CN112088488A - 放大器电路 - Google Patents

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Abstract

该放大器电路在不降低增益的情况下提高了线性度。放大器电路设置有晶体管、负载、阻抗元件和可变电流源。晶体管放大输入信号。负载连接在晶体管和电源之间。阻抗元件连接在晶体管和接地端之间，并允许直流电流流过。可变电流源连接到晶体管和阻抗元件之间的连接部分，并提供对应于连接部分的电压的电流。

Description

放大器电路
技术领域
本技术涉及一种放大器电路。具体而言，本技术涉及一种放大器电路，其中，用于传导直流电流的阻抗元件(例如，电阻器)连接到晶体管的接地端。
背景技术
在放大器电路中，输出信号被线性放大(具有线性)的范围相对于输入信号较宽是优选的。传统上，在差分放大器中，例如，已经提出了一种电路，其中，插入交叉耦合晶体管，以减去和组合漏极电流(例如，参见专利文献1)。在这种传统技术中，由于跨导的特性，通过执行减法，以形成平坦区域，从而提高线性度。
引文列表
专利文献
专利文献1：JP H06-026290B2
发明内容
本发明要解决的问题
在上述传统技术中，交叉耦合晶体管用于减去并组合漏极电流，以形成跨导特性的平坦区域，从而提高线性度。然而，在这种传统技术中，由于减去了电流，存在一个副作用，即增益降低。另外，由于交叉耦合晶体管的偏置电流，存在功耗增加的问题。
鉴于这种情况，开发了本技术，并且本技术的目的是在不降低放大器电路中的增益的情况下提高线性度。
问题的解决方案
为了解决上述问题而提出本技术，本技术的第一方面是一种放大器电路，包括：晶体管，其放大输入信号；负载，其连接在晶体管和电源之间；阻抗元件，其连接在晶体管和接地端之间，并传导直流电流；以及可变电流源，其连接到晶体管和阻抗元件之间的连接部分，并根据连接部分的电压提供电流。这种配置通过根据连接部分的电压提供电流来产生补充晶体管特性的效果。
另外，在第一方面，晶体管可以是放大输入到栅极的输入信号并将放大的输入信号输出到漏极的MOS晶体管，所述负载可以连接到晶体管的漏极，所述阻抗元件可以连接到晶体管的源极，并且所述可变电流源可以根据晶体管的源电压向晶体管的源极提供电流。这种配置通过根据源电压提供电流来产生补充MOS晶体管特性的效果。
另外，在第一方面，可变电流源可以包括：额外晶体管，其具有连接到连接部分的栅极和漏极；以及电阻器，其连接在额外晶体管的源极和接地端之间。
另外，在第一方面，可变电流源可以包括：额外晶体管，其漏极连接到连接部分；电容器，其连接在连接部分和额外晶体管的栅极之间；电阻器，其一端连接到额外晶体管的栅极；以及偏置电压源，其连接在电阻器的另一端和接地端之间。
另外，在第一方面，可变电流源可以在晶体管提供的电流相对于输入信号开始饱和的区域中根据连接部分的电压提供电流。这种配置通过根据连接部分的电压供应电流，产生在晶体管供应的电流开始饱和的区域中补充晶体管的特性的效果。
另外，在第一方面，阻抗元件可以是电阻元件或电感元件。另外，在第一方面，负载可以是电阻元件。
另外，本技术的第二方面是一种放大器电路，包括：第一和第二晶体管，其放大差分输入信号；第一和第二负载，其分别连接在第一和第二晶体管与电源之间；电流源，其一端连接到接地端；第一和第二阻抗元件，其分别连接在第一和第二晶体管与电流源的另一端之间，并传导直流电流；第一可变电流源，其一端连接到第一晶体管和第一阻抗元件之间的第一连接部分，并根据第一连接部分的电压提供电流；第二可变电流源，其一端连接到第二晶体管和第二阻抗元件之间的第二连接部分，并根据第二连接部分的电压提供电流；第三可变电流源，其一端连接到第一连接部分，并根据第二连接部分的电压提供电流；以及第四可变电流源，其一端连接到第二连接部分，并根据第一连接部分的电压提供电流。这种配置通过根据交叉耦合晶体管的每个连接部分的电压提供电流来产生补充晶体管特性的效果。
