CN112074746A - 用于测试系统的处理器更换套件 - Google Patents

用于测试系统的处理器更换套件 Download PDF

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乔纳森·哈内斯·威廉姆斯
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Abstract

一种示例性系统包括:容器,该容器用于容纳被测器件(DUT);天线,该天线用于与该DUT交换信号,其中该信号中的至少一些信号用于执行该DUT的辐射测试;和盖,该盖被配置为与该容器配合以形成用于包封该DUT的壳体。该壳体用于以物理地或电磁地中的至少一种将该DUT隔离。

Description

用于测试系统的处理器更换套件
技术领域
本说明书整体涉及用于诸如自动测试设备(ATE)的测试系统的处理器更换套件。
背景技术
诸如ATE的测试系统可被配置为对诸如计算机芯片的电子器件执行传导测试。在示例中,器件接口板(DIB)包括与测试系统交接的特定于客户的硬件。DIB可包括多个插座,该多个插座中的每个插座可保持单独的电子器件,并使得测试系统能够向该电子器件发送信号以及从该电子器件接收信号。信号可用于测试电子器件的操作以及用于其他合适的目的。以这种方式进行的测试可被称为传导测试,因为电子器件与DIB之间进行的连接是传导连接(例如,该连接可以是金属对金属),从而使得信号能够经由DIB在测试系统和电子器件之间流动。
与传导测试相反,辐射测试涉及使用无线传输的信号进行测试。例如,辐射测试可用于测试电子器件上的射频(RF)天线、微波天线或其他类型的天线的操作。辐射测试也可适当地用于测试电子器件的除天线以外的部件。
发明内容
一种示例性系统包括:容器,该容器用于容纳被测器件(DUT);天线,该天线用于与该DUT交换信号,其中该信号中的至少一些信号用于执行该DUT的辐射测试;和盖,该盖被配置为与该容器配合以形成用于包封该DUT的壳体。该壳体用于以物理地或电磁地中的至少一种将该DUT隔离。示例性系统可包括下列特征中的一个或多个(单独地或组合地)。
该系统可被配置为连接到测试系统的器件接口板(DIB)。该DIB可包括用于接纳该DUT的插座。该DIB可包括用于接纳一个或多个其他DUT的一个或多个其他插座。该壳体可用于将该DUT与该一个或多个其他DUT隔离。该DIB可包括传统DIB,该传统DIB也可配置用于在不存在该壳体的情况下并且在辐射测试的环境之外使用。该壳体可用于将该DUT与以下项中的一者或多者物理地和电磁地隔离:其他DUT、介电材料、金属材料、磁性材料或电磁信号。
该盖可包括柱塞,该柱塞能够在该容器内移动以向该DUT施加压力,从而使该DUT连接到测试插座。该系统可被配置为连接到测试系统,该测试系统包括用于接纳该DUT的插座。该天线可被布置到该插座的一侧。该天线可包括多个天线。该多个天线中的每个天线可被布置到该插座的一侧。该天线可布置在该DUT或该DIB中的至少一者的下方。该插座可为该DIB的一部分。该天线可位于该DUT下方。该天线可位于该DIB下方。该天线可为该DIB的一部分。
该DUT可具有包括电连接件的表面。该盖可包括柱塞,该柱塞被配置为通过包含该电连接件的该表面保持该DUT并且安装该DUT,使得该电连接件背离该插座。该系统可包括一个或多个电导管以连接到该电连接件。该系统可被配置为连接到测试系统,该测试系统包括用于接纳该DUT的插座。
