JP2010034944A - 高周波増幅回路 - Google Patents

Abstract

【課題】高周波信号の信号レベルに高精度に追従させて最適なＮＦ特性および歪み特性を得ることができる高周波増幅回路を提供すること。
【解決手段】高周波信号が入力され増幅された信号を出力する増幅用トランジスタＴを備え、後段に出力信号レベルを一定レベルに制御する検波回路８が接続される高周波増幅回路であって、増幅用トランジスタＴは、コレクタ電流が高周波信号の信号レベルに応じて連続的に変化するゲインコントロール電圧で制御され、高周波信号の信号レベルが高い場合は、増幅用トランジスタＴのコレクタ電流が増加し、高周波信号の信号レベルが低い場合は、増幅用トランジスタＴのコレクタ電流が減少するよう構成した。
【選択図】図２

Description

本発明は、テレビジョンチューナ等で使用される高周波信号を増幅する高周波増幅回路に関する。

一般に、高周波増幅回路においては、弱電界受信時には増幅用トランジスタのＮＦ特性が重視され、強電界受信時には増幅用トランジスタの歪み特性が重視されている。この場合、増幅用トランジスタのコレクタ電流を増減させることでＮＦ特性および歪み特性を可変させることができるが、ＮＦ特性および歪み特性はコレクタ電流の増減に対して相反する特性を示すため、弱電界受信時のＮＦ特性および強電界受信時の歪み特性の双方のバランスを考慮した高周波増幅回路の回路設計が行われていた。

また、従来、高周波増幅回路として高周波信号の信号レベルに応じてＮＦ特性および歪み特性を向上させるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。この特許文献１に記載された高周波増幅回路は、増幅用トランジスタに接続され、複数の抵抗を有する負帰還回路と、負帰還回路に投入する抵抗を切り替えるスイッチトランジスタとを設けて構成され、スイッチトランジスタのＯＮ・ＯＦＦにより負帰還回路からの帰還量および増幅用トランジスタのコレクタ電流を制御している。

そして、高周波増幅回路は、弱電界受信時には、スイッチトランジスタをＯＮにして負帰還回路からの帰還量を減少させてゲインを上昇させると共に、増幅用トランジスタのコレクタ電流を減少させてＮＦ特性を向上させている。一方、強電界受信時には、スイッチトランジスタをＯＦＦにして負帰還回路からの帰還量を増加させてゲインを減少させると共に、増幅用トランジスタのコレクタ電流を増加させて歪み特性を向上させている。
特開２００５−３４８１０１号公報

しかしながら、上記した高周波増幅回路においては、強電界受信時と弱電界受信時の２つの状態に対応させて負帰還回路に投入する抵抗をスイッチトランジスタのＯＮ・ＯＦＦによって切り替えているため、高周波信号の信号レベルに応じて増幅用トランジスタのコレクタ電流を連続的に変化させることができなかった。したがって、増幅用トランジスタのコレクタ電流を高周波信号の信号レベルに高精度に追従させることができず、最適なＮＦ特性および歪み特性を得ることができない可能性があった。

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、高周波信号の信号レベルに高精度に追従させて最適なＮＦ特性および歪み特性を得ることができる高周波増幅回路を提供することを目的とする。

本発明の高周波増幅回路は、高周波信号が入力され増幅された信号を出力するトランジスタを備え、後段に出力信号レベルを一定レベルに制御するゲインコントロール回路が接続される高周波増幅回路であって、前記ゲインコントロール回路から出力されるゲインコントロール電圧に応じて、前記トランジスタのコレクタ電流を連続的に変化させることを特徴とする。

この構成によれば、ゲインコントロール回路から出力されるゲインコントロール電圧に応じてコレクタ電流を連続的に変化させることができるため、高周波信号の信号レベルに高精度に追従させて最適なＮＦ特性および歪み特性を得ることができる。

また本発明は、上記高周波増幅回路において、前記トランジスタは、コレクタ電流が高周波信号の信号レベルに応じて変化するゲインコントロール電圧で制御され、前記高周波信号の信号レベルが高い場合は、前記トランジスタのコレクタ電流が増加し、前記高周波信号の信号レベルが低い場合は、前記トランジスタのコレクタ電流が減少することを特徴とする。