另外，在第二方面，所述第一可变电流源至第四可变电流源中的每一个的另一端可以连接到电流源的另一端。在这种情况下，第一可变电流源至第四可变电流源中的每一个可以包括：额外晶体管，其具有连接到连接部分的栅极和漏极；以及电阻器，其连接在额外晶体管的源极和电流源的另一端之间。另外，第一可变电流源至第四可变电流源中的每一个可以包括：额外晶体管，其漏极连接到连接部分；电容器，其连接在连接部分和额外晶体管的栅极之间；电阻器，其一端连接到额外晶体管的栅极；以及电源，其连接在电阻器的另一端和电流源的另一端之间。
另外，在第二方面，第一可变电流源至第四可变电流源中的每一个可以具有连接到接地端的另一端。在这种情况下，第一可变电流源至第四可变电流源中的每一个可以包括：额外晶体管，其具有连接到连接部分的栅极和漏极；以及电阻器，其连接在额外晶体管的源极和接地端之间。另外，第一可变电流源至第四可变电流源中的每一个可以包括：额外晶体管，其漏极连接到连接部分；电容器，其连接在连接部分和额外晶体管的栅极之间；电阻器，其一端连接到额外晶体管的栅极；以及电源，其连接在电阻器的另一端和接地端之间。
本发明的效果
根据本技术，可以获得在不降低放大器电路中的增益的情况下提高线性度的优异效果。注意，本文描述的效果不一定是限制性的，并且可以获得本公开中描述的任何效果。
附图说明
图1是示出根据本技术的第一实施例的源极退化放大器的电路配置示例的示图；
图2是示出根据本技术的第一实施例的源极退化放大器中的可变电流源140的第一具体示例的示图；
图3是示出根据本技术的第一实施例的源极退化放大器中的可变电流源140的第二具体示例的示图；
图4是示出根据本技术的第一实施例的晶体管110的电流特性的示例的示图；
图5是示出根据本技术的第二实施例的差分放大器的电路配置示例的示图；
图6是示出根据本技术的第二实施例的差分放大器中的可变电流源140、150、240和250的第一具体示例的示图；
图7是示出根据本技术的第二实施例的差分放大器中的可变电流源140、150、240和250的第二具体示例的示图；
图8是示出根据本技术的第二实施例的晶体管110的电流特性的示例的示图；
图9是示出根据本技术的第二实施例的差分放大器的修改的示图；
图10是示出根据本技术的第二实施例的差分放大器的修改中的可变电流源140、150、240和250的第一具体示例的示图；
图11是示出根据本技术的第二实施例的差分放大器的修改中的可变电流源140、150、240和250的第二具体示例的示图。
具体实施方式
在下文中，将描述用于实现本技术的模式(以下称为实施例)。将按以下顺序给出描述。
1.第一实施例(源极退化放大器的示例)
2.第二实施例(差分放大器的示例)
3.修改
<1.第一实施例>
[源极退化放大器的电路配置]
图1是示出根据本技术的第一实施例的源极退化放大器的电路配置示例的示图。
源极退化放大器是放大输入电压Vin的放大器电路。源极退化放大器包括晶体管110(M1)、负载电阻器120、退化电阻器130(R1)和可变电流源140(I11)。
晶体管110是金属氧化物半导体(MOS)晶体管。输入电压Vin输入到晶体管110的栅极。晶体管110的漏极经由负载电阻器120连接到电源VDD。晶体管110的漏极用作源极退化放大器的输出。注意，虽然此处描述了使用MOS晶体管的示例，但是本技术也可以应用于双极晶体管。另外，尽管描述了负载电阻器120连接到晶体管110的漏极的示例，但是电感器元件可以代替负载电阻器120用作负载。
另外，退化电阻器130连接到晶体管110的源极。退化电阻器130是阻抗元件，其产生与晶体管110的栅极的输入电压Vin成比例的电压，并且用于减少作为放大器电路的增益(增益)的失真。众所周知，退化电阻器130具有降低跨导和增加输出电阻的特性。