该盖可包括柱塞以接触该DUT。该天线可布置在该柱塞内。该柱塞可位于该插座正上方,并且可被配置为在该容器内相对于该插座移动。该柱塞可包括具有一种或多种电特性的材料。该一个或多个电特性可包括介电常数、磁导率或电导率的范围。该材料可至少部分地包括聚醚醚酮(PEEK)。该柱塞可沿着该柱塞的纵向尺寸的至少一部分具有多个孔。该柱塞可沿着该柱塞的纵向尺寸的至少一部分具有单个孔。该柱塞可沿着该柱塞的纵向尺寸的至少一部分为中空的。该柱塞可包括用于在输送到该容器期间经由抽吸来保持该DUT的真空通道。
该壳体的内部可至少部分地衬有用于抑制回声的材料。该壳体可被配置为容纳该DUT和至少一个其他DUT。该DUT可通过具有不同频带的信号与该至少一个其他DUT电磁地隔离。与该DUT交换的信号可在第一频带中,与该至少一个其他DUT交换的信号可在至少一个第二频带中,并且该第一频带可不同于该至少一个第二频带。
该系统可为被配置为连接到测试系统的DIB的处理器更换套件的一部分。该DIB可包括被配置用于执行非辐射测试的测试插座。该处理器更换套件可用于调整该测试插座中的至少一个测试插座以对该DUT执行辐射测试。
一种示例性系统包括用于交接到测试系统的DIB,其中该DIB包括插座,该插座中的每个插座用于接纳DUT。该示例性系统还包括:插座,该插座中的每个插座用于该插座中的一个不同的插座;和天线,该天线中的每个天线与该插座中的一个不同的插座相关联。每个天线用于与插座中的DUT交换信号。信号中的至少一些信号用于执行该插座中的该DUT的辐射测试。该示例性系统包括盖,该盖被配置为与该容器配合,以形成用于并包封该DUT中的每个DUT的单独壳体。每个单独壳体以物理地或电磁地中的至少一种将包封在该壳体中的DUT隔离。示例性系统可包括下列特征中的一个或多个(单独地或组合地)。
盖可包括一个或多个柱塞,该一个或多个柱塞中的每个柱塞用于将DUT保持在单独插座中并接触该DUT。对于该单独壳体中的壳体,该天线中的天线可位于该DIB上的插座的一侧。对于该单独壳体中的壳体,该天线中的天线可位于该DIB上的DUT的下方。对于该单独壳体中的壳体,该天线中的天线可位于该DIB上的插座的正上方。
盖可包括用于每个单独壳体的柱塞。该柱塞可沿着该柱塞的纵向尺寸的至少一部分具有多个孔。该柱塞可沿着该柱塞的纵向尺寸的至少一部分具有单个孔。该柱塞可沿着该柱塞的纵向尺寸的至少一部分为中空的。每个单独壳体可用于以物理地或电磁地中的至少一种将包封在该壳体中的DUT与该壳体中的其他壳体中的其他DUT隔离。该系统可为更换套件的一部分,该更换套件被配置为调整该DIB的该插座以对该DUT执行辐射测试。
本说明书(包括此发明内容部分)中所描述的特征中的任何两个或更多个可组合在一起以形成本文未具体描述的具体实施。
本文所述的系统和技术、或其一部分可被实现为使用计算机程序产品和/或被计算机程序产品控制,该计算机程序产品包括存储于一个或多个非暂态机器可读存储介质上的指令,并且该指令可在一个或多个处理装置上执行以控制(例如,协调)本文所描述的操作。本文所述的系统和技术、或其一部分可被实现为设备、方法或电子系统,所述设备、方法或电子系统可包括一个或多个处理装置以及存储用于实现各种操作的可执行指令的存储器。
附图和以下具体实施方式中陈述了一个或多个具体实施的详细信息。通过所述具体实施和附图以及通过权利要求书,其他特征结构、对象和优点将显而易见。
附图说明
由图1A和图1B组成的图1示出了示例性处理器更换套件的侧视图和剖切透视图。
图2示出了示例性处理器更换套件的分解透视图。
图3A、图3B和图3C以透明透视图示出了与示例性处理器更换套件一起使用的示例性柱塞配置。
图4、图5、图6、图7和图8以透明透视图示出了具有不同天线配置的示例性处理器更换套件的部件。
图9以透明透视图示出了包含多个壳体的示例性处理器更换套件的部件。
不同图中的类似附图标记指示类似元件。
具体实施方式