この構成によれば、高周波信号の信号レベルの高い強電界受信時には、コレクタ電流が増加されて歪み特性が向上され、高周波信号の信号レベルの低い弱電界受信時には、コレクタ電流が減少されてＮＦ特性が向上される。

また本発明は、上記高周波増幅回路において、前記トランジスタのエミッタに、前記ゲインコントロール回路から出力されるゲインコントロール電圧を印加することにより、前記トランジスタのコレクタ電流を連続的に変化させることを特徴とする。

この構成によれば、ゲインコントロール回路からのゲインコントロール電圧の印加により、トランジスタのコレクタ電流を連続的に変化させることができるため、高周波信号の信号レベルに高精度に追従させて最適なＮＦ特性および歪み特性を得ることができる。

また本発明は、上記高周波増幅回路において、前記トランジスタのエミッタが第１の抵抗を介してグランドに接続されると共に、前記ゲインコントロール電圧が前記トランジスタのエミッタに印加されて前記トランジスタのエミッタの電圧が制御されることを特徴とする。

この構成によれば、エミッタ接地回路において、入力された高周波信号の信号レベルに応じてトランジスタのエミッタの電圧を制御することができる。

また本発明は、上記高周波増幅回路において、前記トランジスタのエミッタに対する前記ゲインコントロール電圧の印加ラインに第２の抵抗が接続され、前記トランジスタのエミッタは、前記ゲインコントロール電圧が前記第２の抵抗と前記第１の抵抗とで分圧されて印加されることを特徴とする。

この構成によれば、第１の抵抗と第２の抵抗とで分圧し、ゲインコントロール回路のゲインコントロール電圧から適切な電圧を取り出してトランジスタのエミッタに印加することができる。

また本発明は、上記高周波増幅回路において、前記トランジスタのエミッタとグランドとの間に並列に接続された第３、第４の抵抗と、前記トランジスタのエミッタと前記第４の抵抗の前記トランジスタ側端部との間に介挿され、エミッタが前記トランジスタのエミッタに接続され、コレクタが前記第４の抵抗に接続された前記トランジスタと接合タイプの異なるスイッチトランジスタと、前記スイッチトランジスタのベースと前記ゲインコントロール回路との間に接続された高インピーダンスな第５の抵抗とを備え、前記スイッチトランジスタのベースに、前記ゲインコントロール回路から出力されるゲインコントロール電圧を前記第５の抵抗を介して印加することにより、前記トランジスタのコレクタ電流を連続的に変化させることを特徴とする。

この構成によれば、スイッチトランジスタのベースにゲインコントロール回路から出力されるゲインコントロール電圧が印加されることにより、並列に接続された第３、第４の抵抗の合成抵抗を変化させてトランジスタのコレクタ電流を連続的に変化させることができるため、高周波信号の信号レベルに高精度に追従させて最適なＮＦ特性および歪み特性を得ることができる。
また、高インピーダンスな第５の抵抗を介してゲインコントロール回路からスイッチトランジスタのベースにゲインコントロール電圧が印加されるため、消費電流を抑制することができる。

本発明によれば、高周波信号の信号レベルに高精度に追従させて最適なＮＦ特性および歪み特性を得ることができる。

以下、本発明の第１の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態に係るテレビジョンチューナのブロック図である。

図１に示すように、図示しないアンテナ素子に受信された高周波信号は、広帯域増幅器１において増幅され、アンテナ同調回路２において同調周波数成分が取り出される。アンテナ同調回路２を通過した高周波信号は、高周波増幅器３において出力が一定になるように制御され、複同調回路４において同調周波数成分が取り出される。複同調回路４を通過した高周波信号は、局部発振器６から出力された局部発振信号と共に混合器５に入力され、局部発振信号と掛け合わされて中間周波信号に周波数変換される。

混合器５で周波数変換された中間周波信号は、ＩＦフィルタ回路７においてＩＦ周波数成分が取り出され、検波回路８に入力される。検波回路８は、入力された中間周波信号の信号レベルに応じてゲインコントロール電圧を生成し、生成したゲインコントロール電圧を広帯域増幅器１に印加してＮＦ特性および歪み特性を制御すると共に、高周波増幅器３に印加してゲイン制御する。検波回路８を通過した中間周波信号は、後段の図示しない回路において映像信号および音声信号が取り出される。