注意，在采用高频操作的情况下，可以提供电感器元件(线圈)来代替用作电阻元件的退化电阻器130。尽管在电阻元件中出现了损耗，但是在电感元件中可以避免这种损耗。另一方面，尽管电感元件中的阻抗根据频率而变化，但是在电阻元件中可以获得与频率无关的宽带特性。因此，期望适当地选择电阻元件或电感元件，作为用于传导直流电流的阻抗元件。另外，电阻元件和电感元件可以并联连接。
可变电流源140是连接到晶体管110的源极的可变电流源，并且根据源电压Vs1向晶体管110提供电流。即，从可变电流源140提供的电流由晶体管110的源电压Vs1控制。
注意，负载电阻器120是权利要求中描述的负载的示例。另外，退化电阻器130是权利要求中描述的阻抗元件的示例。
图2是示出根据本技术的第一实施例的源极退化放大器中的可变电流源140的第一具体示例的示图。
可变电流源140的第一具体示例包括晶体管141(M11)和电阻器142(R11)。晶体管141的栅极和漏极连接到晶体管110的源极。另外，电阻器142连接到晶体管141的源极。注意，晶体管141是权利要求中描述的额外晶体管的示例。
晶体管110的源电压输入到晶体管141的栅极。晶体管141的源电压是电阻器142的电压。即，在没有电流流过晶体管141的状态下，晶体管141的源电压处于接地电平。然后，当电流流过晶体管141时，具有通过将电流乘以电阻器142的电阻值R11而获得的值的电压用作晶体管141的源电压。结果，根据晶体管141的栅极-源电压的电流流向晶体管141的漏极，并提供给晶体管110。
以这种方式，在第一具体示例中，通过将电阻器142连接到晶体管141的源极来调节阈值电压。
图3是示出根据本技术的第一实施例的源极退化放大器中的可变电流源140的第二具体示例的示图。
可变电流源140的第二具体示例包括晶体管141(M11)、电容器143(C11)、电阻器144和偏置电压源145。晶体管141的漏极连接到晶体管110的源极。另外，晶体管141的栅极经由电容器143连接到晶体管110的源极。另外，晶体管141的栅极经由电阻器144连接到偏置电压源145。
由偏置电压源145向晶体管141的栅极施加B类或C类偏置电压，并且当输入大信号时，电流开始流过栅极。另外，输入到晶体管141的栅极的信号的直流分量被电容器143切断。结果，根据晶体管141的栅极-源电压的电流流向晶体管141的漏极，并提供给晶体管110。
以这种方式，在第二具体示例中，通过将偏置电压源145连接到晶体管141的栅极并向栅极施加B类或C类偏置电压来调节阈值电压。注意，连接到晶体管141的栅极的电阻器144具有高电阻，并且对阈值电压的调节没有贡献。
[晶体管的电流特性]
图4是示出根据本技术的第一实施例的晶体管110的电流特性的示例的示图。
在图4中，a表示在没有提供可变电流源140的情况下晶体管110的电流特性。当输入电压Vin增加时，由晶体管110驱动的电流I饱和并且线性度退化。因此，在该实施例中，通过将由源电压Vs1控制的可变电流源140连接到晶体管110的源极来抑制电流特性的饱和。当晶体管110的电流增加时，源电压Vs1增加。当源电压Vs1超过特定阈值时，可变电流源140被设置为开始流动电流。
在图4中，b表示在提供可变电流源140的情况下晶体管110的电流特性。交替的长虚线和短虚线表示在没有提供可变电流源140的图4的a的情况下由晶体管110驱动的电流。另外，虚线表示由可变电流源140驱动的电流。因此，在提供可变电流源140的情况下，两个电流相加，并且流过晶体管110的电流如实线所示。
此处，为了检查电流特性的线性，指示跨导gm。跨导gm是电流的微分值，表示在跨导gm显示恒定值的区域中电压-电流特性是线性的。另外，当跨导gm高时，表示电压-电流斜率变陡，增益高。
在提供可变电流源140的情况下，与没有提供可变电流源140的情况相比，即使输入电压Vin增加，电流也不会饱和，直到输入电压Vin达到特定水平。即，可以看出，跨导gm的波形平坦的线性区域通过使可变电流源140的电流随着晶体管110的电流饱和而开始流动来扩展。即，可以增加线性驱动的区域，而不降低作为放大器电路的增益。