本文描述了用于诸如自动测试设备(ATE)的测试系统的处理器更换套件的示例性具体实施。处理器更换套件可被配置用于与DIB或其他适当的测试系统硬件一起使用。在示例中,DIB可被构造为支持诸如计算机芯片的电子器件的传导测试。例如,DIB可包含多个插座,每个插座用于保持待测试电子器件。在示例中,插座包括顺应性触点和用于被测器件(DUT)的机械引导件,该顺应性触点提供与DUT底部上的触点的直接电连接以提供电力和控制。DIB还可包括接口硬件、过孔和其他适当的电路,以在电子器件和基础测试系统之间形成电接口。信号可在测试系统和电子器件之间传递,从而使得测试系统能够测试电子器件。
处理器更换套件将DIB(其可被构造成仅支持传导测试)配置成也支持辐射测试。例如,处理器更换套件的全部或部分可安装在DIB上,在一些具体实施中安装在其插座上方,以将DIB配置成支持辐射测试。因此,使用处理器更换套件,传统DIB(其可被构造成仅实施传导测试)也可适于执行辐射测试。同一DIB可用于执行传导测试和辐射测试两者。这可节省执行测试时的测试时间(例如,无需关闭DIB)和成本。
在一些具体实施中,处理器更换套件是包括用于容纳DUT的容器的系统。例如,如本文所述,容器可放置在DIB上的插座的上方。盖被配置为与容器配合以形成用于包封DUT的壳体。该壳体用于以物理地或电磁地中的至少一种将该DUT隔离。例如,DUT可与以下项中的一者或多者物理地、电磁地或物理地和电磁地隔离:其他DUT、介电材料、金属材料、磁性材料或杂散无线电磁信号。壳体还被配置为全部或部分地限制信号(包括用于DUT的辐射测试的无线电磁信号)。在壳体附近包括一个或多个天线,用于与DUT交换此类信号以便执行DUT的辐射测试。例如,天线可位于壳体内部。
在示例中,测试位点包括基于DUT的所有处理器更换套件硬件的组合,例如,测试位点包括壳体、盖和柱塞。测试位点还包括处理器更换套件下的DIB上的插座。
图1和图2示出了处理器更换套件的示例性具体实施。并非所有部件都在这两个图中示出。部件10包括但不限于容器11、盖12、可以是盖的一部分的柱塞14、以及一个或多个天线13。如此前所述,容器可与DIB 23配合并且完全或部分地包封DIB上的测试插座20,该测试插座也被配置为执行电子器件的非辐射测试。在一些具体实施中,容器11包围插座,并且仅在其顶部具有开口以接纳柱塞和盖。盖12可相对于容器11移动。具体地,盖12可在容器11上方移动并与容器接触。当接触时,盖12与容器11配合以形成壳体,该壳体包封插座20并因此包封插座20中的DUT。
示例性盖12包括诸如柱塞14的拾取元件。在该示例中,柱塞14包括臂15和吸盘16;然而,拾取元件可包括任何适当的部件。在操作中,柱塞14取回DUT 19并将该DUT移动到由容器11包封的DIB 23上的插座20。可使用任何适当的机器人或机器人系统(例如,取放机器人)来保持和移动盖和柱塞组合。例如,机器人可移动盖和柱塞组合,以使吸盘16接触待测试器件(DUT)。如图1和图2所示,吸盘下方的真空使得DUT粘附到吸盘。因此,当盖和柱塞组合移动时,DUT仍粘附到吸盘。
将盖和柱塞组合移动到适当位置,使得DUT位于插座20上方,并且使得盖12位于容器11上方。盖和柱塞组合朝向插座和容器移动,直到盖接触容器并且DUT与插座接触。例如,盖12可首先接触容器以形成壳体。在这种情况下,柱塞14可在盖12内并穿过盖向下移动,直到DUT在插座中固定就位。在一些具体实施中,DUT足够紧密地保持在插座中,以允许柱塞与DUT分离而DUT不会与插座分离。在一些具体实施中,柱塞在测试期间保持与DUT接触,并且被配置为在测试之后使DUT与插座分离,以便从插座移除DUT。
在一些具体实施中,DUT电连接到插座20中的电触点。可以经由那些连接执行传导测试。因此,DUT可同时经受传导测试和辐射测试两者。在一些具体实施中,DIB是传统DIB,其也可被配置用于在不存在壳体的情况下以及在辐射测试的环境之外使用。如上所述,DIB可用于对DUT执行传导测试,并且可被配置为使用本文所述的处理器更换套件也对DUT执行辐射测试。