広帯域増幅器１は、検波回路８から印加されたゲインコントロール電圧に応じて、広帯域増幅器１内に設けられた増幅用トランジスタＴのコレクタ電流を制御しており、このコレクタ電流の制御により高周波信号の信号レベルに応じてＮＦ特性および歪み特性を制御している。なお、請求項に記載の高周波増幅回路は、本実施の形態に係る広帯域増幅器１により構成されている。

次に、本発明の特徴部分である広帯域増幅器１の回路構成について説明する。図２は、本発明の第１の実施の形態に係る広帯域増幅器の回路構成図である。
図２に示すように、広帯域増幅器１の増幅回路は、抵抗Ｒ１、抵抗Ｒ２、抵抗Ｒ３、抵抗Ｒ４、抵抗Ｒ５、抵抗Ｒ６、コンデンサＣ１、コンデンサＣ２、コンデンサＣ３、コンデンサＣ４、チョークコイルＬ１、チョークコイルＬ２、定電圧源Ｂ、増幅用トランジスタＴを備えて構成されている。

増幅用トランジスタＴのベースは、直流カット用のコンデンサＣ１を介して入力端１１に接続され、増幅用トランジスタＴのコレクタは、直流カット用のコンデンサＣ２を介して出力端１２に接続されている。また、増幅用トランジスタＴのエミッタは、抵抗Ｒ１および抵抗Ｒ１に対して並列に接続されたバイパス用のコンデンサＣ３を介してグランドに接地されている。

増幅用トランジスタＴのエミッタと抵抗Ｒ１とコンデンサＣ３との接続点には、検波回路８に接続されたゲインコントロール電圧印加ライン１３が接続されている。ゲインコントロール電圧印加ライン１３には、抵抗Ｒ２が接続されている。検波回路８から出力されたゲインコントロール電圧は、高周波増幅器３に印加されると共にゲインコントロール電圧印加ライン１３を通じて広帯域増幅器１に印加され、抵抗Ｒ１および抵抗Ｒ２により分圧された電圧が増幅用トランジスタＴのエミッタに印加される。

増幅用トランジスタＴのコレクタは、コンデンサＣ４および抵抗Ｒ３を直列に接続して構成した負帰還回路を介して増幅用トランジスタＴのベースに接続されている。また、コンデンサＣ４のベース側には、抵抗Ｒ３に対して並列にチョークコイルＬ１の一端が接続され、チョークコイルＬ１の他端は増幅用トランジスタＴのベースに接続されている。

定電圧源Ｂは、チョークコイルＬ２を介して増幅用トランジスタＴのコレクタとコンデンサＣ２との間に接続され、増幅用トランジスタＴのコレクタとコンデンサＣ２との間は、抵抗Ｒ４および抵抗Ｒ５を直列に接続して構成した直列回路を介して増幅用トランジスタＴのベースに接続される。また、抵抗Ｒ５および増幅用トランジスタＴのベースの接続点とグランドとの間には、抵抗Ｒ６が接続されている。定電圧源Ｂから出力された電圧は、チョークコイルＬ２および抵抗Ｒ４を通じて、抵抗Ｒ５と抵抗Ｒ６とで分圧された電圧が増幅用トランジスタＴのベースに印加される。

この広帯域増幅器１においては、検波回路８からゲインコントロール電圧が増幅用トランジスタＴのエミッタに印加され、ゲインコントロール電圧がエミッタ電圧に重畳されることにより、コレクタ電流が連続的に変化するように構成されている。増幅用トランジスタＴのエミッタに印加されるゲインコントロール電圧が高いと、コレクタ電流が減少し、増幅用トランジスタＴのエミッタに印加されるゲインコントロール電圧が低いと、コレクタ電流が増加する。なお、増幅用トランジスタＴのエミッタに印加されるゲインコントロール電圧とコレクタ電流との関係の詳細については後述する。

次に、図３を参照してコレクタ電流とＮＦ特性および歪み特性との関係について説明する。図３は、コレクタ電流とＮＦ特性および歪み特性との関係を示す図である。なお、図３においては、実線Ｗ１はＮＦ特性、破線Ｗ２は歪み特性をそれぞれ示し、ＮＦ特性ではコレクタ電流の減少方向で良好な特性を示し、歪み特性ではコレクタ電流の増加方向で良好な特性を示している。