由可变电流源140流动的电流由仅由晶体管110驱动的电流的饱和方式来确定。在实际设计中，所用晶体管的能力和所用电压范围等条件是不同的。因此，可以通过应用该实施例来扩展设计选项。
如上所述，根据本技术的第一实施例，通过将可变电流源140连接到源极退化放大器中的晶体管110的源极，可以扩展线性驱动的区域，而不降低增益。
<2.第二实施例>
[差分放大器的电路配置]
图5是示出根据本技术的第二实施例的差分放大器的电路配置示例的示图。
差分放大器是根据上述第一实施例组合源极退化放大器并使组合的源极退化放大器执行差分操作的放大器电路。即，通过将输入电压Vin与栅极电压Vg相加而获得的电压施加到正侧晶体管110，并且通过从栅极电压Vg减去输入电压Vin而获得的电压施加到负侧晶体管210。
如在上述第一实施例中，负载电阻器120、退化电阻器130和可变电流源140连接到正侧晶体管110。另外，可变电流源150(I12)与可变电流源140并联连接。类似于可变电流源140，可变电流源150连接，以使电流流过晶体管110的源极，但是由晶体管210的源电压Vs2控制。即，可变电流源150根据晶体管210的源电压Vs2向晶体管110的源极提供电流。
类似于正侧晶体管110，负载电阻器220、退化电阻器230以及可变电流源240和250连接到负侧晶体管210。类似于可变电流源240，可变电流源250连接，以使电流流过晶体管210的源极，但是由晶体管110的源电压Vs1控制。即，可变电流源250根据晶体管110的源电压Vs1向晶体管210的源极提供电流。
即，可变电流源150和250使晶体管110和210作为交叉耦合晶体管操作。结果，由于驱动反相信号输入到的晶体管，并且电流抵消，所以跨导gm反相减去并且变成恒定值，因此提高线性度。
另外，在根据第二实施例的差分放大器中，退化电阻器130和230以及可变电流源140、150、240和250连接到电流源190。
注意，晶体管110和210是权利要求中描述的第一和第二晶体管的示例。另外，负载电阻器120和220是权利要求中描述的第一和第二负载的示例。另外，退化电阻器130和230是权利要求中描述的第一和第二阻抗元件的示例。另外，可变电流源140、240、150和250是权利要求中描述的第一可变电流源至第四可变电流源的示例。
图6是示出根据本技术的第二实施例的差分放大器中的可变电流源140、150、240和250的第一具体示例的示图。
如在上述第一实施例中，第二实施例的第一具体示例包括作为可变电流源140的晶体管141和电阻器142。另外，作为可变电流源150，晶体管151与晶体管141并联连接。另外，作为可变电流源240，提供了晶体管241和电阻器242。另外，作为可变电流源250，晶体管251与晶体管241并联连接。
注意，晶体管141、151、241和251中的每一个都是权利要求中描述的额外晶体管的示例。
图7是示出根据本技术的第二实施例的差分放大器中的可变电流源140、150、240和250的第二具体示例的示图。
如在上述第一实施例中，第二实施例的第二具体示例包括晶体管141、电容器143、电阻器144和偏置电压源145，作为可变电流源140。另外，作为可变电流源150，提供晶体管151、电容器153、电阻器154和偏置电压源155。另外，作为可变电流源240，提供晶体管241、电容器243、电阻器244和偏置电压源245。另外，作为可变电流源250，提供晶体管251、电容器253、电阻器254和偏置电压源255。
[晶体管的电流特性]
图8是示出根据本技术的第二实施例的晶体管110的电流特性的示例的示图。