壳体至少部分地限定包围DUT的体积。即,在一些具体实施中,壳体不接触DUT,而是限定了包封DUT的腔室25。腔室将无线电磁信号全部或部分地限制在其内部。如本文所述,这些信号用于对DUT执行辐射测试。在一些具体实施中,腔室至少部分是消声的。例如,腔室的内壁(例如,壳体的内部,包括盖12的下侧24)可衬有一种或多种适当的材料,以抑制(例如消除或减少)腔室内的无线电磁信号的回声。可以使用任何适当的材料来抑制回声。此类材料的示例包括但不限于载碳空气基泡沫、载碳橡胶和载磁材料。在一些具体实施中,壳体可被密封以减少信号损失或减少腔室内的信号干扰。在一些具体实施中,壳体可被屏蔽免受电磁(EM)干扰。在一些具体实施中,壳体防止EM信号进入壳体或防止EM信号离开壳体。在一些具体实施中,壳体也可是气密的。因此,壳体可物理地、电磁地或物理地和电磁地隔离对应的DUT。
在一些具体实施中,壳体(在一些具体实施中至少包括容器和盖)可由金属制成;然而,该系统不限于使用金属壳体。可使用任何适当类型的金属或其他材料。在一些具体实施中,柱塞14全部或部分地由非导电材料制成。在一些具体实施中,至少柱塞14的延伸到腔室25中的部分由非导电材料制成,以便减少对腔室中的信号的干扰。在一些具体实施中,柱塞包括在适当范围内具有一种或多种电特性的材料,以减少信号干扰。此类电特性包括但不限于介电常数、磁导率、电导率或介电常数、磁导率和/或电导率的某种组合。在一些具体实施中,柱塞可由聚醚醚酮(PEEK)制成或至少部分地包括聚醚醚酮(PEEK)。然而,柱塞不限于包含PEEK的组合物;可使用任何适当的材料来实施该柱塞。
在一些具体实施中,可减少柱塞中的材料的量,从而减少腔室内除空气以外的材料的量。材料的这种减少可通过减少信号干扰来促进腔室内的信号完整性。在图3A、图3B和图3C中示出了不同柱塞配置的示例。然而,该系统并不限于使用具有这些配置的柱塞;可使用任何适当的柱塞配置。在图3A、图3B和图3C的每个图中,盖12包括柱塞以接触DUT,如本文所述。柱塞能够穿过盖12并相对于盖移动,以便向DUT施加压力或使DUT与插座分离,同时例如盖保持与容器11接触以形成壳体。在图3A的示例中,柱塞14A沿着柱塞的全部或部分纵向尺寸具有多个孔。在这种情况下,纵向尺寸由箭头26表示。在图3B的示例中,柱塞14B沿着柱塞的全部或部分纵向尺寸具有单个孔。在图3C的示例中,柱塞14C沿着柱塞的全部或部分纵向尺寸是中空的。在图3C中,柱塞的结构部分可足够厚以支撑保持DUT所需的压力、迫使DUT在插座处接触以及从插座移除DUT。在一些具体实施中,柱塞的顶部被覆盖,使得孔不将壳体的内部(腔室25)暴露于外部环境,但是这不是必须的。
处理器更换套件可以将DIB配置为以向下触点配置或向上触点配置测试DUT。在这方面,示例性DUT在一个表面上具有电触点,以用于与DIB或其他器件上的对应电触点进行电连接。DUT的相对的表面通常包括封装件,并且不包含电触点。在一些具体实施中,柱塞可接触包含封装件的表面,使得触点面朝下或背对吸盘,并且能够与DIB的插座上的对应电触点接合。在一些具体实施中,柱塞可接触包含触点的表面,使得触点面朝上或面向吸盘。在这种情况下,柱塞(例如,柱塞的吸盘)可接触DUT不含触点的部分。因为触点是面朝上的,所以当DUT放在插座中时,可使用POP型插座来实现连接,该插座提供DUT的插座侧的触点。利用这些类型的插座,底部插座接触DIB,顶部插座具有通过底部插座与DIB形成的连接并且在盖闭合时在DUT的远离DIB的一侧建立连接。在一些具体实施中,这种类型的插座从DIB获取连接,并将该连接传递至盖,然后传递至DUT。
