CN112011788A - 硅异质结太阳能电池本征非晶硅膜层的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种硅异质结太阳能电池本征非晶硅膜层的制备方法，包括：提供硅片衬底到反应器腔室中；提供含硅和氢的第一气体到所述反应器腔室中进行第一等离子气相沉积；对所述第一等离子气相沉积后的所述反应器腔室进行抽真空；提供含氢的第二气体到所述反应器腔室进行第二等离子气相沉积；其中在所述反应器腔室中进行第一等离子体化学气相沉积的过程中，所述反应器腔室中的两个电极相向运动。本技术方案在工艺过程中可以一步完成，反应器腔室不用破空，非晶硅膜层成膜均匀，提升了工艺效率，提高了产量，降低生产成本，有利于改善硅片表面钝化效果，并提升电池短路电流密度。

Description

硅异质结太阳能电池本征非晶硅膜层的制备方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种硅异质结太阳能电池本征非晶硅膜层的制备方法。
背景技术
硅异质结太阳能电池由多种膜层构成，存在多种异质材料界面，其中，在硅异质结太阳能电池的制备过程中，对非晶硅和单晶硅(a-Si:H/c-Si)界面的钝化成为硅异质结太阳能电池的核心技术之一。钝化处理可以对硅片表面的悬挂键等表面缺陷进行处理，降低表面活性，从而降低少数载流子表面复合的速率，以获得较长的少子寿命，增强硅异质结太阳能电池的性能。提升a-Si:H/c-Si界面钝化效果的工艺有提高硅烷的解离度、降低本征层沉积温度或在非晶硅向微晶硅转化区沉积高质量的钝化膜层等方式。但是，目前提升a-Si:H/c-Si界面钝化的工艺窗口比较窄，存在工艺较复杂或难以稳定控制的问题。因此，如何采用一种易于实现且易于控制的方式来提高a-Si:H/c-Si界面的钝化效果，是本领域亟需解决的技术问题。
常规的硅异质结太阳能电池工艺流程为：硅片制绒清洗、沉积非晶硅薄膜、沉积TCO导电透明薄膜、丝网印刷。其中非晶硅薄膜由本征非晶硅、掺杂非晶硅组成。本征非晶硅对硅片界面钝化效果较好,其钝化效果主要是通过抑制晶硅表面的外延生长、利用膜层内H原子钝化晶硅界面悬空键来实现。正常生产中，常采用两步法制备本征非晶硅，其中第一层采用高沉积速率，缺陷较多，用来抑制晶硅外延生长，第二层采用低沉积速率，膜层质量较好，膜层内H含量较多。通过结合两层特点,可使钝化效果达到最佳。但是在工艺生产中两步法制备本征非晶硅膜层沉积工艺复杂，不容易实现工业化生产。
发明内容
为了解决现有技术中硅片界面少数载流子复合率高，本征非晶硅膜层稳定性差，不易进行工业化生产的技术的问题，本发明目的是提供一种硅异质结太阳能电池本征非晶硅膜层的制备方法。具体的技术方案如下：
一种硅异质结太阳能电池本征非晶硅膜层的制备方法，包括：
提供硅片衬底到反应器腔室中；
提供含硅和氢的第一气体到反应器腔室中进行第一等离子气相沉积；
对所述第一等离子气相沉积后的所述反应器腔室进行抽真空；
提供含氢的第二气体到所述反应器腔室进行第二等离子气相沉积；
其中在所述反应器腔室中进行第一等离子体化学气相沉积的过程中，所述反应器腔室中的两个电极相向运动。
可选的，两个所述电极的极间距由100mm开始，随着沉积反应的进行两个所述电极的极间距到10mm。
可选的，所述两个所述电极极相向运动的速度为0.5mm/S～2mm/S。
可选的，含硅和氢的所述第一气体包括SiH4和H2的混合气体。
可选的，所述SiH4到反应器腔室中的流量为300sccm～2400sccm，所述SiH4的分压为1Torr～3Torr。
可选的，所述H2到反应器腔室中的流量为3000～5000sccm，所述H2的分压为1～3Torr。
可选的，对所述反应器腔室进行抽真空至所述反应器腔室的压力为小于0.001Torr；