在图8中，a表示在没有提供可变电流源140和150的情况下晶体管110的电流特性。当输入电压Vin远离0V时，电流饱和，线性度退化。通过将由源电压Vs1控制的可变电流源140和由源电压Vs2控制的可变电流源150连接到晶体管110的源极来抑制电流特性的饱和。
在图8中，b表示在提供可变电流源140和150的情况下晶体管110的电流特性。交替的长虚线和短虚线表示在没有提供可变电流源140和150的图8的a的情况下由晶体管110驱动的电流。另外，虚线表示由可变电流源140和150驱动的电流。因此，在提供可变电流源140和150的情况下，这些电流相加，并且流过晶体管110的电流如实线所示。
考虑输入电压Vin施加到正侧的情况。当晶体管110的电流增加时，源电压Vs1增加。当源电压Vs1超过特定阈值时，可变电流源140被设置为开始流动电流。通过使可变电流源140的电流随着晶体管110的电流饱和而开始流动，跨导gm平坦的线性区域增加。
另一方面，考虑输入电压Vin施加到负侧的情况。当晶体管210的电流增加时，源电压Vs2增加。当源电压Vs2超过特定阈值时，可变电流源150被设置为开始流动电流。通过使可变电流源150的电流随着晶体管110的电流饱和而开始流动，跨导gm平坦的线性区域增加。
注意，虽然此处已经通过关注晶体管110的电流特性给出了描述，但是同样适用于晶体管210的电流特性。
如上所述，在本技术的第二实施例中，在差分放大器中，可变电流源140和150连接到晶体管110的源极，可变电流源240和250连接到晶体管210的源极。利用这种配置，可以扩展线性驱动的区域，而不降低增益。
<3.修改>
[差分放大器的电路配置]
图9是示出根据本技术的第二实施例的差分放大器的修改的示图。
尽管在根据第二实施例的上述差分放大器中，可变电流源140、150、240和250连接到电流源190，但是在该修改中接地。
图10是示出根据本技术的第二实施例的差分放大器的修改中的可变电流源140、150、240和250的第一具体示例的示图。
该修改的第一具体示例具有与上述第二实施例的第一具体示例类似的配置，但是不同之处在于，电阻器142和242接地。
图11是示出根据本技术的第二实施例的差分放大器的修改中的可变电流源140、150、240和250的第二具体示例的示图。
该修改的第二具体示例具有与第二实施例的上述第二具体示例类似的配置。然而，该修改的第二具体示例的不同之处在于，晶体管141、151、241和251以及偏置电压源145、155、245和255接地。
如上所述，根据本技术的实施例，可以扩展线性驱动的区域，而不降低放大器电路中的增益。
随着通信容量的增加，具有高峰均功率比(PAPR)的通信系统(例如，长期演进(LTE)和电视调谐器)的数量预计会增加。由于PAPR的增加会影响接收机的最大输入灵敏度，因此需要具有更宽动态范围的放大器。在该实施例中，跨导gm平坦的区域可以在不降低增益的情况下扩展，这有助于需要高增益的高度线性接收机的较低功耗。另外，插入以提高线性度的晶体管不消耗直流电流，而是仅当输入具有大幅度的信号时才消耗电流，使得功耗在待机状态下或当接收到小信号时不会增加，从而有助于降低接收机的功耗。
注意，上述实施例指示用于体现本技术的示例，并且实施例中的事项和权利要求中指定本发明的事项具有对应关系。类似地，权利要求中指定本发明的事项和本技术的实施例中具有相同名称的事项具有对应关系。然而，本技术不限于实施例，并且可以在不脱离本技术的要点的情况下，通过对实施例进行各种修改来实现。
注意，本说明书中描述的效果仅仅是示例，而不是限制性的，并且可以实现其他效果。
注意，本技术还可以包括以下配置。
(1)一种放大器电路，包括：
晶体管，其放大输入信号；
负载，其连接在晶体管和电源之间；
阻抗元件，其连接在晶体管和接地端之间，并传导直流电流；以及
可变电流源，其连接到晶体管和阻抗元件之间的连接部分，并根据连接部分的电压提供电流。
(2)根据(1)所述的放大器电路，其中，
所述晶体管是放大输入到栅极的输入信号并将放大的输入信号输出到漏极的MOS晶体管，