図３に示すように、ＮＦ特性を示す実線Ｗ１は、コレクタ電流の増加にともなって上昇するように変化しており、コレクタ電流の減少によりＮＦ特性が向上し、コレクタ電流の増加によりＮＦ特性が悪化することを示している。また、歪み特性を示す破線Ｗ２は、コレクタ電流の増加にともなって上昇するように変化しており、コレクタ電流の減少により歪み特性が悪化し、コレクタ電流の増加により歪み特性が向上することを示している。

すなわち、高周波信号の信号レベルが低くＮＦ特性が重視される弱電界受信時には、コレクタ電流をＩｃ１まで減少させることにより最適なＮＦ特性を得ることができる。このとき、コレクタ電流の減少により歪み特性に多少影響するが、弱電界受信時に問題のない程度となっている。また、高周波信号の信号レベルが高く歪み特性が重視される強電界受信時には、コレクタ電流をＩｃ２まで増加させることにより最適な歪み特性を得ることができる。このとき、コレクタ電流の増加によりＮＦ特性に多少影響するが、強電界受信時に問題のない程度となっている。

次に、図４から図８を参照して、図２に示す高周波増幅器を回路モデルとしてシミュレーションした結果について説明する。

図４は、ゲインコントロール電圧を１．０［Ｖ］から５．０［Ｖ］まで、１．０［Ｖ］毎に増加させたときのゲイン特性を示す図である。なお、図４に示される波形においては、上から順にゲインコントロール電圧が１．０［Ｖ］、２．０［Ｖ］、３．０［Ｖ］、４．０［Ｖ］、５．０［Ｖ］のゲイン特性を示している。

図４に示すように、各ゲインコントロール電圧において信号周波数が約０．１０［ＧＨｚ］以上でゲインが一定になることを示している。また、ゲインコントロール電圧を１．０［Ｖ］から５．０［Ｖ］まで変化させた場合に、ゲインの変化が０．５［ｄＢ］内に抑えられており、これはコレクタ電流の変化によるゲインへの影響が少ないことを示している。

図５は、ゲインコントロール電圧とコレクタ電流との関係を示す図である。図５に示すように、コレクタ電流はゲインコントロール電圧の増加にともなって減少している。すなわち、増幅用トランジスタＴのエミッタに印加されるゲインコントロール電圧の増加によりコレクタ電流が減少し、増幅用トランジスタＴのエミッタに印加されるゲインコントロール電圧の低下によりコレクタ電流が増加することを示している。

さらに図５は、ゲインコントロール電圧とＮＦ特性との関係をゲインコントロール電圧とコレクタ電流との関係により間接的に示す図である。図５に示すように、コレクタ電流はゲインコントロール電圧の増加にともなって低下している。上記したように、ＮＦ特性はコレクタ電流の減少によって良好な特性を示すため、ゲインコントロール電圧の増加によってＮＦ特性が向上し、ゲインコントロール電圧の減少によってＮＦ特性が悪化することを間接的に示している。

図６は、ゲインコントロール電圧が５［Ｖ］のときの歪み特性を示す図であり、図７はゲインコントロール電圧が１［Ｖ］のときの歪み特性を示す図である。図６に示すように、広帯域増幅器１に２００［ＭＨｚ］および２１０［ＭＨｚ］に２つの信号Ａ１、Ａ２が入力されると１９０［ＭＨｚ］および２２０［ＭＨｚ］に３次歪みＳ１、Ｓ２が生じる。このとき、２００［ＭＨｚ］および２１０［ＭＨｚ］の信号Ａ１、Ａ２は−２０［ｄＢｍ］であり、１９０［ＭＨｚ］および２２０［ＭＨｚ］の３次歪みＳ１、Ｓ２は−９６［ｄＢｍ］である。

そして、ゲインコントロール電圧を５［ｖ］から１［ｖ］に減少させると、図７に示すように、２００［ＭＨｚ］および２１０［ＭＨｚ］の２つの信号Ａ１、Ａ２は、−２０［ｄＢｍ］を保ち、３次歪みＳ１、Ｓ２だけが−１０２．５［ｄＢｍ］に低下している。すなわち、ゲインコントロール電圧の減少により、歪み特性が向上することを示している。