可选的，所述第二气体为H2，所述H2流量为1000～5000sccm，压力为1～3Torr。
可选的，所述第一等离子气相沉积的电源功率为300～2000W，所述第一等离子气相沉积的反应温度为180℃～230℃。
可选的，所述第二等离子气相沉积的电源功率为100～300W，所述第二等离子气相沉积的反应温度为180℃～230℃。
本技术方案，通过改变电极极间距来控制本征硅膜层的沉积速率，从而控制膜层质量。工艺开始时，电极极间距较大，气体滞留时间较长，导致沉积速率较快，可有效抑制界面处外延生长，随着工艺进行，电极极间距在电机带动下缓慢下降，气体滞留时间缩短，沉积速率降低，并提供H2使本征硅膜层缺陷减少，形成缺陷梯度减少的本征非晶硅膜层，改善本征非晶硅膜层的质量。同时，本技术方案在工艺过程中可以一步完成，反应器腔室不用破空，提升了工艺效率，提高了产量，降低生产成本，有利于改善硅片表面钝化效果，并提升电池短路电流密度。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。
图1是本发明实施例一硅异质节太阳能电池制备方法流程图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在一些实施例中，一种硅异质结太阳能电池本征非晶硅膜层的制备方法，如图1所示，具体包括以下步骤：
S1提供硅片衬底到反应器腔室中；
S2提供含硅和氢的第一气体到所述反应器腔室中进行第一等离子气相沉积；
S3对所述第一等离子气相沉积后的所述反应器腔室进行抽真空；
S4提供含氢的第二气体到所述反应器腔室进行第二等离子气相沉积；
其中，在S1步骤中，所述硅片为N型双面抛光硅片，或是P型双面抛光硅片，厚度小于等于200μm，可选的，厚度小于等于100μm；电阻率小于7Ω·cm；所述硅片在进入腔室前进行如下处理步骤，包括：
(1)硅片清洗，采用标准的RCA工艺清洗硅片，具体步骤如下：
1)将所述硅片依次用去离子水、丙酮、酒精超声清洗10～15min，去除所述硅片表面的有机物。
2)将所述硅片置于RCAI(NH4OH:H2O2：H2O＝(1～3)：(1～3)：(3～8))溶液中，70℃水浴8～15min，去除有机杂质、金属离子和颗粒玷污。
3)在3％～8％的盐酸和双氧水的混合溶液；或氢氟酸和硝酸的混合溶液；或氨水和双氧水的混合溶液；或氢氟酸和盐酸的混合溶液中漂洗1～5min，去除RCAI溶液形成的表面氧化层。
4)置于RCAII(NH4OH:H2O2：H2O＝(1～3)：(1～3)：(3～8))溶液中，70℃水浴，去除金属离子Al、Fe、Ni、Na。
5)在1％～3％的盐酸和双氧水的混合溶液；或氢氟酸和硝酸的混合溶液；或氨水和双氧水的混合溶液；或氢氟酸和盐酸的混合溶液、或氢氟酸溶液中漂洗1～5min，去除RCAI溶液形成的表面氧化层。
(2)用氮气吹干硅片，放置备用的反应器腔室中进行沉积镀膜。
进一步的，在S2步骤中，在所述反应器腔室中进行第一等离子体化学气相沉积的过程中，所述反应器腔室中的两个电极相向运动。在等离子体化学气相沉积成膜的原理如下：
(1)在真空下，电子在高频电场中获得能量，碰撞含硅和氢的第一气体。使气体激发、分解形成等离子体，产生各种薄膜生长基团。
(2)在辉光放电过程中，各基团之间进一步发生化学反应，最后到达硅片表面的基团主要有SiH、SiH2、SiH3、H基团。
(3)基团到达硅片表面后，发生一系列变化，主要有吸附、反应、扩散、脱离等过程。吸附的基元在硅片表面发生迁移，找到一个稳定的位置，实现薄膜的生长，生成包含SiHx(x＝0～3)的沉积物薄膜。