无线电磁信号经由一个或多个测试天线引入到腔室25中,该测试天线可位于腔室内部或腔室外部的适当位置处。从这些测试天线发出的无线电磁信号可用于测试DUT上的天线或DUT上任何其他适当的电路。例如,从一个或多个测试天线发送的信号可由一个或多个DUT天线接收。然后,可经由DUT的天线或经由测试插座上的电触点从DUT发送对这些信号的响应。在任何情况下,测试系统或测试仪器可分析这些响应,以确定DUT天线是否正常工作、DUT是否正常工作、DUT的某些参数是否在可接受范围内等。测试天线可以是处理器更换套件的一部分,并且可结合在DUT或DIB上方、上、中或下方的各种位置处。可使用任何适当数量的测试天线。
图4、图5、图6、图7和图8示出了处理器更换套件30的部件的示例,该处理器更换套件可以是图1和图2所示的类型。处理器更换套件30包括位于DIB 33上方的盖31和柱塞32。在这些图中省略了容器的部分。天线中的每个天线都可与测试仪器建立有线或无线连接。
参照图4,在一些具体实施中,一个或多个测试天线38可位于DIB内。参照图5,在一些具体实施中,一个或多个测试天线38可位于DIB的下方。在此示例中,天线位于测试仪器中;然而,这不是必须的。参照图6,在一些具体实施中,一个或多个测试天线38可位于DUT下方(在图6中所示,位于被配置为接纳并保持DUT的插座39的下方)。例如,DUT可与DIB上的插座39配合,并且测试天线可位于DUT下方的任何适当位置处。参照图7,在一些具体实施中,一个或多个测试天线38可位于DUT或柱塞的任一侧。例如,如图7所示,处理器更换套件可包括两个测试天线。两个测试天线中的一个测试天线可位于DUT/测试插座的一侧,而两个测试天线中的另一个测试天线可位于DUT/测试插座的另一侧,例如,相对侧或相邻侧。参照图8,在一些具体实施中,一个或多个测试天线38可位于柱塞内。例如,柱塞内的测试天线可以被配置为承受柱塞进行其使用的运动并伴随着运动而操作。在一些具体实施中,每个天线是定位成靠近DUT以减小腔室尺寸的低增益天线。处理器更换套件不限于所提及的天线位置或天线的数量;可使用任何适当的位置或数量。
尽管已经描述了用于DIB测试插座的单个处理器更换套件,但DIB可以包括一个或多个其他插座以接纳一个或多个其他DUT。每个DIB测试插座可适当地容纳本文所述类型的单独的处理器更换套件。如本文所述,每个处理器更换套件可以物理地、电磁地、或物理地和电磁地隔离对应的DUT。
在一些具体实施中,诸如图2的腔室25的单个腔室可以包封两个或更多个测试插座。在这些示例中,可在一个或多个盖中采用多个柱塞以将DUT安装到插座中。在这些示例性系统中,隔离不是物理的,而是电磁的。例如,可以在第一频带中与一个DUT交换信号,并且可以在不同于第一频带的至少一个第二频带中与至少一个其他DUT交换信号。因此,通过使用不同频带中的信号,将单个腔室中的DUT彼此电磁隔离。即,一个DUT可以仅识别一个频带中的信号,而另一DUT可以仅识别不同频带中的信号。这样,可以在同一腔室内对不同的DUT执行电磁测试。
在一些具体实施中,处理器更换套件是系统的包括用于与测试系统(诸如ATE)交接的DIB的部分。DIB包括多个插座,插座中的每个插座用于接纳DUT。该系统包括多个插座,该多个插座中的每个插座用于插座中的一个不同的插座。该系统包括天线。天线中的每个天线与插座中的一个不同的插座相关联,并且每个插座可以包括多于一个天线。每个天线用于与插座中的DUT交换信号。如本文所述,信号中的至少一些信号用于对插座中的DUT执行辐射(即非传导)测试。一个或多个盖(例如,单个盖)被配置为与插座配合,以形成用于并包封DUT中的每个DUT的单独壳体。盖可包括一个或多个柱塞,诸如用于每个容器的一个柱塞。可以使用不同的致动机构或使用单个致动机构来致动多个柱塞。如本文所述,每个单独壳体以物理地或电磁地中的至少一种隔离包封在壳体中的DUT。图9示出了上述类型的示例性处理器更换套件40。处理器更换套件可包括本文所述的任何适当的特征部,包括相对于图1至图8所述的那些特征部。