上記したシミュレーション結果が示すように、ゲインコントロール電圧を増加させた場合にはコレクタ電流が減少し、このコレクタ電流の減少によりＮＦ特性が向上する。一方、ゲインコントロール電圧を減少させた場合にはコレクタ電流が増加し、このコレクタ電流の増加により歪み特性が向上する。

以上のように、本実施の形態に係る高周波増幅回路によれば、入力レベルによって増減する検波回路８からのゲインコントロール電圧の印加により、トランジスタＴのコレクタ電流を入力電界レベルに連動して連続的に変化させることができるため、ＮＦ特性が重視される弱電界受信時にはコレクタ電流を減少させて最適なＮＦ特性を得ることができ、歪み特性が重視される強電界受信時にはコレクタ電流を増加させて最適な歪み特性を得ることができる。したがって、高周波信号の信号レベルに高精度に追従させて最適なＮＦ特性および歪み特性を得ることができる。

次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。本発明の第２の実施の形態に係る高周波増幅回路は、上述した第１の実施の形態に係る高周波増幅回路と一部の回路構成が相違している。したがって、特に相違点についてのみ説明する。なお、請求項に記載の高周波増幅回路は、本実施の形態に係る広帯域増幅器２１により構成されている。

図８は、本発明の第２の実施の形態に係る広帯域増幅器の回路構成図である。
図８に示すように、広帯域増幅器２１の増幅回路は、抵抗Ｒ１１、抵抗Ｒ１２、抵抗Ｒ１３、抵抗Ｒ１４、抵抗Ｒ１５、抵抗Ｒ１６、抵抗Ｒ１７、抵抗Ｒ１８、コンデンサＣ１１、コンデンサＣ１２、コンデンサＣ１３、コンデンサＣ１４、チョークコイルＬ１１、チョークコイルＬ１２、定電圧源Ｂ、増幅用トランジスタＴ１、スイッチトランジスタＴ２を備えて構成されている。なお、増幅用トランジスタＴ１はｎｐｎ型トランジスタであり、スイッチトランジスタＴ２はｐｎｐ型トランジスタである。

増幅用トランジスタＴ１のベースは、直流カット用のコンデンサＣ１１を介して入力端２５に接続され、増幅用トランジスタＴ１のコレクタは、直流カット用のコンデンサＣ１２を介して出力端２６に接続されている。また、増幅用トランジスタＴ１のエミッタは、抵抗Ｒ１１および抵抗Ｒ１１に対して並列に接続されたバイパス用のコンデンサＣ１３を介してグランドに接地されている。

増幅用トランジスタＴ１のエミッタと抵抗Ｒ１１とコンデンサＣ１３との接続点には、スイッチトランジスタＴ２のエミッタが接続されており、スイッチトランジスタＴ２のコレクタは抵抗Ｒ１２を介してグランドに接地されている。すなわち、抵抗Ｒ１２は抵抗Ｒ１１に対して並列に接続され、抵抗Ｒ１１および抵抗Ｒ１２はスイッチトランジスタＴ２のエミッタ−コレクタ間の通電状態に応じて合成抵抗が変化される。

また、スイッチトランジスタＴ２のベースには検波回路８の出力端に接続されたゲインコントロール電圧印加ライン２７が接続されており、ゲインコントロール電圧印加ライン２７には、高インピーダンスな高抵抗からなる抵抗Ｒ１３が接続され、抵抗Ｒ１３のスイッチトランジスタＴ２のベース側の一端は抵抗Ｒ１４を介してグランドに接地されている。検波回路８から出力されたゲインコントロール電圧は、ゲインコントロール電圧印加ライン２７を通じて、抵抗Ｒ１３および抵抗Ｒ１４に分圧された後、スイッチトランジスタＴ２のベースに印加される。このとき、ゲインコントロール電圧印加ライン２７におけるゲインコントロール電圧の印加端は高インピーダンスな抵抗Ｒ１３および抵抗Ｒ１２を介してグランドに接続されるため、抵抗Ｒ１３によってグランドに流れる電流を抑制でき、消費電流を抑制することが可能となる。