本技术方案，通过改变电极极间距来控制本征硅膜层的沉积速率，从而控制膜层质量。工艺开始时，电极极间距较大，气体滞留时间较长，导致沉积速率较快，可有效抑制界面处外延生长，随着工艺进行，电极极间距在电机带动下缓慢下降，气体滞留时间缩短，沉积速率降低，并提供H2使本征硅膜层缺陷梯度减少，改善本征硅膜层质量。同时在所述反应器腔室中进行第一等离子体化学气相沉积的过程中，所述反应器腔室中的两个电极相向运动，能够使本征非晶硅膜层中的缺陷结构梯度减少，不会导致电阻的较大波动，提升本征非晶硅膜层的均匀性，有利于改善硅片表面钝化效果，并提升电池短路电流密度。同时，采用一步工艺制备本征非晶硅，还可缩短工艺时间，提高产量，降低生产成本，有利于改善硅片表面钝化效果，并提升电池短路电流密度。
在一些实施例中，在所述反应器腔室中进行第一等离子体化学气相沉积的过程中，两个所述电极的极间距由100mm开始，随着沉积反应的进行两个所述电极的极间距到10mm。具体的，将将制绒清洗硅片载入真空腔室，抽真空后开始制备本征非晶硅膜层，通入SiH4和H2，在沉积工艺过程中，电极极间距由100mm渐变至10mm，随着电极间距的逐渐靠近，在电极之间停留的含硅和氢的所述第一气体逐渐减少，从而被电子轰击的而形成的SiH、SiH2、SiH3、H基团逐渐减少，最终在硅片表面初期通过较大的速率沉积了本征非晶硅膜层，干扰了硅片表面的外延生长，同时随着电极间距缩小，能够使本征非晶硅膜层中的缺陷结构梯度减少，不会导致电阻的较大波动，本征非晶硅膜层缺陷通过较小速率沉积而降低了缺陷率，从而有效控制了非晶硅膜层的串联电阻，提升了硅异质节电池的电性能。可选的，在所述反应器腔室中进行第一等离子体化学气相沉积的过程中，两个所述电极的极间距由45mm开始，随着沉积反应的进行两个所述电极的极间距到20mm。，
在一些实施例中，在所述反应器腔室中进行第一等离子体化学气相沉积的过程中，两个所述电极极相向运动的速度为0.5mm/S～2mm/S。通过控制两个所述电极极相向运动的速度在0.5mm/S～2mm/S范围内，可以有效的避免因为两个所述电极间距变化太快而导致的非晶硅膜层沉积的不均匀性，增加非晶硅膜层的电阻。可选的，在在所述反应器腔室中进行第一等离子体化学气相沉积的过程中，两个所述电极极相向运动的速度为0.8mm/S～1.2mm/S，可以有效的避免因为两个所述电极间距变化太快而导致的非晶硅膜层沉积的不均匀性，能够使本征非晶硅膜层中的缺陷结构梯度减少，不会导致电阻的较大波动，增加非晶硅膜层的电阻，提升硅异质节太阳能电池的发电效率。
在一些实施例中，在所述反应器腔室中进行第一等离子体化学气相沉积的过程中，含硅和氢的所述第一气体包括SiH4和H2的混合气体。所述硅占所述第一气体的质量为3％～8％。在离子体化学气相沉积过程中，通过控制包含硅和氢的所述第二气体中所述硅占所述第二气体的质量为3％～8％，避免较低SiH4沉积使薄膜晶化，减少钝化膜层外延生长，同时超过8％的SiH4沉积会导致薄膜沉积速率过大，不易控制钝化膜层的沉积过程，降低钝化膜层的质量，影响电池效率。
所述SiH4到反应器腔室中的流量为300sccm～2400sccm，所述SiH4的分压为1Torr～3Torr，所述H2到反应器腔室中的流量为3000～5000sccm，所述H2的分压为1～3Torr。通过控制在所述第一等离子体化学气相沉积的过程中SiH4和H2的混合气体的流量和压力，能够有效保证在反应腔室中所述两个电极之间的气体含量可控，使第一等离子体化学气相沉积的过程中反应的基团浓度可控，反应速率均匀，避免出现局部堆积成核的现象。具体的，因为在所述反应器沉积腔室中，反应气体的分压和流量能够影响反应基团间碰撞几率和它们在腔室的滞留时间，反应器腔室的气压过高容易在本征非晶硅膜层中形成(SiH2)n聚合物，大大降低非晶硅薄膜的质量，不利于钝化膜层的均匀性。从而保证了较快速率小非晶硅膜层的均匀性，提升了硅异质节电池的发电效率和稳定性。