在图9的示例中,处理器更换套件40包括容器45和46,它们单独地并分别包封DIB47的多个测试插座42和43。如图所示,容器可以是单个连续结构或多个单独的容器。尽管示出了两个测试插座,但可以包封任意适当数量的测试插座。处理器更换套件40包括盖60和61,在这些盖与本示例中的插座45和46配合时,分别形成两个单独壳体,这些壳体可以物理地和电磁地隔离其中包含的DUT。每个壳体可以适当地具有本文描述的壳体的任何特征部,诸如包括容器11和盖12的壳体。在该示例中,盖60包括柱塞51,并且盖61包括柱塞52,如本文所述,每个柱塞用于保持DUT并将DUT放置在DIB上的对应测试插座中。每个柱塞可以具有相同或不同的配置。柱塞的示例性配置包括但不限于图3A、图3B和图3C中所示的那些配置。
如上所述,DUT放置在DIB插座中可以是触点向下或触点向上。柱塞可以适当地单独地或同步地致动。如本文所述,由盖和盖之间的接触形成的每个壳体可以包括一个或多个天线。每个壳体可以具有以相同配置或不同配置放置的天线。示例性天线配置包括但不限于图4、图5、图6、图7和图8所示的那些配置。例如,在每个壳体中,每个天线可以位于DIB上的插座的一侧,或者天线可以位于DUT下方、DIB下方、DUT上方、DIB上方、DIB内或壳体内部或外部的任何其他适当位置。如本文所述,每个柱塞可具有多个孔、单个孔或沿着柱塞的纵向尺寸的至少一部分是中空的。每个壳体用于将包封在壳体中的DUT以物理地或电磁地中的至少一种与壳体中的其他壳体中的其他DUT进行隔离。
本文所述的示例性测试系统可使用包括硬件或硬件和软件的组合的一个或多个计算机系统来实现并且/或者被该一个或多个计算机系统来控制。例如,用于测试DUT的系统可包括各种控制器和/或处理装置,它们位于系统中的各点处以控制自动化元件的操作。中央计算机可协调在各种控制器或处理装置中的操作。中央计算机、控制器和处理装置可执行各种软件例程来实现对各种自动化元件的控制和协调。
本文所述的示例性系统可至少部分地使用一个或多个计算机程序产品来控制,所述计算机程序产品例如为一个或多个信息载体(诸如一个或多个非暂态机器可读介质)中有形地体现的一个或多个计算机程序,用于由一个或多个数据处理设备执行或控制一个或多个数据处理设备的操作,所述数据处理设备例如为可编程处理器、计算机、多台计算机和/或可编程逻辑部件。
计算机程序可采用任何形式的编程语言编写,包括编译或解释语言,并且其可以任何形式部署,包括作为独立程序或作为模块、部件、子程序或适用于计算环境中的其他单元。计算机程序可被部署成在一台计算机上或者在一个插座处或分布在多个插座并且通过网络互连的多台计算机上执行。
与实现全部或部分测试相关联的动作可通过一个或多个可编程处理器进行,该处理器执行一个或多个计算机程序来进行本文所述的一些功能。全部或部分测试可使用专用逻辑电路例如FPGA(现场可编程门阵列)和/或ASIC(专用集成电路)来实现。
适用于计算机程序执行的处理器包括(举例来说)通用和专用微处理器两者,以及任何种类数字计算机的任何一个或多个处理器。通常,处理器将从只读存储区或随机存取存储区或这二者接收指令和数据。计算机(包括服务器)的元件包括用于执行指令的一个或多个处理器以及用于存储指令和数据的一个或多个存储区装置。通常,计算机还将包括(或者可操作地耦接以从其接收数据或向其传输数据或这二者)一个或多个机器可读存储介质,诸如用于存储数据的大容量存储装置,例如,磁盘、磁光盘或光盘。适于体现计算机程序指令和数据的机器可读存储介质包括所有形式的非易失性存储区,包括(以举例的方式)半导体存储区装置,例如,EPROM、EEPROM和快闪存储区装置;磁盘,例如内部硬盘或可移动磁盘;磁光盘;以及CD-ROM和DVD-ROM盘。