増幅用トランジスタＴ１のコレクタは、コンデンサＣ１４および抵抗Ｒ１５を直列に接続して構成した負帰還回路を介して増幅用トランジスタＴ１のベースに接続されている。また、コンデンサＣ１４のベース側には、抵抗Ｒ１５に対して並列にチョークコイルＬ１１の一端が接続され、チョークコイルＬ１１の他端は増幅用トランジスタＴ１のベースに接続されている。

定電圧源Ｂは、チョークコイルＬ１２を介して増幅用トランジスタＴ１のコレクタとコンデンサＣ１２との間に接続され、増幅用トランジスタＴ１のコレクタとコンデンサＣ１２との間は、抵抗Ｒ１６および抵抗Ｒ１７を直列に接続して構成した直列回路を介して増幅用トランジスタＴ１のベースに接続される。また、抵抗Ｒ１７および増幅用トランジスタＴ１のベースの接続点とグランドとの間には、抵抗Ｒ１８が接続されている。定電圧源Ｂから出力された電圧は、チョークコイルＬ１２および抵抗Ｒ１６を通じて、抵抗Ｒ１７と抵抗Ｒ１８とで分圧された後、増幅用トランジスタＴ１のベースに入力される。

この広帯域増幅器２１においては、検波回路８からゲインコントロール電圧がスイッチトランジスタＴ２のベースに印加され、印加されるゲインコントロール電圧の大きさによってスイッチトランジスタＴ２のエミッタコレクタ間の導通状態を制御することにより増幅用トランジスタＴ１のコレクタ電流を制御している。

この場合、スイッチトランジスタＴ２のベースに印加されるゲインコントロール電圧が低いと、スイッチトランジスタＴ２のエミッタコレクタ間が導通しにくくなり、並列に接続された抵抗Ｒ１１と抵抗Ｒ１２との合成抵抗が高くなる。また、スイッチトランジスタＴ２のベースに印加されるゲインコントロール電圧が高いと、スイッチトランジスタＴ２のエミッタコレクタ間が導通し易くなり、並列に接続された抵抗Ｒ１１と抵抗Ｒ１２との合成抵抗が低くなる。

例えば、抵抗Ｒ１１が２００［Ω］、抵抗Ｒ１２が３９［Ω］の場合には、スイッチトランジスタＴ２のエミッタコレクタ間が導通しにくくなると、増幅用トランジスタＴ１のエミッタに接続される抵抗が抵抗Ｒ１１の２００［Ω］に近付き、スイッチトランジスタＴ２のエミッタコレクタ間が導通し易くなると、増幅用トランジスタＴ１のエミッタに接続される抵抗が抵抗Ｒ１１と抵抗Ｒ１２の並列抵抗の３２．６［Ω］に近付く。

したがって、スイッチトランジスタＴ２のベースに印加されるゲインコントロール電圧が高いと、抵抗Ｒ１１と抵抗Ｒ１２との合成抵抗が高くなって増幅用トランジスタＴ１のコレクタ電流が減少し、ＮＦ特性が向上する。一方、スイッチトランジスタＴ２のベースに印加されるゲインコントロール電圧が低いと、抵抗Ｒ１１と抵抗Ｒ１２との合成抵抗が低くなって増幅用トランジスタＴ１のコレクタ電流が増加し、歪み特性が向上する。

以上のように、本実施の形態に係る高周波増幅回路によれば、スイッチトランジスタのベースに検波回路８から出力されるゲインコントロール電圧が印加されることにより、並列に接続された抵抗Ｒ１１と抵抗Ｒ１２との合成抵抗を変化させて増幅用トランジスタＴ１のコレクタ電流を連続的に変化させることができるため、高周波信号の信号レベルに高精度に追従させて最適なＮＦ特性および歪み特性を得ることができる。

また、今回開示された実施の形態は、全ての点で例示であってこの実施の形態に制限されるものではない。本発明の範囲は、上記した実施の形態のみの説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。

以上説明したように、本発明は、高周波信号の信号レベルに高精度に追従させて最適なＮＦ特性および歪み特性を得ることができるという効果を有し、特にテレビジョンチューナ等で受信された高周波信号を増幅する高周波増幅回路に有用である。