具体的，将将制绒清洗硅片载入真空腔室，抽真空后开始制备本征非晶硅膜层，通入SiH4和H2，所述SiH4到反应器腔室中的流量为300sccm～2400sccm，所述SiH4的分压为1Torr～3Torr，所述H2到反应器腔室中的流量为3000～5000sccm，所述H2的分压为1～3Torr。在沉积工艺过程中，电极极间距由100mm渐变至10mm，随着电极间距的逐渐靠近，在电极之间停留的含硅和氢的所述第一气体逐渐减少，从而被电子轰击的而形成的SiH、SiH2、SiH3、H基团逐渐减少，有效保证在反应腔室中所述两个电极之间的气体含量可控性，使第一等离子体化学气相沉积的过程中反应的基团形成过程均匀，避免出现局部堆积成核的现象，最终在硅片表面初期通过较大的速率沉积了本征非晶硅膜层，干扰了硅片表面的外延生长，同时随着电极间距缩小，本征非晶硅膜层缺陷通过较小速率沉积而降低了缺陷率，从而有效控制了非晶硅膜层的串联电阻，提升了硅异质节电池的电性能。
在一些实施例中，在所述反应器腔室中进行第一等离子体化学气相沉积完成后，对所述反应器腔室进行抽真空至所述反应器腔室的压力为小于0.001Torr；通过抽真空能够将反应器腔室中的杂质气体排出，有效降低反应器腔室的杂质对沉积成膜的影响。
在一些实施例中，在提供包含氧的所述第一气体到所述反应器腔室之前，先将氢气充入所述反应器腔室，然后再进行抽真空到所述反应器腔室的气压小于0.1Pa。通过在提供包含硅和氢的所述第一气体到所述反应器腔室之前充入氢气，能够将反应器腔室中的杂质气体排出，有效降低反应器腔室的杂质对沉积成膜的影响。
在一些实施例中，提供含氢的所述第二气体到所述反应器腔室进行第二等离子气相沉积，所述第二气体为H2，所述H2流量为1000～5000sccm，压力为1～3Torr；所述第一等离子气相沉积的电源功率为300～2000W，所述第一等离子气相沉积的反应温度为180℃～230℃；所述第二等离子气相沉积的电源功率为100～300W，所述第二等离子气相沉积的反应温度为180℃～230℃。具体的，通过改变电极极间距来控制本征硅膜层的沉积速率，从而控制膜层质量。工艺开始时，电极极间距较大，气体滞留时间较长，导致沉积速率较快，可有效抑制界面处外延生长，随着工艺进行，电极极间距在电机带动下缓慢下降，气体滞留时间缩短，沉积速率降低，在提供含氢的所述第二气体到所述反应器腔室进行第二等离子气相沉积时，反应器腔室不用破空，硅片衬底直接进行沉积，使本征硅膜层缺陷减少，形成缺陷梯度减少的本征非晶硅膜层，改善本征非晶硅膜层的质量，提升了工艺效率，提高了产量，降低生产成本，有利于改善硅片表面钝化效果，并提升电池短路电流密度。
实施例1
S1提供N型双面抛光硅片衬底，厚度130μm，电阻率2Ω·cm，到反应器腔室中；
S2提供SiH4和H2的混合气体，硅占第一气体的质量为3％，SiH4到反应器腔室中的流量为400sccm，H2到反应器腔室中的流量为3000sccm，反应器腔室中进行第一等离子气相沉积；
S3对所述第一等离子气相沉积后的反应器腔室进行抽真空到压力为0.001Torr；
S4提供H2的第二气体到反应器腔室进行第二等离子气相沉积，H2的流量为1000sccm，H2的压力为1Torr；
其中，S2中两个所述电极的极间距由100mm开始，随着沉积反应的进行两个所述电极的极间距到10mm，两个电极极相向运动的速度为0.5mm/S，第一等离子气相沉积的电源功率为300W，第一等离子气相沉积的反应温度为180℃，S4中第二等离子气相沉积的电源功率为100W，所述第二等离子气相沉积的反应温度为180℃。具体的硅异质节电池的性能数据如表1所示。
实施例2
S1提供N型双面抛光硅片衬底，厚度150μm，电阻率4Ω·cm，到反应器腔室中；