如本文所用,任何“电连接”可暗指直接的物理连接,或者包括或不包括中间部件但仍允许电信号在所连接的部件之间流动的有线或无线连接。除非另有说明,否则无论是否用“电”来修饰术语“连接”,任何涉及允许信号流动的电路的“连接”均为电连接,而不一定是直接的物理连接。
本文所述的不同具体实施的元件可组合在一起以形成未在上面具体阐明的其他实施方案。多个元件可被排除在本文所述的结构之外而不对其操作产生不利影响。此外,各单独元件可组合为一个或多个单个元件来进行本文所述的功能。

Claims (35)

1.一种系统,所述系统包括:
容器,所述容器用于容纳被测器件(DUT);
天线,所述天线用于与所述DUT交换信号,所述信号中的至少一些信号用于执行所述DUT的辐射测试;和
盖,所述盖被配置为与所述容器配合以形成用于包封所述DUT的壳体,所述壳体用于以物理地或电磁地中的至少一种将所述DUT隔离。
2.根据权利要求1所述的系统,其中所述系统被配置为连接到测试系统的器件接口板(DIB),所述DIB包括用于接纳所述DUT的插座,所述DIB包括用于接纳一个或多个其他DUT的一个或多个其他插座,所述壳体用于将所述DUT与所述一个或多个其他DUT隔离。
3.根据权利要求2所述的系统,其中所述DIB包括传统DIB,所述传统DIB也可配置用于在不存在所述壳体的情况下并且在辐射测试的环境之外使用。
4.根据权利要求1所述的系统,其中所述壳体用于将所述DUT与以下项中的一者或多者物理地和电磁地隔离:其他DUT、介电材料、金属材料或磁性材料。
5.根据权利要求1所述的系统,其中所述盖包括柱塞,所述柱塞能够在所述容器内移动以向所述DUT施加压力,从而使所述DUT连接到测试插座。
6.根据权利要求1所述的系统,其中所述系统被配置为连接到测试系统,所述测试系统包括用于接纳所述DUT的插座;并且
其中所述天线被布置到所述插座的一侧。
7.根据权利要求1所述的系统,其中所述系统被配置为连接到测试系统,所述测试系统包括用于接纳所述DUT的插座;并且
其中所述天线包括多个天线,所述多个天线中的每个天线被布置到所述插座的一侧。
8.根据权利要求1所述的系统,其中所述系统被配置为连接到测试系统,所述测试系统包括用于接纳所述DUT的插座;并且
其中所述天线布置在所述DUT或所述DIB中的至少一者的下方。
9.根据权利要求8所述的系统,其中所述插座为器件接口板(DIB)的一部分,所述天线位于所述DUT下方。
10.根据权利要求8所述的系统,其中所述插座为器件接口板(DIB)的一部分,所述天线位于所述DIB下方。
11.根据权利要求8所述的系统,其中所述插座为器件接口板(DIB)的一部分,所述天线为所述DIB的一部分。
12.根据权利要求8所述的系统,其中所述DUT具有包括电连接件的表面,所述盖包括柱塞,所述柱塞被配置为通过包含所述电连接件的所述表面保持所述DUT并且安装所述DUT,使得所述电连接件背离所述插座;并且
其中所述系统包括一个或多个电导管以连接到所述电连接件。
13.根据权利要求1所述的系统,其中所述系统被配置为连接到测试系统,所述测试系统包括用于接纳所述DUT的插座;
其中所述盖包括柱塞以接触所述DUT;并且
其中所述天线布置在所述柱塞内。
14.根据权利要求13所述的系统,其中所述柱塞位于所述插座的正上方,并且被配置为在所述容器内相对于所述插座移动。
15.根据权利要求1所述的系统,其中所述盖包括柱塞以接触所述DUT;并且