本発明に係る高周波増幅回路の第１の実施の形態を示す図であり、テレビジョンチューナのブロック図である。 本発明に係る高周波増幅回路の第１の実施の形態を示す図であり、広帯域増幅器の回路構成図である。 本発明に係る高周波増幅回路の第１の実施の形態を示す図であり、コレクタ電流とＮＦ特性および歪み特性との関係を示すグラフである。 本発明に係る高周波増幅回路の第１の実施の形態を示す図であり、ゲインコントロール電圧を１．０［Ｖ］から５．０［Ｖ］まで、１．０［Ｖ］毎に増加させたときのゲイン特性を示す図である。 本発明に係る高周波増幅回路の第１の実施の形態を示す図であり、ゲインコントロール電圧とコレクタ電流との関係を示す図である。 本発明に係る高周波増幅回路の第１の実施の形態を示す図であり、ゲインコントロール電圧が５［Ｖ］のときの歪み特性を示す図である。 本発明に係る高周波増幅回路の第１の実施の形態を示す図であり、ゲインコントロール電圧が１［Ｖ］のときの歪み特性を示す図である。 本発明に係る高周波増幅回路の第２の実施の形態を示す図であり、広帯域増幅器の回路構成図である。

符号の説明

１、２１ 広帯域増幅器（高周波増幅回路）
２ アンテナ同調回路
３ 高周波増幅器
４ 複同調回路
５ 混合器
６ 局部発振器
７ ＩＦフィルタ回路
８ 検波回路（ゲインコントロール回路）
１１、２５ 入力端
１２、２６ 出力端
１３、２７ ゲインコントロール電圧印加ライン
Ｔ、Ｔ１ 増幅用トランジスタ（トランジスタ）
Ｔ２ スイッチトランジスタ
Ｒ１ 抵抗（第１の抵抗）
Ｒ２ 抵抗（第２の抵抗）
Ｒ１１ 抵抗（第３の抵抗）
Ｒ１２ 抵抗（第４の抵抗）
Ｒ１３ 抵抗（第５の抵抗）

Claims (6)

1. 高周波信号が入力され増幅された信号を出力するトランジスタを備え、後段に出力信号レベルを一定レベルに制御するゲインコントロール回路が接続される高周波増幅回路であって、
   前記ゲインコントロール回路から出力されるゲインコントロール電圧に応じて、前記トランジスタのコレクタ電流を連続的に変化させることを特徴とする高周波増幅回路。
2. 前記トランジスタは、コレクタ電流が高周波信号の信号レベルに応じて変化するゲインコントロール電圧で制御され、
   前記高周波信号の信号レベルが高い場合は、前記トランジスタのコレクタ電流が増加し、前記高周波信号の信号レベルが低い場合は、前記トランジスタのコレクタ電流が減少することを特徴とする請求項１に記載の高周波増幅回路。
3. 前記トランジスタのエミッタに、前記ゲインコントロール回路から出力されるゲインコントロール電圧を印加することにより、前記トランジスタのコレクタ電流を連続的に変化させることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の高周波増幅回路。
4. 前記トランジスタのエミッタが第１の抵抗を介してグランドに接続されると共に、
   前記ゲインコントロール電圧が前記トランジスタのエミッタに印加されて前記トランジスタのエミッタの電圧が制御されることを特徴とする請求項３に記載の高周波増幅回路。
5. 前記トランジスタのエミッタに対する前記ゲインコントロール電圧の印加ラインに第２の抵抗が接続され、
   前記トランジスタのエミッタは、前記ゲインコントロール電圧が前記第２の抵抗と前記第１の抵抗とで分圧されて印加されることを特徴とする請求項４に記載の高周波増幅回路。
6. 前記トランジスタのエミッタとグランドとの間に並列に接続された第３、第４の抵抗と、
   前記トランジスタのエミッタと前記第４の抵抗の前記トランジスタ側端部との間に介挿され、エミッタが前記トランジスタのエミッタに接続され、コレクタが前記第４の抵抗に接続された前記トランジスタと接合タイプの異なるスイッチトランジスタと、
   前記スイッチトランジスタのベースと前記ゲインコントロール回路との間に接続された高インピーダンスな第５の抵抗とを備え、
   前記スイッチトランジスタのベースに、前記ゲインコントロール回路から出力されるゲインコントロール電圧を前記第５の抵抗を介して印加することにより、前記トランジスタのコレクタ電流を連続的に変化させることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の高周波増幅回路。
   

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