S2提供SiH4和H2的混合气体，硅占第一气体的质量为5％，SiH4到反应器腔室中的流量为1000sccm，H2到反应器腔室中的流量为4000sccm，反应器腔室中进行第一等离子气相沉积；
S3对所述第一等离子气相沉积后的反应器腔室进行抽真空到压力为0.001Torr；
S4提供H2的第二气体到反应器腔室进行第二等离子气相沉积，H2的流量为5000sccm，H2的压力为3Torr；
其中，S2中两个所述电极的极间距由45mm开始，随着沉积反应的进行两个所述电极的极间距到20mm，两个电极极相向运动的速度为1mm/S，第一等离子气相沉积的电源功率为1000W，第一等离子气相沉积的反应温度为230℃，S4中第二等离子气相沉积的电源功率为200W，所述第二等离子气相沉积的反应温度为230℃。具体的硅异质节电池的性能数据如表1所示。
实施例3
S1提供N型双面抛光硅片衬底，厚度180μm，电阻率7Ω·cm，到反应器腔室中；
S2提供SiH4和H2的混合气体，硅占第一气体的质量为8％，SiH4到反应器腔室中的流量为2400sccm，H2到反应器腔室中的流量为5000sccm，反应器腔室中进行第一等离子气相沉积；
S3对所述第一等离子气相沉积后的反应器腔室进行抽真空到压力为0.001Torr；
S4提供H2的第二气体到反应器腔室进行第二等离子气相沉积，H2的流量为1000sccm，H2的压力为1Torr；
其中，S2中两个所述电极的极间距由100mm开始，随着沉积反应的进行两个所述电极的极间距到10mm，两个电极极相向运动的速度为0.5mm/S，第一等离子气相沉积的电源功率为2000W，第一等离子气相沉积的反应温度为230℃，S4中第二等离子气相沉积的电源功率为300W，所述第二等离子气相沉积的反应温度为230℃。具体的硅异质节电池的性能数据如表1所示。
对比例1
S1提供N型双面抛光硅片衬底，厚度180μm，电阻率7Ω·cm，到反应器腔室中；
S2提供SiH4和H2的混合气体，硅占第一气体的质量为7％，SiH4到反应器腔室中的流量为1000sccm，H2到反应器腔室中的流量为4000sccm，反应器腔室中进行第一等离子气相沉积；
S3对所述第一等离子气相沉积后的反应器腔室进行抽真空到压力为0.001Torr；
S4提供H2的第二气体到反应器腔室进行第二等离子气相沉积，H2的流量为5000sccm，H2的压力为3Torr；
其中，第一等离子气相沉积的电源功率为1000W，第一等离子气相沉积的反应温度为230℃，S4中第二等离子气相沉积的电源功率为2000W，所述第二等离子气相沉积的反应温度为230℃。具体的硅异质电池的性能数据如表1所示。
对比例2
S1提供N型双面抛光硅片衬底，厚度150μm，电阻率4Ω·cm，到反应器腔室中；
S2提供SiH4和H2的混合气体，硅占第一气体的质量为8％，SiH4到反应器腔室中的流量为2400sccm，H2到反应器腔室中的流量为5000sccm，反应器腔室中进行第一等离子气相沉积；
S3对所述第一等离子气相沉积后的反应器腔室进行抽真空到压力为0.001Torr；
S4提供H2的第二气体到反应器腔室进行第二等离子气相沉积，H2的流量为1000sccm，H2的压力为1Torr；
其中，第一等离子气相沉积的电源功率为1500W，第一等离子气相沉积的反应温度为200℃，S4中第二等离子气相沉积的电源功率为300W，所述第二等离子气相沉积的反应温度为200℃。具体的硅异质节电池的性能数据如表1所示。
表1 (辐照度：1000w/m2)
项目 Eff[％] Voc[V] Isc[A] FF％
实施例1 23.68 0.740 9.310 83.37
实施例2 23.80 0.741 9.371 83.09
实施例3 23.52 0.738 9.3376 82.79
对比例1 23.11 0.736 9.306 81.83
对比例2 23.27 0.734 9.324 82.44