所述负载连接到晶体管的漏极，
所述阻抗元件连接到晶体管的源极，并且
所述可变电流源根据晶体管的源电压向晶体管的源极提供电流。
(3)根据(1)或(2)所述的放大器电路，其中，
所述可变电流源包括：
额外晶体管，其具有连接到连接部分的栅极和漏极；以及
电阻器，其连接在额外晶体管的源极和接地端之间。
(4)根据(1)或(2)所述的放大器电路，其中，
所述可变电流源包括：
额外晶体管，其漏极连接到连接部分；
电容器，其连接在连接部分和额外晶体管的栅极之间；
电阻器，其一端连接到额外晶体管的栅极；以及
偏置电压源，其连接在电阻器的另一端和接地端之间。
(5)根据(1)至(4)中任一项所述的放大器电路，其中，
所述可变电流源在晶体管提供的电流相对于输入信号开始饱和的区域中根据连接部分的电压提供电流。
(6)根据(1)至(5)中任一项所述的放大器电路，其中，
所述阻抗元件是电阻元件。
(7)根据(1)至(5)中任一项所述的放大器电路，其中，
所述阻抗元件是电感元件。
(8)根据(1)至(7)中任一项所述的放大器电路，其中，
所述负载是电阻元件。
(9)一种放大器电路，包括：
第一和第二晶体管，其放大差分输入信号；
第一和第二负载，其分别连接在第一和第二晶体管与电源之间；
电流源，其一端连接到接地端；
第一和第二阻抗元件，其分别连接在第一和第二晶体管与电流源的另一端之间，并传导直流电流；
第一可变电流源，其一端连接到第一晶体管和第一阻抗元件之间的第一连接部分，并根据第一连接部分的电压提供电流；
第二可变电流源，其一端连接到第二晶体管和第二阻抗元件之间的第二连接部分，并根据第二连接部分的电压提供电流；
第三可变电流源，其一端连接到第一连接部分，并根据第二连接部分的电压提供电流；以及
第四可变电流源，其一端连接到第二连接部分，并根据第一连接部分的电压提供电流。
(10)根据(9)所述的放大器电路，其中，
所述第一可变电流源至第四可变电流源中的每一个的另一端连接到电流源的另一端。
(11)根据(9)或(10)所述的放大器电路，其中，
所述第一可变电流源至第四可变电流源中的每一个包括：
额外晶体管，其具有连接到连接部分的栅极和漏极；以及
电阻器，其连接在额外晶体管的源极和电流源的另一端之间。
(12)根据(9)或(10)所述的放大器电路，其中，
所述第一可变电流源至第四可变电流源中的每一个包括：
额外晶体管，其漏极连接到连接部分；
电容器，其连接在连接部分和额外晶体管的栅极之间；
电阻器，其一端连接到额外晶体管的栅极；以及
电源，其连接在电阻器的另一端和电流源的另一端之间。
(13)根据(9)所述的放大器电路，其中，
所述第一可变电流源至第四可变电流源中的每一个都具有连接到接地端的另一端。
(14)根据(9)或(13)所述的放大器电路，其中，
所述第一可变电流源至第四可变电流源中的每一个包括：
额外晶体管，其具有连接到连接部分的栅极和漏极；以及
电阻器，其连接在额外晶体管的源极和接地端之间。
(15)根据(9)或(13)所述的放大器电路，其中，
所述第一可变电流源至第四可变电流源中的每一个包括：
额外晶体管，其漏极连接到连接部分；
电容器，其连接在连接部分和额外晶体管的栅极之间；
电阻器，其一端连接到额外晶体管的栅极；以及
电源，其连接在电阻器的另一端和接地端之间。
附图标记列表
110、210 晶体管
120、220 负载电阻器
130、230 退化电阻器
140、150、240、250 可变电流源
141、151、241、251 晶体管
142、144、154、242、244、254 电阻器
143、153、243、253 电容器
145、155、245、255 偏置电压源
190 电流源

Claims (15)

1.一种放大器电路，包括：
晶体管，放大输入信号；
负载，连接在所述晶体管和电源之间；
阻抗元件，连接在所述晶体管和接地端之间，并传导直流电流；以及