其中所述柱塞包括具有一种或多种电特性的材料。
16.根据权利要求15所述的系统,其中所述一个或多个电特性包括介电常数、磁导率或电导率的范围。
17.根据权利要求15所述的系统,其中所述材料至少部分地包含聚醚醚酮(PEEK)。
18.根据权利要求1所述的系统,其中所述盖包括柱塞以接触所述DUT;并且
其中所述柱塞沿着所述柱塞的纵向尺寸的至少一部分具有多个孔。
19.根据权利要求1所述的系统,其中所述盖包括柱塞以接触所述DUT;并且
其中所述柱塞沿着所述柱塞的纵向尺寸的至少一部分具有单个孔。
20.根据权利要求1所述的系统,其中所述盖包括柱塞以接触所述DUT;并且
其中所述柱塞沿着所述柱塞的纵向尺寸的至少一部分是中空的。
21.根据权利要求1所述的系统,其中所述壳体的内部至少部分地衬有用于抑制回声的材料。
22.根据权利要求1所述的系统,其中所述柱塞包括用于在输送到所述容器期间经由抽吸来保持所述DUT的真空通道。
23.根据权利要求1所述的系统,其中所述壳体被配置为容纳所述DUT和至少一个其他DUT,所述DUT通过具有不同频带的信号与所述至少一个其他DUT电磁地隔离。
24.根据权利要求23所述的系统,其中与所述DUT交换的信号在第一频带中,与所述至少一个其他DUT交换的信号在至少一个第二频带中,并且所述第一频带不同于所述至少一个第二频带。
25.根据权利要求1所述的系统,其中所述系统为被配置为连接到测试系统的器件接口板(DIB)的更换套件的一部分,所述DIB包括被配置用于执行非辐射测试的测试插座,所述更换套件用于调整所述测试插座中的至少一个测试插座以对所述DUT执行辐射测试。
26.一种系统,所述系统包括:
器件接口板(DIB),所述DIB用于交接到测试系统,所述DIB包括插座,所述插座中的每个插座用于接纳被测器件(DUT);
容器,所述容器中的每个容器用于所述插座中的一个不同的插座;
天线,所述天线中的每个天线与所述插座中的所述一个不同的插座相关联,每个天线用于与插座中的DUT交换信号,所述信号中的至少一些信号用于执行所述插座中的所述DUT的辐射测试;并且
盖,所述盖被配置为与所述容器配合,以形成用于并包封所述DUT中的每个DUT的单独壳体,每个单独壳体以物理地或电磁地中的至少一种将包封在所述壳体中的DUT隔离。
27.根据权利要求26所述的系统,其中所述盖包括一个或多个柱塞,所述一个或多个柱塞中的每个柱塞用于将DUT保持在单独插座中并接触所述DUT。
28.根据权利要求26所述的系统,其中对于所述单独壳体中的壳体,所述天线中的天线位于所述DIB上的插座的一侧。
29.根据权利要求26所述的系统,其中对于所述单独壳体中的壳体,所述天线中的天线位于所述DIB上的DUT的下方。
30.根据权利要求26所述的系统,其中对于所述单独壳体中的壳体,所述天线中的天线位于所述DIB上的插座的正上方。
31.根据权利要求26所述的系统,其中所述盖包括用于每个单独壳体的柱塞,所述柱塞沿着所述柱塞的纵向尺寸的至少一部分具有多个孔。
32.根据权利要求26所述的系统,其中所述盖包括用于每个单独壳体的柱塞,所述柱塞沿着所述柱塞的纵向尺寸的至少一部分具有单个孔。
33.根据权利要求26所述的系统,其中所述盖包括用于每个单独壳体的柱塞,所述柱塞沿着所述柱塞的纵向尺寸的至少一部分为中空的。
34.根据权利要求26所述的系统,其中每个单独壳体用于以物理地或电磁地中的至少一种将包封在所述壳体中的DUT与所述壳体中的其他壳体中的其他DUT隔离。
35.根据权利要求26所述的系统,其中所述系统为更换套件的一部分,所述更换套件被配置为调整所述DIB的所述插座以对所述DUT执行辐射测试。
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