从表1可以看出，通过改变电极极间距来控制本征硅膜层的沉积速率，从而控制膜层质量。工艺开始时，电极极间距较大，气体滞留时间较长，导致沉积速率较快，可有效抑制界面处外延生长，随着工艺进行，电极极间距在电机带动下缓慢下降，气体滞留时间缩短，沉积速率降低，并提供H2使本征硅膜层缺陷减少，形成缺陷梯度减少的本征非晶硅膜层，改善本征非晶硅膜层的质量。同时，本技术方案在工艺过程中可以一步完成，反应器腔室不用破空，提升了工艺效率，提高了产量，降低生产成本，有利于改善硅片表面钝化效果，并提升电池短路电流密度。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种硅异质结太阳能电池本征非晶硅膜层的制备方法，其特征在于，包括：
提供硅片衬底到反应器腔室中；
提供含硅和氢的第一气体到所述反应器腔室中进行第一等离子气相沉积；
对所述第一等离子气相沉积后的所述反应器腔室进行抽真空；
提供含氢的第二气体到所述反应器腔室进行第二等离子气相沉积；
其中在所述反应器腔室中进行第一等离子体化学气相沉积的过程中，所述反应器腔室中的两个电极相向运动。
2.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池本征非晶硅膜层的制备方法，其特征在于，在所述反应器腔室中进行第一等离子体化学气相沉积的过程中，两个所述电极的极间距由100mm开始，随着沉积反应的进行两个所述电极的极间距到10mm。
3.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池本征非晶硅膜层的制备方法，其特征在于，两个所述电极极相向运动的速度为0.5mm/S～2mm/S。
4.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池本征非晶硅膜层的制备方法，其特征在于，含硅和氢的所述第一气体包括SiH4和H2的混合气体，所述硅占所述第一气体的质量为3％～8％。。
5.根据权利要求4所述的硅异质结太阳能电池本征非晶硅膜层的制备方法，其特征在于，所述SiH4到反应器腔室中的流量为300sccm～2400sccm，所述SiH4的分压为1Torr～3Torr。
6.根据权利要求4所述的硅异质结太阳能电池本征非晶硅膜层的制备方法，其特征在于，所述H2到反应器腔室中的流量为3000sccm～5000sccm，所述H2的分压为1Torr～3Torr。
7.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池本征非晶硅膜层的制备方法，其特征在于，对所述反应器腔室进行抽真空至所述反应器腔室的压力为小于0.001Torr。
8.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池本征非晶硅膜层的制备方法，其特征在于，所述第二气体为H2，所述H2流量为1000sccm～5000sccm，压力为1Torr～3Torr。
9.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池本征非晶硅膜层的制备方法，其特征在于，所述第一等离子气相沉积的电源功率为300W～2000W，所述第一等离子气相沉积的反应温度为180℃～230℃。
10.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池本征非晶硅膜层的制备方法，其特征在于，所述第二等离子气相沉积的电源功率为100W～300W，所述第二等离子气相沉积的反应温度为180℃～230℃。
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