可变电流源，连接到所述晶体管和所述阻抗元件之间的连接部分，并根据所述连接部分的电压提供电流。
2.根据权利要求1所述的放大器电路，其中，
所述晶体管是放大输入到栅极的所述输入信号并将放大的输入信号输出到漏极的MOS晶体管，
所述负载连接到所述晶体管的所述漏极，
所述阻抗元件连接到所述晶体管的源极，并且
所述可变电流源根据所述晶体管的源电压向所述晶体管的所述源极提供电流。
3.根据权利要求1所述的放大器电路，其中，
所述可变电流源包括：
额外晶体管，具有连接到所述连接部分的栅极和漏极；以及
电阻器，连接在所述额外晶体管的源极和所述接地端之间。
4.根据权利要求1所述的放大器电路，其中，
所述可变电流源包括：
额外晶体管，具有连接到所述连接部分的漏极；
电容器，连接在所述连接部分和所述额外晶体管的栅极之间；
电阻器，所述电阻器的一端连接到所述额外晶体管的栅极；以及
偏置电压源，连接在所述电阻器的另一端和所述接地端之间。
5.根据权利要求1所述的放大器电路，其中，
所述可变电流源在所述晶体管提供的电流相对于所述输入信号开始饱和的区域中根据所述连接部分的电压提供电流。
6.根据权利要求1所述的放大器电路，其中，
所述阻抗元件是电阻元件。
7.根据权利要求1所述的放大器电路，其中，
所述阻抗元件是电感元件。
8.根据权利要求1所述的放大器电路，其中，
所述负载是电阻元件。
9.一种放大器电路，包括：
第一晶体管和第二晶体管，放大差分输入信号；
第一负载和第二负载，分别连接在所述第一晶体管和第二晶体管与电源之间；
电流源，所述电流源的一端连接到接地端；
第一阻抗元件和第二阻抗元件，分别连接在所述第一晶体管和第二晶体管与所述电流源的另一端之间，并传导直流电流；
第一可变电流源，所述第一可变电流源的一端连接到所述第一晶体管和所述第一阻抗元件之间的第一连接部分，并根据所述第一连接部分的电压提供电流；
第二可变电流源，所述第二可变电流源的一端连接到所述第二晶体管和所述第二阻抗元件之间的第二连接部分，并根据所述第二连接部分的电压提供电流；
第三可变电流源，所述第三可变电流源的一端连接到所述第一连接部分，并根据所述第二连接部分的电压提供电流；以及
第四可变电流源，所述第四可变电流源的一端连接到所述第二连接部分，并根据所述第一连接部分的电压提供电流。
10.根据权利要求9所述的放大器电路，其中，
所述第一可变电流源至第四可变电流源中的每一个的另一端连接到所述电流源的另一端。
11.根据权利要求9所述的放大器电路，其中，
所述第一可变电流源至第四可变电流源中的每一个包括：
额外晶体管，具有连接到连接部分的栅极和漏极；以及
电阻器，连接在所述额外晶体管的源极和所述电流源的另一端之间。
12.根据权利要求9所述的放大器电路，其中，
所述第一可变电流源至第四可变电流源中的每一个包括：
额外晶体管，具有连接到连接部分的漏极；
电容器，连接在连接部分和所述额外晶体管的栅极之间；
电阻器，所述电阻器的一端连接到所述额外晶体管的栅极；以及
电源，连接在所述电阻器的另一端和所述电流源的另一端之间。
13.根据权利要求9所述的放大器电路，其中，
所述第一可变电流源至第四可变电流源中的每一个都具有连接到所述接地端的另一端。
14.根据权利要求9所述的放大器电路，其中，
所述第一可变电流源至第四可变电流源中的每一个包括：
额外晶体管，具有连接到连接部分的栅极和漏极；以及
电阻器，连接在所述额外晶体管的源极和所述接地端之间。
15.根据权利要求9所述的放大器电路，其中，
所述第一可变电流源至第四可变电流源中的每一个包括：
额外晶体管，具有连接到连接部分的漏极；
电容器，连接在连接部分和所述额外晶体管的栅极之间；
电阻器，所述电阻器的一端连接到所述额外晶体管的栅极；以及
电源，连接在所述电阻器的另一端和所述接地端之间。
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