防护单元和第二晶圆移动单元,所述第二夹紧单元用于对研磨加工后的晶圆进行吸附固定,所述第二防护单元用于对吸附固定的晶圆进行夹紧力度防护和移动防护,所述第二晶圆移动单元用于将研磨机中吸附固定后的晶圆,移至合框模块处,进行合框加工。
6.根据权利要求1所述的基于12寸合框的8寸晶圆撕胶方法,其特征在于,所述铁框入料模块包括抓取单元、紧固单元、传输单元,所述抓取单元用于将合框加工的铁框进行抓取,所述紧固单元用于将抓取的铁框进行夹紧,所述传送单元用于将抓取的铁框传送至合框模块处,与晶圆进行合框加工。
7.根据权利要求1所述的基于12寸合框的8寸晶圆撕胶方法,其特征在于,所述合框模块包括气缸单元和防护单元,所述气缸单元用于对晶圆和铁框进行挤压,通过胶膜将晶圆与铁框贴附,所述防护单元用于晶圆和铁框挤压贴合时,进行防护。
8.根据权利要求1所述的基于12寸合框的8寸晶圆撕胶方法,其特征在于,所述清洗模块包括干洗单元、冲洗模块和干燥模块,所述干洗模块用于对研磨抛光后的晶圆进行干洗,所述冲洗模块用于对研磨抛光后的晶圆进行冲洗,所述干燥模块用于对干洗或冲洗后的晶圆进行干燥。
9.根据权利要求1所述的基于12寸合框的8寸晶圆撕胶方法,其特征在于,所述物件传送模块包括锁紧单元、提取单元和移动单元,所述锁紧单元用于将传送的物件进行锁紧,所述提取单元用于将锁紧后的物件从合框模块中进行取出,所述移动单元用于将取出后的物件输送至撕胶模块中。
10.根据权利要求1所述的基于12寸合框的8寸晶圆撕胶方法,其特征在于,所述撕胶模块包括翻转单元、驱动单元和撕胶单元,所述翻转单元用于将合框后的物件进行翻转,所述驱动单元用于带动翻转后的物件上下运动,所述撕胶单元用于将晶圆上的胶膜进行撕除。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010823461.4A CN112103174A (zh) | 2020-08-17 | 2020-08-17 | 一种基于12寸合框的8寸晶圆撕胶方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010823461.4A CN112103174A (zh) | 2020-08-17 | 2020-08-17 | 一种基于12寸合框的8寸晶圆撕胶方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112103174A true CN112103174A (zh) | 2020-12-18 |
Family
ID=73752908
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010823461.4A Pending CN112103174A (zh) | 2020-08-17 | 2020-08-17 | 一种基于12寸合框的8寸晶圆撕胶方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112103174A (zh) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101118844A (zh) * | 2006-07-31 | 2008-02-06 | 日东电工株式会社 | 半导体晶圆固定装置 |
US20080293218A1 (en) * | 2007-05-24 | 2008-11-27 | Disco Corporation | Wafer dividing method |
CN109545678A (zh) * | 2018-11-12 | 2019-03-29 | 紫光宏茂微电子(上海)有限公司 | 晶圆切割工艺 |
CN109599355A (zh) * | 2019-01-10 | 2019-04-09 | 江苏汇成光电有限公司 | 一种晶圆合框撕胶装置 |
CN211088215U (zh) * | 2019-11-01 | 2020-07-24 | 深圳市盈富仕科技有限公司 | 一种晶圆研磨胶膜用撕胶装置 |
CN111451646A (zh) * | 2020-04-24 | 2020-07-28 | 苏州镭明激光科技有限公司 | 一种晶圆激光隐形切割的加工工艺 |
-
2020
- 2020-08-17 CN CN202010823461.4A patent/CN112103174A/zh active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101118844A (zh) * | 2006-07-31 | 2008-02-06 | 日东电工株式会社 | 半导体晶圆固定装置 |
US20080293218A1 (en) * | 2007-05-24 | 2008-11-27 | Disco Corporation | Wafer dividing method |
CN109545678A (zh) * | 2018-11-12 | 2019-03-29 | 紫光宏茂微电子(上海)有限公司 | 晶圆切割工艺 |
CN109599355A (zh) * | 2019-01-10 | 2019-04-09 | 江苏汇成光电有限公司 | 一种晶圆合框撕胶装置 |
CN211088215U (zh) * | 2019-11-01 | 2020-07-24 | 深圳市盈富仕科技有限公司 | 一种晶圆研磨胶膜用撕胶装置 |
CN111451646A (zh) * | 2020-04-24 | 2020-07-28 | 苏州镭明激光科技有限公司 | 一种晶圆激光隐形切割的加工工艺 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3972065B2 (ja) | シリコンダスト除去用ウェーハのグラインディング研磨装置 | |
TWI596668B (zh) | 一種半導體晶圓的拋光方法 | |
CN100522478C (zh) | 一种磷化镓晶片双面抛光方法 | |
JP5916513B2 (ja) | 板状物の加工方法 | |
CN112967993A (zh) | 一种晶圆的解键合方法 | |
US20070007245A1 (en) | Silicon wafer reclamation method and reclaimed wafer | |
JP2001057357A (ja) | エッチング装置 | |
CN207616667U (zh) | 一种全自动切割打磨眼镜框设备 | |
CN112103174A (zh) | 一种基于12寸合框的8寸晶圆撕胶方法 | |
CN105364699B (zh) | 一种化学机械研磨方法和化学机械研磨设备 | |
JP2003209089A (ja) | ウェハの洗浄方法、洗浄装置およびダイシング装置 | |
CN208438173U (zh) | 一种晶圆加工用自动卸料研磨机 | |
JP4493062B2 (ja) | 両面研磨ウェーハの製造方法 | |
JP2007136641A (ja) | 液晶用ガラスの両面研削研磨装置 | |
CN101982870B (zh) | 芯片减薄工艺中芯片的保护方法 | |
TW201814784A (zh) | 晶圓的加工方法及研磨裝置 | |
CN115632008B (zh) | 晶圆边缘缺陷处理方法和晶圆减薄设备 | |
US20200258735A1 (en) | Wafer polishing method and apparatus | |
CN111446151A (zh) | 一种切割晶粒后批量转移晶粒至蓝膜的方法 | |
CN108581821A (zh) | 一种晶圆加工用自动卸料研磨机 | |
CN110364417A (zh) | 粘合带剥离方法和粘合带剥离装置 | |
TW202307950A (zh) | 研磨裝置、研磨方法及矽片 | |
JP2016215342A (ja) | ウェーハの回収方法及び両面研磨装置 | |
TWI224832B (en) | Process for machining a wafer-like workpiece | |
CN106952857B (zh) | 一种用于晶圆加工的设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB02 | Change of applicant information | ||
CB02 | Change of applicant information |
Address after: 230000 in Hefei Comprehensive Bonded Zone, Xinzhan District, Hefei City, Anhui Province Applicant after: Hefei xinhuicheng Microelectronics Co.,Ltd. Address before: 230000 in Hefei Comprehensive Bonded Zone, Xinzhan District, Hefei City, Anhui Province Applicant before: Hefei Xinhuicheng Microelectronics Co.,Ltd. |
|
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20201218 |